JP5658891B2 - 酸化物超電導膜の製造方法 - Google Patents
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Description
一方、超電導状態となっている超電導体に磁場を印加し、電流を流すと、超電導体に侵入している量子化磁束にローレンツ力が生じる。この時、ローレンツ力によって量子化磁束が移動すると、電流の方向に電圧が生じ、抵抗が生じてしまう。ローレンツ力は、電流値が増加するほど、また磁場が強くなるほど大きくなるので、磁場が強くなると臨界電流値が小さくなってしまう。
このような手法としては、例えば、レーザー蒸着法による超電導体膜の形成時に、BaZrO3、ZrO2等の常電導体となる材質を混入させたターゲットを使用して、不純物を超電導体膜に導入する方法、一部をY2O3、ZrO2、BaZrO3等の常電導体となる材質で構成したターゲットを使用して、特定の周期で不純物を超電導体膜に導入する方法が開示されている(特許文献1参照)。
本発明は、レーザー蒸着法で酸化物超電導膜を製造する方法であって、エネルギー密度が異なる複数種のレーザー光を、ターゲットに同時又は交互に照射することで、基材上に常電導体を含む酸化物超電導膜を形成する工程を有することを特徴とする酸化物超電導膜の製造方法を提供する。
本発明の酸化物超電導膜の製造方法は、同一のターゲットに前記複数種のレーザー光を照射することが好ましい。
本発明の酸化物超電導膜の製造方法は、レーザー蒸着法で酸化物超電導膜を製造する方法であって、エネルギー密度が異なる複数種のレーザー光を、ターゲットに同時又は交互に照射することで、基材上に常電導体を含む酸化物超電導膜を形成する工程を有することを特徴とする。
エネルギー密度が異なる複数種のレーザー光を照射することで、酸化物超電導膜中に不純物を導入して構造欠陥(常電導体)を生じさせ、ここで量子化磁束の動きを抑制し、臨界電流値の低下を抑制する。常電導体は、酸化物超電導膜中において、基材に対して垂直な方向(酸化物超電導膜の厚さ方向)、基材の長手方向、基材の幅方向に、いずれも均一に分散した状態となるので、印加される磁場の方向や膜の部位によらず、量子化磁束の動きが効果的に抑制され、特性が安定化される。
この時、エネルギー密度が高いレーザー光を照射することで、不純物の導入を行う。
本発明において、パルスレーザー光(レーザー光)としては、エキシマレーザー光が例示でき、KrF、ArF、XeCl、XeF等の公知のガスを使用して発生させたものが例示できる。レーザー光の波長は、ArFエキシマレーザー光は193nm、KrFエキシマレーザー光は248nm、XeClエキシマレーザー光は308nm、XeFエキシマレーザー光は353nmである。
式中、REは希土類元素を表し、Y、La、Nd、Sm、Er、Gd等が例示できる。なかでも、主組成がGdBa2Cu3O7−xであるもの(REがGdであるもの、GdBCO膜)がより好ましい。このような酸化物超電導膜は、GdBa2Cu3Oy、GdBa1.9Cu3Oy、GdBa1.8Cu3Oy等の組成を有するターゲットを使用することで形成できる。この時、常電導部分となる不純物としては、Gd2BaCu5Oz、Gd2O3、Gd2BaCu4Oz等が例示できる。
したがって、酸化物超電導膜は、主組成の比率が94〜99.7質量%であるものが好ましい。
酸化物超電導膜の組成の比率は、例えば、電子ビームの回折データで組成を特定し、断面を透過型電子顕微鏡(TEM)で観察して不純物の比率を求めることで特定できる。
前記基材としては、金属基材上に金属酸化物からなる中間層(以下、中間層と略記することがある)が積層されたものが例示できる。
キャップ層の材質は、上記機能を発現し得るものであれば特に限定されないが、好ましいものとして具体的には、CeO2、Y2O3、Al2O3、Gd2O3、Zr2O3、Ho2O3、Nd2O3等が例示できる。キャップ層の材質がCeO2である場合、キャップ層は、Ceの一部が他の金属原子又は金属イオンで置換されたCe−M−O系酸化物を含んでいても良い。
中間層が、前記金属酸化物層の上にキャップ層が積層された複数層構造である場合には、キャップ層の厚さは、通常は、0.1〜1.5μmであることが好ましい。このような範囲とすることで、一層高い効果が得られる。
レーザー蒸着装置10を使用し、第一のレーザー光18a及び第二のレーザー光18bをターゲット15の表面に照射することで、ターゲット15から叩き出され若しくは蒸発した蒸着粒子群(プルーム)19を、ヒーターボックス13内の長尺基材12の表面に堆積させることができる。
このバッキングプレート16は、巻回部材群22、23に複数回巻回されてターゲット15上に複数列のレーンを構成するように配置された長尺基材12の、全レーンの幅W1の3倍程度の幅W2を有するように形成されている。そして、このバッキングプレート16の中央部に、前記幅W1と同程度の幅のターゲット15が装着されている。
第一のレーザー光18a及び第二のレーザー光18bの照射出力は、レーザー光照射手段17に電力を供給する増幅装置(図示略)の出力によって調整できる。また、周波数は、レーザー光照射手段17に電力を一定の周波数をもって間欠的に供給するか、第一のレーザー光18a及び第二のレーザー光18bが通過する経路のどこかに、回転セクタ等の機械的シャッタを設け、この機械的シャッタを一定の周波数をもって作動させることにより調整できる。
次いで、開口部14に隣接したバッキングプレート16上にターゲット15を設置する。その後、処理容器内を減圧し、必要に応じて酸素ガスを導入して容器内を酸素雰囲気としても良い。
この時、レーン状に複数配列した長尺基材12の個々に可能な限り均一の酸化物超伝導膜を長尺基材12の全長にわたり成膜するために、第一のレーザー光18a及び第二のレーザー光18bをターゲット15の幅方向に全幅に渡り順次走査し、ターゲット15の全幅の複数の部分から順次プルーム19を発生させて成膜し、長尺基材12の全長に対応できるように長時間の成膜を行う。また、ターゲット15をバッキングプレート16と共に図1中の矢印方向に往復移動させることにより、ターゲット15の幅方向に対して垂直な方向の全域にも、第一のレーザー光18a及び第二のレーザー光18bを照射することで、結果的にターゲット15の表面全域から順次プルーム19を発生させることができる。
[実施例1]
ハステロイ(商品名、ヘインズ社製)の幅10mmのテープ上に、IBAD法によって厚さが1μmのGd2Zr2O7からなる中間層を設けた基材を、約800℃の加熱温度で加熱し、さらに40m/時間の速度で移動させながら、GdBa2Cu3Oyなる組成の同一のターゲットに第一のエキシマレーザー光及び第二のエキシマレーザー光を同時に照射して、厚さが約1μmのGdBCO膜を前記基材の表面に成膜した。この時、第一のエキシマレーザー光は、エネルギー密度を6J/cm2として周波数250Hzで照射し、第二のエキシマレーザー光は、エネルギー密度を10J/cm2として周波数50Hzで照射した。
得られたGdBCO膜は、主組成の比率が95〜99.5質量%であった。また、臨界電流値(Ic)を液体窒素の温度下で3Tの磁場中において測定した結果、表1に示すように最小値が25Aであり、印加される磁場の方向や膜の部位によらず、臨界電流値の値は安定していた。
第一のエキシマレーザー光及び第二のエキシマレーザー光に代わり、エネルギー密度が6J/cm2、周波数が300Hzのエキシマレーザー光のみを照射したこと以外は、実施例1と同様に、厚さが約1μmのGdBCO膜を成膜した。
得られたGdBCO膜の臨界電流値(Ic)を、実施例1と同様の条件で測定した結果、表1に示すように最小値が20Aであった。また、印加される磁場の方向や膜の部位によって、臨界電流値の値が変動し易かった。
第一のエキシマレーザー光及び第二のエキシマレーザー光に代わり、エネルギー密度が10J/cm2、周波数が300Hzのエキシマレーザー光のみを照射したこと以外は、実施例1と同様に、厚さが約1μmのGdBCO膜を成膜した。
得られたGdBCO膜の臨界電流値(Ic)を、実施例1と同様の条件で測定した結果、表1に示すように最小値が10Aであった。また、印加される磁場の方向や膜の部位によって、臨界電流値の値が変動し易かった。
照射するエキシマレーザー光のエネルギー密度が表1に示す値であること以外は、実施例1と同様に厚さが約1μmのGdBCO膜を成膜した。
得られたGdBCO膜の臨界電流値(Ic)を、実施例1と同様の条件で測定した。結果を表1に示す。
第一及び第二のエキシマレーザー光を、同時にではなく交互に照射したこと以外は、実施例1と同様に厚さが約1μmのGdBCO膜を成膜した。
得られたGdBCO膜の臨界電流値(Ic)を、実施例1と同様の条件で測定した結果、最小値が23Aであり、印加される磁場の方向や膜の部位によらず、臨界電流値の値は安定していた。
Claims (4)
- レーザー蒸着法で酸化物超電導膜を製造する方法であって、
エネルギー密度が異なる複数種のレーザー光を、同一のターゲットに同時又は交互に照射することで、基材上に常電導体を含む酸化物超電導膜を形成する工程を有し、
エネルギー密度が低いレーザー光が照射されている又は照射されていた領域の一部に、エネルギー密度が高いレーザー光を照射することを特徴とする酸化物超電導膜の製造方法。 - レーザー蒸着法で酸化物超電導膜を製造する方法であって、
エネルギー密度が異なる複数種のレーザー光を、同一のターゲットに同時又は交互に照射することで、基材上に常電導体を含む酸化物超電導膜を形成する工程を有し、
エネルギー密度が高いレーザー光が照射されている又は照射されていた領域の一部に、エネルギー密度が低いレーザー光を照射することを特徴とする酸化物超電導膜の製造方法。 - 前記同一のターゲットにおけるレーザー光の照射領域の表面積は、エネルギー密度が低いレーザー光の方が、エネルギー密度が高いレーザー光よりも広くなるようにすることを特徴とする請求項1または2に記載の酸化物超電導膜の製造方法。
- エネルギー密度を0.5〜7J/cm2として、前記エネルギー密度が低いレーザー光を照射し、エネルギー密度を9〜110J/cm2として、前記エネルギー密度が高いレーザー光を照射することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の酸化物超電導膜の製造方法。
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JPH0544022A (ja) * | 1991-08-09 | 1993-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザーアブレーシヨン装置 |
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JPH10237633A (ja) * | 1997-02-24 | 1998-09-08 | Toshiba Corp | 薄膜製造方法及びその装置 |
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WO2009044637A1 (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-09 | International Superconductivity Technology Center, The Juridical Foundation | Re123系酸化物超電導体とその製造方法 |
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