JP5648205B2 - バックライトアセンブリ照度調節方法及び照度調節回路とその照度調節回路を含む表示装置 - Google Patents

バックライトアセンブリ照度調節方法及び照度調節回路とその照度調節回路を含む表示装置 Download PDF

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Description

本発明は、バックライトアセンブリ照度調節方法及び照度調節回路とその照度調節回路を含む表示装置に関し、より詳細には温度変化、製品間偏差、センサー劣化等による動作点の移動等のような外部照度変化でない其の他の変数による照度変動幅を最小化することができるバックライトアセンブリ照度調節方法及び照度調節回路とその照度調節回路を含む表示装置に関する。
最近には、表示パネルに内蔵された光感知部を通じて外部光の照度を測定して、バックライトアセンブリモジュールから発生した光の照度を制御することにより、最適の画面表示特性を確保して電力消費を最小化する液晶表示装置が提示されている。
しかし、このような従来技術は、温度を変数として光センサーの出力値が変動する現象を全く考慮しておらず、製品毎に光センサー出力値の偏差が存在するという点も考慮しておらず、時間が経過することにより光センサーの薄膜トランジスタが劣化され、出力値が変わる現象も考慮していないという問題点がある。
そこで、本発明は上記従来技術における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、外部温度変化、製品偏差、時間経過等、外部照度変化でない其の他の変数によるバックライトアセンブリ照度の変動を最小化することのできるバックライトアセンブリ照度調節方法及び照度調節回路とその照度調節回路を含む表示装置を提供することにある。
上記目的を達成するためになされた本発明によるバックライトアセンブリ照度調節方法は、基準電圧を設定する段階と、光電流感知素子及び暗電流感知素子によって生成され、既定のサンプリング抽出タイミング信号によりサンプラーへの入力時間が決定される、温度変化に対してその電流レベルが変動しない純(net)光電流信号と前記基準電圧とに基づいてサンプリング電圧を生成する段階と、前記サンプリング電圧に基づいて照度調節信号を生成する段階と、前記照度調節信号を用いてバックライトアセンブリの照度を調節する段階とを有することを特徴とする。
前記照度調節信号を生成する段階は、前記アナログタイプのサンプリング電圧を変換してデジタルサンプリング信号を生成する段階、前記デジタルサンプリング信号を保存する段階、及び前記保存されたデジタルサンプリング信号の内の強い信号の平均値を照度調節信号として生成する段階を含むことができ、この場合、前記基準電圧を設定する段階、前記サンプリング電圧を生成する段階、前記アナログタイプの複数のサンプリング電圧を複数のデジタルサンプリング信号に変換する段階、及び前記デジタルサンプリング信号を保存する段階が複数回反復された後、前記照度調節信号を生成する段階が実施される。
また、上記目的を達成するためになされた本発明によるバックライトアセンブリ照度調節方法は、基準電圧を設定する段階、調整電圧を抽出する段階、及びサンプリング抽出タイミング信号を生成する段階から構成される調整区間と、再度基準電圧を設定する段階と、光電流感知素子及び暗電流感知素子の少なくともいずれか一つによって生成され、前記サンプリング抽出タイミング信号によりサンプラーへの入力時間が決定される光電流信号と、前記再度設定された基準電圧とに基づいてサンプリング電圧を生成する段階と、前記サンプリング電圧に基づいて照度調節信号を生成する段階から構成される動作区間と、前記照度調節信号を用いてバックライトアセンブリの照度を調節する段階とを有することを特徴とする。
この際、前記照度調節信号を生成する段階は、前記アナログタイプのサンプリング電圧を変換してデジタルサンプリング信号を生成する段階、前記デジタルサンプリング信号を保存する段階、及び前記保存されたデジタルサンプリング信号の内の強い信号の平均値を照度調節信号として生成する段階を含むことができ、この場合、動作区間において設定された前記基準電圧を設定する段階、前記サンプリング電圧を生成する段階、前記デジタルサンプリング信号を生成する段階、及び前記デジタルサンプリング信号を保存する段階が複数回反復された後、前記照度調節信号を生成する段階が実施される。
一方、前記サンプリング抽出タイミング信号を調整する段階は、暗電流感知素子によって形成された暗電流信号と前記調整区間において設定された前記基準電圧に基づいて調整電圧を生成する段階、前記アナログタイプの調整電圧を変換してデジタル調整信号を生成する段階、前記デジタル調整信号を符号化して符号化信号を生成する段階、及び前記符号化信号に基づいてサンプリング抽出タイミング信号を生成する段階を含む。
上記目的を達成するためになされた本発明によるバックライトアセンブリ照度調節回路は、光電流感知素子及び暗電流感知素子を含み、該光電流感知素子及び暗電流感知素子の温度変化によってその大きさが変動しない純(net)光電流信号を出力する光センシング部と、前記光センシング部の出力端の電圧レベルを固定させ、光センシング部から出力された純光電流信号を受けてこれを増幅する増幅器と、前記増幅器の出力端と接続され、既定のサンプリング抽出タイミング信号により入力制御スイッチのターンオン時間を決定され、サンプリング電圧を生成して出力するサンプラー(sampler)と、前記サンプラーからアナログタイプのサンプリング電圧を受けてデジタルサンプリング信号に変換して出力するアナログ−デジタル変換器とを有することを特徴とする。
本発明によるバックライトアセンブリ照度調節回路は、温度変化に依存性がない純光電流信号を生成した後、これに基づいて生成された照度調節信号を通じてバックライトアセンブリ照度を調節するように構成されるか、温度変化に依存性がある光電流信号、又は純光電流信号を生成した後、光電流信号又は純光電流信号とサンプリング抽出タイミング信号を通じて温度依存性を除去した照度調節信号を生成した後、これを通じてバックライトアセンブリ照度を調節するように構成される。
また、上記目的を達成するためになされた本発明によるバックライトアセンブリ照度調節回路は、光電流感知素子及び暗電流感知素子を含み、光電流信号、暗電流信号、又は純(net)光電流信号を出力する光センシング部と、前記光センシング部の出力端の電圧レベルを固定させ、光センシング部から出力される信号を受けてこれを増幅する増幅器と、動作区間においてサンプラー入力制御スイッチのターンオン時間を決定するサンプリング抽出タイミング信号を生成するカウンタ回路と、前記増幅器の出力端と接続され、調整電圧又はサンプリング電圧を生成して出力するサンプラー(sampler)と、前記サンプラーからアナログタイプの調整電圧又はサンプリング電圧を受けてこれをそれぞれデジタル調整信号とデジタルサンプリング信号に変換して出力するアナログ−デジタル変換器とを有することを特徴とする。
この際、前記複数のデジタルサンプリング信号を保存して、保存されたデジタルサンプリング信号の内の強い信号の平均値を照度調節信号として生成する演算器を更に含むことができ、この場合、前記光センシング部は、光電流感知素子及び暗電流感知素子含んで構成された複数の光センサーを含む。
又、温度変化に依存性がある光電流又は純光電流信号を利用するように構成される場合、本発明によるバックライトアセンブリ照度調節回路は、前記アナログ−デジタル変換器からnビットのデジタル調整信号を受けて、これをmビット符号化信号に変換して出力するエンコーダ、及び前記エンコーダから符号化信号を受けてこれに相応するサンプリング抽出タイミング信号を発生するカウンタを更に含み、前記サンプラーは前記サンプリング抽出タイミング信号によって前記サンプリング電圧を生成するように構成されることができる。
上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、バックライトアセンブリと共に駆動され、オープン部が具備された光遮断領域を有する表示パネルと、前記オープン部を通じて外部光に露出される光電流感知素子及び暗電流感知素子を含み、該光電流感知素子及び暗電流感知素子の温度変化によってその大きさが変動しない純(net)光電流信号を出力する光センシング部と、該光センシング部の出力端の電圧レベルを固定させ、光センシング部からの純光電流信号を受けてこれを増幅する増幅器と、該増幅器の出力端と接続され既定のサンプリング抽出タイミング信号により入力制御スイッチのターンオン時間を決定され、サンプリング電圧を生成及び出力するサンプラーと、該サンプラーからアナログタイプのサンプリング電圧を受けてデジタルサンプリング信号に変換して出力するアナログ−デジタル変換機とを含む照度調節回路とを有することを特徴とする。
また、上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、バックライトアセンブリと共に駆動され、オープン部が具備された光遮断領域を有する表示パネルと、前記オープン部を通じて外部光に露出される光電流感知素子及び暗電流感知素子を含んで光電流信号、暗電流信号、又は純(net)光電流信号を出力する光センシング部と、該光センシング部の出力端の電圧レベルを固定させ光センシング部から出力される信号を受けてこれを増幅する増幅器と、動作区間においてサンプラー入力制御スイッチのターンオン時間を決定するサンプリング抽出タイミング信号を生成するカウンタ回路と、該増幅器の出力端と接続され調整電圧又はサンプリング電圧を生成して出力するサンプラーと、該サンプラーからアナログタイプの調整電圧又はサンプリング電圧を受けてこれをそれぞれデジタル調整信号とデジタルサンプリング信号に変換して出力するアナログ−デジタル変換器とを含む照度調節回路とを有することを特徴とする。
本発明に係るババックライトアセンブリ照度調節方法及び照度調節回路とその照度調節回路を含む表示装置によれば、外部照度でない其の他の変数によるバックライトアセンブリ照度の変動幅が最小化され高い信頼性確保が可能であるという効果がある。
次に、本発明に係るバックライトアセンブリ照度調節方法及び照度調節回路とその照度調節回路を含む表示装置を実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の第1の実施形態によるバックライトアセンブリ照度調節回路構成を簡略的に示す回路図であり、図2は、図1に示した光センサーの構成を示す回路図である。図3は、図2による光センサーに入力される信号波形図である。図4は、本発明の第2の実施形態による光センサーを示す回路図である。図5は、図4による光センサーに入力される信号波形図である。
図1に示すように、本実施形態によるバックライトアセンブリ照度調節回路は、多数個の光センサー(411〜414)で構成された光センシング部410、増幅器420、サンプラー430、信号変換器440、及び演算器450で構成される。この際、光センサー(411〜414)は、図2に示すように光電流感知素子QLTとスイッチング素子QSWで構成することができ、図4に示すようにスイッチング素子QSWなしに光電流感知素子QLTのみで構成することもできる。
図1、図2、及び図3を参照して本実施形態によるバックライトアセンブリ照度調節回路の動作過程を簡略に説明すると、次のようである。
最初、光電流感知素子QLTのチャンネル部半導体に光が照射されると、価電子帯の電子の一部が伝導帯に上がって自由電子になる。この際、スイッチング素子制御信号VSWがスイッチング素子QSWの制御電極に入力されると、スイッチング素子QSWのチャンネルが開くことになり、光センシング部出力制御スイッチSLOがターンオンされると、入力電圧Vによる起電力によって光電流(I(Temp,Lux))が感知信号として出力される。
増幅器420は、光センシング部410から伝達される感知信号を通じてサンプラー430に増幅されたサンプリング電圧Vが生成されるようにする。サンプラー430は、サンプリング抽出タイミング信号(τ)によってサンプリング電圧Vsを適切に抽出した後、信号変換器440に出力する。
信号変換器440は複数の比較器(comparator)を含み、サンプラー430から抽出されたアナログタイプのサンプリング電圧Vsを受けてデジタルサンプリング信号SDSに変換した後、演算器450に出力する。演算器450は、各光感知素子411〜414の感知信号に対応する4個のデジタルサンプリング信号SDSを所定時間単位毎に順次に受けてレジスタ等のメモリ素子に保存した後、保存された4つのデジタルサンプリング信号SDSを比較して強い信号を決定し現在の外部照度として判断して明るさ制御信号VDimのレベル又は状態を変更してバックライトアセンブリ制御部に送る。バックライトアセンブリ制御部は、明るさ制御信号VDimによってバックライトアセンブリの明るさを調節することにより、外部照度変化によって最適の視認性を確保して、電力消費を減少させる。
図6、図7、及び図8は、本発明の実施形態による薄膜トランジスタ形態の光感知素子のゲート−ソース電圧Vgs及び温度による光電流、暗電流、及び純(net)光電流の変動を示すグラフである。
図6〜図8は、特定設計値を有する薄膜トランジスタ形態の光感知素子に対して、3種類のゲート−ソース電圧Vgs値を基準として温度を変数とした光電流(I(Temp,Lux))、暗電流(I(Temp))、及び光電流(I(Temp,Lux))から暗電流(I(Temp))を引いた純光電流(I(Lux))の変動を示すグラフである。本グラフは、外部照度10000luxを基準として作成した。
各々のグラフを参照すると、温度が増加することにより、光電流(I(Temp,Lux))と暗電流(I(Temp))全部全般的に増加することがわかる。しかし、光電流(I(Temp,Lux))から暗電流(I(Temp))を引いた純光電流(I(Lux))の場合は、ゲート−ソース電圧Vgsによって異なる変化を見せる。Vgs=−7Vの場合、純光電流(I(Lux))は、温度の増加と共に増加して、Vgs=0の場合は純光電流(I(Lux))が温度の変化と関係なく殆ど一定に維持され、Vgs=15Vの場合には、温度の増加と共に純光電流(I(Lux))が減少する現象を見せる。
従って、ゲート−ソース電圧Vgsを0Vとした後、純光電流(I(Lux))を利用すると、温度変化がある場合にも外部照度を比較的大きな誤差なしに測定することができることがわかる。しかし、ゲート−ソース電圧Vgsを0Vとする場合、純光電流(I(Lux))の大きさが−11乗次数に過ぎず、以後、信号増幅等の過程で誤差が大きくなる確率が高いという問題がある。又、純光電流(I(Lux))の大きさは、個別光センサー間偏差に依存性があり、時間による光センサーチャンネル部の劣化によってもその大きさが変動されることができる。
従って、より高いゲート−ソース電圧Vgsを利用することができるようにする必要があり、個別光センサー間偏差及び長期使用による劣化性を除去する方案を考慮する必要がある。より高いゲート−ソース電圧Vgsを利用する場合、純光電流(I(Lux))に温度に対する依存性が発生するので、結果値に対する調整過程が必要である。
調整は、次のような方式で可能である。まず、外部照度による影響を除去した暗電流(I(Temp))を測定して温度を把握する。その後、これに基づいて純光電流(I(Lux))累積時間を標準化する。その後、標準化された累積時間の間、累積された純光電流(I(Lux))累積量を測定した後、これに基づいて照度調節信号を生成する。
このような調整過程を経る場合、温度、製品、時点によって毎回新しく標準化された累積時間が適用されるので、外部照度変化でない温度、光センサー素子間の偏差、長期使用による劣化性等の其の他の変数による照度調節誤差を最小化させることができる。又、調整過程を適用する場合、温度依存性ある出力値を利用して外部照度を測定することができるので、必ず純光電流(I(Lux))を利用して外部照度を測定する必要がなく、光電流(I(Temp,Lux))を利用して外部照度を測定することもできる。
図9は、本発明の第3の実施形態による光センサーの構成を示す回路図であり、図10は、図9の光センサーを構成する感知素子のゲート電極に入力される信号波形図である。
本実施形態の光センサーは、光電流感知素子QLT、暗電流感知素子Q、及びスイッチング素子QSWで構成される。光電流感知素子QLT、暗電流感知素子Q、及びスイッチング素子QSWは、非晶質シリコン又は多結晶シリコンで形成された半導体チャンネル領域を有する薄膜トランジスタで有り得、半導体チャンネル領域は、チャンネル領域に流入する光量及び温度によってキャリアの個数が変わる特性を有する。
光電流感知素子QLTのドレイン電極には入力電圧Vが印加され、ゲート電極には光電流感知素子制御信号VLTが印加され、ソース電極はスイッチング素子QSWのドレイン電極と接続される。スイッチング素子QSWのゲート電極にはスイッチング素子制御信号VSWが印加され、ソース電極は第1ノードNを経て光センサー出力端(S_OUT)及び暗電流感知素子Qのドレイン電極と接続される。暗電流感知素子Qのゲート電極には暗電流感知素子制御信号Vが印加され、ソース電極は固定端に接続される。
一方、ブラックマトリックス等の光遮断領域は、光電流感知素子QLTのチャンネル領域の上方にオープン部(X)を含んでおり、光電流感知素子QLTのチャンネル領域に生成されるキャリア数は、外部光と自体温度による影響を含んで決定される。
反面、暗電流感知素子Qのチャンネル領域の上方は、ブラックマトリックスに遮られているので、暗電流感知素子Qのチャンネル領域に生成されるキャリア数は外部光による影響は含まず、自体温度による影響のみを含む。
従って、図10に示すように、光電流感知素子QLTのドレイン電極に一定な入力電圧Vが印加された状態で光電流感知素子QLTのゲート電極及び暗電流感知素子Qのゲート電極のそれぞれに一定な光電流感知素子制御信号VLT及び暗電流感知素子制御信号Vが印加されスイッチング素子QSWのゲート電極にハイレベルのスイッチング素子制御信号VSWが入力されると、光電流感知素子QLTのチャンネル領域に入射される外部光による影響と光電流感知素子QLTのチャンネル領域自体温度による影響を含む光電流(I(Temp,Lux))が第1ノードN方向に流れることになり、第1ノードNと固定端との間には、暗電流感知素子Qのチャンネル領域自体温度による影響を含む暗電流(I(Temp))が流れることになる。
従って、光電流感知素子QLTと暗電流感知素子Qを同一に設計して、両薄膜トランジスタのドレイン電極とソース間の電圧Vds及びゲート電圧とソース間電圧Vgsを同様に設計すると、出力端(S_OUT)に漏出される電流は、光電流(I(Temp,Lux))から光電流感知素子QLTのチャンネル領域自体温度による影響を除去した純光電流(I(Lux))になる。
図11は、本発明の第4の実施形態による光センサーの構成を示す回路図であり、図12は、図11の光センサーに入力される信号波形図である。
本実施形態の光センサーは、図9の実施形態からスイッチング素子QSWを除去して、光電流感知素子QLTのソース電極を第1ノードNを通じて出力端子(S_OUT)と暗電流感知素子Qのドレイン電極に直接接続するように構成される。
これによって、図9及び図10の実施形態のように、一定な光電流感知素子制御信号VLT及び暗電流感知素子制御信号Vを印加した状態でスイッチング素子QSWにパルス型スイッチング素子制御信号VSWを印加して出力信号を発生させず、図12に示すようにパルス型の光電流感知素子制御信号VLTと暗電流感知素子制御信号Vを通じて直接出力信号を発生させるように構成される。
図13は、本発明の第5の実施形態によるバックライトアセンブリ照度調節回路が適用された表示装置の概略平面図であり、図14は、図13の表示装置が実際に画面を表示した状態を示す図である。
本実施形態は、表示領域が固定表示領域(A)と一般表示領域(B)に区分される所謂セクションディスプレイ方式の表示装置に本発明によるバックライトアセンブリ照度調節回路を適用した場合である。
本発明によるバックライトアセンブリ照度調節回路に含まれる光センサーは、アモルファスシリコン又はポリシリコンで形成されたチャンネル領域を有する薄膜トランジスタで構成され液晶表示装置の製造工程を通じて基板上に同時に形成することができ、この場合、画面表示とは関係ない光遮断領域100又は反射電極REの下に形成することが好ましい。反面、バックライトアセンブリ照度調節回路の残り部分は、駆動集積回路200等に内蔵させることができる。勿論、バックライトアセンブリ照度調節回路全体が基板の光遮断領域100上に形成することもでき、全体を駆動集積回路200に内蔵させることもできる。
光遮断領域100又は反射電極REは、オープン部(図示せず)を含み、光電流感知素子QLTはオープン部を通じて露出され暗電流感知素子Qは露出しないように構成される。本実施形態のようなセクションディスプレイの場合、特に固定表示領域(A)に位置した反射電極REの下に光センサーを形成することが好ましい。固定表示領域(A)は、一般的に時間、音量、モード、バッテリー残量等を表示するので、高い解像度を要求せず、このため、一般表示領域(B)と比較して画素がより大きく設計される。又、固定表示領域(A)は、別途の操作なしにユーザがいつでも確認できるようにするために、一般的に画素に反射領域を含むように構成される。従って、バックライトアセンブリ照度調節回路を固定表示領域(A)に位置した反射電極下に形成することが設計的観点から有利である。
一方、本発明によるバックライトアセンブリ照度調節方法及び回路を透過モードの表示装置に適用する場合には、外部照度が高くなるほど、バックライトアセンブリ照度も高くなるのが視認性の観点から有利で、反射モードの表示装置に適用する場合には、外部照度が高くなるほど、バックライトアセンブリ照度は低くなるのが視認性及び消費電力の観点から好ましい。
図15は、本発明の第6の実施形態によるバックライトアセンブリ照度調節回路の全体構成を示す概略回路図である。
本実施形態のバックライトアセンブリ照度調節回路は、大きく、光センシング部310、増幅器320、サンプラー330、アナログ−デジタル変換器(ADC)340、エンコーダ350、及びカウンタ360で構成される。
本実施形態の光センシング部310は、上述した図11の光センサー多数個が並列に連結された場合である。
図9の光センサー多数個を並列に連結した形態に構成することもできるのは勿論である。
本実施形態のように光センシング部310の出力端には光センシング部出力制御スイッチSLOが追加することができるが、光センサーの制御信号(光電流感知素子制御信号)VLT、(暗電流感知素子制御信号)Vを適切に調節して省略することもできる。光センシング部310は、前述した光電流(I(Temp,Lux))、暗電流(I(Temp))、又は純光電流(I(Lux))を選択的に出力して増幅器320に伝達する。
増幅器320の第1入力端には光センシング部310の出力信号が入力され、第2入力端には基準電圧VREFが入力され、増幅器320の出力端はサンプラー330の入力制御スイッチSSIと接続される。増幅器320は、光センシング部310から伝達される微弱な出力信号を増幅してサンプラー330に増幅されたサンプリング電圧V又は調整電圧VCALが生成されるようにする役割を果たす。一方、本実施形態の増幅器320は、サンプラー330のサンプリング電圧V又は調整電圧VCALを基準電圧VREFにリセットするリセットスイッチSを含む。
サンプラー330は一端が増幅器320の出力端子と接続され、他端は固定電圧端子に接続されたキャパシタCと、入力を制御するサンプラー入力制御スイッチSSI及び出力を制御するサンプラー出力制御スイッチSSOを含んで構成される。キャパシタCは、増幅器320の出力信号を受けてサンプリング電圧V又は調整電圧VCALを生成して維持する役割を果たし、サンプラー入、出力制御スイッチSSI、SSOを通じて入出力が制御される。サンプラー330は、アナログタイプのサンプリング電圧V又は調整電圧VCALを生成してアナログ−デジタル変換器340に伝達する役割を果たす。
アナログ−デジタル変換器340は、アナログタイプのサンプリング電圧V又は調整電圧VCALの入力を受けて、これらをそれぞれデジタルサンプリング信号SDSとデジタル調整信号SDCALに変換する役割を果たす。変換されたデジタルサンプリング信号SDSは、出力制御スイッチSOCを経てバックライトアセンブリ制御部に伝達され変換されたデジタル調整信号SDCALは、出力制御スイッチSOCを経てエンコーダ350に伝達される。本発明のアナログ−デジタル変換器340は、多数の比較器を組み合わせて構成することができ、其の他の公知された多様な形態のアナログ−デジタル変換器を適用することもできる。
エンコーダ350は、アナログ−デジタル変換器340からnビットデジタル調整信号SDCALの入力を受けて、サンプリング抽出タイミング信号(τ)生成のためのmビット符号化信号Sを生成して、カウンタ360に出力する役割を果たす。公知された多様な形態のエンコーダ350が本発明に適用することができるのは勿論である。
カウンタ360は、エンコーダ350から符号化信号Sの入力を受けて、サンプリング抽出タイミング信号(τ)を生成して、サンプリング抽出タイミング信号(τ)によってサンプラー入力制御スイッチSSIのターンオン時間が決定される。公知された多様な形態のカウンタ360が本発明に適用することができるのは勿論である。
本実施形態では、サンプラー330のサンプリング電圧Vsと調整電圧VCALがアナログ−デジタル変換器340に入力され、これに基づいて生成されたデジタルサンプリング信号SDSとデジタル調整信号SDCALが出力制御スイッチSOCを通じてバックライトアセンブリ制御部又はエンコーダ350に選択的に伝達されるように構成したが、サンプラー330のサンプリング電圧Vsと調整電圧VCALが制御信号を通じてそれぞれ別途のアナログ−デジタル変換器に入力され、それぞれのアナログ−デジタル変換器の出力がそれぞれバックライトアセンブリ制御部及びエンコーダ350に入力される形態がより好ましい。
具体的な構成は、バックライトアセンブリ制御の精密度及びサンプリング抽出タイミング信号の精密度等によって多様に変更することができるが、一般的にはデジタルサンプリング信号SDSの場合、数ビット程度の大きさに十分で、デジタル調整信号SDCALは、サンプリング抽出タイミング信号(τ)の精密な変換のために十分に高いビット数が必要なので、サンプリング電圧Vが入力されるアナログ−デジタル変換器の場合、数個の比較器の並列組み合わせで十分である反面、調整電圧VCALが入力されるアナログ−デジタル変換器の場合、十分な分解能を有するアナログ−デジタル変換器が必要である。
以下、図15及び図16の入力信号波形図を参照して本実施形態によるバックライトアセンブリ照度調節回路の動作過程を説明する。ここで、VLO、V、VSI、VSO、VLT、Vは、それぞれ光センシング部出力制御スイッチSLO、リセットスイッチS、サンプラー入力制御スイッチSSI、サンプラー出力制御スイッチSSO、光電流感知素子QLT、暗電流感知素子Qに入力される制御信号である。
調整区間は、最終出力信号の温度依存性、光センサー素子の個体間偏差及び長期使用による劣化性を除去するためのサンプリング抽出タイミング信号(τ)を生成する区間である。
最初、基準電圧設定区間では、光センシング部出力制御スイッチSLO及びサンプラー出力制御スイッチSSOがターンオフされた状態でリセットスイッチS及びサンプラー入力制御スイッチSSIがターンオンされサンプラー330に保存されたサンプリング電圧Vsが放電され基準電圧VREFが保存される。
その後、調整電圧抽出区間では、光電流感知素子QLT、サンプラー出力制御スイッチSSO、及びリセットスイッチSはターンオフを維持した状態で光センシング部出力制御スイッチSLOとサンプラー入力制御スイッチSSIはターンオンされ暗電流感知素子Qにはハイレベルの暗電流感知素子制御信号Vが入力され光センシング部310の出力信号を通じてサンプラー330の基準電圧VREFが調整電圧VCALに調整される。この場合、サンプラー入力制御スイッチSSIは、既に設定された調整電圧抽出区間(τ)の間、ターンオン状態を維持して暗電流(I(Temp))が固定端方向に流れると仮定すると、この時に得られる調整電圧VCALは以下の数式1によって決定される。
Figure 0005648205
サンプリング抽出タイミング信号生成区間では、光センシング部出力制御スイッチSLOとリセットスイッチS及びサンプラー入力制御スイッチSSIは全部オフされ、サンプラー出力制御スイッチSSOがターンオンされ調整電圧VCALをアナログ−デジタル変換器340に伝達する。
アナログ−デジタル変換器340は、アナログタイプである調整電圧VCALをnビットデジタル調整信号SDCALに変換した後、出力制御スイッチSOCを通じてエンコーダ350に伝達する。
エンコーダ350は、所定のアルゴリズムによってnビットデジタル信号をmビットデジタル信号に符号化して生成した符号化信号Sをカウンタ360に伝達する。アナログ−デジタル変換器340のnビットデジタル出力信号とエンコーダ350のmビットデジタル出力信号間のエンコーディングアルゴリズムは、温度による光電流(I(Temp,Lux))、暗電流(I(Temp))、及び純光電流(I(Lux))の変化に対する実験データを考慮して最適化することができ、これに基づいてエンコーダ350を設計することができる。
カウンタ360は、エンコーダ350から符号化信号Sを受けてこれによりサンプリング抽出タイミング信号(τ)を生成する。
一方、光センサーの個体間の偏差又は光センサーの長期使用劣化によるサンプリング抽出タイミング信号(τ)の誤差を減少させるために、互いに並列に接続された光センサー毎に順次にサンプリングを行った後、強い信号値の平均値を最終的なサンプリング抽出タイミング信号(τ)に決定することができる。この場合、光センサーの個数だけ生成されるサンプリング抽出タイミング信号を保存するメモリ及び簡単な演算回路が追加される。
次に、動作区間での回路の動作を説明する。動作区間は、外部照度を感知してバックライトアセンブリに照度調節信号VDimを提供する区間である。
最初、基準電圧設定区間の動作は、上述した調整区間での基準電圧設定区間の動作と同じなので説明を省略する。
サンプリング電圧生成区間では、リセットスイッチS及びサンプラー出力制御スイッチSSOは遮断され、光センシング部出力制御スイッチSLO及びサンプラー入力制御スイッチSSIは、ターンオンされた状態でハイレベルの光感知素子制御信号VLT及び暗感知素子制御信号Vが入力される。この際、サンプラー入力制御スイッチSSIのターンオン期間は、上述した調整区間で生成されたサンプリング抽出タイミング信号(τ)によって決定される。光センシング部310から発生した純光電流(I(Lux))が増幅器320方向に流れると仮定すると、サンプリング電圧生成区間を通じてサンプラー330のキャパシタCに保存されるサンプラー電圧Vsは、以下の数式2によって決定される。
Figure 0005648205
照度調節信号生成区間において、サンプラー入力制御スイッチSSIはターンオフされサンプラー出力制御スイッチSSOはターンオンされる。其の他の残りスイッチも電力消費を最小化するためにターンオフされることが好ましい。
本区間でアナログ−デジタル変換器340は、サンプラー330からアナログタイプのサンプリング電圧Vsを受けてデジタルサンプリング信号SDSを生成する。生成されたデジタルサンプリング信号SDSはデジタルサンプリング電圧出力制御スイッチSOCの制御を通じて演算器370に伝達される。このような過程は、複数の光センサーを時分割方式で用いて実行され、演算器370は順次に伝達されるデジタルサンプリング信号SDSをレジスタ等のメモリ素子に保存し、最後のデジタルサンプリング信号SDSが伝達された後、デジタルサンプリング信号SDSの強い信号の平均値を照度調節信号VDimとして出力してバックライトアセンブリ制御部に伝達する。複数の光センサーに対して時分割方式で上記過程を反復させることは光センサー素子の個体間偏差及び長期使用による劣化を考慮するためである。
照度調節信号VDimは、駆動ボードに既に存在する直列外部インターフェース(SPI)又は内部統合回路バス(IC)のような低速直列インターフェースを通じて別途の出力ピンなしに命令形式でバックライトアセンブリ制御システムに伝達することができる。
一方、照度調節信号VDimは、外部照度変化対応度及び電力消費を考慮して適切な間隔をおいて変換されることが好ましく、照度調節回路の調整過程は発生が想定される温度変化の程度を考慮して適切な間隔をおいて行われることが好ましい。
図15の実施形態は、温度依存性がある光電流(I(Temp,Lux))信号を利用して照度調節する場合の好ましい実施形態である。光電流(I(Temp,Lux))信号でない純光電流(I(Lux))信号を利用することも可能である。光電流(I(Temp,Lux))信号を利用しようとする場合、光センシング部310に入力される制御信号及びエンコーダ350の設計を変更することだけで純光電流(I(Lux))信号を利用することと同じ効果を得ることができる。
一方、光感知素子のゲート−ソース電圧Vgs値を調節して温度依存性がない純光電流(I(Lux))信号を利用する場合には、図15の実施形態のように、エンコーダ350、カウンタ360等が必要なく、サンプリング抽出タイミング信号(τ)を生成する調整区間が必要ではない。定められた一定のサンプリング抽出タイミング信号(τ)を用いることができる。
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
本発明の第1の実施形態によるバックライトアセンブリ照度調節回路の構成を簡略的に示す回路図である。 図1に示した光センサーの構成を示す回路図である。 図2による光センサーに入力される信号波形図である。 本発明の第2の実施形態による光センサーを示す回路図である。 図4による光センサーに入力される信号波形図である。 本発明の実施形態による薄膜トランジスタ形態の光感知素子のゲート−ソース電圧Vgs及び温度による光電流、暗電流、及び純光電流の変動を示すグラフである。 本発明の実施形態による薄膜トランジスタ形態の光感知素子のゲート−ソース電圧Vgs及び温度による光電流、暗電流、及び純光電流の変動を示すグラフである。 本発明の実施形態による薄膜トランジスタ形態の光感知素子のゲート−ソース電圧Vgs及び温度による光電流、暗電流、及び純光電流の変動を示すグラフである。 本発明の第3の実施形態による光センサーの構成を示す回路図である。 図9による光センサーに入力される信号波形図である。 本発明の第4の実施形態による光センサーの構成を示す回路図である。 図11による光センサーに入力される信号波形図である。 本発明の第5の実施形態によるバックライトアセンブリ照度調節回路が適用された表示装置の概略平面図である。 図13の表示装置が実際に画面を表示する一例を示す図である。 本発明の第6の実施形態によるバックライトアセンブリ照度調節回路の全体構成を示す概略回路図である。 図15のバックライトアセンブリ照度調節回路に入力される信号波形図である。
符号の説明
100 光遮断領域
200 駆動集積回路
310、410 光センシング部
320、420 増幅器
330、430 サンプラー
340 アナログ−デジタル変換器
350 エンコーダ
360 カウンタ
370、450 演算器
440 信号変換器
LT 光電流感知素子
暗電流感知素子
SW スイッチング素子
LO 光センシング部出力制御スイッチ
リセットスイッチ
SI サンプラー入力制御スイッチ
SO サンプラー出力制御スイッチ
OC 出力制御スイッチ
REF 基準電圧
CAL 調整電圧
サンプリング電圧
DCAL デジタル調整信号
DS デジタルサンプリング信号
Dim 照度調節信号

Claims (18)

  1. 基準電圧を設定する段階と、
    光電流感知素子及び暗電流感知素子によって生成され、既定のサンプリング抽出タイミング信号によりサンプラーへの入力時間が決定される、温度変化に対してその電流レベルが変動しない純(net)光電流信号と前記基準電圧とに基づいてサンプリング電圧を生成する段階と、
    前記サンプリング電圧に基づいて照度調節信号を生成する段階と、
    前記照度調節信号を用いてバックライトアセンブリの照度を調節する段階とを有することを特徴とするバックライトアセンブリ照度調節方法。
  2. 前記照度調節信号を生成する段階は、アナログタイプの複数のサンプリング電圧を複数のデジタルサンプリング信号に変換する段階と、
    前記デジタルサンプリング信号を保存する段階と、
    前記保存されたデジタルサンプリング信号の内の強い信号(strong signal)の平均値を照度調節信号として出力する段階とを含むことを特徴とする請求項1に記載のバックライトアセンブリ照度調節方法。
  3. 前記基準電圧を設定する段階、前記サンプリング電圧を生成する段階、前記アナログタイプの複数のサンプリング電圧を複数のデジタルサンプリング信号に変換する段階、及び前記デジタルサンプリング信号を保存する段階が複数回反復された後、前記照度調節信号を生成する段階が行われることを特徴とする請求項2に記載のバックライトアセンブリ照度調節方法。
  4. 基準電圧を設定する段階、調整電圧を抽出する段階、及びサンプリング抽出タイミング信号を生成する段階から構成される調整区間と、
    再度基準電圧を設定する段階、光電流感知素子及び暗電流感知素子の少なくともいずれか一つによって生成され、前記サンプリング抽出タイミング信号によりサンプラーへの入力時間が決定される光電流信号と、前記再度設定された基準電圧とに基づいてサンプリング電圧を生成する段階、及び前記サンプリング電圧基づいて照度調節信号を生成する段階から構成される動作区間と
    前記照度調節信号を用いてバックライトアセンブリの照度を調節する段階とを
    有することを特徴とするバックライトアセンブリ照度調節方法。
  5. 前記照度調節信号を生成する段階は、前記アナログタイプの複数のサンプリング電圧を複数のデジタルサンプリング信号に変換する段階と、
    前記デジタルサンプリング信号を保存する段階と、
    前記保存されたデジタルサンプリング信号の内の強い信号(strong signal)の平均値を照度調節信号として出力する段階とを含むことを特徴とする請求項4に記載のバックライトアセンブリ照度調節方法。
  6. 前記動作区間において基準電圧を設定する段階、前記サンプリング電圧を生成する段階、前記アナログタイプのサンプリング電圧をデジタルサンプリング信号に変換する段階、及び前記デジタルサンプリング信号を保存する段階が複数回反復された後、前記照度調節信号を生成する段階が行われることを特徴とする請求項5に記載のバックライトアセンブリ照度調節方法。
  7. 前記サンプリング抽出タイミング信号を調整する段階は、前記暗電流感知素子によって生成された暗電流信号と前記調整区間において設定された基準電圧とに基づいて調整電圧を生成する段階と、
    前記アナログタイプの調整電圧をデジタル調整信号に変換する段階と、
    前記デジタル調整信号を符号化して符号化信号を生成する段階と、
    前記符号化信号に基づいて前記サンプリング抽出タイミング信号を生成する段階とを含むことを特徴とする請求項4に記載のバックライトアセンブリ照度調節方法。
  8. 光電流感知素子及び暗電流感知素子を含み、該光電流感知素子及び暗電流感知素子の温度変化によってその大きさが変動しない純(net)光電流信号を出力する光センシング部と、
    前記光センシング部の出力端の電圧レベルを固定させ、光センシング部から出力された純光電流信号を受けてこれを増幅する増幅器と、
    前記増幅器の出力端と接続され、既定のサンプリング抽出タイミング信号により入力制御スイッチのターンオン時間を決定され、サンプリング電圧を生成して出力するサンプラー(sampler)と、
    前記サンプラーからアナログタイプのサンプリング電圧を受けてデジタルサンプリング信号に変換して出力するアナログ−デジタル変換器とを有することを特徴とするバックライトアセンブリ照度調節回路。
  9. 前記複数のデジタルサンプリング信号を保存して、保存されたデジタルサンプリング信号の内の強い信号(strong signal)の平均値を照度調節信号として生成する演算器を更に有することを特徴とする請求項8に記載のバックライトアセンブリ照度調節回路。
  10. 前記光センシング部は、光電流感知素子及び暗電流感知素子を含んで構成された複数の光センサーを含むことを特徴とする請求項9に記載のバックライトアセンブリ照度調節回路。
  11. 光電流感知素子及び暗電流感知素子を含み、光電流信号、暗電流信号、又は純(net)光電流信号を出力する光センシング部と、
    前記光センシング部の出力端の電圧レベルを固定させ、光センシング部から出力される信号を受けてこれを増幅する増幅器と、
    動作区間においてサンプラー入力制御スイッチのターンオン時間を決定するサンプリング抽出タイミング信号を生成するカウンタ回路と、
    前記増幅器の出力端と接続され、調整電圧又はサンプリング電圧を生成して出力するサンプラー(sampler)と、
    前記サンプラーからアナログタイプの調整電圧又はサンプリング電圧を受けてこれをそれぞれデジタル調整信号とデジタルサンプリング信号に変換して出力するアナログ−デジタル変換器とを有することを特徴とするバックライトアセンブリ照度調節回路。
  12. 前記複数のデジタルサンプリング信号を保存して、保存されたデジタルサンプリング信号の内の強い信号(strong signal)の平均値を照度調節信号として生成する演算器を更に有することを特徴とする請求項11に記載のバックライトアセンブリ照度調節回路。
  13. 前記光センシング部は、光電流感知素子及び暗電流感知素子を含んで構成された複数の光センサーを含むことを特徴とする請求項12に記載のバックライトアセンブリ照度調節回路。
  14. 前記アナログ−デジタル変換器からnビットのデジタル調整信号を受けてこれをmビット符号化信号に変換して出力するエンコーダと(n、mは自然数)、前記エンコーダからの符号化信号を受け、これに基づいて前記サンプリング抽出タイミング信号を発生するカウンタとを更に有することを特徴とする請求項11に記載のバックライトアセンブリ照度調節回路。
  15. 前記サンプラーは、前記サンプリング抽出タイミング信号によって前記サンプリング電圧を生成することを特徴とする請求項14に記載のバックライトアセンブリ照度調節回路。
  16. 前記アナログ−デジタル変換器は、前記サンプラーからアナログタイプの調整電圧を受けてデジタル調整信号に変換して出力し、前記サンプラーからアナログタイプのサンプリング電圧を受けてデジタルサンプリング信号に変換して出力することを特徴とする請求項11に記載のバックライトアセンブリ照度調節回路。
  17. バックライトアセンブリと共に駆動され、オープン部が具備された光遮断領域を有する表示パネルと、
    前記オープン部を通じて外部光に露出される光電流感知素子及び暗電流感知素子を含み、該光電流感知素子及び暗電流感知素子の温度変化によってその大きさが変動しない純(net)光電流信号を出力する光センシング部と、
    該光センシング部の出力端の電圧レベルを固定させ、光センシング部からの純光電流信号を受けてこれを増幅する増幅器と、
    該増幅器の出力端と接続され、既定のサンプリング抽出タイミング信号により入力制御スイッチのターンオン時間を決定され、サンプリング電圧を生成して出力するサンプラーと、
    該サンプラーからアナログタイプのサンプリング電圧を受けてデジタルサンプリング信号に変換して出力するアナログ−デジタル変換器とを含む照度調節回路とを有することを特徴とする表示装置。
  18. バックライトアセンブリと共に駆動され、オープン部が具備された光遮断領域を有する表示パネルと、
    前記オープン部を通じて外部光に露出される光電流感知素子及び暗電流感知素子を含んで光電流信号、暗電流信号、又は純(net)光電流信号を出力する光センシング部と、
    該光センシング部の出力端の電圧レベルを固定させ光センシング部から出力される信号を受けてこれを増幅する増幅器と、
    動作区間においてサンプラー入力制御スイッチのターンオン時間を決定するサンプリング抽出タイミング信号を生成するカウンタ回路と、
    該増幅器の出力端と接続され調整電圧又はサンプリング電圧を生成して出力するサンプラーと、
    該サンプラーからアナログタイプの調整電圧又はサンプリング電圧を受けてこれをそれぞれデジタル調整信号とデジタルサンプリング信号に変換して出力するアナログ−デジタル変換器とを含む照度調節回路とを有することを特徴とする表示装置。
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