JP5646836B2 - 試料加工方法及び装置 - Google Patents
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Description
また、集束イオンビームで第一の断面を形成することで、平坦な第一の断面を形成することができる。集束イオンビームの入射角度を変えて第一の断面側から集束イオンビームを入射することで、第一の断面よりも平坦な第二の断面を形成することができる。また、第一の断面と第二の断面を同一の試料加工装置で形成することができるので、複数の装置を用いる必要がない。
従来のガリウムイオンの集束イオンビームを用いた際に起こる試料への金属イオン注入がないため試料を汚染することなく加工することができる。
1に集束イオンビームを照射して保護膜61と第一の断面43と交差する第二の断面46を形成する。図6(a)、(b)、(c)は試料4の加工方法を説明する試料4の断面図である。
2…試料室
3…試料台
4…試料
5…二次粒子検出器
6…試料台制御部
7…ガス銃
8…ガスイオンビーム照射部
9…試料傾斜ホルダ
11…観察像形成部
12…表示部
31…集束イオンビーム
32…凹部
33…第一の断面
34…集束イオンビーム
35…凹部
36…第二の断面
41…集束イオンビーム
42…凹部
43…第一の断面
44…集束イオンビーム
45…凹部
46…第二の断面
61…保護膜
71…プローブ
72…第一の断面
73…凹部
74…第二の断面
Claims (10)
- 表面に凹凸を有する試料に第一の断面を形成する工程と、
前記第一の断面と交差する第二の断面を集束イオンビームで形成する工程と、
を含む試料加工方法であって、
前記試料の前記凹凸を有する表面に前記集束イオンビームの照射でエッチング加工して前記第一の断面を形成し、前記第一の断面を形成する前記集束イオンビームと前記試料に対して異なる方向から前記集束イオンビームを入射し前記第二の断面を形成する試料加工方法。 - 前記試料の表面に対して略平行に前記集束イオンビームを照射して前記第一の断面を形成し、前記表面に対して略垂直に前記集束イオンビームを照射して前記第二の断面を形成する請求項1に試料加工方法。
- 前記試料を傾斜および回転し、前記第一の断面を形成する前記集束イオンビームと前記試料に対して異なる方向から前記集束イオンビームを入射して前記第二の断面を形成する請求項1に記載の試料加工方法。
- さらに前記第一の断面に保護膜を形成する工程を有し、
前記第一の断面と前記保護膜に対して交差する第二の断面を集束イオンビームで形成する請求項1に記載の試料加工方法。 - 前記保護膜は、原料ガスを前記第一の断面に供給し、前記第一の断面に前記集束イオンビームを照射して形成する請求項4に記載の試料加工方法。
- 集束イオンビーム照射部と、
表面に凹凸を有する試料を載置する試料台と、
前記試料台を傾斜する試料台制御部と、
前記集束イオンビームを前記試料に照射し、前記試料から発生した二次粒子を検出する二次粒子検出部と、
前記二次粒子検出部からの信号に基づいて観察像を形成する観察像形成部と、
前記観察像を表示する表示部と、
前記試料を第一の傾斜角で設置し、前記試料の前記凹凸を有する表面に前記集束イオンビームの照射でエッチング加工して第一の断面を形成し、前記試料を第二の傾斜角で設置し前記第一の断面と交差する第二の断面を前記集束イオンビームで形成する試料傾斜ホルダと、
を有する試料加工装置。 - さらに、前記第一の断面に原料ガスを供給するガス銃を有する請求項6に記載の試料加工装置。
- さらに、前記集束イオンビームを照射する前記試料の位置と同一位置にイオンビームを照射するイオンビーム照射部を有する請求項6に記載の試料加工装置。
- 前記第一の断面は前記凹凸の影響を受けて縦筋の入った面となり、
前記第二の断面は、前記第一の断面に比べて前記凹凸による縦筋の影響が軽減される請求項1に記載の試料加工方法。 - 前記第一の断面は前記凹凸の影響を受けて縦筋の入った面となり、
前記第二の断面は、前記第一の断面に比べて前記凹凸による縦筋の影響が軽減される請求項6に記載の試料加工装置。
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