JP5644787B2 - 非接触センサ - Google Patents

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本発明は、非接触センサに関する。
従来から、電極と測定対象との誘導結合を利用した非接触センサが知られている。
例えば、特許文献1では、センサ電極を備えた非接触センサが開示されている。センサ電極はコイルから構成され、交流電源からセンサ電極へ交流電流が供給される。センサ電極を導電材料に近づけると、センサ電極から発生する磁界により、センサ電極と導電材料が誘導結合される。誘導結合によって、センサ電極の電位が低下する。
この現象を利用して、例えば、絶縁材料に混入した金属片を検出することができる。センサ電極を金属片に近づけると、センサ電極の電位が低下し始める。センサ電極の電位低下は、センサ電極が金属片上に至るときにピークとなり、センサ電極が金属片から遠ざかるにつれて、電位が上昇(回復)し始める。このことから、電位変化のピークポイントに対応するセンサ電極の位置を特定することで、金属片の位置を特定することができる。
特開2011−119114号公報
ところで、測定対象をより高精度に測定するために、センサの分解能の向上が求められている。センサの分解能を高めるためには、センサ電極の導線径を小さくすることが好適である。図10には、相対的に導線径の大きいセンサ電極106Aと、相対的に導線径の小さいセンサ電極106Bを、測定対象100上に走査させたときの模式図が示されている。この図に示されているように、導線径の大きいセンサ電極106Aの電位変化のピークポイントと比較して、導線径の小さいセンサ電極106Bの電位変化のピークポイントは急峻になる。ピークポイントが急峻になるほど、金属片102の特定範囲が絞り込まれ、その結果、より迅速に金属片102の位置を特定することが可能となる。
一方、従来の非接触センサでは、導線を小径化すると、以下のような課題が生じる。センサ電極に電流が流れることによって、センサ電極にはジュール熱が発生する。ジュール熱Qは、電流Iの自乗と抵抗Rの積に比例する(Q∝I2R)ことが知られている。また、センサ電極における導体抵抗Rは、導線径Dが小さくなるほど高くなる(R∝1/D)ことが知られている。したがって、電流量を維持したまま、導線を小径化すると、センサ電極が過熱により損傷するおそれがある。一方、センサ電極の過熱を抑えるために電流量を減らそうとすると、図11に示すように、磁界108が弱まって測定対象110を誘導できる範囲が狭くなる。つまり、センサの感度が低下するという別の問題が生じる。
本発明は、非接触センサに関するものである。当該非接触センサは、交流電源から供給される交流電流によって磁界を発生させる供給電極と、前記供給電極の磁界によって測定対象と誘導結合される測定電極と、前記測定電極の電位変化から前記測定対象の特性を求める演算部と、を備える。
また、上記発明において、前記供給電極及び前記測定電極は、それぞれ導線から構成され、前記測定電極の導線径は、前記供給電極の導線径よりも小さいことが好適である。
また、上記発明において、前記測定対象との間の相互インダクタンスが、前記測定電極と前記測定対象との間の相互インダクタンスとは異なる値となるように前記測定対象と誘導結合される参照電極を備えることが好適である。
本発明によれば、センサの感度低下や電極の過熱を抑制しつつ、測定電極の導線を小径化することが可能となる。
本発明の一実施形態における非接触センサの構成を説明する図である。 本発明の一実施形態における非接触センサの測定方法について説明する図である。 本発明の一実施形態における非接触センサの測定原理を説明する図である。 本発明の一実施形態における非接触センサの測定原理を説明する図である。 本発明の一実施形態における非接触センサの測定原理を説明する図である。 本発明の一実施形態における非接触センサの測定方法について説明する図である。 本発明の一実施形態における非接触センサの測定方法について説明する図である。 本発明の一実施形態における非接触センサの構成を説明する図である。 本発明の一実施形態における非接触センサの測定原理を説明する図である。 センサ電極の径をセンサの分解能との関係を説明する図である。 従来の非接触センサを説明する図である。
図1に、本実施の形態に係る非接触センサを例示する。非接触センサ10は、交流電源12、供給電極14、測定電極16、及び演算部18を備えている。
交流電源12は、交流電力を供給電極14に供給する。交流電源12は、例えば、電圧や周波数が可変なVVVF電源であってよい。また、交流電源12は、増幅器13を介して交流電力を供給電極14に送るようにしてもよい。
演算部18は、測定電極16の電位変化を取得するとともに、当該電位変化から測定対象20の特性を求める。演算部18は、例えば、計測器26と情報処理器28を備えていてもよい。
計測器26は、測定電極16から取得した信号からノイズ成分を除去したり、除去された信号を増幅するなどの機能を有している。計測器26は、例えば、位相検波器29、増幅器30、及びフィルタ32を備えていてよい。
位相検波器29は、測定電極16から取得した電圧信号のうち、交流電源12が供給電極14に印加した入力電圧と同位相の成分を取り出す。増幅器30は、位相検波後の信号を増幅する。フィルタ32は、増幅後の信号から、位相検波器29で除去し切れなかった成分(例えば、高周波成分)を除去する。
情報処理器28は、計測器26から信号を受け取るとともに、信号の演算処理を行う。例えば、情報処理器28は、A/D変換器34、記憶装置36、データ処理装置38、及び表示装置40を備えてよい。
A/D変換器34は、計測器26から送られたアナログ信号をデジタル信号に変換する。記憶装置36は、変換後の信号を記憶する。データ処理装置38は、変換後の信号から測定対象20の特性を求めるための演算処理を行う。表示装置40は、変換後の信号の波形を表示したり、測定対象20の特性を表示する。
供給電極14は、交流電源12から送られる交流電流によって磁界を発生させる電極である。供給電極14は、磁界の発生に適した形状であればよく、導線を環状に巻いたコイルであってよい。
測定電極16は、測定対象20の特性を測定するための電極である。測定電極16は、導線から構成されていることが好適である。
後述するように、供給電極14が測定電極16及び測定対象20と誘導結合されることに伴って、測定電極16と測定対象20とが誘導結合される。測定電極16と測定対象20との誘導結合に伴う、測定電極16の電位変化から、測定対象20の特性を求めることができる。このことから、供給電極14及び測定電極は、供給電極14、測定電極16及び測定対象20の三者が効率よく誘導結合を行えるような構造を備えていることが好適である。誘導結合の強さ、すなわち、相互インダクタンスの強さは、隣り合う導体が平行に延びる長さに比例する。このことから、例えば、供給電極14は、測定対象20に沿って延びる延伸部15を備えていてもよい。また、測定電極16も、供給電極14の延伸部15に沿って延びる延伸部17を備えていてもよい。
また、測定電極16と供給電極14との離間距離(リフトオフ量)は、互いに誘導結合可能であればよく、例えば、0.5mm以上4.0mm以下であってよい。また、測定対象20と測定電極16のリフトオフ量も、互いに誘導結合可能であればよい。測定対象20と測定電極16とのリフトオフ量の数値範囲については後述する。
また、供給電極14と測定電極16とのリフトオフ量、及び、測定電極16と測定対象20とのリフトオフ量を調整可能とするために、それぞれの相対位置を調整可能な移動手段を設けてもよい。例えば、移動手段は、供給電極14、測定電極16及び測定対象20の3者が互いに誘導結合可能となるような位置に、それぞれの相対位置を調整可能であってよい。
図1で示す実施の形態では、供給電極14に対する測定電極16の位置は、誘導結合可能な位置に予め固定されている。また、測定電極16と測定対象20とのリフトオフ量を調整可能とする移動手段として、ステージ22が示されている。ステージ22は、測定対象20を保持する保持手段を備えている。また、ステージ22は、鉛直方向(図1のZ方向)に移動可能であってよい。ステージ22を鉛直方向に移動させることで、測定対象20の測定表面24を、供給電極14の磁界に含めるように測定対象20を移動させることができる。
また、ステージ22は、奥行き方向(図1のX方向)に移動可能であってよい。図2のように、ステージ22を奥行き方向に移動させることで、供給電極14及び測定電極16を測定対象20の表面上に走査させることができる。
本実施の形態における好適な例として、測定電極16の導線径を、供給電極14の導線径より小さく構成してもよい。従来のセンサ電極のように、磁界の発生と電位の測定を同一の電極で行う場合、磁界の強さを維持しながら導線径を小さくすることは困難であるが、本実施形態では、磁界を発生させる手段(供給電極14)と、電位を測定する手段(測定電極16)とを分離させているので、磁界の強さを維持しつつ、電位測定手段の小径化が可能となる。電位測定手段の小径化により、高分解能の測定を行うことが可能となる。
また、供給電極14と測定電極16とは、誘導結合や容量結合によって電気的に接続されている。誘導結合及び容量結合でのインピーダンスのため、測定電極16の電流量は供給電極14の電流量よりも少なくなる。つまり、測定電極16の導線径を供給電極14の導線径より小さくしても、測定電極16に流れる電流量は供給電極14に流れる電流量より少なくなるので、測定電極16の過熱は抑制される。具体的には、供給電極14の導線径に対する測定電極16の導線径の比(測定電極16/供給電極14)は、0.1以上0.5以下であることが好適である。
次に、図3を用いて、本実施の形態に係る非接触センサ10を用いた、導体表面の凹凸形状の測定方法について説明する。まず、測定電極16、測定対象20及び供給電極14の三者を、互いに誘導結合可能な位置に配置する。なお、本実施の形態では、供給電極14と測定電極16とのリフトオフ量は予め固定されている。測定対象20の位置決めについて、ステージ22に測定対象20を配置する。次に、ステージ22を鉛直方向に移動させて、測定対象20の測定表面24に対する測定電極16のリフトオフ量を調整する。
リフトオフ量の調整後、当該リフトオフ量を固定した状態で、ステージ22を図2のX方向に移動させる。これにより、測定電極16は測定表面24上を走査する。走査の際には、交流電源12から供給電極14に対して交流電力を供給する。このとき、供給電極14に交流電流が供給されることにより、供給電極14周辺には磁界42が発生する。磁界42に含まれる測定電極16及び測定対象20は、供給電極14と誘導結合される。これに伴い、測定対象20及び測定電極16も誘導結合される。つまり、図3で示すように、供給電極14と測定対象20とは相互インダクタンスM1を介して結合される。供給電極14と測定電極16とは相互インダクタンスM2を介して結合される。また、測定電極16と測定対象20とは相互インダクタンスM3を介して結合される。
また、図4に示すように、供給電極14、測定電極16、及び測定対象20のそれぞれの電位差に基づき、供給電極14、測定電極16、測定対象20はそれぞれ容量結合(電界結合)される。供給電極14と測定対象20とは静電容量C1を介して結合される。供給電極14と測定電極16とは静電容量C2を介して結合される。また、測定電極16と測定対象20とは静電容量C3を介して結合される。
測定電極16と測定対象20との間の回路について、相互インダクタンスMと静電容量CとをまとめてインピーダンスZで表した等価回路を、図5に示す。相互インダクタンスMと静電容量Cは、それぞれ導体間の距離dに応じて変化することが知られている。このことから、測定電極16と測定対象20の間のインピーダンスZ3は、測定電極16と測定表面24の距離dに応じて変化する。インピーダンスZ3が変化することから、測定電極16と測定対象20との電位差V3も変化する。演算部18は、測定電極16の電圧変化を測定し、この電圧変化に応じた測定対象20の特性を求める。
図6に示すように、測定電極16を、導電材料からなる測定対象20の測定表面24上に走査させると、測定表面24の形状(凹凸)に応じて測定電極16の電位が変化する。演算部18は、測定電極16の走査位置と電圧の変化量とを対応付け、測定表面の形状を求める。
また、測定対象20が絶縁材料から構成され、測定対象20中の金属片を検出する場合には、図7に示すように、金属片の近傍で、測定電極16の電位が変動する。この変動のピークポイントに対応する走査位置を求めることで、測定対象20中の金属片の位置を特定できる。
図7には、測定対象20に対する測定電極16のリフトオフ量を変更させたそれぞれの場合における電圧値の変化が示されている。この図に示されているように、リフトオフ量が小さくなるほど(測定電極16を測定対象20に近づけるほど)、ピークポイントが鋭くなる。また、図7においては、リフトオフ量が5.0mmでも電圧値のピークポイントが表れている。このことから、測定対象20に対する測定電極16のリフトオフ量は、5.0mm以下であることが好適である。一方、リフトオフ量が小さい、つまり測定電極16が測定対象20に近づき過ぎると、走査の過程で測定電極16が測定対象20と接触するおそれがある。このことから、リフトオフ量は、0.5mm以上であることが好適である。
なお、測定電極16の電圧変化は、測定対象20と測定電極16との距離の変化以外によっても生じる場合がある。例えば、インダクタンス及び静電容量は温度依存性が高く、雰囲気温度の変動によって測定電極16の電圧値が変わる。そうなると、測定電極16の電圧が変化したときに、その原因が、測定電極16と測定表面24との距離dの変化であるか、それ以外の要素であるかを特定することが困難となる場合がある。そこで、測定電極16と測定対象20との距離dの変化以外の電圧変動の影響をキャンセルするために、非接触センサ10は、図8に示すような参照電極44を備えてもよい。
参照電極44は、供給電極14と誘導結合するために、供給電極14の磁界に含まれるように配置される。例えば、交流電源12及び供給電極14から離間されるとともに、供給電極14から見て、測定電極16より外周側を測定電極16に沿って延びるように参照電極44を配置してもよい。
また、参照電極44は、測定電極16と同様の温度変化を受けるように、測定電極16と同一の材料や形状から構成されていることが好適である。例えば、参照電極44は、測定電極16と同一材料からなる導線から構成されてよい。さらに、測定電極16の導線径は測定電極16と同一径であってよい。
また、参照電極44と測定対象20との相互インダクタンスが、測定電極16と測定対象20との相互インダクタンスとは異なるように、参照電極44の配置や形状が定められることが好適である。相互インダクタンスは、平行に延びる導体間の間隔d及び平行に伸びる長さlに応じて変化することが知られている。したがって、図9のように、測定電極16の延伸部17と測定表面24との距離d1と、参照電極44の延伸部45と測定表面24との距離d2を異ならせるか、測定電極16の延伸部17の長さl1と、参照電極44の延伸部45の長さl2を異ならせることが好適である。例えば、d1=d2とし、l2=0としてよい。こうすることで、参照電極44は測定対象20の表面形状の変化による影響を殆ど受けなくなり、温度変化による電位変化の影響をより明確に捉えることが可能となる。
10 非接触センサ、12 交流電源、13 増幅器、14 供給電極、15 供給電極の延伸部、16 測定電極、17 測定電極の延伸部、18 演算部、20 測定対象、22 ステージ、24 測定表面、26 計測器、28 情報処理器、29 位相検波器、30 増幅器、32 フィルタ、34 A/D変換器、36 記憶装置、38 データ処理装置、40 表示装置、42 磁界、44 参照電極、45 参照電極の延伸部。

Claims (4)

  1. 交流電源から供給される交流電流によって磁界を発生させる供給電極と、
    前記供給電極の磁界によって測定対象と誘導結合されるとともにその一端が開放端である測定電極と、
    前記測定電極の電位変化から前記測定対象の特性を求める演算部と、
    を備えることを特徴とする、非接触センサ。
  2. 請求項1に記載の非接触センサであって、
    前記供給電極及び前記測定電極は、それぞれ導線から構成され、
    前記測定電極の導線径は、前記供給電極の導線径よりも小さいことを特徴とする、非接触センサ。
  3. 請求項1または2に記載の非接触センサであって、
    前記測定対象との間の相互インダクタンスが、前記測定電極と前記測定対象との間の相互インダクタンスとは異なる値となるように前記測定対象と誘導結合される参照電極を備えることを特徴とする、非接触センサ。
  4. 請求項1から3にいずれかに記載の非接触センサであって、
    前記測定電極と測定対象は、それぞれの電位差に基づいて容量結合され、
    前記演算部は、前記測定電極と測定対象の誘導結合による相互インダクタンス及び容量結合による静電容量を含むインピーダンスの変化に応じた、前記測定電極の電位変化から、前記測定対象の特性を求めることを特徴とする、非接触センサ。
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