JP5638295B2 - 坩堝、単結晶育成装置および単結晶育成方法 - Google Patents
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Description
10・・・坩堝
11・・・収容体
12・・・中空体
12a・・・中空部
12b・・・第1中空部
12c・・・第2中空部
12d・・・脚部
121・・・第1中空体
122・・・第2中空体
13・・・支持体
13a・・・開口部
20・・・坩堝容器
21・・・保温材
30・・・加熱機構
31・・・コイル
32・・・交流電源
40・・・搬送機構
41・・・引き上げ軸
42・・・動力源
50・・・制御部
60・・・原料融液
Claims (6)
- 単結晶育成装置に配置される坩堝であって、
開口を有し、原材料を融解して原料融液として収容する収容体と、
前記原料融液に沈むように前記収容体の内に収容され、前記開口側に向かって径が小さくなっている中空部を有する中空体とを含み、
該中空体は、上下方向の両側に開口を有している、坩堝。 - 前記中空部よりも前記収容体の前記開口側に配置される第2中空部をさらに含む、請求項1に記載の坩堝。
- 前記中空体は、脚部を有しており、当該脚部が前記収容体に接して支持される、請求項1または2に記載の坩堝。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の坩堝と、
前記収容体を加熱する加熱機構と、
前記収容体に種結晶を搬送する搬送機構とを含む、単結晶育成装置 - 前記加熱機構は、前記収容体の開口側の温度が低くなるように温度勾配を設けて加熱するように構成されている、請求項4に記載の単結晶育成装置。
- 溶液成長法を用いて請求項4または5に記載の単結晶育成装置で単結晶を育成する、単結晶育成方法。
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