JP5638194B2 - 電力用半導体素子のゲート回路 - Google Patents
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Description
前記IGBTが定常運転されたときには、前記電圧検出器で検出された電圧が所定の電圧範囲となるように前記可変抵抗器を平均して前記第1の抵抗値より大きい第2の抵抗値となるように制御し、前記電圧検出器で検出された電圧が所定の過電圧レベルを超えたとき、前記電圧安定化回路を投入すると共に、前記第1の抵抗値は、前記IGBTの起動時に、当該IGBTの誤動作を防止するのに充分な速さで前記入力コンデンサに印加される電圧が立ち上がるように選定されていることを特徴としている。
が図3に示した実施例1の電圧制御回路20の動作フローチャートと異なる点は、ステップS3で充電抵抗器6aから充電抵抗器6bに切替えていたのをステップS3Aで単に充電抵抗器6bを開放するようにした点、また、ステップS6で充電抵抗器6bから充電抵抗器6aに切替えていたのをステップS6Aで単に充電抵抗6aを投入するようにした点である。
2 フライホイールダイオード
3 ゲート駆動回路
4 入力コンデンサ
5 電圧定圧化回路
6a、6b 充電抵抗器
7a、7b 切替スイッチ
8 電圧検出器
10、10a 可変抵抗器
20、20a 電圧制御回路
Claims (5)
- IGBTの負極とゲート間にゲートパルスを供給するためのゲート駆動回路と、
一端が前記IGBTの負極に接続され、前記ゲート駆動回路に制御電源を与えるように接続された入力コンデンサと、
前記入力コンデンサの他端と前記IGBTの正極間に接続された可変抵抗器と、
前記入力コンデンサと並列に接続され、前記入力コンデンサの電荷を放電するための電圧安定化回路と、
前記入力コンデンサに印加される電圧を検出する電圧検出器と、
前記可変抵抗器及び前記電圧安定化回路を制御するための電圧制御手段と
を具備し、
前記電圧制御手段は、
前記IGBTの起動時には前記可変抵抗器が第1の抵抗値となるように制御し、
前記IGBTが定常運転されたときには、前記電圧検出器で検出された電圧が所定の電圧範囲となるように前記可変抵抗器を平均して前記第1の抵抗値より大きい第2の抵抗値となるように制御し、
前記電圧検出器で検出された電圧が所定の過電圧レベルを超えたとき、前記電圧安定化回路を投入すると共に、
前記第1の抵抗値は、
前記IGBTの起動時に、当該IGBTの誤動作を防止するのに充分な速さで前記入力コンデンサに印加される電圧が立ち上がるように選定されていることを特徴とするIGBTのゲート回路。 - 前記可変抵抗器は、前記第1の抵抗値を持つ第1の固定抵抗器と前記第1の抵抗値より大きい抵抗値を持つ第2の固定抵抗器とを有し、
前記電圧制御手段は、
前記起動時には前記可変抵抗器の前記第1の固定抵抗器を選択し、
前記定常運転時には、前記可変抵抗器の抵抗値が平均して前記第2の抵抗値となるように前記第1の固定抵抗器と前記第2の固定抵抗器の選択を切替えるようにしたことを特徴とする請求項1に記載のIGBTのゲート回路。 - 前記可変抵抗器は、
常時接続されている第3の固定抵抗器と、
この第3の固定抵抗器より小さい抵抗値を有し、前記第3の固定抵抗器とオンオフ制御可能な状態で並列に接続された第4の固定抵抗器とから成り、
前記電圧制御手段は、
前記起動時には前記第4の固定抵抗器を投入し、
前記定常運転時には、前記可変抵抗器の抵抗値が平均して前記第2の抵抗値となるように前記第4の固定抵抗器をオンオフ制御するようにしたことを特徴とする請求項1に記載のIGBTのゲート回路。 - 前記定常運転時における前記第2の固定抵抗器の充電電流による前記入力コンデンサへの入力電力が、前記ゲート駆動回路が消費する電力と同等かそれより小さくなるように前記第2の固定抵抗器の抵抗値を選定したことを特徴とする請求項2に記載のIGBTのゲート回路。
- 前記定常運転時における前記第3の固定抵抗器の充電電流による前記入力コンデンサへの入力電力が、前記ゲート駆動回路が消費する電力と同等かそれより小さくなるように前記第3の固定抵抗器の抵抗値を選定したことを特徴とする請求項3に記載のIGBTのゲート回路。
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