JP5624688B2 - 磁気粘性流体減衰アセンブリ - Google Patents

Description

磁気粘性流体を用いた減衰アセンブリに関する。

磁気粘性流体（ＭＲ）減衰アセンブリは、当該技術分野においてよく知られている。このような装置は、自動車分野において、緩衝装置、支柱および他の運動または振動減衰構造などの態様で車両サスペンションシステムにおいて知られており、使用されている。ＭＲダンパでは、十分な強度の磁界が印加されることにより粘度が高くなる（レオロジー変化）磁気粘性流体すなわちＭＲ流体が用いられている。ＭＲ流体が受ける磁場の強度が大きいほど、流体の粘度は高くなり、装置の減衰力が高くなる。

このようなアセンブリの一つは、米国特許出願公開第２０１０／００８９７１１号公報（以下、７１１公報という）に開示されている。７１１公報は、圧縮端部および反発端部を構成し軸に沿って延設されるピストンを開示している。ピストンはコアを構成する。電磁石はコアの周囲に環状に配置され、磁束を生成するよう選択的にコアと係合する。アセンブリの減衰力は電磁石に供給される電流の関数である。電磁石に電流が供給されていない状態において、望ましいレベルの減衰を与え、且つ必要な動作電流を低減するために、永久磁石が電磁石の周囲に環状に配置され磁束を生成する。当該技術において、複数の電磁石を互いに軸方向に間隔を空けて配置されることが知られている。このようなアセンブリの一つは、米国特許第６，４１９，０５７号に開示されている（以下、０５７特許という）。０５７特許は極セグメント、または電磁石および永久磁石からの磁束を集中させるよう高い透磁率を有する材料で形成され、永久磁石の軸方向間に配置される領域をさらに開示している。

７１１公報は、ピストンの圧縮端部と反発端部との軸方向間に延設されるとともに、ＭＲ流体が流れるよう極セグメントに隣接して配置されるメインギャップをさらに開示している。磁石からの磁束は、メインギャップにおける流体の粘度を変化させ、アセンブリの減衰力を制御するようになっている。電磁石によって生成される磁束を制御するために、７１１公報はコントローラを開示している。コントローラは、電磁石に負電流を印加して、メインギャップを通る永久磁石からの磁束を打ち消し低い減衰力を得る非動作状態を設定する。

７１１公報はまた、高磁気抵抗領域を提供するようピストンのコアより透磁率が低い材料からなる補助ギャップを開示している。これは設計上必要な要素である。なぜなら、補助ギャップなしでは、もし磁束がメインギャップを通ることが望ましい場合（装置が非動作状態にない場合）、ほとんどの磁束はメインギャップを避けてコアへと向かってしまい、減衰力が小さくなりすぎるからである。

従来技術において、補助ギャップの配置によっては、メインギャップを通って永久磁石から磁束が漏れるため、非動作状態においてメインギャップを通る磁束を十分に打ち消せないという問題がある。このことは特に問題となる。アセンブリが非動作状態にあるときの減衰力が高くなりすぎ、組み立ての際に流体をメインギャップを通じてＭＲアセンブリに注入し難くなるからである。

本発明は、ピストンコアおよび内側極セグメントにより、電磁石の軸方向間にかつコアと内側極セグメントとの径方向間に延設される環状形状を有する閉式補助ギャップを構成し、アセンブリが非動作状態のときメインギャップを通る永久磁石からの磁束の漏れを防止するように形成された磁気粘性流体減衰アセンブリを提供する。

補助ギャップを磁石間に内部配置することにより、アセンブリが非動作状態のとき、メインギャップにおける永久磁石からの磁束を完全に打ち消すことができる。メインギャップを通る磁束を完全に打ち消すことにより、組み立ての際、メインギャップを通じてアセンブリに流体を容易に注入できる。さらに、アセンブリが非動作状態で動作しているとき、減衰力を最小にすることができる。ＭＲ装置に関する重要な特性として、装置によって生成される最大減衰力を最小減衰力（非動作状態）で除して定義される「ターンナップ比」が知られている。一般にターンナップ比は高い方が望ましい。ダンパが広範囲の減衰力内で変化できるからである。メインギャップを通る磁束を完全に打ち消すことができるので、本発明は従来技術より高いターンナップ比を提供できる。さらに、補助ギャップが磁石とコアと極セグメントの間で配置されるので、異なる径方向寸法で製造することができる。この径方向寸法はアセンブリの減衰範囲に対応する。このことは、種々の減衰目的ごとに、減衰範囲が調整されたアセンブリを容易に製造することができるので、好ましい。

本発明の種々の他の利点は、添付図面を参照して以下の詳細な説明からより理解され、明らかとなろう。

磁気粘性流体減衰アセンブリの側面図である。 極セグメント、永久磁石およびピストンロッドの斜視図である。 コントローラおよび電磁石構成の概略図である。 第二の実施可能な形態の側面の斜視図および断片図である。 コントローラが非動作状態のときの磁気粘性流体減衰アセンブリの側面図である。 コントローラがフェイルセーフ状態のときの磁気粘性流体減衰アセンブリの側面図である。 コントローラがオン状態のときの磁気粘性流体減衰アセンブリの側面図である。 磁気粘性流体減衰アセンブリの磁束対電流特性のグラフである。

図面を参照して、磁気粘性流体減衰アセンブリ２０を概略的に示す。図面では、対応する部品には同じ符号を付している。

アセンブリ２０は、軸Ａに沿って延設されたシリンダ状のハウジング２２を有する。ハウジング２２は、磁気粘性流体２６が収容入れられている内部開口部２４を備える。シリンダ状ピストン２８は、ハウジング２２の内部開口部２４に摺動可能に配置されている。ピストン２８とハウジング２２は、互いに対応する形状であれば、他の断面形状でもいいことを付言しておく。ピストン２８は圧縮端部３０と反発端部３２とを有する。ハウジング２２は、ピストン２８の圧縮端部３０に圧縮チャンバ３４を、ピストン２８の反発端部３２に反発チャンバ３６を形成する。

ピストン２８は、シリンダ状鋼製磁心（コア）３８を備える。選択された材料が、磁束が延びるよう低磁気抵抗経路を提供する高い透磁率を有する限り、コア３８を他の材料で形成することができることを付言しておく。円筒穴４２を有するピストンロッド４０が、ピストン２８の反発端部３２におけるピストンコア３８から軸方向に延設される。軸方向に間隔をあけて配置された一組の溝４４が、コア３８の周囲に環状に延設される。電磁石４６が、一組の溝４４のそれぞれに配置されて、磁束を選択的に生成する。電磁石４６は、複数のワイヤー５０を通じてコントローラ４８に電気的に接続される。複数のワイヤーは、ピストンロッド４０円筒穴４２を通るよう延設される。これにより、電磁石４６によって生成される磁束を制御する。さらに、永久磁石５２，１５２が、磁束を生成するよう電磁石４６のそれぞれの周囲に環状に配置される。

一組の鋼製外側極セグメント５４、１５４と内側極セグメント５６、１５６とがコア３８の周囲に配置される。外側極セグメント５４、１５４は、互いに軸方向に間隔を空けて配置され、それらの軸方向間に内側極セグメント５６、１５６が配置される。コア３８と同様に、極セグメント５４、１５４、５６、１５６は鋼で形成される。その高い透磁率により、磁石から磁束が延びる低磁気抵抗経路が提供され、望ましい磁気回路がピストン２８に生成される。透磁率が高いものであれば、極セグメント５４、１５４、５６、１５６を他の材料で形成できることを付言しておく。

第一の実施可能な形態において、極セグメント５４、５６と永久磁石５２とはそれぞれ別体のリング状構成要素である。ピストン２８の組み立ての際に、永久磁石５２がそれぞれ、極間隙５８において内側極セグメント５６と外側極セグメント５４の一つとの間に挟持されるよう、極セグメント５４、５６と永久磁石５２とは、一つずつコア３８上を摺動されて嵌め込まれる。

より製造に適している第二の実施可能な形態においては、図４からよくわかるように、外部極セグメント１５４および内側極セグメント１５６は、単一の一体的な極シリンダ６０によって構成される。複数のウェブ６６によって周方向において互いに間隔を空けて配置された第一セットの四つの径方向開口スロット６２および第二セットの四つの径方向開口スロット６４がシリンダに機械加工される。スロット６２、６４のそれぞれのセットは、電磁石４６のうちの一つと軸方向に並んで配置される。本形態においては、永久磁石１５２のそれぞれは四つの磁石セグメント６８で構成されており、磁石セグメント６８のそれぞれは極シリンダ６０の径方向開口スロット６２，６４のうちの一つに配置される。さらに、極シリンダ６０は、互いに軸方向に並んで配置されるウェブ６６の二つを通ってシリンダに沿って軸方向に延設されるバイパス溝７０を形成する。バイパス溝７０の目的は、ピストン２８が低速でハウジング２２内を摺動するとき、流体が通過する磁束がない領域を提供することにある。組み立ての際に、磁石セグメント６８はスロット６２、６４へと埋設される。磁化されたセグメント６８を取り扱うことを回避するために、磁石セグメント６８を、スロットに埋設前には磁化せず、埋設後に磁化する。その後、極シリンダ６０はコア３８に圧入される。

ピストン２８は、極セグメント５４、１５４、５６、１５６の周囲に環状に配置されるとともに径方向に間隔を空けて配置された磁束リング７２をさらに有する。これにより、ピストン２８がハウジング２２内で摺動するとき、磁気粘性流体２６が流れるメインギャップ７４が形成される。コア３８および極セグメント５４、１５４、５６、１５６と同様、磁束リング７２は鋼で形成され、磁束が延びる低磁気抵抗経路を提供する。磁束リング７２を、透磁率が高い他の材料で形成できることを付言しておく。磁石から生成される磁束がメインギャップ７４を通ることにより、磁気粘性流体２６の粘度は高くなる。ピストン２８の運動に抵抗を与えるよう得られる減衰力は、流体の粘度に依存する。流体の粘度の増加は減衰力を増加させ、また、流体の粘度の減少は減衰力を減少させる。磁石４６、５２、１５２によって生成され、メインギャップ７４における流体に作用する磁束を制御することにより、流体の粘度を変化させることができる。異なる減衰特性を提供するために、メインギャップは種々の径方向寸法を有することができることを付言しておく。

ピストン２８は、ピストンコア３８、磁束リング７２及びピストンロッド４０に係合するアルミニウム端部プレート７６をさらに有する。端部プレート７６の目的は、構成要素を定位置に保持することにある。端部プレート７６が非磁性アルミニウム材料で形成されるので、ピストン２８からの磁束の延出を制限する。端部プレート７６を、透磁率が低い他の材料で形成できることを付言しておく。端部プレート７６のそれぞれは、流体がメインギャップ７４とハウジング２２との間で流れるよう、外側極セグメント５４と磁束リング７２との径方向間に配置されるとともにメインギャップ７４と並んで配置される開口部７８を有する。

図５、図６および図７からよくわかるように、コントローラ４８は非動作状態とフェイルセーフ状態と動作状態とを設定する。これらの状態により、経路と、ピストン２８を通る磁束の量と、を制御する。非動作状態となると、負電流が電磁石４６に印加され、メインギャップ７４を通る永久磁石５２，１５２からの磁束を打ち消し、減衰力が最小となる。フェイルセーフ状態が選択されると、電流は電磁石４６に印加されず、永久磁石５２，１５２からの磁束のみがメインギャップ７４を通り、減衰力が中間レベルとなる。フェイルセーフ状態を有することが好ましい。電磁石４６への電源が失われた場合でも、最低レベルよりも大きい減衰力を提供できるからである。動作状態となると、正電流が電磁石４６に印加され、電磁石４６および永久磁石５２，１５２によって生成されるメインギャップ７４を通る磁束により減衰力が最大となる。コントローラ４８は、種々のレベルの減衰を提供するよう、前述の動作状態の間のレベルでも動作できることを付言しておく。

ピストンコア３８と内側極セグメント５６、１５６とは、電磁石４６の軸方向間にかつコア３８と内側極セグメント５６，１５６との径方向間に延設される環状形状を有する閉式補助ギャップ８０を形成する。補助ギャップ８０は、空気層ギャップ、または理想的にはコア３８より低い透磁率を有する他の材料が装填されたギャップでもいい。第一の実施可能な形態において、非磁性ステンレス鋼の補助ギャップリング８２がこのギャップに配置される。動作の際に、磁石４６、５２、１５２から生成される磁束は、磁石間で、補助ギャップ８０を通るピストン２８のコア３８への経路と、メインギャップ７４を通る磁束リング７２への経路と、の二つの経路を通る。補助ギャップ８０は、フロー経路において磁気抵抗が増加した領域をピストン２８のコア３８に提供し、これにより、より多くの磁束が、コア３８を通らずにメインギャップ７４を通る方向に向けられる。これは設計上必要な要素である。なぜなら、補助ギャップ８０なしでは、装置がフェイルセーフ状態のとき、ほとんどの磁束はメインギャップを避けてコア３８へ向かってしまい、減衰力が小さくなりすぎるからである。従来技術には、端部がピストンの外側まで延びている補助ギャップの配置の場合、メインギャップを通る磁束の漏れのために、非動作状態において磁束の完全な打ち消しが不可能であるという問題があった。一方、本発明における補助ギャップ８０が磁石、コア３８、および極セグメント５４、１５４、５６、１５６によって閉じられるよう配置されているので、アセンブリ２０が非動作状態のとき好適にメインギャップ７４を通る磁束の漏れを防止できる。これにより、非動作状態における減衰力を低減でき、従来技術より高いターンナップ比を提供できる。さらに、組み立ての際にアセンブリを流体で注入し易くできる（従来技術では注入し難く問題であった）。アセンブリ２０への注入の際には、予め設定されたＤＣ電流で電磁石４６を励磁することによって、非動作状態となる。

補助ギャップ８０の径方向寸法はアセンブリ２０の重要な設計パラメータである。補助ギャップが磁石４６，５２，１５２とコア３８と極セグメントト５４、１５４、５６、１５６の間で配置されるので、補助ギャップ８０を異なる径方向寸法で容易に製造することができる。この径方向寸法はアセンブリ２０の減衰範囲に対応する。このことは、種々の減衰目的ごとに、減衰範囲が調整されたアセンブリ２０を容易に製造することができるので、好ましい。図８に示すように、補助ギャップ８０の径方向寸法はアセンブリ２０の磁束密度対電流特性の傾きを決定する。補助ギャップ８０の径方向寸法を増加させると、メインギャップ７４を通る磁束をゼロとする（非動作状態）のに必要な、電磁石４６に印加する大きさが増加する。さらに、補助ギャップ８０の径方向寸法を増加させると、アセンブリ２０がフェイルセーフ状態のときのメインギャップ７４を通る磁束密度（減衰力に対応）が増加する。さらに、メインギャップ７４の径方向寸法を低減させると、アセンブリ２０が動作状態のときのメインギャップ７４を通る磁束密度（減衰力に対応）が増加する。

もちろん、本発明に多くの変形および変更を上記の教示に基づいて行うことができ、詳細な説明以外にも添付の特許請求の範囲内で実現できる。上記の記載が本発明の新規性が有用となるあらゆる組み合わせにわたることは理解されよう。装置の請求項における語「前記」の使用は、それが前出されていて、その請求項またはその請求項が従属する請求項の範囲に含まれていることを意味する明確な引用である。「前記」を使用していないものでも、その請求項またはその請求項が従属する請求項の範囲に含まれている場合もある。さらに、特許請求の範囲における参照符号は理解し易くするためにのみ付されており、限定するものでは決してない。

Ａ 軸
２０ アセンブリ
２２ ハウジング
２４ 開口内部
２６ 磁気粘性流体
２８ ピストン
３０ 圧縮端部
３２ 反発端部
３４ 圧縮チャンバ
３６ 反発チャンバ
３８ コア
４０ ピストンロッド
４２ 円筒穴
４４ 溝
４６ 電磁石
４８ コントローラ
５０ ワイヤー
５２ 永久磁石
５４ 外側極セグメント
５６ 内側極セグメント
５８ 極空隙
６０ 極シリンダ
６２ 第一セットの四つの径方向開口スロット
６４ 第二セットの四つの径方向開口スロット
６６ ウェブ
６８ 磁石セグメント
７０ バイパス溝
７２ 磁束リング
７４ メインギャップ
７６ 端部プレート
７８ 開口部
８０ 補助ギャップ
８２ 補助ギャップリング

Claims (19)

1. 圧縮端部および反発端部を有し、軸に沿って延設されるとともに、コアを備えるピストンと、
   互いに軸方向に間隔を空けて配置され、前記コアの周囲に環状に配置されるとともに、磁束を選択的に生成するよう前記コアと係合する一組の電磁石と、
   磁束を生成するよう前記電磁石のそれぞれの周囲に環状に配置される永久磁石と、
   前記電磁石および前記永久磁石からの磁束を集中させるよう高い透磁率を有する材料で形成され、前記永久磁石の軸方向間に配置される内側極セグメントと、
   前記電磁石によって生成される磁束を制御するためのコントローラと、
   を備える磁気粘性流体減衰アセンブリであって、
   前記ピストンには、前記ピストンの前記圧縮端部と前記反発端部との軸方向間に延設され、且つ流体が前記ピストンを流れるよう前記極セグメントに隣接して配置されるメインギャップが形成されており、前記磁石からの磁束により前記メインギャップにおいて流体の粘度が変化し、
   前記コントローラは、前記電磁石に負電流を印加して、メインギャップを通る永久磁石からの磁束を打ち消す非動作状態を設定し、
   前記コアと前記内側極セグメントとの径方向間には、前記電磁石の軸方向に延設される環状形状を有する閉じられた補助ギャップが形成され、前記アセンブリが前記非動作状態のとき、前記永久磁石からの磁束が前記メインギャップを通って漏れるのを防止するようになっている、
   磁気粘性流体減衰アセンブリ。
2. 請求項１に記載のアセンブリであって、低い透磁率を有する材料で形成される補助ギャップリングが前記補助ギャップに配置されている、アセンブリ。
3. 請求項２に記載のアセンブリであって、前記補助ギャップリングは非磁性ステンレス鋼材料で形成されている、アセンブリ。
4. 請求項２に記載のアセンブリであって、前記コアは、前記コアの周囲に環状に延設されるとともに互いに軸方向に間隔を空けて配置される一組の溝を有する、アセンブリ。
5. 請求項４に記載のアセンブリであって、前記電磁石のそれぞれは前記溝の一つに配置される、アセンブリ。
6. 請求項５に記載のアセンブリであって、前記ピストンは、高い透磁率を有する材料で形成されるとともに互いに軸方向に間隔を空けて配置されて前記電磁石および前記永久磁石からの磁束を集中させる一組の外側極セグメントをさらに有する、アセンブリ。
7. 請求項６に記載のアセンブリであって、前記内側極セグメントは、前記外側極セグメントの軸方向間に配置される、アセンブリ。
8. 請求項７に記載のアセンブリであって、前記ピストンは、高い透磁率を有する材料で形成され、前記極セグメントの周囲に環状に配置されるとともに、前記極セグメントから径方向に間隔を空けて配置されて前記メインギャップを定義する磁束リングをさらに構成する、アセンブリ。
9. 請求項８に記載のアセンブリであって、前記ピストンは、非磁性アルミニウム材料で形成され、前記ピストンコアおよび前記磁束リングと係合するとともに前記ピストンの前記両端部に配置される端部プレートをさらに備える、アセンブリ。
10. 請求項９に記載のアセンブリであって、前記端部プレートは、前記極セグメントと前記磁束リングとの径方向間に配置されるとともに前記メインギャップと並んで配置される開口部を有する、アセンブリ。
11. 請求項１０に記載のアセンブリであって、前記外側極セグメントのそれぞれと前記内側極セグメントとは、互いの間に極間隙を形成するよう軸方向に間隔を空けて配置され、極アセンブリを構成する、アセンブリ。
12. 請求項１１に記載のアセンブリであって、前記永久磁石のそれぞれはリング状であり、前記外側極セグメントの一つと前記内側極セグメントとの間の前記極空隙の一つに挟持されている、アセンブリ。
13. 請求項１０に記載のアセンブリであって、前記極アセンブリの前記外側極セグメントと前記内側極セグメントとは、一体的な極シリンダによって構成されている、アセンブリ。
14. 請求項１３に記載のアセンブリであって、前記極シリンダは、複数のウェブによって互いに周方向に間隔を空けて配置される第一セットの四つの径方向開口スロットと、複数のウェブによって互いに周方向に間隔を空けて配置された第二セットの四つの径方向開口スロットとを含み、前記第一セットの径方向開口スロットは、前記電磁石の一方と並んで軸方向に配置され、 前記第二セットの径方向開口スロットは、前記電磁石の他方と並んで軸方向に配置されている、アセンブリ。
15. 請求項１４に記載のアセンブリであって、前記永久磁石のそれぞれは四つの磁石セグメントで構成されており、前記磁石セグメントのそれぞれは前記極シリンダの前記径方向開口スロットのうちの一つに配置されている、アセンブリ。
16. 請求項１５に記載のアセンブリであって、前記極アセンブリは、互いに軸方向に並んで配置される前記ウェブの二つを通って前記極シリンダに沿って軸方向に延設されるバイパス溝を形成する、アセンブリ。
17. 軸に沿って延設され、シリンダ形状を有するとともに、内部が開口しているハウジングと、
    前記ハウジングの前記開口内部に配置される磁気粘性流体と、
    圧縮端部と反発端部とを有し、前記ハウジングの前記開口内部に摺動可能に配置され、前記圧縮端部における圧縮チャンバと前記反発端部における反発チャンバとを形成し、シリンダ形状のコアを有するピストンであって、前記コアが前記コアの周囲に環状に延設されるとともに互いに軸方向に間隔を空けて配置される一組の溝を有するピストンと、
    前記ピストンの前記反発端において前記コアから軸方向に延設されるとともに、円筒穴を有するピストンロッドと、
    前記溝のそれぞれに配置され磁束を選択的に生成するための電磁石と、
    前記電磁石によって生成される磁束を制御するためのコントローラと、
    前記ピストンロッド円筒穴を通って前記コントローラと前記電磁石との間で延設され、前記電磁石と前記コントローラとを電気的に接続する複数のワイヤーと、
    磁束を生成するよう前記電磁石のそれぞれの周囲に環状に配置される永久磁石と、
    高い透磁率を有する材料で形成され、前記コアの周囲に配置されるとともに互いに軸方向に間隔を空けて配置される前記電磁石および前記永久磁石からの磁束を集中させる一組の外側極セグメントと、
    前記電磁石および前記永久磁石からの磁束を集中させるよう高い透磁率を有する材料で形成され、前記外側極セグメントの軸方向間に配置される内側極セグメントと、
    を備える磁気粘性流体減衰アセンブリであって、
    前記ピストンは、高い透磁率を有する材料で形成され前記極セグメントの周囲に環状に配置されるとともに前記極セグメントから径方向に間隔を空けて配置されて、流体が前記ピストンを流れるよう、前記メインギャップを形成する磁束リングをさらに含み、
    前記磁石からの磁束により前記メインギャップにおいて流体の粘度が変化し、
    前記ピストンは、非磁性アルミニウム材料で形成され、前記ピストンコアと前記磁束リングと係合し前記ピストンの前記両端部に配置される端部プレートをさらに有し、
    前記端部プレートのそれぞれは、前記極セグメントと前記磁束リングとの径方向間に配置されるとともに前記メインギャップと並んで配置される開口部を有し
    前記コントローラは、前記電磁石に負電流を印加して、前記メインギャップを通る前記永久磁石からの磁束を打ち消す非動作状態と、電流が前記電磁石を流れないフェイルセーフ動作状態と、前記電磁石に正電流を印加して前記メインギャップを通る磁束を誘導する動作状態と、を設定し、
    前記ピストンコアおよび前記内側極セグメントは、前記アセンブリが前記非動作状態のとき前記メインギャップを通る前記永久磁石から磁束の漏れを防止するよう、前記電磁石の軸方向間にかつ前記コアと前記内側極セグメントとの径方向間に延設される環状形状を有する閉じられた補助ギャップを構成し、
    前記磁気粘性流体減衰アセンブリはさらに、前記補助ギャップに配置され非磁性ステンレス鋼材料で形成される補助ギャップリングを備える、磁気粘性流体減衰アセンブリ。
18. 請求項１７に記載のアセンブリであって、前記外側極セグメントのそれぞれと前記内側極セグメントとは、互いの間に極間隙を形成するよう軸方向に間隔を空けて配置されており、
    前記永久磁石のそれぞれは、リング状であり、前記外側極セグメントの一つと前記内側極セグメントとの間の前記環状空隙において挟持されている、アセンブリ。
19. 請求項１７に記載のアセンブリであって、前記外側極セグメントと前記内側極セグメントとは、一体的な極シリンダによって構成されており、
    前記極シリンダは、複数のウェブによって互いに周方向に間隔を空けて配置される第一セットの四つの径方向開口スロットと、複数のウェブによって互いに周方向に間隔を空けて配置された第二セットの四つの径方向開口スロットとを含み、前記第一セットの径方向開口スロットは、前記電磁石の一方と並んで軸方向に配置され、
    前記第二セットの径方向開口スロットは、前記電磁石の他方と並んで軸方向に配置され、
    前記永久磁石のそれぞれは四つの磁石セグメントで構成されており、前記磁石セグメントのそれぞれは前記極シリンダの前記径方向開口スロットのうちの一つに配置されており、
    前記極シリンダは、互いに軸方向に並んで配置される前記ウェブの二つを通って前記シリンダに沿って軸方向に延設されるバイパス溝を形成する、アセンブリ。

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