JP5615664B2 - 放射線撮影装置 - Google Patents
放射線撮影装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5615664B2 JP5615664B2 JP2010236811A JP2010236811A JP5615664B2 JP 5615664 B2 JP5615664 B2 JP 5615664B2 JP 2010236811 A JP2010236811 A JP 2010236811A JP 2010236811 A JP2010236811 A JP 2010236811A JP 5615664 B2 JP5615664 B2 JP 5615664B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- imaging
- region
- irradiation
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000002601 radiography Methods 0.000 title claims description 13
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 422
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 275
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 93
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 80
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 43
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 41
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 27
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 25
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 20
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 description 45
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 description 30
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 27
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 17
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 17
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 16
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 15
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 15
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 12
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 8
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 8
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 8
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 7
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 6
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 6
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000002594 fluoroscopy Methods 0.000 description 4
- QLAFITOLRQQGTE-UHFFFAOYSA-H gadolinium(3+);trisulfate Chemical compound [Gd+3].[Gd+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O QLAFITOLRQQGTE-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 4
- -1 phthalocyanine compound Chemical class 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 3
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000088 plastic resin Substances 0.000 description 3
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002749 Bacterial cellulose Polymers 0.000 description 2
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 2
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000003705 background correction Methods 0.000 description 2
- 239000005016 bacterial cellulose Substances 0.000 description 2
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 2
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 210000001724 microfibril Anatomy 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000002121 nanofiber Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 235000002837 Acetobacter xylinum Nutrition 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001136169 Komagataeibacter xylinus Species 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000052616 bacterial pathogen Species 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000005516 deep trap Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- YRZZLAGRKZIJJI-UHFFFAOYSA-N oxyvanadium phthalocyanine Chemical compound [V+2]=O.C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 YRZZLAGRKZIJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003050 poly-cycloolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
本発明は、放射線撮影装置に関する。
近年、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）アクティブマトリクス基板上に放射線感応層を配置し、照射されたＸ線等の放射線直接デジタルデータに変換できるＦＰＤ（Flat Panel Detector）等の放射線検出器が実用化されている。この放射線検出器は、従来のＸ線フィルムやイメージングプレートに比べて、即時に画像を確認でき、連続的に撮影を行う透視撮影（動画撮影）も行うことができるといったメリットがある。なお、放射線検出器には、放射線を変換する方式として、放射線をシンチレータで光に変換した後にフォトダイオード等の半導体層で電荷に変換する間接変換方式や、放射線をアモルファスセレン等の半導体層で電荷に変換する直接変換方式等があり、各方式でも半導体層に使用可能な材料が種々存在する。
ところで、放射線検出器は、放射線が照射された領域が劣化する。この劣化には、放射線が繰り返し照射されることで、半導体層が徐々に劣化して、欠陥画素が生じる非可逆的な劣化と、動画撮影で同じ領域に短時間で繰り返し照射されると、残留電荷が徐々に蓄積されて、画像の品質劣化が生じる可逆的な劣化がある。非可逆的な劣化は、半導体層としてアモルファスセレンと用いた場合に発生しやすい。可逆的な劣化は、直接変換方式では、半導体層内に蓄積されることにより発生し、間接変換方式では、光電変換部（フォトダイオード）に蓄積されることにより発生する。可逆的な劣化は、時間の経過、あるいは、残留電荷を消去させる解消処理を行うことにより解消されるが、動画撮影中に、解消処理を行うことは難しい。
特許文献１には、欠陥画素が生じた放射線検出器で良好な放射線画像を得ること目的として、１回の放射線画像の撮影において、放射線画像の読み取りが行われる毎に放射線検出器を移動させて放射線検出器から複数回放射線画像の読み取りを行い、読み取られた複数の放射線画像を被写体の画像が重なるように重ね合わせて放射線画像の画像データを生成する技術が開示されている。
また、特許文献２には、動画撮影時の画像データの読み出し速度を向上させる目的として、放射線検出器を用いた撮影装置において、動画撮影時に、放射線の照射野範囲に合わせて検出領域の一部分の画素データを読み出す技術が開示されている。
しかしながら、特許文献１、２の技術では、放射線検出器の検出領域の特定の一部分で劣化が進行してしまう場合がある、という問題点があった。
放射線検出器は、検出領域の特定の一部分を用いた撮影が繰り返された場合、当該一部分のみの劣化が進行する。例えば、検出領域の中央部分を用いた撮影が繰り返された場合、中央部分の劣化が進行し、中央部分で撮影される放射線画像の画質が劣化する。特に、透視撮影は、ショット数が多く、放射線検出器に対して照射される放射線の総量が通常の静止画撮影に比べて大きく増える。
本発明は上記問題点をみてなされたものであり、放射線検出器の検出領域の特定の一部分で劣化が進行することを抑制できる放射線撮影装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、第１の発明に係る放射線撮影装置は、放射線を検出する検出領域に照射された放射線により表わされる放射線画像を示す電気信号を出力する放射線検出器と、前記放射線検出器に対して放射線を照射する放射線源と、前記放射線源からの放射線が前記検出領域に照射される照射領域を変更する照射領域変更手段と、前記検出領域内での前記照射領域の位置を変えて当該検出領域に放射線が分散して照射されるように前記照射領域変更手段を制御する制御手段と、を備え、前記制御手段が、連続的に撮影を行う透視撮影を行う場合、当該透視撮影中、所定回撮影を行う毎又は放射線が予め定められた照射量照射される毎に前記照射領域が前記検出領域内で移動するように前記照射領域変更手段を制御し、１回ずつ撮影を行う静止画撮影を行う場合、静止画撮影に同期させて前記照射領域が前記検出領域内で移動するように前記照射領域変更手段を制御し、透視撮影中に静止画撮影を行う場合、透視撮影から静止画撮影及び静止画撮影から透視撮影の少なくとも一方の切り替えタイミングで前記照射領域が前記検出領域内で移動するように前記照射領域変更手段を制御する。
本発明によれば、放射線検出器は、放射線を検出する検出領域に照射された放射線により表わされる放射線画像を示す電気信号を出力し、放射線源は、放射線検出器に対して放射線を照射し、照射領域変更手段は、放射線源からの放射線が検出領域に照射される照射領域を変更する。
そして、本発明では、制御手段は、検出領域内での照射領域の位置を変えて当該検出領域に放射線が分散して照射されるように照射領域変更手段を制御する。
さらに、本発明では、制御手段は、連続的に撮影を行う透視撮影を行う場合、当該透視撮影中、所定回撮影を行う毎又は放射線が予め定められた照射量照射される毎に照射領域が検出領域内で移動するように照射領域変更手段を制御し、１回ずつ撮影を行う静止画撮影を行う場合、静止画撮影に同期させて照射領域が検出領域内で移動するように照射領域変更手段を制御し、透視撮影中に静止画撮影を行う場合、透視撮影から静止画撮影及び静止画撮影から透視撮影の少なくとも一方の切り替えタイミングで照射領域が検出領域内で移動するように照射領域変更手段を制御する。
さらに、本発明では、制御手段は、連続的に撮影を行う透視撮影を行う場合、当該透視撮影中、所定回撮影を行う毎又は放射線が予め定められた照射量照射される毎に照射領域が検出領域内で移動するように照射領域変更手段を制御し、１回ずつ撮影を行う静止画撮影を行う場合、静止画撮影に同期させて照射領域が検出領域内で移動するように照射領域変更手段を制御し、透視撮影中に静止画撮影を行う場合、透視撮影から静止画撮影及び静止画撮影から透視撮影の少なくとも一方の切り替えタイミングで照射領域が検出領域内で移動するように照射領域変更手段を制御する。
このように、本発明によれば、放射線検出器の検出領域内での放射線源からの放射線の照射領域の位置を変えて当該検出領域に放射線が分散して照射されるように制御するので、放射線検出器の検出領域の特定の一部分で劣化が進行することを抑制できる。
なお、本発明は、前記照射領域変更手段が、前記検出領域を放射線に対して向き合うように維持したままでの前記放射線検出器の移動及び回転、前記放射線源の移動、前記放射線源からの放射線の照射方向の変更の少なくとも１つを行うことにより、前記検出領域での前記照射領域を変更してもよい。
また、本発明は、前記制御手段が、前記透視撮影中、前記照射領域が画素列単位で前記検出領域内で移動するように前記照射領域変更手段を制御してもよい。
また、本発明は、前記検出領域を予め定められた複数の領域に区分した区分領域毎に、照射された放射線量に相関する相関値を相関情報として記憶する記憶手段と、前記記憶手段に記憶された前記相関情報に基づいて、前記検出領域内で各区分領域に照射された放射線量のばらつきを抑えつつ予め定められたサイズの放射線画像の撮影が可能な撮影領域を特定する特定手段と、をさらに備え、前記制御手段が、前記特定手段により特定された撮影領域が前記照射領域となるように前記照射領域変更手段を制御してもよい。
一方、第２の発明に係る放射線撮影装置は、放射線を検出する検出領域に照射された放射線により表わされる放射線画像を示す電気信号を出力する放射線検出器と、前記放射線検出器に対して放射線を照射する放射線源と、前記放射線源からの放射線が前記検出領域に照射される照射領域を変更する照射領域変更手段と、前記検出領域を予め定められた複数の領域に区分した区分領域毎に、照射された放射線量に相関する相関値を相関情報として記憶する記憶手段と、前記記憶手段に記憶された前記相関情報に基づいて、前記検出領域内で各区分領域に照射された放射線量のばらつきを抑えつつ予め定められたサイズの放射線画像の撮影が可能な撮影領域を特定する特定手段と、前記検出領域内での前記照射領域の位置を変えて当該検出領域に放射線が分散して照射され、かつ前記特定手段により特定された撮影領域が前記照射領域となるように前記照射領域変更手段を制御する制御手段と、を備えている。
一方、第２の発明に係る放射線撮影装置は、放射線を検出する検出領域に照射された放射線により表わされる放射線画像を示す電気信号を出力する放射線検出器と、前記放射線検出器に対して放射線を照射する放射線源と、前記放射線源からの放射線が前記検出領域に照射される照射領域を変更する照射領域変更手段と、前記検出領域を予め定められた複数の領域に区分した区分領域毎に、照射された放射線量に相関する相関値を相関情報として記憶する記憶手段と、前記記憶手段に記憶された前記相関情報に基づいて、前記検出領域内で各区分領域に照射された放射線量のばらつきを抑えつつ予め定められたサイズの放射線画像の撮影が可能な撮影領域を特定する特定手段と、前記検出領域内での前記照射領域の位置を変えて当該検出領域に放射線が分散して照射され、かつ前記特定手段により特定された撮影領域が前記照射領域となるように前記照射領域変更手段を制御する制御手段と、を備えている。
また、本発明は、前記記憶手段が、放射線画像の撮影が行われる被検体の撮影部位毎に、当該撮影部位の放射線画像の撮影に必要な領域のサイズを示すサイズ情報をさらに記憶し、撮影対象とする撮影部位を示す撮影部位情報を取得する取得手段をさらに備え、前記特定手段が、前記記憶手段に記憶された前記サイズ情報に基づいて、前記取得手段により取得された撮影部位情報により示される撮影部位の撮影に必要な領域のサイズを求め、前記相関情報に基づいて、前記検出領域内で各区分領域に照射された放射線量のばらつきを抑えつつ当該サイズの放射線画像の撮影が可能な撮影領域を特定してもよい。
また、本発明は、前記特定手段が、前記相関情報に基づいて、前記検出領域内で撮影部位の撮影に必要な領域のサイズとなる範囲毎に当該範囲内の各区分領域の相関値の合計値を求め、合計値の最も小さい範囲を前記撮影領域として特定してもよい。
また、本発明は、前記特定手段が、前記相関情報に基づいて、前記検出領域内で撮影部位の撮影に必要な領域のサイズとなる範囲毎に当該範囲内の各区分領域の相関値の最大値を求め、最大値の最も小さい範囲を前記撮影領域として特定してもよい。
また、本発明は、前記相関値を、１回ずつ撮影を行う静止画撮影又は連続的に撮影を行う透視撮影の何れか一方の撮影での撮影回数又は放射線の照射時間とし、静止画撮影又は透視撮影の他方の撮影での相関値を一方の撮影での相関値に換算する換算手段をさらに備えてもよい。
また、本発明は、前記放射線検出器が、放射線を光に変換するシンチレータで放射線を光に変換し、当該光により表わされる放射線画像を示す電気信号を出力するものとし、前記シンチレータが、蛍光体材料の柱状結晶を含んで構成されてもよい。
また、本発明は、前記蛍光体材料を、ＣｓＩとすることが好ましい。
また、本発明は、前記記憶手段が、前記区分領域毎に、照射された放射線の強度及び照射時期に関する照射情報をさらに記憶し、前記特定手段が、照射情報に基づき、一時的な感度変化が発生する強度の放射線が照射されてから当該感度変化の回復に必要な回復期間を経過していない区分領域が撮影領域外となるように、又は当該区分領域が撮影部位の関心部位と重ならないように撮影領域の特定を行ってもよい。
また、本発明は、放射線検出器の温度を検出する温度検出手段をさらに備え、前記特定手段が、前記温度検出手段により検出される放射線検出器の温度が高いほど回復期間を短く変更してもよい。
本発明によれば、放射線検出器の検出領域の特定の一部分で劣化が進行することを抑制できる、という効果が得られる。
以下、図面を参照して本発明を実施するための形態について詳細に説明する。なお、以下では、放射線検出器を内蔵し、照射された放射線により表わされる放射線画像を撮影する可搬型の放射線撮影装置（以下、「電子カセッテ」という。）に本発明を適用した場合について説明する。
［第１の実施の形態］
まず、本実施の形態に係る放射線情報システム１０の構成について説明する。
まず、本実施の形態に係る放射線情報システム１０の構成について説明する。
図１には、本実施の形態に係る放射線情報システム１０（以下、「ＲＩＳ１０」（ＲＩＳ：Radiology Information System）とも称する。）の各構成要素を示すブロック図が示されている。
ＲＩＳ１０は、放射線科部門内における、診療予約、診断記録等の情報管理を行うためのシステムであり、病院情報システム（以下、「ＨＩＳ」（Hospital Information System）と称する。）の一部を構成する。
ＲＩＳ１０は、複数の撮影依頼端末装置１２（以下、「端末装置１２」とも称する。）と、ＲＩＳサーバ１４と、病院内の放射線撮影室（あるいは手術室）の個々に設置された複数の放射線画像撮影システム１８（以下、「撮影システム１８」とも称する。）と、を含んで構成されており、これらが有線や無線のＬＡＮ（Local Area Network）等から成る病院内ネットワーク１６に各々接続されて構成されている。なお、病院内ネットワーク１６には、ＨＩＳ全体を管理するＨＩＳサーバ（図示省略。）も接続されている。
端末装置１２は、医師や放射線技師が、診断情報や施設予約の入力、閲覧等を行うためのものであり、放射線画像の撮影依頼や撮影予約もこの端末装置１２を介して行われる。各端末装置１２は、表示装置を有するパーソナル・コンピュータを含んで構成され、ＲＩＳサーバ１４と病院内ネットワーク１６を介して相互通信が可能とされている。
一方、ＲＩＳサーバ１４は、各端末装置１２からの撮影依頼を受け付け、撮影システム１８における放射線画像の撮影スケジュールを管理するものであり、データベース１４Ａを含んで構成されている。
データベース１４Ａは、患者の属性情報（氏名、ＩＤ、性別、生年月日、年齢、血液型、体重等）、病歴、受診歴、過去に撮影した放射線画像等の患者に関する情報（以下、「患者情報」と称する。）、撮影システム１８で用いられる、後述する電子カセッテ３２の識別番号、型式、サイズ、感度、使用可能な撮影部位、使用開始年月日、使用回数等の電子カセッテ３２に関する情報（以下、「電子カセッテ情報」と称する。）、および電子カセッテ３２を用いて放射線画像を撮影する環境、すなわち、電子カセッテ３２を使用する環境（一例として、放射線撮影室や手術室等）を示す環境情報を含んで構成されている。
撮影システム１８は、ＲＩＳサーバ１４からの指示に応じて医師や放射線技師の操作により放射線画像の撮影を行う。撮影システム１８は、放射線源１３０（図２も参照。）から曝射条件に従った線量とされた放射線Ｘ（図４も参照。）を患者に照射する放射線発生装置３４と、患者の撮影部位を透過して検出領域に照射された放射線により表わされる放射線画像を示す電気信号を出力する放射線検出器６０（図４も参照。）を内蔵する電子カセッテ３２と、電子カセッテ３２に内蔵されるバッテリを充電するクレードル４０と、電子カセッテ３２、放射線発生装置３４、及びクレードル４０を制御するコンソール４２と、を備えている。
図２及び図３には、第１の実施の形態に係る撮影システム１８の放射線撮影室４４における配置状態の一例が示されている。
図２に示すように、放射線撮影室４４には、立位での放射線撮影を行う際に電子カセッテ３２を保持するための立位撮影台４５が設置されており、立位撮影台４５の前方空間は立位での放射線撮影を行う際の患者の撮影位置とされている。
また、放射線撮影室４４には、放射線源１３０を垂直方向に移動可能に支持する支持移動機構５２が設けられている。また。支持移動機構５２は、放射線源１３０の鉛直方向への移動を指示するための操作パネル５２Ａが設けられおり、放射線源１３０を鉛直方向に移動させる駆動源を備えている。
図３に示すように、立位撮影台４５は、撮影部４６が昇降可能とされており、撮影部４６の昇降を行うための操作パネル４７が設けられている。撮影部４６には、電子カセッテ３２を収容可能な収容部４６Ａが設けられている。また、撮影部４６の放射線源１３０から放射線Ｘが照射される撮影面４８には、撮影領域の中心Ｃ及び各サイズの撮影領域の範囲が示されている。
電子カセッテ３２は、撮影部４６の収容部４６Ａに収容されることにより、図２に示すように、放射線画像の撮影時に放射線発生装置３４と間隔を空けて配置される。このときの放射線発生装置３４と電子カセッテ３２との間は、患者３０が位置するための撮影位置とされている。放射線発生装置３４は、放射線画像の撮影が指示されると、予め与えられた撮影条件等に応じた放射線量の放射線Ｘを射出する。放射線発生装置３４から射出された放射線Ｘは、撮影位置に位置している患者３０を透過することで画像情報を担持した後に電子カセッテ３２に照射される。
なお、電子カセッテ３２は、放射線撮影室や手術室のみで使用されるものではなく、その可搬性から、例えば、検診や病院内での回診等にも使用することができる。
図４には、本実施の形態に係る電子カセッテ３２の内部構成が示されている。
同図に示すように、電子カセッテ３２は、放射線Ｘを透過させる材料からなる筐体５４を備えており、防水性、密閉性を有する構造とされている。電子カセッテ３２は、手術室等で使用されるとき、血液やその他の雑菌が付着するおそれがある。そこで、電子カセッテ３２を防水性、密閉性を有する構造として、必要に応じて殺菌洗浄することにより、１つの電子カセッテ３２を繰り返し続けて使用することができる。この筐体５４の側面には接続端子３２Ａが設けられている。
筐体５４の内部には、放射線Ｘが照射される筐体５４の照射面５６側から、患者による放射線Ｘの散乱線を除去するグリッド５８、患者を透過した放射線Ｘを検出する放射線検出器６０、および放射線Ｘのバック散乱線を吸収する鉛板６２が順に配設されている。なお、筐体５４の照射面５６をグリッド５８として構成してもよい。
また、筐体５４の内部の一端側には、マイクロコンピュータを含む電子回路及び充電可能な二次電池を収容するケース３１が配置されている。放射線検出器６０及び電子回路は、ケース３１に配置された二次電池から供給される電力によって作動する。ケース３１内部に収容された各種回路が放射線Ｘの照射に伴って損傷することを回避するため、ケース３１の照射面５６側には鉛板等を配設しておくことが望ましい。なお、本実施の形態に係る電子カセッテ３２は、照射面５６の形状が長方形とされた直方体とされており、その長手方向一端部にケース３１が配置されている。
図５に示すように、撮影部４６の内部には、収容部４６Ａから収納された電子カセッテ３２を保持するホルダ４６Ｂが設けられている。ホルダ４６Ｂには、電子カセッテ３２が収納された場合の接続端子３２Ａに対応する位置に接続端子４６Ｃが設けられている。接続端子４６Ｃは、収容部４６Ａに電子カセッテ３２が収納された際に接続端子３２Ａと接触して通信可能となる。収容部４６Ａに収納された電子カセッテ３２は、接続端子３２Ａ及び通信ケーブル４３Ａを介してコンソール４２と接続される。
また、収容部４６Ａの内部には、ホルダ４６Ｂを鉛直面内で垂直方向に移動させる垂直移動機構４７と、ホルダ４６Ｂ及び垂直移動機構４７を水平方向に移動させる水平移動機構４９とが設けられている。
垂直移動機構４７は、一対のガイドレール４７Ａ、ボールねじ４７Ｂ、一対の支持部材４７Ｃ、モータ４７Ｄにより構成されている。一対のガイドレール４７Ａは、所定の間隔を隔てて垂直方向に平行に配置されており、両端部が一対の支持部材４７Ｃに固定されている。ボールねじ４７Ｂは、一対のガイドレール４７Ａの間に垂直方向に配置されており、両端部が一対の支持部材４７Ｃにより回転可能に軸支され、モータ４７Ｄの回転駆動により回転する。
ホルダ４６Ｂは、一対のガイドレール４７Ａによって移動可能に支持されると共にボールねじ４７Ｂに螺合されており、モータ４７Ｄの回転駆動によってボールねじ４７Ｂが回転することにより垂直方向に移動する。
水平移動機構４９は、ガイドレール４９Ａ、ボールねじ４９Ｂ、モータ４９Ｃにより構成されている。ガイドレール４９Ａは、収容部４６Ａ内の上部に撮影面４８と平行な鉛直面内で水平方向に配置されており、両端部が一対の支持部材４９Ｄに固定されている。ボールねじ４９Ｂは、収容部４６Ａ内の下部に撮影面４８と平行な鉛直面内で水平方向に配置されており、両端部が一対の支持部材４９Ｅにより回転可能に軸支され、モータ４９Ｃの回転駆動により回転する。
上辺側の支持部材４７Ｃは、ガイドレール４９Ａによって移動可能に支持され、下辺側の支持部材４７Ｃは、ボールねじ４９Ｂに螺合されている。これにより、ホルダ４６Ｂは、モータ４９Ｃの回転駆動によってボールねじ４９Ｂが回転することにより、垂直移動機構４７と共に水平方向に移動する。
図６には、第１の実施の形態に係る放射線画像撮影システム１８の電気系の要部構成を示すブロック図が示されている。
同図に示すように、放射線発生装置３４には、コンソール４２と通信を行うための接続端子３４Ａが設けられている。コンソール４２には、放射線発生装置３４と通信を行うための接続端子４２Ａが設けられている。放射線発生装置３４の接続端子３４Ａとコンソール４２の接続端子４２Ａは通信ケーブル３５によって接続されている。
電子カセッテ３２に内蔵された放射線検出器６０は、放射線をシンチレータで光に変換した後にフォトダイオード等の光電変換素子で電荷に変換する間接変換方式、放射線をアモルファスセレン等の半導体層で電荷に変換する直接変換方式の何れでもよい。直接変換方式の放射線検出器６０は、ＴＦＴアクティブマトリクス基板６６上に、放射線Ｘを吸収し、電荷に変換する光電変換層が積層されて構成されている。光電変換層は例えばセレンを主成分（例えば含有率５０％以上）とする非晶質のａ−Ｓｅ（アモルファスセレン）からなり、放射線Ｘが照射されると、照射された放射線量に応じた電荷量の電荷（電子−正孔の対）を内部で発生することで、照射された放射線Ｘを電荷へ変換する。間接変換方式の放射線検出器６０は、アモルファスセレンのような放射線Ｘを直接的に電荷に変換する放射線-電荷変換材料の代わりに、蛍光体材料と光電変換素子（フォトダイオード）を用いて間接的に電荷に変換する。蛍光体材料としては、ガドリニウム硫酸化物（ＧＯＳ）やヨウ化セシウム（ＣｓＩ）が良く知られている。この場合、蛍光材料によって放射線Ｘ−光変換を行い、光電変換素子のフォトダイオードによって光−電荷変換を行う。
また、ＴＦＴアクティブマトリクス基板６６上には、光電変換層又は光電変換素子で発生された電荷を蓄積する蓄積容量６８と、蓄積容量６８に蓄積された電荷を読み出すためのＴＦＴ７０を備えた画素部７４（図６では個々の画素部７４に対応する光電変換層又は光電変換素子をセンサ部７２として模式的に示している。）がマトリクス状に多数個配置されており、電子カセッテ３２への放射線Ｘの照射に伴ってセンサ部７２で発生された電荷は、個々の画素部７４の蓄積容量６８に蓄積される。これにより、電子カセッテ３２に照射された放射線Ｘに担持されていた画像情報は電荷情報へ変換されて放射線検出器６０に保持される。
また、ＴＦＴアクティブマトリクス基板６６には、一定方向（行方向）に延設され、個々の画素部７４のＴＦＴ７０をオンオフさせるための複数本のゲート配線７６と、ゲート配線７６と直交する方向（列方向）に延設され、オンされたＴＦＴ７０を介して蓄積容量６８から蓄積電荷を読み出すための複数本のデータ配線７８が設けられている。個々のゲート配線７６はゲート線ドライバ８０に接続されており、個々のデータ配線７８は信号処理部８２に接続されている。個々の画素部７４の蓄積容量６８に電荷が蓄積されると、個々の画素部７４のＴＦＴ７０は、ゲート線ドライバ８０からゲート配線７６を介して供給される信号により行単位で順にオンされる。ＴＦＴ７０がオンされた画素部７４の蓄積容量６８に蓄積されている電荷は、アナログの電気信号としてデータ配線７８を伝送されて信号処理部８２に入力される。従って、個々の画素部７４の蓄積容量６８に蓄積されている電荷は行単位で順に読み出される。
図示は省略するが、信号処理部８２は、個々のデータ配線７８毎に設けられた増幅器及びサンプルホールド回路を備えており、個々のデータ配線７８を伝送された電荷信号は増幅器で増幅された後にサンプルホールド回路に保持される。また、サンプルホールド回路の出力側にはマルチプレクサ、Ａ／Ｄ（アナログ／デジタル）変換器が順に接続されており、個々のサンプルホールド回路に保持された電荷信号はマルチプレクサに順に（シリアルに）入力され、Ａ／Ｄ変換器によってデジタルの画像データへ変換される。
信号処理部８２には画像メモリ９０が接続されており、信号処理部８２のＡ／Ｄ変換器から出力された画像データは画像メモリ９０に順に記憶される。画像メモリ９０は所定枚分の画像データを記憶可能な記憶容量を有しており、放射線画像の撮影が行われる毎に、撮影によって得られた画像データが画像メモリ９０に順次記憶される。
画像メモリ９０は電子カセッテ３２全体の動作を制御するカセッテ制御部９２と接続されている。カセッテ制御部９２はマイクロコンピュータによって構成されており、ＣＰＵ（中央処理装置）９２Ａ、ＲＯＭおよびＲＡＭを含むメモリ９２Ｂ、ＨＤＤやフラッシュメモリ等からなる不揮発性の記憶部９２Ｃを備えている。
このカセッテ制御部９２には有線通信部９５が接続されている。有線通信部９５は、接続端子３２Ａに接続され、接続端子３２及び通信ケーブル４３Ａを介してコンソール４２との間で各種情報の伝送を制御する。カセッテ制御部９２は、コンソール４２から有線通信部９５を介して受信される後述する曝射条件を記憶し、曝射条件に基づいて電荷の読み出しを開始する。
また、電子カセッテ３２には電源部９６が設けられており、上述した各種回路や各素子(ゲート線ドライバ８０、信号処理部８２、画像メモリ９０、有線通信部９５やカセッテ制御部９２として機能するマイクロコンピュータ)は、電源部９６から供給された電力によって作動する。電源部９６は、電子カセッテ３２の可搬性を損なわないように、バッテリ（充電可能な二次電池）を内蔵しており、充電されたバッテリから各種回路・素子へ電力を供給する。なお、図６では、電源部９６と各種回路や各素子を接続する配線を省略している。
一方、コンソール４２は、サーバ・コンピュータとして構成されており、操作メニューや撮影された放射線画像等を表示するディスプレイ１００と、複数のキーを含んで構成され、各種の情報や操作指示が入力される操作パネル１０２と、を備えている。
また、本実施の形態に係るコンソール４２は、装置全体の動作を司るＣＰＵ１０４と、制御プログラムを含む各種プログラム等が予め記憶されたＲＯＭ１０６と、各種データを一時的に記憶するＲＡＭ１０８と、各種データを記憶して保持するＨＤＤ１１０と、ディスプレイ１００への各種情報の表示を制御するディスプレイドライバ１１２と、操作パネル１０２に対する操作状態を検出する操作入力検出部１１４と、を備えている。
また、コンソール４２は、接続端子４２Ａおよび通信ケーブル３５を介して放射線発生装置３４との間で後述する曝射条件等の各種情報の送受信を行う通信インタフェース（Ｉ／Ｆ）部１１６と、電子カセッテ３２との間で曝射条件や画像データ等の各種情報の送受信を行うカセッテ通信部１１８と、立位撮影台４５の垂直移動機構４７に備えられたモータ４７Ｄ及び水平移動機構４９に備えられたモータ４９Ｃの回転駆動を制御する撮影台制御部１２０と、を備えている。
ＣＰＵ１０４、ＲＯＭ１０６、ＲＡＭ１０８、ＨＤＤ１１０、ディスプレイドライバ１１２、操作入力検出部１１４、通信Ｉ／Ｆ部１１６、カセッテ通信部１１８、及び撮影台制御部１２０は、システムバスＢＵＳを介して相互に接続されている。従って、ＣＰＵ１０４は、ＲＯＭ１０６、ＲＡＭ１０８、ＨＤＤ１１０へのアクセスを行うことができると共に、ディスプレイドライバ１１２を介したディスプレイ１００への各種情報の表示の制御、通信Ｉ／Ｆ部１１６を介した放射線発生装置３４との各種情報の送受信の制御、カセッテ通信部１１８を介した電子カセッテ３２との各種情報の送受信の制御、及びモータ４７Ｄ、４９Ｃの回転駆動の制御を行うことにより撮影部４６の内部での電子カセッテ３２の配置位置の制御を各々行うことができる。また、ＣＰＵ１０４は、操作入力検出部１１４を介して操作パネル１０２に対するユーザの操作状態を把握することができる。
一方、放射線発生装置３４は、放射線Ｘを射出する放射線源１３０と、放射線源１３０による放射線Ｘの照射領域を制限する可動絞り装置１３１と、コンソール４２との間で曝射条件等の各種情報を送受信する通信Ｉ／Ｆ部１３２と、受信した曝射条件に基づいて放射線源１３０を制御する線源制御部１３４と、支持移動機構５２に備えられた駆動源への電力供給を制御することにより放射線源１３０の垂直方向への移動を制御する線源駆動制御部１３６を備えている。
線源制御部１３４もマイクロコンピュータによって実現されており、受信した曝射条件や姿勢情報を記憶する。このコンソール４２から受信する曝射条件には管電圧、管電流、照射期間等の情報が含まれている。線源制御部１３４は、曝射開始が指示されると、受信した曝射条件に基づいて放射線源１３０から放射線Ｘを照射させる。放射線源１３０から照射された放射線Ｘは、可動絞り装置１３１を通過して患者に照射される。
可動絞り装置１３１は、図７に示すように、スリット板１３５，１３６と、スリット板１３７，１３８と、が設けられている。スリット板１３５，１３６及びスリット板１３７，１３８は、不図示のモータまたはソレノイドの駆動力により移動可能とされている。可動絞り装置１３１は、スリット板１３５，１３６が一方向（Ｘ方向）にそれぞれ個別に移動することにより放射線源１３０による放射線Ｘの照射領域をＸ方向に変更し、スリット板１３７，１３８が一方向に対する交差方向（Ｙ方向）にそれぞれ個別に移動することにより放射線源１３０による放射線Ｘの照射領域をＹ方向に変更する。
操作パネル５２Ａは、放射線源１３０の鉛直方向への移動の指示操作と共に、可動絞り装置１３１のスリット板１３５，１３６及びスリット板１３７，１３８の移動の指示操作が可能とされている。医師や放射線技師は、操作パネル５２Ａを操作して、スリット板１３５，１３６及びスリット板１３７，１３８の配置関係を調整することにより、放射線Ｘの照射領域を変更することが可能とされている。なお、放射線Ｘの照射領域は、例えば、放射線源１３０の近傍に撮像カメラを設け、放射線によって撮影される撮影部位を撮像して、コンソール４２のディスプレイ１００に表示させることによって、操作者に確認させてもよい。また、放射線源１３０の近傍に可視光を照射する可視光ランプを設け、被検者の身体の撮影部位を照射させることによって、操作者に確認させてもよい。
次に、蛍光体材料と光電変換素子を用いて放射線を間接的に電荷に変換する間接変換方式とした場合の放射線検出器６０の構成について説明する。
図８は、本発明の一実施形態である間接変換方式の放射線検出器６０の３つの画素部分の構成を概略的に示す断面模式図である。
この放射線検出器６０は、絶縁性の基板２００上に、信号出力部２０２、センサ部７２、及びシンチレータ２０４が順次積層しており、信号出力部２０２、センサ部７２により画素部が構成されている。画素部は、基板２００上に複数配列されており、各画素部における信号出力部２０２とセンサ部７２とが重なりを有するように構成されている。
シンチレータ２０４は、センサ部７２上に透明絶縁膜２０６を介して形成されており、上方（基板２００と反対側）から入射してくる放射線を光に変換して発光する蛍光体を成膜したものである。このようなシンチレータ２０４を設けることで、被写体を透過した放射線を吸収して発光することになる。
シンチレータ２０４が発する光の波長域は、可視光域（波長３６０ｎｍ〜８３０ｎｍ）であることが好ましく、この放射線検出器６０によってモノクロ撮像を可能とするためには、緑色の波長域を含んでいることがより好ましい。
シンチレータ２０４に用いる蛍光体としては、具体的には、放射線としてＸ線を用いて撮像する場合、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）を含むものが好ましく、Ｘ線照射時の発光スペクトルが４２０ｎｍ〜６００ｎｍにあるＣｓＩ（Ｔｌ）を用いることが特に好ましい。なお、ＣｓＩ（Ｔｌ）の可視光域における発光ピーク波長は５６５ｎｍである。
シンチレータ２０４は、例えば、ＣｓＩ（Ｔｌ）等の柱状結晶で形成しようとする場合、蒸着基板への蒸着によって形成されしてもよい。このように蒸着によってシンチレータ２０４を形成する場合、蒸着基板は、Ｘ線の透過率、コストの面からＡｌの板がよく使用されるがこれに限定されるものではない。なお、シンチレータ２０４としてＧＯＳを用いる場合、蒸着基板を用いずにＴＦＴアクティブマトリクス基板６６の表面にＧＯＳを塗布することにより、シンチレータ２０４を形成してもよい。
センサ部７２は、上部電極２１０、下部電極２１２、及び該上下の電極間に配置された光電変換膜２１４を有している。
上部電極２１０は、シンチレータ２０４により生じた光を光電変換膜２１４に入射させる必要があるため、少なくともシンチレータ２０４の発光波長に対して透明な導電性材料で構成することが好ましく、具体的には、可視光に対する透過率が高く、抵抗値が小さい透明導電性酸化物（TCO;Transparent Conducting Oxide）を用いることが好ましい。なお、上部電極２１０としてＡｕなどの金属薄膜を用いることもできるが、透過率を９０％以上得ようとすると抵抗値が増大し易いため、ＴＣＯの方が好ましい。例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＦＴＯ、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、ＺｎＯ２等を好ましく用いることができ、プロセス簡易性、低抵抗性、透明性の観点からはＩＴＯが最も好ましい。なお、上部電極２１０は、全画素部で共通の一枚構成としてもよく、画素部毎に分割してもよい。
光電変換膜２１４は、シンチレータ２０４から発せられた光を吸収し、吸収した光に応じた電荷を発生する。光電変換膜２１４は、光が照射されることにより電荷を発生する材料により形成すればよく、例えば、アモルファスシリコンや有機光電変換材料などにより形成することができる。アモルファスシリコンを含む光電変換膜２１４であれば、幅広い吸収スペクトルを持ち、シンチレータ２０４による発光を吸収することができる。有機光電変換材料を含む光電変換膜２１４であれば、可視域にシャープな吸収スペクトルを持ち、シンチレータ２０４による発光以外の電磁波が光電変換膜２１４に吸収されることがほとんどなく、Ｘ線等の放射線が光電変換膜２１４で吸収されることによって発生するノイズを効果的に抑制することができる。
光電変換膜２１４を構成する有機光電変換材料は、シンチレータ２０４で発光した光を最も効率良く吸収するために、その吸収ピーク波長が、シンチレータ２０４の発光ピーク波長と近いほど好ましい。有機光電変換材料の吸収ピーク波長とシンチレータ２０４の発光ピーク波長とが一致することが理想的であるが、双方の差が小さければシンチレータ２０４から発された光を十分に吸収することが可能である。具体的には、有機光電変換材料の吸収ピーク波長と、シンチレータ２０４の放射線に対する発光ピーク波長との差が、１０ｎｍ以内であることが好ましく、５ｎｍ以内であることがより好ましい。
このような条件を満たすことが可能な有機光電変換材料としては、例えばキナクリドン系有機化合物及びフタロシアニン系有機化合物が挙げられる。例えばキナクリドンの可視域における吸収ピーク波長は５６０ｎｍであるため、有機光電変換材料としてキナクリドンを用い、シンチレータ２０４の材料としてＣｓＩ（Ｔｌ）を用いれば、上記ピーク波長の差を５ｎｍ以内にすることが可能となり、光電変換膜２１４で発生する電荷量をほぼ最大にすることができる。
次に、本実施の形態に係る放射線検出器６０に適用可能な光電変換膜２１４について具体的に説明する。
本発明に係る放射線検出器６０における電磁波吸収／光電変換部位は、１対の下部電極２１２，上部電極２１０と、該下部電極２１２，上部電極２１０間に挟まれた光電変換膜２１４を含む有機層により構成することができる。この有機層は、より具体的には、電磁波を吸収する部位、光電変換部位、電子輸送部位、正孔輸送部位、電子ブロッキング部位、正孔ブロッキング部位、結晶化防止部位、電極、及び層間接触改良部位等の積み重ねもしくは混合により形成することができる。
上記有機層は、有機ｐ型化合物または有機ｎ型化合物を含有することが好ましい。
有機ｐ型半導体（化合物）は、主に正孔輸送性有機化合物に代表されるドナー性有機半導体（化合物）であり、電子を供与しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは２つの有機材料を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物をいう。したがって、ドナー性有機化合物としては、電子供与性のある有機化合物であればいずれの有機化合物も使用可能である。
有機ｎ型半導体（化合物）は、主に電子輸送性有機化合物に代表されるアクセプター性有機半導体（化合物）であり、電子を受容しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは２つの有機化合物を接触させて用いたときに電子親和力の大きい方の有機化合物をいう。したがって、アクセプター性有機化合物は、電子受容性のある有機化合物であればいずれの有機化合物も使用可能である。
この有機ｐ型半導体及び有機ｎ型半導体として適用可能な材料、及び光電変換膜２１４の構成については、特開２００９−３２８５４号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。なお、光電変換膜２１４は、さらにフラーレン若しくはカーボンナノチューブを含有させて形成してもよい。
光電変換膜２１４の厚みは、シンチレータ２０４からの光を吸収する点では膜厚は大きいほど好ましいが、ある程度以上厚くなると光電変換膜２１４の両端から印加されるバイアス電圧により光電変換膜２１４に発生する電界の強度が低下して電荷が収集できなくなるため、３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは、５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、特に好ましくは８０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。
なお、図８に示す放射線検出器６０では、光電変換膜２１４は、全画素部で共通の一枚構成であるが、画素部毎に分割してもよい。
下部電極２１２は、画素部毎に分割された薄膜とする。下部電極２１２は、透明又は不透明の導電性材料で構成することができ、アルミニウム、銀等を好適に用いることができる。
下部電極２１２の厚みは、例えば、３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下とすることができる。
センサ部７２では、上部電極２１０と下部電極２１２の間に所定のバイアス電圧を印加することで、光電変換膜２１４で発生した電荷（正孔、電子）のうちの一方を上部電極２１０に移動させ、他方を下部電極２１２に移動させることができる。本実施形態の放射線検出器６０では、上部電極２１０に配線が接続され、この配線を介してバイアス電圧が上部電極２１０に印加されるものとする。又、バイアス電圧は、光電変換膜２１４で発生した電子が上部電極２１０に移動し、正孔が下部電極２１２に移動するように極性が決められているものとするが、この極性は逆であっても良い。
各画素部を構成するセンサ部７２は、少なくとも下部電極２１２、光電変換膜２１４、及び上部電極２１０を含んでいればよいが、暗電流の増加を抑制するため、電子ブロッキング膜２１６及び正孔ブロッキング膜２１８の少なくともいずれかを設けることが好ましく、両方を設けることがより好ましい。
電子ブロッキング膜２１６は、下部電極２１２と光電変換膜２１４との間に設けることができ、下部電極２１２と上部電極２１０間にバイアス電圧を印加したときに、下部電極２１２から光電変換膜２１４に電子が注入されて暗電流が増加してしまうのを抑制することができる。
電子ブロッキング膜２１６には、電子供与性有機材料を用いることができる。
実際に電子ブロッキング膜２１６に用いる材料は、隣接する電極の材料および隣接する光電変換膜２１４の材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数（Ｗｆ）より１．３ｅＶ以上電子親和力（Ｅａ）が大きく、かつ、隣接する光電変換膜２１４の材料のイオン化ポテンシャル（Ｉｐ）と同等のＩｐもしくはそれより小さいＩｐを持つものが好ましい。この電子供与性有機材料として適用可能な材料については、特開２００９−３２８５４号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。
電子ブロッキング膜２１６の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させるとともに、センサ部７２の光電変換効率の低下を防ぐため、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、さらに好ましくは３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
正孔ブロッキング膜２１８は、光電変換膜２１４と上部電極２１０との間に設けることができ、下部電極２１２と上部電極２１０間にバイアス電圧を印加したときに、上部電極２１０から光電変換膜２１４に正孔が注入されて暗電流が増加してしまうのを抑制することができる。
正孔ブロッキング膜２１８には、電子受容性有機材料を用いることができる。
正孔ブロッキング膜２１８の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させるとともに、センサ部７２の光電変換効率の低下を防ぐため、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、さらに好ましくは３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
実際に正孔ブロッキング膜２１８に用いる材料は、隣接する電極の材料および隣接する光電変換膜２１４の材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数（Ｗｆ）より１．３ｅＶ以上イオン化ポテンシャル（Ｉｐ）が大きく、かつ、隣接する光電変換膜２１４の材料の電子親和力（Ｅａ）と同等のＥａもしくはそれより大きいＥａを持つものが好ましい。この電子受容性有機材料として適用可能な材料については、特開２００９−３２８５４号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。
なお、光電変換膜２１４で発生した電荷のうち、正孔が上部電極２１０に移動し、電子が下部電極２１２に移動するようにバイアス電圧を設定する場合には、電子ブロッキング膜２１６と正孔ブロッキング膜２１８の位置を逆にすれば良い。又、電子ブロッキング膜２１６と正孔ブロッキング膜２１８は両方設けなくてもよく、いずれかを設けておけば、ある程度の暗電流抑制効果を得ることができる。
各画素部の下部電極２１２下方の基板２００の表面には信号出力部２０２が形成されている。
図９には、信号出力部２０２の構成が概略的に示されている。
下部電極２１２に対応して、下部電極２１２に移動した電荷を蓄積する蓄積容量６８と、蓄積容量６８に蓄積された電荷を電気信号に変換して出力するＴＦＴ７０が形成されている。蓄積容量６８及びＴＦＴ７０の形成された領域は、平面視において下部電極２１２と重なる部分を有しており、このような構成とすることで、各画素部における信号出力部２０２とセンサ部７２とが厚さ方向で重なりを有することとなる。なお、放射線検出器６０（画素部）の平面積を最小にするために、蓄積容量６８及びＴＦＴ７０の形成された領域が下部電極２１２によって完全に覆われていることが望ましい。
蓄積容量６８は、基板２００と下部電極２１２との間に設けられた絶縁膜２１９を貫通して形成された導電性材料の配線を介して対応する下部電極２１２と電気的に接続されている。これにより、下部電極２１２で捕集された電荷を蓄積容量６８に移動させることができる。
ＴＦＴ７０は、ゲート電極２２０、ゲート絶縁膜２２２、及び活性層（チャネル層）２２４が積層され、さらに、活性層２２４上にソース電極２２６とドレイン電極２２８が所定の間隔を開けて形成されている。活性層２２４は、例えば、アモルファスシリコンや非晶質酸化物、有機半導体材料、カーボンナノチューブなどにより形成することができる。なお、活性層２２４を構成する材料は、これらに限定されるものではない。
活性層２２４を構成可能な非晶質酸化物としては、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎのうちの少なくとも１つを含む酸化物（例えばＩｎ−Ｏ系）が好ましく、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎのうちの少なくとも２つを含む酸化物（例えばＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系）がより好ましく、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含む酸化物が特に好ましい。Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非晶質酸化物としては、結晶状態における組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）で表される非晶質酸化物が好ましく、特に、ＩｎＧａＺｎＯ４がより好ましい。なお、活性層２２４を構成可能な非晶質酸化物は、これらに限定されるものではない。
活性層２２４を構成可能な有機半導体材料としては、フタロシアニン化合物や、ペンタセン、バナジルフタロシアニン等を挙げることができるがこれらに限定されるものではない。なお、フタロシアニン化合物の構成については、特開２００９−２１２３８９号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。
ＴＦＴ７０の活性層２２４を非晶質酸化物や有機半導体材料、カーボンナノチューブで形成したものとすれば、Ｘ線等の放射線を吸収せず、あるいは吸収したとしても極めて微量に留まるため、信号出力部２０２におけるノイズの発生を効果的に抑制することができる。
また、活性層２２４をカーボンナノチューブで形成した場合、ＴＦＴ７０のスイッチング速度を高速化することができ、また、可視光域での光の吸収度合の低いＴＦＴ７０を形成できる。なお、カーボンナノチューブで活性層２２４を形成する場合、活性層２２４に極微量の金属性不純物が混入するだけで、ＴＦＴ７０の性能は著しく低下するため、遠心分離などにより極めて高純度のカーボンナノチューブを分離・抽出して形成する必要がある。
ここで、上述した非晶質酸化物、有機半導体材料、カーボンナノチューブや、有機光電変換材料は、いずれも低温での成膜が可能である。従って、基板２００としては、半導体基板、石英基板、及びガラス基板等の耐熱性の高い基板に限定されず、プラスチック等の可撓性基板、アラミド、バイオナノファイバを用いることもできる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の可撓性基板を用いることができる。このようなプラスチック製の可撓性基板を用いれば、軽量化を図ることもでき、例えば持ち運び等に有利となる。
また、基板２００には、絶縁性を確保するための絶縁層、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層、平坦性あるいは電極等との密着性を向上するためのアンダーコート層等を設けてもよい。
アラミドは、２００度以上の高温プロセスを適用できるために，透明電極材料を高温硬化させて低抵抗化でき、また、ハンダのリフロー工程を含むドライバＩＣの自動実装にも対応できる。また、アラミドは、ＩＴＯ（indium tin oxide）やガラス基板と熱膨張係数が近いため、製造後の反りが少なく、割れにくい。また、アラミドは、ガラス基板等と比べて薄く基板を形成できる。なお、超薄型ガラス基板とアラミドを積層して基板２００を形成してもよい。
バイオナノファイバは、バクテリア(酢酸菌、Acetobacter Xylinum)が産出するセルロースミクロフィブリル束（バクテリアセルロース）と透明樹脂との複合したものである。セルロースミクロフィブリル束は、幅５０ｎｍと可視光波長に対して１／１０のサイズで、かつ、高強度、高弾性、低熱膨である。バクテリアセルロースにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸・硬化させることで、繊維を６０−７０％も含有しながら、波長５００nmで約９０％の光透過率を示すバイオナノファイバが得られる。バイオナノファイバは、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数（３−７ｐｐｍ）を有し、鋼鉄並の強度(４６０ＭＰa)、高弾性(３０ＧＰａ)で、かつフレキシブルであることから、ガラス基板等と比べて薄く基板２００を形成できる。
本実施の形態では、基板２００上に、信号出力部２０２、センサ部７２、透明絶縁膜２０６を順に形成し、当該基板２００上に光吸収性の低い接着樹脂等を用いてシンチレータ２０４を貼り付けることにより放射線検出器６０を形成している。以下、透明絶縁膜２０６まで形成された基板２００をＴＦＴアクティブマトリクス基板（以下「ＴＦＴ基板」ともいう。）６６と称する。
次に、本実施の形態の作用について説明する。最初に、本実施の形態に係るＲＩＳ１０の全体的な動作について簡単に説明する。
放射線画像の撮影する場合、端末装置１２（図１参照。）は、医師又は放射線技師からの撮影依頼を受け付ける。当該撮影依頼では、電子カセッテ３２を使用する環境、撮影の日時、撮影対象とする撮影部位、管電圧及び照射する放射線の線量が指定される。
端末装置１２は、受け付けた撮影依頼の内容をＲＩＳサーバ１４に通知する。ＲＩＳサーバ１４は、端末装置１２から通知された撮影依頼の内容をデータベース１４Ａに記憶する。
コンソール４２は、ＲＩＳサーバ１４にアクセスすることにより、ＲＩＳサーバ１４から撮影依頼の内容を取得し、撮影依頼の内容をディスプレイ１００（図６参照。）に表示する。
医師や放射線技師は、ディスプレイ１００に表示された撮影依頼の内容に基づいて放射線画像の撮影を開始する。
例えば、図２に示す患者５０の胸部の放射線画像の撮影を行う場合、医師や放射線技師は、撮影部４６の収容部４６Ａに電子カセッテ３２を収納した後、撮影部４６の撮影面４８の中心が患者５０の胸部と対応するように撮影部４６の高さ調整する。また、医師や放射線技師は、操作パネル５２Ａを操作して、撮影部位前方に放射線発生装置３４を配置し、撮影部位および周辺のみに放射線Ｘが照射されるように可動絞り装置１３１により放射線Ｘの照射領域を限定する。さらに、医師や放射線技師は、患者の撮影部位や撮影条件に応じてコンソール４２の操作パネル１０２に対して放射線Ｘを照射する際の管電圧、管電流、及び照射期間を指定する曝射条件指定操作を行う。指定された曝射条件は放射線発生装置３４及び電子カセッテ３２へ送信される。
ところで、放射線検出器６０は、放射線を検出可能な検出領域６１の特定の一部分を用いた撮影が繰り返された場合、当該一部分のみの劣化が進行する。
そこで、本実施の形態では、放射線検出器６０の検出領域６１を、図１０に示すように、３×３の９個の区分領域６１Ａに区分し、各区分領域６１Ａ毎に照射された放射線量に相関する相関値を相関情報としてＨＤＤ１１０に記憶している。なお、各区分領域６１Ａにおいて括弧付きで示した数字（例えば（１））は各区分領域６１Ａを識別する識別番号を示している。
図１１には、ＨＤＤ１１０に記憶された相関情報のデータ構造の一例が示されている。
本実施の形態では、区分領域６１Ａの識別番号毎に、相関値として当該区分領域６１Ａを用いた撮影回数を記憶している。
また、本実施の形態では、放射線画像の撮影が行われる患者の撮影部位毎に、当該撮影部位の放射線画像の撮影に必要な領域のサイズを示すサイズ情報をＨＤＤ１１０に記憶している。
図１２には、ＨＤＤ１１０に記憶されたサイズ情報のデータ構造の一例が示されている。
本実施の形態では、撮影部位毎に、撮影に必要なサイズ情報として区分領域６１Ａの数が縦方向×横方向の数値として記憶されている。例えば、撮影部位として手の撮影を行う場合は、２×２（縦方向に２つで横方向に２つ）の計４つの区分領域６１Ａが必要であることを示している。
さらに、本実施の形態では、撮影に必要な領域のサイズ毎に、検出領域６１内で当該サイズが得られる区分領域６１Ａの組み合わせを示す区分領域組合情報をＨＤＤ１１０に記憶している。
図１３には、ＨＤＤ１１０に記憶された区分領域組合情報のデータ構造の一例が示されている。
本実施の形態では、撮影に必要な領域のサイズ毎に、当該サイズが得られる区分領域６１Ａの識別番号の組み合わせが記憶されている。例えば、撮影に必要な領域のサイズが２×２の場合、区分領域６１Ａの識別番号が（１，２，４，５）、（２，３，５，６）、（４，５，７，８）、及び（５，６，８，９）の４つの組み合わせが記憶されている。
コンソール４２は、操作パネル１０２に対して撮影準備の所定の操作指示が行なわれると、放射線検出器６０の各区分領域６１Ａへの放射線量のばらつきを抑えつつ撮影部位の放射線画像が撮影可能な撮影領域を特定する撮影領域特定処理を行う。
図１４には本実施の形態に係るＣＰＵ１０４により実行される撮影領域特定処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートが示されている。なお、当該プログラムはＨＤＤ１１０の所定の領域に予め記憶されている。
同図のステップＳ１０では、ＨＤＤ１１０に記憶されたサイズ情報から、撮影依頼により撮影が依頼された撮影部位に対応する区分領域６１Ａのサイズを読み出す。
次のステップＳ１２では、ＨＤＤ１１０に記憶された区分領域組合情報に基づき、上記ステップＳ１２で読み出されたサイズが得られる区分領域６１Ａの組合わせを特定する。
次のステップＳ１４では、ＨＤＤ１１０に記憶された相関情報により示される各区分領域６１Ａの撮影回数を上記ステップＳ１４で特定された区分領域６１Ａの組合わせ毎に合計する。
次のステップＳ１６では、上記ステップＳ１４で合計された撮影回数を合計値の最も少ない区分領域６１Ａの組合わせを撮影領域と特定する。
次のステップＳ１８では、上記ステップＳ１６で特定された撮影領域の中心が撮影部４６の撮影面４８の中心Ｃに位置するように電子カセッテ３２の位置を移動させる。
次のステップＳ２０では、撮影準備完了をディスプレイ１００に表示し、処理終了をする。
医師や放射線技師は、ディスプレイ１００に撮影準備完了が表示されると、コンソール４２の操作パネル１０２に対して撮影を指示する撮影指示操作を行う。
コンソール４２は、操作パネル１０２に対して撮影指示操作が行なわれると、曝射開始を指示する指示情報を放射線発生装置３４及び電子カセッテ３２へ送信する。これにより、放射線源１３０は、コンソール４２から受信した曝射条件に応じた管電圧、管電流、及び照射期間で放射線を発生・射出する。
これにより、放射線検出器６０の撮影領域と特定された区分領域６１Ａに対して放射線が照射されて放射線画像の撮影が行われるため、検出領域６１の特定の一部分のみの劣化が進行することが抑制される。
電子カセッテ３２のカセッテ制御部９２は、曝射開始を指示する指示情報を受信してから曝射条件で指定された照射期間の経過後にゲート線ドライバ８０を制御してゲート線ドライバ８０から１ラインずつ順に各ゲート配線７６にオン信号を出力させ、各ゲート配線７６に接続された各ＴＦＴ７０を１ラインずつ順にオンさせる。
放射線検出器６０は、各ゲート配線７６に接続された各ＴＦＴ７０を１ラインずつ順にオンされると、１ラインずつ順に各蓄積容量６８に蓄積された電荷が電気信号として各データ配線７８に流れ出す。各データ配線７８に流れ出した電気信号は信号処理部８２でデジタルの画像データに変換されて、画像メモリ９０に記憶される。
カセッテ制御部９２は、撮影終了後、画像メモリ９０に記憶された画像情報をコンソール４２へ送信する。
コンソール４２は、受信した画像情報に対してシェーディング補正などの各種の補正すると共に、撮影領域と特定された区分領域６１Ａに対応する部分の画像をトリミングする画像処理を行ない、画像処理後の画像情報をＨＤＤ１１０に記憶する。ＨＤＤ１１０に記憶された画像情報は、撮影した放射線画像の確認等のためにディスプレイ１００に表示されると共に、不図示のネットワークを介してＲＩＳ（Radiology Information System）を構成するサーバ・コンピュータに転送されてデータベースにも格納される。これにより、医師が撮影された放射線画像の読影や診断等を行うことが可能となる。
コンソール４２は、画像処理後の画像情報をＨＤＤ１１０に記憶した後、ＨＤＤ１１０に記憶された相関情報を更新する相関情報更新処理を行う。
図１５には本実施の形態に係るＣＰＵ１０４により実行される相関情報更新処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートが示されている。なお、当該プログラムはＨＤＤ１１０の所定の領域に予め記憶されている。
同図のステップＳ４０では、ＨＤＤ１１０に記憶された相関情報により示される各区分領域６１Ａの撮影回数のうち、上記撮影領域特定処理プログラムによる処理で撮影領域と特定された区分領域６１Ａの撮影回数に１を加算し、処理終了をする。
これにより、相関情報として記憶された各区分領域６１Ａの撮影回数が更新される。
以上のように、本実施の形態によれば、放射線検出器６０の撮影領域と特定された区分領域６１Ａが撮影部４６の撮影面４８の中心Ｃに位置するように電子カセッテ３２の位置を移動させ、当該撮影領域に放射線Ｘを照射して撮影を行うことにより、放射線検出器６０の検出領域６１に放射線Ｘが分散して照射されるようになるため、放射線検出器６０の検出領域６１の特定の一部分で劣化が進行することを抑制できる。
［第２の実施の形態］
次に、透視撮影を行う際に本発明を適用した場合を説明する。
［第２の実施の形態］
次に、透視撮影を行う際に本発明を適用した場合を説明する。
第２の実施の形態に係る放射線情報システム１０の構成は、上記第１の実施の形態（図１参照）と同一であるので、ここでの説明は省略する。
図１６〜図１８には、第２の実施の形態に係る撮影システム１８の放射線撮影室４４における配置状態の一例が示されている。
図１６に示すように、放射線撮影室４４には、臥位での放射線撮影を行う際に患者が横臥するための臥位撮影台１５０が設置されており、臥位撮影台１５０の上方空間は臥位での放射線撮影を行う際の患者の撮影位置とされている。
また、支持移動機構５２は、放射線源１３０を水平面内で移動可能でかつ鉛直方向に移動可能に支持する。支持移動機構５２は、放射線源１３０の水平面内及び鉛直方向への移動を指示するための操作パネル５２Ａが設けられおり、放射線源１３０を水平面内及び鉛直方向に移動させる駆動源を備えている。
図１７に示すように、本実施の形態に係る臥位撮影台１５０は、天板１５２とカセッテ載置板１５４とが２階建構造となっており、カセッテ載置板１５４上に電子カセッテ３２を載置するためのトレイ１５６が設けられいる。
図１８に示すように、トレイ１５６には、電子カセッテ３２が収納された場合の接続端子３２Ａに対応する位置に接続端子１５６Ａが設けられている。接続端子３２Ａは、収容部４６Ａに電子カセッテ３２が収納された際に接続端子１５６Ａと接触して通信可能となる。トレイ１５６に収納された電子カセッテ３２は、接続端子１５６Ａ及び通信ケーブル４３Ａを介してコンソール４２と接続される。
また、臥位撮影台１５０には、トレイ１５６を臥位撮影台１５０の幅方向（図Ａ方向）に移動させる幅方向移動機構１５８と、トレイ１５６及び幅方向移動機構１５８を水平面内で長さ方向（Ｂ方向）に移動させる長さ方向移動機構１５９とが設けられている。
幅方向移動機構１５８は、一対のガイドレール１５８Ａ、ボールねじ１５８Ｂ、支持台１５８Ｃ、モータ１５８Ｄにより構成されている。
支持台１５８Ｃは、平板状でかつカセッテ載置板１５４の幅と略同一の長さとされ、カセッテ載置板１５４の幅方向に配置されている。一対のガイドレール１５８Ａは、所定の間隔を隔てて幅方向に平行に配置されており、支持台１５８Ｃに固定されている。ボールねじ１５８Ｂは、一対のガイドレール１５８Ａの間に幅方向に配置されており、両端部が支持台１５８Ｃにより回転可能に軸支され、モータ１５８Ｄの回転駆動により回転する。
トレイ１５６は、一対のガイドレール１５８Ａによって移動可能に支持されると共にボールねじ１５８Ｂに螺合されており、モータ１５８Ｄの回転駆動によってボールねじ１５８Ｂが回転することにより、ガイドレール１５８Ａに沿って幅方向に移動する。
長さ方向移動機構１５９は、一対のガイドレール１５９Ａ、ボールねじ１５９Ｂ、モータ１５９Ｃ、により構成されている。一対のガイドレール１５９Ａは、所定の間隔を隔てて長さ方向に平行に配置されている。ボールねじ１５９Ｂは、一対のガイドレール１５９Ａの間に長さ方向に配置されており、モータ１５９Ｃの回転駆動により回転する。
支持台１５８Ｃは、一対のガイドレール１５９Ａによって移動可能に支持されと共に、ボールねじ１５９Ｂに螺合されている。これにより、トレイ１５６を支持した支持台１５８Ｃは、モータ１５９Ｃの回転駆動によってボールねじ１５９Ｂが回転することにより、ガイドレール１５９Ａに沿って長さ方向に移動する。
図１９には、第２の実施の形態に係る放射線画像撮影システム１８の電気系の要部構成を示すブロック図が示されている。なお、図１９の上記第１の実施の形態（図６参照）と同一部分については、同一の符号を付して、ここでの説明は省略する。
コンソール４２に備えられた撮影台制御部１２０は、臥位撮影台１５０の幅方向移動機構１５８に備えられたモータ１５８Ｄ及び長さ方向移動機構１５９に備えられたモータ１５９Ｃの回転駆動を制御する。
また、線源駆動制御部１３６は、支持移動機構５２に備えられた各駆動源への電力供給を制御することにより放射線源１３０水平面内及び鉛直方向への移動を制御する。また、線源制御部１３４は、線源駆動制御部１３６及び可動絞り装置１３１の動作に基づいて放射線源１３０から臥位撮影台１５０に対して放射線Ｘが照射される照射範囲を特定し、特定した照射範囲をコンソール４２へ通知する。
次に、本実施の形態の作用について説明する。
医師又は放射線技師は、透視撮影を行う場合、コンソール４２に対して透視撮影を指定すると共に、管電圧、管電流などの曝射条件指定操作を行う。指定された曝射条件は放射線発生装置３４及び電子カセッテ３２へ送信される。また、医師や放射線技師は、臥位撮影台１５０のトレイ１５６に電子カセッテ３２を収納する。さらに、医師又は放射線技師は、操作パネル５２Ａを操作して、撮影部位上方に放射線発生装置３４を配置し、撮影部位および周辺のみに放射線Ｘが照射されるように可動絞り装置１３１により放射線Ｘの照射領域を限定する。線源制御部１３４は、操作パネル５２Ａが操作されて線源駆動制御部１３６及び可動絞り装置１３１が動作すると、線源駆動制御部１３６及び可動絞り装置１３１の動作状態に基づいて放射線源１３０から臥位撮影台１５０に対して放射線Ｘが照射される照射範囲を特定し、特定した照射範囲をコンソール４２へ通知する。
コンソール４２は、モータ１５８Ｄ及びモータ１５９Ｃの回転駆動を制御することにより、通知された照射範囲に検出領域６１が位置するように電子カセッテ３２を配置し、撮影準備完了をディスプレイ１００に表示する。
医師や放射線技師は、ディスプレイ１００に撮影準備完了が表示されると、コンソール４２の操作パネル１０２に対して撮影開始を指示する撮影開始操作を行う。
コンソール４２は、操作パネル１０２に対して撮影開始操作が行なわれると、曝射開始を指示する指示情報を放射線発生装置３４及び電子カセッテ３２へ送信する。これにより、放射線源１３０は、放射線発生装置３４がコンソール４２から受信した曝射条件に応じた管電圧、管電流での放射線の照射が開始される。
電子カセッテ３２のカセッテ制御部９２は、曝射開始を指示する指示情報を受信すると、予め定められた周期でゲート線ドライバ８０を制御してゲート線ドライバ８０から１ラインずつ順に各ゲート配線７６にオン信号を出力させ、各ゲート配線７６に接続された各ＴＦＴ７０を１ラインずつ順にオンさせて画像を読み出すことを繰り返し行い、連続的に画像の読み出しを行う。放射線検出器６０の各データ配線７８に流れ出した電気信号は信号処理部８２でデジタルの画像データに変換されて、画像メモリ９０に記憶され、１画像ずつコンソール４２へ送信される。
コンソール４２は、受信した画像情報に対してシェーディング補正などの各種の補正すると共に、放射線Ｘが照射される照射範囲の画像をトリミングする画像処理を行ない、画像処理後の画像情報をディスプレイ１００に表示すると共に、動画像データとしてＨＤＤ１１０に記憶する。また、コンソール４２は、操作パネル１０２に対して撮影終了操作が行なわれると、曝射終了を指示する指示情報を放射線発生装置３４及び電子カセッテ３２へ送信する。これにより、放射線源１３０は放射線の照射が停止し、電子カセッテ３２は画像を読み出しを終了する。
ところで、放射線検出器６０は、透視撮影を行う際に特定の一部分のみが放射線Ｘの照射範囲とされて撮影が繰り返し行われた場合、当該一部分のみの劣化が進行する。
そこで、本実施の形態では、透視撮影中に、放射線Ｘの照射範囲が検出領域６１外とならない範囲で電子カセッテ３２の位置を移動させる。
コンソール４２は、操作パネル１０２に対して撮影開始操作が行なわれると、周期的に電子カセッテ３２の位置を移動させる移動処理を行う。
図２０には本実施の形態に係るＣＰＵ１０４により実行される移動処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートが示されている。なお、当該プログラムはＨＤＤ１１０の所定の領域に予め記憶されている。
同図のステップＳ５０では、透視撮影が終了したか否かを判定し、肯定判定となった場合は処理終了し、否定判定となった場合はステップＳ５２へ移行する。
ステップＳ５２では、前回電子カセッテ３２の位置を移動させてから所定の期間（例えば、３０秒）が経過したか否かを判定し、肯定判定となった場合はステップＳ５４へ移行し、否定判定となった場合はステップＳ５０へ移行する。
ステップＳ５４では、モータ１５８Ｄ、１５８Ｇの回転駆動を制御して、電子カセッテ３２の位置を予め定められた順に移動させ、移動終了後、ステップＳ５０へ移行する。この電子カセッテ３２を移動させる順は、放射線検出器６０の検出領域６１内で放射線Ｘが照射される照射領域が分散すればいずれでもよく、例えば、放射線Ｘが照射される照射領域が重ならないように電子カセッテ３２を移動せてもよく、また、照射領域の一部を重複させつつが一定量ずつ電子カセッテ３２を移動せてもよい。図２１には、放射線検出器６０の検出領域６１内で放射線Ｘが照射される照射領域６１Ａの一部を重複させつつ上下に順次移動させる場合が示されている。また、図２８には、放射線検出器６０の検出領域６１内で放射線Ｘが照射される照射領域６１Ａを画素列単位で移動させる場合が示されている。また、図２２には、放射線検出器６０の検出領域６１内で放射線Ｘが照射される照射領域６１Ａが重ならないようなブロック単位で電子カセッテ３２を矩形状に順次移動させる場合が示されている。なお、図２１は、移動後の照射領域を判別しやくするため、破線で示した照射領域を一部ずらしている。透視撮影のフレームレートが低い場合は、照射領域６１Ａを何れの方式で移動させてもよいが、フレームレートが高い場合は、図２０、図２８の方式が好ましい。
以上のように、本実施の形態によれば、透視撮影中に、放射線Ｘの照射範囲が検出領域６１外とならない範囲で電子カセッテ３２の位置を移動させることにより、放射線検出器６０の検出領域６１に放射線Ｘが分散して照射されるようになるため、放射線検出器６０の検出領域６１の特定の一部分で劣化が進行することを抑制できる。
なお、上記第各実施の形態では、電子カセッテを用いて撮影を行う放射線撮影装置に適応した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、放射線検出器６０を内蔵した据置型の放射線撮影装置に適用してもよい。
また、上記第各実施の形態では、検出領域６１を放射線Ｘに対して向き合うように維持したまま電子カセッテ３２を２次元的に移動させる場合にについて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、検出領域６１を放射線Ｘに対して向き合うように維持したまま電子カセッテ３２をさらに回転させるようにしてもよい。この回転によっても検出領域６１内での放射線Ｘが照射される照射領域を移動させることができる。
また、上記第各実施の形態では、電子カセッテ３２を移動させることにより、放射線検出器６０の検出領域６１内での放射線Ｘが照射される照射領域を移動させる場合にについて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、放射線源１３０側を移動、あるいは放射線源１３０を首振り可能な構成としたり、放射線の照射領域を変更可能な絞り装置を設けて放射線源１３０からの放射線の照射方向を変更することにより、放射線検出器６０の検出領域６１内での放射線Ｘが照射される照射領域を移動させてもよい。例えば、臥位撮影台１５０において、図２３に示すように、天板１５２を水平移動可能に構成し、放射線源１３０と天板１５２を同期させて水平移動させ、当該水平移動に合わせて撮影された画像のトリミングする範囲を移動させることにより、撮影部位の透視撮影を行いつつ放射線検出器６０の検出領域６１内での放射線Ｘが照射される照射領域を移動させることができる。
また、上記第１の実施の形態では、照射された放射線量に相関する相関値として撮影回数を用いた場合について説明したがこれに限定されるものではない。例えば、相関値を放射線量そのものとしてもよく、また、放射線の照射時間などとしてもよい。
また、放射線撮影装置が１回ずつ撮影を行う静止画撮影と連続的に撮影を行う透視撮影とを行うものとした場合、静止画撮影を行う場合と透視撮影を行う場合とで放射線発生装置３４から発生させる放射線量を変えたり、放射線検出器６０の各画素部７４の蓄積容量６８に蓄積されている電荷の読み出し動作、信号処理部８２での電荷信号の増幅率などの動作条件を変える場合がある。
図２４には、透視撮影と静止画撮影での放射線量と動作条件の一例が示されている。
静止画撮影では、撮影に必要な時間だけ患者に放射線を照射して撮影が行われるが、透視撮影では、撮影期間中、患者に放射線を連続的に照射して撮影が行われる。このため、透視撮影では、患者の被曝量を極力減らすために、静止画撮影時に比べて単位時間当たりの放射線量を数１０分の１から１００分の１にする。また、透視撮影では、最大で６０／秒から９０フレーム／秒が求められている。この読取りを行うには、静止画撮影に比べて透視撮影には数１０倍の高感度と数１０倍の高速性が求められる。一方、静止画撮影では、診断のための高精細な画像を得るため４桁近いダイナミックレンジが要求されるが、透視撮影では２桁程度のダイナミックレンジでよい。
例えば、フレームレートを３０ＦＰＳとし、静止画撮影時に対する単位時間当たりの放射線量を０．１倍として、１分間の透視撮影が行われたとする。この場合、１回の透視撮影で照射される放射線量は、１回の静止画撮影の放射線量に対して１８０倍（０．１倍×３０ＦＰＳ×６０ＳＥＣ＝１８０倍）になる。一方、１分間の透視撮影での撮影回数は、１８００回（３０ＦＰＳ×６０ＳＥＣ＝１８００回）となる。
ここで、例えば、相関値を撮影回数とし、透視撮影の１フレームを１回とカウントした場合、透視撮影での撮影回数は、同じ撮影回数を静止画撮影で行った場合に照射された放射線量に対して１／１０とあまりにも少なくなり、一連の透視撮影を１回の撮影回数とカウントした場合、１回の静止画撮影で照射された放射線量に対して１８０倍とあまりにも多くなる。
そこで、相関値として撮影回数を用いる場合は、静止画撮影又は透視撮影の一方の撮影での撮影回数でカウントを行うものとし、他方の撮影での撮影回数を一方の撮影での撮影回数に換算してカウントするようにしてもよい。例えば、静止画撮影での撮影回数でカウントするものとした場合、透視撮影の条件（静止画撮影時に対する単位時間当たりの放射線量、フレームレート）及び透視撮影の撮影期間（秒）から、静止画撮影時に対する単位時間当たりの放射線量 × フレームレート × 透視撮影の撮影期間（秒）の演算を行うことにより、静止画撮影での撮影回数に換算できる。また、例えば、透視撮影での撮影回数でカウントするものとした場合、静止画撮影時に対する単位時間当たりの放射線量（０．１倍）から、静止画撮影での撮影回数／０．１の演算を行うことにより、透視撮影での撮影回数に換算できる。
図２５には、静止画撮影での撮影回数でカウントを行うものとした場合の相関情報更新処理プログラムの一例が示されている。なお、上記第１の実施形態（図１５）と同一の部分には同一の符号を付し、説明を省略する。
ステップＳ３０では、透視撮影が行われたか否かを判定し、肯定判定となった場合はステップＳ３２へ移行し、否定判定となった場合はステップＳ４０へ移行する。これにより、静止画撮影が行われた場合はステップＳ４０へ移行する。
ステップＳ３２では、透視撮影での撮影回数を静止画撮影での撮影回数に換算する換算処理を行う。
例えば、フレームレートを３０ＦＰＳとし、静止画撮影時に対する単位時間当たりの放射線量を０．１倍として、１分間の透視撮影が行われた場合、０．１ × ３０ＦＰＳ × ６０秒＝ １８０ となり、静止画撮影で１８０回の撮影回数と換算する。
ステップＳ３４では、ＨＤＤ１１０に記憶された相関情報により示される各区分領域６１Ａの撮影回数のうち、上記撮影領域特定処理プログラムによる処理で撮影領域と特定された区分領域６１Ａの撮影回数に、上記ステップＳ３２で換算された撮影回数を加算し、処理終了をする。
なお、透視撮影条件（静止画撮影時に対する単位時間当たりの放射線量、フレームレート、撮影時間（１フレーム目から終了のｎフレーム目までの時間）など）と静止画撮影の撮影回数との対応関係を対応情報としてＨＤＤ１１０に予め記憶しておき、上記ステップＳ３２において、ＨＤＤ１１０に予め記憶した対応情報に基づいて撮影が行われた透視撮影に対応する静止画撮影での撮影回数を求めることにより換算してもよい。
また、相関値として照射時間を用いる場合も、静止画撮影又は透視撮影の一方の撮影での照射時間を累計するものとし、他方の撮影での照射時間を一方の撮影での照射時間に換算して累計してもよい。例えば、静止画撮影での照射時間で累計するものとした場合、透視撮影の条件（静止画撮影時に対する単位時間当たりの放射線量）及び透視撮影の撮影期間（秒）から、静止画撮影時に対する単位時間当たりの放射線量 × 透視撮影の撮影期間（秒）の演算を行うことにより、静止画撮影での照射時間に換算できる。また、例えば、透視撮影での照射時間で累計するものとした場合、静止画撮影時に対する単位時間当たりの放射線量（０．１倍）から、静止画撮影での照射時間／０．１の演算を行うことにより、透視撮影での照射時間に換算できる。
なお、透視撮影では、各フレームの撮影タイミングに同期させて放射線発生装置３４から放射線を発生させ、電子カセッテ３２に対してパルス状に放射線を照射させる場合がある。このような場合において、相関値として、照射時間及び放射線量を用いる場合は、透視撮影時の各フレーム間の期間は、照射時間として考慮しないことが好ましい。
また、ＣｓＩは、照射される放射線量が多くなるに従い感度が低下する。従って、放射線検出器６０を間接変換方式とし、シンチレータ２０４をＣｓＩの柱状結晶とする場合、検出領域６１を予め定められた複数の領域に区分した区分領域６１Ａ毎に累積の放射線量を算出し、累積の放射線量が許容値になった場合、撮影領域を変えることで部分的な感度の低下を防止できる。特に、動画撮影では、1フレームの照射量は少ないが撮影枚数が多く、トータルでの放射線量は多くなる。このため、動画撮影においては、撮影領域を変えることが、感度を維持するためにも好ましい。
また、放射線量に相関する相関値は、撮影日時別に記憶してもよく、また、例えば、日別など予め定められた期間毎に累積して記憶するものとしてもよい。また、相関値と共に照射された放射線の強度（エネルギー）に関する情報も記憶するものとしてもよい。
ＣｓＩは、高強度（高エネルギー）の放射線が照射されると一時的な感度変化（所謂ディープトラップ）が発生する。具体的には、図３０に示すように、１回の撮影で照射された放射線量に対する発光量が直線Ａから直線Ｂにように傾きが変化し、感度が向上する。この感度直線の傾きの変化量△は、図３１に示すように、数日程度かけて経時的に減少する。また、感度直線の傾きの変化量△が減少する回復度合は、ＣｓＩの温度によっても異なり、ＣｓＩの温度が高いほど変化量△が減少が早い。通常の動作温度、保管温度（例えば、２５℃）での回復度係数を１とした場合、例えば、１０℃以下では回復度係数は０．５となり、４０℃以上では回復度係数２となる。
このため、電子カセッテ３２は、感度変化が発生する所定強度以上の放射線が放射線検出器６０の検出領域６１の特定の一部分に照射された後に、感度変化した特定の一部分を含む撮影領域と用いて撮影を行った場合、特定の一部分の感度が変化しているため、撮影された放射線画像で感度ムラによる残像（所謂ゴースト）が発生する。
そこで、各区分領域６１Ａ毎に、照射された放射線の強度及び照射時期に関する照射情報をＨＤＤ１１０にさらに記憶するようにし、当該照射情報に基づき、一時的な感度変化が発生する強度の放射線が照射されてから当該感度変化の回復に必要な回復期間を経過していない区分領域が撮影領域外となるように又は当該区分領域が撮影部位の関心部位と重ならないように撮影領域の特定を行ようにしてもよい。例えば、各区分領域６１Ａ毎に、日別など予め定められた期間毎に感度変化が発生する所定強度以上の放射線が照射されたか否かを照射情報として記憶するようにし、放射線画像を撮影する際に、一時的な感度変化の回復に必要な所定の回復期間（例えば、２日）を経過していない区分領域６１Ａを除いて撮影領域を特定したり、あるいは回復期間を経過していない区分領域６１Ａが撮影部位のうち関心の高い関心部位と重ならないように撮影領域を特定するようにしてもよい。これにより、ＣｓＩの一時的な感度変化による残像の発生を抑制でき、撮影性能を維持できる。
関心部位の位置に関する情報は、撮影部位毎に予め記憶しておいてもよく、また、撮影者が操作パネル１０２から入力するものとしてもよく、ネットワークを介して他のサーバーコンピュータから受信するものとしてもよい。また、感度変化が発生する放射線の強度のしきい値を複数定め、照射された放射線の強度を各しきい値と比較することにより、照射された放射線の強度を複数のレベルにレベル分けし、各レベルに応じた回復期間を定めてもよい。
また、上述のようにＣｓＩの感度変化の回復期間は、温度によっても変化する。
そこで、放射線検出器６０の端部などに温度センサを配置し、温度センサで放射線検出器６０の温度を随時検出して検出日時と共に記憶しておき、放射線画像を撮影する際に、所定強度以上の放射線が照射された以降の放射線検出器６０の温度状態（平均温度や、最高温度、最低温度、累積温度）から回復期間を変更してもよい。例えば、所定強度以上の放射線が照射された以降の放射線検出器６０の平均温度が２５℃の場合に比べて、平均温度が１０℃の場合、回復期間を２倍に変更したり、平均温度が４０℃の場合、回復期間を１／２倍に変更してもよい。
また、上記第２の実施の形態では、放射線Ｘの照射範囲が検出領域６１外とならない範囲で電子カセッテ３２の予め定められた順に移動させる場合について説明したがこれに限定されるものではない。例えば、第１の実施の形態と同様に、区分領域６１Ａ毎に放射線量に相関する相関値を記憶し、相関値が最大の区分領域６１Ａを放射線Ｘの照射範囲となることを避ける移動順序を求めて当該移動順序の順に移動させるようにしてもよい。
また、上記第２の実施の形態では、透視撮影中に電子カセッテ３２を移動させる場合について説明したがこれに限定されるものではない。例えば、複数回の透視撮影において放射線検出器６０の検出領域６１に放射線が分散して照射されるように透視撮影の開始時に電子カセッテ３２を予め移動させておき、透視撮影中は電子カセッテ３２を移動させないようにしてもよい。
また、透視撮影中に静止画撮影を行う場合、透視撮影から静止画撮影及び静止画撮影から透視撮影の少なくとも一方の切り替えタイミングで電子カセッテ３２を移動させて照射領域を検出領域内で移動させるようにしてもよい。
また、上記各実施の形態では、撮影台内に電子カセッテ３２を移動させる移動機構を設けた場合について説明したがこれに限定されるものではない。例えば、図２６に示すように、撮影台の電子カセッテ３２を収納する収納部１７０を電子カセッテ３２よりも大きく形成すると共に、収納部１７０内に複数の仕切部材１７２Ａ〜１７２Ｄを設ける。仕切部材１７２Ａ〜１７２Ｄは、それぞれ例えば、ソレノイドなどを用いて収納部１７０内に個別に突出、非突出を切替可能に構成し、図２７（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、収納部１７０内に突出させる仕切部材１７２Ａ〜１７２Ｄの組み合わせを変えることにより収納部１７０内ので電子カセッテ３２が収納される位置を変えるようにしてもよい。なお、図２７（Ａ）〜（Ｃ）では、収納部１７０内に突出した仕切部材１７２Ａ〜１７２Ｄを実線で示し、未突出の仕切部材１７２Ａ〜１７２Ｄを破線で示している。
また、上記第１の実施の形態では、複数の撮影部位に対応するためサイズ情報を記憶する場合について説明したがこれに限定されるものではない。例えば、撮影に必要な領域のサイズが予め定っている場合は、撮影部位毎のサイズ情報を記憶する必要はない。
また、上記第２の実施の形態において、サイズ情報をＨＤＤ１１０記憶するようにし、透視撮影行う際にコンソール４２に対して撮影部位を指定させ、サイズ情報から、指定された撮影部位に対応する区分領域６１Ａのサイズから放射線の照射範囲を定めるようにしてもよい。
また、上記第１及び第２の実施の形態においてサイズ情報を記憶する場合、撮影に必要な領域のサイズに合わせて可動絞り装置１３１を制御するようにしてもよい。
また、上記第１の実施の形態では、撮影部位を撮影可能なサイズが得られる区分領域６１Ａの組合わせ毎に撮影回数を合計し、合計値の最も小さい区分領域６１Ａの組合わせを撮影領域と特定する場合について説明したがこれに限定されるものではない。例えば、撮影部位を撮影可能なサイズが得られる区分領域６１Ａの組合わせ毎に各区分領域６１Ａの撮影回数の最大値を求め、最大値の最も小さい区分領域６１Ａの組合わせを撮影領域と特定してもよい。
また、上記第１の実施の形態では、検出領域６１を３×３の９個の区分領域６１Ａに区分した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、より細かく５×４に区分してもよく、また、各画素部７４に対応する領域をそれぞれ区分領域としてもよい。
また、上記第１の実施の形態では、撮影に必要な領域のサイズ毎に、当該サイズが得られる区分領域６１Ａの識別番号の組み合わせを区分領域組合情報として予め記憶した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、撮影に必要な領域のサイズが得られる区分領域６１Ａの識別番号の組み合わせを演算で求めてもよい。
また、上記第２の実施の形態では、前回電子カセッテ３２の位置を移動させてから所定の期間経過する毎に電子カセッテ３２の位置を移動させる場合について説明したがこれに限定されるものではない。例えば、透視撮影中は電子カセッテ３２の位置を連続的に移動させるようにしてもよい。また、所定回撮影を行う毎や放射線が予め定められた照射量照射される毎に電子カセッテ３２の位置を移動させるようにしてもよい。
また、上記第１の実施の形態においても、所定回撮影を行う毎や所定期間（例えば、１日）毎に、撮影部４６内での電子カセッテ３２の位置を変えるようにしてもよい。
また、各実施の形態に係る電子カセッテ３２では、放射線検出器６０がＴＦＴ基板６６側から放射線Ｘが照射されるように内蔵してもよい。
ここで、放射線検出器６０は、図２９に示すように、シンチレータ２０４が形成された側から放射線が照射されて、当該放射線の入射面の裏面側に設けられたＴＦＴ基板６６により放射線画像を読み取る、いわゆる裏面読取方式（所謂ＰＳＳ（Penetration Side Sampling）方式）とされた場合、シンチレータ２０４の同図上面側（ＴＦＴ基板６６の反対側）でより強く発光し、ＴＦＴ基板６６側から放射線が照射されて、当該放射線の入射面の表面側に設けられたＴＦＴ基板６６により放射線画像を読み取る、いわゆる表面読取方式（所謂ＩＳＳ（Irradiation Side Sampling）方式）とされた場合、ＴＦＴ基板６６を透過した放射線がシンチレータ２０４に入射してシンチレータ２０４のＴＦＴ基板６６側がより強く発光する。ＴＦＴ基板６６に設けられた各センサ部７２には、シンチレータ２０４で発生した光により電荷が発生する。このため、放射線検出器６０は、表面読取方式とされた場合の方が裏面読取方式とされた場合よりもＴＦＴ基板６６に対するシンチレータ２０４の発光位置が近いため、撮影によって得られる放射線画像の分解能が高い。
また、放射線検出器６０は、光電変換膜２１４を有機光電変換材料により構成しており、光電変換膜２１４で放射線がほとんど吸収されない。このため、本実施の形態に係る放射線検出器６０は、表面読取方式により放射線がＴＦＴ基板６６を透過する場合でも光電変換膜２１４による放射線の吸収量を少ないため、放射線Ｘに対する感度の低下を抑えることができる。表面読取方式では、放射線がＴＦＴ基板６６を透過してシンチレータ２０４に到達するが、このように、ＴＦＴ基板６６の光電変換膜２１４を有機光電変換材料により構成した場合、光電変換膜２１４での放射線の吸収が殆どなく放射線の減衰を少なく抑えることができるため、表面読取方式に適している。
また、ＴＦＴ７０の活性層２２４を構成する非晶質酸化物や光電変換膜２１４を構成する有機光電変換材料は、いずれも低温での成膜が可能である。このため、基板２００を放射線の吸収が少ないプラスチック樹脂、アラミド、バイオナノファイバで形成することができる。このように形成された基板２００は放射線の吸収量を少ないため、表面読取方式により放射線がＴＦＴ基板６６を透過する場合でも、放射線Ｘに対する感度の低下を抑えることができる。
また、例えば、放射線検出器６０をＴＦＴ基板６６が照射面５６側となるように筐体５４内の照射面５６部分に貼り付けるものとし、基板２００を剛性の高いプラスチック樹脂やアラミド、バイオナノファイバで形成した場合、放射線検出器６０自体の剛性が高くいため、筐体５４の照射面５６部分を薄く形成することができる。また、基板２００を剛性の高いプラスチック樹脂やアラミド、バイオナノファイバで形成した場合、放射線検出器６０自体が可撓性を有するため、照射面５６に衝撃が加わった場合でも放射線検出器６０が破損しづらい。
その他、上記各実施の形態で説明したＲＩＳ１０の構成（図１参照。）、放射線撮影室４４の構成（図２、図１６参照。）、撮影台の構成（図３、図５、図１７、図１８、図２３、図２６、図２７参照）、電子カセッテ３２の構成（図４参照。）、可動絞り装置１３１の構成（図７参照。）、撮影システム１８の構成（図６、図１９参照。）は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において、不要な部分を削除したり、新たな部分を追加したり、接続状態を変更したりすることができることは言うまでもない。
また、上記実施の形態で説明した相関情報、サイズ情報、及び区分領域組合情報の構成（図１１〜図１３参照。）も一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において、不要な情報を削除したり、新たな情報を追加したり、情報を変更したりすることができることは言うまでもない。
また、上記実施の形態で説明した撮影領域特定処理プログラム、相関情報更新処理プログラム及び移動処理プログラムの処理の流れ（図１４、図１５、図２０、図２５参照。）も一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において、不要なステップを削除したり、新たなステップを追加したり、処理順序を入れ換えたりすることができることは言うまでもない。
３２ 電子カセッテ
３４ 放射線発生装置
４２ コンソール
４５ 立位撮影台
４７ 垂直移動機構（照射領域変更手段）
４９ 水平移動機構（照射領域変更手段）
５２ 支持移動機構（照射領域変更手段）
６０ 放射線検出器
６１ 検出領域
６１Ａ 区分領域
９２ カセッテ制御部
１０４ ＣＰＵ（特定手段、制御手段）
１１０ ＨＤＤ（記憶手段）
１３０ 放射線源
１３１ 可動絞り装置（照射領域変更手段）
１５０ 臥位撮影台
１５８ 幅方向移動機構（照射領域変更手段）
１５９ 長さ方向移動機構（照射領域変更手段）
１７０ 収納部
３４ 放射線発生装置
４２ コンソール
４５ 立位撮影台
４７ 垂直移動機構（照射領域変更手段）
４９ 水平移動機構（照射領域変更手段）
５２ 支持移動機構（照射領域変更手段）
６０ 放射線検出器
６１ 検出領域
６１Ａ 区分領域
９２ カセッテ制御部
１０４ ＣＰＵ（特定手段、制御手段）
１１０ ＨＤＤ（記憶手段）
１３０ 放射線源
１３１ 可動絞り装置（照射領域変更手段）
１５０ 臥位撮影台
１５８ 幅方向移動機構（照射領域変更手段）
１５９ 長さ方向移動機構（照射領域変更手段）
１７０ 収納部
Claims (13)
- 放射線を検出する検出領域に照射された放射線により表わされる放射線画像を示す電気信号を出力する放射線検出器と、
前記放射線検出器に対して放射線を照射する放射線源と、
前記放射線源からの放射線が前記検出領域に照射される照射領域を変更する照射領域変更手段と、
前記検出領域内での前記照射領域の位置を変えて当該検出領域に放射線が分散して照射されるように前記照射領域変更手段を制御する制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、連続的に撮影を行う透視撮影を行う場合、当該透視撮影中、所定回撮影を行う毎又は放射線が予め定められた照射量照射される毎に前記照射領域が前記検出領域内で移動するように前記照射領域変更手段を制御し、１回ずつ撮影を行う静止画撮影を行う場合、静止画撮影に同期させて前記照射領域が前記検出領域内で移動するように前記照射領域変更手段を制御し、透視撮影中に静止画撮影を行う場合、透視撮影から静止画撮影及び静止画撮影から透視撮影の少なくとも一方の切り替えタイミングで前記照射領域が前記検出領域内で移動するように前記照射領域変更手段を制御する
放射線撮影装置。 - 前記照射領域変更手段は、前記検出領域を放射線に対して向き合うように維持したままでの前記放射線検出器の移動及び回転、前記放射線源の移動、前記放射線源からの放射線の照射方向の変更の少なくとも１つを行うことにより、前記検出領域での前記照射領域を変更する
請求項１記載の放射線撮影装置。 - 前記制御手段は、前記透視撮影中、前記照射領域が画素列単位で前記検出領域内で移動するように前記照射領域変更手段を制御する
請求項１又は請求項２記載の放射線撮影装置。 - 前記検出領域を予め定められた複数の領域に区分した区分領域毎に、照射された放射線量に相関する相関値を相関情報として記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶された前記相関情報に基づいて、前記検出領域内で各区分領域に照射された放射線量のばらつきを抑えつつ予め定められたサイズの放射線画像の撮影が可能な撮影領域を特定する特定手段と、をさらに備え、
前記制御手段は、前記特定手段により特定された撮影領域が前記照射領域となるように前記照射領域変更手段を制御する
請求項１〜請求項３の何れか１項記載の放射線撮影装置。 - 放射線を検出する検出領域に照射された放射線により表わされる放射線画像を示す電気信号を出力する放射線検出器と、
前記放射線検出器に対して放射線を照射する放射線源と、
前記放射線源からの放射線が前記検出領域に照射される照射領域を変更する照射領域変更手段と、
前記検出領域を予め定められた複数の領域に区分した区分領域毎に、照射された放射線量に相関する相関値を相関情報として記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶された前記相関情報に基づいて、前記検出領域内で各区分領域に照射された放射線量のばらつきを抑えつつ予め定められたサイズの放射線画像の撮影が可能な撮影領域を特定する特定手段と、
前記検出領域内での前記照射領域の位置を変えて当該検出領域に放射線が分散して照射され、かつ前記特定手段により特定された撮影領域が前記照射領域となるように前記照射領域変更手段を制御する制御手段と、
を備えた放射線撮影装置。 - 前記記憶手段は、放射線画像の撮影が行われる被検体の撮影部位毎に、当該撮影部位の放射線画像の撮影に必要な領域のサイズを示すサイズ情報をさらに記憶し、
撮影対象とする撮影部位を示す撮影部位情報を取得する取得手段をさらに備え、
前記特定手段は、前記記憶手段に記憶された前記サイズ情報に基づいて、前記取得手段により取得された撮影部位情報により示される撮影部位の撮影に必要な領域のサイズを求め、前記相関情報に基づいて、前記検出領域内で各区分領域に照射された放射線量のばらつきを抑えつつ当該サイズの放射線画像の撮影が可能な撮影領域を特定する
請求項４又は請求項５記載の放射線撮影装置。 - 前記特定手段は、前記相関情報に基づいて、前記検出領域内で撮影部位の撮影に必要な領域のサイズとなる範囲毎に当該範囲内の各区分領域の相関値の合計値を求め、合計値の最も小さい範囲を前記撮影領域として特定する
請求項４〜請求項６の何れか１項記載の放射線撮影装置。 - 前記特定手段は、前記相関情報に基づいて、前記検出領域内で撮影部位の撮影に必要な領域のサイズとなる範囲毎に当該範囲内の各区分領域の相関値の最大値を求め、最大値の最も小さい範囲を前記撮影領域として特定する
請求項４〜請求項６の何れか１項記載の放射線撮影装置。 - 前記相関値を、１回ずつ撮影を行う静止画撮影又は連続的に撮影を行う透視撮影の何れか一方の撮影での撮影回数又は放射線の照射時間とし、
静止画撮影又は透視撮影の他方の撮影での相関値を一方の撮影での相関値に換算する換算手段をさらに備えた
請求項４〜請求項８の何れか１項記載の放射線撮影装置。 - 前記放射線検出器は、放射線を光に変換するシンチレータで放射線を光に変換し、当該光により表わされる放射線画像を示す電気信号を出力するものとし、
前記シンチレータは、蛍光体材料の柱状結晶を含んで構成された
請求項４〜請求項９の何れか１項記載の放射線撮影装置。 - 前記蛍光体材料を、ＣｓＩとした
請求項１０記載の放射線撮影装置。 - 前記記憶手段は、前記区分領域毎に、照射された放射線の強度及び照射時期に関する照射情報をさらに記憶し、
前記特定手段は、前記照射情報に基づき、一時的な感度変化が発生する強度の放射線が照射されてから当該感度変化の回復に必要な回復期間を経過していない区分領域が撮影領域外となるように、又は当該区分領域が撮影部位の関心部位と重ならないように撮影領域の特定を行う
請求項１１記載の放射線撮影装置。 - 前記放射線検出器の温度を検出する温度検出手段をさらに備え、
前記特定手段は、前記温度検出手段により検出される放射線検出器の温度が高いほど回復期間を短く変更する
請求項１２記載の放射線撮影装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010236811A JP5615664B2 (ja) | 2010-01-05 | 2010-10-21 | 放射線撮影装置 |
| US12/941,093 US8550709B2 (en) | 2009-11-09 | 2010-11-08 | Imaging area specifying apparatus, radiographic system, imaging area specifying method, radiographic apparatus, and imaging table |
| CN201010539796.XA CN102058414B (zh) | 2009-11-09 | 2010-11-09 | 成像区域指定装置和方法、射线照相系统和装置、成像台 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010000679 | 2010-01-05 | ||
| JP2010000679 | 2010-01-05 | ||
| JP2010236811A JP5615664B2 (ja) | 2010-01-05 | 2010-10-21 | 放射線撮影装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011156346A JP2011156346A (ja) | 2011-08-18 |
| JP5615664B2 true JP5615664B2 (ja) | 2014-10-29 |
Family
ID=44588849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010236811A Expired - Fee Related JP5615664B2 (ja) | 2009-11-09 | 2010-10-21 | 放射線撮影装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5615664B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8956045B2 (en) * | 2011-09-30 | 2015-02-17 | Fujifilm Corporation | Radiation imaging apparatus |
| JP2016179097A (ja) * | 2015-03-24 | 2016-10-13 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像システム及び放射線撮影システム |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000134539A (ja) * | 1998-10-22 | 2000-05-12 | Konica Corp | 放射線画像処理装置および放射線画像生成方法 |
| JP2001292992A (ja) * | 2000-04-14 | 2001-10-23 | Canon Inc | 放射線撮影装置 |
| JP2003060181A (ja) * | 2001-08-16 | 2003-02-28 | Konica Corp | 放射線画像検出器 |
| JP2007170908A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Shimadzu Corp | 放射線検出器およびそれを用いた撮像装置 |
| JP2009028373A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Fujifilm Corp | 放射線画像撮影システム |
| JP2009183334A (ja) * | 2008-02-04 | 2009-08-20 | Hitachi Medical Corp | Ｘ線透視撮影装置 |
| JP5489951B2 (ja) * | 2009-11-09 | 2014-05-14 | 富士フイルム株式会社 | 撮影領域特定装置、放射線画像撮影システム、及び撮影領域特定方法 |
-
2010
- 2010-10-21 JP JP2010236811A patent/JP5615664B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2011156346A (ja) | 2011-08-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8550709B2 (en) | Imaging area specifying apparatus, radiographic system, imaging area specifying method, radiographic apparatus, and imaging table | |
| JP5620249B2 (ja) | 放射線画像撮影システム | |
| JP5840588B2 (ja) | 放射線画像撮影装置、補正用データ取得方法およびプログラム | |
| JP5666716B2 (ja) | 放射線動画処理装置、放射線動画撮影装置、放射線動画撮影システム、放射線動画処理方法、放射線動画処理プログラム、及び記憶媒体 | |
| JP5595876B2 (ja) | 放射線撮影装置、及び放射線撮影システム | |
| US9833214B2 (en) | Radiographic image capturing device, method for detecting radiation doses, and computer readable storage medium | |
| JP5455857B2 (ja) | 放射線画像撮影装置、放射線画像撮影方法、及び放射線画像撮影プログラム | |
| JP5797630B2 (ja) | 放射線画像撮影装置、画素値取得方法およびプログラム | |
| JP5436483B2 (ja) | 放射線画像撮影システムおよびプログラム | |
| WO2012014612A1 (ja) | 放射線撮影装置及び放射線撮影システム | |
| JP2012125409A (ja) | 放射線撮影装置 | |
| JPWO2013015016A1 (ja) | 放射線撮影装置 | |
| WO2013015267A1 (ja) | 放射線撮影装置 | |
| JP2011212427A (ja) | 放射線画像撮影システム | |
| JP5489951B2 (ja) | 撮影領域特定装置、放射線画像撮影システム、及び撮影領域特定方法 | |
| JP5615664B2 (ja) | 放射線撮影装置 | |
| JP5634894B2 (ja) | 放射線画像撮影装置およびプログラム | |
| JP2012040053A (ja) | 放射線撮影装置及び放射線撮影システム | |
| WO2013015062A1 (ja) | 放射線撮影装置 | |
| JP2013180050A (ja) | 放射線画像撮影制御装置、放射線画像撮影システム、放射線画像撮影装置の制御方法、及び放射線画像撮影制御プログラム | |
| WO2012056950A1 (ja) | 放射線検出器および放射線画像撮影装置 | |
| WO2013062052A1 (ja) | 放射線画像表示システム、放射線画像表示装置、放射線画像撮影装置、プログラム、放射線画像表示方法、及び記憶媒体 | |
| JP2012026884A (ja) | 放射線撮影装置、及び放射線撮影システム | |
| JP5616238B2 (ja) | 放射線画像撮影装置 | |
| JP2011194214A (ja) | 放射線画像撮影装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130522 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140124 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140128 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140328 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140819 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140910 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5615664 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |