JP5611121B2 - 画像形成装置 - Google Patents

Description

本発明は、画像形成装置に関するものである。

電子写真方式の画像形成装置は、ビームを主走査方向に走査して１ライン分のドットを感光体ドラム上に形成する。このとき、各画素の濃度に応じて、各画素に対応する期間におけるビームの点灯期間が決定される。

注目画素が中間濃度を有する場合、注目画素の両側の隣接画素のうち、濃度が高い画素の方向へ注目画素のドットが寄るように、注目画素のビーム点灯期間を移動させている。この処理は、エッジを強調し輪郭のはっきりした画像を形成するために行われている。

特開２００４−２４７９２９号公報

しかしながら、上述の処理では、濃度が高い画素のドットが注目画素の方向に寄っていない場合には、孤立ドットが生じてしまうため、エッジの強調効果が低くなってしまう。例えば図８に示すように、注目画素の左側（主走査方向における後側）に隣接する画素（以下、左画素という）の濃度Ｌが１０であり、注目画素の右側（主走査方向における前側）に隣接する画素（以下、右画素という）の濃度Ｒが７である場合、注目画素のドットは、注目画素の領域内において、左画素へ寄せて形成されるが、左画素のドットが、注目画素へ寄っていないため、注目画素のドットが孤立ドットになってしまう。

本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、孤立ドットの発生を抑制し、良好なエッジ強調効果を実現する画像形成装置を得ることを目的とする。

上記の課題を解決するために、本発明では以下のようにした。

本発明に係る画像形成装置は、主走査方向において注目画素の両側の隣接画素のうち、濃度が高い隣接画素の濃度を注目画素の濃度に応じて増加させ、その濃度が高い隣接画素の濃度増加分に応じて注目画素の濃度を減少させるコントローラーと、コントローラーにより指定された濃度で各画素のドットを形成する画像形成部とを備える。そして、コントローラーは、濃度が高い隣接画素の濃度を最大濃度とし、濃度が高い隣接画素に寄せて注目画素のドットを画像形成部に形成させる。

これにより、孤立ドットとなり得る注目画素のドットが隣接画素のドットに吸収されるため、孤立ドットの発生が抑制され、良好なエッジ強調効果が実現される。

また、本発明に係る画像形成装置は、上記の画像形成装置に加え、次のようにしてもよい。この場合、コントローラーは、濃度が高い隣接画素の濃度増加分だけ注目画素の濃度を減少させる。

また、本発明に係る画像形成装置は、上記の画像形成装置のいずれかに加え、次のようにしてもよい。この場合、コントローラーは、濃度が高い隣接画素の濃度と注目画素の濃度との和が最大濃度より大きい場合には、濃度が高い隣接画素の濃度を最大濃度とし、濃度が高い隣接画素に寄せて注目画素のドットを画像形成部に形成させ、濃度が高い隣接画素の濃度と注目画素の濃度との和が最大濃度以下である場合には、注目画素のドットを画像形成部に形成させない。

本発明に係る画像形成装置は、主走査方向において注目画素の両側の隣接画素のうち、濃度が高い隣接画素の濃度を増加させて注目画素のドットに連続させるコントローラーと、コントローラーにより指定された濃度で各画素のドットを形成する画像形成部とを備える。そして、コントローラーは、濃度が高い隣接画素の濃度を最大濃度とし、濃度が高い隣接画素に寄せて注目画素のドットを画像形成部に形成させる。

これにより、孤立ドットとなり得る注目画素に隣接する画素のドット幅が増加されて注目画素のドットに連続するため、孤立ドットの発生が抑制され、良好なエッジ強調効果が実現される。

また、本発明に係る画像形成装置は、上記の画像形成装置に加え、次のようにしてもよい。この場合、コントローラーは、最大濃度と濃度が高い隣接画素の濃度との差が所定の閾値未満である場合に、濃度が高い隣接画素の濃度を最大濃度とする。

また、本発明に係る画像形成装置は、上記の画像形成装置のいずれかに加え、次のようにしてもよい。この場合、画像形成部は、各画素についてコントローラーにより指定された濃度に対応する期間だけ光を出射する光源と、光源からの光を主走査方向に走査する走査部と、走査部からの光で静電潜像を形成する感光体と、静電潜像をトナー現像する現像ユニットとを有する。

本発明によれば、画像形成装置において、孤立ドットの発生を抑制し、良好なエッジ強調効果を実現することができる。

図１は、本発明の実施の形態に係る画像形成装置の機械的な内部構成の一部を示す側面図である。 図２は、図１における露光装置の構成例を示す図である。 図３は、実施の形態１におけるコントローラーの動作を説明するフローチャートである。 図４は、実施の形態１における孤立ドット回避処理について説明するフローチャートである。 図５は、実施の形態１における孤立ドット回避処理の例を示す図である。 図６は、実施の形態２における孤立ドット回避処理について説明するフローチャートである。 図７は、実施の形態２における孤立ドット回避処理の例を示す図である。 図８は、孤立ドットの一例を示す図である。

以下、図に基づいて本発明の実施の形態を説明する。

実施の形態１．

図１は、本発明の実施の形態に係る画像形成装置の機械的な内部構成の一部を示す側面図である。画像形成装置は、プリンター、ファクシミリ装置、複写機、複合機などといった、電子写真方式の印刷機能を有する装置である。

この実施の形態の画像形成装置は、タンデム方式のカラー現像装置を有する。このカラー現像装置は、感光体ドラム１ａ〜１ｄ、露光装置２ａ〜２ｄおよび現像ユニット３ａ〜３ｄを有する。感光体ドラム１ａ〜１ｄは、シアン、マゼンタ、イエローおよびブラックの４色の感光体である。露光装置２ａ〜２ｄは、感光体ドラム１ａ〜１ｄへレーザー光を照射して静電潜像を形成する装置である。露光装置２ａ〜２ｄは、レーザー光の光源であるレーザーダイオード、そのレーザー光を感光体ドラム１ａ〜１ｄへ導く光学素子（レンズ、ミラー、ポリゴンミラーなど）を有する。

さらに、感光体ドラム１ａ〜１ｄの周囲には、スコロトロン等の帯電器、クリーニング装置、除電器などが配置されている。クリーニング装置は、１次転写後に、感光体ドラム１ａ〜１ｄ上の残留トナーを除去し、除電器は、１次転写後に、感光体ドラム１ａ〜１ｄを除電する。

現像ユニット３ａ〜３ｄには、シアン、マゼンタ、イエローおよびブラックの４色のトナーが充填されているトナーカートリッジがそれぞれ装着され、トナーカートリッジからトナーが供給され、キャリアとともに現像剤を構成する。現像ユニット３ａ〜３ｄは、そのトナーを感光体ドラム１ａ〜１ｄ上の静電潜像に付着させてトナー画像を形成する。

感光体ドラム１ａ、露光装置２ａ、および現像ユニット３ａにより、マゼンタの現像が行われ、感光体ドラム１ｂ、露光装置２ｂ、および現像ユニット３ｂにより、シアンの現像が行われ、感光体ドラム１ｃ、露光装置２ｃ、および現像ユニット３ｃにより、イエローの現像が行われ、感光体ドラム１ｄ、露光装置２ｄ、および現像ユニット３ｄにより、ブラックの現像が行われる。

中間転写ベルト４は、感光体ドラム１ａ〜１ｄに接触し、感光体ドラム１ａ〜１ｄ上のトナー画像を１次転写される環状の像担持体である。中間転写ベルト４は、駆動ローラー５に張架され、駆動ローラー５からの駆動力によって、感光体ドラム１ｄとの接触位置から感光体ドラム１ａとの接触位置への方向へ周回していく。

転写ローラー６は、搬送されてくる用紙を中間転写ベルト４に接触させ、中間転写ベルト４上のトナー画像を用紙に２次転写する。なお、トナー画像を転写された用紙は、定着器９へ搬送され、トナー画像が用紙へ定着される。

ローラー７は、クリーニングブラシを有し、クリーニングブラシを中間転写ベルト４に接触させ、用紙へのトナー画像の転写後に中間転写ベルト４に残ったトナーを除去する。

センサー８は、トナー濃度調整に使用されるセンサーであって、中間転写ベルト４に光線を照射し、その反射光を検出する。トナー濃度調整の際、センサー８は、中間転写ベルト４の所定の領域に光線を照射し光線の反射光（測定光）を検出し、その光量に応じた電気信号を出力する。

図２は、図１における露光装置２ａ〜２ｄの構成例を示す図である。なお、図２に示す露光装置は、感光体ドラム１ａ用の露光装置２ａであり、感光体ドラム１ｂ〜１ｄ用の露光装置２ｂ〜２ｄも同様の構成を有する。

図２において、レーザーダイオード２１は、レーザー光を出射する光源である。光学系２２は、レーザーダイオード２１からポリゴンミラー２３までの間、および／またはポリゴンミラー２３から感光体ドラム１ａおよびＰＤセンサー２４までの間に配置された各種レンズ群である。光学系２２には、ｆθレンズなどが使用される。

また、ポリゴンミラー２３は、感光体ドラム１ａの軸に対して垂直な軸を有し、その軸に垂直な断面が多角形であり、その側面がミラーとなっている素子である。ポリゴンミラー２３は、その軸を中心に回転し、レーザーダイオード２１から出射した光を感光体ドラム１ａの軸方向（主走査方向）に沿って走査する。

また、ＰＤセンサー２４は、主走査同期信号を生成するためにポリゴンミラー２３により走査された光を受光するセンサーである。ＰＤセンサー２４は、光が入射すると、光量に応じた出力電圧を誘起する。ＰＤセンサー２４は、光が走査される線上の所定の位置に配置され、光のスポットがその位置を通過するタイミングを検出する。

また、ドライバー回路３１は、レーザーダイオード２１を駆動する回路である。ドライバー回路３１は、画像形成のための駆動信号に基づき、レーザーダイオード２１を制御してレーザー光を出射させる。

また、検出回路３２は、ＰＤセンサー２４の出力波形において、ＰＤセンサー２４上を光が走査されることにより形成されるパルスを電気的に検出する回路である。

また、コントローラー３３は、画像処理部３４から供給される画像データに基づいてドライバー回路３１に駆動信号を出力し、画像データに基づく静電潜像を感光体ドラム１ａ上に形成させる。この画像データでは、各画素の濃度が指定されている。この実施の形態１では、濃度は０から１５までの１６段階のいずれかの値で指定される。コントローラー３３は、主走査方向における各画素についてのレーザーダイオード２１の点灯期間を、この駆動信号で制御する。そして、レーザーダイオード２１、光学系２２、ポリゴンミラー２３、感光体ドラム１ａおよび現像ユニット３ａにより、コントローラー３３により指定された濃度で各画素のドットが形成される。

この実施の形態１では、コントローラー３３は、注目画素についてのレーザーダイオード２１の点灯期間を移動させることで、注目画素の両側の隣接画素のうち、濃度が高い隣接画素の方向へ寄せて注目画素のドットを形成させる。

また、この実施の形態１では、コントローラー３３は、主走査方向において注目画素の両側の隣接画素のうち、濃度が高い隣接画素の濃度を注目画素の濃度に応じて増加させ、その濃度が高い隣接画素の濃度増加分に応じて注目画素の濃度を減少させる。

特に、実施の形態１では、コントローラー３３は、上述の濃度が高い隣接画素の濃度増加分だけ注目画素の濃度を減少させる。また、実施の形態１では、コントローラー３３は、濃度が高い隣接画素の濃度と注目画素の濃度との和が最大濃度より大きい場合には、注目画素のドットを形成させ、濃度が高い隣接画素の濃度と注目画素の濃度との和が最大濃度以下である場合には、注目画素の濃度がゼロとし、注目画素のドットを形成させない。

また、画像処理部３４は、ラスタライズなどにより生成されたビットマップ画像データに対してスクリーン処理などを実行し、処理後の画像データをコントローラー３３に供給する。

次に、実施の形態１に係る画像形成装置の動作について説明する。

コントローラー３３は、画像データに基づいて、ＰＤセンサー２４および検出回路３２により検出されるパルスのタイミングに同期して、レーザーダイオード２１を点灯・消灯させることで各ラインの静電潜像を感光体ドラム１ａ〜１ｄ上に形成する。

このとき、コントローラー３３は、画像データにより指定される画素濃度に基づいて、隣接画素の濃度に応じた濃度調整を各画素について行う。具体的には、コントローラー３３は、以下のようにして各画素の濃度を決定する。

図３は、実施の形態１におけるコントローラー３３の動作を説明するフローチャートである。

まず、コントローラー３３は、１ライン分の画素濃度の記憶領域を確保し、画像データにより指定される画素濃度を各画素の初期値とする（ステップＳ１）。

次に、コントローラー３３は、１ラインの先頭画素を注目画素とし（ステップＳ２）、注目画素に対して孤立ドット回避処理を行う（ステップＳ３）。孤立ドット回避処理では、注目画素、その右画素、およびその左画素の濃度が適宜更新される。

コントローラー３３は、孤立ドット回避処理を行った画素が１ラインの最後の画素であるか否かを判定し（ステップＳ４）、孤立ドット回避処理を行った画素が１ラインの最後の画素でなければ、次の画素を注目画素とし（ステップＳ５）、注目画素に対して孤立ドット回避処理を行う（ステップＳ３）。一方、孤立ドット回避処理を行った画素が１ラインの最後の画素である場合には、コントローラー３３は、１ライン分の孤立ドット回避処理を完了する。コントローラー３３は、孤立ドット回避処理後の１ライン分のデータから１ライン分の駆動信号を生成する。

ここで、ステップＳ３における孤立ドット回避処理について説明する。図４は、実施の形態１における孤立ドット回避処理について説明するフローチャートである。

なお、以下、孤立ドット回避処理前の注目画素の濃度をＣｉ、孤立ドット回避処理前の左画素の濃度をＬｉ、孤立ドット回避処理前の右画素の濃度をＲｉとし、注目画素処理後の注目画素の濃度をＣｏ、注目画素処理後の左画素の濃度をＬｏ、注目画素処理後の右画素の濃度をＲｏとし、最大濃度をＭａｘとする。

孤立ドット回避処理において、コントローラー３３は、現時点での注目画素の濃度Ｃｉ、左画素の濃度Ｌｉ、および右画素の濃度Ｒｉを特定し、注目画素の濃度Ｃｉが左右両側の画素濃度Ｌｉ，Ｒｉより高いか否かを判定する（ステップＳ１１）。

注目画素の濃度Ｃｉが左右両側の画素濃度Ｌｉ，Ｒｉより高い場合、コントローラー３３は、注目画素、左画素および右画素の濃度Ｃｉ，Ｌｉ，Ｒｉを、そのまま処理後の注目画素、左画素および右画素の濃度Ｃｏ，Ｌｏ，Ｒｏとする（ステップＳ１２）。

一方、注目画素の濃度Ｃｉが左画素の濃度Ｌｉ以下か右画素の濃度Ｒｉ以下である場合、コントローラー３３は、左画素の濃度Ｌｉが右画素の濃度Ｒｉより高いか否かを判定する（ステップＳ１３）。

コントローラー３３は、左画素の濃度Ｌｉが右画素の濃度Ｒｉより高い場合、左画素の濃度Ｌｉと注目画素の濃度Ｃｉとの和が最大濃度Ｍａｘより高いか否かを判定する（ステップＳ１４）。

左画素の濃度Ｌｉと注目画素の濃度Ｃｉとの和が最大濃度Ｍａｘより高い場合、コントローラー３３は、処理後の左画素の濃度Ｌｏを最大濃度Ｍａｘとし、処理後の注目画素の濃度Ｃｏを左画素の濃度Ｌｉと注目画素の濃度Ｃｉとの和から最大濃度Ｍａｘを減算した値とし、右画素の濃度Ｒｉをそのまま処理後の右画素の濃度Ｒｏとして、各画素の濃度を更新する（ステップＳ１５）。

一方、左画素の濃度Ｌｉと注目画素の濃度Ｃｉとの和が最大濃度Ｍａｘ以下である場合、コントローラー３３は、処理後の左画素の濃度Ｌｏを左画素の濃度Ｌｉと注目画素の濃度Ｃｉとの和とし、処理後の注目画素の濃度Ｃｏをゼロとし、右画素の濃度Ｒｉをそのまま処理後の右画素の濃度Ｒｏとして、各画素の濃度を更新する（ステップＳ１６）。

また、ステップＳ１３において、左画素の濃度Ｌｉが右画素の濃度Ｒｉ以下である場合、コントローラー３３は、右画素の濃度Ｒｉと注目画素の濃度Ｃｉとの和が最大濃度Ｍａｘより高いか否かを判定する（ステップＳ１７）。

右画素の濃度Ｒｉと注目画素の濃度Ｃｉとの和が最大濃度Ｍａｘより高い場合、コントローラー３３は、処理後の右画素の濃度Ｒｏを最大濃度Ｍａｘとし、処理後の注目画素の濃度Ｃｏを右画素の濃度Ｒｉと注目画素の濃度Ｃｉとの和から最大濃度Ｍａｘを減算した値とし、左画素の濃度Ｌｉをそのまま処理後の左画素の濃度Ｌｏとして、各画素の濃度を更新する（ステップＳ１８）。

一方、右画素の濃度Ｒｉと注目画素の濃度Ｃｉとの和が最大濃度Ｍａｘ以下である場合、コントローラー３３は、処理後の右画素の濃度Ｒｏを右画素の濃度Ｒｉと注目画素の濃度Ｃｉとの和とし、処理後の注目画素の濃度Ｃｏをゼロとし、左画素の濃度Ｌｉをそのまま処理後の左画素の濃度Ｌｏとして、各画素の濃度を更新する（ステップＳ１９）。

このようにして、実施の形態１の孤立ドット回避処理が行われる。

ここで、実施の形態１の孤立ドット回避処理の例について説明する。図５は、実施の形態１における孤立ドット回避処理の例を示す図である。

図５（Ａ）に示す場合、注目画素の濃度Ｃｉ（＝３）が左画素および右画素の濃度Ｌｉ（＝１０），Ｒｉ（＝７）以下であり（ステップＳ１１）、左画素の濃度Ｌｉが右画素の濃度Ｒｉより高く（ステップＳ１３）、左画素の濃度Ｌｉと注目画素の濃度Ｃｉとの和（＝１３）が最大濃度（ここでは、１５）以下であるため（ステップＳ１４）、左画素の濃度Ｌｏは、左画素の濃度Ｌｉと注目画素の濃度Ｃｉとの和（＝１３）とされ、注目画素の濃度Ｃｏはゼロとされ、右画素の濃度Ｒｏはそのままとされる（ステップＳ１６）。この場合、図５（Ａ）に示すように、左画素についてのレーザーダイオード２１の点灯期間が長くなりドット幅が増加され、注目画素については濃度がゼロであるのでドットが形成されない。

一方、図５（Ｂ）に示す場合では、注目画素の濃度Ｃｉ（＝３）が左画素および右画素の濃度Ｌｉ（＝１３），Ｒｉ（＝７）以下であり（ステップＳ１１）、左画素の濃度Ｌｉが右画素の濃度Ｒｉより高く（ステップＳ１３）、左画素の濃度Ｌｉと注目画素の濃度Ｃｉとの和（＝１６）が最大濃度（ここでは、１５）より高いため（ステップＳ１４）、左画素の濃度Ｌｏは、最大濃度（＝１５）とされ、注目画素の濃度Ｃｏは、左画素の濃度Ｌｉと注目画素の濃度Ｃｉとの和（＝１６）から最大濃度（＝１５）を減算した値（＝１）とされ、右画素の濃度Ｒｏはそのままとされる（ステップＳ１５）。この場合、図５（Ｂ）に示すように、左画素についてのレーザーダイオード２１の点灯期間が長くなりドット幅が最大値まで増加され、注目画素については左画素に寄せて、左画素のドットに連続するようにドットが形成される。

以上のように、上記実施の形態１によれば、コントローラー３３は、主走査方向において注目画素の両側の隣接画素のうち、濃度が高い隣接画素の濃度を注目画素の濃度に応じて増加させ、その濃度が高い隣接画素の濃度増加分に応じて注目画素の濃度を減少させる。

これにより、孤立ドットとなり得る注目画素のドットが隣接画素のドットに吸収されるため、孤立ドットの発生が抑制され、良好なエッジ強調効果が実現される。

実施の形態２．

本発明の実施の形態２に係る画像形成装置は、実施の形態１に係る画像形成装置と同様の構成を有する。ただし、コントローラー３３は、以下のように動作する。

実施の形態２では、コントローラー３３は、主走査方向において注目画素の両側の隣接画素のうち、濃度が高い隣接画素の濃度を増加させて注目画素のドットに連続させる。

特に、実施の形態２では、コントローラー３３は、最大濃度と濃度が高い隣接画素の濃度との差が所定の閾値未満である場合に、濃度が高い隣接画素の濃度を最大濃度とする。

次に、実施の形態２に係る画像形成装置の動作について説明する。

実施の形態２に係る画像形成装置では、コントローラー３３が、以下のようにして孤立ドット回避処理を行う。図６は、実施の形態２における孤立ドット回避処理について説明するフローチャートである。

実施の形態２の孤立ドット回避処理では、コントローラー３３は、まず、現時点での注目画素の濃度Ｃｉ、左画素の濃度Ｌｉ、および右画素の濃度Ｒｉを特定し、注目画素の濃度Ｃｉが左右両側の画素濃度Ｌｉ，Ｒｉより高いか否かを判定する（ステップＳ２１）。

注目画素の濃度Ｃｉが左右両側の画素濃度Ｌｉ，Ｒｉより高い場合、コントローラー３３は、注目画素、左画素および右画素の濃度Ｃｉ，Ｌｉ，Ｒｉを、そのまま処理後の注目画素、左画素および右画素の濃度Ｃｏ，Ｌｏ，Ｒｏとする（ステップＳ２２）。

一方、注目画素の濃度Ｃｉが左画素の濃度Ｌｉ以下か右画素の濃度Ｒｉ以下である場合、コントローラー３３は、左画素の濃度Ｌｉが右画素の濃度Ｒｉより高いか否かを判定する（ステップＳ２３）。

コントローラー３３は、左画素の濃度Ｌｉが右画素の濃度Ｒｉより高い場合、最大濃度から左画素の濃度Ｌｉを減算した値が所定の閾値Ｔｈより低いか否かを判定する（ステップＳ２４）。

最大濃度から左画素の濃度Ｌｉを減算した値が所定の閾値Ｔｈより低い場合、コントローラー３３は、処理後の左画素の濃度Ｌｏを最大濃度Ｍａｘとし、注目画素の濃度Ｃｉをそのまま処理後の注目画素の濃度Ｃｏとし、右画素の濃度Ｒｉをそのまま処理後の右画素の濃度Ｒｏとして、各画素の濃度を更新する（ステップＳ２５）。

一方、最大濃度から左画素の濃度Ｌｉを減算した値が所定の閾値Ｔｈ以上である場合、コントローラー３３は、注目画素、左画素および右画素の濃度Ｃｉ，Ｌｉ，Ｒｉを、そのまま処理後の注目画素、左画素および右画素の濃度Ｃｏ，Ｌｏ，Ｒｏとする（ステップＳ２６）。

また、ステップＳ２３において、左画素の濃度Ｌｉが右画素の濃度Ｒｉ以下である場合、コントローラー３３は、最大濃度から右画素の濃度Ｒｉを減算した値が所定の閾値Ｔｈより低いか否かを判定する（ステップＳ２７）。

最大濃度から右画素の濃度Ｒｉを減算した値が所定の閾値Ｔｈより低い場合、コントローラー３３は、処理後の右画素の濃度Ｒｏを最大濃度Ｍａｘとし、注目画素の濃度Ｃｉをそのまま処理後の注目画素の濃度Ｃｏとし、左画素の濃度Ｌｉをそのまま処理後の左画素の濃度Ｌｏとして、各画素の濃度を更新する（ステップＳ２８）。

一方、最大濃度から右画素の濃度Ｒｉを減算した値が所定の閾値Ｔｈ以上である場合、コントローラー３３は、注目画素、左画素および右画素の濃度Ｃｉ，Ｌｉ，Ｒｉを、そのまま処理後の注目画素、左画素および右画素の濃度Ｃｏ，Ｌｏ，Ｒｏとする（ステップＳ２９）。

このようにして、実施の形態２の孤立ドット回避処理が行われる。

ここで、実施の形態２の孤立ドット回避処理の例について説明する。図７は、実施の形態２における孤立ドット回避処理の例を示す図である。

図７に示す場合、注目画素の濃度Ｃｉ（＝３）が左画素および右画素の濃度Ｌｉ（＝１０），Ｒｉ（＝７）以下であり（ステップＳ２１）、左画素の濃度Ｌｉが右画素の濃度Ｒｉより高く（ステップＳ２３）、最大画素（ここでは１５）から左画素の濃度Ｌｉを減算した値（＝５）が所定の閾値Ｔｈ（例えば６）より低いため（ステップＳ２４）、左画素の濃度Ｌｏは、最大濃度（＝１５）とされ、注目画素の濃度Ｃｏはそのままとされ、右画素の濃度Ｒｏはそのままとされる（ステップＳ２５）。図７に示すように、左画素についてのレーザーダイオード２１の点灯期間が長くなりドット幅が最大値まで増加され、注目画素については左画素に寄せて、左画素のドットに連続するようにドットが形成される。

以上のように、上記実施の形態２によれば、コントローラー３３は、主走査方向において注目画素の両側の隣接画素のうち、濃度が高い隣接画素の濃度を増加させて注目画素のドットに連続させる。

これにより、孤立ドットとなり得る注目画素に隣接する画素のドット幅が増加されて注目画素のドットに連続するため、孤立ドットの発生が抑制され、良好なエッジ強調効果が実現される。

なお、上述の各実施の形態は、本発明の好適な例であるが、本発明は、これらに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の変形、変更が可能である。

例えば、上記の実施の形態１，２において、例えば図８に示すように、注目画素に隣接する２つの画素のうちの、濃度が高い画素のドットが、注目画素寄りに形成されない場合に、注目画素について孤立ドット回避処理を行い、その濃度が高い画素のドットが、注目画素寄りに形成される場合には、注目画素について孤立ドット回避処理を行わないようにしてもよい。

本発明は、例えば、電子写真方式の画像形成装置に適用可能である。

１ａ〜１ｄ 感光体ドラム（感光体の一例，画像形成部の一例の一部）
３ａ〜３ｄ 現像ユニット（画像形成部の一例の一部）
２１ レーザーダイオード（光源の一例，画像形成部の一例の一部）
２３ ポリゴンミラー（走査部の一例，画像形成部の一例の一部）
３３ コントローラー

Claims (6)

1. １画素ごとに濃度を調整可能な画像形成装置において、
   主走査方向において注目画素の両側の隣接画素のうち、濃度が高い隣接画素の濃度を前記注目画素の濃度に応じて増加させ、前記濃度が高い隣接画素の濃度増加分に応じて前記注目画素の濃度を減少させるコントローラーと、
   前記コントローラーにより指定された濃度で各画素のドットを形成する画像形成部と、
   を備え、
   前記コントローラーは、前記濃度が高い隣接画素の濃度を最大濃度とし、前記濃度が高い隣接画素に寄せて前記注目画素のドットを前記画像形成部に形成させること、
   を特徴とする画像形成装置。
2. 前記コントローラーは、前記濃度が高い隣接画素の濃度増加分だけ前記注目画素の濃度を減少させることを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
3. 前記コントローラーは、前記濃度が高い隣接画素の濃度と前記注目画素の濃度との和が最大濃度より大きい場合には、前記濃度が高い隣接画素の濃度を最大濃度とし、前記濃度が高い隣接画素に寄せて前記注目画素のドットを前記画像形成部に形成させ、前記濃度が高い隣接画素の濃度と前記注目画素の濃度との和が最大濃度以下である場合には、前記注目画素のドットを前記画像形成部に形成させないことを特徴とする請求項２記載の画像形成装置。
4. １画素ごとに主走査方向における濃度を調整可能な画像形成装置において、
   主走査方向において注目画素の隣接画素のうち、濃度が高い隣接画素の濃度を増加させて前記注目画素のドットに連続させるコントローラーと、
   前記コントローラーにより指定された濃度で各画素のドットを形成する画像形成部と、
   を備え、
   前記コントローラーは、前記濃度が高い隣接画素の濃度を最大濃度とし、前記濃度が高い隣接画素に寄せて前記注目画素のドットを前記画像形成部に形成させること、
   ことを特徴とする画像形成装置。
5. 前記コントローラーは、最大濃度と前記濃度が高い隣接画素の濃度との差が所定の閾値未満である場合に、前記濃度が高い隣接画素の濃度を前記最大濃度とすることを特徴とする請求項４記載の画像形成装置。
6. 前記画像形成部は、各画素について前記コントローラーにより指定された濃度に対応する期間だけ光を出射する光源と、前記光源からの光を主走査方向に走査する走査部と、前記走査部からの光で静電潜像を形成する感光体と、前記静電潜像をトナー現像する現像ユニットとを有することを特徴とする請求項１から請求項５のうちのいずれか１項記載の画像形成装置。

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