JP5607401B2 - Antistatic type semiconductor processing adhesive tape - Google Patents

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Description

本発明は、帯電防止性能を有する半導体加工用粘着テープに関し、特に電気、電子、半導体部品を生産する際に使用される帯電防止性能を有するダイシングテープに関する。   The present invention relates to an adhesive tape for semiconductor processing having antistatic performance, and particularly to a dicing tape having antistatic performance used when producing electrical, electronic and semiconductor parts.

従来から、電気、電子部品、半導体部品を生産する際に、ダイシング工程やその他の工程において部品の固定や保護を目的とする粘着テープが用いられている。   Conventionally, when producing electrical, electronic parts, and semiconductor parts, adhesive tapes for fixing and protecting parts are used in dicing processes and other processes.

半導体の加工工程では、半導体加工用粘着テープからセパレーターを剥離し、該粘着テープが貼合された半導体ウエハのダイシング加工を行い、電気絶縁性の高い超純水により切削粉を洗浄し、切断・分離された半導体チップのピックアップが行われる。これらの工程で基板(ウェハ)や樹脂封止パッケージなどの被着体に静電気が発生する。回路を形成する部品の基板がセラミックスやガラスなどの絶縁材料である場合には、静電気が速やかに漏洩されず、短絡による回路の放電破壊や埃などの異物の付着などが起こる場合がある。
近年、ウェハの薄膜化に伴い回路の高集積化が加速しており、静電気による回路破壊を防ぐことが大きな課題となっている。静電気障害を防止するためにイオナイザーなどの静電気除去装置が利用されている。しかしこれでも十分な帯電防止効果が得られておらず、帯電防止能を有する半導体加工用粘着テープに対する需要が高まっている。帯電防止能を有する半導体加工用粘着テープとして、基材樹脂フィルムへ帯電防止剤を配合したもの、粘着剤層へ帯電防止剤を配合したもの、基材樹脂フィルムと粘着剤層との間に帯電防止性の中間層を導入したものが検討されている。
In the semiconductor processing process, the separator is peeled off from the semiconductor processing adhesive tape, the semiconductor wafer to which the adhesive tape is bonded is diced, the cutting powder is washed with ultra-pure water with high electrical insulation, The separated semiconductor chip is picked up. In these steps, static electricity is generated on an adherend such as a substrate (wafer) or a resin-sealed package. When the substrate of a component that forms a circuit is an insulating material such as ceramics or glass, static electricity is not quickly leaked, and there is a case where discharge of the circuit due to a short circuit or adhesion of foreign matters such as dust may occur.
In recent years, high integration of circuits has been accelerated with the thinning of wafers, and it has become a big issue to prevent circuit breakdown due to static electricity. Static eliminators such as ionizers are used to prevent static electricity damage. However, even this does not provide a sufficient antistatic effect, and there is an increasing demand for adhesive tapes for semiconductor processing having antistatic ability. As an adhesive tape for semiconductor processing that has antistatic ability, the base resin film is blended with an antistatic agent, the adhesive layer is blended with an antistatic agent, and charged between the base resin film and the adhesive layer. The introduction of a preventive intermediate layer has been studied.

半導体加工用粘着テープに帯電防止能を付与するには、被着体と接する粘着剤層側に帯電防止機能を施すのが効果的であると考えられている。ところが、粘着剤層に界面活性剤や導電性フィラーのような帯電防止剤を添加すると、粘着物性やその経時変化の調整ないしは抑制が困難であるばかりでなく、粘着テープを剥離する際に粘着剤や帯電防止剤が被着体に移行して被着体が汚染されるおそれがある。これにより、被着体表面への目視可能な糊残り、顕微鏡レベルのパーティクル状物の付着、光学的に観測不能な液状物の付着などが生じ、以降の工程において部品の接着不良などの悪影響を及ぼすおそれがある。   In order to impart an antistatic ability to an adhesive tape for semiconductor processing, it is considered effective to provide an antistatic function on the pressure-sensitive adhesive layer side in contact with the adherend. However, when an antistatic agent such as a surfactant or a conductive filler is added to the pressure-sensitive adhesive layer, it is difficult not only to adjust or suppress the physical properties of the pressure-sensitive adhesive and its change with time, but also when the pressure-sensitive adhesive tape is peeled off. Or the antistatic agent may migrate to the adherend and contaminate the adherend. This causes visible glue residue, adherence of microscopic particles, and adhesion of liquids that are not optically observable, and adverse effects such as poor adhesion of parts in subsequent processes. There is a risk.

一方、基材樹脂フィルムの片面又は両面に窒素原子−ホウ素原子錯体構造の電荷移動型ボロンポリマーを含有する帯電防止層を設けることで、粘着剤による被着体の汚染や粘着剤層の物性の経時変化などによる信頼性低下を生じにくくした半導体固定用粘着テープが開示されている(例えば、特許文献1を参照)。この粘着テープは所定の帯電防止効果を得ることができるものの、湿度によって帯電防止性能が大きく変化したり、基材樹脂フィルムと帯電防止層の密着性に課題が残るため、改良が望まれている。   On the other hand, by providing an antistatic layer containing a charge transfer boron polymer having a nitrogen atom-boron atom complex structure on one or both surfaces of the base resin film, contamination of the adherend due to the adhesive or physical properties of the adhesive layer A semiconductor fixing pressure-sensitive adhesive tape that is less likely to cause a decrease in reliability due to a change with time or the like is disclosed (for example, see Patent Document 1). Although this adhesive tape can obtain a predetermined antistatic effect, the antistatic performance varies greatly depending on the humidity, and problems remain in the adhesion between the base resin film and the antistatic layer, so an improvement is desired. .

また、基材樹脂フィルムの片面又は両面にポリチオフェンやポリピロールなどの導電性高分子を含有する帯電防止層を設けた半導体固定用粘着テープが開示されている(例えば、特許文献2と特許文献3を参照。)。この粘着テープは、湿度による帯電防止性能の変化がなく、基材樹脂フィルムと帯電防止層の密着性、粘着剤による被着体への汚染、粘着物性の経時変化に優れる。しかし、ダイシングによって帯電防止層が分断されるため、ダイシング後も帯電防止性能を維持できないといった課題がある。   Also disclosed is a pressure-sensitive adhesive tape for fixing a semiconductor in which an antistatic layer containing a conductive polymer such as polythiophene or polypyrrole is provided on one or both sides of a base resin film (for example, Patent Document 2 and Patent Document 3). reference.). This pressure-sensitive adhesive tape has no change in antistatic performance due to humidity, and is excellent in adhesion between the base resin film and the antistatic layer, contamination of the adherend by the pressure-sensitive adhesive, and change in physical properties of the pressure-sensitive adhesive over time. However, since the antistatic layer is divided by dicing, there is a problem that antistatic performance cannot be maintained after dicing.

半導体素子や樹脂封止パッケージなどの被着体を粘着テープからピックアップする際には、被着体に接している粘着層の粘着力を低下させておくことが好ましい。そのための方法として、粘着層に放射線硬化性樹脂を含有させた放射線硬化性粘着テープを利用し、ピックアップの前処理として放射線照射を行う方法が知られている。しかしながら、この放射線には少なからず赤外光が含まれるため、放射線照射により粘着テープが加熱されて粘着テープの伸びや部分的なシワが生じる。これらの伸びやシワは、加工工程間の移送に使用されるキャリアーカセットへの被着体の収納に支障を生じる他、被着体のピックアップ工程においても素子間隙のばらつきが生じ、素子のピックアップ不良を引き起こす原因にもなる。   When picking up an adherend such as a semiconductor element or a resin-sealed package from an adhesive tape, it is preferable to reduce the adhesive force of the adhesive layer in contact with the adherend. As a method for that purpose, there is known a method in which a radiation curable adhesive tape containing a radiation curable resin in an adhesive layer is used and radiation irradiation is performed as a pretreatment for pickup. However, since this radiation contains not a little infrared light, the pressure-sensitive adhesive tape is heated by radiation irradiation, and the pressure-sensitive adhesive tape is stretched or partially wrinkled. These elongations and wrinkles not only prevent the adherend from being stored in the carrier cassette used for transfer between processing steps, but also cause variations in the gap between elements in the pick-up process of the adherend, resulting in poor pick-up of the element. It may also cause.

半導体ウェハや樹脂封止パッケージなどの被着体には、粘着テープの貼合面に凹凸を有しているものや、一般にレーザーマークと言われる刻印(凹部)を有しているものがある。当該凹凸部分に対する粘着剤の追従性には限界があるため、粘着剤層と被着体の間に密着していない隙間が介在することになる。この隙間部分は空気と接しているため、空気中の酸素によって粘着剤の放射線硬化反応が阻害される。すなわち、粘着剤層での放射線硬化の度合いに差異が生じる。その結果、ピックアップする際に粘着剤層が基材樹脂フィルムから剥がれ、凹部分に糊残りが発生することがある。   Some adherends such as semiconductor wafers and resin-encapsulated packages have unevenness on the bonding surface of the adhesive tape, and others have markings (concave portions) generally referred to as laser marks. Since there is a limit to the followability of the pressure sensitive adhesive to the uneven portion, a gap that is not in close contact is interposed between the pressure sensitive adhesive layer and the adherend. Since this gap portion is in contact with air, the radiation curing reaction of the adhesive is inhibited by oxygen in the air. That is, a difference occurs in the degree of radiation curing in the pressure-sensitive adhesive layer. As a result, when picking up, the pressure-sensitive adhesive layer may be peeled off from the base resin film, and adhesive residue may be generated in the concave portion.

特開2004−189769号公報JP 2004-189769 A 特開2008−255345号公報JP 2008-255345 A 特開2008−280520号公報JP 2008-280520 A

本発明は、半導体加工工程において優れた帯電防止能を発揮し、かつ、放射線照射によるテープの弛みが少なく、かつ、ピックアップ時に被着体に粘着剤が残りにくい半導体加工用粘着テープを提供することを目的とする。   The present invention provides an adhesive tape for semiconductor processing that exhibits excellent antistatic ability in a semiconductor processing process, has less tape slack due to radiation irradiation, and is less likely to leave an adhesive on an adherend during pick-up. With the goal.

本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を行った。その結果、ポリプロピレンと、スチレン系エラストマー樹脂と、ポリエーテルを含む帯電防止樹脂とを特定の割合で含有する帯電防止層と、分子内に放射線硬化性不飽和炭素結合を含むベースポリマーを含有する粘着剤層とを含む粘着テープが、半導体加工工程において優れた帯電防止能を示し、粘着層を硬化させるために放射線を照射してもテープが弛まず、かつ、ピックアップ時に粘着層と接触する被着体の凹面に粘着剤が残らないことを見出した。本発明はこれらの知見に基づきなされたものである。   The present inventors have intensively studied to achieve the above object. As a result, an antistatic layer containing a specific proportion of polypropylene, a styrene elastomer resin, and an antistatic resin containing a polyether, and an adhesive containing a base polymer containing a radiation-curable unsaturated carbon bond in the molecule Adhesive tape containing an adhesive layer exhibits excellent antistatic ability in the semiconductor processing process, and the tape does not loosen even when irradiated with radiation to cure the adhesive layer, and is in contact with the adhesive layer during pick-up It has been found that no adhesive remains on the concave surface of the body. The present invention has been made based on these findings.

すなわち、本発明は、
<1>基材樹脂フィルム上に帯電防止層を有し、前記帯電防止層上に粘着剤層を有する帯電防止型半導体加工用粘着テープであって、
前記帯電防止層は40〜90質量%のポリプロピレンと60〜10質量%のスチレン系エラストマー樹脂とを少なくとも含むベース樹脂を100質量部に対しポリエーテルを含む帯電防止樹脂を10〜45質量部含有する樹脂組成物からなり、
前記帯電防止層の厚さが該基材樹脂フィルムと該帯電防止層の総厚の60%以上であり、
前記帯電防止層上の前記粘着剤層は分子内に放射線硬化性不飽和炭素結合を有するアクリル系共重合体をベースポリマーとして含有する、帯電防止型半導体加工用粘着テープ、
<2>前記の粘着剤層に含有されるベースポリマーが、(メタ)アクリル酸エステル、ヒドロキシル基含有不飽和化合物、カルボキシル基含有不飽和化合物からなる共重合体(A1)と、共重合体(A1)が有する官能基に対して付加反応することが可能な官能基と放射線硬化性不飽和炭素結合とを有する化合物(A2)とを付加反応して得たものである、<1>に記載の帯電防止型半導体加工用粘着テープ、
を提供するものである。
That is, the present invention
<1> An antistatic semiconductor processing pressure-sensitive adhesive tape having an antistatic layer on a base resin film and having an adhesive layer on the antistatic layer,
The antistatic layer contains 10 to 45 parts by mass of an antistatic resin containing a polyether with respect to 100 parts by mass of a base resin containing at least 40 to 90% by mass of polypropylene and 60 to 10% by mass of a styrene elastomer resin. A resin composition,
The thickness of the antistatic layer is 60% or more of the total thickness of the base resin film and the antistatic layer;
Wherein the pressure-sensitive adhesive layer on the antistatic layer contains as a base polymer an acrylic copolymer having a radiation-curable unsaturated carbon bond in the molecule, antistatic semiconductor processing adhesive tape,
<2> A copolymer (A1) in which the base polymer contained in the pressure-sensitive adhesive layer comprises a (meth) acrylic acid ester, a hydroxyl group-containing unsaturated compound, a carboxyl group-containing unsaturated compound, and a copolymer ( <1>, which is obtained by addition reaction of a functional group capable of undergoing an addition reaction with respect to the functional group of A1) and a compound (A2) having a radiation-curable unsaturated carbon bond. Antistatic adhesive tape for semiconductor processing,
Is to provide.

本発明によれば、半導体加工工程において優れた帯電防止能を示す粘着テープが提供される。また、本発明によれば、放射線照射時に発生する熱による弛みやしわの発生が少ない粘着テープが提供される。さらに、本発明によれば、ピックアップの際に被着体凹部への粘着剤残り(糊残り)が抑制された粘着テープが提供される。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the adhesive tape which shows the antistatic ability outstanding in the semiconductor processing process is provided. Moreover, according to this invention, the adhesive tape with few generation | occurrence | production of the slack and wrinkle by the heat | fever which generate | occur | produces at the time of radiation irradiation is provided. Furthermore, according to the present invention, there is provided an adhesive tape in which an adhesive residue (adhesive residue) in an adherend recess is suppressed during pickup.

以下、本発明について、その好ましい実施態様の基づき詳細に説明する。
本発明の帯電防止型半導体加工用粘着テープは、帯電防止層と、該帯電防止層上に積層された粘着剤層とを少なくとも含む。本発明の帯電防止型半導体加工用粘着テープは、通常には基材樹脂フィルムを含み、該基材樹脂フィルム上に帯電防止層が積層されている
Hereinafter, the present invention will be described in detail based on preferred embodiments thereof.
The pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing of the present invention includes at least an antistatic layer and an adhesive layer laminated on the antistatic layer. The pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing of the present invention usually comprises a base resin film, and an antistatic layer is laminated on the base resin film .

帯電防止層は、ポリプロピレンとスチレン系エラストマー樹脂とを含むベース樹脂100質量部に対し、ポリエーテルを含有する帯電防止樹脂を10〜45質量部含有する。ポリエーテルを含む帯電防止樹脂は耐熱性に劣るため、帯電防止層におけるポリエーテルの配合量が多すぎるとテープの耐熱性が弱まり、放射線照射等による発熱でテープが弛んでしまう。また、帯電防止層におけるポリエーテルの配合量が多すぎると、帯電防止層と粘着剤層との密着性が弱まり、被着体のピックアップ時に帯電防止層と粘着剤層との間で層間剥離が生じ、レーザーマーク等の被着体表層の凹部に糊残りが発生する。一方、帯電防止層におけるポリエーテルの配合量が少なすぎると、十分な帯電防止性を発揮できない。   The antistatic layer contains 10 to 45 parts by mass of an antistatic resin containing a polyether with respect to 100 parts by mass of a base resin containing polypropylene and a styrene elastomer resin. Since the antistatic resin containing a polyether is inferior in heat resistance, if the amount of the polyether in the antistatic layer is too large, the heat resistance of the tape is weakened, and the tape loosens due to heat generated by radiation irradiation or the like. Also, if the amount of polyether in the antistatic layer is too large, the adhesion between the antistatic layer and the pressure-sensitive adhesive layer will be weakened, and delamination will occur between the antistatic layer and the pressure-sensitive adhesive layer when the adherend is picked up. As a result, adhesive residue is generated in the concave portions of the adherend surface layer such as laser marks. On the other hand, if the amount of polyether in the antistatic layer is too small, sufficient antistatic properties cannot be exhibited.

ポリプロピレンとスチレン系エラストマー樹脂とを少なくとも含むベース樹脂におけるポリプロピレンの配合量は40〜90質量%であり、当該ベース樹脂におけるスチレン系エラストマー樹脂の配合量は60〜10質量%である。なお、上記ベース樹脂がポリプロピレンとスチレン系エラストマー樹脂の他に他の成分を含有する場合には、上記ベース樹脂におけるポリプロピレン、スチレン系エラストマー樹脂及び当該他の成分の総配合量が100質量%となるように配合される。上記ベース樹脂は、ポリプロピレンとスチレン系エラストマー樹脂とからなるものであってもよい。上記ベース樹脂のポリプロピレンの配合量が多すぎると、テープのエキスパンド後に弛みが残るため、発熱による弛みと同様に、被着体が密着した状態でキャリアーカセットに収納できなくなるおそれがあり、また、被着体のピックアップ不良が起こりうる。一方、上記ベース樹脂中のポリプロピレンの配合量が少なすぎると、基材樹脂フィルムの耐熱性が弱まるため、放射線照射時の発熱でテープが弛んでしまう。
上記ベース樹脂に含まれるスチレン系エラストマー樹脂については、上記ベース樹脂中の配合量が多すぎると、基材樹脂フィルムの耐熱性が弱まりテープが弛んでしまう。また、上記ベース樹脂中のスチレン系エラストマー樹脂の配合量が少なすぎると、エキスパンド後も弛みが残る。
The blending amount of polypropylene in the base resin containing at least polypropylene and styrene elastomer resin is 40 to 90% by mass, and the blending amount of styrene elastomer resin in the base resin is 60 to 10% by mass. In addition, when the said base resin contains another component other than a polypropylene and a styrene-type elastomer resin, the total compounding quantity of the polypropylene in the said base resin, a styrene-type elastomer resin, and the said other component will be 100 mass%. It is blended as follows. The base resin may be made of polypropylene and a styrene elastomer resin. If the amount of polypropylene in the base resin is too large, slack remains after the tape is expanded, and there is a possibility that the adherend may not be stored in the carrier cassette in the same manner as slack due to heat generation. Poor pick-up of the kimono can occur. On the other hand, if the blending amount of polypropylene in the base resin is too small, the heat resistance of the base resin film is weakened, so that the tape loosens due to heat generated during radiation irradiation.
About the styrene-type elastomer resin contained in the said base resin, when there are too many compounding quantities in the said base resin, the heat resistance of a base resin film will weaken and a tape will loosen. Further, if the blending amount of the styrene elastomer resin in the base resin is too small, slack remains after the expansion.

本発明に用いられるポリエーテルを含む帯電防止樹脂としては、ペレスタット(商品名、三洋化成工業株式会社製)、ペバックス(商品名、アルケマ株式会社製)、サンコノール(商品名、三光化学工業株式会社製)などが挙げられる。   Examples of the antistatic resin containing polyether used in the present invention include perestat (trade name, manufactured by Sanyo Kasei Kogyo Co., Ltd.), Pebax (trade name, manufactured by Arkema Co., Ltd.), Sanconol (trade name, manufactured by Sanko Chemical Co., Ltd.). ) And the like.

また、本発明に用いられるポリプロピレンとしては、プロピレンの単独重合体あるいはプロピレンと少量のα-オレフィン及び/又はエチレンとのランダム又はブロック共重合体などが挙げられる。特に、上記ランダム共重合体はスチレン系エラストマーやポリエーテルを含む帯電防止樹脂との混和性が良いので好適に用いられる。   Examples of the polypropylene used in the present invention include a propylene homopolymer or a random or block copolymer of propylene and a small amount of α-olefin and / or ethylene. In particular, the random copolymer is preferably used because of its good miscibility with antistatic resins including styrene elastomers and polyethers.

本発明に用いるスチレン系エラストマー樹脂は、ポリスチレンブロックを含むブロック共重合体であることが好ましく、室温下でゴム状弾性を示すことが好ましい。このような樹脂として、例えば、スチレン・ブタジエンブロック共重合体、スチレン・イソプレンブロック共重合体、水素添加スチレン・ブタジエンブロック共重合体、水素添加スチレン・イソプレンブロック共重合体、スチレン-エチレン・ブチレン-エチレンブロック共重合体、スチレン-エチレン・ブチレン-スチレンブロック共重合体などが挙げられる。特に水素添加スチレン・ブタジエンブロック共重合体と水素添加スチレン・イソプレンブロック共重合体は耐候性に優れるので好適に用いられる。   The styrenic elastomer resin used in the present invention is preferably a block copolymer containing a polystyrene block, and preferably exhibits rubber-like elasticity at room temperature. Examples of such resins include styrene / butadiene block copolymer, styrene / isoprene block copolymer, hydrogenated styrene / butadiene block copolymer, hydrogenated styrene / isoprene block copolymer, styrene-ethylene / butylene- Examples thereof include an ethylene block copolymer and a styrene-ethylene / butylene-styrene block copolymer. In particular, hydrogenated styrene / butadiene block copolymers and hydrogenated styrene / isoprene block copolymers are preferably used because of their excellent weather resistance.

また、通常、ブレードを用いたダイシング工程では、工程上の精度や歩留まりの観点から、粘着層を除いたテープ厚(帯電防止層と基材樹脂フィルムの総厚)の50%程度まで切り込む。そのため、ダイシング後も導電経路を確保するためにはブレードの切込み深さより深いところまで帯電防止層が形成されている必要がある。したがって、本発明のテープが基材樹脂フィルムを含み、該基材樹脂フィルム上に帯電防止層が積層されている場合においては、上記帯電防止層の厚さは、帯電防止層と基材樹脂フィルムの総厚の60%以上であることが好ましい。上記帯電防止層の厚さが、帯電防止層と基材樹脂フィルムの総厚の60%以上であれば、ダイシング後に導電経路が分断されるおそれがなく、十分な帯電防止性能を得ることができる
切込み分の深さが確保できれば、基材樹脂フィルムとして他の樹脂、例えばポリエチレン、ポリプロピレンおよびポリブテンのようなポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体およびエチレン−(メタ)アクリル酸エステル共重合体のようなエチレン共重合体、軟質ポリ塩化ビニル、半硬質ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、天然ゴムならびに合成ゴムなどの高分子材料との複層フィルムを用いてもよい。
In general, in a dicing process using a blade, the tape is cut to about 50% of the tape thickness (total thickness of the antistatic layer and the base resin film) excluding the adhesive layer from the viewpoint of process accuracy and yield. Therefore, in order to ensure a conductive path even after dicing, it is necessary to form the antistatic layer deeper than the cutting depth of the blade. Therefore, when the tape of the present invention includes a base resin film, and the antistatic layer is laminated on the base resin film, the thickness of the antistatic layer is the same as that of the antistatic layer and the base resin film. The total thickness is preferably 60% or more. When the thickness of the antistatic layer is 60% or more of the total thickness of the antistatic layer and the base resin film, there is no possibility that the conductive path is divided after dicing, and sufficient antistatic performance can be obtained. .
If the depth of cut can be ensured, the base resin film may be made of other resins such as polyolefins such as polyethylene, polypropylene and polybutene, ethylene-vinyl acetate copolymers, ethylene- (meth) acrylic acid copolymers and ethylene- Multiple layers with polymer materials such as ethylene copolymers such as (meth) acrylic acid ester copolymers, soft polyvinyl chloride, semi-rigid polyvinyl chloride, polyester, polyurethane, polyamide, polyimide, natural rubber and synthetic rubber A film may be used.

帯電防止樹脂は、製膜時に強いせん断力が働くことで樹脂内部に筋状のネットワークを形成し、この筋が導電経路となり静電気を逃がし帯電防止性能を発揮する。したがって、上記帯電防止樹脂を含む基材の製膜方法としては、射出成形・押出成形・インフレーション成形など、製膜時に樹脂に強いせん断力がかかる成形方法が好ましい。一方、圧縮成形法では圧縮力が働くために帯電防止樹脂が筋状に分散せず、キャスト成形では十分なせん断力が得られないため、同じく筋状の分散が得られない。   The antistatic resin forms a streak network inside the resin due to a strong shearing force during film formation, and the streaks serve as a conductive path to release static electricity and exhibit antistatic performance. Therefore, as a film forming method of the substrate containing the antistatic resin, a molding method in which a strong shearing force is applied to the resin at the time of film formation, such as injection molding, extrusion molding, and inflation molding is preferable. On the other hand, in the compression molding method, since the compressive force works, the antistatic resin does not disperse in a streak shape, and in the cast molding, a sufficient shearing force cannot be obtained.

本発明の帯電防止半導体加工用粘着テープの粘着剤は、分子内に放射線硬化性不飽和炭素結合を有するベースポリマーを含有するため、放射線硬化性を有する。本発明において、「分子内に放射線硬化性不飽和炭素結合を有するベースポリマー」とは、分子内に放射線硬化性不飽和炭素結合が導入された重合体である。放射線硬化性不飽和炭素結合を有しないポリマーに放射線硬化性不飽和炭素結合を有するオリゴマーが配合(混合)された組成物を含有する粘着剤は、放射線硬化前の粘着力が高いため、十分なピックアップ性を確保するには、高い放射線硬化性を要する。しかしながら、放射線硬化性が高いポリマーは放射線硬化時の硬化収縮が大きく、この硬化収縮によってレーザーマーク等の粘着剤層と接触している被着体表層の凹部に粘着剤が噛み込みやすい。被着体表層の凹部に粘着剤が噛み込むと、ピックアップ時に基材樹脂フィルムと粘着剤層との間で層間剥離しやすくなり、上記凹部に糊残りが発生しやすい。さらに、帯電防止層にポリエーテルを配合した樹脂を適用した場合には、基材樹脂フィルムと粘着剤層との密着性が低下するためにより糊残りが発生しやすくなる。さらに、加熱工程を行うと、粘着剤がよりレーザーマークに噛み込み、よりレーザーマークに糊残りが発生しやすい。   Since the pressure-sensitive adhesive for the antistatic semiconductor processing pressure-sensitive adhesive tape of the present invention contains a base polymer having a radiation-curable unsaturated carbon bond in the molecule, it has radiation curability. In the present invention, the “base polymer having a radiation-curable unsaturated carbon bond in a molecule” is a polymer having a radiation-curable unsaturated carbon bond introduced in the molecule. A pressure-sensitive adhesive containing a composition in which an oligomer having a radiation-curable unsaturated carbon bond is blended (mixed) with a polymer having no radiation-curable unsaturated carbon bond has a high adhesive force before radiation curing. In order to ensure pick-up property, high radiation curability is required. However, a polymer having high radiation curability has a large cure shrinkage at the time of radiation curing, and due to this cure shrinkage, the pressure-sensitive adhesive tends to bite into the concave portion of the adherend surface layer in contact with the pressure-sensitive adhesive layer such as a laser mark. When the pressure-sensitive adhesive bites into the concave portion of the adherend surface layer, delamination is likely to occur between the base resin film and the pressure-sensitive adhesive layer at the time of pickup, and adhesive residue is likely to occur in the concave portion. Furthermore, when a resin in which polyether is blended in the antistatic layer is applied, the adhesiveness between the base resin film and the pressure-sensitive adhesive layer is lowered, so that adhesive residue is likely to occur. Furthermore, when the heating step is performed, the adhesive bites more into the laser mark, and adhesive residue is more likely to occur in the laser mark.

分子内に放射線硬化性不飽和炭素結合を有するベースポリマーとしては、主鎖に対して放射線重合性炭素−炭素二重結合含有基を1つ以上有するアクリル系単量体を構成単位として含む重合体(以下「アクリル系共重合体(A)」と称する)が挙げられる。アクリル系共重合体(A)は、例えば、(メタ)アクリル酸エステル、ヒドロキシル基含有不飽和化合物、カルボキシル基含有不飽和化合物等からなる共重合体(A1)の炭素鎖を主鎖とし、共重合体(A1)が有する官能基に対して付加反応することが可能な官能基と放射線硬化性不飽和炭素結合とを有する化合物(A2)を付加反応して得ることができる。   As a base polymer having a radiation-curable unsaturated carbon bond in the molecule, a polymer containing an acrylic monomer having at least one radiation-polymerizable carbon-carbon double bond-containing group with respect to the main chain as a constituent unit (Hereinafter referred to as “acrylic copolymer (A)”). The acrylic copolymer (A) has, for example, a carbon chain of a copolymer (A1) comprising a (meth) acrylic acid ester, a hydroxyl group-containing unsaturated compound, a carboxyl group-containing unsaturated compound as a main chain, It can be obtained by addition reaction of a compound (A2) having a functional group capable of undergoing addition reaction with respect to the functional group of the polymer (A1) and a radiation-curable unsaturated carbon bond.

上記共重合体(A1)を構成する上記(メタ)アクリル酸エステルとしては、炭素数6〜12のヘキシルアクリレート、n−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、2−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、炭素数5以下のペンチルアクリレート、n−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレートなどを列挙することができる。(メタ)アクリル酸エステルの炭素数が大きいほど上記共重合体のガラス転移温度が低くなるので、特定の炭素数の(メタ)アクリル酸エステルを使用することで、所望のガラス転移温度を有する共重合体を作製することができる。また、所望のガラス転移温度や相溶性などの性質を付与するために、酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどの不飽和炭素結合をもつ低分子化合物を配合して上記共重合体を得ることもできる。当該不飽和炭素結合をもつ低分子化合物の配合量は5質量%以下であることが好ましい。   As said (meth) acrylic acid ester which comprises the said copolymer (A1), C6-C12 hexyl acrylate, n-octyl acrylate, isooctyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, dodecyl acrylate, decyl acrylate, carbon A pentyl acrylate, n-butyl acrylate, isobutyl acrylate, ethyl acrylate, methyl acrylate, or a methacrylate similar to these may be listed. Since the glass transition temperature of the copolymer decreases as the carbon number of the (meth) acrylic acid ester increases, a copolymer having a desired glass transition temperature can be obtained by using a (meth) acrylic acid ester having a specific carbon number. A polymer can be made. In addition, in order to impart desired properties such as glass transition temperature and compatibility, the above copolymer can be obtained by blending a low molecular compound having an unsaturated carbon bond such as vinyl acetate, styrene, or acrylonitrile. The blending amount of the low molecular weight compound having an unsaturated carbon bond is preferably 5% by mass or less.

上記共重合体(A1)を構成する水酸基含有不飽和化合物の例としては、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2−ヒドロキシプロピルメタクリレート等が挙げられる。   Examples of the hydroxyl group-containing unsaturated compound constituting the copolymer (A1) include 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, and the like.

上記共重合体(A1)を構成するカルボキシル基含有不飽和化合物の例としては、アクリル酸、メタクリル酸などが挙げられる。   Examples of the carboxyl group-containing unsaturated compound constituting the copolymer (A1) include acrylic acid and methacrylic acid.

上記化合物(A2)が有する「共重合体(A1)が有する官能基に対して付加反応することが可能な官能基」としては、共重合体(A1)が有する官能基がカルボキシル基又は環状酸無水基である場合には、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、共重合体(A1)が有する官能基が水酸基である場合には、環状酸無水基、イソシアネート基などを挙げることができ、共重合体(A1)が有する官能基がアミノ基である場合には、イソシアネート基などを挙げることができる。化合物(A2)の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、けい皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、2−ヒドロキシアルキルアクリレート類、2−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、N−メチロールアクリルアミド、N−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、N−アルキルアミノエチルアクリレート類、N−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基と放射線硬化性不飽和炭素結合とを有する単量体でウレタン化したものなどを列挙することができる。   As the “functional group capable of undergoing addition reaction with respect to the functional group of the copolymer (A1)” possessed by the compound (A2), the functional group of the copolymer (A1) is a carboxyl group or a cyclic acid. When it is an anhydrous group, examples include a hydroxyl group, an epoxy group, and an isocyanate group. When the functional group of the copolymer (A1) is a hydroxyl group, examples include a cyclic acid anhydride group and an isocyanate group. In the case where the functional group of the copolymer (A1) is an amino group, an isocyanate group can be exemplified. Specific examples of the compound (A2) include acrylic acid, methacrylic acid, cinnamic acid, itaconic acid, fumaric acid, phthalic acid, 2-hydroxyalkyl acrylates, 2-hydroxyalkyl methacrylates, glycol monoacrylates, glycol monoacrylate. Methacrylates, N-methylolacrylamide, N-methylolmethacrylamide, allyl alcohol, N-alkylaminoethyl acrylates, N-alkylaminoethyl methacrylates, acrylamides, methacrylamides, maleic anhydride, itaconic anhydride, fumaric anhydride Radiation curable with some hydroxyl groups or carboxyl groups of acid, phthalic anhydride, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, allyl glycidyl ether, polyisocyanate compounds It is possible to enumerate such as those urethanization a monomer having a saturated carbon bonds.

上記アクリル系共重合体(A)の合成において、共重合を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系の有機溶剤が挙げられるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一般にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点60〜120℃の溶剤が好ましく、重合開始剤としては、α,α'−アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾベルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節し、その後官能基における付加反応を行うことにより、所望の分子量のアクリル系共重合体(A)を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。なお、この共重合は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもさしつかえない。   In the synthesis of the acrylic copolymer (A), examples of the organic solvent in the case where the copolymerization is performed by solution polymerization include ketone-based, ester-based, alcohol-based, and aromatic-based organic solvents, among which toluene, A good solvent for acrylic polymers such as ethyl acetate, isopropyl alcohol, benzene methyl cellosolve, ethyl cellosolve, acetone, methyl ethyl ketone, and the like, and preferably a solvent having a boiling point of 60 to 120 ° C. The polymerization initiator is α, α′-azo. A radical generator such as an azobis type such as bisisobutylnitrile or an organic peroxide type such as benzoberperoxide is usually used. At this time, if necessary, a catalyst and a polymerization inhibitor can be used in combination. The polymerization temperature and the polymerization time are adjusted, and then an addition reaction at a functional group is performed, whereby an acrylic copolymer (A ) Can be obtained. In terms of adjusting the molecular weight, it is preferable to use a mercaptan or carbon tetrachloride solvent. The copolymerization is not limited to solution polymerization, and other methods such as bulk polymerization and suspension polymerization may be used.

さらに上記アクリル系共重合体(A)は、接着性や凝集力を制御する目的でアクリロニトリル、酢酸ビニルなどのモノマーが共重合されていてもよい。これらのモノマーを重合して得られるアクリル系共重合体(A)の重量平均分子量は、5×10〜2×10であることが好ましく、1×10〜1×10であることがより好ましい。 Furthermore, the acrylic copolymer (A) may be copolymerized with monomers such as acrylonitrile and vinyl acetate for the purpose of controlling adhesiveness and cohesion. The weight average molecular weight of the acrylic copolymer (A) obtained by polymerizing these monomers is preferably 5 × 10 4 to 2 × 10 6 , and preferably 1 × 10 5 to 1 × 10 6. Is more preferable.

粘着剤にはさらに硬化剤を含ませることができ、これによりにより接着力と凝集力とを所望の値に設定することができる。このような硬化剤としては、多価イソシアナート化合物、多価エポキシ化合物、多価アジリジン化合物、キレート化合物等が挙げられる。多価イソシアナート化合物の具体例として、トルイレンジイソシアナート、ジフェニルメタンジイソシアナート、ヘキサメチレンジイソシアナート、イソホロンジイソシアナート及びこれらのアダクトタイプのもの等が挙げられる。多価エポキシ化合物の具体例としては、エチレングリコールジグリシジルエーテル、テレフタル酸ジグリシジルエステルアクリレート等が挙げられる。多価アジリジン化合物の具体例としては、トリス−2,4,6−(1−アジリジニル)−1,3,5−トリアジン、トリス〔1−(2−メチル)−アジリジニル〕ホスフィンオキシド、ヘキサ〔1−(2−メチル)−アジリジニル〕トリホスファトリアジン等が用いられる。また、キレート化合物の具体例としては、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス(エチルアセトアセテート)等が挙げられる。   The adhesive can further contain a curing agent, whereby the adhesive force and cohesive force can be set to desired values. Examples of such curing agents include polyvalent isocyanate compounds, polyvalent epoxy compounds, polyvalent aziridine compounds, chelate compounds and the like. Specific examples of the polyvalent isocyanate compound include toluylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate and those adduct types. Specific examples of the polyvalent epoxy compound include ethylene glycol diglycidyl ether, terephthalic acid diglycidyl ester acrylate, and the like. Specific examples of the polyvalent aziridine compound include tris-2,4,6- (1-aziridinyl) -1,3,5-triazine, tris [1- (2-methyl) -aziridinyl] phosphine oxide, hexa [1 -(2-Methyl) -aziridinyl] triphosphatriazine and the like are used. Specific examples of the chelate compound include ethyl acetoacetate aluminum diisopropylate, aluminum tris (ethyl acetoacetate) and the like.

粘着剤にはさらに放射線重合開始剤を含ませることができ、これにより少ない照射量の放射線で短時間に重合硬化させることが可能になる。このような放射線重合開始剤の具体例として、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノンなどが挙げられる。放射線重合開始剤は、通常にはベースポリマー100質量部に対して0.1〜10質量部配合される。   The pressure-sensitive adhesive can further contain a radiation polymerization initiator, which makes it possible to polymerize and cure in a short time with a small amount of radiation. Specific examples of such radiation polymerization initiators include benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyldiphenyl sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, β-chlore. And anthraquinone. The radiation polymerization initiator is usually blended in an amount of 0.1 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the base polymer.

本発明のテープが有する粘着剤層は、上述したような構成をとることにより、放射線照射前には被着体に対して十分な接着力を有し、放射線照射後には接着力が著しく減少する。したがって、本発明のテープは、放射線照射前には、被着体を十分な接着力で密着させ、被着体を確実に固定することができ、放射線照射後には、被着体から容易に剥離することができる。本発明のテープにおける粘着剤層の厚さに特に制限はなく、適用しようとする被着体により適宜設定することができるが、5〜30μmであることが好ましい。   The pressure-sensitive adhesive layer of the tape of the present invention has a structure as described above, so that it has a sufficient adhesive force to the adherend before irradiation, and the adhesive force significantly decreases after irradiation. . Therefore, the tape of the present invention can adhere the adherend with sufficient adhesive force before irradiation, and can securely fix the adherend, and can be easily peeled off from the adherend after irradiation. can do. There is no restriction | limiting in particular in the thickness of the adhesive layer in the tape of this invention, Although it can set suitably with the to-be-adhered body to apply, it is preferable that it is 5-30 micrometers.

以上、本発明にかかる粘着テープの好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されない。   As mentioned above, although preferred embodiment of the adhesive tape concerning this invention was described, this invention is not limited to the example which concerns.

以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
合成例 分子内に放射線硬化性不飽和炭素結合を有するベースポリマーの合成
ブチルアクリレート65質量部、2−ヒドロキシエチルアクリレート25質量部、アクリル酸10質量部を原料として溶液ラジカル重合により共重合体を得た。次にこの共重合体に2−イソシアネートエチルメタクリレートを滴下反応させることで分子内に放射線硬化性不飽和炭素結合を有するアクリル系共重合体を作製した。当該2−イソシアネートエチルメタクリレートの滴下量と重合反応時間を調節することで、このアクリル系共重合体が有する放射線硬化性不飽和炭素結合の量(濃度)を0.5meq/gとした。
EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated further in detail based on an Example, this invention is not limited to this.
Synthesis Example Synthesis of a base polymer having a radiation-curable unsaturated carbon bond in the molecule A copolymer is obtained by solution radical polymerization using 65 parts by mass of butyl acrylate, 25 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, and 10 parts by mass of acrylic acid as raw materials. It was. Next, an acrylic copolymer having a radiation-curable unsaturated carbon bond in the molecule was prepared by allowing 2-isocyanate ethyl methacrylate to drop-react with the copolymer. By adjusting the dropping amount of the 2-isocyanatoethyl methacrylate and the polymerization reaction time, the amount (concentration) of radiation curable unsaturated carbon bonds of the acrylic copolymer was set to 0.5 meq / g.

調製例1 半導体加工用粘着テープの調製−1
70質量%のランダムポリプロピレン(商品名:FW3E 日本ポリケム(株)製)と30質量%の水素添加スチレン・ブタジエンブロック共重合体(商品名:ダイナロン1320P JSR(株)製)からなるベース樹脂100質量部と、ポリエーテルを含む帯電防止樹脂(商品名:ペレスタットVH230 三洋化成工業(株)製)15質量部とからなる帯電防止層形成用の樹脂混合物を調製した。これをランダムポリプロピレン層による複層基材樹脂フィルム上に押出製膜により押出した。帯電防止層の厚みは150μmであり、基材樹脂フィルムと帯電防止層の総厚に対する帯電防止層の厚みの割合は75%であった。
Preparation Example 1 Preparation of Adhesive Tape for Semiconductor Processing-1
100% by mass of a base resin comprising 70% by mass of random polypropylene (trade name: FW3E manufactured by Nippon Polychem Co., Ltd.) and 30% by mass of hydrogenated styrene-butadiene block copolymer (trade name: manufactured by Dynalon 1320P JSR Co., Ltd.) A resin mixture for forming an antistatic layer was prepared, comprising 15 parts by mass of an antistatic resin (trade name: Pelestat VH230, manufactured by Sanyo Chemical Industries, Ltd.) and a polyether. This was extruded by extrusion film forming on a multilayer base resin film of a random polypropylene layer. The thickness of the antistatic layer was 150 μm, and the ratio of the thickness of the antistatic layer to the total thickness of the base resin film and the antistatic layer was 75%.

上記合成例で作製したアクリル系共重合体をベースポリマーとして、硬化剤であるポリイソシアネート化合物(日本ポリウレタン社製、商品名コロネートL)及び放射線重合開始剤であるα−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを表1に示す割合で配合し、粘着剤塗布液Aを調製した。コンマコーターを用いてシリコン離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ25μm)に、上記粘着剤塗布液を線速2m/分で塗工し、110℃に設定した温風乾燥炉を通して厚さ20μmの粘着剤層を作製した。これを上記の基材樹脂フィルム上に積層された帯電防止層に貼り合わせて、離型フィルム付きの帯電防止型半導体加工用粘着テープを作製した。   Table 1 shows polyisocyanate compounds (trade name: Coronate L, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) as a curing agent and α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone as a radiation polymerization initiator using the acrylic copolymer prepared in the above synthesis example as a base polymer. The pressure-sensitive adhesive coating liquid A was prepared by blending at the ratio shown in FIG. The above adhesive coating solution was applied at a linear speed of 2 m / min to a polyethylene terephthalate film (thickness 25 μm) that had been subjected to silicon release using a comma coater, and passed through a hot air drying oven set at 110 ° C. to a thickness of 20 μm. An adhesive layer was prepared. This was stuck to the antistatic layer laminated | stacked on said base resin film, and the adhesive tape for antistatic type semiconductor processing with a release film was produced.

調製例2 半導体加工用粘着テープの調製−2
調製例1のランダムポリプロピレンの配合量を45質量%、水素添加スチレン・ブタジエンブロック共重合体の配合量を55質量%にした以外は調製例1と同様にして、帯電防止型半導体加工用粘着テープを作製した。
Preparation Example 2 Preparation of Adhesive Tape for Semiconductor Processing-2
An antistatic type semiconductor processing pressure-sensitive adhesive tape as in Preparation Example 1, except that the blending amount of the random polypropylene of Preparation Example 1 is 45% by mass and the blending amount of the hydrogenated styrene / butadiene block copolymer is 55% by mass. Was made.

調製例3 半導体加工用粘着テープの調製−3
調製例1のランダムポリプロピレンの配合量を85質量%、水素添加スチレン・ブタジエンブロック共重合体の配合量を15質量%にした以外は調製例1と同様にして、帯電防止半導体加工用粘着テープを作製した。
Preparation Example 3 Preparation of adhesive tape for semiconductor processing-3
An adhesive tape for antistatic semiconductor processing was prepared in the same manner as in Preparation Example 1 except that the blending amount of the random polypropylene of Preparation Example 1 was 85% by mass and the blending amount of the hydrogenated styrene / butadiene block copolymer was 15% by mass. Produced.

調製例4 半導体加工用粘着テープの調製−4
調製例1における粘着剤塗布液Aを、表1に示す組成の粘着剤塗布液Bに代えたこと以外は調製例1と同様にして、帯電防止半導体加工用粘着テープを作製した。
Preparation Example 4 Preparation of Adhesive Tape for Semiconductor Processing-4
An adhesive tape for antistatic semiconductor processing was produced in the same manner as in Preparation Example 1 except that the adhesive coating liquid A in Preparation Example 1 was replaced with the adhesive coating liquid B having the composition shown in Table 1.

調製例5 半導体加工用粘着テープの調製−5
調製例1のポリエーテルを含む帯電防止樹脂の配合量を40質量部にしたこと以外は調製例1と同様にして、帯電防止半導体加工用粘着テープを作製した。
Preparation Example 5 Preparation of adhesive tape for semiconductor processing-5
An adhesive tape for antistatic semiconductor processing was produced in the same manner as in Preparation Example 1 except that the blending amount of the antistatic resin containing the polyether of Preparation Example 1 was 40 parts by mass.

調製例6 半導体加工用粘着テープの調製−6
調製例1における帯電防止層の厚さを、基材樹脂フィルムと帯電防止層の総厚の65%にしたこと以外は調製例1と同様にして、帯電防止半導体加工用粘着テープを作製した。
Preparation Example 6 Preparation of adhesive tape for semiconductor processing-6
An antistatic semiconductor processing pressure-sensitive adhesive tape was prepared in the same manner as in Preparation Example 1 except that the thickness of the antistatic layer in Preparation Example 1 was 65% of the total thickness of the base resin film and the antistatic layer.

参考例1 半導体加工用粘着テープの調製−7
調製例1において基材樹脂フィルムを用いずに帯電防止層を形成させ、基材樹脂フィルムと帯電防止層の総厚に対する帯電防止層の厚さを100%にしたこと以外は調製例1と同様にして、帯電防止半導体加工用粘着テープを作製した。
Reference Example 1 Preparation of adhesive tape for semiconductor processing -7
As in Preparation Example 1, except that the antistatic layer was formed without using the base resin film, and the thickness of the antistatic layer was 100% of the total thickness of the base resin film and the antistatic layer. Thus, an antistatic semiconductor processing pressure-sensitive adhesive tape was produced.

参考例2 半導体加工用粘着テープの調製−8
調製例1における帯電防止層の厚さを、基材樹脂フィルムと帯電防止層の総厚の50%にしたこと以外は調製例1と同様にして、帯電防止半導体加工用粘着テープを作製した。
Reference Example 2 Preparation of adhesive tape for semiconductor processing-8
An antistatic semiconductor processing pressure-sensitive adhesive tape was prepared in the same manner as in Preparation Example 1 except that the thickness of the antistatic layer in Preparation Example 1 was 50% of the total thickness of the base resin film and the antistatic layer.

比較例1 半導体加工用粘着テープの調製−9
調製例1のポリエーテルを含む帯電防止樹脂の配合量を5質量部にしたこと以外は調製例1と同様にして、帯電防止半導体加工用粘着テープを作製した。
Comparative Example 1 Preparation of adhesive tape for semiconductor processing-9
An antistatic semiconductor processing pressure-sensitive adhesive tape was produced in the same manner as in Preparation Example 1, except that the blending amount of the antistatic resin containing the polyether of Preparation Example 1 was 5 parts by mass.

比較例2 半導体加工用粘着テープの調製−10
調製例1におけるポリエーテルを含む帯電防止樹脂の配合量を50質量部にしたこと以外は調製例1と同様にして、帯電防止半導体加工用粘着テープを作製した。
Comparative Example 2 Preparation of adhesive tape for semiconductor processing-10
An antistatic semiconductor processing pressure-sensitive adhesive tape was produced in the same manner as in Preparation Example 1 except that the blending amount of the antistatic resin containing the polyether in Preparation Example 1 was 50 parts by mass.

比較例3 半導体加工用粘着テープの調製−11
調製例1におけるランダムポリプロピレンの配合量を95質量%、水素添加スチレン・ブタジエンブロック共重合体の配合量を5質量%にした以外は調製例1と同様にして、帯電防止半導体加工用粘着テープを作製した。
Comparative Example 3 Preparation of adhesive tape for semiconductor processing-11
In the same manner as in Preparation Example 1, except that the blending amount of random polypropylene in Preparation Example 1 was 95% by mass and the blending amount of hydrogenated styrene / butadiene block copolymer was 5% by mass, an antistatic semiconductor processing adhesive tape was prepared. Produced.

比較例4 半導体加工用粘着テープの調製−12
調製例1におけるランダムポリプロピレンの配合量を35質量%、水素添加スチレン・ブタジエンブロック共重合体の配合量を65質量%にした以外は調製例1と同様にして、帯電防止半導体加工用粘着テープを作製した。
Comparative Example 4 Preparation of adhesive tape for semiconductor processing-12
In the same manner as in Preparation Example 1 except that the blending amount of random polypropylene in Preparation Example 1 was 35% by mass and the blending amount of hydrogenated styrene / butadiene block copolymer was 65% by mass, an antistatic semiconductor processing adhesive tape was prepared. Produced.

比較例 半導体加工用粘着テープの調製−13
調製例1における帯電防止層形成用の樹脂混合物において、ランダムポリプロピレンと水素添加スチレン・ブタジエンブロック共重合体から成るベース樹脂100質量部に代えて亜鉛イオンで金属架橋したアイオノマー樹脂100質量部を用いたこと以外は調製例1と同様にして、帯電防止半導体加工用粘着テープを作製した。
Comparative Example 5 semiconductor processing adhesive tape preparation - 13
In the resin mixture for forming an antistatic layer in Preparation Example 1, instead of 100 parts by mass of a base resin made of random polypropylene and a hydrogenated styrene / butadiene block copolymer, 100 parts by mass of an ionomer resin metal-crosslinked with zinc ions was used. Except for this, an antistatic semiconductor processing adhesive tape was prepared in the same manner as in Preparation Example 1.

Figure 0005607401
Figure 0005607401

上記調製例1〜6、参考例1〜2及び比較例1〜で得られた各粘着テープについて、以下に示す試験により、帯電防止性能、紫外線硬化後のテープ弛み、エキスパンド性、レーザーマークへの糊残りを評価した。
About each adhesive tape obtained by the said preparation examples 1-6, reference examples 1-2, and comparative examples 1-5, it is antistatic performance, tape slack after ultraviolet curing, expandability, and a laser mark by the test shown below. The adhesive residue was evaluated.

試験例1 帯電防止性能の評価
抵抗計を用いて500Vの電圧を印加し、印加後60秒後の電流値を読み取り、ダイシング前(DC前)とダイシング後(DC後)の粘着剤面の表面抵抗率を測定した。ここで、ダイシング前とは紫外線硬化前の状態であり、ダイシング後とは紫外線硬化後の状態である。下記に示す条件でダイシングを行い、高圧水銀灯を用いて500mJ/cmの紫外線を照射することで紫外線硬化を行った。表面抵抗率が1×1013Ω/□(オーム/スクエア)未満である場合を「○」、それ以上の場合を「×」として評価した。結果を表2に示す。
Test Example 1 Evaluation of antistatic performance A voltage of 500 V was applied using an resistance meter, the current value 60 seconds after reading was read, and the surface of the adhesive surface before dicing (before DC) and after dicing (after DC) The resistivity was measured. Here, “before dicing” means a state before ultraviolet curing, and “after dicing” means a state after ultraviolet curing. Dicing was performed under the conditions shown below, and ultraviolet curing was performed by irradiating with 500 mJ / cm 2 ultraviolet rays using a high-pressure mercury lamp. The case where the surface resistivity was less than 1 × 10 13 Ω / □ (ohm / square) was evaluated as “◯”, and the case where the surface resistivity was more than “×” was evaluated. The results are shown in Table 2.

<ダイシング条件>
ダイシング装置:株式会社DISCO製 DFD−6340
ブレード:株式会社DISCO製 NBC−ZH2050 27HEDD
ブレード回転数:40000rpm
切削速度:100mm/s
切削水量:1.5L/min
ダイシングサイズ:1mm角
ブレードハイト:65μm
<Dicing conditions>
Dicing machine: DFD-6340 manufactured by DISCO Corporation
Blade: NBC-ZH2050 27HEDD made by DISCO Corporation
Blade rotation speed: 40000 rpm
Cutting speed: 100 mm / s
Cutting water volume: 1.5 L / min
Dicing size: 1mm square Blade height: 65μm

試験例2 紫外線硬化後のテープ弛みの評価
レーザーマークを有する樹脂封止パッケージのレーザーマークを有する表面と粘着テープとを貼合して下記の条件でダイシングを行った。高圧水銀灯を用いて500mJ/cmの紫外線を照射することで紫外線硬化を行い、テープの外観を観察した。紫外線照射後も伸びや弛みがない場合を「○」、新たな伸びや弛みが生じて部分的なシワが発生した場合を「×」として評価した。結果を表2に示す。
Test Example 2 Evaluation of Tape Looseness after UV Curing The surface having the laser mark of the resin-encapsulated package having the laser mark and the adhesive tape were bonded together and diced under the following conditions. Ultraviolet curing was performed by irradiating with 500 mJ / cm 2 of ultraviolet light using a high-pressure mercury lamp, and the appearance of the tape was observed. The case where there was no elongation or sag after UV irradiation was evaluated as “◯”, and the case where new elongation or sag occurred and partial wrinkles occurred was evaluated as “X”. The results are shown in Table 2.

<ダイシング条件>
ダイシング装置:株式会社DISCO製 DFD−6340
ブレード:株式会社DISCO製 B1A801 SD320N100M42
ブレード回転数:40000rpm
切削速度:100mm/s
切削水量:1.5L/min
ダイシングサイズ:2mm角
ブレードハイト:65μm
<Dicing conditions>
Dicing machine: DFD-6340 manufactured by DISCO Corporation
Blade: DISCO Corporation B1A801 SD320N100M42
Blade rotation speed: 40000 rpm
Cutting speed: 100 mm / s
Cutting water volume: 1.5 L / min
Dicing size: 2mm square Blade height: 65μm

試験例3 エキスパンド性の評価
レーザーマークを有する樹脂封止パッケージのレーザーマークを有する表面と粘着テープとを貼合して試験例2と同様の条件でダイシングを行い、高圧水銀灯を用いて500mJ/cmの紫外線を照射することで紫外線硬化させた。その後、ダイスピッカーCAP−300IIで3mmエキスパンドし、エキスパンドを解除したときのテープの外観を観察した。エキスパンド後も伸びや弛みがない場合を「○」、新たな伸びや弛みが生じて部分的なシワが発生した場合を「×」として評価した。なお、紫外線照射により伸びや弛みが生じるテープについては、エキスパンドの時点で既にテープが弛んでおりエキスパンド性の評価ができないため「−」と表記した。結果を表2に示す。
Test Example 3 Expandability Evaluation Resin-encapsulated package having a laser mark The surface having the laser mark and the adhesive tape are bonded to each other and diced under the same conditions as in Test Example 2, and 500 mJ / cm using a high-pressure mercury lamp. UV curing was performed by irradiating 2 UV rays. Thereafter, the tape was expanded 3 mm with a die picker CAP-300II, and the appearance of the tape when the expansion was released was observed. The case where there was no elongation or sag after expansion was evaluated as “◯”, and the case where new elongation or sag occurred and partial wrinkles occurred was evaluated as “X”. Note that tapes that are stretched or slackened by ultraviolet irradiation are indicated as “-” because the tapes are already loosened at the time of expansion and the expandability cannot be evaluated. The results are shown in Table 2.

試験例4 レーザーマークへの糊残りの評価
レーザーマークを有する樹脂封止パッケージのレーザーマークを有する表面と粘着テープとを貼合して試験例2と同様の条件でダイシングを行い、高圧水銀灯を用いて500mJ/cmの紫外線を照射することで紫外線硬化させた。その後、ダイスピッカーCAP−300IIで5mmエキスパンドし、基材樹脂フィルム下部からニードルで0.5μm突き上げ、真空コレットでピックアップし、樹脂封止パッケージのレーザーマークを光学顕微鏡で観察した。レーザーマークに糊残りがない場合を「○」、糊残りがある場合を「×」とした。結果を表2に示す。
Test Example 4 Evaluation of Adhesive Residue on Laser Mark The surface of the resin-encapsulated package having the laser mark and the adhesive tape are pasted together and diced under the same conditions as in Test Example 2, using a high-pressure mercury lamp. UV curing was performed by irradiating with 500 mJ / cm 2 of UV light. Thereafter, the plate was expanded 5 mm with a die picker CAP-300II, pushed up by 0.5 μm from the bottom of the base resin film, picked up with a vacuum collet, and the laser mark of the resin-sealed package was observed with an optical microscope. The case where there was no adhesive residue on the laser mark was indicated as “◯”, and the case where there was adhesive residue was indicated as “X”. The results are shown in Table 2.

Figure 0005607401
Figure 0005607401

本発明の粘着テープに包含される調製例1〜のテープでは、DC前及びDC後のいずれにおいても帯電防止性能は良好であり、紫外線硬化後のテープ弛みがなく、エキスパンド性に優れ、かつレーザーマークへの糊残りも生じなかった。また。参考例2のテープは今回の試験結果ではダイシング後に十分な帯電防止性能示さなかった。この理由としては、基材樹脂フィルムと帯電防止層の層厚に対する帯電防止層の割合が少ないために、ダイシング後に導電経路が分断されたことが考えられる。より浅い切り込みでのダイシング技術が実用化されることで、参考例2のテープも調製例1〜のテープ同様に、ダイシング後においても優れた帯電防止能を有するものと考えられる。 In the tapes of Preparation Examples 1 to 6 included in the adhesive tape of the present invention, the antistatic performance is good before DC and after DC, there is no tape slack after UV curing, and the expandability is excellent. There was no adhesive residue on the laser mark. Also. The tape of Reference Example 2 did not show sufficient antistatic performance after dicing in the test results of this time. The reason for this is considered that the conductive path was divided after dicing because the ratio of the antistatic layer to the thickness of the base resin film and the antistatic layer was small. Since the dicing technique with a shallower notch is put into practical use, the tape of Reference Example 2 is considered to have excellent antistatic ability even after dicing, like the tapes of Preparation Examples 1 to 6 .

また、比較例1〜のテープは、帯電防止性能、紫外線硬化後のテープ弛み、エキスパンド性又はレーザーマークへの糊残りの評価において劣るものであった。比較例1のテープは帯電防止剤量が少ないため、帯電防止性能が不十分であった。
Moreover, the tapes of Comparative Examples 1 to 5 were inferior in the evaluation of antistatic performance, tape looseness after UV curing, expandability, or adhesive residue on the laser mark. Since the tape of Comparative Example 1 had a small amount of antistatic agent, the antistatic performance was insufficient.

Claims (2)

基材樹脂フィルム上に帯電防止層を有し、前記帯電防止層上に粘着剤層を有する帯電防止型半導体加工用粘着テープであって、
前記帯電防止層は40〜90質量%のポリプロピレンと60〜10質量%のスチレン系エラストマー樹脂とを少なくとも含むベース樹脂を100質量部に対しポリエーテルを含む帯電防止樹脂を10〜45質量部含有する樹脂組成物からなり、
前記帯電防止層の厚さが該基材樹脂フィルムと該帯電防止層の総厚の60%以上であり、
前記帯電防止層上の前記粘着剤層は分子内に放射線硬化性不飽和炭素結合を有するアクリル系共重合体をベースポリマーとして含有する、帯電防止型半導体加工用粘着テープ。
An antistatic semiconductor processing pressure-sensitive adhesive tape having an antistatic layer on a base resin film and having an adhesive layer on the antistatic layer,
The antistatic layer contains 10 to 45 parts by mass of an antistatic resin containing a polyether with respect to 100 parts by mass of a base resin containing at least 40 to 90% by mass of polypropylene and 60 to 10% by mass of a styrene elastomer resin. A resin composition,
The thickness of the antistatic layer is 60% or more of the total thickness of the base resin film and the antistatic layer;
Wherein the pressure-sensitive adhesive layer on the antistatic layer contains as a base polymer an acrylic copolymer having a radiation-curable unsaturated carbon bond in the molecule, antistatic semiconductor processing adhesive tape.
前記の粘着剤層に含有されるベースポリマーが、(メタ)アクリル酸エステル、ヒドロキシル基含有不飽和化合物、カルボキシル基含有不飽和化合物からなる共重合体(A1)と、共重合体(A1)が有する官能基に対して付加反応することが可能な官能基と放射線硬化性不飽和炭素結合とを有する化合物(A2)とを付加反応して得たものである、請求項1に記載の帯電防止型半導体加工用粘着テープ。  The base polymer contained in the pressure-sensitive adhesive layer is a copolymer (A1) composed of (meth) acrylic acid ester, hydroxyl group-containing unsaturated compound, carboxyl group-containing unsaturated compound, and copolymer (A1). The antistatic material according to claim 1, which is obtained by addition reaction of a functional group capable of undergoing an addition reaction with respect to the functional group possessed and a compound (A2) having a radiation-curable unsaturated carbon bond. Type adhesive tape for semiconductor processing.
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JP6187263B2 (en) * 2014-01-07 2017-08-30 三菱ケミカル株式会社 Dicing tape base film and dicing tape
CN109476960A (en) * 2016-07-28 2019-03-15 日东电工株式会社 Enhancing film with isolation film
JP6831725B2 (en) * 2017-03-17 2021-02-17 リンテック株式会社 Adhesive sheet for workpiece processing and its manufacturing method
JP6988263B2 (en) * 2017-08-23 2022-01-05 住友ベークライト株式会社 Temporary fixing tape
KR102175717B1 (en) 2017-12-14 2020-11-06 주식회사 엘지화학 Dicing die-bonding film
KR102565398B1 (en) * 2019-12-17 2023-08-08 가부시끼가이샤 레조낙 Tape for semiconductor processing

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4259050B2 (en) * 2002-07-01 2009-04-30 住友ベークライト株式会社 Adhesive sheet for semiconductor substrate processing
JP5056112B2 (en) * 2007-03-29 2012-10-24 住友ベークライト株式会社 Adhesive tape for processing sheets and semiconductor wafers

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