JP5606313B2 - ウエハの領域全体の半導体パラメータを予測するための装置および方法 - Google Patents
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Description
前記ウエハ上の複数の特定の測定位置にある複数の目標から測定された複数の既知のパラメータ値を準備するステップと、
訓練されたニューラルネットワークが複数の予測パラメータ値を予測するように、前記測定された既知のパラメータ値を用いてニューラルネットワークを訓練することにより、前記特定の測定位置に対応する前記予測パラメータ値の部分集合が、対応する前記測定された既知のパラメータ値の所定の誤差関数の範囲内となるように、ニューラルネットワークを訓練するステップと、
前記ウエハの少なくとも一部分の全体にわたって分配された複数の位置でパラメータ値を予測するために前記訓練されたニューラルネットワークを使用するステップと、
前記訓練されたニューラルネットワークによって予測された前記予測パラメータ値に基づいて前記ウエハの合格または不合格を決定するステップと、を含み、
前記訓練されたニューラルネットワークは、複数種類の入力と、オーバーレイ誤差に関する出力とを有し、フォトリソグラフィープロセスに関連する前記オーバーレイ誤差を予測するものであり、
前記複数種類の入力は、ウェハ座標値と、領域座標値と、ノイズ測定基準及び系統的測定基準を含む目標品質測定基準と、フォトリソグラフィプロセスパラメータ値を含むプロセス測定基準と、を含む、
方法である。
本発明の第2の形態は、ウエハから測定された、又は、ウェハを形成するプロセスから取得された複数の既知のパラメータ値を準備するステップと、
前記既知のパラメータに基づき複数の未知のパラメータ値を予測するために訓練されたニューラルネットワークモデルを使用するステップと、
を備え、
前記訓練されたニューラルネットワークは、複数種類の入力と、オーバーレイ誤差に関する出力とを有し、フォトリソグラフィープロセスに関連する前記オーバーレイ誤差を予測するものであり、
前記複数種類の入力は、ウェハ座標値と、領域座標値と、ノイズ測定基準及び系統的測定基準を含む目標品質測定基準と、フォトリソグラフィプロセスパラメータ値を含むプロセス測定基準と、を含む、方法である。
本発明の第3の形態は、ウエハの少なくとも一部分の全体にわたって分配された複数のパラメータ値を予測する装置であって、
1つ以上のプロセッサと、
1つ以上のメモリと、を備え、
前記プロセッサの少なくとも1つ及びメモリは、
前記ウエハ上の複数の特定の測定位置の複数の目標から測定された複数の既知のパラメータ値を準備し、
訓練されたニューラルネットワークが複数の予測パラメータ値を予測するように、前記測定された既知のパラメータ値を用いてニューラルネットワークを訓練することにより、前記特定の測定位置に対応する前記予測パラメータ値の部分集合が、対応する前記測定された既知のパラメータ値の所定の誤差関数の範囲内となるように、ニューラルネットワークを訓練し、
前記ウエハの少なくとも一部分の全体にわたって分配された複数の位置でパラメータ値を予測するために、前記訓練されたニューラルネットワークを使用し、
前記訓練されたニューラルネットワークによって予測された予測パラメータ値に基づき、前記ウエハの合格または不合格を決定するように構成されており、
前記訓練されたニューラルネットワークは、複数種類の入力と、オーバーレイ誤差に関する出力とを有し、フォトリソグラフィープロセスに関連する前記オーバーレイ誤差を予測するものであり、
前記複数種類の入力は、ウェハ座標値と、領域座標値と、ノイズ測定基準及び系統的測定基準を含む目標品質測定基準と、フォトリソグラフィプロセスパラメータ値を含むプロセス測定基準と、を含む、装置である。
本発明の第4の形態は、1つ以上のプロセッサと、
1つ以上のメモリと、を備え、
前記プロセッサの少なくとも1つ及びメモリは、
ウエハから測定された、又は、ウェハを形成するプロセスから取得された複数の既知のパラメータ値を準備し、
前記既知のパラメータに基づき複数の未知のパラメータ値を予測するために訓練されたニューラルネットワークモデルを使用する
ように構成されており、
前記訓練されたニューラルネットワークは、複数種類の入力と、オーバーレイ誤差に関する出力とを有し、フォトリソグラフィープロセスに関連する前記オーバーレイ誤差を予測するものであり、
前記複数種類の入力は、ウェハ座標値と、領域座標値と、ノイズ測定基準及び系統的測定基準を含む目標品質測定基準と、フォトリソグラフィプロセスパラメータ値を含むプロセス測定基準と、を含む、装置である。
1つの実施形態において、方法は、ニューラルネットワークを複数のパラメータ値を予測するように訓練することに関する。他の実施態様において、予側プロセスは、フォトリソグラフィー・ツールの光学的特性に依存しない。この予測は、ウエハのロットの処分を決定するために用いることができる。
本発明は、以下の適用例としても実現可能である。
[適用例1]
ウエハの少なくとも一部分の全体にわたって分配された複数のパラメータ値を予測する方法であって、
前記ウエハ上の複数の特定の測定位置にある複数の目標から測定された複数の既知のパラメータ値を準備するステップと、
訓練されたニューラルネットワークが複数の予測パラメータ値を予測するように、前記測定された既知のパラメータ値を用いてニューラルネットワークを訓練することにより、前記特定の測定位置に対応する前記予測パラメータ値の部分集合が、対応する前記測定された既知のパラメータ値の所定の誤差関数の範囲内となるように、ニューラルネットワークを訓練するステップと、
前記ウエハの少なくとも一部分の全体にわたって分配された前記複数の位置で前記予測パラメータ値を予測するために前記訓練されたニューラルネットワークを使用するステップと、
前記訓練されたニューラルネットワークによって予測された前記予測パラメータ値に基づいて前記ウエハの合格または不合格を決定するステップと、を含む方法。
[適用例2]
適用例1に記載の方法であって、
前記予測パラメータ値は、前記ウエハ全体にわたって、または、前記ウエハの1つの領域全体にわたって分配される、方法。
[適用例3]
適用例1または2に記載の方法であって、
前記予測パラメータ値は、複数のオーバレイ誤差値を含む、方法。
[適用例4]
適用例1または2に記載の方法であって、
前記予測パラメータ値は、複数のクリティカル寸法値を含む、方法。
[適用例5]
適用例1〜4のいずれか1項に記載の方法であって、
前記ニューラルネットワークの訓練ステップ及び前記訓練されたニューラルネットワークの使用ステップは、前記ニューラルネットワーク及び前記訓練されたニューラルネットワークに、前記ウエハの前記目標の少なくとも1つにおける少なくとも1つの目標測定基準を入力するステップを含む、方法。
[適用例6]
適用例5に記載の方法であって、
前記少なくとも1つの目標測定基準は、前記ウエハの前記少なくとも1つの目標におけるバックグラウンド特性を数値化する少なくとも1つのノイズ測定基準を含む、方法。
[適用例7]
適用例5または6に記載の方法であって、
前記少なくとも1つの目標測定基準は、前記ウエハの前記少なくとも1つの目標における系統的測定基準を含む、方法。
[適用例8]
適用例1〜7のいずれか1項に記載の方法であって、
前記ニューラルネットワークの訓練ステップ及び前記訓練されたニューラルネットワークの使用ステップは、前記ニューラルネットワーク及び前記訓練されたニューラルネットワークに、フォトリソグラフィー・ツールからの配列測定基準を入力するステップを含む、方法。
[適用例9]
適用例1〜8のいずれか1項に記載の方法であって、
前記ニューラルネットワークの訓練ステップ及び前記訓練されたニューラルネットワークの使用ステップは、前記ニューラルネットワーク及び前記訓練されたニューラルネットワークに、前記ウエハの特性を特徴づける少なくとも1つのプロセス測定基準を入力するステップを含む、方法。
[適用例10]
ウエハの少なくとも一部分の全体にわたって分配された複数のパラメータ値を予測する方法であって、
前記ウエハ上の複数の特定の測定位置の複数の目標から測定された複数の既知のパラメータ値を準備するステップと、
前記ウエハの少なくとも一部分の全体にわたって分配された複数の位置で複数の未知のパラメータ値を予測するステップと、
を備え、
前記予測の処理は、フォトリソグラフィー・ツールの光学的特性に依存することのない既知のパラメータ値に基づいて行われる、方法。
[適用例11]
適用例10に記載の方法であって、
前記予測の処理は、前記フォトリソグラフィー・ツールのモデルを使用しないで実行される、方法。
[適用例12]
適用例10または11に記載の方法であって、
前記光学的特性は、レンズ収差特性を含む、方法。
[適用例13]
ウエハの少なくとも一部分の全体にわたって分配された複数のパラメータ値を予測する装置であって、
1つ以上のプロセッサと、
1つ以上のメモリと、を備え、
前記プロセッサの少なくとも1つ及びメモリは、
前記ウエハ上の複数の特定の測定位置の複数の目標から測定された複数の既知のパラメータ値を準備し、
訓練されたニューラルネットワークが複数の予測パラメータ値を予測するように、前記測定された既知のパラメータ値を用いてニューラルネットワークを訓練することにより、前記特定の測定位置に対応する前記予測パラメータ値の部分集合が、対応する前記測定された既知のパラメータ値の所定の誤差関数の範囲内となるように、ニューラルネットワークを訓練し、
前記ウエハの少なくとも一部分の全体にわたって分配された前記複数の位置で前記予測パラメータ値を予測するために、前記訓練されたニューラルネットワークを使用し、
前記訓練されたニューラルネットワークによって予測された前記予測パラメータ値に基づき、前記ウエハの合格または不合格を決定するように構成されている、装置。
[適用例14]
適用例13に記載の装置であって、
前記予測パラメータ値は、前記ウエハ全体にわたって、または、前記ウエハの1つの領域全体にわたって分配されている、装置。
[適用例15]
適用例13または14に記載の装置であって、
前記予測パラメータ値は、複数のオーバレイ誤差値を含む、装置。
[適用例16]
適用例13または14に記載の装置であって、
前記予測パラメータ値は、複数のクリティカル寸法値を含む、装置。
[適用例17]
適用例13〜16のいずれか1項に記載の装置であって、
前記ニューラルネットワークの訓練及び前記訓練されたニューラルネットワークの使用は、前記ニューラルネットワーク及び前記訓練されたニューラルネットワークに、前記ウエハの前記目標の少なくとも1つにおける少なくとも1つの目標測定基準を入力するステップを含む、装置。
[適用例18]
適用例17に記載の装置であって、
前記少なくとも1つの目標測定基準は、前記ウエハの前記少なくとも1つの目標におけるバックグラウンド特性を数値化するノイズ測定基準を含む、装置。
[適用例19]
適用例17または18に記載の装置であって、
前記少なくとも1つの目標測定基準は、前記ウエハの前記少なくとも1つの目標における系統的測定基準を含む、装置。
[適用例20]
適用例13〜19のいずれか1項に記載の装置であって、
前記ニューラルネットワークの訓練及び前記訓練されたニューラルネットワークの使用は、前記ニューラルネットワーク及び前記訓練されたニューラルネットワークに、フォトリソグラフィー・ツールからの配列測定基準を入力することを含む、装置。
[適用例21]
適用例13〜20のいずれか1項に記載の装置であって、
前記ニューラルネットワークの訓練及び前記訓練されたニューラルネットワークの使用は、前記ニューラルネットワーク及び前記訓練されたニューラルネットワークに、前記ウエハの特性を特徴づける少なくとも1つのプロセス測定基準を入力することを含む、装置。
[適用例22]
ウエハの少なくとも一部分の全体にわたって分配された複数のパラメータ値を予測する装置であって、
1つ以上のプロセッサと、
1つ以上のメモリと、を備え、
前記プロセッサの少なくとも1つ及びメモリは、
前記ウエハ上の複数の特定の測定位置の複数の目標から測定された複数の既知のパラメータ値を準備し、
前記ウエハの少なくとも一部分の全体にわたり分配された複数の位置における複数の未知のパラメータ値を予測し、
前記予測の処理は、フォトリソグラフィー・ツールの光学的特性に依存することのない前記既知のパラメータ値に基づいて行われる、
ように構成されている、装置。
[適用例23]
適用例22に記載の装置であって、
前記予測の処理は、前記フォトリソグラフィー・ツールのモデルを使用しないで実行される、装置。
[適用例24]
適用例22または23に記載の装置であって、
前記光学的特性は、レンズ収差特性を含む、装置。
非対称性(最終)=[非対称性(0°)−非対称性(180°)]/2
Claims (26)
- ウエハの少なくとも一部分の全体にわたって分配された複数のパラメータ値を予測する方法であって、
前記ウエハ上の複数の特定の測定位置にある複数の目標から測定された複数の既知のパラメータ値を準備するステップと、
訓練されたニューラルネットワークが複数の予測パラメータ値を予測するように、前記測定された既知のパラメータ値を用いてニューラルネットワークを訓練することにより、前記特定の測定位置に対応する前記予測パラメータ値の部分集合が、対応する前記測定された既知のパラメータ値の所定の誤差関数の範囲内となるように、ニューラルネットワークを訓練するステップと、
前記ウエハの少なくとも一部分の全体にわたって分配された複数の位置でパラメータ値を予測するために前記訓練されたニューラルネットワークを使用するステップと、
前記訓練されたニューラルネットワークによって予測された前記予測パラメータ値に基づいて前記ウエハの合格または不合格を決定するステップと、を含み、
前記訓練されたニューラルネットワークは、複数種類の入力と、オーバーレイ誤差に関する出力とを有し、フォトリソグラフィープロセスに関連する前記オーバーレイ誤差を予測するものであり、
前記複数種類の入力は、ウェハ座標値と、領域座標値と、ノイズ測定基準及び系統的測定基準を含む目標品質測定基準と、フォトリソグラフィプロセスパラメータ値を含むプロセス測定基準と、を含む、
方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記予測パラメータ値は、前記ウエハ全体にわたって、または、前記ウエハの1つの領域全体にわたって分配される、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記予測パラメータ値は、複数のオーバレイ誤差値を含む、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記ニューラルネットワークの訓練ステップ及び前記訓練されたニューラルネットワークの使用ステップは、前記ニューラルネットワーク及び前記訓練されたニューラルネットワークに、前記ウエハの前記目標の少なくとも1つにおける少なくとも1つの目標品質測定基準を入力するステップを含む、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記ニューラルネットワークの訓練ステップ及び前記訓練されたニューラルネットワークの使用ステップは、前記ニューラルネットワーク及び前記訓練されたニューラルネットワークに、前記ウエハの前記少なくとも1つの目標のバックグラウンド特性を数値化する少なくとも1つのノイズ測定基準、前記ウエハの前記少なくとも1つの目標の少なくとも1つの系統的測定基準、フォトリソグラフィー・ツールからの配列測定基準、及び前記ウエハの特性を特徴づける少なくとも1つのプロセス測定基準を入力するステップを含む、方法。 - ウエハから測定された、又は、ウェハを形成するプロセスから取得された複数の既知のパラメータ値を準備するステップと、
前記既知のパラメータに基づき複数の未知のパラメータ値を予測するために訓練されたニューラルネットワークモデルを使用するステップと、
を備え、
前記訓練されたニューラルネットワークは、複数種類の入力と、オーバーレイ誤差に関する出力とを有し、フォトリソグラフィープロセスに関連する前記オーバーレイ誤差を予測するものであり、
前記複数種類の入力は、ウェハ座標値と、領域座標値と、ノイズ測定基準及び系統的測定基準を含む目標品質測定基準と、フォトリソグラフィプロセスパラメータ値を含むプロセス測定基準と、を含む、
方法。 - 請求項6に記載の方法であって、
前記訓練されたニューラルネットワークモデルを使用するステップは、フォトリソグラフィー・ツールのモデルを使用することなく、かつ、フォトリソグラフィー・ツールの光学的特性に依存することなく実行される、方法。 - 請求項7に記載の方法であって、
前記光学的特性は、レンズ収差特性を含む、方法。 - ウエハの少なくとも一部分の全体にわたって分配された複数のパラメータ値を予測する装置であって、
1つ以上のプロセッサと、
1つ以上のメモリと、を備え、
前記プロセッサの少なくとも1つ及びメモリは、
前記ウエハ上の複数の特定の測定位置の複数の目標から測定された複数の既知のパラメータ値を準備し、
訓練されたニューラルネットワークが複数の予測パラメータ値を予測するように、前記測定された既知のパラメータ値を用いてニューラルネットワークを訓練することにより、前記特定の測定位置に対応する前記予測パラメータ値の部分集合が、対応する前記測定された既知のパラメータ値の所定の誤差関数の範囲内となるように、ニューラルネットワークを訓練し、
前記ウエハの少なくとも一部分の全体にわたって分配された複数の位置でパラメータ値を予測するために、前記訓練されたニューラルネットワークを使用し、
前記訓練されたニューラルネットワークによって予測された予測パラメータ値に基づき、前記ウエハの合格または不合格を決定するように構成されており、
前記訓練されたニューラルネットワークは、複数種類の入力と、オーバーレイ誤差に関する出力とを有し、フォトリソグラフィープロセスに関連する前記オーバーレイ誤差を予測するものであり、
前記複数種類の入力は、ウェハ座標値と、領域座標値と、ノイズ測定基準及び系統的測定基準を含む目標品質測定基準と、フォトリソグラフィプロセスパラメータ値を含むプロセス測定基準と、を含む、
装置。 - 請求項9に記載の装置であって、
前記予測パラメータ値は、前記ウエハ全体にわたって、または、前記ウエハの1つの領域全体にわたって分配されている、装置。 - 請求項9に記載の装置であって、
前記予測パラメータ値は、複数のオーバレイ誤差値を含む、装置。 - 請求項9に記載の装置であって、
前記ニューラルネットワークの訓練及び前記訓練されたニューラルネットワークの使用は、前記ニューラルネットワーク及び前記訓練されたニューラルネットワークに、前記ウエハの前記目標の少なくとも1つにおける少なくとも1つの目標品質測定基準を入力するステップを含む、装置。 - 請求項9に記載の装置であって、
前記ニューラルネットワークの訓練及び前記訓練されたニューラルネットワークの使用は、前記ニューラルネットワーク及び前記訓練されたニューラルネットワークに、前記ウエハの前記少なくとも1つの目標におけるバックグラウンド特性を数値化するノイズ測定基準、前記ウエハの前記少なくとも1つの目標における系統的測定基準、フォトリソグラフィー・ツールからの配列測定基準、及び前記ウエハの特性を特徴づける少なくとも1つのプロセス測定基準を入力することを含む、装置。 - 1つ以上のプロセッサと、
1つ以上のメモリと、を備え、
前記プロセッサの少なくとも1つ及びメモリは、
ウエハから測定された、又は、ウェハを形成するプロセスから取得された複数の既知のパラメータ値を準備し、
前記既知のパラメータに基づき複数の未知のパラメータ値を予測するために訓練されたニューラルネットワークモデルを使用する
ように構成されており、
前記訓練されたニューラルネットワークは、複数種類の入力と、オーバーレイ誤差に関する出力とを有し、フォトリソグラフィープロセスに関連する前記オーバーレイ誤差を予測するものであり、
前記複数種類の入力は、ウェハ座標値と、領域座標値と、ノイズ測定基準及び系統的測定基準を含む目標品質測定基準と、フォトリソグラフィプロセスパラメータ値を含むプロセス測定基準と、を含む、
装置。 - 請求項14に記載の装置であって、
前記訓練されたニューラルネットワークモデルの使用は、前記フォトリソグラフィー・ツールのモデルを使用することなく、かつ、フォトリソグラフィー・ツールの光学的特性に依存することなく実行される、装置。 - 請求項14に記載の装置であって、
前記光学的特性は、レンズ収差特性を含む、装置。 - 請求項14に記載の装置であって、
前記既知のパラメータ値は、ウエハを形成するプロセスから取得される、装置。 - 請求項17に記載の装置であって、
前記既知のパラメータ値は、ウエハを形成するフォトリソグラフィー・ツールの値のうちの、露光後ベーク(PEB)温度、PEB時間、底面の反射防止コーティング(BARC)厚み、現像時間、施用量、焦点または走査方向の1つ以上の値を含む、装置。 - 請求項14に記載の装置であって、
前記既知のパラメータ値は、前記ウエハの特性を特徴づける値である、装置。 - 請求項19に記載の装置であって、
前記既知のパラメータ値は、クリティカル寸法、サイドウォール角度、フォトレジスト厚み、またはウエハ平面度のうちの1つ以上の値を含む、装置。 - 請求項19に記載の装置であって、
前記未知のパラメータ値は、オーバレイ誤差値を含む、装置。 - 請求項6に記載の方法であって、
前記既知のパラメータ値は、ウエハを形成するプロセスから取得される、方法。 - 請求項22に記載の方法であって、
前記既知のパラメータ値は、ウエハを形成するフォトリソグラフィー・ツールの値のうちの、露光後ベーク(PEB)温度、PEB時間、底面の反射防止コーティング(BARC)厚み、現像時間、施用量、焦点または走査方向の1つ以上の値を含む、方法。 - 請求項6に記載の方法であって、
前記既知のパラメータ値は、前記ウエハの特性を特徴づける値である、方法。 - 請求項24に記載の方法であって、
前記既知のパラメータ値は、クリティカル寸法、サイドウォール角度、フォトレジスト厚み、またはウエハ平面度のうちの1つ以上の値を含む、方法。 - 請求項6に記載の方法であって、
前記未知のパラメータ値は、オーバレイ誤差値を含む、方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US96929107P | 2007-08-31 | 2007-08-31 | |
US60/969,291 | 2007-08-31 | ||
US11/955,262 | 2007-12-12 | ||
US11/955,262 US7873585B2 (en) | 2007-08-31 | 2007-12-12 | Apparatus and methods for predicting a semiconductor parameter across an area of a wafer |
PCT/US2008/074872 WO2009029851A2 (en) | 2007-08-31 | 2008-08-29 | Apparatus and methods for predicting a semiconductor parameter across an area of a wafer |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010538474A JP2010538474A (ja) | 2010-12-09 |
JP2010538474A5 JP2010538474A5 (ja) | 2011-09-22 |
JP5606313B2 true JP5606313B2 (ja) | 2014-10-15 |
Family
ID=40388146
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010523167A Active JP5606313B2 (ja) | 2007-08-31 | 2008-08-29 | ウエハの領域全体の半導体パラメータを予測するための装置および方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7873585B2 (ja) |
EP (1) | EP2188832B1 (ja) |
JP (1) | JP5606313B2 (ja) |
KR (1) | KR101381304B1 (ja) |
CN (1) | CN101939833B (ja) |
IL (1) | IL204014A (ja) |
WO (1) | WO2009029851A2 (ja) |
Families Citing this family (94)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI364061B (en) * | 2008-08-20 | 2012-05-11 | Inotera Memories Inc | The method for forecasting wafer overlay error and critical dimension |
NL2005459A (en) * | 2009-12-08 | 2011-06-09 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, and corresponding lithographic apparatus. |
US8148682B2 (en) * | 2009-12-29 | 2012-04-03 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for pattern position and overlay measurement |
US9430606B2 (en) | 2010-01-30 | 2016-08-30 | Synopsys, Inc. | Failure analysis and inline defect characterization |
US8826209B2 (en) | 2011-06-30 | 2014-09-02 | Synopsys, Inc. | Automated inline defect characterization |
US9620426B2 (en) * | 2010-02-18 | 2017-04-11 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for providing process tool correctables using an optimized sampling scheme with smart interpolation |
US9606453B2 (en) | 2010-09-30 | 2017-03-28 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for providing tool induced shift using a sub-sampling scheme |
US8489529B2 (en) * | 2011-03-31 | 2013-07-16 | Microsoft Corporation | Deep convex network with joint use of nonlinear random projection, Restricted Boltzmann Machine and batch-based parallelizable optimization |
CN110441272A (zh) * | 2011-06-24 | 2019-11-12 | 科磊股份有限公司 | 使用光致发光成像检验发光半导体装置的方法和设备 |
US9087367B2 (en) | 2011-09-13 | 2015-07-21 | Kla-Tencor Corp. | Determining design coordinates for wafer defects |
US11568331B2 (en) | 2011-09-26 | 2023-01-31 | Open Text Corporation | Methods and systems for providing automated predictive analysis |
TWI627546B (zh) | 2013-06-29 | 2018-06-21 | 新納普系統股份有限公司 | 故障分析期間之晶片截面識別和呈現 |
KR102102020B1 (ko) * | 2013-08-09 | 2020-04-17 | 케이엘에이 코포레이션 | 향상된 검출 감도를 위한 멀티 스팟 조명 |
US9255962B2 (en) * | 2013-08-15 | 2016-02-09 | GlobalFoundries, Inc. | Determining intra-die variation of an integrated circuit |
NL2013417A (en) | 2013-10-02 | 2015-04-07 | Asml Netherlands Bv | Methods & apparatus for obtaining diagnostic information relating to an industrial process. |
US9454635B2 (en) | 2014-01-25 | 2016-09-27 | Synopsys, Inc. | Virtual layer generation during failure analysis |
US10152654B2 (en) * | 2014-02-20 | 2018-12-11 | Kla-Tencor Corporation | Signal response metrology for image based overlay measurements |
US10466596B2 (en) | 2014-02-21 | 2019-11-05 | Kla-Tencor Corporation | System and method for field-by-field overlay process control using measured and estimated field parameters |
US9087176B1 (en) * | 2014-03-06 | 2015-07-21 | Kla-Tencor Corporation | Statistical overlay error prediction for feed forward and feedback correction of overlay errors, root cause analysis and process control |
US10576603B2 (en) * | 2014-04-22 | 2020-03-03 | Kla-Tencor Corporation | Patterned wafer geometry measurements for semiconductor process controls |
US10352876B2 (en) * | 2014-05-09 | 2019-07-16 | KLA—Tencor Corporation | Signal response metrology for scatterometry based overlay measurements |
US10474781B2 (en) | 2014-05-24 | 2019-11-12 | Synopsys, Inc. | Virtual hierarchical layer usage |
US10210606B2 (en) * | 2014-10-14 | 2019-02-19 | Kla-Tencor Corporation | Signal response metrology for image based and scatterometry overlay measurements |
US10430719B2 (en) | 2014-11-25 | 2019-10-01 | Stream Mosaic, Inc. | Process control techniques for semiconductor manufacturing processes |
US20160148850A1 (en) | 2014-11-25 | 2016-05-26 | Stream Mosaic, Inc. | Process control techniques for semiconductor manufacturing processes |
US10024654B2 (en) | 2015-04-06 | 2018-07-17 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for determining in-plane distortions in a substrate |
US9779202B2 (en) * | 2015-06-22 | 2017-10-03 | Kla-Tencor Corporation | Process-induced asymmetry detection, quantification, and control using patterned wafer geometry measurements |
EP3171396A1 (en) * | 2015-11-18 | 2017-05-24 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Method of determining an overlay error, manufacturing method and system for manufacturing of a multilayer semiconductor device, and semiconductor device manufactured thereby |
WO2017148759A1 (en) * | 2016-03-04 | 2017-09-08 | Asml Netherlands B.V. | Method for characterizing distortions in a lithographic process, lithographic apparatus, lithographic cell and computer program |
JP6821700B2 (ja) | 2016-04-22 | 2021-01-27 | ケーエルエー コーポレイション | 小スポットサイズ透過型小角x線スキャタロメトリ用ビーム整形スリット |
JP6608344B2 (ja) * | 2016-09-21 | 2019-11-20 | 株式会社日立製作所 | 探索装置および探索方法 |
US10775323B2 (en) | 2016-10-18 | 2020-09-15 | Kla-Tencor Corporation | Full beam metrology for X-ray scatterometry systems |
US10481111B2 (en) | 2016-10-21 | 2019-11-19 | Kla-Tencor Corporation | Calibration of a small angle X-ray scatterometry based metrology system |
US10031997B1 (en) | 2016-11-29 | 2018-07-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Forecasting wafer defects using frequency domain analysis |
DE102016225899A1 (de) * | 2016-12-21 | 2018-06-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Modifizieren von Abbildungseigenschaften eines optischen Systems für die Mikrolithographie |
US10859518B2 (en) | 2017-01-03 | 2020-12-08 | Kla-Tencor Corporation | X-ray zoom lens for small angle x-ray scatterometry |
US10921369B2 (en) | 2017-01-05 | 2021-02-16 | Xcalipr Corporation | High precision optical characterization of carrier transport properties in semiconductors |
US10409171B2 (en) * | 2017-01-25 | 2019-09-10 | Kla-Tencor Corporation | Overlay control with non-zero offset prediction |
US10732516B2 (en) * | 2017-03-01 | 2020-08-04 | Kla Tencor Corporation | Process robust overlay metrology based on optical scatterometry |
US10767978B2 (en) | 2017-04-14 | 2020-09-08 | Kla-Tencor Corporation | Transmission small-angle X-ray scattering metrology system |
US11073487B2 (en) | 2017-05-11 | 2021-07-27 | Kla-Tencor Corporation | Methods and systems for characterization of an x-ray beam with high spatial resolution |
US10727142B2 (en) | 2017-05-30 | 2020-07-28 | Kla-Tencor Corporation | Process monitoring of deep structures with X-ray scatterometry |
US11029673B2 (en) | 2017-06-13 | 2021-06-08 | Pdf Solutions, Inc. | Generating robust machine learning predictions for semiconductor manufacturing processes |
WO2019006222A1 (en) * | 2017-06-30 | 2019-01-03 | Kla-Tencor Corporation | SYSTEMS AND METHODS FOR PREDICTING DEFECTS AND CRITICAL DIMENSION USING DEEP LEARNING IN A SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS |
US11275361B2 (en) | 2017-06-30 | 2022-03-15 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for predicting defects and critical dimension using deep learning in the semiconductor manufacturing process |
US11333621B2 (en) | 2017-07-11 | 2022-05-17 | Kla-Tencor Corporation | Methods and systems for semiconductor metrology based on polychromatic soft X-Ray diffraction |
EP3435162A1 (en) * | 2017-07-28 | 2019-01-30 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus and computer program |
US10983227B2 (en) | 2017-08-14 | 2021-04-20 | Kla-Tencor Corporation | On-device metrology using target decomposition |
US11022642B2 (en) | 2017-08-25 | 2021-06-01 | Pdf Solutions, Inc. | Semiconductor yield prediction |
US11317500B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-26 | Kla-Tencor Corporation | Bright and clean x-ray source for x-ray based metrology |
US10748736B2 (en) | 2017-10-18 | 2020-08-18 | Kla-Tencor Corporation | Liquid metal rotating anode X-ray source for semiconductor metrology |
US11380594B2 (en) * | 2017-11-15 | 2022-07-05 | Kla-Tencor Corporation | Automatic optimization of measurement accuracy through advanced machine learning techniques |
US10580673B2 (en) * | 2018-01-05 | 2020-03-03 | Kla Corporation | Semiconductor metrology and defect classification using electron microscopy |
US10959318B2 (en) | 2018-01-10 | 2021-03-23 | Kla-Tencor Corporation | X-ray metrology system with broadband laser produced plasma illuminator |
US11029359B2 (en) | 2018-03-09 | 2021-06-08 | Pdf Solutions, Inc. | Failure detection and classsification using sensor data and/or measurement data |
US11775714B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-10-03 | Pdf Solutions, Inc. | Rational decision-making tool for semiconductor processes |
US10777470B2 (en) | 2018-03-27 | 2020-09-15 | Pdf Solutions, Inc. | Selective inclusion/exclusion of semiconductor chips in accelerated failure tests |
US10816486B2 (en) | 2018-03-28 | 2020-10-27 | Kla-Tencor Corporation | Multilayer targets for calibration and alignment of X-ray based measurement systems |
KR102092379B1 (ko) * | 2018-04-13 | 2020-03-23 | 김대희 | 반도체 웨이퍼 검사방법, 이의 검사장치 및 기록매체 |
DE102018207882A1 (de) * | 2018-05-18 | 2019-11-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Analyse eines Elements eines Photolithographieprozesses mit Hilfe eines Transformationsmodells |
WO2019233738A1 (en) * | 2018-06-08 | 2019-12-12 | Asml Netherlands B.V. | Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate |
EP3579052A1 (en) * | 2018-06-08 | 2019-12-11 | ASML Netherlands B.V. | Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate |
US10657420B2 (en) | 2018-07-17 | 2020-05-19 | International Business Machines Corporation | Modeling post-lithography stochastic critical dimension variation with multi-task neural networks |
US10872403B2 (en) * | 2018-08-10 | 2020-12-22 | Micron Technology, Inc. | System for predicting properties of structures, imager system, and related methods |
JP6830464B2 (ja) * | 2018-09-26 | 2021-02-17 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体。 |
EP3637186A1 (en) * | 2018-10-09 | 2020-04-15 | ASML Netherlands B.V. | Method of calibrating a plurality of metrology apparatuses, method of determining a parameter of interest, and metrology apparatus |
KR20230130767A (ko) * | 2018-11-07 | 2023-09-12 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 공정에 대한 보정 결정 |
EP3650939A1 (en) * | 2018-11-07 | 2020-05-13 | ASML Netherlands B.V. | Predicting a value of a semiconductor manufacturing process parameter |
EP3650940A1 (en) * | 2018-11-09 | 2020-05-13 | ASML Netherlands B.V. | A method in the manufacturing process of a device, a non-transitory computer-readable medium and a system configured to perform the method |
US11410290B2 (en) * | 2019-01-02 | 2022-08-09 | Kla Corporation | Machine learning for metrology measurements |
US11101153B2 (en) * | 2019-03-21 | 2021-08-24 | Kla Corporation | Parameter-stable misregistration measurement amelioration in semiconductor devices |
KR102648599B1 (ko) * | 2019-04-09 | 2024-03-15 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 설비 위치들 사이에서 예측 모델을 조절하기 위한 시스템 및 방법 |
US11990380B2 (en) | 2019-04-19 | 2024-05-21 | Kla Corporation | Methods and systems for combining x-ray metrology data sets to improve parameter estimation |
US11640117B2 (en) | 2019-06-25 | 2023-05-02 | Kla Corporation | Selection of regions of interest for measurement of misregistration and amelioration thereof |
JP7258210B2 (ja) * | 2019-07-10 | 2023-04-14 | ケーエルエー コーポレイション | データ駆動型ミスレジストレーションパラメータ設定および測定システムおよび方法 |
KR20210010284A (ko) * | 2019-07-18 | 2021-01-27 | 삼성전자주식회사 | 인공지능 모델의 개인화 방법 및 장치 |
US20220277434A1 (en) | 2019-08-30 | 2022-09-01 | Hitachi High-Tech Corporation | Measurement System, Method for Generating Learning Model to Be Used When Performing Image Measurement of Semiconductor Including Predetermined Structure, and Recording Medium for Storing Program for Causing Computer to Execute Processing for Generating Learning Model to Be Used When Performing Image Measurement of Semiconductor Including Predetermined Structure |
US20210103221A1 (en) * | 2019-10-08 | 2021-04-08 | International Business Machines Corporation | Tool control using multistage lstm for predicting on-wafer measurements |
US11259394B2 (en) | 2019-11-01 | 2022-02-22 | Kla Corporation | Laser produced plasma illuminator with liquid sheet jet target |
US11272607B2 (en) | 2019-11-01 | 2022-03-08 | Kla Corporation | Laser produced plasma illuminator with low atomic number cryogenic target |
US11610297B2 (en) | 2019-12-02 | 2023-03-21 | Kla Corporation | Tomography based semiconductor measurements using simplified models |
US11520321B2 (en) | 2019-12-02 | 2022-12-06 | Kla Corporation | Measurement recipe optimization based on probabilistic domain knowledge and physical realization |
US11256967B2 (en) * | 2020-01-27 | 2022-02-22 | Kla Corporation | Characterization system and method with guided defect discovery |
US11719652B2 (en) | 2020-02-04 | 2023-08-08 | Kla Corporation | Semiconductor metrology and inspection based on an x-ray source with an electron emitter array |
US11513085B2 (en) | 2020-02-20 | 2022-11-29 | Kla Corporation | Measurement and control of wafer tilt for x-ray based metrology |
US11143604B1 (en) | 2020-04-06 | 2021-10-12 | Kla Corporation | Soft x-ray optics with improved filtering |
US11530913B2 (en) | 2020-09-24 | 2022-12-20 | Kla Corporation | Methods and systems for determining quality of semiconductor measurements |
JP2021005109A (ja) * | 2020-10-01 | 2021-01-14 | 株式会社ニコン | 評価装置及び評価方法、表示装置及び表示方法、露光装置及び露光方法、露光システム、デバイス製造装置、並びに、コンピュータプログラム |
KR102620434B1 (ko) * | 2021-01-05 | 2024-01-04 | 성균관대학교산학협력단 | 용액 코팅 형상 예측 방법 및 장치, 컴퓨터 프로그램 |
US11853042B2 (en) * | 2021-02-17 | 2023-12-26 | Applied Materials, Inc. | Part, sensor, and metrology data integration |
US20230230005A1 (en) * | 2022-01-17 | 2023-07-20 | Vmware, Inc. | Discount predictions for cloud services |
US20240037442A1 (en) * | 2022-07-26 | 2024-02-01 | Applied Materials, Inc. | Generating indications of learning of models for semiconductor processing |
US11955308B1 (en) | 2022-09-22 | 2024-04-09 | Kla Corporation | Water cooled, air bearing based rotating anode x-ray illumination source |
CN117314926B (zh) * | 2023-11-30 | 2024-01-30 | 湖南大学 | 激光改质加工设备维护的确认方法、设备及存储介质 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0652293A (ja) * | 1992-07-29 | 1994-02-25 | Nec Corp | プローバの文字認識システム |
JPH07141005A (ja) * | 1993-06-21 | 1995-06-02 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法および製造装置 |
US5448684A (en) * | 1993-11-12 | 1995-09-05 | Motorola, Inc. | Neural network, neuron, and method for recognizing a missing input valve |
US5444820A (en) * | 1993-12-09 | 1995-08-22 | Long Island Lighting Company | Adaptive system and method for predicting response times in a service environment |
JP2000509847A (ja) * | 1997-02-10 | 2000-08-02 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 音声信号を伝送する伝送システム |
US6028994A (en) | 1998-05-06 | 2000-02-22 | Advanced Micro Devices | Method for predicting performance of microelectronic device based on electrical parameter test data using computer model |
US6560503B1 (en) | 1999-10-05 | 2003-05-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring controller performance using statistical process control |
JP2001256480A (ja) * | 2000-03-09 | 2001-09-21 | Hitachi Ltd | 画像自動分類方法及び装置 |
JP2001257159A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Hitachi Ltd | 位置合わせ方法および位置合わせ制御システム |
US7068833B1 (en) | 2000-08-30 | 2006-06-27 | Kla-Tencor Corporation | Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements |
IL139368A (en) | 2000-10-30 | 2006-12-10 | Nova Measuring Instr Ltd | Process control for microlithography |
US6613589B2 (en) | 2001-04-06 | 2003-09-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method for improving substrate alignment |
EP1253497B1 (en) * | 2001-04-27 | 2008-04-02 | Qimonda Dresden GmbH & Co. oHG | Method for adjusting processing parameters of plate-like objects in a processing tool |
US6694498B2 (en) | 2001-12-13 | 2004-02-17 | Internationl Business Machines Corporation | Feed-forward lithographic overlay offset method and system |
JP4677231B2 (ja) * | 2002-06-05 | 2011-04-27 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 向上された自動プロセス制御のためのオーバレイ診断の利用 |
US7111256B2 (en) | 2002-06-05 | 2006-09-19 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Use of overlay diagnostics for enhanced automatic process control |
US6735492B2 (en) | 2002-07-19 | 2004-05-11 | International Business Machines Corporation | Feedback method utilizing lithographic exposure field dimensions to predict process tool overlay settings |
US7333650B2 (en) * | 2003-05-29 | 2008-02-19 | Nidek Co., Ltd. | Defect inspection apparatus |
US7403264B2 (en) | 2004-07-08 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and a device manufacturing method using such lithographic projection apparatus |
JP2006061633A (ja) | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Aruze Corp | 遊技機 |
EP1744217B1 (en) | 2005-07-12 | 2012-03-14 | ASML Netherlands B.V. | Method of selecting a grid model for correcting grid deformations in a lithographic apparatus and lithographic assembly using the same |
US7567351B2 (en) * | 2006-02-02 | 2009-07-28 | Kla-Tencor Corporation | High resolution monitoring of CD variations |
JP4874678B2 (ja) * | 2006-03-07 | 2012-02-15 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置の制御方法、および半導体製造装置の制御システム |
-
2007
- 2007-12-12 US US11/955,262 patent/US7873585B2/en active Active
-
2008
- 2008-08-29 CN CN200880113786.0A patent/CN101939833B/zh active Active
- 2008-08-29 EP EP08799001.6A patent/EP2188832B1/en active Active
- 2008-08-29 JP JP2010523167A patent/JP5606313B2/ja active Active
- 2008-08-29 WO PCT/US2008/074872 patent/WO2009029851A2/en active Application Filing
- 2008-08-29 KR KR1020107006714A patent/KR101381304B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-02-17 IL IL204014A patent/IL204014A/en active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101939833B (zh) | 2017-03-15 |
EP2188832A4 (en) | 2012-10-17 |
EP2188832B1 (en) | 2019-02-27 |
CN101939833A (zh) | 2011-01-05 |
WO2009029851A2 (en) | 2009-03-05 |
WO2009029851A3 (en) | 2009-04-30 |
US7873585B2 (en) | 2011-01-18 |
US20090063378A1 (en) | 2009-03-05 |
JP2010538474A (ja) | 2010-12-09 |
KR101381304B1 (ko) | 2014-04-04 |
EP2188832A2 (en) | 2010-05-26 |
IL204014A (en) | 2013-08-29 |
KR20100063095A (ko) | 2010-06-10 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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