JP5606301B2 - サブマウント基板、光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置 - Google Patents
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図1に示されているように、本発明の第1の実施形態における光半導体装置は、光半導体素子収納用パッケージ1と、光半導体素子収納用パッケージ1に実装された光半導体素子2および信号増幅素子3とを含んでいる。本実施形態における光半導体装置は、仮想のxyz空間におけるxy平面に実装されている。本実施形態において、“上方向”とは、仮想のz軸の正方向のことをいう。
ップ構造を有している。
成る。絶縁基体121は、光半導体素子2の実装領域121a1を含む主面121aと、主面121aの反対側に設けられた裏面121bと、主面121aの端から裏面121bの端にかけて設けられ
た上面121cと、下面121dとを有している。図3において、実装領域121a1は、仮想線
である二点鎖線によって示されている。裏面121bは、主面121aに背向している第1の面121b1と、上面121cに背向している第2の面121b2と、下面121dに背向している第3の面121b3とを含んでいる。裏面121bは、少なくとも第1の面121b1および第2の面121b2によって定められる凹部121eを有している。図2に示された構造において、凹部121eは、第1の面121b1、第2の面121b2および第3の面121b3によって定められる
。凹部121eは、例えば切削等の機械加工によって形成されている。
着金属層、拡散防止層および主導体層が順次積層された3層構造の導体層から成る薄膜導体層や、銀(Ag)や銀パラジウム(Ag−Pd)を用いた厚膜導体層で形成できるが、薄膜導体層とすると高精度なパタンを形成できるので好ましい。薄膜導体層の場合であれば
、蒸着法,スパッタリング法,イオンプレーティング法等の薄膜形成法によって各層を形成する。密着金属層は、セラミックス等から成る基体1との密着性を良好とするという観点からは、チタン(Ti),クロム(Cr),タンタル(Ta),ニオブ(Nb),ニッケル−クロム(Ni−Cr)合金,窒化タンタル(Ta2N)等の熱膨張率がセラミックスと近い金属のうち少なくとも1種より成るのが好ましく、その厚みは0.01〜0.2μm程
度が好ましい。密着金属層の厚みが0.01μm未満では、密着金属層を基体1に強固に密着することが困難となる傾向があり、0.2μmを超えると、成膜時の内部応力によって密着
金属層が基体1から剥離し易くなる傾向がある。
厚みが0.1μm未満では、電気抵抗が大きなものとなってサブマウント5の配線導体1c
に要求される電気抵抗を満足できなくなる傾向があり、5μmを超えると、成膜時の内部応力によって主導体層が拡散防止層から剥離し易く成る傾向がある。なお、Auは貴金属で高価であることから、低コスト化の点でなるべく薄く形成することが好ましい。また、Cuは酸化し易いので、その上にNiおよびAuからなる保護層を被覆してもよい。
e−Ni−Co)合金等の金属材料から成る。
体124上に設けられており、ボンディングワイヤによって信号導体122に電気的に接続されている。
る。
cに背向している第2の面121b2とを含んでいる。信号導体122は、主面121aから上面121cにかけて設けられている。サブマウント基板12は、このような構成を有していることによって、横方向および縦方向において信号導体122下に存在する絶縁基体121の厚みの差を低減させることができ、サブマウント基板12の主面121aおよび上面121cにおける信号導体122のインピーダンス整合に関する精度を向上させることができる。なお、信号導体122下に存在する絶縁基体121の厚みは、横方向および縦方向において同じであることが好
ましい。
ーダンス整合に関する精度を向上させることができる。
横方向に突出した部分を有していることによって、金属容器11への実装性に関して向上されている。
うに金属容器11に固定される。光半導体素子収納用パッケージ1は、このような構成を有していることによって、光半導体素子2から出力される信号の伝送における損失が低減されている。
本発明の第2の実施形態における光半導体装置について図4および図5を参照して説明する。本実施形態の光半導体装置において第1の実施形態の光半導体装置と異なる構成は、サブマウント基板12の構造である。その他の構成は、第1の実施形態の光半導体装置と同様である。
よび上面121cにおいて信号導体122から一定の距離を設けて信号導体122を囲んでいる。
に背向している第2の面121b2とを含んでいることによって、横方向および縦方向にお
いて信号導体122下に存在する絶縁基体121の厚みの差を低減させることができ、サブマウント基板12の主面121aおよび上面121cにおける信号導体122のインピーダンス整合に関
する精度を向上させることができる。なお、信号導体122下に存在する絶縁基体121の厚みは、横方向および縦方向において同じであることが好ましい。
うに金属容器11に固定される。光半導体素子収納用パッケージ1は、このような構成を有していることによって、光半導体素子2から出力される信号の伝送における損失が低減されている。
本発明の第3の実施形態における光半導体装置について図6を参照して説明する。本実施形態の光半導体装置において第1の実施形態の光半導体装置と異なる構成は、サブマウント基板12の構造である。その他の構成は、第1の実施形態の光半導体装置と同様である。
体123および124は、複数のビア導体125によって電気的に接続されている。図6において
、複数のビア導体125は、絶縁基体121および接地導体123、124を透視した状態で破線によって示されている。
に背向している第2の面121b2とを含んでいることによって、横方向および縦方向にお
いて信号導体122下に存在する絶縁基体121の厚みの差を低減させることができ、サブマウント基板12の主面121aおよび上面121cにおける信号導体122のインピーダンス整合に関
する精度を向上させることができる。なお、信号導体122下に存在する絶縁基体121の厚みは、横方向および縦方向において同じであることが好ましい。
ーダンス整合に関する精度を向上させることができる。
うに金属容器11に固定される。光半導体素子収納用パッケージ1は、このような構成を有していることによって、光半導体素子2から出力される信号の伝送における損失が低減されている。
本発明の第4の実施形態における光半導体装置について図7を参照して説明する。本実施形態の光半導体装置において第1の実施形態の光半導体装置と異なる構成は、金属容器11の構造およびサブマウント基板12の構造である。その他の構成は、第1の実施形態の光半導体装置と同様である。金属容器11は、凸部11bを含む底部を有しており、サブマウント基板12は、凸部11bに接合されることによって金属容器11に固定されている。金属容器11は、接地電位に固定されている。
面121cと、下面121dとを有している。裏面121bは、主面121aに背向している第1の面121b1と、上面121cに背向している第2の面121b2とを含んでいる。裏面121bは、第1の面121b1および第2の面121b2によって定められる凹部121eを有している。凹部121eは、金属容器11の凸部11bの形状に沿った形状を有している。信号導体122は、絶縁
基体121の主面121aから上面121cにかけて設けられている。接地導体123は、絶縁基体121の裏面121bにおいて第1の面121b1および第2の面121b2に設けられており、金属基体11の凸部11bに電気的に接続されている。接地導体124は、絶縁基体121の主面121aに
設けられている。
に背向している第2の面121b2とを含んでいる。信号導体122は、主面121aから上面121cにかけて設けられている。サブマウント基板12は、このような構成を有していることによって、横方向および縦方向において信号導体122下に存在する絶縁基体121の厚みの差を低減させることができ、サブマウント基板12の主面121aおよび上面121cにおける信号導体122のインピーダンス整合に関する精度を向上させることができる。なお、信号導体122下に存在する絶縁基体121の厚みは、横方向および縦方向において同じであることが好ま
しい。
ーダンス整合に関する精度を向上させることができる。なお、金属容器11の凸部11bが接地電位に固定されている場合は、この凸部11bが接地導体123に代用されていてもよい。
うに金属容器11に固定される。光半導体素子収納用パッケージ1は、このような構成を有していることによって、光半導体素子2から出力される信号の伝送における損失が低減されている。
有していることによって、サブマウント基板12の形状にかかわらずサブマウント基板12の実装性に関して向上されている。
。
11 金属容器
12 サブマウント基板
121 絶縁基体
122 信号導体
123、124 接地導体
13 回路基板
14 基台
15 透光性部材
16 端子
17 蓋体
2 光半導体素子
3 信号増幅素子
Claims (4)
- 光半導体素子の実装領域を含む主面、該主面の反対側に設けられた裏面、および前記主面の端から前記裏面の端にかけて設けられた上面を含んでおり、前記裏面が、前記主面に背向している第1の面および前記上面に背向している第2の面を含んでいるとともに、少なくとも前記第1の面および前記第2の面によって定められる凹部を有している絶縁基体と、
前記主面から前記上面にかけて設けられており、前記光半導体素子および信号増幅素子に電気的に接続される信号導体と、
前記裏面の少なくとも前記第1の面および前記第2の面に設けられた接地導体とを備えており、
前記信号導体下に存在する前記絶縁基体の厚みは、前記主面と前記第1の面との間および前記上面と前記第2の面との間において同じであることを特徴とするサブマウント基板。 - 光半導体素子の実装領域を含む主面、該主面の反対側に設けられた裏面、および前記主面の端から前記裏面の端にかけて設けられた上面を含んでおり、前記裏面が、前記主面に背向している第1の面および前記上面に背向している第2の面を含んでいるとともに、少なくとも前記第1の面および前記第2の面によって定められる凹部を有している絶縁基体と、
前記主面から前記上面にかけて設けられており、前記光半導体素子および信号増幅素子に電気的に接続される信号導体と、
前記主面および前記上面に設けられており、前記信号導体から一定の距離を設けて前記信号導体を囲んでいる接地導体とを備えており、
前記信号導体下に存在する前記絶縁基体の厚みは、前記主面と前記第1の面との間および前記上面と前記第2の面との間において同じであることを特徴とするサブマウント基板。 - 請求項1または請求項2に記載されたサブマウント基板と、
透光部を有しており、前記サブマウント基板が収容される金属容器と、
該金属容器に収容され、前記信号増幅素子が実装される回路基板とを備えており、
前記サブマウント基板が、前記主面が前記透光部に対向するように前記金属容器に固定されることを特徴とする光半導体素子収納用パッケージ。 - 請求項3に記載された光半導体素子収納用パッケージと、
前記サブマウント基板に実装され、前記信号導体に電気的に接続された光半導体素子と、前記回路基板に実装され、前記信号導体に電気的に接続された信号増幅素子とを備えてい
ることを特徴とする光半導体装置。
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