JP5595483B2 - 半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
半導体発光素子およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5595483B2 JP5595483B2 JP2012506673A JP2012506673A JP5595483B2 JP 5595483 B2 JP5595483 B2 JP 5595483B2 JP 2012506673 A JP2012506673 A JP 2012506673A JP 2012506673 A JP2012506673 A JP 2012506673A JP 5595483 B2 JP5595483 B2 JP 5595483B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- face
- light emitting
- recess
- ridge stripe
- rear end
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 79
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 45
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 44
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 35
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 27
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 22
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 22
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 21
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 20
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 19
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 7
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 6
- 235000005811 Viola adunca Nutrition 0.000 description 5
- 240000009038 Viola odorata Species 0.000 description 5
- 235000013487 Viola odorata Nutrition 0.000 description 5
- 235000002254 Viola papilionacea Nutrition 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 3
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N magnesium;cyclopenta-1,3-diene Chemical compound [Mg+2].C1C=CC=[C-]1.C1C=CC=[C-]1 QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000003325 tomography Methods 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/0045—Devices characterised by their operation the devices being superluminescent diodes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
- H01S5/0207—Substrates having a special shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1082—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region with a special facet structure, e.g. structured, non planar, oblique
- H01S5/1085—Oblique facets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/125—Distributed Bragg reflector [DBR] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
- H01S5/164—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface with window regions comprising semiconductor material with a wider bandgap than the active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2201—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure in a specific crystallographic orientation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/3201—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures incorporating bulkstrain effects, e.g. strain compensation, strain related to polarisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
以下、本発明の実施形態に係る半導体発光素子及びその製造方法について、六方晶GaN系半導体を用いる青紫色SLD(中心発光波長405nm)を例に、図を参照しながら説明する。
図3(a)は、本実施形態に係るSLDの第1の変形例を示す平面図であり、(b)は、本変形例に係るSLDにおける凹部2の(a軸方向)幅とバンドギャップエネルギーの変化量との関係を示す図である。
2、18 凹部
3 n型クラッド層
4 n側光ガイド層
5 活性層のうち凹部から離れた領域
6 活性層
7 p側光ガイド層
8 オーバーフロー抑制層
9 p型クラッド層
10 p型コンタクト層
13 p側電極
14 配線電極
15 パッド電極
16 n側電極
18 凹部
Claims (12)
- 基板と、
前記基板の上面上に設けられ、動作時に光を生成する活性層を含む窒化物半導体多層膜とを備え、
前記窒化物半導体多層膜のうち前記活性層の下面と接する層、または前記活性層に、凹部、段差、及び突状部のうち少なくとも1つが形成されており、
前記窒化物半導体多層膜の上部には、前端面、及び前記前端面に対向する後端面を有し、光導波路となるリッジストライプが形成されており、
前記リッジストライプの幅方向の中心から前記凹部、前記段差または前記突状部の幅方向の中心までの距離が、前記前端面から前記後端面に向かって連続的または段階的に変化し、
前記活性層におけるバンドギャップエネルギーは、前記前端面から前記後端面に向かって連続的または段階的に変化し、
前記凹部の深さ、前記段差の深さ、または前記突状部の高さは前記前端面から前記後端面に向かって連続的または段階的に変化している半導体発光素子。 - 請求項1に記載の半導体発光素子において、
前記凹部、前記段差または前記突状部は前記リッジストライプに沿って延伸しており、
前記リッジストライプの幅方向の中心から前記凹部、前記段差または前記突状部の端までの距離が、前記前端面から前記後端面に向かって連続的に小さくなっており、
前記活性層におけるバンドギャップエネルギーは、前記前端面から前記後端面に向かって連続的に小さくなっている半導体発光素子。 - 請求項1に記載の半導体発光素子において、
前記凹部、前記段差または前記突状部は前記リッジストライプに沿って延伸しており、
前記凹部、前記段差または前記突状部の前記リッジストライプの延伸方向とほぼ直交する方向の幅は、前記前端面から前記後端面に向かって連続的に小さくなっており、
前記活性層におけるバンドギャップエネルギーは、前記前端面から前記後端面に向かって連続的に小さくなっている半導体発光素子。 - 請求項1に記載の半導体発光素子において、
前記凹部、前記段差または突状部は前記リッジストライプに沿って不連続に複数個設けられている半導体発光素子。 - 請求項4に記載の半導体発光素子において、
前記リッジストライプの幅方向の中心から前記凹部、前記段差または前記突状部の端までの距離が、前記前端面から前記後端面に向かって小さくなっている半導体発光素子。 - 請求項1に記載の半導体発光素子において、
前記前端面は光出射端面であり、
前記光導波路の光軸は前記光出射端面の法線に対して傾斜している半導体発光素子。 - 請求項1に記載の半導体発光素子において、
前記凹部、前記段差または前記突状部は、前記基板に形成されている半導体発光素子。 - 基板と、
前記基板の上面上に設けられ、活性層を含む窒化物半導体多層膜と備え、
前記窒化物半導体多層膜のうち前記活性層の下面と接する層、または前記活性層に、凹部、段差、及び突状部のうち少なくとも1つが形成されており、
前記窒化物半導体多層膜の上部には、前端面、及び前記前端面に対向する後端面を有し、光導波路となるリッジストライプが形成されており、
前記凹部の深さ、前記段差の深さ、または前記突状部の高さは前記前端面から前記後端面に向かって連続的または段階的に変化している半導体発光素子。 - 基板または前記基板上の半導体層に凹部、段差または突状部を設けた後、前記基板上面上または前記半導体層の上面上に、動作時に光を生成する活性層を含む窒化物半導体多層膜を形成する工程(a)と、
前記窒化物半導体多層膜の上部に、前端面、及び前記前端面に対向する後端面を有し、光導波路となるリッジストライプを形成する工程(b)とを備え、
前記工程(b)では、前記リッジストライプの幅方向の中心から前記凹部、前記段差または前記突状部の幅方向の中心までの距離が、前記前端面から前記後端面に向かって連続的または段階的に変化するように前記リッジストライプが形成されることで、前記活性層のバンドギャップエネルギーを前記前端面から前記後端面に向かって連続的または段階的に変化させ、
前記凹部の深さ、前記段差の深さ、または前記突状部の高さは前記前端面から前記後端面に向かって連続的または段階的に変化している半導体発光素子の製造方法。 - 請求項9に記載の半導体発光素子の製造方法において、
前記凹部、前記段差または前記突状部は前記リッジストライプに沿って延伸しており、
前記工程(b)では、前記リッジストライプの幅方向の中心から前記凹部、前記段差または前記突状部の端までの距離が、前記前端面から前記後端面に向かって連続的に小さくなるように前記リッジストライプを形成する半導体発光素子の製造方法。 - 請求項9に記載の半導体発光素子の製造方法において、
前記凹部、前記段差または前記突状部は前記リッジストライプに沿って延伸しており、
前記工程(b)では、前記凹部、前記段差または前記突状部の前記リッジストライプの延伸方向とほぼ直交する方向の幅は、前記前端面から前記後端面に向かって連続的に小さくなるように前記リッジストライプを形成する半導体発光素子の製造方法。 - 請求項9に記載の半導体発光素子の製造方法において、
前記凹部、前記段差または突状部は不連続に複数個設けられており、
前記工程(b)では、前記凹部、前記段差または突状部に沿って前記リッジストライプを形成する半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012506673A JP5595483B2 (ja) | 2010-03-23 | 2010-10-07 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010065555 | 2010-03-23 | ||
JP2010065555 | 2010-03-23 | ||
PCT/JP2010/006017 WO2011117940A1 (ja) | 2010-03-23 | 2010-10-07 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2012506673A JP5595483B2 (ja) | 2010-03-23 | 2010-10-07 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2011117940A1 JPWO2011117940A1 (ja) | 2013-07-04 |
JP5595483B2 true JP5595483B2 (ja) | 2014-09-24 |
Family
ID=44672538
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012506673A Expired - Fee Related JP5595483B2 (ja) | 2010-03-23 | 2010-10-07 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8569088B2 (ja) |
JP (1) | JP5595483B2 (ja) |
CN (1) | CN102804416B (ja) |
WO (1) | WO2011117940A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5950551B2 (ja) * | 2011-11-30 | 2016-07-13 | キヤノン株式会社 | Sd−octシステムの駆動制御方法 |
CN104134722A (zh) * | 2013-05-02 | 2014-11-05 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管制造方法 |
US20170011649A1 (en) * | 2015-07-10 | 2017-01-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Recipe system |
US10271689B2 (en) * | 2015-09-10 | 2019-04-30 | Prince Castle LLC | Modular food holding system |
DE102021113297A1 (de) * | 2021-05-21 | 2022-11-24 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur herstellung einer halbleiterlaserdiode und halbleiterlaserdiode |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007165599A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Fujifilm Corp | 半導体発光素子および該半導体発光素子の製造方法 |
JP2008066442A (ja) * | 2006-09-06 | 2008-03-21 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード |
WO2009057254A1 (ja) * | 2007-11-02 | 2009-05-07 | Panasonic Corporation | 半導体レーザ装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5008889A (en) * | 1989-11-06 | 1991-04-16 | Wilson Keith E | High-accuracy wavelength stabilization of angled-stripe super luminescent laser diode sources |
US7019325B2 (en) * | 2004-06-16 | 2006-03-28 | Exalos Ag | Broadband light emitting device |
US7944567B2 (en) * | 2005-12-05 | 2011-05-17 | Fujifilm Corporation | Semiconductor light emitting element, light source using the semiconductor light emitting element, and optical tomography imaging apparatus |
-
2010
- 2010-10-07 WO PCT/JP2010/006017 patent/WO2011117940A1/ja active Application Filing
- 2010-10-07 CN CN201080065555.4A patent/CN102804416B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-10-07 JP JP2012506673A patent/JP5595483B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-09-15 US US13/621,065 patent/US8569088B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007165599A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Fujifilm Corp | 半導体発光素子および該半導体発光素子の製造方法 |
JP2008066442A (ja) * | 2006-09-06 | 2008-03-21 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード |
WO2009057254A1 (ja) * | 2007-11-02 | 2009-05-07 | Panasonic Corporation | 半導体レーザ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130009203A1 (en) | 2013-01-10 |
WO2011117940A1 (ja) | 2011-09-29 |
JPWO2011117940A1 (ja) | 2013-07-04 |
US8569088B2 (en) | 2013-10-29 |
CN102804416B (zh) | 2015-04-15 |
CN102804416A (zh) | 2012-11-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4617907B2 (ja) | 光集積型半導体発光素子 | |
JP2013526788A (ja) | 多波長レーザー装置のシステムおよび方法 | |
JP2003332618A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2007116100A (ja) | 窒化物系半導体レーザダイオードの製造方法 | |
JP5595483B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
US20140241391A1 (en) | Semiconductor light-emitting element, method for producing the same, and display apparatus | |
WO2017017928A1 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
JP2011091251A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JP5217767B2 (ja) | 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法 | |
JP4984514B2 (ja) | 半導体発光素子および該半導体発光素子の製造方法 | |
JP3933637B2 (ja) | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子 | |
JP2008186903A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
WO2023058405A1 (ja) | 面発光レーザ素子 | |
JP2010003746A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
US20230387664A1 (en) | Semiconductor laser element | |
JP5505379B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2012019165A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2003008145A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
JP2011142147A (ja) | 端面発光型半導体発光素子、端面発光型半導体発光素子の製造方法、画像表示装置、情報記録再生装置 | |
JP2003174231A (ja) | GaN系半導体レーザ素子 | |
JP4082012B2 (ja) | 半導体発光素子とその製造方法 | |
JP5604292B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP5281842B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP5906445B2 (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
JP2009277918A (ja) | 半導体レーザ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130820 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140513 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140624 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140722 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140805 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5595483 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |