JP5594286B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、および有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
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Description
支持基板上に、陽極、陰極、および該両極間に複数の有機薄膜層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
(1)正孔注入層を有する前記支持基板上に、トリアリールアミン誘導体を含有する正孔輸送層を溶液塗布により形成する工程、
(2)前記正孔輸送層を加熱処理した後、アセトニトリルを用いて溶剤処理する工程、
(3)さらに、前記正孔輸送層を加熱処理する工程、
(4)前記正孔輸送層上に、リン光発光性ドーパントを含有する発光層を溶液塗布により形成する工程、
を順に有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法が提供される。
3.前記薄膜の物理化学的性質の変化がアモルファスから結晶への変化であることを特徴とする前記1または2に記載の薄膜の形成方法。
3.前記有機物が一般式(1)の部分構造を少なくとも2つ有することを特徴とする1または2に記載の薄膜の形成方法。
(本発明に係る有機物)
先ず、本発明に係る有機物について説明する。
(薄膜の形成)
本発明の薄膜の形成方法においては、上記本発明の有機物からなる薄膜形成後に物理化学的な処理を加えることにより、薄膜を形成する分子の化学的構造を変えることなく、薄膜の物理化学的性質を変化させることを特徴とする。
(溶解、塗布、薄膜を形成)
本発明において、有機物からなる薄膜形成には、特には限定されないが、塗布工程を用いることが好ましい。
(薄膜の結晶化)
本発明の薄膜の形成方法においては、有機物からなる薄膜を形成した後に物理化学的な処理を加えることにより、前記薄膜を形成する前記有機物の化学的構造を変えることなく、前記薄膜の物理化学的性質を変化させることを特徴とする。
(加熱処理での薄膜の結晶化)
薄膜をアモルファスから結晶化するための物理化学的な処理が物理的な処理、中でも熱的処理であることが好ましく、加熱処理としては、50℃〜250℃の範囲が好ましく、70℃〜200℃の範囲がより好ましい。また、加熱時間は5秒〜120分の範囲が好ましく、製造効率アップの観点から、10秒〜60分の範囲が好ましい。
(特定の溶剤処理での薄膜の結晶化)
又、薄膜をアモルファスから結晶化するための物理化学的な処理が化学的処理であることが好ましく、化学的処理のうちでも、溶剤処理が好ましく用いられる。溶剤処理としては、本発明の化合物にたいして結晶化能の大きな溶剤を用いることが好ましく、薄膜の化合物の種類に応じて適宜選択して用いることができる。例えば、アセトニトリル、メタノール、エタノール、アセトン、ヘキサン、酢酸エチル、トルエン、テトラヒドロフラン、クロロホルム、等が挙げられる。浸漬法、スプレー、スピンコート等公知の処理法で溶剤を施し結晶化を簡便に行うことができる。
(積層薄膜の形成)
本発明においては、上記で作製した結晶化した薄膜の上に、前述した本発明の化合物の塗布液を塗布することにより、最初に形成した薄膜が溶剤に溶解してしまうことなしに、下層材料の上層への混合(コンタミ)や界面の乱れ、など塗布工程ならではの難しさなしに、積層薄膜を塗布することができる。後、薄膜の結晶化処理を行い、結晶化した積層薄膜を形成することができる。
(アモルファス構造、または、結晶構造、の確認)
本発明の化合物、や、薄膜が、アモルファス構造、または、結晶構造、であることの確認や測定は、試料のX線回折(XRD)(X線回折法装置、例えば、理学電気社製、形式RINT−TTR2装置)の測定により容易に行うことができる。
本発明の電子デバイスについて説明する。
本発明の有機薄膜の形成方法により得られた有機薄膜を有する、本発明の有機EL素子について説明する。
本発明の有機EL素子の構成層について説明する。本発明において、有機EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。
(ii)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(iii)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極
(iv)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
(v)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
本発明の有機EL素子においては、青色発光層の発光極大波長は430nm〜480nmにあるものが好ましく、緑色発光層は発光極大波長が510nm〜550nm、赤色発光層は発光極大波長が600nm〜640nmの範囲にある単色発光層であることが好ましく、これらを用いた表示装置であることが好ましい。また、これらの少なくとも3層の発光層を積層して白色発光層としたものであってもよい。更に、発光層間には非発光性の中間層を有していてもよい。本発明の有機EL素子としては白色発光層であることが好ましく、これらを用いた照明装置であることが好ましい。
本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
本発明に用いられるホスト化合物について説明する。
本発明に用いることができる発光ドーパントとしては、蛍光ドーパント(蛍光性化合物ともいう)、リン光ドーパント(リン光発光体、リン光性化合物、リン光発光性化合物等ともいう)を用いることができるが、より発光効率の高い有機EL素子を得る観点からは、本発明の有機EL素子の発光層や発光ユニットに使用される発光ドーパント(単に、発光材料ということもある)としては、上記のホスト化合物を含有すると同時に、リン光ドーパントを含有することが好ましい。
本発明に用いることができるリン光ドーパントは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には、室温(25℃)にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、25℃において0.01以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は0.1以上である。
蛍光ドーパント(蛍光性化合物ともいう)としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平11−204258号公報、同11−204359号公報、及び「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の237頁等に記載されている正孔阻止(ホールブロック)層がある。
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。
有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Au等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXO(In2O3−ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。
一方、陰極としては仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。
本発明の有機EL素子に用いることのできる支持基板(以下、基体、基板、基材、支持体等とも言う)としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板は、有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。
本発明に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。
有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜、あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。特に封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量且つ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。
有機EL素子は空気よりも屈折率の高い(屈折率が1.7〜2.1程度)層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち15%から20%程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面(透明基板と空気との界面)に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。
本発明の有機EL素子は基板の光取り出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工したり、あるいは所謂集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。
本発明の有機EL素子の作製方法の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極からなる有機EL素子の作製法を説明する。
本発明の有機EL素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、照明装置(家庭用照明、車内照明)、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
《X線回折測定試料の作製》
化合物3−3(10g)を50mlのo−ジクロロベンゼンに溶解させ、この溶液を500mlのアセトニトリルに撹拌しながら少量ずつ添加し、添加終了後、室温にて3時間撹拌し続け、析出物をろ取、70℃で6時間送風乾燥を行い、試料1−1を得た。
試料1−1、試料1−2のX線回折XRD(X線回折法装置、理学電機社製、形式RINT−TTR2装置)の測定結果を図1、図2に示す。
装置:理学電機製RINT−TTR2
X線:Cu(1.54Å)
X線動作条件:15kV300mA
光学系:ブラッグーブレンターノ光学系
測定資料の形態:乳鉢にて粉砕後、無反射試料板に充填
スリット条件
DS、SS:1/2°
RS:0.3mm
走査条件:2θ=2〜45°(0.04°刻み)、スキャンスピード:1°/分
実施例2
《積層薄膜の形成》
ガラス上にITOを150nm成膜した基板(NHテクノグラス社製:NA−45)をiso−プロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行い、透明支持基板を得た。
作製した試料(試料2−1〜2−18)をスピンコーターにのせトルエン6mlを用い、1000rpm、30秒の条件下、スピンコート法によるトルエンリンス処理を実施し、トルエンリンス処理実施前後の360nmの吸光度を分光光度計(日立UV−3300)にて測定した。各試料のトルエンリンス後の薄膜の残存率を次式により求め薄膜の耐久性(耐溶剤性)を示す指標とした。結果を表1に示す。
表1から、本発明の化合物を用いて薄膜形成後に物理化学的な処理を加えることにより、溶剤溶解性が変化し、薄膜の耐久性(耐溶剤性)に優れた薄膜の形成が可能であることがわかった。尚、UV分光吸収スペクトルを測定したところ、その波形が変化していなかったことから、薄膜を形成する分子の化学的構造は変化していなかった。
《有機EL素子3−1の作製》
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm製膜した基板(NHテクノグラス社製NA−45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm製膜した基板(NHテクノグラス社製NA−45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
有機EL素子3−2の作製において、正孔輸送層を設ける際に、α−NPD(正孔輸送材料)を表2に記載の化合物に変更した以外は同様にして、有機EL素子3−3〜3−5を作製した。
得られた有機EL素子3−1〜3−5を評価するに際しては、作製後の各有機EL素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚み300μmのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤(東亞合成社製ラックストラックLC0629B)を適用し、これを上記陰極上に重ねて前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して、硬化させて、封止して、図3、図4に示すような照明装置を形成して評価した。
有機EL素子を室温(約23〜25℃)、2.5mA/cm2の定電流条件下による点灯を行い、点灯開始直後の発光輝度(L)[cd/m2]を測定することにより、外部取り出し量子効率(ηext)を算出した。ここで、発光輝度の測定はCS−1000(コニカミノルタセンシング製)を用いた。外部取り出し量子効率は有機EL素子3−1を100とする相対値で表した。
有機EL素子を室温下、2.5mA/cm2の定電流条件下による連続点灯を行い、初期輝度の半分の輝度になるのに要する時間(τ1/2)を測定した。発光寿命は有機EL素子3−1を100と設定する相対値で表した。
《有機EL素子4−1の作製》
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm製膜した基板(NHテクノグラス社製NA−45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
102 ガラスカバー
105 陰極
106 有機EL層
107 透明電極付きガラス基板
108 窒素ガス
109 捕水剤
Claims (2)
- 支持基板上に、陽極、陰極、および該両極間に複数の有機薄膜層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
(1)正孔注入層を有する前記支持基板上に、トリアリールアミン誘導体を含有する正孔輸送層を溶液塗布により形成する工程、
(2)前記正孔輸送層を加熱処理した後、アセトニトリルを用いて溶剤処理する工程、
(3)さらに、前記正孔輸送層を加熱処理する工程、
(4)前記正孔輸送層上に、リン光発光性ドーパントを含有する発光層を溶液塗布により形成する工程、
を順に有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記工程(4)の後に、
(5)前記発光層を加熱処理した後、溶剤処理する工程、
(6)さらに、前記発光層を加熱処理する工程、
(7)前記発光層上に、電子輸送層を溶液塗布により形成する工程、
(8)前記電子輸送層を加熱処理した後、溶剤処理する工程、
(9)さらに、前記電子輸送層を加熱処理する工程、
を順に有することを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
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Citations (7)
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JPH08199161A (ja) * | 1995-01-26 | 1996-08-06 | Mitsubishi Chem Corp | 有機電界発光素子 |
JP2004281251A (ja) * | 2003-03-17 | 2004-10-07 | Sharp Corp | 有機el装置およびその製造方法 |
JP2005268449A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Asahi Kasei Corp | 縮合多環芳香族化合物薄膜の改質方法,縮合多環芳香族化合物薄膜,及び有機半導体素子 |
WO2007108327A1 (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
JP2007311238A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Seiko Epson Corp | 発光装置の製造方法 |
JP2008243437A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Osaka Prefecture Univ | 偏光した蛍光を発する共役系高分子薄膜の製造方法、該薄膜、該薄膜を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子、および該素子を用いた表示装置 |
JP2010177617A (ja) * | 2009-02-02 | 2010-08-12 | Denso Corp | 有機el素子およびその製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4032180B2 (ja) * | 2003-02-06 | 2008-01-16 | 東ソー株式会社 | 新規トリアリールアミンポリマー、その製造方法及びその用途 |
JP5040216B2 (ja) * | 2005-08-30 | 2012-10-03 | 三菱化学株式会社 | 有機化合物、電荷輸送材料、有機電界発光素子用材料、電荷輸送材料組成物及び有機電界発光素子 |
JP5227510B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2013-07-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | ピラジン誘導体、及び前記ピラジン誘導体を用いた発光素子、表示装置、電子機器 |
JP4871607B2 (ja) * | 2006-02-23 | 2012-02-08 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子 |
JP2008010364A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Hitachi Cable Ltd | リチウムイオン二次電池用負極 |
JP5176343B2 (ja) * | 2007-03-07 | 2013-04-03 | Jnc株式会社 | 電子輸送材料およびこれを用いた有機電界発光素子 |
JP2008231127A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-10-02 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及び素子 |
JP5359869B2 (ja) * | 2007-05-30 | 2013-12-04 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、表示装置及び照明装置 |
JP2008300503A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Sony Corp | 有機電界発光素子および表示装置 |
-
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2014
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08199161A (ja) * | 1995-01-26 | 1996-08-06 | Mitsubishi Chem Corp | 有機電界発光素子 |
JP2004281251A (ja) * | 2003-03-17 | 2004-10-07 | Sharp Corp | 有機el装置およびその製造方法 |
JP2005268449A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Asahi Kasei Corp | 縮合多環芳香族化合物薄膜の改質方法,縮合多環芳香族化合物薄膜,及び有機半導体素子 |
WO2007108327A1 (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
JP2007311238A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Seiko Epson Corp | 発光装置の製造方法 |
JP2008243437A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Osaka Prefecture Univ | 偏光した蛍光を発する共役系高分子薄膜の製造方法、該薄膜、該薄膜を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子、および該素子を用いた表示装置 |
JP2010177617A (ja) * | 2009-02-02 | 2010-08-12 | Denso Corp | 有機el素子およびその製造方法 |
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