JP5586141B2 - 偶高調波ミクサならびにそれを用いた通信装置およびレーダ装置 - Google Patents

Description

この発明は、通信装置やレーダ装置などに用いられる偶高調波ミクサに関するものである。

従来から、通信装置やレーダ装置などに用いられる偶高調波ミクサは、よく知られている（たとえば、非特許文献１参照）。

電子情報通信学会編「モノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）」第１２０頁

従来の偶高調波ミクサでは、駆動するのに必要なＬＯ波の電力（以下、「ＬＯ電力」という）が非線形素子のＤＣ特性に大きく依存するので、自由度が少ないうえ、大きなＬＯ電力が必要になるという課題があった。
また、複数のミクサに１つのＬＯ信号源から分配する場合には、特に大きなＬＯ電力が必要になるという課題があった。

この発明は、逆並列接続された２つのダイオードに外部からＤＣ電圧を印加し、所望のＬＯ電力を低くすることにより、アップコンバータおよびダウンコンバータの両方に適用可能な偶高調波ミクサを得ることを目的とする。

この発明による偶高調波ミクサは、逆並列接続された第１および第２のダイオードと、ＩＦ信号が入力されるとともに前記第１および第２のダイオードで生じたＩＦ信号が出力されるＩＦ端子と、ＲＦ信号が入力されるとともに前記第１および第２のダイオードで生じたＲＦ信号が出力されるＲＦ端子、ＬＯ波が入力されるＬＯ端子、ならびに、前記ＲＦ端子に入力された前記ＲＦ信号および前記ＬＯ波が出力されるとともに前記第１および第２のダイオードで生じた前記ＲＦ信号が入力される第１の入出力端子を有し、前記ＲＦ信号のＲＦ周波数および前記ＬＯ波のＬＯ周波数を合波または分波する機能を有する第１の合・分波回路と、ＤＣ電圧が入力されるＤＣ端子、前記ＩＦ信号が入力されるとともに前記ＤＣ電圧が出力される第２の入出力端子、ならびに、前記第２の入出力端子に入力された前記ＩＦ信号を外部で接地する接地端子を有し、前記ＩＦ信号および前記ＤＣ電圧を合波または分波する機能を有する第２の合・分波回路と、前記ＲＦ周波数および前記ＬＯ周波数を遮断する第１および第２の低域通過フィルタと、前記ＩＦ信号のＩＦ周波数および前記ＤＣ電圧を遮断する第１、第２および第３の高域通過フィルタと、前記ＤＣ電圧を遮断する第４の高域通過フィルタとを備え、前記第１の合・分波回路の第１の入出力端子は、前記第１のダイオードのアノードおよび前記第２のダイオードのカソードに接続され、前記第１のダイオードのカソードと前記第２のダイオードのアノードとの接続点は、前記第３の高域通過フィルタを介して接地されるとともに、前記第４の高域通過フィルタを介して前記ＩＦ端子に接続され、前記第１の高域通過フィルタは、前記第１の合・分波回路の第１の入出力端子と前記第１のダイオードのアノードとの間に挿入され、前記第２の高域通過フィルタは、前記第１の合・分波回路の第１の入出力端子と前記第２のダイオードのカソードとの間に挿入され、前記第１のダイオードのアノードは、前記第１の低域通過フィルタを介して前記第２の合・分波回路の第２の入出力端子に接続され、前記第２のダイオードのカソードは、前記第２の低域通過フィルタを介して接地されたものである。

この発明によれば、所望のＬＯ電力を低くすることにより、アップコンバータおよびダウンコンバータの両方に適用することができる。

実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１に係る偶高調波ミクサを示す回路ブロック図である。
図１において、偶高調波ミクサは、ＲＦ信号が入出力されるＲＦ端子１と、ＬＯ波（差動信号）が入力されるＬＯ端子２と、ＩＦ信号（中間信号）が入出力されるＩＦ端子３と、ＤＣ電圧（直流電圧）が入力されるＤＣ端子４と、逆並列接続された１対（第１および第２）のダイオード５ａ、５ｂと、第１の合・分波回路１０と、ＤＣ端子４に接続された第２の合・分波回路１１と、ＲＦ信号およびＬＯ波を遮断する第１および第２の低域通過フィルタ（ＬＰＦ）１２ａ、１２ｂと、ＩＦ信号およびＤＣ電圧を遮断する第１、第２および第３の高域通過フィルタ（ＨＰＦ）１３ａ、１３ｂ、１３ｃと、ＤＣ電圧を遮断する第４の高域通過フィルタ（ＨＰＦ）１４とを備えている。

第１の合・分波回路１０は、ＲＦ端子１およびＬＯ端子２を有するとともに、ＲＦ信号が入出力されるとともにＬＯ波が出力される第１の入出力端子を有し、ＲＦ信号のＲＦ周波数およびＬＯ波のＬＯ周波数を合波または分波する機能を有する。
第２の合・分波回路１１は、ＤＣ端子４と、ＩＦ信号を外部で接地する接地端子と、ＩＦ信号が入出力されるとともにＤＣ電圧が出力される第２の入出力端子とを有し、ＩＦ信号およびＤＣ電圧を合波または分波する機能を有する。

第１および第２の低域通過フィルタ１２ａ、１２ｂの各一端は、第１および第２のダイオード５ａ、５ｂの各一端に個別に接続されている。また、第１の低域通過フィルタ１２ａの他端は、第２の合・分波回路１１の第２の入出力端子に接続され、第２の低域通過フィルタ１２ｂの他端は接地されている。

第１のダイオード５ａの一端は、第１の高域通過フィルタ１３ａを介して、第１の合・分波回路１０の第１の入出力端子に接続されている。また、第２のダイオード５ｂの一端は、第２の高域通過フィルタ１３ｂを介して、第１の合・分波回路１０の第１の入出力端子に接続されている。

第１および第２のダイオード５ａ、５ｂの各他端（第１のダイオード５ａのカソードおよび第２のダイオード５ｂのアノード）は、第１の高域通過フィルタ１３ａを介して接地されるとともに、第４の高域通過フィルタ１４を介してＩＦ端子３に接続されている。

次に、図１に示したこの発明の実施の形態１に係る偶高調波ミクサの動作について説明する。
図１の偶高調波ミクサは、従来と同様に、ＲＦ端子１およびＬＯ端子２からＲＦ信号およびＬＯ波（または、ＩＦ信号およびＬＯ波）を取り込み、互いに逆並列接続された第１および第２のダイオード５ａ、５ｂを用いることにより、「ＲＦ周波数−２×ＬＯ周波数」（または、「２×ＬＯ周波数±ＩＦ周波数」）の成分を抽出する。

ただし、従来と異なる点として、ＤＣ端子４からＤＣ電圧が入力されることにより、各ダイオード５ａ、５ｂに対しては、同じ電流が流れ、ＬＯ電力がＤＣ電圧印加分だけオフセットされた状態で励振される。これにより、所望のＬＯ電力を小さくすることが可能となる。
また、各ダイオード５ａ、５ｂには一般的にばらつきが存在するが、同じ電流が流れることにより、動作点における特性のばらつきを最小限にすることが可能となる。

図２は図１内の各ブロック構成を具体的に示す回路構成図である。
図２において、インダクタ２０ａ、２０ｂは、図１内の第１および第２の低域通過フィルタ１２ａ、１２ｂを構成しており、ＲＦ信号のＲＦ周波数とＬＯ波のＬＯ周波数とを遮断して、ＩＦ信号およびＤＣ電圧を通過させる。

キャパシタ２２ａ、２２ｂ、２２ｃは、図１内の第１〜第３の高域通過フィルタ１３ａ〜１３ｃを構成しており、ＩＦ信号のＩＦ周波数およびＤＣ電圧を遮断して、ＲＦ信号およびＬＯ電圧を通過させる。
インダクタ２１およびキャパシタ２３ａは、第２の合・分波回路１１を構成している。
インダクタ２１は、ＲＦ周波数、ＬＯ周波数およびＩＦ周波数を遮断して、ＤＣ電圧のみを通過させる。キャパシタ２３ａは、ＤＣ電圧を遮断してＩＦ信号を通過させる。
キャパシタ２３ｂは、図１内の第４の高域通過フィルタ１４を構成しており、ＤＣ電圧を遮断してＩＦ信号を通過させる。

先端オープンスタブ（λ／４＠ＬＯ）２４、伝送線路（λ／４＠ＬＯ）２５、先端ショートスタブ（λ／２＠ＲＦ）２６および伝送線路（λ／４＠ＲＦ）２７は、第１の合・分波回路１０を構成している。
先端オープンスタブ２４は、ＬＯ周波数で１／４波長の先端オープンスタブを構成し、伝送線路２５は、ＬＯ周波数で１／４波長の伝送線路を構成している。また、先端ショートスタブ２６は、ＲＦ周波数で１／２波長の先端ショートスタブを構成し、伝送線路２７は、ＲＦ周波数で１／４波長の伝送線路を構成している。

以下、図２の回路構成における、ＬＯ波、ＲＦ信号、ＩＦ信号およびＤＣ電圧の各周波数信号の流れについて説明する。
図３〜図６は各周波数信号の流れを示す説明図であり、図３はＬＯ波の流れを破線で示している。図３において、ＬＯ波は、ＬＯ端子２から入力され、逆並列接続されたダイオード５ａ、５ｂを介して接地される。

図４はＲＦ信号の流れを破線で示しており、図４において、ダウンコンバータの場合には、ＲＦ信号は、ＲＦ端子１から入力され、逆並列接続されたダイオード５ａ、５ｂを介して接地される。
一方、アップコンバータの場合には、ダイオード５ａ、５ｂで生じたＲＦ信号は、接地点を基準として、ＲＦ端子１から出力される。

図５はＩＦ信号の流れを破線で示しており、図５において、アップコンバータの場合には、ＩＦ信号は、ＩＦ端子３から入力され、逆並列接続されたダイオード５ａ、５ｂおよびインダクタ２０ａ、２０ｂを介して接地される。
一方、ダウンコンバータの場合には、ダイオード５ａ、５ｂで生じたＩＦ信号は、接地点を基準としてＩＦ端子３から出力される。
以上の図３〜図５に示したＬＯ波、ＲＦ信号およびＩＦ信号に対する回路動作は、逆並列接続されたダイオード５ａ、５ｂを用いた従来の偶高調波ミクサの動作と同様である。

図６はＤＣ電圧（または、ＤＣ電流）の流れを破線で示しており、図６において、ＤＣ端子４に印加されたＤＣ電圧は、ダイオード５ａ、５ｂを介して接地される。
つまり、２つのダイオード５ａ、５ｂは、ＤＣ電圧に対して直列に接続されているので、各ダイオード５ａ、５ｂに流れる電流は、ダイオードのＤＣ特性にばらつきがあったとしても、同一値となる。

このように、偶高調波ミクサにＤＣ電圧を印加することにより、ダイオード５ａ、５ｂに対しては、ＬＯ電力がＤＣ印加分だけオフセットされた状態で励振されるので、所望のＬＯ電力を小さくすることが可能となる。

図７はこの発明の実施の形態１による効果（低ＬＯ電力化）を示す説明図であり、印加される異なるＤＣ電圧（Ｖｉｎ１）ごとの具体的な計算例を示している。
図７において、横軸は入力されるＬＯ電力（ＬＯ Ｐｏｗｅｒ［ｄＢｍ］）、縦軸は変換利得（Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ Ｇａｉｎ［ｄＢ］）である。
図７から明らかなように、印加されるＤＣ電圧Ｖｉｎ１を「０Ｖ」から「０．４Ｖ」へと増大させることにより、変換利得が一定となる領域が低ＬＯ電力側に拡大し、ＬＯ電力の依存性が低ＬＯ電力化されることが分かる。

以上のように、この発明の実施の形態１に係る偶高調波ミクサ（図１）は、逆並列接続された第１および第２のダイオード５ａ、５ｂと、第１の合・分波回路１０と、第２の合・分波回路１１と、ＲＦ周波数およびＬＯ周波数を遮断する第１および第２の低域通過フィルタ１３ａ、１３ｂと、ＩＦ周波数およびＤＣ電圧を遮断する第１、第２および第３の高域通過フィルタ１３ａ、１３ｂ、１３ｃと、ＤＣ電圧を遮断する第４の高域通過フィルタ１４とを備えている。

第１の合・分波回路１０は、ＲＦ信号が入出力されるＲＦ端子１と、ＬＯ波が入力されるＬＯ端子２と、ＲＦ信号およびＬＯ波が入出力される第１の入出力端子とを有し、ＲＦ周波数およびＬＯ周波数を合波または分波する機能を有する。
第２の合・分波回路１１は、ＤＣ電圧が入力されるＤＣ端子４と、ＩＦ信号が入出力されるＩＦ端子３と、ＩＦ信号を外部で接地する接地端子と、ＩＦ信号およびＤＣ電圧が入出力される第２の入出力端子とを有し、ＩＦ信号およびＤＣ電圧を合波または分波する機能を有する。

第１の合・分波回路１０の第１の入出力端子は、第１のダイオード５ａのアノードおよび第２のダイオード５ｂのカソードに接続されている。
第１のダイオード５ａのカソードと第２のダイオード５ｂのアノードとの接続点は、第３の高域通過フィルタ１３ｃを介して接地されるとともに、第４の高域通過フィルタ１４を介してＩＦ端子３に接続されている。

第１の高域通過フィルタ１３ａは、第１の合・分波回路１０の第１の入出力端子と第１のダイオード５ａのアノードとの間に挿入されている。
第２の高域通過フィルタ１３ｂは、第１の合・分波回路１０の第１の入出力端子と第２のダイオード５ｂのカソードとの間に挿入されている。

第１のダイオード５ａのアノードは、第１の低域通過フィルタ１２ａを介して第２の合・分波回路１１の第２の入出力端子に接続されている。
第２のダイオード５ｂのカソードは、第２の低域通過フィルタ１２ｂを介して接地されている。

上記偶高調波ミクサの構成により、偶高調波ミクサの低ＬＯ電力化が可能となり、送受信装置の低消費電力化が可能となる利点がある。
また、上記偶高調波ミクサは、アップコンバータおよびダウンコンバータの両方に利用可能な構成を有する。

実施の形態２．
なお、上記実施の形態１（図１）では、第１の低域通過フィルタ１２ａの一端を、第１のダイオード５ａのアノードに接続したが、図８のように、ＬＯ端子２に接続し、第１の高域通過フィルタ１３ａを省略してもよい。
図８はこの発明の実施の形態２に係る偶高調波ミクサを示すブロック図であり、前述（図１参照）と同様のものについては、前述と同一符号を付して詳述を省略する。

図８において、第１の合・分波回路１０Ａは、前述（図１）の第１の合・分波回路１０に対応している。
また、第１および第２の高域通過フィルタ１３ｂ、１３ｃは、前述の第２および第３の高域通過フィルタに対応し、第３の高域通過フィルタ１４は、前述の第４の高域通過フィルタに対応している。

すなわち、この発明の実施の形態２に係る偶高調波ミクサ（図８）は、逆並列接続された第１および第２のダイオード５ａ、５ｂと、第１の合・分波回路１０Ａと、第２の合・分波回路１１と、ＲＦ周波数およびＬＯ周波数を遮断する第１および第２の低域通過フィルタ１２ａ、１２ｂと、ＩＦ周波数およびＤＣ電圧を遮断する第１および第２の高域通過フィルタ１３ｂ、１３ｃと、ＤＣ電圧を遮断する第３の高域通過フィルタ１４とを備えている。

第１の合・分波回路１０Ａは、ＲＦ信号が入出力されるＲＦ端子１と、ＬＯ波およびＤＣ電圧が入力されるとともにＩＦ信号が入出力されるＬＯ端子２と、ＲＦ信号、ＬＯ波、ＩＦ信号およびＤＣ電圧が入出力される第１の入出力端子とを有し、ＲＦ周波数に対して、ＬＯ周波数、ＩＦ周波数およびＤＣ電圧を、合波または分波する機能を有する。

第２の合・分波回路１１は、ＤＣ電圧が入力されるＤＣ端子４と、ＩＦ信号を外部で接地する接地端子と、ＩＦ信号およびＤＣ電圧が入出力される第２の入出力端子とを有し、ＩＦ信号およびＤＣ電圧を合波または分波する機能を有する。

第１の合・分波回路１０Ａの第１の入出力端子は、第１のダイオード５ａのアノードおよび第２のダイオード５ｂのカソードに接続されている。
第１のダイオード５ａのカソードと第２のダイオード５ｂのアノードとの接続点は、第２の高域通過フィルタ１３ｃを介して接地されるとともに、第３の高域通過フィルタ１４を介してＩＦ端子３に接続されている。

第１の高域通過フィルタ１３ｂは、第１の合・分波回路１０Ａの第１の入出力端子と第２のダイオード５ｂのカソードとの間に挿入されている。
第２のダイオード５ｂのカソードは、第２の低域通過フィルタ１２ｂを介して接地されている。
第１の合・分波回路１０ＡのＬＯ端子２は、第１の低域通過フィルタ１２ａを介して第２の合・分波回路１１の第２の入出力端子に接続されている。

この場合、ＤＣ電圧が印加されるＤＣ端子４がＬＯ端子２側に接続されていることが、前述の実施の形態１と相違するが、回路動作については、前述と同様なので説明を省略する。
これにより、前述と同等の作用効果を奏し、前述と同等の利点を有するとともに、前述（図１）の高域通過フィルタ１３ａを省略することができるという利点もある。

実施の形態３．
なお、上記実施の形態２（図８）では、各単一ブロックからなる回路で偶高調波ミクサを構成したが、図９のように、図８の偶高調波ミクサを複数個並設して、複数個の偶高調波ミクサのＬＯ端子２、ＤＣ端子４、第１の低域通過フィルタ１２ａおよび第２の合・分波回路１１を、それぞれひとつにまとめて単一化（共通化）構成し、複数個の偶高調波ミクサの各々の第１の合・分波回路１０Ａと単一のＬＯ端子２との間に単一の分配回路１５を挿入してもよい。

図９はこの発明の実施の形態３に係る偶高調波ミクサを示すブロック図であり、前述（図８参照）と同様のものについては、前述と同一符号を付して詳述を省略する。
図９において、分配回路１５は、複数個の偶高調波ミクサにＬＯ波を分配するために、複数個の偶高調波ミクサと同数の第１端子と、ＬＯ端子２に接続された１つの第２端子とを有する。
第２の合・分波回路１１の第２の入出力端子に接続された第１の低域通過フィルタ１２ａは、分配回路１５の第２端子に接続されている。

図９の回路構成による動作については、前述の実施の形態２と同様なので省略する。
それぞれ第１の合・分波回路１０Ａを含む複数の偶高調波ミクサを接続する場合、従来構成では、１つのＬＯ端子２の信号源から分配する際に大きな電力供給が必要になるという課題があったが、図９の回路構成によりＬＯ電力を低減可能になる。

また、図９の回路構成により、前述（図１、図８）の実施の形態１、２の偶高調波ミクサを、一部回路を共通化せずにそのまま複数個並設する場合に比べて、ＲＦ信号およびＬＯ波を遮断する第１の低域通過フィルタ１２ａと、ＤＣ電圧を印加するための第２の合・分波回路１１と、を最小限に削減することが可能になり、小形化にも寄与することができる。

実施の形態４．
なお、上記実施の形態３（図９）では、第１の低域通過フィルタ１２ａを分配回路１５の第２端子に接続したが、図１０のように、分配回路１５の各第１端子に接続してもよい。
図１０はこの発明の実施の形態４に係る偶高調波ミクサを示すブロック図であり、前述（図９参照）と同様のものについては、前述と同一符号を付して詳述を省略する。

前述の通り、複数の偶高調波ミクサを接続する場合には、１つのＬＯ端子２の信号源から分配すると大きな電力が必要になる課題があったが、図１０の回路構成により、図９の場合と同様に、ＬＯ電力を低減可能になる。
また、図１０の回路構成により、一部回路を共通化せずにそのまま偶高調波ミクサを複数接続する場合に比べて、第１の低域通過フィルタ１２ａおよび第２の合・分波回路１１が削減可能になり、小形化にも寄与することができる。

実施の形態５．
なお、上記実施の形態１〜４（図１、図８〜図１０）では、第１のダイオード５ａのアノードと第２のダイオード５ｂのカソードとの接続点側に第１の合・分波回路１０Ａを設けたが、図１１のように、第１のダイオード５ａのカソードと第２のダイオード５ｂのアノードとの接続点側に第１の合・分波回路１０Ｂを設けてもよい。

図１１はこの発明に係る実施の形態５に係る偶高調波ミクサを示すブロック図であり、前述（図１、図８〜図１０参照）と同様のものについては、前述と同一符号を付して詳述を省略する。
図１１において、第１および第２の低域通過フィルタ１２ａ、１２ｂは、ＲＦ信号およびＬＯ波を遮断し、第１および第２の高域通過フィルタ１３ａ、１３ｂは、ＩＦ信号およびＤＣ電圧を遮断する。
ＲＦ周波数で１／２波長の先端ショートスタブ２６は、接地線に挿入されている。

第１の合・分波回路１０Ｂは、ＲＦ端子１と、ＩＦ端子３と、ＬＯ波、ＲＦ信号およびＩＦ信号が入出力される第１の入出力端子とを有し、ＲＦ周波数およびＩＦ周波数を合波または分波する機能を有する。
第２の合・分波回路１１は、ＤＣ端子４と、ＩＦ信号を外部で接地する接地端子と、ＩＦ信号およびＤＣ電圧が入出力される第２の入出力端子とを有し、ＩＦ信号およびＤＣ電圧を合波または分波する機能を有する。

第１の合・分波回路１０Ｂの第１の入出力端子は、第１のダイオード５ａのカソードおよび第２のダイオード５ｂのアノードに接続されている。
第１のダイオード５ａのアノードと第２のダイオード５ｂのカソードとの接続点Ｑは、先端ショートスタブ２６を介して接地されるとともに、ＬＯ端子２に接続されている。

第１の高域通過フィルタ１３ａは、接続点Ｑと第１のダイオード５ａのアノードとの間に挿入されている。
第２の高域通過フィルタ１３ｂは、接続点Ｑと第２のダイオード５ｂのカソードとの間に挿入されている。

第１のダイオード５ａのアノードは、第１の低域通過フィルタ１２ａを介して第２の合・分波回路１１の第２の入出力端子に接続されている。
第２のダイオード５ｂのカソードは、第２の低域通過フィルタ１２ｂを介して接地されている。

次に、図１１に示したこの発明の実施の形態５に係る偶高調波ミクサの動作について説明する。
図１１の偶高調波ミクサは、前述と同様に、ＲＦ信号およびＬＯ波（または、ＩＦ信号およびＬＯ波）を取り込み、互いに逆並列接続された１対のダイオード５ａ、５ｂを用いることにより、「ＲＦ周波数−２×ＬＯ周波数」（または、「２×ＬＯ周波数±ＩＦ周波数」）の成分を抽出する。

また、従来と異なる点として、ＤＣ端子４からＤＣ電圧が入力されることにより、各ダイオード５ａ、５ｂに対しては、同じ電流が流れ、ＬＯ電力がＤＣ電圧印加分だけオフセットされた状態で励振される。これにより、所望のＬＯ電力を小さくすることが可能となる。さらに、各ダイオード５ａ、５ｂには一般的にばらつきが存在するが、同じ電流が流れることにより、動作点における特性のばらつきを最小限にすることが可能となる。

図１２は図１１内の各ブロック構成を具体的に示す回路構成図である。
図１２において、前述（図２、図１１参照）と同様のものについては、前述と同一符号を付して詳述を省略する。
キャパシタ２２ｄ、２３ｂ、先端オープンスタブ２４、伝送線路２７および先端オープンスタブ２８は、第１の合・分波回路１０Ｂを構成している。

ＲＦ端子１に接続されたキャパシタ２２ｄは、キャパシタ２２ａ、２２ｂと同様に、ＲＦ信号およびＬＯ波を通過させて、ＩＦ信号およびＤＣ電圧を遮断する。
ＩＦ端子３に接続されたキャパシタ２３ｂは、第２の合・分波回路１１を構成するキャパシタ２３ａと同様に、ＤＣ電圧を遮断してＩＦ信号を通過させる。

先端オープンスタブ２４は、ＬＯ周波数で１／４波長の先端オープンスタブを構成しており、キャパシタ２２ｄの他端に接続されている。
伝送線路２７は、ＲＦ周波数で１／４波長の伝送線路を構成しており、キャパシタ２２ｄとキャパシタ２３ｂとの間に挿入されている。
先端オープンスタブ２８は、ＲＦ周波数で１／４波長の先端オープンスタブを構成しており、キャパシタ２３ｂの他端に接続されている。

図１２の回路構成における各周波数に対する信号の流れは、ほぼ、前述の実施の形態１（図３〜図６参照）で述べた通りである。
すなわち、ＬＯ波は、ＬＯ端子２から入力され、各ダイオード５ａ、５ｂおよび先端オープンスタブ２４を介して接地される。

また、ＲＦ信号は、ダウンコンバータの場合には、ＲＦ端子１から入力され、各ダイオード５ａ、５ｂおよび先端ショートスタブ２６を介して接地され、アップコンバータの場合には、各ダイオード５ａ、５ｂで生じた後、先端ショートスタブ２６との接続点Ｑを基準として、ＲＦ端子１から出力される。

ＩＦ信号は、アップコンバータの場合には、ＩＦ端子３から入力され、各ダイオード５ａ、５ｂおよびインダクタ２０ａ、２０ｂを介して接地され、ダウンコンバータの場合には、各ダイオードで生じた後、先端ショートスタブ２６の接地点を基準としてＩＦ端子３から出力される。

さらに、ＤＣ電圧は、ＤＣ端子４に印加され、各ダイオード５ａ、５ｂを介して接地される。つまり、ＤＣ電圧に対して、２つのダイオード５ａ、５ｂは直列に接続されているので、２つのダイオード５ａ、５ｂに流れる電流は、ダイオードＤＣ特性にばらつきがあったとしても、同一の値となる。

このように、従来の偶高調波ミクサにＤＣ電圧を印加することにより、ダイオードに対しては、ＬＯ電力がこのＤＣ印加分だけオフセットされた状態で励振されるので、所望のＬＯ電力を小さくすることが可能となる（前述の図７参照）。

以上のように、この発明の実施の形態５（図１１、図１２）によれば、偶高調波ミクサの低ＬＯ電力化が可能となり、送受信装置の低消費電力化が可能となる利点がある。この構成は、アップコンバータおよびダウンコンバータの両方に利用可能な構成である。
また、前述の実施の形態１〜４では、各ダイオード５ａ、５ｂに対して、ＬＯ端子２およびＲＦ端子１が同じ側に配置されていたが、この発明の実施の形態５では、互いに逆側に配置されているので、分波特性を向上させることができる。

実施の形態６．
なお、上記実施の形態５（図１１）では、第１の低域通過フィルタ１２ａの一端を、第１のダイオード５ａのアノードに接続したが、図１３のように（前述の実施の形態２（図８）と同様に）、ＬＯ端子２に接続してもよい。
この場合、図１２と比べて、第２の低域通過フィルタ１２ｂが省略可能になり、単一の低域通過フィルタ１２ａを用いることができるとともに、単一の高域通過フィルタ１３を用いることができる。

図１３はこの発明の実施の形態６に係る偶高調波ミクサを示すブロック図であり、前述（図１１参照）と同様のものについては、前述と同一符号を付して詳述を省略する。
図１３において、高域通過フィルタ１３は、第１のダイオード５ａのアノードと第２のダイオード５ｂのカソードとの間に挿入されており、ＩＦ信号およびＤＣ電圧を遮断する。

第１の合・分波回路１０Ｂは、ＲＦ端子１と、ＩＦ端子３と、ＬＯ波、ＲＦ信号およびＩＦ信号が入出力される第１の入出力端子とを有し、ＲＦ周波数およびＩＦ周波数を合波または分波する機能と、ＬＯ波を接地する機能とを有する。
第２の合・分波回路１１は、ＤＣ端子４と、ＩＦ信号を外部で接地する接地端子と、ＩＦ信号およびＤＣ電圧が入出力される第２の入出力端子とを有し、ＩＦ信号およびＤＣ電圧を合波または分波する機能を有する。

第２のダイオード５ｂのカソードは、ＲＦ周波数で１／２波長の先端ショートスタブ２６を介して接地されている。
第１のダイオード５ａのアノードおよび第２のダイオード２ｂのカソードは、高域通過フィルタ１３を介して接続され、第１のダイオード５ａのアノードは、ＬＯ端子２に接続されるとともに、低域通過フィルタ１２ａを介して第２の合・分波回路１１の第２の入出力端子に接続されている。

この発明の実施の形態６（図１３）において、前述の実施の形態５（図１１）との相違点は、ＤＣ端子を印加するための第２の合・分波回路１１がＬＯ端子２側に接続されていることである。なお、動作については、前述と同様なので説明を省略する。
図１３の回路構成により、前述の実施の形態５と同様の利点があり、さらに、低域通過フィルタおよび高域通過フィルタを一部省略することができる。

実施の形態７．
なお、上記実施の形態６（図１３）では、各単一ブロックからなる回路で偶高調波ミクサを構成したが、図１４のように（前述の実施の形態３（図９）と同様に）、図１３の偶高調波ミクサを複数個並設して、複数個の偶高調波ミクサのＬＯ端子２、ＤＣ端子４、第１の低域通過フィルタ１２ａおよび第２の合・分波回路１１を、それぞれひとつにまとめて単一化（共通化）構成し、複数個の偶高調波ミクサの各々の第１のダイオード５ａのアノードと単一のＬＯ端子２との間に単一の分配回路１５を挿入してもよい。

図１４はこの発明の実施の形態７に係る偶高調波ミクサを示すブロック図であり、前述（図８、図１３参照）と同様のものについては、前述と同一符号を付して詳述を省略する。また、動作については、前述と同様なので説明を省略する。

一般に、複数の偶高調波ミクサを接続する場合には、１つのＬＯ端子２の信号源から分配する際に、大きな電力が必要になるが、図１４の構成により、ＬＯ電力を低減することができる。
また、図１４のように、低域通過フィルタ１２ａおよび第２の合・分波回路１１を共通化した回路構成により、前述の実施の形態５、６（図１１、図１３）の偶高調波ミクサをそのまま接続する場合に比べて、回路構成の削減が可能であり、小形化に寄与することができる。

実施の形態８．
なお、上記実施の形態７（図１４）では、第１の低域通過フィルタ１２ａを分配回路１５の第２端子に接続したが、図１５のように（前述の実施の形態４（図１０）と同様に）、分配回路１５の各第１端子に接続してもよい。
図１５はこの発明の実施の形態８に係る偶高調波ミクサを示すブロック図であり、前述（図１４参照）と同様のものについては、前述と同一符号を付して詳述を省略する。

前述の通り、複数の偶高調波ミクサを接続する場合には、１つのＬＯ端子２の信号源から分配すると大きな電力が必要になる課題があったが、図１５の回路構成により、図１４の場合と同様に、ＬＯ電力を低減可能になる。
また、図１５の回路構成により、一部回路を共通化せずにそのまま偶高調波ミクサを複数接続する場合に比べて、第１の低域通過フィルタ１２ａおよび第２の合・分波回路１１が削減可能になり、小形化にも寄与することができる。

実施の形態９．
なお、上記実施の形態５〜８（図１１、図１３〜図１５）では、第１の合・分波回路１０ＢにＲＦ端子１を設けたが、図１６のように、第１の合・分波回路１０ＣにＬＯ端子２を設けてもよい。
図１６はこの発明に係る実施の形態９を示すブロック図であり、前述（図１１参照）と同様のものについては、前述と同一符号を付して詳述を省略する。

図１６において、第１の合・分波回路１０Ｃは、ＬＯ端子２と、ＩＦ端子３と、ＲＦ信号、ＬＯ波およびＩＦ信号が入出力される第１の入出力端子とを有し、ＬＯ周波数およびＩＦ周波数を合波または分波する機能と、ＲＦ信号を接地する機能とを有する。
第１のダイオード５ａのアノードと第２のダイオード５ｂのカソードとの接続点Ｑは、ＲＦ端子１に接続されるとともに、ＬＯ周波数で１／４波長のオープンスタブ２６に接続されている。すなわち、先端オープンスタブ２４は、ＲＦ端子１および接続点Ｑに接続されている。

次に、図１６に示したこの発明の実施の形態９による動作について説明する。
偶高調波ミクサは、前述のように、ＲＦ信号およびＬＯ波（または、ＩＦ信号とＬＯ波）を取り込み、互いに逆並列接続された１対のダイオード５ａ、５ｂを用いて、「ＲＦ周波数−２×ＬＯ周波数」（または、「２×ＬＯ周波数±ＩＦ周波数」）の成分を抽出するが、従来と異なる点として、ＤＣ端子４からＤＣ電圧が印加される。

これにより、各ダイオード５ａ、５ｂに対し、同じ電流が流れて、ＬＯ電力がＤＣ印加分だけオフセットされた状態で励振されるので、所望のＬＯ電力を小さくすることが可能となる。
また、各ダイオード５ａ、５ｂには、一般的にばらつきが存在するが、同じ電流が流れるので、動作点における特性のばらつきを最小限にすることが可能となる。

図１７は図１６内の各ブロック構成を具体的に示す回路構成図である。
図１７において、前述（図２、図１２、図１６参照）と同様のものについては、前述と同一符号を付して詳述を省略する。
キャパシタ２２ｅ、２３ｂ、先端オープンスタブ２４ｅ、伝送線路２５および先端ショートスタブ２６は、第１の合・分波回路１０Ｃを構成している。

ＬＯ端子２に接続されたキャパシタ２２ｅは、キャパシタ２２ａ、２２ｂ（第１および第２の高域通過フィルタ）と同様に、ＲＦ信号およびＬＯ波を通過させて、ＩＦ信号およびＤＣ電圧を遮断する。

先端オープンスタブ２４ｅは、ＲＦ端子１側の先端オープンスタブ２４と同様に、ＬＯ周波数で１／４波長の先端オープンスタブを構成している。
ＬＯ周波数で１／４波長の伝送線路２５は、キャパシタ２２ｅとキャパシタ２３ｂとの間に挿入され、ＲＦ周波数で１／２波長の先端ショートスタブ２６は、ＬＯ端子２に接続されている。

図１７の回路構成における各周波数に対する信号の流れについては、ほぼ、前述の実施の形態１（図３〜図６）で説明した通りである。
すなわち、ＬＯ波は、ＬＯ端子２から入力され、各ダイオード５ａ、５ｂおよび先端オープンスタブ２４を介して接地される。

ＲＦ信号は、ダウンコンバータの場合には、ＲＦ端子１から入力され、各ダイオード５ａ、５ｂおよび先端ショートスタブ２６を介して接地され、アップコンバータの場合には、各ダイオード５ａ、５ｂで生じた後、先端ショートスタブ２６の接続点を基準としてＲＦ端子１から出力される。
ＩＦ信号は、アップコンバータの場合には、ＩＦ端子３から入力され、各ダイオード５ａ、５ｂおよびインダクタ２０ａ、２０ｂを介して接地され、ダウンコンバータの場合には、各ダイオード５ａ、５ｂで生じた後、接地点を基準としてＩＦ端子３から出力される。

さらに、ＤＣ端子４に印加されたＤＣ電圧は、ダイオード５ａ、５ｂを介して接地される。
つまり、ＤＣ電圧に対し、２つのダイオード５ａ、５ｂは直列に接続されているので、２つのダイオード５ａ、５ｂに流れる電流は、各ダイオードＤＣ特性にばらつきがあったとしても、同一の値となる。

このように、従来構成の偶高調波ミクサにＤＣ電圧を印加することにより、各ダイオード５ａ、５ｂに対しては、ＬＯ電力がＤＣ印加分だけオフセットされた状態で励振されるので、所望のＬＯ電力を小さくすることが可能となる。

以上のように、この発明の実施の形態９（図１６、図１７）の回路構成により、偶高調波ミクサの低ＬＯ電力化が可能となり、送受信装置の低消費電力化が可能となる利点がある。また、この構成は、アップコンバータおよびダウンコンバータの両方に利用可能な構成である。
さらに、前述の実施の形態１〜４では、各ダイオード５ａ、５ｂに対して、ＬＯ端子２およびＲＦ端子１が同じ側に配置されていたが、この発明の実施の形態５では、互いに逆側に配置されているので、分波特性を向上させることができる。

なお、上記実施の形態１〜９では、特に言及しなかったが、第１〜第４の高域通過フィルタ１３ａ〜１３ｃ、１４のいずれか、または高域通過フィルタ１３は、さらに小形化を実現するために、第１および第２のダイオード５ａ、５ｂが形成された半導体基板上に形成されていることが望ましい。
また、半導体基板は、母基板上にフリップチップ実装されてもよい。
さらに、上記実施の形態１〜９のいずれかの偶高調波ミクサを用いて、通信装置またはレーダ装置を構成してもよく、この場合も、前述と同等の作用効果を奏する。

この発明の実施の形態１に係る偶高域通過ミクサを示すブロック図である。 この発明の実施の形態１に係る偶高域通過ミクサを具体的に示す回路構成図である。 この発明の実施の形態１によるＬＯ波の流れを示す説明図である。 この発明の実施の形態１によるＲＦ信号の流れを示す説明図である。 この発明の実施の形態１によるＩＦ信号の流れを示す説明図である。 この発明の実施の形態１によるＤＣ電圧（ＤＣ信号）の流れを示す説明図である。 この発明の実施の形態１による低ＬＯ電力化効果を示す説明図である。 この発明の実施の形態２に係る偶高域通過ミクサを示すブロック図である。 この発明の実施の形態３に係る偶高域通過ミクサを示すブロック図である。 この発明の実施の形態４に係る偶高域通過ミクサを示すブロック図である。 この発明の実施の形態５に係る偶高域通過ミクサを示すブロック図である。 この発明の実施の形態５に係る偶高域通過ミクサを具体的に示す回路構成図である。 この発明の実施の形態６に係る偶高域通過ミクサを示すブロック図である。 この発明の実施の形態７に係る偶高域通過ミクサを示すブロック図である。 この発明の実施の形態８に係る偶高域通過ミクサを示すブロック図である。 この発明の実施の形態９に係る偶高域通過ミクサを示すブロック図である。 この発明の実施の形態９に係る偶高域通過ミクサを具体的に示す回路構成図である。

符号の説明

１ ＲＦ端子、２ ＬＯ端子、３ ＩＦ端子、４ ＤＣ端子、５ａ、５ｂ ダイオード、１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ 第１の合・分波回路、１１ 第２の合・分波回路、１２ａ、１２ｂ 低域通過フィルタ、１３、１３ａ〜１３ｃ、１４ 高域通過フィルタ、１５ 分配回路、２４ ＬＯ周波数で１／４波長の先端オープンスタブ、２６ ＲＦ周波数で１／２波長の先端ショートスタブ。

Claims (14)

1. 逆並列接続された第１および第２のダイオードと、
   ＩＦ信号が入力されるとともに前記第１および第２のダイオードで生じたＩＦ信号が出力されるＩＦ端子と、
   ＲＦ信号が入力されるとともに前記第１および第２のダイオードで生じたＲＦ信号が出力されるＲＦ端子、ＬＯ波が入力されるＬＯ端子、ならびに、前記ＲＦ端子に入力された前記ＲＦ信号および前記ＬＯ波が出力されるとともに前記第１および第２のダイオードで生じた前記ＲＦ信号が入力される第１の入出力端子を有し、前記ＲＦ信号のＲＦ周波数および前記ＬＯ波のＬＯ周波数を合波または分波する機能を有する第１の合・分波回路と、
   ＤＣ電圧が入力されるＤＣ端子、前記ＩＦ信号が入力されるとともに前記ＤＣ電圧が出力される第２の入出力端子、ならびに、前記第２の入出力端子に入力された前記ＩＦ信号を外部で接地する接地端子を有し、前記ＩＦ信号および前記ＤＣ電圧を合波または分波する機能を有する第２の合・分波回路と、
   前記ＲＦ周波数および前記ＬＯ周波数を遮断する第１および第２の低域通過フィルタと、
   前記ＩＦ信号のＩＦ周波数および前記ＤＣ電圧を遮断する第１、第２および第３の高域通過フィルタと、
   前記ＤＣ電圧を遮断する第４の高域通過フィルタとを備え、
   前記第１の合・分波回路の第１の入出力端子は、前記第１のダイオードのアノードおよび前記第２のダイオードのカソードに接続され、
   前記第１のダイオードのカソードと前記第２のダイオードのアノードとの接続点は、前記第３の高域通過フィルタを介して接地されるとともに、前記第４の高域通過フィルタを介して前記ＩＦ端子に接続され、
   前記第１の高域通過フィルタは、前記第１の合・分波回路の第１の入出力端子と前記第１のダイオードのアノードとの間に挿入され、
   前記第２の高域通過フィルタは、前記第１の合・分波回路の第１の入出力端子と前記第２のダイオードのカソードとの間に挿入され、
   前記第１のダイオードのアノードは、前記第１の低域通過フィルタを介して前記第２の合・分波回路の第２の入出力端子に接続され、
   前記第２のダイオードのカソードは、前記第２の低域通過フィルタを介して接地されたことを特徴とする偶高調波ミクサ。
2. 逆並列接続された第１および第２のダイオードと、
   ＩＦ信号が入力されるとともに前記第１および第２のダイオードで生じたＩＦ信号が出力されるＩＦ端子と、
   ＲＦ信号が入力されるとともに前記第１および第２のダイオードで生じたＲＦ信号が出力されるＲＦ端子、ＬＯ波およびＤＣ電圧が入力されるとともに前記ＩＦ信号が出力されるＬＯ端子、ならびに、前記ＲＦ端子に入力された前記ＲＦ信号、前記ＬＯ波、および前記ＤＣ電圧が出力されるとともに前記ＩＦ信号および前記第１および第２のダイオードで生じた前記ＲＦ信号が入力される第１の入出力端子を有し、前記ＲＦ信号のＲＦ周波数に対して、前記ＬＯ信号のＬＯ周波数、前記ＩＦ信号のＩＦ周波数および前記ＤＣ電圧を、合波または分波する機能を有する第１の合・分波回路と、
   ＤＣ電圧が入力されるＤＣ端子、前記第１の合・分波回路の前記ＬＯ端子から前記ＩＦ信号が入力されるとともにＤＣ電圧が出力される第２の入出力端子、ならびに、前記第２の入出力端子に入力された前記ＩＦ信号を外部で接地する接地端子を有し、前記ＩＦ信号および前記ＤＣ電圧を合波または分波する機能を有する第２の合・分波回路と、
   前記ＲＦ周波数および前記ＬＯ周波数を遮断する第１および第２の低域通過フィルタと、
   前記ＩＦ周波数および前記ＤＣ電圧を遮断する第１および第２の高域通過フィルタと、
   前記ＤＣ電圧を遮断する第３の高域通過フィルタとを備え、
   前記第１の合・分波回路の第１の入出力端子は、前記第１のダイオードのアノードおよび前記第２のダイオードのカソードに接続され、
   前記第１のダイオードのカソードと前記第２のダイオードのアノードとの接続点は、前記第２の高域通過フィルタを介して接地されるとともに、前記第３の高域通過フィルタを介して前記ＩＦ端子に接続され、
   前記第１の高域通過フィルタは、前記第１の合・分波回路の第１の入出力端子と前記第２のダイオードのカソードとの間に挿入され、
   前記第２のダイオードのカソードは、前記第２の低域通過フィルタを介して接地され、
   前記第１の合・分波回路のＬＯ端子は、前記第１の低域通過フィルタを介して前記第２の合・分波回路の第２の入出力端子に接続されたことを特徴とする偶高調波ミクサ。
3. 請求項２に記載の偶高調波ミクサが複数個並設された偶高調波ミクサであって、
   前記複数個の偶高調波ミクサのＬＯ端子、ＤＣ端子、第１の低域通過フィルタおよび第２の合・分波回路は、それぞれひとつにまとめて単一化構成され、
   前記複数個の偶高調波ミクサの各々の第１の合・分波回路に接続された前記複数個の偶高調波ミクサと同数の第１端子と、前記ＬＯ端子に接続された１つの第２端子とを有する、単一の分配回路を備え、
   前記第２の合・分波回路の第２の入出力端子に接続された前記第１の低域通過フィルタは、前記分配回路の前記第２端子に接続されたことを特徴とする偶高調波ミクサ。
4. 逆並列接続された第１および第２のダイオードと、
   ＲＦ信号が入力されるとともに前記第１および第２のダイオードで生じたＲＦ信号が出力されるＲＦ端子、ＩＦ信号が入力されるとともに前記第１および第２のダイオードで生じたＩＦ信号が出力されるＩＦ端子、ならびに、前記ＲＦ端子に入力された前記ＲＦ信号および前記ＩＦ端子に入力された前記ＩＦ信号が出力されるとともにＬＯ波および前記第１および第２のダイオードで生じた前記ＲＦ信号および前記ＩＦ信号が入力される第１の入出力端子を有し、前記ＲＦ信号のＲＦ周波数および前記ＩＦ信号のＩＦ周波数を合波または分波する機能、ならびに、前記ＬＯ波を接地する機能を有する第１の合・分波回路と、
   ＤＣ電圧が入力されるＤＣ端子、前記ＩＦ信号が入力されるとともに前記ＤＣ電圧が出力される第２の入出力端子、ならびに、前記第２の入出力端子に入力された前記ＩＦ信号を外部で接地する接地端子を有し、前記ＩＦ信号および前記ＤＣ電圧を合波または分波する機能を有する第２の合・分波回路と、
   前記ＲＦ周波数および前記ＬＯ波のＬＯ周波数を遮断する第１および第２の低域通過フィルタと、
   前記ＩＦ周波数および前記ＤＣ電圧を遮断する第１および第２の高域通過フィルタとを備え、
   前記第１の合・分波回路の第１の入出力端子は、前記第１のダイオードのカソードおよび前記第２のダイオードのアノードに接続され、
   前記第１のダイオードのアノードと前記第２のダイオードのカソードとの接続点は、前記ＲＦ周波数で１／２波長の先端ショートスタブを介して接地されるとともに、前記ＬＯ波が入力されるＬＯ端子に接続され、
   前記第１の高域通過フィルタは、前記第１のダイオードのアノードと前記第２のダイオードのカソードとの接続点と、前記第１のダイオードのアノードとの間に挿入され、
   前記第２の高域通過フィルタは、前記第１のダイオードのアノードと前記第２のダイオードのカソードとの接続点と、前記第２のダイオードのカソードとの間に挿入され、
   前記第１のダイオードのアノードは、前記第１の低域通過フィルタを介して前記第２の合・分波回路の第２の入出力端子に接続され、
   前記第２のダイオードのカソードは、前記第２の低域通過フィルタを介して接地されたことを特徴とする偶高調波ミクサ。
5. 逆並列接続された第１および第２のダイオードと、
   ＲＦ信号が入力されるとともに前記第１および第２のダイオードで生じたＲＦ信号が出力されるＲＦ端子、ＩＦ信号が入力されるとともに前記第１および第２のダイオードで生じたＩＦ信号が出力されるＩＦ端子、ならびに、前記ＲＦ端子に入力された前記ＲＦ信号および前記ＩＦ端子に入力された前記ＩＦ信号が出力されるとともにＬＯ波および前記第１および第２のダイオードで生じた前記ＲＦ信号および前記ＩＦ信号が入力される第１の入出力端子を有し、前記ＲＦ信号のＲＦ周波数および前記ＩＦ信号のＩＦ周波数を合波または分波する機能、ならびに、前記ＬＯ波を接地する機能を有する第１の合・分波回路と、
   ＤＣ電圧が入力されるＤＣ端子、前記ＩＦ信号が入力されるとともに前記ＤＣ電圧が出力される第２の入出力端子、ならびに、前記第２の入出力端子に入力された前記ＩＦ信号を外部で接地する接地端子を有し、前記ＩＦ信号および前記ＤＣ電圧を合波または分波する機能を有する第２の合・分波回路と、
   前記ＲＦ周波数および前記ＬＯ波のＬＯ周波数を遮断する低域通過フィルタと、
   前記ＩＦ周波数および前記ＤＣ電圧を遮断する高域通過フィルタとを備え、
   前記第１の合・分波回路の第１の入出力端子は、前記第１のダイオードのカソードおよび前記第２のダイオードのアノードに接続され、
   前記第２のダイオードのカソードは、前記ＲＦ周波数で１／２波長の先端ショートスタブを介して接地され、
   前記第１のダイオードのアノードおよび前記第２のダイオードのカソードは、前記高域通過フィルタを介して接続され、
   前記第１のダイオードのアノードは、前記ＬＯ波が入力されるＬＯ端子に接続されるとともに、前記低域通過フィルタを介して前記第２の合・分波回路の第２の入出力端子に接続されたことを特徴とする偶高調波ミクサ。
6. 請求項５に記載の偶高調波ミクサが複数個並設された偶高調波ミクサであって、
   前記複数個の偶高調波ミクサのＬＯ端子、ＤＣ端子、低域通過フィルタおよび第２の合・分波回路は、それぞれひとつにまとめて単一化構成され、
   前記複数個の偶高調波ミクサの各々の第１のダイオードのアノードに接続された前記複数個の偶高調波ミクサと同数の第１端子と、前記ＬＯ端子に接続された１つの第２端子とを有する、単一の分配回路を備え、
   前記第２の合・分波回路の第２の入出力端子に接続された前記低域通過フィルタは、前記分配回路の前記第２端子に接続されたことを特徴とする偶高調波ミクサ。
7. 逆並列接続された第１および第２のダイオードと、
   ＲＦ信号が入力されるとともに前記第１および第２のダイオードで生じたＲＦ信号が出力されるＲＦ端子と、
   ＬＯ波が入力されるＬＯ端子、ＩＦ信号が入力されるとともに前記第１および第２のダイオードで生じたＩＦ信号が出力されるＩＦ端子、ならびに、前記ＲＦ信号および前記第１および第２のダイオードで生じた前記ＩＦ信号が入力されるとともに前記ＩＦ端子に入力された前記ＩＦ信号および前記ＬＯ波を出力する第１の入出力端子を有し、前記ＬＯ波のＬＯ周波数および前記ＩＦ信号のＩＦ周波数を合波または分波する機能、ならびに、前記ＲＦ信号を接地する機能を有する第１の合・分波回路と、
   ＤＣ電圧が入力されるＤＣ端子、前記ＩＦ信号が入力されるとともに前記ＤＣ電圧が出力される第２の入出力端子、ならびに、前記第２の入出力端子に入力された前記ＩＦ信号を外部で接地する接地端子を有し、前記ＩＦ信号および前記ＤＣ電圧を合波または分波する機能を有する第２の合・分波回路と、
   前記ＲＦ信号のＲＦ周波数および前記ＬＯ周波数を遮断する第１および第２の低域通過フィルタと、
   前記ＩＦ周波数および前記ＤＣ電圧を遮断する第１および第２の高域通過フィルタとを備え、
   前記第１の合・分波回路の第１の入出力端子は、前記第１のダイオードのカソードおよび前記第２のダイオードのアノードに接続され、
   前記第１のダイオードのアノードと前記第２のダイオードのカソードとの接続点は、前記ＲＦ端子および前記ＬＯ周波数で１／４波長のオープンスタブに接続され、
   前記第１の高域通過フィルタは、前記第１のダイオードのアノードと前記第２のダイオードのカソードとの接続点と、前記第１のダイオードのアノードとの間に挿入され、
   前記第２の高域通過フィルタは、前記第１のダイオードのアノードと前記第２のダイオードのカソードとの接続点と、前記第２のダイオードのカソードとの間に挿入され、
   前記第１のダイオードのアノードは、前記第１の低域通過フィルタを介して前記第２の合・分波回路の第２の入出力端子に接続され、
   前記第２のダイオードのカソードは、前記第２の低域通過フィルタを介して接地されたことを特徴とする偶高調波ミクサ。
8. 前記第１〜第４の高域通過フィルタのいずれかは、前記第１および第２のダイオードが形成された半導体基板上に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の偶高調波ミクサ。
9. 前記第１〜第３の高域通過フィルタのいずれかは、前記第１および第２のダイオードが形成された半導体基板上に形成されたことを特徴とする請求項２または３に記載の偶高調波ミクサ。
10. 前記第１〜第２の高域通過フィルタのいずれかは、前記第１および第２のダイオードが形成された半導体基板上に形成されたことを特徴とする請求項４または７に記載の偶高調波ミクサ。
11. 前記高域通過フィルタは、前記第１および第２のダイオードが形成された半導体基板上に形成されたことを特徴とする請求項５または６に記載の偶高調波ミクサ。
12. 前記半導体基板は、母基板上にフリップチップ実装されたことを特徴とする請求項８から請求項１１までのいずれか１項に記載の偶高調波ミクサ。
13. 請求項１から請求項１２までのいずれか１項に記載の偶高調波ミクサを用いた通信装置。
14. 請求項１から請求項１２までのいずれか１項に記載の偶高調波ミクサを用いたレーダ装置。

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