JP5585366B2 - 集積回路装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
図1に本実施形態の集積回路装置の構成例を示す。本実施形態の集積回路装置は、パッドPANT、アナログ回路20、キャパシターCAを含む。また、パッドPVSS、PVDDや、静電保護素子(ESD保護素子)となるダイオードDN1、DN2や、制御回路50(ロジック回路)を含むことができる。なお、これらの構成要素の一部(例えば静電保護素子、制御回路等)を省略したり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。
次に本実施形態の配線手法について説明する。本実施形態では図1のパッドPANT(図2のPANT1、PANT2)とキャパシターCA(図2のCA1、CA2)の一端とを、最上層の金属層(アルミ等の金属やその合金)で形成されるパッド配線(パッドに直接接続される配線)により接続する手法を採用している。即ちパッドPANTからのパッド配線をキャパシターCAの一端に直結する。例えばパッドPANTとキャパシターCAの一端とが、最上層金属層(第Nの金属層。Nは3以上の整数)の下層金属層(第1〜第N−1の金属層)で形成される配線を介さずに、接続される。なお、パッドPANTとキャパシターCAの一端の間の接続経路には、下層金属層の接続経路が存在していてもよいが、この場合にも本実施形態では最上層金属層の接続経路は必ず存在している。
一方、図8の手法では、パッドPANTの入力信号が、STIの下層のPウェル(又はP基板)を介してVSS側に抜ける。そしてPウェル(又はP基板)はメタルよりも高抵抗であるため、抵抗によって入力信号の電力ロスが生じるという問題がある。
これに対して図7の手法では、低抵抗のALAのメタル配線を介してVSS側に入力信号が抜けるようになるため、抵抗による入力信号の電力ロスを図8の手法に比べて低減できるという利点がある。
次に本実施形態の集積回路装置の詳細な回路構成例について説明する。図10は、集積回路装置がRFの無線通信回路ICである場合の回路構成例である。この集積回路装置は、受信回路30、復調回路36、送信回路40、変調回路46、クロック生成回路48、制御回路50を含む。
図12に本実施形態の集積回路装置310を含む電子機器の構成例を示す。この電子機器は、アンテナANT、集積回路装置310、ホスト320、検出装置330、センサー340、電源部350を含む。なお本実施形態の電子機器は図12の構成に限定されず、その構成要素の一部(例えば検出装置、センサー、電源部等)を省略したり、他の構成要素(例えば操作部、出力部)を追加するなどの種々の変形実施が可能である。
PANT、PANT1、PANT2、PVDD、PVSS パッド、
DN1、DN2、DN11、DN12、DN21、DN22 ダイオード(静電保護素子)、CA、CA1、CA2 キャパシター、LNP パッド配線、
20 アナログ回路、30 受信回路、32 ミキサー、34 フィルター部、
36 復調回路、40 送信回路、46 変調回路、48 クロック生成回路、
50 制御回路、52 リンク層回路、54 ホストI/F、
210 振動子、220 駆動回路、230 検出回路、232 増幅回路、
234 同期検波回路、236 フィルター部、310 集積回路装置、
320 ホスト、330 検出装置、340 センサー、350 電源部
Claims (10)
- 信号が入力されるパッドと、
前記パッド用の静電保護素子と、
前記パッドを介して入力される信号についてのアナログ処理を行うアナログ回路と、
前記アナログ回路の信号入力ノードと前記パッドとの間に設けられるキャパシターとを含み、
前記パッドと前記キャパシターの一端とが、最上層金属層である第Nの金属層の下層の第1の金属層〜第N−1の金属層(Nは3以上の整数)で形成される配線を介さずに、前記最上層金属層で形成されるパッド配線により接続され、
前記パッド配線は、平面視において前記静電保護素子にオーバーラップするように配線され、
前記キャパシターは、MIM(Metal-Insulator-Metal)構造のキャパシターであり、
前記キャパシターの前記信号入力ノード側の電極である他端の電極は、前記最上層金属層である前記第Nの金属層の下層の前記第N−1の金属層で形成され、
前記キャパシターの前記一端の電極は、前記最上層金属層と前記第N−1の金属層との間に形成されたMIM用金属層で形成され、コンタクトを介して前記パッド配線に接続されることを特徴とする集積回路装置。 - 請求項1において、
前記キャパシターの前記他端には、前記キャパシターによるAC結合後の信号のDC電圧を設定するための抵抗が接続され、
前記キャパシター及び前記抵抗により、静電気の周波数成分の周波数帯域よりも高いカットオフ周波数を有するハイパスフィルターが構成されることを特徴とする集積回路装置。 - 請求項1又は2において、
前記パッド配線と前記静電保護素子とのオーバーラップ領域に形成されたコンタクトにより、前記パッド配線と前記静電保護素子とが接続されることを特徴とする集積回路装置。 - 請求項1において、
前記静電保護素子として、アノード端子が低電位側電源ノードに接続される静電保護用の第1のダイオードと、カソード端子が高電位側電源ノードに接続される静電保護用の第2のダイオードとを含み、
前記第1のダイオードのカソード端子と、前記第2のダイオードのアノード端子とが、前記パッド配線を介して接続されることを特徴とする集積回路装置。 - 請求項1乃至4のいずれかにおいて、
前記アナログ回路は、前記パッドを介して入力される信号の受信処理を行う受信回路を含み、
前記キャパシターは、前記受信回路の信号入力ノードと前記パッドとの間に設けられるAC結合用のキャパシターであることを特徴とする集積回路装置。 - 請求項5において、
前記アナログ回路は、前記パッドを介して出力される信号の送信処理を行う送信回路を含み、
前記パッドと前記送信回路の出力ノードとが前記パッド配線により接続されることを特徴とする集積回路装置。 - 請求項1乃至6のいずれかにおいて、
前記キャパシターの前記他端の電極と前記アナログ回路の入力ノードとを接続するコンタクトが、前記キャパシターの形成領域と平面視においてオーバーラップしない領域に形成されることを特徴とする集積回路装置。 - 請求項1乃至7のいずれかにおいて、
前記最上層金属層は下層金属層よりも厚い金属層であることを特徴とする集積回路装置。 - 請求項1乃至8のいずれかにおいて、
前記パッドの下方には、最下層である前記第1の金属層で構成されるシールド層が配置されることを特徴とする集積回路装置。 - 請求項1乃至9のいずれかに記載の集積回路装置を含むことを特徴とする電子機器。
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