JP5585143B2 - Transparent conductive laminate, method for producing the same, and touch panel - Google Patents

Transparent conductive laminate, method for producing the same, and touch panel Download PDF

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本発明は、透明な基材上に成膜された酸化インジウム・スズ(ITO)膜を有する透明導電性積層体に関し、導電性が低く、透過率が高く、且つ優れた密着性と耐性を持ち、パターン形状が目立たないタッチパネル又はタッチパネルを用いたディスプレイ、特に静電容量式のタッチパネルに用いられる透明導電性積層体に関するものである。   The present invention relates to a transparent conductive laminate having an indium tin oxide (ITO) film formed on a transparent substrate, having low conductivity, high transmittance, and excellent adhesion and resistance. Further, the present invention relates to a transparent conductive laminate used for a touch panel or a display using a touch panel in which the pattern shape is not conspicuous, particularly a capacitive touch panel.

従来、可視透過率の高い透明導電膜は液晶ディスプレイ(LCD:liquid crystal display)、プラズマディスプレイ(PDP:plasma display panel)、タッチパネル等に使用されている。これらのディスプレイとタッチパネルは従来のブラウン管(CRT:cathode ray tube)ディスプレイに比べて圧倒的に薄く、軽量で、省電力等の多くの利点を有するので、近年、需要が著しく拡大し、主流になっている。   Conventionally, a transparent conductive film having a high visible transmittance is used for a liquid crystal display (LCD), a plasma display (PDP), a touch panel, and the like. These displays and touch panels are overwhelmingly thin and light compared to conventional cathode ray tube (CRT) displays, are light in weight, and have many advantages such as power saving. ing.

液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイとタッチパネルは光学部品であるため、その中の部材として用いられる透明導電膜には低い電気抵抗、可視光に対する高い透過率と高い耐久性などが要求される。ITO膜は、導電性が良好で、しかも可視光波長域での透光性が良好のため、各種のディスプレイ、タッチパネル及び太陽電池の透明電極、熱反射ガラス、防曇、防氷、帯電防止ガラス、電磁シールガラス等に利用されている。ITO膜の成膜方法については、マグネトロンスパッタ法、加速電子ビームを照射するEB蒸着法などの方法が工業的に広く用いられている。具体的には、下記特許文献などが提案されている。   Since a liquid crystal display, a plasma display, and a touch panel are optical components, a transparent conductive film used as a member therein is required to have low electrical resistance, high transmittance for visible light, high durability, and the like. ITO film has good conductivity and good translucency in the visible light wavelength range, so transparent electrodes for various displays, touch panels and solar cells, heat reflecting glass, anti-fogging, anti-icing, anti-static glass It is used for electromagnetic seal glass. As a method for forming the ITO film, methods such as a magnetron sputtering method and an EB deposition method in which an accelerated electron beam is irradiated are widely used industrially. Specifically, the following patent documents have been proposed.

特開平6−320661号公報JP-A-6-320661 特開平7−207439号公報JP-A-7-207439 特開平8−174746号公報JP-A-8-174746 特開平8−192492号公報JP-A-8-192492 特開2003−160362号公報JP 2003-160362 A

特許文献1及び2によれば、マグネトロンスパッタリング法を用いて積層体を作製することによって、可視光域での透過率が高い透明導電膜を作る方法を提案されている。しかしながら、得られた透明導電薄膜は一定の耐性を持っている一方、上記透明導電膜は基材自身の強度が不足であり、且つ透明導電膜の密着性と耐久性が不十分であるという欠点がある。   According to Patent Documents 1 and 2, there is proposed a method for producing a transparent conductive film having a high transmittance in the visible light region by producing a laminate using a magnetron sputtering method. However, while the obtained transparent conductive thin film has a certain resistance, the transparent conductive film has a drawback that the strength of the substrate itself is insufficient and the adhesion and durability of the transparent conductive film are insufficient. There is.

特許文献3及び4では、透明基板の片面あるいは両面に透明硬質な有機物質層によるハードコート層が設けられ、その上に、酸化ケイ素とITO透明導電膜を積層する方法が提案されている。この方法から、得られた透明導電膜は密着性と一定の耐性を持っているがタッチパネルへの応用において上記透明導電膜の耐久性はまだ不十分である。   Patent Documents 3 and 4 propose a method in which a hard coat layer made of a transparent hard organic material layer is provided on one side or both sides of a transparent substrate, and a silicon oxide and an ITO transparent conductive film are laminated thereon. From this method, the obtained transparent conductive film has adhesion and certain durability, but the durability of the transparent conductive film is still insufficient in application to a touch panel.

さらに、特許文献5では、透明ガラス基板の上に、酸化金属層、酸化ケイ素層とITO透明導電膜を積層する方法が提案されている。この方法から、得られた透明導電膜は密着性と一定の耐性を持っているが、積層する時に、基板を200℃以上に加熱することが必要であり、プラスチックへの応用はできない。   Further, Patent Document 5 proposes a method of laminating a metal oxide layer, a silicon oxide layer and an ITO transparent conductive film on a transparent glass substrate. From this method, the obtained transparent conductive film has adhesion and a certain resistance, but it is necessary to heat the substrate to 200 ° C. or higher when laminating, and it cannot be applied to plastic.

そこで、本発明は前記従来技術の問題点を解決し、フィルムなどの基材に対して透明性が高く、優れた密着性を持ち、且つパターン形状が目立たないディスプレイあるいはタッチパネルに用いられる透明導電性積層体を作製とすることを目的とする。   Therefore, the present invention solves the above-mentioned problems of the prior art, has high transparency with respect to a substrate such as a film, has excellent adhesion, and has transparent conductivity used for a display or touch panel in which the pattern shape is inconspicuous. It aims at making a laminated body.

上記の課題を解決するための手段として、請求項1に記載の発明は、透明基材の一方の面又は両方の面に、金属酸化物層、酸化ケイ素層及び酸化インジウム・スズ層、粘着剤層を前記透明基材側から順に設けてなる透明導電性積層体であって、前記酸化インジウム・スズ層が導電性パターン領域及び非導電性パターン領域からなり、前記金属酸化物層の屈折率が1.7以上2.6以下であり、光学膜厚が12nm以上35nm以下であり、前記酸化ケイ素層の屈折率が1.3以上1.5以下であり、光学膜厚が70nm以上110nm以下であり、前記酸化インジウム・スズ層の光学膜厚が30nmよりも大きく、かつ、65nm以下であり、粘着剤層の厚みが10μm以上、200μm以下であり、全光透過率が80%以上であり、ヘーズが1%以下であり、JIS K7194に従い、表面(シート)抵抗が100Ω/□以上500Ω/□以下であり、透過色相a*及びb*がそれぞれ−4.0以上4.0以下(色彩計算:2°、視野D65光源)であり、反射色相a*及びb*が−4.0以上4.0以下(色彩計算:2°、視野D65光源)であり、前記導電性パターン領域と前記非導電性パターン領域との透過率の差及び反射率の差が、450nm以上750nm以下の範囲で、それぞれ−3.0%以上3.0%以下であり、前記導電性パターン領域と前記非導電性パターン領域との透過色差ΔE*ab(T)及び反射色差ΔE*ab(R)が、それぞれ−5.0以上5.0以下であることを特徴とする透明導電性積層体である。 As means for solving the above-mentioned problems, the invention according to claim 1 is characterized in that a metal oxide layer, a silicon oxide layer, an indium tin oxide layer, and an adhesive are formed on one surface or both surfaces of a transparent substrate. A transparent conductive laminate comprising layers in order from the transparent substrate side, wherein the indium tin oxide layer comprises a conductive pattern region and a non-conductive pattern region, and the refractive index of the metal oxide layer is 1.7 to 2.6, the optical film thickness is 12 to 35 nm, the refractive index of the silicon oxide layer is 1.3 to 1.5, and the optical film thickness is 70 to 110 nm. There, the greater than the optical thickness of the indium tin oxide layer is 30 nm, and it is 65nm or less, the pressure-sensitive adhesive layer thickness of 10μm or more, 200 [mu] m Ri der less, the total light transmittance be 80% or more The haze 1% or less, according to JIS K7194, surface (sheet) resistance of 100Ω / □ or more and 500Ω / □ or less, and transmission hues a * and b * of −4.0 to 4.0 respectively (color calculation: 2 °, visual field D65 light source), and reflection hues a * and b * are from -4.0 to 4.0 (color calculation: 2 °, visual field D65 light source), and the conductive pattern region and the non-conductive The difference in transmittance and reflectance with respect to the pattern region is −3.0% to 3.0% in the range of 450 nm to 750 nm, respectively. The conductive pattern region and the non-conductive pattern region transmitting the color difference Delta] E * ab with (T) and the reflection color difference ΔE * ab (R) is a transparent conductive laminate, respectively, characterized in der Rukoto -5.0 to 5.0.

また、請求項2に記載の発明は、前記透明基材の一方の面又は両方の面に、前記透明基材と接するハードコート層を設け、前記ハードコート層の膜厚が1μm以上8μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の透明導電性積層体である。   In the invention according to claim 2, a hard coat layer in contact with the transparent substrate is provided on one surface or both surfaces of the transparent substrate, and the film thickness of the hard coat layer is 1 μm or more and 8 μm or less. It is a transparent conductive laminated body of Claim 1 characterized by the above-mentioned.

また、請求項に記載の発明は、請求項1または2に記載の透明導電性積層体を用いることを特徴とするタッチパネルである。 The invention described in Claim 3 is a touch panel which is characterized by using a transparent conductive laminate according to claim 1 or 2.

また、請求項に記載の発明は、透明基材の一方の面又は両方の面に、屈折率が1.7以上2.6以下であり、光学膜厚が12nm以上35nm以下である金属酸化物層、及び屈折率が1.3以上1.5以下であり、光学膜厚が70nm以上110nm以下である酸化ケイ素層を、前記透明基材側から順にマグネトロンスパッタリング法にて形成する工程と、前記酸化ケイ素層の表面に、光学膜厚が30nm以上65nm以下である酸化インジウム・スズ層を、酸化スズの含量が2wt%以上15wt%以下のターゲットを用いてマグネトロンスパッタリング法にて形成する工程と、前記酸化インジウム・スズ層に導電性パターン領域及び非導電性パターン領域を形成する工程と前記導電性パターン領域及び前記非導電性パターン領域上面に粘着剤層を形成する工程と、をこの順に備えて、全光透過率が80%以上であり、ヘーズが1%以下であり、JIS K7194に従い、表面(シート)抵抗が100Ω/□以上500Ω/□以下であり、透過色相a*及びb*がそれぞれ−4.0以上4.0以下(色彩計算:2°、視野D65光源)であり、反射色相a*及びb*が−4.0以上4.0以下(色彩計算:2°、視野D65光源)であり、前記導電性パターン領域と前記非導電性パターン領域との透過率の差及び反射率の差が、450nm以上750nm以下の範囲で、それぞれ−3.0%以上3.0%以下であり、前記導電性パターン領域と前記非導電性パターン領域との透過色差ΔE*ab(T)及び反射色差ΔE*ab(R)が、それぞれ−5.0以上5.0以下である透明導電性積層体を製造することを特徴とする透明導電性積層体の製造方法である。 In the invention according to claim 4 , the metal oxide having a refractive index of 1.7 or more and 2.6 or less and an optical film thickness of 12 nm or more and 35 nm or less on one surface or both surfaces of the transparent substrate. A step of forming a physical layer and a silicon oxide layer having a refractive index of 1.3 to 1.5 and an optical film thickness of 70 nm to 110 nm by magnetron sputtering in order from the transparent substrate side; Forming an indium tin oxide layer having an optical thickness of 30 nm to 65 nm on the surface of the silicon oxide layer by a magnetron sputtering method using a target having a tin oxide content of 2 wt% to 15 wt%; a step of forming a conductive pattern areas and non-conductive pattern area on the indium tin oxide layer, the conductive pattern region and the non-conductive pattern region top Includes a step of forming an adhesive layer, in this order, the total light transmittance is not less than 80%, a haze of 1% or less, according to JIS K7194, the surface (sheet) resistance of 100 [Omega / □ or 500 [Omega / □ or less, transmitted hues a * and b * are each −4.0 to 4.0 (color calculation: 2 °, field of view D65 light source), and reflected hues a * and b * are −4.0 or more. 4.0 or less (color calculation: 2 °, field of view D65 light source), and the difference in transmittance and reflectance between the conductive pattern region and the non-conductive pattern region is in the range of 450 nm to 750 nm. The transmission color difference ΔE * ab (T) and the reflection color difference ΔE * ab (R) between the conductive pattern region and the non-conductive pattern region are −3.0% to 3.0%, respectively. -5.0 or more and 5.0 or less That you produce electroconductive laminate is a manufacturing method of the transparent conductive laminate according to claim.

また、請求項に記載の発明は、前記透明基材の一方の面又は両方の面に、前記透明基材と接し、膜厚が1μm以上8μm以下であるハードコート層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項に記載の透明導電性積層体の製造方法である。 The invention according to claim 5 includes a step of forming a hard coat layer having a thickness of 1 μm or more and 8 μm or less in contact with the transparent substrate on one or both surfaces of the transparent substrate. It is a manufacturing method of the transparent conductive laminated body of Claim 4 characterized by the above-mentioned.

本発明の透明導電性積層体は、透明性が高く各層間で優れた密着性を持つ。また、透明導電膜である酸化インジウム・スズ層にパターンを形成して静電容量式タッチパネルとして用いた場合、そのパターン形状が目立つことのない視認性に優れたタッチパネルを得ることができる。   The transparent conductive laminate of the present invention has high transparency and excellent adhesion between the respective layers. Moreover, when a pattern is formed in the indium tin oxide layer which is a transparent conductive film and it uses as a capacitive touch panel, the touch panel excellent in the visibility which the pattern shape does not stand out can be obtained.

本発明の透明導電性積層体の第1の実施形態の断面説明図である。It is a section explanatory view of a 1st embodiment of a transparent conductive layered product of the present invention. 本発明の透明導電性積層体の第2の実施形態の断面説明図である。It is a section explanatory view of a 2nd embodiment of a transparent conductive layered product of the present invention. 本発明の透明導電性積層体の第3の実施形態の断面説明図である。It is a section explanatory view of a 3rd embodiment of a transparent conductive layered product of the present invention.

図1は本発明の実施の形態に係る透明導電性積層体の基本的な層構成を表す概略断面図である。図2は本発明の実施の形態に係る透明導電性積層体にハードコート層を設けた層構成を表す概略断面図である。図3は透明基材両面に金属酸化物層、酸化ケイ素層、酸化インジウム・スズ層を設けた層構成を示す概略断面図である。   FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a basic layer configuration of a transparent conductive laminate according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a layer configuration in which a hard coat layer is provided on the transparent conductive laminate according to the embodiment of the present invention. FIG. 3 is a schematic sectional view showing a layer structure in which a metal oxide layer, a silicon oxide layer, and an indium / tin oxide layer are provided on both surfaces of a transparent substrate.

図1に示すように、本発明の実施の形態に係る透明導電性積層体10は、透明基材1、金属酸化物層2a、酸化ケイ素層3a、酸化インジウム・スズ層4a、粘着剤層5aを順次積層し、また、酸化インジウム・スズ層4aが導電性パターン領域6a及び非導電性パターン領域7aを形成している。なお、金属酸化物層2a、酸化ケイ素層3a、酸化インジウム・スズ層4a、粘着剤層5aは、透明基材1の両面に形成されてもよい。   As shown in FIG. 1, a transparent conductive laminate 10 according to an embodiment of the present invention includes a transparent substrate 1, a metal oxide layer 2a, a silicon oxide layer 3a, an indium / tin oxide layer 4a, and an adhesive layer 5a. The indium tin oxide layer 4a forms a conductive pattern region 6a and a non-conductive pattern region 7a. The metal oxide layer 2a, the silicon oxide layer 3a, the indium / tin oxide layer 4a, and the pressure-sensitive adhesive layer 5a may be formed on both surfaces of the transparent substrate 1.

本発明の透明基材は透明なプラスチックからなっている。透明なプラスチックフィルムとしては、アクリル樹脂、ポリアミド樹脂、メラミン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、セルロースおよびこれらの共重合樹脂、ゼラチン、カゼインなどの有機天然化合物などから、合成した透明な基板が例示できる。詳しい例として、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、アクリル、ポリカーボネート(PC)、ポリスチレン、トリアセテート(TAC)、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチラール、金属イオン架橋エチレン−メタクリル酸共重合体、ポリウレタン、セロファンなどが、好ましくはPET、PC、PMMA、TACなどが挙げられるが、この限りではない。   The transparent substrate of the present invention is made of a transparent plastic. Examples of the transparent plastic film include a transparent substrate synthesized from an organic resin such as acrylic resin, polyamide resin, melamine resin, polyimide resin, polyester resin, cellulose and copolymer resins thereof, gelatin, and casein. Specific examples include polyester, polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate, polymethyl methacrylate (PMMA), acrylic, polycarbonate (PC), polystyrene, triacetate (TAC), polyvinyl alcohol, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyethylene, Ethylene-vinyl acetate copolymer, polyvinyl butyral, metal ion cross-linked ethylene-methacrylic acid copolymer, polyurethane, cellophane and the like are preferable, but PET, PC, PMMA, TAC and the like are preferable, but not limited thereto.

本発明では、透明基材として、特に上記のポリエステル、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、トリアセテート(TAC)などを利用できる。しかし、上記透明基板の機械的な強度が不十分なため、その上に成膜した製品は機械的な強度が不十分である。この問題を解決するために、図2に示すように、透明基材1と金属酸化物層2aとの間に第1のハードコート層8aを挿入することができる。ハードコート層は、透明基材1の表面に1層のみ設けてもよいが、さらに、透明基材の強度を増加した時に発生するカールを抑制するために、透明基材1の裏面に第2のハードコート層8bを挿入することも可能である。   In the present invention, the above-mentioned polyester, polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate, polymethyl methacrylate (PMMA), triacetate (TAC) and the like can be used as the transparent substrate. However, since the mechanical strength of the transparent substrate is insufficient, the product formed thereon has insufficient mechanical strength. In order to solve this problem, as shown in FIG. 2, a first hard coat layer 8a can be inserted between the transparent substrate 1 and the metal oxide layer 2a. Only one layer of the hard coat layer may be provided on the surface of the transparent base material 1, but in order to suppress curling that occurs when the strength of the transparent base material is increased, a second hard coat layer is provided on the back surface of the transparent base material 1. It is also possible to insert the hard coat layer 8b.

本発明の透明基材には、易接着処理、プラズマ処理及びコロナ処理などの表面処理が施されていてもよい。   The transparent substrate of the present invention may be subjected to surface treatment such as easy adhesion treatment, plasma treatment and corona treatment.

本発明の第1のハードコート層8aと第2のハードコート8bの膜厚については、1μm以上8μm以下であることが好ましい。膜厚が薄いとハードコート層の性能が出にくい。膜厚が厚いとハードコート層の性能が出やすいが、クラック発生の可能性が高くなる。そして、第1のハードコート層8aの膜厚と第2のハードコート層8bの膜厚の調整することにより、得られた透明導電性積層体の表裏の応力が対称となるべく調整することができる。   The film thicknesses of the first hard coat layer 8a and the second hard coat 8b of the present invention are preferably 1 μm or more and 8 μm or less. If the film thickness is thin, the performance of the hard coat layer is difficult to achieve. If the film thickness is thick, the performance of the hard coat layer tends to be improved, but the possibility of occurrence of cracks increases. Then, by adjusting the film thickness of the first hard coat layer 8a and the film thickness of the second hard coat layer 8b, the stress on the front and back of the obtained transparent conductive laminate can be adjusted to be symmetric. .

本発明のハードコート層に用いられる硬化性樹脂には、電離放射線や紫外線照射により硬化する硬化性樹脂や熱硬化性の樹脂が挙げられる。具体的には、紫外線硬化型であるアクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリル酸エステル類、メタクリルアミド類等のアクリル系や、有機珪素系の樹脂、熱硬化型のポリシロキサン樹脂等が好適である。以上の樹脂が挙げられるが、この限りではない。   Examples of the curable resin used in the hard coat layer of the present invention include a curable resin and a thermosetting resin that are cured by irradiation with ionizing radiation or ultraviolet rays. Specifically, acrylic resins such as UV curable acrylic esters, acrylamides, methacrylic esters, and methacrylamides, organosilicon resins, thermosetting polysiloxane resins, and the like are suitable. . Although the above resin is mentioned, it is not this limitation.

ハードコート層の形成方法は、主成分である樹脂と紫外線を吸収する材料を溶剤に溶解させ、ダイコーター、カーテンフローコーター、ロールコーター、リバースロールコーター、グラビアコーター、ナイフコーター、バーコーター、スピンコーター、マイクログラビアコーターなどの公知の塗布方法で形成する。   The hard coat layer is formed by dissolving the main component resin and UV absorbing material in a solvent, die coater, curtain flow coater, roll coater, reverse roll coater, gravure coater, knife coater, bar coater, spin coater. And a known coating method such as a micro gravure coater.

本発明の金属酸化物層2a、2bは、高屈折率の金属酸化物層である。金属酸化物層に用いられる材料としては、ZnO、TiO2 、CeO2 、Sb2 O5 、SnO2 、Y2 O3 、La2O3 、ZrO2 、Al2 O3 、Nb2 O5 等が挙げられるが、この限りではない。   The metal oxide layers 2a and 2b of the present invention are high refractive index metal oxide layers. Examples of the material used for the metal oxide layer include, but are not limited to, ZnO, TiO2, CeO2, Sb2O5, SnO2, Y2O3, La2O3, ZrO2, Al2O3, and Nb2O5.

金属酸化物層の屈折率は、透明基材とハードコート層の屈折率を考慮して、1.7以上2.6以下であることが好ましい。この範囲にすることで、ハードコート層の屈折率より高くなり、高屈折率材料として用いることができる。   The refractive index of the metal oxide layer is preferably 1.7 or more and 2.6 or less in consideration of the refractive indexes of the transparent substrate and the hard coat layer. By setting it as this range, it becomes higher than the refractive index of a hard-coat layer, and can be used as a high refractive index material.

また、金属酸化物層の光学膜厚は、12nm以上35nm以下であることが好ましい。この範囲にすることで、得られたパターン形状が目立つことのない視認性を持っている。なお、光学膜厚は、金属酸化物の屈折率をn、膜厚をdとしたときに、ndで表される。   The optical film thickness of the metal oxide layer is preferably 12 nm or more and 35 nm or less. By setting it within this range, the obtained pattern shape has visibility so as not to stand out. The optical film thickness is represented by nd, where n is the refractive index of the metal oxide and d is the film thickness.

本発明の酸化ケイ素層3a、3bは、低屈折率の金属酸化物層であり、SiOxで表される。ここで、xは酸素原子の数である。酸化ケイ素層の屈折率は、1.3以上1.5以下であることが好ましい。この範囲にすることで、得られた酸化ケイ素層を低屈折率材料として用いることができる。ここで、酸化ケイ素層の屈折率は、酸素原子の数xで調整することができ、そのxの値は1.5以上2.0以下であることが好ましい。   The silicon oxide layers 3a and 3b of the present invention are low refractive index metal oxide layers and are represented by SiOx. Here, x is the number of oxygen atoms. The refractive index of the silicon oxide layer is preferably 1.3 or more and 1.5 or less. By making it into this range, the obtained silicon oxide layer can be used as a low refractive index material. Here, the refractive index of the silicon oxide layer can be adjusted by the number x of oxygen atoms, and the value of x is preferably 1.5 or more and 2.0 or less.

また、酸化ケイ素層の光学膜厚は、70nm以上110nm以下であることが好ましい。この範囲にすることで、得られたパターン形状が目立つことのない視認性をもつ透明導電性積層体を得ることが出来る。   Moreover, it is preferable that the optical film thickness of a silicon oxide layer is 70 nm or more and 110 nm or less. By setting it as this range, the transparent conductive laminated body with the visibility which the obtained pattern shape does not stand out can be obtained.

本発明の金属酸化物層及び酸化ケイ素層は、屈折率及び光学膜厚をそれぞれ上記範囲に調整することにより、所望の光学特性を有する透明導電性積層体を得ることができる。具体的には、後述するように、透明性が高く、ヘーズの値が小さく、かつ視認性が良好な透明導電性積層体を得ることができる。そして、本発明の透明導電性積層体は酸化インジウム・スズ層自身の特有な黄色色味の減少することができる。   The metal oxide layer and the silicon oxide layer of the present invention can obtain a transparent conductive laminate having desired optical characteristics by adjusting the refractive index and the optical film thickness within the above ranges, respectively. Specifically, as will be described later, a transparent conductive laminate having high transparency, a low haze value, and good visibility can be obtained. And the transparent conductive laminated body of this invention can reduce the peculiar yellow tint of an indium tin oxide layer itself.

また、本発明の金属酸化物層及び酸化ケイ素層の作用としては、単純な光学調整だけではなく、密着性改善作用もある。金属酸化物層及び酸化ケイ素層を成膜することによって、酸化インジウム・スズ層との親和性が良くなり、透明導電性積層体の密着性を改善することができる。   Further, the action of the metal oxide layer and the silicon oxide layer of the present invention includes not only simple optical adjustment but also adhesion improving action. By forming the metal oxide layer and the silicon oxide layer, the affinity with the indium tin oxide layer is improved, and the adhesion of the transparent conductive laminate can be improved.

本発明の金属酸化物層及び酸化ケイ素層は、図1のように、透明基材1の一方の面のみに設けてもよく、また、透明基材1の両方の面に設けてもよい。透明基材1にハードコート層を設けた場合は、図2のようにハードコート層表面金属酸化物層2a及び酸化ケイ素層3aを順に設けることができる。また、図3のように、第一のハードコート層8aの表面に第一の金属酸化物層2a及び第一の酸化ケイ素層3aを第二のハードコート層8bの表面に第二の金属酸化物層2b及び第二の酸化ケイ素層3bを、それぞれ順に設けることができる。   As shown in FIG. 1, the metal oxide layer and the silicon oxide layer of the present invention may be provided only on one surface of the transparent substrate 1 or may be provided on both surfaces of the transparent substrate 1. When a hard coat layer is provided on the transparent substrate 1, a hard coat layer surface metal oxide layer 2a and a silicon oxide layer 3a can be sequentially provided as shown in FIG. Further, as shown in FIG. 3, the first metal oxide layer 2a and the first silicon oxide layer 3a are formed on the surface of the first hard coat layer 8a, and the second metal oxide layer is formed on the surface of the second hard coat layer 8b. The physical layer 2b and the second silicon oxide layer 3b can be sequentially provided.

本発明の積層成膜方法としては、膜の特性を得るために、気相成膜が好ましい。気相成膜方法には、マグネトロンスパッタリング法や、加速電子ビームを照射するEB蒸着法などの物理真空蒸着法(PVD)と化学真空蒸着法(CVD)がある。この中で、マグネトロンスパッタリング法が特に好ましい。   As the laminated film formation method of the present invention, vapor phase film formation is preferable in order to obtain film characteristics. The vapor deposition method includes a magnetron sputtering method, a physical vacuum vapor deposition method (PVD) such as an EB vapor deposition method that irradiates an accelerated electron beam, and a chemical vacuum vapor deposition method (CVD). Among these, the magnetron sputtering method is particularly preferable.

本発明の酸化インジウム・スズ層4a、4bは、酸化スズの含量が2wt%以上15wt%以下のターゲットを用いて成膜することが好ましい。酸化スズの含量が2wt%より小さくなるとキャリア密度が低すぎで、導電性能が著しく落ちる。酸化スズの含量が15wt%より大きくなると酸化インジウム・スズ層の構造が変化し、導電性能も悪くなる。   The indium tin oxide layers 4a and 4b of the present invention are preferably formed using a target having a tin oxide content of 2 wt% or more and 15 wt% or less. When the tin oxide content is less than 2 wt%, the carrier density is too low and the conductive performance is significantly reduced. When the content of tin oxide exceeds 15 wt%, the structure of the indium tin oxide layer changes and the conductive performance also deteriorates.

酸化インジウム・スズ層の光学膜厚が30nm以上65nm以下であることが好ましい。30nmより小さい場合、膜厚が薄く性能が出られない。また、65nmより大きいと得られた膜は透過率低くなり、光学特性が低下する。   The optical film thickness of the indium tin oxide layer is preferably 30 nm or more and 65 nm or less. When the thickness is smaller than 30 nm, the film thickness is thin and performance cannot be obtained. On the other hand, if the thickness is larger than 65 nm, the obtained film has low transmittance and optical characteristics are deteriorated.

本発明の酸化インジウム・スズ層は、図1から3のように、酸化ケイ素層3a、または3bの表面に設けられ、パターンを形成して、導電性パターン領域6a、6b及び非導電性パターン領域7a、7bが設けられる。   The indium tin oxide layer of the present invention is provided on the surface of the silicon oxide layer 3a or 3b as shown in FIGS. 1 to 3, and forms a pattern to form the conductive pattern regions 6a and 6b and the non-conductive pattern region. 7a and 7b are provided.

パターン形成方法としては、酸化インジウム・スズ層上にレジストを塗布し、パターンを露光・現像により形成した後に酸化インジウム・スズ層を化学的に溶解させるフォトリソグラフィによる方法、真空中で化学反応により気化させる方法、レーザーにより酸化インジウム・スズ層を昇華させる方法、などが挙げられ、パターンの形状、精度などにより適時選択ができるが、パターン精度、細線化を考慮し、フォトリソグラフィ法が好ましい。   As a pattern formation method, a resist is applied on the indium tin oxide layer, the pattern is formed by exposure / development, and then the indium tin oxide layer is chemically dissolved. And a method of sublimating the indium tin oxide layer with a laser, and the like can be selected in a timely manner depending on the shape and accuracy of the pattern. In consideration of pattern accuracy and thinning, a photolithography method is preferable.

粘着層としては、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤等を挙げられるが、この限りでは無い。厚みは10μm以上200μm以下の層であることが好ましい。厚みが10μm未満となると、密着性が十分に確保できないことや、厚みの僅かなブレでも色味のムラが目立ちやすく、200μmを超えると、透明性が劣り、外観に不具合が生じる他に、タッチパネルとしての総厚が厚くなることや、コスト高、生産性が劣るといった問題が生じる。本発明の透明導電性積層体は、粘着層を備えることにより、タッチパネルを作成する際に、ガラス、プラスチックシート、フィルム等への貼り合わせが可能となる。   Examples of the adhesive layer include, but are not limited to, acrylic adhesives, rubber adhesives, silicone adhesives, and the like. The thickness is preferably 10 μm or more and 200 μm or less. If the thickness is less than 10 μm, sufficient adhesion cannot be ensured, and even if the thickness is slightly blurred, uneven color is easily noticeable. If the thickness exceeds 200 μm, the transparency is inferior and the appearance is defective. As a result, there are problems such as an increase in total thickness, high cost, and poor productivity. When the transparent conductive laminate of the present invention is provided with an adhesive layer, it can be bonded to glass, a plastic sheet, a film or the like when creating a touch panel.

本発明の透明導電性積層体は、全光透過率が80%以上であり、ヘーズが1%以下であり、シート抵抗が100Ω/□以上500Ω/□以下であり、且つ透過色相a*及びb*が−4.0以上4.0以下(色彩計算:2°、視野D65光源)を満たすため、優れた光学特性を持つ透明導電性積層体の作製することができる。   The transparent conductive laminate of the present invention has a total light transmittance of 80% or more, a haze of 1% or less, a sheet resistance of 100Ω / □ or more and 500Ω / □ or less, and a transmission hue a * and b. Since * satisfies −4.0 to 4.0 (color calculation: 2 °, visual field D65 light source), a transparent conductive laminate having excellent optical characteristics can be produced.

酸化インジウム・スズ層に形成したパターン形状が目立たないことの一番理想的な条件としては、可視光範囲内各波長に対して、導電性パターン領域と非導電性パターン領域の透過率の差と反射率の差が0になっていることである。本発明では、図1から図3に記載されるように、導電性パターン領域6a、6bと非導電性パターン領域7a、7bとに形成するパターニングを行い、その上面に粘着層5a、5bを貼り合せた状態において、可視光範囲内各波長に対して、導電性パターン領域6aと非導電性パターン領域7a、あるいは導電性パターン領域6bと非導電性パターン領域7bの透過率の差と反射率の差が450nm以上750nm以下の範囲で、それぞれ−3.0%以上3.0%以下であることを特徴とする。また、導電性パターン領域と非導電性パターン領域の透過色差ΔE*ab(T)と反射色差ΔE*ab(R)はそれぞれ−5.0以上5.0以下であることを特徴とする。この範囲を満たすことにより、得られた透明導電性積層体に形成したパターンの形状がほぼ目立たない状態になる。   The most ideal condition that the pattern shape formed on the indium tin oxide layer is not conspicuous is the difference in transmittance between the conductive pattern region and the non-conductive pattern region for each wavelength within the visible light range. The difference in reflectance is 0. In the present invention, as shown in FIGS. 1 to 3, patterning is performed on the conductive pattern regions 6a and 6b and the non-conductive pattern regions 7a and 7b, and the adhesive layers 5a and 5b are pasted on the upper surface. In the combined state, for each wavelength within the visible light range, the difference in transmittance and reflectance between the conductive pattern region 6a and the non-conductive pattern region 7a, or between the conductive pattern region 6b and the non-conductive pattern region 7b. The difference is −3.0% or more and 3.0% or less in the range of 450 nm or more and 750 nm or less, respectively. Further, the transmission color difference ΔE * ab (T) and the reflection color difference ΔE * ab (R) between the conductive pattern region and the non-conductive pattern region are respectively −5.0 or more and 5.0 or less. By satisfying this range, the shape of the pattern formed on the obtained transparent conductive laminate is almost inconspicuous.

本発明の応用範囲は、透明導電性積層体を用いたことを特徴とするタッチパネルなどである。本発明で作製した透明導電性積層体は、シート抵抗が低く、密着性が良く、透過率が高く、パターン形状を目立たないなどの特徴を持っているために、静電防止フィルム、静電容量式タッチパネルなどへの応用が可能である。   The application range of the present invention is a touch panel using a transparent conductive laminate. The transparent conductive laminate produced in the present invention has features such as low sheet resistance, good adhesion, high transmittance, and inconspicuous pattern shape. It can be applied to a touch panel.

以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。   Hereinafter, the present invention will be specifically described based on examples.

<実施例1>
紫外線硬化型アクリル系樹脂であるユニディックV−9500(DIC社製)を用いて、188μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(PET)両面に、ハードコート層(HC(1)及びHC(2))をマイクログラビアコーターにより塗工した。得られたハードコート層の膜厚は、HC(1)、HC(2)ともに3μmである。マグネトロンスパッタリング法にて、この194μm厚のHC(1)/PET/HC(2)フィルム(両面ハードコート付きPETフィルム)のHC(1)の表面上に、金属酸化物層である高屈折率酸化チタン(TiO2 )と低屈折率酸化ケイ素(SiO2 )を順次に積層した。このとき、TiO2 層の光学膜厚を18nm、SiO2 層の光学膜厚を85nmとし、TiO2層の屈折率を2.23、SiO2 層の屈折率を1.46とした。次いで、酸化スズを10wt%含有する酸化インジウム・スズ(ITO)層を、光学膜厚を54nmとして成膜し、抵抗値の測定を行った。次にフォトリソグラフィ法により酸化インジウム・スズ層に導電性パターン領域及び非導電性パターン領域を形成した。最後に屈折率1.50、厚さ25μmの粘着剤を導電性パターン領域及び非導電性パターン領域の上面に貼り合せた。なお、TiO2 層及びSiO2 層は、成膜時の酸素流量(分圧)を変化させることにより、形成される薄膜の酸素欠損の量を変化させ、屈折率を調整した。また、ITO層の成膜時のシート抵抗の制御は、印加電力、成膜時間、酸素流量により調整した。以上により、実施例1の透明導電性積層体を作製した。得られた透明導電性積層体の評価は以下のように行った。
<Example 1>
Using Unidic V-9500 (manufactured by DIC), an ultraviolet curable acrylic resin, hard coat layers (HC (1) and HC (2)) are microgravure on both sides of a 188 μm polyethylene terephthalate film (PET). It was coated by a coater. The thickness of the obtained hard coat layer is 3 μm for both HC (1) and HC (2). High refractive index oxidation, which is a metal oxide layer, on the surface of HC (1) of this 194 μm thick HC (1) / PET / HC (2) film (PET film with double-sided hard coat) by magnetron sputtering. Titanium (TiO2) and low refractive index silicon oxide (SiO2) were sequentially laminated. At this time, the optical thickness of the TiO2 layer was 18 nm, the optical thickness of the SiO2 layer was 85 nm, the refractive index of the TiO2 layer was 2.23, and the refractive index of the SiO2 layer was 1.46. Next, an indium tin oxide (ITO) layer containing 10 wt% tin oxide was formed with an optical film thickness of 54 nm, and the resistance value was measured. Next, a conductive pattern region and a non-conductive pattern region were formed on the indium tin oxide layer by photolithography. Finally, an adhesive having a refractive index of 1.50 and a thickness of 25 μm was bonded to the upper surfaces of the conductive pattern region and the non-conductive pattern region. In the TiO2 layer and the SiO2 layer, the amount of oxygen vacancies in the formed thin film was changed by changing the oxygen flow rate (partial pressure) during film formation, and the refractive index was adjusted. In addition, the sheet resistance during film formation of the ITO layer was adjusted by applied power, film formation time, and oxygen flow rate. Thus, the transparent conductive laminate of Example 1 was produced. Evaluation of the obtained transparent conductive laminated body was performed as follows.

[シート抵抗測定]
三菱化学アナリテック社製の表面抵抗測定装置Loresta GPを用いて抵抗値を4端子法で測定した。
[Sheet resistance measurement]
The resistance value was measured by a 4-terminal method using a surface resistance measuring device Loresta GP manufactured by Mitsubishi Chemical Analytech.

[分光スペクトルの測定]
日立製作所社製の自動分光光度計U−4000を用い、D65、2度視野にて測定を行い、色彩計算を行った。
[Spectral spectrum measurement]
Using an automatic spectrophotometer U-4000 manufactured by Hitachi, Ltd., D65 was measured at a 2 degree visual field, and color calculation was performed.

光学特性の評価にはJISのL*a*b*表色系が用いられた。それぞれの数値は、次に示す式により求められる。   A JIS L * a * b * color system was used for evaluation of optical characteristics. Each numerical value is obtained by the following formula.

ΔL*T=|透過L*(導電性パターン領域)−透過L*(非導電性パターン領域)|
Δa*T=|透過a*(導電性パターン領域)−透過a*(非導電性パターン領域)|
Δb*T=|透過b*(導電性パターン領域)−透過b*(非導電性パターン領域)|
ΔL*R=|反射L*(導電性パターン領域)−反射L*(非導電性パターン領域)|
Δa*R=|反射a*(導電性パターン領域)−反射a*(非導電性パターン領域)|
Δb*R=|反射b*(導電性パターン領域)−反射b*(非導電性パターン領域)|
ΔE*ab(T)=[(ΔL*T)2+(Δa*T)2+(Δb*T)2]1/2
ΔE*ab(R)=[(ΔL*R)2+(Δa*R)2+(Δb*R)2]1/2
[全光透過率とヘーズの測定]
日本電色製社製のNDH 2000ヘーズメーターを使用してJISK7105に準じて測定を行った。
ΔL * T = | transmission L * (conductive pattern region) −transmission L * (non-conductive pattern region) |
Δa * T = | transmission a * (conductive pattern region) −transmission a * (non-conductive pattern region) |
Δb * T = | transmission b * (conductive pattern region) −transmission b * (non-conductive pattern region) |
ΔL * R = | reflected L * (conductive pattern region) −reflected L * (non-conductive pattern region) |
Δa * R = | reflected a * (conductive pattern region) −reflected a * (non-conductive pattern region) |
Δb * R = | reflected b * (conductive pattern region) −reflected b * (non-conductive pattern region) |
ΔE * ab (T) = [(ΔL * T ) 2 + (Δa * T ) 2 + (Δb * T ) 2 ] 1/2
ΔE * ab (R) = [(ΔL * R ) 2 + (Δa * R ) 2 + (Δb * R ) 2 ] 1/2
[Measurement of total light transmittance and haze]
Measurement was performed according to JISK7105 using an NDH 2000 haze meter manufactured by Nippon Denshoku.

<実施例2>
実施例1から得られた透明導電性積層体の裏面のHC(2)の表面上に、金属酸化物層である高屈折率酸化チタン(TiO2 )と低屈折率酸化ケイ素(SiO2 )を順次に積層した。このとき、TiO2 層の光学膜厚を18nm、SiO2 層の光学膜厚を85nmとし、TiO2 層の屈折率を2.23、SiO2 層の屈折率を1.46とした。次いで、酸化スズを10wt%含有する酸化インジウム・スズ(ITO)層を、光学膜厚を54nmとして成膜し、抵抗値の測定を行った。次にフォトリソグラフィ法によりITO層に導電性パターン領域及び非導電性パターン領域を形成した。最後に屈折率1.50、厚さ25μmの粘着剤を導電性パターン領域及び非導電性パターン領域の上面に貼り合せた。なお、TiO2 層及びSiO2 層の屈折率の調整、及びITO層のシート抵抗の制御は、実施例1と同様の方法で調整した。以上により、実施例2の透明導電性積層体を作製した。得られた透明導電性積層体の評価は実施例1と同様の方法で行った。
<Example 2>
On the surface of HC (2) on the back surface of the transparent conductive laminate obtained from Example 1, high refractive index titanium oxide (TiO2) and low refractive index silicon oxide (SiO2), which are metal oxide layers, were sequentially formed. Laminated. At this time, the optical thickness of the TiO2 layer was 18 nm, the optical thickness of the SiO2 layer was 85 nm, the refractive index of the TiO2 layer was 2.23, and the refractive index of the SiO2 layer was 1.46. Next, an indium tin oxide (ITO) layer containing 10 wt% tin oxide was formed with an optical film thickness of 54 nm, and the resistance value was measured. Next, a conductive pattern region and a non-conductive pattern region were formed on the ITO layer by photolithography. Finally, an adhesive having a refractive index of 1.50 and a thickness of 25 μm was bonded to the upper surfaces of the conductive pattern region and the non-conductive pattern region. The adjustment of the refractive indexes of the TiO2 layer and the SiO2 layer and the control of the sheet resistance of the ITO layer were adjusted in the same manner as in Example 1. Thus, a transparent conductive laminate of Example 2 was produced. Evaluation of the obtained transparent conductive laminate was performed in the same manner as in Example 1.

<比較例1>
紫外線硬化型アクリル系樹脂であるユニディックV−9500(DIC社製)を用いて、188μmのPET両面に(HC(1)及びHC(2))をマイクログラビアコーターにより塗工した。得られたハードコート層の膜厚は、HC(1)、HC(2)ともに3μmである。マグネトロンスパッタリング法にて、HC(1)の表面に、酸化スズを10wt%含有する酸化インジウム・スズ(ITO)層を、光学膜厚を54nmとして成膜し、抵抗値を測定した。次にフォトリソグラフィ法によりITO層に導電性パターン領域及び非導電性パターン領域を形成した。最後に屈折率1.50、厚さ25μmの粘着剤を導電性パターン領域及び非導電性パターン領域の上面に貼り合せた。以上により、比較例1の透明導電性積層体を作製した。得られた透明導電性積層体の評価は実施例1と同様の方法で行った。
<Comparative Example 1>
Using unidic V-9500 (manufactured by DIC), which is an ultraviolet curable acrylic resin, (HC (1) and HC (2)) were coated on both sides of PET of 188 μm with a micro gravure coater. The thickness of the obtained hard coat layer is 3 μm for both HC (1) and HC (2). An indium tin oxide (ITO) layer containing 10 wt% of tin oxide was formed on the surface of HC (1) by magnetron sputtering with an optical film thickness of 54 nm, and the resistance value was measured. Next, a conductive pattern region and a non-conductive pattern region were formed on the ITO layer by photolithography. Finally, an adhesive having a refractive index of 1.50 and a thickness of 25 μm was bonded to the upper surfaces of the conductive pattern region and the non-conductive pattern region. Thus, a transparent conductive laminate of Comparative Example 1 was produced. Evaluation of the obtained transparent conductive laminate was performed in the same manner as in Example 1.

<比較例2>
実施例1において、TiO2 層の光学膜厚を40nm、SiO2 層の光学膜厚を88nmとして成膜し、それ以外は実施例1と同様に操作し、透明導電性積層体を得た。得られた透明導電性積層体の評価は実施例1と同様の方法で行った。
<Comparative example 2>
In Example 1, the optical film thickness of the TiO2 layer was 40 nm, the optical film thickness of the SiO2 layer was 88 nm, and other operations were performed in the same manner as in Example 1 to obtain a transparent conductive laminate. Evaluation of the obtained transparent conductive laminate was performed in the same manner as in Example 1.

本発明の実施例1、2、及び比較例1、2についての評価結果を下記の表1に示す。   The evaluation results for Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2 of the present invention are shown in Table 1 below.

表1の通り、実施例1及び2で得られた透明導電性積層体は、シート抵抗、全光透過率、ヘーズ、透過色相a*及びb*、導電性パターン領域と非導電性パターン領域との透過色差ΔE*ab(T)及び反射色差ΔE*ab(R)が所望の範囲内であり、優れた光学特性を持つ透明導電性積層体を得ることができた。

Figure 0005585143
As shown in Table 1, the transparent conductive laminates obtained in Examples 1 and 2 have sheet resistance, total light transmittance, haze, transmission hues a * and b *, conductive pattern regions and non-conductive pattern regions. The transparent color difference ΔE * ab (T) and the reflection color difference ΔE * ab (R) were within the desired ranges, and a transparent conductive laminate having excellent optical characteristics could be obtained.
Figure 0005585143

一方、比較例1で得られた透明導電性積層体は、反射色差ΔE*ab(R)が所望の範囲から外れる結果となった。また、比較例2で得られた透明導電性積層体は、反射色相a*、反射色相b*及び反射色差ΔE*ab(R)が所望の範囲から外れる結果となった。   On the other hand, the transparent conductive laminate obtained in Comparative Example 1 resulted in a reflection color difference ΔE * ab (R) that was outside the desired range. Moreover, the transparent conductive laminate obtained in Comparative Example 2 resulted in the reflection hue a *, the reflection hue b *, and the reflection color difference ΔE * ab (R) being out of the desired ranges.

実施例1、2と比較例1、2を比較すると、本発明の透明導電性積層体は優れた光学特性を持ち、パターン形状が目立たないため、静電容量式タッチパネルなどへの応用が可能であることが確認された。   When Examples 1 and 2 are compared with Comparative Examples 1 and 2, the transparent conductive laminate of the present invention has excellent optical characteristics and the pattern shape is not conspicuous, so it can be applied to a capacitive touch panel and the like. It was confirmed that there was.

本発明ではフィルムなどのプラスチック基材に対して透明性が高く、優れた密着性を持ち、且パターン形状を目立たない透明導電性積層体を作製とすることができた。得られたITO透明導電性積層体は静電容量タイプタッチパネル等に応用することが十分可能である。   In the present invention, a transparent conductive laminate having high transparency with respect to a plastic substrate such as a film, excellent adhesion, and inconspicuous pattern shape could be produced. The obtained ITO transparent conductive laminate can be sufficiently applied to a capacitance type touch panel or the like.

1…透明基材
2a、2b…金属酸化物層
3a、3b…酸化ケイ素層
4a、4b…酸化インジウム・スズ層
5a、5b…粘着剤層
6a、6b…導電性パターン領域
7a、7b…非導電性パターン領域
8a、8b…ハードコート層
10、20、30…透明導電性積層体
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Transparent base material 2a, 2b ... Metal oxide layer 3a, 3b ... Silicon oxide layer 4a, 4b ... Indium tin layer 5a, 5b ... Adhesive layer 6a, 6b ... Conductive pattern area | region 7a, 7b ... Nonelectroconductive Pattern areas 8a, 8b ... hard coat layers 10, 20, 30 ... transparent conductive laminate

Claims (5)

透明基材の一方の面又は両方の面に、金属酸化物層、酸化ケイ素層及び酸化インジウム・スズ層、粘着剤層を前記透明基材側から順に設けてなる透明導電性積層体であって、前記酸化インジウム・スズ層が導電性パターン領域及び非導電性パターン領域からなり、前記金属酸化物層の屈折率が1.7以上2.6以下であり、光学膜厚が12nm以上35nm以下であり、前記酸化ケイ素層の屈折率が1.3以上1.5以下であり、光学膜厚が70nm以上110nm以下であり、前記酸化インジウム・スズ層の光学膜厚が30nmよりも大きく、かつ、65nm以下であり、粘着剤層の厚みが10μm以上200μm以下であり、
全光透過率が80%以上であり、ヘーズが1%以下であり、表面抵抗が100Ω/□以上500Ω/□以下であり、透過色相a*及びb*がそれぞれ−4.0以上4.0以下(色彩計算:2°、視野D65光源)であり、反射色相a*及びb*が−4.0以上4.0以下(色彩計算:2°、視野D65光源)であり、前記導電性パターン領域と前記非導電性パターン領域との透過率の差及び反射率の差が、450nm以上750nm以下の範囲で、それぞれ−3.0%以上3.0%以下であり、前記導電性パターン領域と前記非導電性パターン領域との透過色差ΔE*ab(T)及び反射色差ΔE*ab(R)が、それぞれ−5.0以上5.0以下であることを特徴とする透明導電性積層体。
A transparent conductive laminate in which a metal oxide layer, a silicon oxide layer, an indium tin oxide layer, and an adhesive layer are provided in this order from the transparent substrate side on one or both surfaces of the transparent substrate. The indium tin oxide layer comprises a conductive pattern region and a non-conductive pattern region, the refractive index of the metal oxide layer is 1.7 or more and 2.6 or less, and the optical film thickness is 12 nm or more and 35 nm or less. The refractive index of the silicon oxide layer is 1.3 or more and 1.5 or less, the optical film thickness is 70 nm or more and 110 nm or less, the optical film thickness of the indium tin oxide layer is larger than 30 nm , and and at 65nm or less, the thickness of the adhesive layer is Ri der than 200μm or less 10 [mu] m,
Total light transmittance is 80% or more, haze is 1% or less, surface resistance is 100Ω / □ or more and 500Ω / □ or less, and transmission hues a * and b * are −4.0 to 4.0, respectively. (Color calculation: 2 °, visual field D65 light source), reflection hues a * and b * are −4.0 to 4.0 (color calculation: 2 °, visual field D65 light source), and the conductive pattern The difference in transmittance and reflectance between the region and the non-conductive pattern region is −3.0% or more and 3.0% or less in the range of 450 nm or more and 750 nm or less, respectively. the non-conductive transparent color difference Delta] E * ab between the pattern region (T) and the reflection color difference ΔE * ab (R) is a transparent conductive laminate, respectively, characterized in der Rukoto -5.0 to 5.0 .
前記透明基材の一方の面又は両方の面に、前記透明基材と接するハードコート層を設け、前記ハードコート層の膜厚が1μm以上8μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の透明導電性積層体。   2. The hard coat layer in contact with the transparent substrate is provided on one surface or both surfaces of the transparent substrate, and the film thickness of the hard coat layer is 1 μm or more and 8 μm or less. Transparent conductive laminate. 請求項1または2に記載の透明導電性積層体を用いることを特徴とするタッチパネル。 Touch panel, which comprises using a transparent conductive laminate according to claim 1 or 2. 透明基材の一方の面又は両方の面に、屈折率が1.7以上2.6以下であり、光学膜厚が12nm以上35nm以下である金属酸化物層、及び屈折率が1.3以上1.5以下であり、光学膜厚が70nm以上110nm以下である酸化ケイ素層を、前記透明基材側から順にマグネトロンスパッタリング法にて形成する工程と、前記酸化ケイ素層の表面に、光学膜厚が30nmよりも大きく、かつ、65nm以下である酸化インジウム・スズ層を、酸化スズの含量が2wt%以上15wt%以下のターゲットを用いてマグネトロンスパ
ッタリング法にて形成する工程と、前記酸化インジウム・スズ層に導電性パターン領域及び非導電性パターン領域を形成する工程と前記導電性パターン領域及び前記非導電性パターン領域上面に粘着剤層を形成する工程と、をこの順に備えて、
全光透過率が80%以上であり、ヘーズが1%以下であり、表面抵抗が100Ω/□以上500Ω/□以下であり、透過色相a*及びb*がそれぞれ−4.0以上4.0以下(色彩計算:2°、視野D65光源)であり、反射色相a*及びb*が−4.0以上4.0以下(色彩計算:2°、視野D65光源)であり、前記導電性パターン領域と前記非導電性パターン領域との透過率の差及び反射率の差が、450nm以上750nm以下の範囲で、それぞれ−3.0%以上3.0%以下であり、前記導電性パターン領域と前記非導電性パターン領域との透過色差ΔE*ab(T)及び反射色差ΔE*ab(R)が、それぞれ−5.0以上5.0以下である透明導電性積層体を製造することを特徴とする透明導電性積層体の製造方法。
On one or both surfaces of the transparent substrate, a metal oxide layer having a refractive index of 1.7 to 2.6 and an optical film thickness of 12 nm to 35 nm, and a refractive index of 1.3 or more. A step of forming a silicon oxide layer having an optical film thickness of 1.5 or less and an optical film thickness of 70 nm or more and 110 nm or less in order from the transparent substrate side by a magnetron sputtering method, and an optical film thickness on the surface of the silicon oxide layer. Forming an indium tin oxide layer having a thickness of 30 nm or more and 65 nm or less by a magnetron sputtering method using a target having a tin oxide content of 2 wt% or more and 15 wt% or less, and the indium tin oxide shape forming a conductive pattern areas and non-conductive pattern area in the layer, the conductive pattern region and an adhesive layer wherein the non-conductive pattern region top And the steps to be completed in this order ,
Total light transmittance is 80% or more, haze is 1% or less, surface resistance is 100Ω / □ or more and 500Ω / □ or less, and transmission hues a * and b * are −4.0 to 4.0, respectively. (Color calculation: 2 °, visual field D65 light source), reflection hues a * and b * are −4.0 to 4.0 (color calculation: 2 °, visual field D65 light source), and the conductive pattern The difference in transmittance and reflectance between the region and the non-conductive pattern region is −3.0% or more and 3.0% or less in the range of 450 nm or more and 750 nm or less, respectively. the transmission color difference Delta] E * ab of the non-conductive pattern region (T) and the reflection color difference ΔE * ab (R) is, that you produce transparent conductive laminate is -5.0 or more and 5.0 or less, respectively A method for producing a transparent conductive laminate.
前記透明基材の一方の面又は両方の面に、前記透明基材と接し、膜厚が1μm以上8μm以下であるハードコート層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項に記載の透明導電性積層体の製造方法。 5. The method according to claim 4 , comprising a step of forming a hard coat layer having a thickness of 1 μm or more and 8 μm or less in contact with the transparent substrate on one or both surfaces of the transparent substrate. A method for producing a transparent conductive laminate.
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