JP4093927B2

JP4093927B2 - Transparent conductive film and optical filter using the same

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Publication number: JP4093927B2
Application number: JP2003185944A
Authority: JP
Inventors: 浅川　　幸紀; 正彰吉開; 岡田　　知
Original assignee: Mitsui Chemicals Inc
Current assignee: Mitsui Chemicals Inc
Priority date: 2003-06-27
Filing date: 2003-06-27
Publication date: 2008-06-04
Anticipated expiration: 2023-06-27
Also published as: JP2005014540A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は透明導電性フィルムに関する。詳しくは、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、ブラウン管（ＣＲＴ）、液晶表示装置（ＬＣＤ）等の表示装置から発生する電磁波を効率良く低減させることのできる透明導電性フィルムの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の社会情勢にみられる高度情報化に伴い、マンーマシンインタフェイスの役割を担う表示装置の重要性が高まっている。その中でテレビジョン用、パーソナルコンピュータ用、駅や空港などの案内表示用その他各種の情報提供用に用いられる大画面表示装置には高画質化、高効率化、薄型化が要求される。
現在、次世代大画面フラットパネルディスプレイとして、プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと記す。）が注目されており、既に市販されている。しかしながら、ＰＤＰにはその原理上の問題から強度の漏洩電磁界を発生するという問題点を有している。漏洩電磁界は他の電気電子機器等の誤作動、通信障害などを引き起こし、最近では人体に対する影響も懸念されている。更にＰＤＰ装置は、そのプラズマ中の励起原子から発生する近赤外線光がコードレスフォン、リモコン等の電子機器の誤作動を引き起こすことがあると言う問題がある。
【０００３】
そのため、一般的にディスプレイ装置、特にＰＤＰには、漏洩電磁界および近赤外光をシールドするためのフィルター（以下、電磁波フィルター）が用いられている。一般的な電磁波フィルターの構成は、支持板の片面に電磁波シールド層を形成し、支持板の他の片面および電磁波シールド層が形成されたフィルム表面に反射防止フィルムが貼合されたものが挙げられる。
【０００４】
電磁波フィルターの近赤外線および電磁界のシールド材料としては現在のところ大きく分けて（１）アースした金属メッシュまたは、合成樹脂または金属繊維のメッシュに金属を被覆したものと近赤外線を吸収する色素とを組み合わせたもの、（２）アースした酸化インジウム−錫（ＩＴＯ）に代表される透明導電性薄膜と必要に応じて近赤外線を吸収する色素とを組み合わせたものがある。
【０００５】
（１）の例としては特開平９−３３０６６７号公報（特許文献１）に、透明樹脂板上に導電性ペーストをメッシュ状に塗布乾燥させて作成した電磁波シールド板が開示されている。（２）の透明導電性薄膜を基体上に形成した例としては特開平１０−７３７１９号公報（特許文献２）などに記載された、透明高分子フィルムの一方の主面上に、高屈折率透明薄膜層（Ｂ）、金属薄膜層（Ｃ）が順次、（Ｂ）／（Ｃ）を繰り返し単位として４回以上繰り返し積層され、さらにその上に高屈折率透明薄膜層（Ｂ）、透明樹脂層が形成された調光フィルムが貼り合わされたディスプレイ用光学フィルターが挙げられる。これらの電磁波フィルターを用いると効率良くＰＤＰ（筐体）から発生する電磁波、および近赤外線をシールドすることが可能となる。特に（２）の例にある電磁波シールド層として透明導電性薄膜を使用したフィルターは、（１）の例と比較して、メッシュによる遮光部分の発生やモワレの発生がないという優れた特徴を有している。
【０００６】
これらの中でも、ＩＴＯ等の金属酸化物等で形成された高屈折率薄膜層と銀を主成分とする金属薄膜層とを積層したものは、透明性が高く、表面抵抗率が低く、良好な電磁波シールド機能を有するため、好ましく用いることができる。しかしながら、上記の構成では理論通りの透明性や表面抵抗率が得られないことがあり、表面抵抗率の上昇は、電磁波フィルターとして適用する場合、電磁波シールド能の低下をもたらすと言う問題が生じる。特にインジウム等の金属ターゲットとして高屈折率透明薄膜層を形成する場合に上記の問題が顕在化することが多い傾向があった。
【０００７】
さらに、上記の表層および内部が酸化された金属薄膜層を有する透明導電性フィルムをプラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、ブラウン管（ＣＲＴ）、液晶表示装置（ＬＣＤ）等の表示装置に適用すると、表示装置自体の色温度が低下する場合がある。これを改善するには透明導電性フィルム自体の透過率を選択吸収色素等で下げて演色性を高める方法があるが、表示装置自体の輝度を低下させる問題が生じる。
【０００８】
【特許文献１】
特開平９−３３０６６７号公報
【特許文献２】
特開平１０−７３７１９号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、従来の技術では解決することの困難であった高い色温度と低い表面抵抗率を有する電磁波シールド用フィルターを達成できる透明導電性フィルムを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために本発明者等は鋭意検討を重ねた結果、少なくとも銀を主成分とする金属薄膜層と、金属酸化物および／または金属硫化物からなる高屈折率透明薄膜層と、金属および／または金属酸化物からなるキャップ層とを特定の構成で積層されたフィルムが、高い色温度と低い表面抵抗率を両立出来ることを見出し、発明を完成させた。
【００１１】
すなわち本発明は
（１）透明基体（Ａ）と
インジウムまたは錫いずれかの酸化物、またはこれら酸化物の混合物または複合酸化物からなる、厚さ２０〜２００ｎｍである高屈折率透明薄膜層（Ｂ）と
少なくとも銀を含む金属薄膜層（Ｃ）と
チタンまたは酸化チタンからなる、厚さ２〜１０ｎｍであるキャップ層（Ｄ）とからなり、
透明基体（Ａ）の少なくとも一方の主面上に（Ｂ）／（Ｃ）／（Ｄ）の構成を有する積層単位（Ｅ）を２〜５単位有し、
透明基体（Ａ）と反対側の最外層が、高屈折率透明薄膜層（Ｂ）または、キャップ層（Ｄ）である透明導電性フィルムであり、
（２）高屈折率層（Ｂ）が酸化インジウムからなることを特徴とする透明導電性フィルムであり、
（３）上記の透明導電性フィルムと機能性透明層（Ｆ）とが積層されてなる光学フィルターである。
【００１２】
本発明に係わる透明導電性フィルムは従来の透明導電性フィルムに比べ色温度が高いだけでなく、従来と同等の透過率、電磁波シールド能を有している。そのため、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、ブラウン管（ＣＲＴ）、液晶表示装置（ＬＣＤ）等のディスプレイの電磁波シールド用フィルターとして好適に使用することができるので、本発明の工業的意義は大きい。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明の透明導電性フィルムは、透明基体（Ａ）、金属酸化物および／または金属硫化物からなる高屈折率透明薄膜層（Ｂ）、少なくとも銀を含む金属薄膜層（Ｃ）、金属および／または金属酸化物からなるキャップ層（Ｄ）とからなり、これらの層が特定の構成を有することを特徴とする。
本発明に用いる透明基体（Ａ）としては透明プラスチックフィルムが好ましく用いられる。透明プラスチックフィルムとしては透明であれば特に限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルフォン、ポリアリレート、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエチレン、ポリエステル、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリイミド等の樹脂からなるプラスチックフィルムが挙げられる。上記の樹脂は、透明であれば、他のコモノマーを用いた共重合体であっても勿論構わない。
【００１４】
透明基体（Ａ）として用いられる透明プラスチックフィルムの成形法としては、Ｔダイ成形法、インフレーション成形法等の各種溶融押し出し法、キャスト法、カレンダー法等、公知のプラスチックフィルムの製造法を用いることが可能である。
本発明の透明基体（Ａ）は無色である必要はない。例えば、後述する高屈折率透明薄膜層（Ｂ）、金属薄膜層（Ｃ）、キャップ層（Ｄ）の種類などによっては透明導電性フィルムの透過色や反射色が好ましくない色になる場合、その色の補正を目的として、着色した透明プラスチックフィルムを使用することも可能である。
着色の方法としては、前記プラスチックフィルムを形成する際に色素と前もって混合してからフィルム化する方法、色素をバインダー樹脂中に分散させてインキ化し、これを塗布乾燥させる方法、着色したプラスチックフィルムを貼り合わせる方法等が挙げられる。
【００１５】
透明プラスチックフィルムの全光線透過率は、７０％以上であることが好ましく、７５％以上であることが更に好ましく、特に８０％以上であることが好ましい。全光線透過率の上限値は当然１００％である。しかし、一般的にはフィルム表面での反射等により光線透過率が低下することが多いので、全光線透過率は９２％以下でも実質上充分な透明性を有している。
また、透明プラスチックフィルムの厚みには特に規定を設けないが、ハンドリング性の観点から２５〜２５０μｍが好ましく、更には３０〜２００μｍである。
本発明の透明基体（Ａ）は、透明導電層との密着性を向上させることを目的として、透明導電層を形成する面に、例えば水性ポリウレタン系、シリコン系コート剤等の下地層を形成したり、コロナ処理等を行なうことも可能である。
【００１６】
本発明の透明導電性フィルムは、透明基体（Ａ）上に少なくとも高屈折率透明薄膜層（Ｂ）、金属層（Ｃ）、キャップ層（Ｄ）からなるいわゆる透明導電層が形成されたものである。透明導電層は、透明基体（Ａ）の片面上に形成することが好ましい。両面に形成すると透明導電層の両面ともアースを取ることが困難な場合がある。
【００１７】
本発明で用いる高屈折率透明薄膜層（Ｂ）は、金属酸化物および／または金属硫化物からなる。好ましくは屈折率が１．８以上の材料が好ましい。このような高屈折率透明薄膜層（Ｂ）を形成しうる具体的な材料としては、インジウム、チタン、ジルコニウム、ビスマス、錫、亜鉛、アンチモン、タンタル、セリウム、ネオジム、ランタン、トリウム、マグネシウム、ガリウム等の酸化物、これらの酸化物の混合物、複合酸化物や硫化亜鉛等が挙げられる。これらの材料の中で酸化インジウムや酸化インジウム−錫（ＩＴＯ）、酸化錫は透明性が高く、屈折率が高いことに加えて、成膜速度が速く、後述する金属薄膜層（Ｃ）との密着性が良好であることから好ましく用いることができる。特に好ましくは、酸化インジウムである。
【００１８】
高屈折率透明薄膜層（Ｂ）の厚みは、要求する光学特性によって異なるので特に制限されるものではないが、２〜６００ｎｍが好ましく、２０〜２００ｎｍが更に好ましい。高屈折率透明薄膜層（Ｂ）の成膜方法としてはスパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビームアシスト法、真空蒸着法、湿式塗工法など公知の手法を用いることができる。これらの内、スパッタリング法が最も好ましい。
【００１９】
本発明の金属薄膜層（Ｃ）の材料は、少なくとも銀を含む金属であり、特には銀金属単体や銀合金であることが好ましい。銀合金としては、公知の物を用いることが出来る。銀以外の金属とは、公知の金、パラジウム、銅等を挙げることが出来、その含有率は、好ましくは合金中の２０質量％以下、より好ましくは１０質量％以下である。銀はその表面抵抗率の低さ、赤外反射特性が良好なこと、高屈折率透明薄膜層（Ｂ）と積層した場合の可視光線透過特性が優れるために好ましく用いることができる。
【００２０】
金属薄膜層（Ｃ）の厚みは要求される光学特性と表面抵抗率によって異なるので一概に規定できないが４ｎｍ以上が連続層を形成するために好ましく、透明性の観点からは３０ｎｍ以下が好ましい。厚さが４ｎｍ未満では、金属が島状構造となり導電性が低下することがある。一方、厚さが３０ｎｍを越えると全光線透過率が不十分となることがある。金属薄膜層の成膜方法としてはスパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビームアシスト法、真空蒸着法、湿式塗工法など公知の手法を用いることができる。これらの内、スパッタリング法が最も好ましい。
【００２１】
本発明のキャップ層（Ｄ）の材料は、金属および／または金属酸化物であり、高屈折率透明薄膜層（Ｂ）とは異なるものが使用される。好ましくは薄膜とした時にガスバリア性に優れた金属および／または金属酸化物である。特に屈折率が高屈折率透明薄膜層（Ｂ）に近いものが好ましい。このような金属および金属酸化物として具体的にはアルミニウム、シリコン、チタン、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、ジルコニウム、ニオブ、タンタルおよびその酸化物が挙げられる。特に好ましくは、チタンおよび酸化チタンである。
【００２２】
本発明のキャップ層（Ｄ）は、金属および／または金属酸化物からなるので、高屈折率透明薄膜層（Ｃ）や金属薄膜層（Ｃ）との密着性に優れている。
【００２３】
キャップ層の厚みとしては要求する光学特性によって異なるので、特に制限されるものではないが、好ましい下限値は２ｎｍ、より好ましくは３ｎｍであり、好ましい上限値は２０ｎｍ、より好ましくは１０ｎｍである。厚さが２ｎｍ未満だと色温度と導電性の低下が起こることがあり、２０ｎｍを越えると透明性が不十分になることがある。金属でキャップ層（Ｄ）を形成した場合、透明導電層成膜後にキャップ層（Ｄ）は金属酸化物として観察される場合がある。これはキャップ層（Ｄ）の酸化防止効果の現れで好ましい形態のひとつである。キャップ層（Ｄ）の成膜方法としてはスパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビームアシスト法、真空蒸着法、湿式塗工法など公知の手法を用いることができる。これらの内、スパッタリング法が最も好ましい。
【００２４】
本発明の透明導電性フィルムの透明導電層は、少なくとも高屈折率透明導電層（Ｂ）、金属薄膜層（Ｃ）、キャップ層（Ｄ）とからなり、透明基体（Ａ）の少なくとも一方の主面上に形成される。更に高屈折率透明薄膜層（Ｂ）と金属薄膜層（Ｃ）とキャップ層（Ｄ）とは、（Ｂ）／（Ｃ）／（Ｄ）の積層構成を単位とする積層単位（Ｅ）が２単位〜５単位積層された構成を有する。且つ高屈折率透明薄膜層（Ｂ）、金属薄膜層（Ｃ）、キャップ層（Ｄ）のうち、透明基体（Ａ）と反対側の最外層は、高屈折率透明薄膜層（Ｂ）またはキャップ層（Ｄ）である。上記最外層が金属薄膜層（Ｃ）である場合、金属層（Ｃ）が酸化されやすく、光線透過率が大幅に低下することがある。また、表面反射率が高くなり過ぎることもある。上記最外層は、特に高屈折率透明薄膜層（Ｂ）であることが好ましい。
【００２５】
本発明の透明導電性フィルムの構成の具体例としては、
（Ａ）／［（Ｂ）／（Ｃ）／（Ｄ）／］_２（Ｂ）、
（Ａ）／［（Ｂ）／（Ｃ）／（Ｄ）／］_３（Ｂ）、
（Ａ）／［（Ｂ）／（Ｃ）／（Ｄ）／］_３、
（Ａ）／（Ｄ）／［（Ｂ）／（Ｃ）／（Ｄ）／］_３、
（Ａ）／［（Ｂ）／（Ｃ）／（Ｄ）／］_４（Ｂ）、
（Ａ）／［（Ｂ）／（Ｃ）／（Ｄ）／］_４、
（Ａ）／［（Ｂ）／（Ｃ）／（Ｄ）／］_５（Ｂ）が挙げられる。積層単位（Ｅ）の数は、好ましくは２単位〜５単位、より好ましくは３単位〜５単位である。上記積層単位（Ｅ）の数が５単位を越えると、各層の膜厚の誤差が全体の光学特性の精度におよぼす影響が大きく、製品品質の制御が困難になることがあり、また生産性の低下が問題になることがある。
図１は、本発明の透明導電性フィルムの一例を示す断面図であり、後述する実施例１に記載の透明導電性フィルムもこの図１と同じ構成を有する。すなわち、透明基体であるＰＥＴフィルム１０に、酸化インジウム薄膜層２０／銀薄膜層３０／チタン薄膜層４０／酸化インジウム薄膜層２０／銀薄膜層３０／チタン薄膜層４０／酸化インジウム薄膜層２０／銀薄膜層３０／チタン薄膜層４０／酸化インジウム薄膜層２０の順に各薄膜層を積層したものである。一方、従来の透明導電性薄膜の例としては、図２に示したようなＰＥＴフィルム１０／ＩＴＯ薄膜層２５／銀薄膜層３０／ＩＴＯ薄膜層２５／銀薄膜層３０／ＩＴＯ薄膜層２５／銀薄膜層３０／ＩＴＯ薄膜層２５の構造を有するもの（後述する比較例１がこの構成を有している）や、図３に示したようなＰＥＴフィルム１０／酸化インジウム薄膜層２０／銀薄膜層３０／酸化インジウム薄膜層２０／銀薄膜層３０／酸化インジウム薄膜層２０／銀薄膜層３０／酸化インジウム薄膜層２０（後述する比較例２がこの構成を有している）のような構造であり、本発明の構成とは異なる。
【００２６】
本発明の透明導電性フィルムに、２層以上の高屈折率透明薄膜層（Ｂ）、金属薄膜層（Ｃ）、キャップ層（Ｄ）が存在する場合、各層は同じ材質である必要はなく、またその厚みは同じであっても異なっていても構わない。また、本発明の効果に反しない限り、透明基体（Ａ）、高屈折率透明薄膜層（Ｂ）、金属薄膜層（Ｃ）、キャップ層（Ｄ）以外の層が任意の位置に形成されても構わない。具体例としては、前述の下地層やハードコート層等が挙げられる。
【００２７】
本発明の透明導電性フィルムの表面抵抗率は、０．５〜８Ω/□であることが好ましく、０．７〜４Ω/□であることが更に好ましい。表面抵抗率が上記の範囲内である場合、良好なシールド特性と光学特性とを両立することが可能となる。表面抵抗率が上記の範囲よりも低い場合、光線透過率が低下し過ぎることがある。また、表面抵抗率が上記の範囲よりも高い場合は、電磁波シールド特性が低下しすぎることがある。
【００２８】
上記透明導電性フィルムの全光線透過率は４０％以上であることが好ましく、５０％以上であることが更に好ましく、５５％以上であることが最も好ましい。全光線透過率が上記の値よりも低い透明導電性フィルムを用いた電磁波フィルターをディスプレイに組み付けると画面の輝度が不十分となることがある。
好ましい全光線透過率は１００％が理想ではあるが、上記の各層の光の吸収・反射があるので一般的には８０％以下である。
【００２９】
本発明の透明導電性フィルムは、従来の透明導電性フィルムに比べて、例えば可視光線透過率を同一とした場合、色温度が高く且つ表面抵抗率が低く、ＰＤＰなどのディスプレイ等に用いられる光学フィルターとして好適な性質を有している。その要因は、ガスバリア性に優れたキャップ層（Ｄ）を形成したことにより、銀を含有する金属層（Ｃ）の酸化が抑制され、銀薄膜層が本来有するの光線透過率や導電性を発現したためと推測される。
【００３０】
本発明において、各薄膜層形成に用いられる成膜装置は一般にいうロールコーター装置が望ましい。ロールコーターはターゲット、成膜用ガスなどのリソース、成膜条件、基体搬送、真空ポンプ制御などのアプリケーション、雰囲気分離のための隔壁などが１組になった成膜室を２個以上有することが好ましく、５個以上有することが最も好ましい。
【００３１】
本発明の透明導電性フィルムは、メッシュフィルムの場合と異なり、電磁波シールド面全体を覆っており、ディスプレイの表示分解能を落とすことがない。また、近赤外線の反射能も兼ね備えており、更に生産性の高いロール・トゥー・ロールプロセスで生産することが可能であり、各種用途へ適用する際にロール・トゥ・シート加工が可能であるなど多くの優れた特徴を有しており、本発明の目的に良く合致する。
【００３２】
本発明の光学フィルターは、上記の透明導電性フィルムと機能性透明層（Ｆ）とが積層されたものである。機能性透明層（Ｆ）としては、公知の反射防止層、防眩層、調色層、粘着層、防汚層等が挙げられる。好ましい例として具体的には、特開平９−１３２３４３号公報や特開平１０−２１７３８０号公報に記載された機能性透明層を用いることが出来る
【００３３】
【実施例】
以下、実施例により本発明を説明する。
なお、評価項目・評価方法に関しては以下のようにして行なった。
（１）全光線透過率（％）
分光光度計［(株)日立製、製品名：Ｕ−３５００型］を用いて、得られた各試料の任意の５点を測定し、その平均値を用いた。評価サンプルは実際に表示装置に応用される電磁波フィルターと同じ構造に加工した。構造はガラス／透明粘着材／透明導電性フィルム／透明粘着材／無反射フィルムとした。
（２）表面抵抗率（Ω／□）
４探針式表面抵抗率測定装置［三菱化学（株）製、製品名：ロレスタＳＰ］を用いて得られた各試料の任意の１３点を測定し、その平均値を用いた。
（３）色温度
分光光度計［(株)日立製、製品名：Ｕ−３５００型］を用いて（１）のサンプル構造にて測定した分光特性より、ＪＩＳＺ８７２５に準じて計算した。計算にはＣ光源を用いた。
実施例１
厚み７５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（帝人株式会社製、製品名：ＯＧＸ）の一方の主面上にＰＥＴフィルム１０側から酸化インジウム薄膜層２０／銀薄膜層３０／チタン薄膜層４０／酸化インジウム薄膜層２０／銀薄膜層３０／チタン薄膜層４０／酸化インジウム薄膜層２０／銀薄膜層３０／チタン薄膜層４０／酸化インジウム薄膜層２０の積層構造からなり、それぞれの厚みが４０／１０／３／７７／１０／３／７７／１０／３／４７ｎｍである透明導電性フィルムを得た。得られた透明導電性フィルムの断面構造を図１に示す。
なお、酸化インジウム薄膜の形成は、ターゲットにインジウムを用い、圧力が０．０１Ｐａとなるように排気した後、スパッタリングガス流量比をアルゴンガス：酸素ガス＝１：１とし、全圧が０．５Ｐａになるまで導入した。この状態でマグネトロンＤＣスパッタリング法により成膜した。
また、銀薄膜の形成は、ターゲットに銀を用い、圧力が０．０１Ｐａとなるように排気した後、全圧が０．５Ｐａになるまでアルゴンガスを導入した。この状態でマグネトロンＤＣスパッタリング法により成膜した。
チタン薄膜の形成は、ターゲットにチタンを用い、圧力が０．０１Ｐａとなるように排気した後、全圧が０．５Ｐａになるまでアルゴンガスを導入した。この状態でマグネトロンＤＣスパッタリング法により成膜した。
全光線透過率、表面抵抗率、色温度を上記方法により測定し、結果を表１、分光特性を図４にまとめた。
比較例１
厚み７５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（帝人株式会社製、製品名：OGX）の一方の主面上にＰＥＴフィルム１０側から酸化インジウム―錫薄膜層２５／銀薄膜層３０／酸化インジウム―錫薄膜層２５／銀薄膜層３０／酸化インジウム―錫薄膜層２５／銀薄膜層３０／酸化インジウム―錫薄膜層２５の積層構造からなり、それぞれの厚みが４０／１０／８０／１０／８０／１０／４０ｎｍである透明導電性フィルムを得た。得られた透明導電性フィルムの断面構造を図２に示す。
なお、酸化インジウム―錫薄膜の形成は、ターゲットに酸化インジウム―錫を用い、圧力が０．０１Ｐａとなるように排気した後、スパッタリングガス流量比をアルゴンガス：酸素ガス＝１００：７とし、全圧が０．５Ｐａになるまで導入した。この状態でマグネトロンＤＣスパッタリング法により成膜した。
また、銀薄膜の形成は、ターゲットに銀を用い、圧力が０．０１Ｐａとなるように排気した後、全圧が０．５Ｐａになるまでアルゴンガスを導入した。この状態でマグネトロンＤＣスパッタリング法により成膜した。
得られた透明導電性フィルムの全光線透過率、表面抵抗率、色温度を実施例１と同様にして測定し、結果を表１にまとめた。分光特性を図４にあわせて示す。
比較例２
厚み７５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（帝人株式会社製、製品名：OGX）の一方の主面上にＰＥＴフィルム１０側から酸化インジウム薄膜層２０／銀薄膜層３０／酸化インジウム薄膜層２０／銀薄膜層３０／酸化インジウム薄膜層２０／銀薄膜層３０／酸化インジウム薄膜層２０の積層構造からなり、それぞれの厚みが４０／１０／８０／１０／８０／１０／４０ｎｍである透明導電性フィルムを得た。得られた透明導電性フィルムの断面構造を図３に示す。
なお、酸化インジウム薄膜の形成は、ターゲットにインジウムを用い、圧力が０．０１Ｐａとなるように排気した後、スパッタリングガス流量比をアルゴンガス：酸素ガス＝１：１とし、全圧が０．５Ｐａになるまで導入した。この状態でマグネトロンＤＣスパッタリング法により成膜した。
また、銀薄膜の形成は、ターゲットに銀を用い、圧力が０．０１Ｐａとなるように排気した後、全圧が０．５Ｐａになるまでアルゴンガスを導入した。この状態でマグネトロンＤＣスパッタリング法により成膜した。
得られた透明導電性フィルムの全光線透過率、表面抵抗率、色温度を実施例１と同様にして測定し、結果を表１にまとめた。また、分光特性を図４にあわせて示す。
【表１】

【図４】

【発明の効果】
本発明における透明導電性フィルムを用いると、従来の透明導電性フィルムと同等の透過率、表面抵抗率を保ち、高い色温度を確保しているため、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、ブラウン管（ＣＲＴ）、液晶表示装置（ＬＣＤ）等の表示装置に適用する場合、表示装置の演色性、明るさを最適に保ち、電磁波遮蔽に優れるフィルターを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１で作製した本発明の透明導電性フィルムの断面の略図である。
【図２】比較例１で作製した透明導電性フィルムの断面の略図である。
【図３】比較例１で作製した透明導電性フィルムの断面の略図である。
【符号の説明】
１０ＰＥＴフィルム
２０酸化インジウム薄膜層
２５ＩＴＯ薄膜層
３０銀薄膜層
４０チタン薄膜層[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a transparent conductive film. Specifically, the present invention relates to a method for producing a transparent conductive film capable of efficiently reducing electromagnetic waves generated from a display device such as a plasma display (PDP), a cathode ray tube (CRT), a liquid crystal display device (LCD).
[0002]
[Prior art]
With the advancement of information technology in recent social situations, the importance of display devices that play the role of man-machine interface is increasing. Among them, large-screen display devices used for televisions, personal computers, guidance displays such as stations and airports, and other various information provisions are required to have high image quality, high efficiency, and thinning.
Currently, plasma display panels (hereinafter referred to as PDPs) are attracting attention as next-generation large-screen flat panel displays, and are already commercially available. However, the PDP has a problem that a strong leakage electromagnetic field is generated due to a problem in principle. Leaked electromagnetic fields cause malfunctions of other electrical and electronic devices and communication failures, and recently there are concerns about the effects on the human body. Further, the PDP device has a problem that near infrared light generated from excited atoms in the plasma may cause malfunction of electronic devices such as cordless phones and remote controllers.
[0003]
For this reason, a filter (hereinafter referred to as an electromagnetic wave filter) for shielding a leakage electromagnetic field and near-infrared light is generally used for a display device, particularly a PDP. The structure of a general electromagnetic wave filter includes one in which an electromagnetic wave shielding layer is formed on one side of a support plate, and an antireflection film is bonded to the other surface of the support plate and the film surface on which the electromagnetic wave shielding layer is formed. .
[0004]
The near-infrared and electromagnetic shielding materials for electromagnetic filters are currently broadly divided into (1) a grounded metal mesh or a synthetic resin or metal fiber mesh coated with metal and a dye that absorbs near-infrared radiation. (2) There is a combination of a transparent conductive thin film typified by grounded indium oxide-tin (ITO) and, if necessary, a dye that absorbs near infrared rays.
[0005]
As an example of (1) , Japanese Patent Laid-Open No. 9-330667 (Patent Document 1) discloses an electromagnetic wave shielding plate prepared by applying and drying a conductive paste in a mesh shape on a transparent resin plate. As an example in which the transparent conductive thin film (2) is formed on a substrate, a high refractive index is formed on one main surface of a transparent polymer film described in JP-A-10-73719 (Patent Document 2). The transparent thin film layer (B) and the metal thin film layer (C) are successively laminated four or more times with (B) / (C) as a repeating unit, and a high refractive index transparent thin film layer (B) and a transparent resin are further formed thereon. Examples thereof include an optical filter for display in which a light control film in which a layer is formed is bonded. Using these electromagnetic filter making it possible to shield effectively the electromagnetic wave generated from the PDP (housing), and the near infrared when. In particular, the filter using the transparent conductive thin film as the electromagnetic wave shielding layer in the example of (2) has an excellent feature that there is no generation of a light-shielding portion or moire due to the mesh compared to the example of (1). is doing.
[0006]
Among these, a laminate of a high refractive index thin film layer formed of a metal oxide such as ITO and a metal thin film layer mainly composed of silver has high transparency, low surface resistivity, and good Since it has an electromagnetic wave shielding function, it can be preferably used. However, in the above configuration, theoretical transparency and surface resistivity may not be obtained, and the increase in surface resistivity causes a problem that when applied as an electromagnetic wave filter, the electromagnetic wave shielding ability is lowered. In particular, when the high refractive index transparent thin film layer is formed as a metal target such as indium, the above-mentioned problem tends to be manifested.
[0007]
Further, when the transparent conductive film having the surface layer and the metal thin film layer oxidized inside is applied to a display device such as a plasma display (PDP), a cathode ray tube (CRT), a liquid crystal display device (LCD), etc., the display device itself Color temperature may decrease. In order to improve this, there is a method of increasing the color rendering property by lowering the transmittance of the transparent conductive film itself with a selective absorption dye or the like, but this causes a problem of lowering the luminance of the display device itself.
[0008]
[Patent Document 1]
JP-A-9-330667 [Patent Document 2]
Japanese Patent Laid-Open No. 10-73719
[Problems to be solved by the invention]
Accordingly, an object of the present invention is to provide a transparent conductive film capable of achieving an electromagnetic wave shielding filter having a high color temperature and a low surface resistivity, which has been difficult to solve by conventional techniques.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-mentioned problems, the present inventors have conducted extensive studies, and as a result, a metal thin film layer containing at least silver as a main component, and a high-refractive-index transparent thin film layer comprising a metal oxide and / or metal sulfide, The present inventors have found that a film in which a cap layer made of a metal and / or a metal oxide is laminated in a specific configuration can achieve both a high color temperature and a low surface resistivity, thereby completing the invention.
[0011]
That is, the present invention provides (1) a transparent substrate (A) and
A high-refractive-index transparent thin-film layer (B) having a thickness of 20 to 200 nm and a metal thin-film layer (C) containing at least silver, each made of an oxide of either indium or tin, or a mixture or composite oxide of these oxides
A cap layer (D) made of titanium or titanium oxide and having a thickness of 2 to 10 nm,
2 to 5 units of a laminate unit (E) having a structure of (B) / (C) / (D) on at least one main surface of the transparent substrate (A),
The outermost layer on the opposite side of the transparent substrate (A) is a transparent conductive film having a high refractive index transparent thin film layer (B) or a cap layer (D),
(2) The high refractive index layer (B) is a transparent conductive film characterized by comprising indium oxide,
( 3 ) An optical filter in which the transparent conductive film and the functional transparent layer (F) are laminated.
[0012]
The transparent conductive film according to the present invention not only has a higher color temperature than a conventional transparent conductive film, but also has the same transmittance and electromagnetic wave shielding ability as conventional ones. Therefore, since it can be suitably used as an electromagnetic wave shielding filter for displays such as a plasma display (PDP), a cathode ray tube (CRT), and a liquid crystal display (LCD), the industrial significance of the present invention is great.
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The transparent conductive film of the present invention comprises a transparent substrate (A), a high refractive index transparent thin film layer (B) comprising a metal oxide and / or a metal sulfide, a metal thin film layer (C) containing at least silver, a metal and / or Or it consists of a cap layer (D) made of a metal oxide, and these layers have a specific structure.
As the transparent substrate (A) used in the present invention, a transparent plastic film is preferably used. The transparent plastic film is not particularly limited as long as it is transparent. For example, from a resin such as polyethylene terephthalate, polyethersulfone, polyarylate, polyacrylate, polycarbonate, polyetheretherketone, polyethylene, polyester, polypropylene, polyamide, polyimide, etc. There is a plastic film. Of course, the resin may be a copolymer using another comonomer as long as it is transparent.
[0014]
As a method for molding the transparent plastic film used as the transparent substrate (A), a known plastic film production method such as various die-extrusion methods such as a T-die molding method and an inflation molding method, a casting method, a calendar method, etc. may be used. Is possible.
The transparent substrate (A) of the present invention does not need to be colorless. For example, depending on the type of the high refractive index transparent thin film layer (B), metal thin film layer (C), and cap layer (D) described below, the transparent or reflective color of the transparent conductive film becomes an undesirable color. It is also possible to use a colored transparent plastic film for the purpose of color correction.
As a coloring method, when forming the plastic film, a method of forming a film after mixing with a pigment in advance, a method of dispersing a pigment in a binder resin to make an ink, and applying and drying this, a colored plastic film Examples include a method of bonding.
[0015]
The total light transmittance of the transparent plastic film is preferably 70% or more, more preferably 75% or more, and particularly preferably 80% or more. The upper limit of the total light transmittance is naturally 100%. However, in general, the light transmittance often decreases due to reflection on the film surface, etc., so that even if the total light transmittance is 92% or less, it has substantially sufficient transparency.
The thickness of the transparent plastic film is not particularly specified, but is preferably 25 to 250 μm and more preferably 30 to 200 μm from the viewpoint of handling properties.
The transparent substrate (A) of the present invention is formed by forming an underlayer such as an aqueous polyurethane-based or silicon-based coating agent on the surface on which the transparent conductive layer is formed for the purpose of improving the adhesion with the transparent conductive layer. It is also possible to perform a corona treatment or the like.
[0016]
The transparent conductive film of the present invention is a film in which a so-called transparent conductive layer comprising at least a high refractive index transparent thin film layer (B), a metal layer (C), and a cap layer (D) is formed on a transparent substrate (A). is there. The transparent conductive layer is preferably formed on one side of the transparent substrate (A). If formed on both sides, it may be difficult to ground both sides of the transparent conductive layer.
[0017]
The high refractive index transparent thin film layer (B) used in the present invention comprises a metal oxide and / or a metal sulfide. A material having a refractive index of 1.8 or more is preferable. Specific materials that can form such a high refractive index transparent thin film layer (B) include indium, titanium, zirconium, bismuth, tin, zinc, antimony, tantalum, cerium, neodymium , lanthanum, thorium, magnesium, gallium. And the like, mixtures of these oxides, composite oxides, zinc sulfide and the like. Among these materials, indium oxide, indium oxide-tin (ITO), and tin oxide have high transparency and a high refractive index. In addition, the film forming speed is high, and the metal thin film layer (C) described later is used. It can be preferably used because of its good adhesion. Particularly preferred is indium oxide .
[0018]
The thickness of the high refractive index transparent thin film layer (B) is not particularly limited because it varies depending on the required optical properties, but is preferably 2 to 600 nm, and more preferably 20 to 200 nm. As a method for forming the high refractive index transparent thin film layer (B), a known method such as sputtering, ion plating, ion beam assist, vacuum deposition, or wet coating can be used. Of these, the sputtering method is most preferable.
[0019]
The material of the metal thin film layer (C) of the present invention is a metal containing at least silver, and is particularly preferably a silver metal simple substance or a silver alloy. A well-known thing can be used as a silver alloy. Examples of the metal other than silver include known gold, palladium, copper and the like, and the content thereof is preferably 20% by mass or less, more preferably 10% by mass or less in the alloy. Silver is preferably used because of its low surface resistivity, good infrared reflection characteristics, and excellent visible light transmission characteristics when laminated with a high refractive index transparent thin film layer (B).
[0020]
The thickness of the metal thin film layer (C) varies depending on the required optical properties and surface resistivity and cannot be defined unconditionally. However, 4 nm or more is preferable for forming a continuous layer, and 30 nm or less is preferable from the viewpoint of transparency. If the thickness is less than 4 nm, the metal may have an island structure and conductivity may be reduced. On the other hand, if the thickness exceeds 30 nm, the total light transmittance may be insufficient. As a method for forming the metal thin film layer, a known method such as a sputtering method, an ion plating method, an ion beam assist method, a vacuum deposition method, or a wet coating method can be used. Of these, the sputtering method is most preferable.
[0021]
The material of the cap layer (D) of the present invention is a metal and / or metal oxide, and is different from the high refractive index transparent thin film layer (B). Metals and / or metal oxides that are excellent in gas barrier properties when formed into a thin film are preferable. In particular, a refractive index close to that of the high refractive index transparent thin film layer (B) is preferable. Specific examples of such metals and metal oxides include aluminum, silicon, titanium, nickel, copper, zinc, gallium, zirconium, niobium, tantalum and oxides thereof. Particularly preferred are titanium and titanium oxide.
[0022]
Since the cap layer (D) of the present invention is made of metal and / or metal oxide, it has excellent adhesion to the high refractive index transparent thin film layer (C) and the metal thin film layer (C).
[0023]
The thickness of the cap layer is not particularly limited because it varies depending on the required optical properties, but the preferred lower limit is 2 nm, more preferably 3 nm, and the preferred upper limit is 20 nm, more preferably 10 nm. If the thickness is less than 2 nm, the color temperature and the conductivity may decrease, and if it exceeds 20 nm, the transparency may be insufficient. When the cap layer (D) is formed of a metal, the cap layer (D) may be observed as a metal oxide after forming the transparent conductive layer. This is one of the preferred forms because of the antioxidation effect of the cap layer (D). As a method for forming the cap layer (D), known methods such as sputtering, ion plating, ion beam assist, vacuum deposition, and wet coating can be used. Of these, the sputtering method is most preferable.
[0024]
The transparent conductive layer of the transparent conductive film of the present invention comprises at least a high refractive index transparent conductive layer (B), a metal thin film layer (C), and a cap layer (D). Formed on the surface. Furthermore, the high refractive index transparent thin film layer (B), the metal thin film layer (C), and the cap layer (D) have a stack unit (E) having a stack structure of (B) / (C) / (D) as a unit. 2 to 5 units are stacked. Of the high refractive index transparent thin film layer (B), metal thin film layer (C), and cap layer (D), the outermost layer opposite to the transparent substrate (A) is the high refractive index transparent thin film layer (B) or cap. Layer (D). When the said outermost layer is a metal thin film layer (C), a metal layer (C) is easy to be oxidized and light transmittance may fall significantly. Also, the surface reflectance may become too high. The outermost layer is particularly preferably a high refractive index transparent thin film layer (B).
[0025]
As a specific example of the configuration of the transparent conductive film of the present invention ,
(A) / [(B) / (C) / (D) /] ₂ (B),
(A) / [(B) / (C) / (D) /] ₃ (B),
(A) / [(B) / (C) / (D) /] ₃ ,
(A) / (D) / [(B) / (C) / (D) /] ₃ ,
(A) / [(B) / (C) / (D) /] ₄ (B),
(A) / [(B) / (C) / (D) /] ₄ ,
(A) / [(B) / (C) / (D) /] ₅ (B). The number of laminated units (E) is preferably 2 units to 5 units, more preferably 3 units to 5 units. If the number of the laminated units (E) exceeds 5 units, the error of the film thickness of each layer has a great influence on the accuracy of the overall optical characteristics, and it may be difficult to control the product quality. Degradation can be a problem.
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of the transparent conductive film of the present invention, and the transparent conductive film described in Example 1 described later also has the same configuration as FIG. That is, an indium oxide thin film layer 20 / silver thin film layer 30 / titanium thin film layer 40 / indium oxide thin film layer 20 / silver thin film layer 30 / titanium thin film layer 40 / indium oxide thin film layer 20 / silver on a PET film 10 which is a transparent substrate. Each thin film layer is laminated in the order of thin film layer 30 / titanium thin film layer 40 / indium oxide thin film layer 20. On the other hand, as an example of the conventional transparent conductive thin film, PET film 10 / ITO thin film layer 25 / silver thin film layer 30 / ITO thin film layer 25 / silver thin film layer 30 / ITO thin film layer 25 / silver as shown in FIG. Those having the structure of the thin film layer 30 / ITO thin film layer 25 (Comparative Example 1 described later has this configuration), PET film 10 / indium oxide thin film layer 20 / silver thin film layer as shown in FIG. 30 / indium oxide thin film layer 20 / silver thin film layer 30 / indium oxide thin film layer 20 / silver thin film layer 30 / indium oxide thin film layer 20 (Comparative Example 2 described later has this configuration). This is different from the configuration of the present invention.
[0026]
When the transparent conductive film of the present invention has two or more high refractive index transparent thin film layers (B), a metal thin film layer (C), and a cap layer (D), each layer does not need to be the same material, Moreover, the thickness may be the same or different. As long as the effects of the present invention are not violated, layers other than the transparent substrate (A), the high refractive index transparent thin film layer (B), the metal thin film layer (C), and the cap layer (D) are formed at arbitrary positions. It doesn't matter. Specific examples include the aforementioned underlayer and hard coat layer.
[0027]
The surface resistivity of the transparent conductive film of the present invention is preferably 0.5 to 8Ω / □, and more preferably 0.7 to 4Ω / □. When the surface resistivity is within the above range, it is possible to achieve both good shielding characteristics and optical characteristics. When the surface resistivity is lower than the above range, the light transmittance may decrease too much. Further, when the surface resistivity is higher than the above range, the electromagnetic wave shielding characteristics may be deteriorated too much.
[0028]
The total light transmittance of the transparent conductive film is preferably 40% or more, more preferably 50% or more, and most preferably 55% or more. When an electromagnetic wave filter using a transparent conductive film having a total light transmittance lower than the above value is assembled to a display, the brightness of the screen may be insufficient.
The ideal total light transmittance is ideally 100%, but is generally 80% or less because of the light absorption / reflection of each layer described above.
[0029]
The transparent conductive film of the present invention has a high color temperature and a low surface resistivity when the visible light transmittance is the same as that of a conventional transparent conductive film, for example. It has suitable properties as a filter. The reason for this is that the formation of the cap layer (D) with excellent gas barrier properties suppresses the oxidation of the metal layer (C) containing silver, and expresses the light transmittance and conductivity inherent in the silver thin film layer. It is speculated that it was because
[0030]
In the present invention, a film coater used for forming each thin film layer is preferably a generally called roll coater. A roll coater may have two or more film forming chambers, each of which includes a target, resources such as a film forming gas, film forming conditions, substrate transportation, vacuum pump control, and a partition for atmosphere separation. It is preferable to have 5 or more.
[0031]
Unlike the case of a mesh film, the transparent conductive film of the present invention covers the entire electromagnetic shielding surface and does not degrade the display resolution of the display. It also has near-infrared reflectivity, can be produced with a more productive roll-to-roll process, and can be rolled to sheet when applied to various applications. It has many excellent features and meets the objectives of the present invention.
[0032]
The optical filter of the present invention is obtained by laminating the transparent conductive film and the functional transparent layer (F). Examples of the functional transparent layer (F) include known antireflection layers, antiglare layers, toning layers, adhesive layers, and antifouling layers. Specifically, a functional transparent layer described in JP-A-9-132343 and JP-A-10-217380 can be used as a preferable example.
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described by way of examples.
The evaluation items and evaluation methods were performed as follows.
(1) Total light transmittance (%)
Using a spectrophotometer [manufactured by Hitachi, Ltd., product name: U-3500 type], arbitrary five points of each obtained sample were measured, and the average value was used. The evaluation sample was processed into the same structure as the electromagnetic wave filter actually applied to the display device. The structure was glass / transparent adhesive / transparent conductive film / transparent adhesive / non-reflective film.
(2) Surface resistivity (Ω / □)
Arbitrary 13 points of each sample obtained by using a 4-probe type surface resistivity measuring device [product name: Loresta SP, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation] were measured, and the average value was used.
(3) Using a color temperature spectrophotometer [manufactured by Hitachi, Ltd., product name: U-3500 type], it was calculated according to JIS Z 8725 from the spectral characteristics measured in the sample structure of (1). A C light source was used for the calculation.
Example 1
An indium oxide thin film layer 20 / silver thin film layer 30 / titanium thin film layer 40 / indium oxide layer on one main surface of a polyethylene terephthalate (PET) film (product name: OGX manufactured by Teijin Ltd.) having a thickness of 75 μm from the PET film 10 side. It has a laminated structure of thin film layer 20 / silver thin film layer 30 / titanium thin film layer 40 / indium oxide thin film layer 20 / silver thin film layer 30 / titanium thin film layer 40 / indium oxide thin film layer 20, and each thickness is 40/10/3. A transparent conductive film having a thickness of / 77/10/3/77/10/3/47 nm was obtained. The cross-sectional structure of the obtained transparent conductive film is shown in FIG.
The indium oxide thin film is formed by using indium as a target, exhausting the pressure to 0.01 Pa, setting the sputtering gas flow ratio to argon gas: oxygen gas = 1: 1, and the total pressure of 0.5 Pa. Introduced until. In this state, a film was formed by magnetron DC sputtering.
In forming the silver thin film, silver was used as a target, and after evacuating the pressure to 0.01 Pa, argon gas was introduced until the total pressure reached 0.5 Pa. In this state, a film was formed by magnetron DC sputtering.
The titanium thin film was formed by using titanium as a target, evacuating the pressure to 0.01 Pa, and then introducing argon gas until the total pressure reached 0.5 Pa. In this state, a film was formed by magnetron DC sputtering.
The total light transmittance, surface resistivity, and color temperature were measured by the above methods. The results are shown in Table 1, and the spectral characteristics are summarized in FIG.
Comparative Example 1
A 75 μm thick polyethylene terephthalate (PET) film (manufactured by Teijin Ltd., product name: OGX) on one main surface from the PET film 10 side indium oxide-tin thin film layer 25 / silver thin film layer 30 / indium oxide-tin thin film Layer 25 / silver thin film layer 30 / indium oxide-tin thin film layer 25 / silver thin film layer 30 / indium oxide-tin thin film layer 25, each having a thickness of 40/10/80/10/80/10 / A transparent conductive film having a thickness of 40 nm was obtained. The cross-sectional structure of the obtained transparent conductive film is shown in FIG.
The indium oxide-tin thin film was formed by using indium-tin oxide as a target, exhausting the pressure to 0.01 Pa, setting the sputtering gas flow ratio to argon gas: oxygen gas = 100: 7, It was introduced until the pressure reached 0.5 Pa. In this state, a film was formed by magnetron DC sputtering.
In forming the silver thin film, silver was used as a target, and after evacuating the pressure to 0.01 Pa, argon gas was introduced until the total pressure reached 0.5 Pa. In this state, a film was formed by magnetron DC sputtering.
The total light transmittance, surface resistivity, and color temperature of the obtained transparent conductive film were measured in the same manner as in Example 1, and the results are summarized in Table 1. The spectral characteristics are also shown in FIG.
Comparative Example 2
A 75 μm thick polyethylene terephthalate (PET) film (manufactured by Teijin Ltd., product name: OGX) on one main surface from the PET film 10 side to the indium oxide thin film layer 20 / silver thin film layer 30 / indium oxide thin film layer 20 / silver A transparent conductive film having a laminated structure of a thin film layer 30 / indium oxide thin film layer 20 / silver thin film layer 30 / indium oxide thin film layer 20 each having a thickness of 40/10/80/10/80/10/40 nm. Obtained. The cross-sectional structure of the obtained transparent conductive film is shown in FIG.
The indium oxide thin film is formed by using indium as a target and exhausting the pressure so that the pressure becomes 0.01 Pa. Then, the sputtering gas flow rate ratio is set to argon gas: oxygen gas = 1: 1, and the total pressure is 0.5 Pa. Introduced until. In this state, a film was formed by magnetron DC sputtering.
The silver thin film was formed by using silver as a target, evacuating the pressure to 0.01 Pa, and then introducing argon gas until the total pressure reached 0.5 Pa. In this state, a film was formed by magnetron DC sputtering.
The total light transmittance, surface resistivity, and color temperature of the obtained transparent conductive film were measured in the same manner as in Example 1, and the results are summarized in Table 1. The spectral characteristics are also shown in FIG.
[Table 1]

[Fig. 4]

【The invention's effect】
When the transparent conductive film in the present invention is used, since the same transmittance and surface resistivity as those of the conventional transparent conductive film are maintained and a high color temperature is secured, a plasma display (PDP), a cathode ray tube (CRT), When applied to a display device such as a liquid crystal display device (LCD), a filter excellent in electromagnetic wave shielding can be realized while maintaining the color rendering properties and brightness of the display device optimally.
[Brief description of the drawings]
1 is a schematic cross-sectional view of a transparent conductive film of the present invention produced in Example 1. FIG.
2 is a schematic cross-sectional view of a transparent conductive film produced in Comparative Example 1. FIG.
3 is a schematic view of a cross section of a transparent conductive film produced in Comparative Example 1. FIG.
[Explanation of symbols]
10 PET film 20 Indium oxide thin film layer 25 ITO thin film layer 30 Silver thin film layer 40 Titanium thin film layer

Claims

A transparent substrate (A) and
A high-refractive-index transparent thin-film layer (B) having a thickness of 20 to 200 nm and a metal thin-film layer (C) containing at least silver, each made of an oxide of either indium or tin, or a mixture or composite oxide of these oxides
A cap layer (D) made of titanium or titanium oxide and having a thickness of 2 to 10 nm,
2 to 5 units of a laminate unit (E) having a structure of (B) / (C) / (D) on at least one main surface of the transparent substrate (A),
The transparent conductive film whose outermost layer on the opposite side to the transparent substrate (A) is a high refractive index transparent thin film layer (B) or a cap layer (D).

The transparent conductive film according to claim 1, wherein the high refractive index layer (B) is made of indium oxide.

An optical filter formed by laminating the transparent conductive film of claim 1 and a functional transparent layer (F).