JP5584362B2 - 加熱装置、真空加熱方法及び薄膜製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、加熱装置、真空加熱方法及び薄膜製造方法に関する。
近年、モバイル機器の高性能化及び多機能化に伴い、それらの電源である二次電池の高容量化が要求されている。この要求を満足し得る二次電池として非水電解質二次電池が注目されている。非水電解質二次電池の高容量化を達成するために、電極活物質(以下、単に「活物質」という)として、ケイ素(Si)、ゲルマニウム(Ge)、スズ(Sn)などを用いることが提案されている。
Si又はSnは、ケイ素単体、ケイ素合金、ケイ素と酸素とを含む化合物、ケイ素と窒素とを含む化合物、スズ単体、スズ合金、スズと酸素とを含む化合物、及びスズと窒素とを含む化合物として活物質に用いられるが、これらは、リチウムイオンを吸蔵する際に結晶構造が大きく変化するために膨張を伴う。その結果、活物質粒子が割れたり、集電体から活物質層が剥がれたりすることによって、活物質と集電体間の電子伝導性が低下し、結果としてサイクル特性が低下するという問題点があった。
そのため、これらの材料を活物質に用いる際には、活物質の膨張及び収縮を軽減する方策が試みられている。
また、これらSi又はSnを含む活物質には、不可逆容量の問題があることも知られている。すなわち、Si又はSnを含む活物質を負極に用いると、初回充電時に吸蔵したリチウムイオンの一部が放電時に負極から放出されず、その結果、電池容量が小さくなるという問題がある。
不可逆容量を回避するには、予め不可逆容量相当のリチウムを吸蔵させておいた負極を、正極と対向させて、充放電を開始することが有効である。特許文献1では、集電体表面に形成した活物質層に対して、真空蒸着によりリチウムを付与する方法が開示されている。
二次電池以外では、例えば、有機ELディスプレイの製造に真空蒸着技術が適用されている。
真空蒸着用の蒸発源としては、特許文献2〜4に開示されているような形態が提案されている。
特許文献2では、200〜400℃の比較的低い温度で蒸発が可能な低分子の有機物を蒸着させるための蒸発源として、蒸発物質貯蔵部と、当該貯蔵部に連結され蒸発物質を噴射させるノズル部と、当該貯蔵部を取り囲む加熱部とを含む蒸発源が記載されている。
特許文献3では、アルミニウム、銅、銀、亜鉛などの金属の蒸発源として、ルツボの底面に接触させて傍熱型ヒータを配置した蒸発源が記載されている。この蒸発源は蒸発時の温度が1000℃以上と高い場合に使用される。
特許文献4では、高温の溶融金属を保持する箱型状の内貼材と、るつぼ本体と、内貼材とるつぼ本体との間に介在するスペーサーを具備し、内貼材とるつぼ本体の間の空間部に液状熱媒体を充填したるつぼが記載されている。このるつぼは、電子銃などの手法により直接蒸着材料を加熱、溶融させる場合に使用される。
真空中で材料を蒸着したり、真空中で基板を加熱したりするためには、真空中で使用できる加熱装置が必要である。真空中では媒体となる気体が希薄なので、真空中で物体を効率的に加熱することは容易ではない。例えば、るつぼ(被加熱体)にヒータ(加熱体)を一体化させると、直接的な接触によって加熱体から被加熱体への伝熱効率を向上させることも可能かもしれない。しかし、伝熱効率を重視しすぎると、メンテナンス性が悪化する可能性が高い。
上記の事情に鑑み、本発明は、真空中で物体を効率的に加熱することができ、メンテナンスも容易な加熱装置を提供することを目的とする。
すなわち、本開示は、
真空中で加熱されるべき被加熱体と、
前記被加熱体から分離可能、かつ自身と前記被加熱体との間に隙間が形成されるように構成された加熱体と
前記隙間に伝熱ガスを導入するためのガス導入経路と、
を備え、
前記被加熱体は、前記伝熱ガスを介して前記加熱体によって加熱される、加熱装置を提供する。
真空中で加熱されるべき被加熱体と、
前記被加熱体から分離可能、かつ自身と前記被加熱体との間に隙間が形成されるように構成された加熱体と
前記隙間に伝熱ガスを導入するためのガス導入経路と、
を備え、
前記被加熱体は、前記伝熱ガスを介して前記加熱体によって加熱される、加熱装置を提供する。
上記の加熱装置によれば、加熱体は被加熱体から分離可能である。従って、両者のメンテナンスを容易に行うことができる。被加熱体と加熱体との間に隙間が形成されている。隙間には、ガス導入経路を通じて伝熱ガスが導入される。被加熱体は、伝熱ガスを介して、加熱体よって加熱される。従って、るつぼなどの被加熱体を効率的に加熱できる。
本開示の第1態様は、
真空中で加熱されるべき被加熱体と、
前記被加熱体から分離可能、かつ自身と前記被加熱体との間に隙間が形成されるように構成された加熱体と
前記隙間に伝熱ガスを導入するためのガス導入経路と、
を備え、
前記被加熱体は、前記伝熱ガスを介して前記加熱体によって加熱される、加熱装置を提供する。
真空中で加熱されるべき被加熱体と、
前記被加熱体から分離可能、かつ自身と前記被加熱体との間に隙間が形成されるように構成された加熱体と
前記隙間に伝熱ガスを導入するためのガス導入経路と、
を備え、
前記被加熱体は、前記伝熱ガスを介して前記加熱体によって加熱される、加熱装置を提供する。
第1態様の加熱装置は、蒸着装置として構成されていてもよい。発明者らは、従来の蒸着装置に以下の問題を見出している。第1態様の加熱装置を蒸着装置に適用することによって、以下の問題を克服できる。
従来、ロールツーロール方式の蒸着装置を用いて基板表面に蒸着膜を形成する際には、特許文献2に開示されているようなノズル形式の蒸発源が使用されている。この蒸発源で蒸着材料として金属などの高沸点材料を使用する場合、蒸着材料は600℃以上に加熱される必要がある。ところが、真空下では蒸発源とヒータとの間の熱伝導率が低下するため、ヒータの加熱温度を1000℃以上にする必要があった。一般的にカートリッジヒータの最高使用温度は870℃、セラミックヒータの最高使用温度は1100℃であるため、これらのヒータを用いて1000℃以上の加熱を行なうと、ヒータの温度制御を行なうことができず、ヒータの使用が極めて困難になっていた。
特許文献3記載の蒸発源では、傍熱型ヒータと接触する部分がルツボの底面に限られているために、例えば蒸着面積を広げることでルツボ内の蒸着材料を増やすと、熱容量が不足して蒸着を実施できなくなる問題があった。
特許文献4記載の蒸着源では、耐久性の向上、及び、蒸着材料を加熱した時に生じる熱エネルギー利用の目的で、ルツボと内貼材との間に液状熱媒体が充填されている。しかし、電子銃などの手法で蒸着材料を外部から加熱すると、液状熱媒体は真空下で蒸発してしまうために、目的とする熱伝導効果が失われる問題があった。
そこで、発明者らは、ヒータとしてカートリッジヒータをルツボの外面に直接取り付けることで、ルツボ内に貯蔵した数百グラムの蒸着材料を加熱して蒸着を行なうことを検討した。この際、蒸着材料の蒸気圧線図から真空下での蒸発温度を予測して、容器の加熱温度を設定した。その結果、基板に蒸着膜を形成することができたが、蒸着終了後にルツボ内に残った蒸着材料を取り除くなどのメンテナンスを行なう際に、事前にカートリッジヒータをルツボから取り外す必要が生じた。特に、基板の幅が広く、貯蔵する蒸着材料が多くなると、それに応じてルツボの容量も大きくなるため、カートリッジヒータの本数が多くなり、前記メンテナンスが極めて煩雑になる問題があった。
この煩雑なメンテナンスの問題を回避するため、発明者らは、ヒータをルツボに直接取り付けるのではなく、ヒータを有する加熱容器にルツボを格納することで、蒸着を行なうことを検討した。この方法によると、蒸着終了後のメンテナンス作業は容易になるが、真空下では加熱容器とルツボとの熱伝導性が低下するために、前述したヒータの使用温度範囲では蒸着材料の温度が十分に上がらず蒸着ができない、もしくは、たとえ蒸着ができたとしても長時間連続して蒸着を実施すると蒸着を制御できない、という問題があった。
本開示の第2態様は、第1態様に加え、
前記被加熱体は、蒸着材料を保持し、かつ蒸発した前記蒸着材料が通過するための開口部を有する貯蔵容器であり、
前記加熱体は、前記貯蔵容器を脱着可能に格納し、前記貯蔵容器内の前記蒸着材料を加熱するためにヒータを有する加熱容器であって、前記貯蔵容器から蒸発した前記蒸着材料が通過するための開口部を有するとともに、前記貯蔵容器を格納したときに前記貯蔵容器の外壁面と前記加熱容器の内壁面とが直接対向することによって前記内壁面と前記外壁面との間に前記隙間が生じるように構成された加熱容器であり、
前記加熱装置は、(i)前記貯蔵容器及び前記加熱容器を収容し、内部で基材上に蒸着するための真空槽と、(ii)前記真空槽内を排気する真空ポンプと、をさらに備えた蒸着装置である、加熱装置を提供する。
前記被加熱体は、蒸着材料を保持し、かつ蒸発した前記蒸着材料が通過するための開口部を有する貯蔵容器であり、
前記加熱体は、前記貯蔵容器を脱着可能に格納し、前記貯蔵容器内の前記蒸着材料を加熱するためにヒータを有する加熱容器であって、前記貯蔵容器から蒸発した前記蒸着材料が通過するための開口部を有するとともに、前記貯蔵容器を格納したときに前記貯蔵容器の外壁面と前記加熱容器の内壁面とが直接対向することによって前記内壁面と前記外壁面との間に前記隙間が生じるように構成された加熱容器であり、
前記加熱装置は、(i)前記貯蔵容器及び前記加熱容器を収容し、内部で基材上に蒸着するための真空槽と、(ii)前記真空槽内を排気する真空ポンプと、をさらに備えた蒸着装置である、加熱装置を提供する。
言い換えれば、第2態様は、
蒸着材料を保持し、かつ蒸発した前記蒸着材料が通過するための開口部を有する貯蔵容器と、
前記貯蔵容器を着脱可能に格納し、前記貯蔵容器内の前記蒸着材料を加熱するためにヒータを有する加熱容器であって、前記貯蔵容器から蒸発した前記蒸着材料が通過するための開口部を有するとともに、前記貯蔵容器を格納したときに前記貯蔵容器の外壁面と前記加熱容器の内壁面とが直接対向することによって前記内壁面と前記外壁面との間に前記隙間が生じるように構成された加熱容器と、
前記貯蔵容器及び前記加熱容器を収容し、内部で基材上に蒸着するための真空槽と、
前記真空槽内を排気する真空ポンプと、
を備えた、蒸着装置を提供する。
蒸着材料を保持し、かつ蒸発した前記蒸着材料が通過するための開口部を有する貯蔵容器と、
前記貯蔵容器を着脱可能に格納し、前記貯蔵容器内の前記蒸着材料を加熱するためにヒータを有する加熱容器であって、前記貯蔵容器から蒸発した前記蒸着材料が通過するための開口部を有するとともに、前記貯蔵容器を格納したときに前記貯蔵容器の外壁面と前記加熱容器の内壁面とが直接対向することによって前記内壁面と前記外壁面との間に前記隙間が生じるように構成された加熱容器と、
前記貯蔵容器及び前記加熱容器を収容し、内部で基材上に蒸着するための真空槽と、
前記真空槽内を排気する真空ポンプと、
を備えた、蒸着装置を提供する。
第2態様によると、蒸着材料を保持する貯蔵容器が加熱容器に格納され、しかも両容器の間に隙間が生じるように構成されているので、蒸着終了後、貯蔵容器を交換したり、貯蔵容器の内部に残留した蒸着材料を取り除くなどのメンテナンスを行なう際に、貯蔵容器と加熱容器を容易に分離することができる。そのため、貯蔵容器からヒータを取り外すなどの面倒な作業を行なう必要がなくなり、メンテナンス作業を簡易に実施することができる。
また、前記隙間に伝熱ガスが導入されるので、真空蒸着の実施中において加熱容器からの熱が効率よく貯蔵容器に伝達され、蒸着材料が加熱される。そのため、間接的な加熱でありながら蒸着材料の温度を十分に上昇させることができるので、長時間連続して安定に、蒸着を制御することが可能となる。
以上から、第2態様によると、真空下での蒸着が効率よく、連続的に実施することが可能になると共に、蒸着終了後のメンテナンス作業を飛躍的に簡易にすることができるため、極めて優れた生産性で蒸着を実施することができる。
上記の蒸着装置を用いると、優れた生産性で、例えば、充放電サイクル特性に優れた電極を製造することができる。
本開示の第3態様は、第2態様に加え、前記隙間は、幅が0.5mm以下である、請求項2に記載の加熱装置を提供する。第3態様によれば、隙間のガス圧力を少ないガス導入量で上昇させることができる。
本開示の第4態様は、第2又は第3態様に加え、前記伝熱ガスが前記隙間から前記真空槽の中に流出することを抑制する抑制構造をさらに備えた、加熱装置を提供する。第4態様によれば、少ないガス導入量で隙間の圧力を高めることができる。また、隙間へのガス導入により真空槽内の真空度が低下することも回避できる。
本開示の第5態様は、第4態様に加え、前記抑制構造は、前記隙間から流出する前記伝熱ガスの進行方向を変えるように構成されている、又は、前記隙間から流出する前記伝熱ガスの量を低減するように構成されている、加熱装置を提供する。第5態様によれば、少ないガス導入量で隙間の圧力を高めることができる。また、隙間へのガス導入により真空槽内の真空度が低下することも回避できる。
本開示の第6態様は、第4又は第5態様に加え、前記抑制構造は、前記貯蔵容器の前記開口部、及び、前記加熱容器の前記開口部の周囲に設けられた段差構造、又は、テーパー構造である、加熱装置を提供する。第6態様によれば、貯蔵容器を加熱容器に格納する際の位置合わせを正確に行なうことができ、貯蔵容器の側面及び底面において所定の隙間を確実に確保することができる。また、段差構造またはテーパー構造により貯蔵容器を支持すれば、隙間は、貯蔵容器と加熱容器の開口部において閉鎖され、真空槽から隔絶された空間となりうる。この場合、少ないガス導入量で隙間の圧力を高めることができる。
本開示の第7態様は、第6態様に加え、前記段差構造、又は、前記テーパー構造を設けることにより、前記貯蔵容器の前記開口部と前記加熱容器の前記開口部の周囲における前記隙間が、前記開口部の周囲以外の前記隙間よりも狭くなるように形成されている、加熱装置を提供する。第7態様によれば、隙間に導入したガスが真空槽内に拡散することを抑止して、少ないガス導入量で隙間の圧力を高めることができる。
本開示の第8態様は、第2〜第7態様のいずれか1つに加え、前記加熱容器の熱膨張係数が、前記貯蔵容器の熱膨張係数より小さい、加熱装置を提供する。第8態様によれば、加熱容器のヒータが昇温するに伴い、加熱容器と貯蔵容器との間の隙間が小さくなり、隙間のガス圧力が上昇するために熱伝導係数が大きくなり、熱効率を高めることができる。
本開示の第9態様は、第2〜第8態様のいずれか1つに加え、前記ヒータを有する前記加熱容器内部の空間と、前記加熱容器の内壁面との間に、前記伝熱ガスを通過させるための通過路、をさらに備えた、加熱装置を提供する。第9態様によれば、ヒータの熱がより効率よく貯蔵容器に伝達されるので、ヒータの加熱量を削減することができる。
本開示の第10態様は、第2〜第9態様のいずれか1つに加え、前記隙間が、前記貯蔵容器の前記開口部と前記加熱容器の前記開口部において、閉鎖されている、加熱装置を提供する。第10態様によれば、少ないガス導入量で隙間の圧力を高めることができる。隙間へのガス導入により真空槽内の真空度が低下する(圧力が上昇する)ことも回避できる。
本開示の第11態様は、第2〜第10態様のいずれか1つに加え、前記隙間の開口部の上に、蓋体が載置されている、加熱装置を提供する。第11態様によれば、蓋体が存在するために真空槽へのガス拡散が抑制され、少ないガス導入量で隙間の圧力を高めることができる。
本開示の第12態様は、第11態様に加え、前記蓋体の下面に、前記隙間に導入された前記伝熱ガスを通過させるガス流路が形成されている、加熱装置を提供する。第12態様によれば、隙間に導入されたガスの真空槽内への放出地点を貯蔵容器の開口部から離れた場所にすることができる。よって、隙間に導入されたガスが、貯蔵容器の開口部の方向に漏出して、貯蔵容器から蒸発している蒸着材料と衝突し、膜質劣化(例えば、基板との密着力が弱くなる、または、ポーラスな膜になる)を引き起こすなどの蒸着への影響を回避することができる。
本開示の第13態様は、
蒸着材料を保持し、かつ蒸発した前記蒸着材料が通過するための開口部を有する貯蔵容器と、
前記貯蔵容器を脱着可能に格納し、前記貯蔵容器内の前記蒸着材料を加熱するためにヒータを有する加熱容器であって、前記貯蔵容器から蒸発した前記蒸着材料が通過するための開口部を有するとともに、前記貯蔵容器を格納したときに前記貯蔵容器の外壁面と前記加熱容器の内壁面とが直接対向することによって前記内壁面と前記外壁面との間に隙間が生じるように構成された加熱容器と、
前記隙間に伝熱ガスを導入するためのガス導入手段と、
前記貯蔵容器及び前記加熱容器を収容し、内部で基材上に蒸着するための真空槽と、
前記真空槽内を排気する真空ポンプと、を有する、蒸着装置を使用して、真空中で前記基材上に蒸着を行なう蒸着方法であって、
前記隙間に伝熱ガスを導入しつつ、前記ヒータにより前記貯蔵容器内の前記蒸着材料を加熱することで、前記貯蔵容器から前記蒸着材料を蒸発させる工程を含む、薄膜製造方法を提供する。
蒸着材料を保持し、かつ蒸発した前記蒸着材料が通過するための開口部を有する貯蔵容器と、
前記貯蔵容器を脱着可能に格納し、前記貯蔵容器内の前記蒸着材料を加熱するためにヒータを有する加熱容器であって、前記貯蔵容器から蒸発した前記蒸着材料が通過するための開口部を有するとともに、前記貯蔵容器を格納したときに前記貯蔵容器の外壁面と前記加熱容器の内壁面とが直接対向することによって前記内壁面と前記外壁面との間に隙間が生じるように構成された加熱容器と、
前記隙間に伝熱ガスを導入するためのガス導入手段と、
前記貯蔵容器及び前記加熱容器を収容し、内部で基材上に蒸着するための真空槽と、
前記真空槽内を排気する真空ポンプと、を有する、蒸着装置を使用して、真空中で前記基材上に蒸着を行なう蒸着方法であって、
前記隙間に伝熱ガスを導入しつつ、前記ヒータにより前記貯蔵容器内の前記蒸着材料を加熱することで、前記貯蔵容器から前記蒸着材料を蒸発させる工程を含む、薄膜製造方法を提供する。
第13態様によると、真空下での蒸着が効率よく、連続的に実施することが可能になると共に、蒸着終了後のメンテナンス作業を飛躍的に簡易にすることができるため、極めて優れた生産性で蒸着を実施することができる。
本開示の第14態様は、第13態様に加え、前記伝熱ガスの導入量は、前記真空槽内の圧力に応じて制御される、薄膜製造方法を提供する。伝熱ガスの導入量を適切に制御することによって、蒸着材料の蒸発速度の変動を抑制することができる。
本開示の第15態様は、第13又は第14態様に加え、前記蒸着材料がリチウムであり、前記伝熱ガスが不活性ガスである、薄膜製造方法を提供する。第15態様によれば、リチウムが伝熱ガスと反応することを防止でき、高品質なリチウム薄膜を基板上に形成できる。
また、発明者らは、以下を開示する。
真空用の加熱装置として、棒状のヒータと、そのヒータを差し込むためのスロットを有する加熱ブロックとを備えた加熱装置を使用することが考えられる。真空中では十分な熱伝導を得ることが難しいので、ヒータをスロットに密着させることが有効である。
しかし、ヒータの外径がスロットの内径にほぼ一致している場合、ヒータのメンテナンス時又はヒータの交換時にヒータを加熱ブロックから引き抜くことが不可能になる。特に、長いヒータを使用する場合には、長いスロットを加熱ブロックに形成する必要がある。長いスロットを高い精度で形成することは難しい。他方、ヒータとスロットとの間の隙間が広すぎると、ヒータから加熱ブロックへの熱伝導が不十分となり、加熱ブロックの昇温特性が悪くなる。この場合、ヒータの温度を上げる必要性に迫られるので、エネルギー効率(電力効率)が低下するだけでなく、ヒータの寿命も短くなる。
本開示の第16態様は、第1態様に加え、
前記被加熱体は、真空中で物体を加熱する加熱ブロックであり、
前記加熱体は、前記加熱ブロックに形成されたスロットに着脱可能に差し込まれた棒状のヒータであり、
前記スロットと前記ヒータとの間に前記隙間が形成されており、
前記ガス導入経路は、前記隙間に伝熱ガスを導入するように前記加熱ブロックに形成されている、加熱装置を提供する。
前記被加熱体は、真空中で物体を加熱する加熱ブロックであり、
前記加熱体は、前記加熱ブロックに形成されたスロットに着脱可能に差し込まれた棒状のヒータであり、
前記スロットと前記ヒータとの間に前記隙間が形成されており、
前記ガス導入経路は、前記隙間に伝熱ガスを導入するように前記加熱ブロックに形成されている、加熱装置を提供する。
言い換えれば、第16態様は、
真空中で物体を加熱する加熱ブロックと、
前記加熱ブロックに形成されたスロットと、
前記スロットに着脱可能に差し込まれた棒状のヒータと、
前記加熱ブロックに形成され、前記スロットと前記ヒータとの間の隙間に伝熱ガスを導入するガス導入経路と、
を備えた、加熱装置を提供する。
真空中で物体を加熱する加熱ブロックと、
前記加熱ブロックに形成されたスロットと、
前記スロットに着脱可能に差し込まれた棒状のヒータと、
前記加熱ブロックに形成され、前記スロットと前記ヒータとの間の隙間に伝熱ガスを導入するガス導入経路と、
を備えた、加熱装置を提供する。
本開示の第16態様によれば、加熱ブロックにガス導入経路が形成されている。ガス導入経路を通じて、ヒータとスロットとの間の隙間に伝熱ガスが導入される。伝熱ガスの助けを借りて、ヒータから加熱ブロックへの伝熱が促進されるので、ヒータの温度と加熱ブロックの温度との差を縮めることができる。つまり、ヒータとスロットとの間の隙間を適度に確保しながら、加熱ブロックの昇温特性を改善することができる。ヒータとスロットとの隙間を適度に確保することができるので、メンテナンス時又は交換時にヒータをスロットから簡単に引き抜くことができる。このように、本開示によれば、エネルギー効率の面で優れ、かつメンテナンスも容易な加熱装置を提供することができる。ヒータの温度を過度に上げる必要がないので、ヒータの寿命も延びる。
本開示の第17態様は、第16態様に加え、前記加熱ブロックには、複数の前記スロットが形成されており、複数の前記スロットのそれぞれに前記ヒータが差し込まれており、前記ガス導入経路は、前記加熱ブロックの外部から前記スロットに前記伝熱ガスを導入する第一経路と、前記スロット同士を互いに連通する第二経路とを含む、加熱装置を提供する。このような構成によれば、少ない量の伝熱ガスでヒータから加熱ブロックへの伝熱を促すことができる。
本開示の第18態様は、第16又は第17態様に加え、前記スロットの長さ方向の中央部で前記隙間が相対的に広く、前記スロットの長さ方向の端部で前記隙間が相対的に狭い、加熱装置を提供する。第18態様によれば、スロットの端部で隙間が相対的に狭いので、隙間からの伝熱ガスの漏れを低減できる。また、スロットの中央部で隙間が相対的に広いので、スロットからヒータを容易に引き抜くこと、及びスロットにヒータを容易に差し込むことができる。
本開示の第19態様は、第16〜第18態様のいずれか1つに加え、前記ヒータが、発熱体を有するヒータ本体と、前記発熱体に電力を供給するように前記ヒータ本体の前記発熱体に電気的に接続されたリード線とを有し、前記リード線が位置する側とは反対側において、前記スロットが閉じられている、加熱装置を提供する。スロットを密閉すれば、隙間から真空槽の内部に漏出する伝熱ガスの量を減らすことができる。フランジによれば、スロットが有底孔で形成されている場合と同じ効果が得られる。
本開示の第20態様は、第16〜第19態様のいずれか1つに加え、通電時に前記ヒータの動きが許容されるように、前記ヒータの寸法及び前記スロットの寸法が調節されている、加熱装置を提供する。このような構成によれば、通電時の熱膨張によってヒータに大きい力(荷重又は応力)が加わることを防止できる。そのため、ヒータの寿命が延びる。
本開示の第21態様は、第16〜第20態様のいずれか1つに加え、前記ヒータが、発熱体を有するヒータ本体と、前記発熱体に電力を供給するためのリード線を有するリード部と、前記リード線を前記発熱体に電気的に接続するように前記リード部と前記ヒータ本体との間に設けられた接続部とを有し、前記接続部が前記スロットの外に位置している、加熱装置を提供する。これにより、ヒータの寿命を延ばすことができる。
本開示の第22態様は、第16〜第21態様のいずれか1つに加え、前記加熱装置が蒸発源であり、前記加熱ブロックが、蒸発させるべき材料としての前記物体を収容する凹部を有する蒸発容器である、加熱装置を提供する。ヒータで加熱ブロックを加熱することによって、凹部に収容された材料を溶融及び蒸発させることができる。
本開示の第23態様は、第16〜第21態様のいずれか1つに加え、前記加熱装置が基板を加熱する基板加熱装置である、加熱装置を提供する。第23態様によれば、基板を効率的に加熱できる。
本開示の第24態様は、第16〜第23態様のいずれか1つの加熱装置を使用して真空中で前記物体を加熱する工程と、前記加熱工程を実施しながら、真空の外部から前記加熱装置に前記伝熱ガスを供給する工程と、を含む、真空加熱方法を提供する。第24態様によれば、真空中で物体を効率的に加熱できる。
本開示の第25態様は、第16〜第22態様のいずれか1つの加熱装置を使用し、前記物体としての薄膜の材料を真空中で蒸発させ、蒸発した材料を基板上に堆積させる工程と、前記堆積工程を実施しながら、真空の外部から前記加熱装置に前記伝熱ガスを供給する工程と、を含む、薄膜製造方法を提供する。第25態様によれば、高品質な薄膜を効率的に製造できる。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態によって本発明が限定されるものではない。
(第一実施形態)
第一実施形態は、チャンバー内においてシート状の基板を搬送しながら、冷却キャン上の蒸着領域で蒸着を行う形態である。
第一実施形態は、チャンバー内においてシート状の基板を搬送しながら、冷却キャン上の蒸着領域で蒸着を行う形態である。
<蒸着装置の構成>
図1は、第一実施形態の蒸着装置を模式的に示す断面図であり、図2は、図1の蒸着装置の蒸着源付近を拡大して示す部分拡大図である。
図1は、第一実施形態の蒸着装置を模式的に示す断面図であり、図2は、図1の蒸着装置の蒸着源付近を拡大して示す部分拡大図である。
蒸着装置100は、チャンバー(真空槽)2と、チャンバー2の外部に設けられ、チャンバー2を排気するための排気ポンプ1と、チャンバー2の外部からチャンバー2の内部に不活性ガスなどのガス(伝熱ガス)を導入するガス導入管11(ガス導入経路)と、ガス導入管11によるガス流量を調整するマスフローコントローラ12とを備える。
チャンバー2の内部には、蒸着材料を保持する貯蔵容器9(被加熱体)と、貯蔵容器9を着脱可能に格納し、貯蔵容器9を加熱するための加熱容器10(加熱体)とを有する蒸発源30と、シート状の基板4を搬送するための搬送部と、蒸着領域において基板4を保持して裏面から冷却する冷却キャン6と、加熱容器10からの輻射熱を蒸着領域外で遮蔽するための遮蔽部13と、が設けられている。
貯蔵容器9は、蒸着材料を保持する凹部と、加熱容器10により加熱され蒸発する蒸着材料ガスが通過するための開口部を上端面に有する。貯蔵容器9を構成する材料としては、加熱蒸発時の蒸着材料と反応しない材料を選択する。本実施形態では、貯蔵容器9に加熱手段は設けられていない。
貯蔵容器9は、蒸発面9Sの長辺が基板4の幅方向に対して平行になるよう配置されている。貯蔵容器9は、蒸発面9Sの長辺が基板4の幅に対して十分な長さ(例えば基板4の幅が500mmの場合、600mm以上)を有するように構成されていてもよい。
貯蔵容器9の開口部と冷却キャン6は、搬送中の基板4がこれらの部材に接触しない範囲で、できるだけ近くなるように配置する。具体的には、例えば3mm程度の隙間ができるように配置することができる。これによって、チャンバー2内の基板4以外の部材への蒸着汚染を防ぐことができる。
加熱容器10は、貯蔵容器9の開口部以外の面を取り囲んで貯蔵容器9を格納する容器である。加熱容器10は、貯蔵容器9を格納した時に、貯蔵容器9の開口部と同じ方向に開口部を有する。蒸発する蒸着材料ガスは加熱容器10の開口部を通過して、基板表面に付着する。さらに、加熱容器10の開口部を通じて、加熱容器10への貯蔵容器9の取り付け、及び、加熱容器10からの貯蔵容器9の取り外しを行なう。そのため、加熱容器10の開口部は、貯蔵容器9を通過させる大きさを有する。しかし、例えば加熱容器10を分割可能な構造に設計しておき、加熱容器10を分割することで貯蔵容器9の取り外しを行なうこともでき、この場合には、加熱容器10の開口部は、貯蔵容器9を通過させるものでなくてもよい。
図2では、加熱容器10からの熱が過不足なく貯蔵容器9に伝達されるよう、加熱容器10の垂直方向における上端面と貯蔵容器9の垂直方向における上端面は面一になるよう構成されているが、必ずしもこれに限定されない。
加熱容器10を構成する材料としては、貯蔵容器9の構成材と同じ材料、及び、貯蔵容器9の構成材より熱膨張係数が小さい材料の中から選択することが望ましい。特に、加熱容器10の構成材としては、貯蔵容器9の構成材より熱膨張係数が小さい材料を用いることが望ましい。これにより、加熱容器10に内蔵したヒータが昇温するに伴い、加熱容器10と貯蔵容器9との間の隙間が小さくなり、隙間のガス圧力が上昇するために熱伝導係数が大きくなり、熱効率を高めることができる。熱膨張係数が異なる構成材の組合せとしては、例えば、SUS304(1.73×10-5/℃)とインコネル(1.15×10-5/℃)との組合せ;SUS304又はSUS430(1.04×10-5/℃)と、カーボン(0.5×10-5/℃)、又は、高融点金属、例えばMo(0.49×10-5/℃)、タングステン(0.51×10-5/℃)、タンタル(0.65×10-5/℃)、ニオブ(0.7×10-5/℃)との組合せなどが挙げられる。なお、これらの熱膨張係数は、全て、0〜100℃の平均熱膨張係数である。厳密に言えば、室温から加熱容器10の最高到達温度の間の平均熱膨張係数に着目すべきである。しかし、特殊なケースを除き、0〜100℃における2つの固体の間の平均熱膨張係数の大小関係は、室温から加熱容器10の最高到達温度における2つの固体の間の平均熱膨張係数の大小関係に一致する。
加熱容器10の構成材の内部には、蒸着材料を加熱するためのヒータ20が埋め込まれている。このヒータ20により、貯蔵容器9の内部に保持された蒸着材料を加熱することができる。ヒータ20として、一般的には、カートリッジヒータ(最高使用温度870℃)、又は、セラミックヒータ(最高使用温度1100℃)を用いることができる。
加熱容器10にヒータ20を埋め込む方法としては、例えば、カートリッジヒータの外寸直径とはめあい公差E8程度のキリ穴加工を加熱容器10に対し行い、カートリッジヒータを挿入後に、キリ穴に垂直に加工を施したタップ穴よりねじを差し込んでヒータを固定する方法、前記キリ穴を中心に加熱容器10を分割構造にして、ヒータを挟み込むことで固定する方法などが挙げられる。なお、「はめあい公差」は、日本工業規格JISB 0401(1999)の規定による。
加熱容器10の内部には空気が通過する空冷路68を設けておくことが望ましい。空冷路68には、蒸着終了後に、チャンバー2の外部から圧縮空気が導入される。導入された圧縮空気は、加熱容器10の内部を通過して、チャンバー2の外部に排出される。これにより、蒸発終了後に、蒸発源30を手早く冷却することができる。
加熱容器10は、貯蔵容器9を格納した時に、貯蔵容器9の外壁面と加熱容器10の内壁面との間に隙間50が生じるような大きさに形成される。貯蔵容器9の外周面と加熱容器10の内壁面とが直接対向することによって隙間50が形成されている。本実施形態では、隙間50は単層の隙間である。図6で示す参考例では、貯蔵容器9の外壁面と加熱容器10の内壁面が接触しているが、この場合、熱伝導の点では望ましいものの、加熱容器10から貯蔵容器9を取り外す際に摩擦により取り外しが困難になる。さらには、焼きつきにより両容器の分離が困難になる場合も懸念される。本実施形態では、両容器の間に隙間50が存在しているために、焼きつきの懸念がなく、取り外しが容易であり、蒸着終了後のメンテナンス作業を容易に実施することができる。
一方、隙間50を設けただけの場合では、真空下では熱が伝導しにくいために、加熱容器10からの熱が貯蔵容器9に伝わりにくく、蒸着を制御よく実施することができなくなる。この点を克服するため、本実施形態では、隙間50に、ガス導入管11よりガスを導入することで隙間50のガス圧力を上昇させる。隙間50にガスが存在することで、熱が伝導しやすくなり、加熱容器10からの熱を貯蔵容器9に伝達して、蒸着を実施することが可能になる。具体的には、隙間50にガスを導入しない場合、加熱容器10から貯蔵容器9への熱伝達係数は、0.1Pa以下の真空中では0.002W/cm2/Kであるが、ガスを導入した場合、隙間50のガス圧力が50Pa以上になると熱伝達係数は上昇し、例えば隙間50のガス圧力が100Paでの熱伝達係数は0.01W/cm2/Kとなる。
隙間50のガス圧力を少ないガス導入量で上昇させるために、隙間50の大きさは1.0mm以下であることが望ましい。すなわち、加熱容器10の凹部の内寸が、貯蔵容器9の外寸より1.0mm以下の範囲で大きいことが望ましい。真空中では、同一圧力下での熱伝達係数に隙間依存性がある。例えば、隙間のガス圧力100Paで隙間の幅が0.5mmの時に、熱伝達係数は0.007W/cm2/Kとなるが、これ以上隙間が大きくなると、ガス流量を増やしても隙間のガス圧力が上がらないため、ガスを導入する効果が得られにくくなってしまう。そのため、隙間50の幅は0.5mm以下であることがより望ましい。隙間50の幅の下限値は、加熱容器10から貯蔵容器9を容易に取り外すことができ、かつ加熱容器10に貯蔵容器9を容易に取り付けることができる限りにおいて、特に限定されない。隙間50の幅の下限値は、例えば、0.1mmである。
本実施形態で蒸着を行なう際には、貯蔵容器9内に収容した蒸着材料の加熱を、加熱容器10を通じてヒータ20で行いながら、マスフローコントローラ12を用いて、ガス導入管11よりガスを貯蔵容器9と加熱容器10との間の隙間50に導入する。隙間50に存在するガスにより加熱容器10からの熱が貯蔵容器9に効率よく伝達されて、貯蔵容器9内の蒸着材料が加熱溶融して、蒸発面9Sから蒸発し、基板4の表面に供給される。
マスフローコントローラ12によるガス導入量は、チャンバー2に取り付けた真空計40の圧力が一定になるように制御される。ガス導入量は、チャンバー2内の圧力に応じて制御することが望ましい。チャンバー2内の圧力が一定になるようにガス導入量を制御することで、真空度の変化による蒸発速度の変動を抑制することができる。さらに、加熱容器10と貯蔵容器9との間の隙間50のガス圧を一定にすることができるので、加熱容器10から貯蔵容器9への熱伝導が安定し、貯蔵容器9からの蒸発速度を維持することが容易になる。
導入するガスとしては、蒸着材料と反応しないガスを用いることが望ましい。例えば蒸着材料がリチウムの場合、ヘリウム、アルゴン、窒素などの不活性ガスが望ましい。酸素をガスとして用いると、リチウムが酸化されるので、金属リチウムの蒸着が不可能になる。蒸着材料が有機EL材料の場合にも上記の不活性ガスを使用できる。なお、蒸着材料の酸化物の薄膜を基板4の上に形成する場合には、酸素ガスを隙間50に導入してもよい。
加熱容器10の内底面には、図2で示すように、複数の支持突起60が設けられている。貯蔵容器9を加熱容器10の凹部に挿入した時には、貯蔵容器9は支持突起60によって支持されることで、貯蔵容器9の外底面が加熱容器10の内底面と接触することなく、隙間50が形成される。突起の高さは設定する隙間の大きさに応じて調整すればよい。別形態として、支持突起60の代わりに、加熱容器10の内底面にスペーサーを配置してもよい。加熱容器10の内底面に隙間50として機能する溝が形成されていてもよい。ガス導入管11を通じて、加熱容器10の内底面に形成された溝にガスが導入されうる。この場合、貯蔵容器9の外底面は、部分的に加熱容器10の内底面に接触する。
図2では、ヒータ20が発する熱は、ヒータ20と加熱容器10との接触により加熱容器10に伝達されるが、図4に示した別の形態では、図2の構成に加えて、加熱容器10の構成材内部にヒータ20を収納している空間と、加熱容器10の内壁面とが、1本以上の連通路67を通じて連絡している。この連通路67を通じて、隙間50に導入されたガスはヒータ20を収納している空間にも導入されることになる。これにより、伝導熱量が増加し、ヒータからの熱がより効率よく貯蔵容器9に伝達されることになる。
図2及び図4の突起又はスペーサーを設ける代わりに、図10又は図11に示すように、加熱容器10の開口部と貯蔵容器9の開口部の周囲に段差形状又はテーパー形状を設け、これらにより貯蔵容器9を支持することで、貯蔵容器9の外底面が加熱容器10の内底面と接触しないようにすることもできる。
蒸発源30には、ガスが隙間50からチャンバー2の中に流出することを抑制する抑制構造が設けられていてもよい。抑制構造は、隙間50から流出するガスの進行方向を変えるように構成されていてもよいし、隙間50から流出するガスの量を低減するように構成されていてもよい。このような抑制構造が設けられていると、少ないガス導入量で隙間50の圧力を高めることができる。また、隙間50へのガス導入によりチャンバー2内の真空度が低下することも回避できる。以下、抑制構造のいくつかの具体例を説明する。
図10では、貯蔵容器9の開口部付近の外壁面に、外側に向けて突出する方形の支持部61を設けている。この支持部61を加熱容器10の垂直方向における上端面に載置することで、貯蔵容器9の外底面が加熱容器10の内底面に接触しないように貯蔵容器9を支持することができる。図10では支持部61により位置合せができるよう、加熱容器10の垂直方向における上端面に、支持部61の大きさに合わせた方形の凹部を設けているが、方形の凹部は省略することもできる。
図11では、貯蔵容器9の開口部付近の外壁面に、外側に向けて突出するテーパー状の支持部63を設けており、加熱容器10の垂直方向における上端面に、テーパー状の支持部63と合致するテーパー状の凹部を設けている。この形態では、貯蔵容器9を加熱容器10に格納する際の位置合わせを正確に行なうことができ、貯蔵容器9の側面及び底面において所定の隙間50を確実に確保することができる。
図10及び図11では、段差形状又はテーパー形状により貯蔵容器9を支持しているため、隙間50は、貯蔵容器9と加熱容器10の開口部との間において閉鎖されており、チャンバー2から隔絶された空間となっている。そのため、少ないガス導入量で隙間50の圧力を高めることができる。また、隙間50へのガス導入によりチャンバー2内の真空度が低下する(圧力が上昇する)ことも回避できる。もしチャンバー2内の真空度が低下すると、蒸着粒子の散乱により蒸着膜の膜質の劣化が発生する恐れがある。また、排気ポンプ1(真空ポンプ)に過大な負荷を与える恐れもある。なお、図10及び図11中の連通路67は省略することもできる。
図3及び図5に示す別の形態では、加熱容器10の内底面に突起60を設けて貯蔵容器9を支持すると共に、加熱容器10の開口部と貯蔵容器9の開口部に段差形状を設けることで、開口部付近の隙間50Aがそれ以外の隙間50よりも狭くなるように構成されている。ここでは、貯蔵容器9の開口部付近の外壁面に、外側に向けて突出する方形の突出部65を設けているが、突出部65は加熱容器10とは接触していない。開口部付近での隙間50Aが狭くなっていることで、隙間50に導入したガスがチャンバー2内に拡散することを抑止して、少ないガス導入量で隙間50の圧力を高めると共に、チャンバー2内の真空度の低下を抑制している。
図12A、図13A、及び図14に示す別の形態では、加熱容器10の上端面及び貯蔵容器9の上端面に蓋体69が載置され、隙間50の上方開口部が閉鎖されている。蓋体69が存在するためにチャンバー2へのガス拡散が抑制され、少ないガス導入量で隙間50の圧力を高めることができ、チャンバー2内の真空度低下を回避することができる。蓋体69は、貯蔵容器9からの蒸着材料の蒸発を阻害しないよう、貯蔵容器9の開口部の形状にあわせて中央に貫通孔71を有する。
図12B及び図13Bは、蓋体69の下面を示す。これらの図に示すように、蓋体69の下面には溝状のガス流路70が複数設けられていることが望ましい。ガス流路70は、隙間50に導入されたガスを、貯蔵容器9の外側(貯蔵容器9の開口部と逆側)に導くよう形成されている。これにより、隙間50に導入されたガスのチャンバー2内への放出地点を貯蔵容器9の開口部から離れた場所にすることができる。よって、隙間50に導入されたガスが、貯蔵容器9の開口部の方向に漏出して、貯蔵容器9から蒸発している蒸着材料と衝突し、膜質劣化(例えば、基板との密着力が弱くなる、又は、ポーラスな膜になる)を引き起こすなどの蒸着への影響を回避することができる。このように、蓋体69は、隙間50から流出するガスの進行方向を変えるように構成されていてもよいし、隙間50から流出するガスの量を低減するように構成されていてもよい。
図12A及び図13Aは、ガス流路70を含む断面を示した図であるため、蓋体69の下面と加熱容器10の上端面が接触していない。しかし、ガス流路70以外の領域では、蓋体69の下面と加熱容器10の上端面は直接接触している。ガス流路70の長さ及び本数は隙間50のガス圧に応じて設定することができる。
加熱容器10及び貯蔵容器9の形状は、上端面又は下面からみると、図12A及び図14の形態では方形であり、図13Aの形態では円形である。図13Aに示す形態では、棒状のヒータ20が鉛直方向を向いて、下方から、加熱容器10に埋め込まれている。
図14では、蓋体69の下面に、貯蔵容器9の開口部に対応した形状のつば(凸部)72が設けられている。これにより、蓋体69を加熱容器10の上端面及び貯蔵容器9の上端面に載置する際に位置合せを正確に行なうことができ、蓋体69の水平面内での位置ずれを防止することができる。
図15に示す別の形態では、ヒータ20の周りにガスが直接導入されている。具体的には、加熱容器10に長い穴15が形成されている。穴15にヒータ20が着脱可能に差し込まれている。穴15の直径は、ヒータ20の直径よりも僅かに大きく、穴15の内周面とヒータ20の外周面との間に隙間が形成されている。その隙間にガスを導入するように、ガス導入管14(ガス導入経路)が穴15に接続されている。ガス導入管14を通じて穴15に導入されたガスは、連通路67を通じて隙間50にも導入される。隙間50にガスを直接導入するガス導入管11を省略してもよいし、ガス導入管11とガス導入管14とを併用してもよい。なお、図15に示す形態には、後述する実施形態(図17〜図26)の構造を応用できる。
図1に示すように、搬送部は、基板4を巻き付けて保持する第1及び第2のロール3、8と、基板4を案内するガイド部とを含む。ガイド部は、搬送ローラ5a、5bと、冷却キャン6を有し、これにより、基板4が、蒸発面9Sから蒸発した蒸着材料が冷却キャン6上で到達する領域(蒸着領域)を通過するように、基板4の搬送経路が規定される。測長装置(図示せず)は、基板4の搬送で回転する搬送ローラ(ここでは搬送ローラ5a)の回転量を計測し、基板4の移動距離を算出する。
第1及び第2のロール3、8、搬送ローラ5a、5b及び冷却キャン6は、例えば長さが600mmの円筒形を有しており、それらの軸が互いに平行になるようにチャンバー2内に配置されている。図1では、これらの円筒形の底面に平行な断面のみが示されている。
本実施形態では、第1及び第2のロール3、8の何れか一方が基板4を繰り出し、搬送ローラ5a、5b及び冷却キャン6は繰り出された基板4を搬送経路に沿って案内し、第1及び第2のロール3、8の他方が基板4を巻き取る。巻き取られた基板4は、必要に応じて、上記他方のロールによってさらに繰り出され、搬送経路を逆方向に搬送される。このように、本実施形態における第1及び第2のロール3、8は、搬送方向によって巻き出しロールとしても巻き取りロールとしても機能することができる。また、搬送方向の反転を繰り返すことによって、基板4が蒸着領域を通過する回数を調整できるので、所望の回数の蒸着工程を連続して実施できる。
加熱容器10の周囲には、輻射熱を遮蔽するための遮蔽部13が設置されている。加熱容器10は例えば1000℃付近という高温に加熱されるので、遮蔽部13は、蒸着領域以外での基板及び蒸着装置の温度上昇をできるだけ低減するために設けられている。
<蒸着装置の動作>
次に、蒸着装置100の動作を説明する。ここでは、蒸着装置100を用いて、基板4の表面にリチウム金属膜を形成する場合を例に説明するが、これに限定されない。
次に、蒸着装置100の動作を説明する。ここでは、蒸着装置100を用いて、基板4の表面にリチウム金属膜を形成する場合を例に説明するが、これに限定されない。
第1工程として、蒸発源加熱工程を行う。具体的には、第1及び第2のロール3、8のうちの一方のロール(ここでは第1のロール3)に長尺の基板4を巻き付けておく。基板4として、アルミ箔、銅箔、ニッケル箔などの金属箔を用いることができる。本実施形態では厚み25μmの銅箔を用いる。貯蔵容器9内には蒸着材料(リチウム金属)を収容する。ガス導入管11は蒸着装置100の外部に設置されたアルゴンガスボンベなどに接続する。この状態で、排気ポンプ1を用いてチャンバー2を排気する。
次いで、マスフローコントローラ12で流量を調整しながら、隙間50にアルゴンガスを導入する。その際、真空計40が目的の圧力になるよう流量の制御を行う。本実施形態では真空計40の圧力が5×10-3Paになるように制御を行う。
次に、ヒータ20であるカートリッジヒータに電流を流して、加熱容器10の加熱を開始する。380℃でのリチウムの飽和蒸気圧はおおよそ5×10-3Paであるので、加熱容器10の温度を380℃にまで上昇させる。加熱容器10の温度上昇に伴って、マスフローコントローラ12によりアルゴンガスの流量を徐々に減少させて、真空計の圧力を一定に保つようにする。隙間50のガスの温度は、蒸着材料(リチウム金属)の蒸発温度を超える温度に達する。
次に第2工程として、蒸発工程を行う。すなわち、貯蔵容器9内のリチウム金属を、所定の蒸発速度で蒸発させるべく、加熱容器10の温度をさらに上昇させる。本実施形態では加熱容器10の温度を600℃まで上昇させる。
この時、蒸発源30が図2で示される構造を有する場合、アルゴンガスの導入量は0.5SLM(standard liter per minute)であるが、図3で示される構造を有する蒸発源では、ガス導入量は0.2SLMである。すなわち、図3のように貯蔵容器9の開口部及び加熱容器10の開口部の周囲における隙間50Aが狭くなっている場合には、隙間50Aからのガスの漏出量が少ないために、少ないガス導入量で所定のガス圧を達成することができる。
また、蒸発源30が図2で示される構造を有する場合、ヒータ20の電流値は4A/本であるが、図4で示される構造を有する蒸発源では、ヒータ20の電流値は3.4A/本である。すなわち、図4のようにヒータ20を収納する空間と、加熱容器10の内壁面との間にガスを通過させる連通路67(通過路)が設けられている場合には、ヒータ20の熱がより効率よく貯蔵容器9に伝達されるので、ヒータ20の加熱量を削減することができる。
第3工程として、蒸着膜形成工程を行う。すなわち、第1のロール3に巻き付けられた基板4を繰り出し、冷却キャン6を経過して、第2のロール8に向かって搬送する。本実施形態では、基板4の搬送速度は5m/minで行う。基板4は、蒸着領域を通過するときに蒸着され、その後、第2のロール8に巻き取られる。所定の長さを蒸着したところで、基板4の搬送は停止する。
第4工程として、貯蔵容器取り出し工程を行う。すなわち、第3工程で所定の長さの基板4が繰り出され蒸着が終了したら、ヒータ20への電流供給を停止し、加熱容器10の加熱を停止する。このまま加熱容器10が室温になるまで待っても良いが、冷却時間を短縮するため、バルブ25を開けて、圧縮空気導入配管26を通じて空冷路68に圧縮空気を導入する。導入した圧縮空気は、空冷路68を通って加熱容器10を冷却しながら、圧縮空気排出配管27より排出される。加熱容器10の温度が室温まで下がったら、加熱容器10から貯蔵容器9を分離して取り出すことができる。加熱容器10の温度が室温まで下がった後、チャンバー2に露点−40℃のドライエアーを導入することで、貯蔵容器9内のリチウム金属を、大気の水分と反応させることなく大気圧下に戻すことができる。本実施形態では、貯蔵容器9を交換することで再度蒸着を実施することが可能になるので、メンテナンス作業を極めて簡易に行なうことができる。
(試験例)
図13Aで示した貯蔵容器と加熱容器を用いてガス導入による貯蔵容器の昇温効果を実証する試験を行なった。
図13Aで示した貯蔵容器と加熱容器を用いてガス導入による貯蔵容器の昇温効果を実証する試験を行なった。
貯蔵容器は蒸着材料を保持していない状態で、貯蔵容器と加熱容器を真空下に設置し、加熱容器を加熱しつつ、貯蔵容器と加熱容器の温度を経時的に測定した。さらに、貯蔵容器と加熱容器の温度差を算出した。貯蔵容器と加熱容器の隙間にガスを導入せずに前記測定を行なった場合(比較試験例)の結果を図16Aに示し、ガスを導入しながら前記測定を行なった場合(試験例)の結果を図16B及び図16Cに示す。
以上の試験は以下の条件で行なった。
加熱容器(外カップ):SUS405製、熱膨張係数:10.8×10-6、貯蔵容器を格納する開口部の内寸法:φ50.4×高さ70.2mm
貯蔵容器(内カップ):SUS304製、熱膨張係数:17.3×10-6、外寸法:φ50×高さ70mm
ヒータ:坂口電熱製カートリッジヒータ。8本を加熱容器に挿入して使用。AC40V、6.3A、250Wで加熱。
貯蔵容器(内カップ):SUS304製、熱膨張係数:17.3×10-6、外寸法:φ50×高さ70mm
ヒータ:坂口電熱製カートリッジヒータ。8本を加熱容器に挿入して使用。AC40V、6.3A、250Wで加熱。
貯蔵容器と加熱容器を収容する真空槽は真空ポンプで5Paまで真空排気した。
貯蔵容器と加熱容器の隙間に導入するガスとしては窒素ガスを使用した。ガス流量は20sccm(standard cubic centimeter per minute)とした。
図16Aより、窒素ガスを導入しない場合、加熱容器の昇温開始から約15分が経過してから貯蔵容器の昇温が始まっており、応答が遅かった。また、加熱容器と貯蔵容器の温度差が大きく、貯蔵容器が十分に加熱されなかった。
一方、図16Bより、窒素ガスを導入した場合、加熱容器と貯蔵容器の昇温開始の時間差は50秒と小さかった。図16B及び図16Cより、貯蔵容器の温度は加熱容器の温度に追従しており、加熱容器と貯蔵容器の温度差は小さかった。図16Cより、貯蔵容器の温度が575℃になった時点でも加熱容器の温度に追従していた。
以上より、加熱容器と貯蔵容器との間の隙間にガスを導入することで、真空下において、貯蔵容器の加熱を効率よく実施できることが証明された。
(第二実施形態)
図7は、第二実施形態の蒸着装置200を模式的に示す断面図である。第二実施形態も、第一実施形態と同様、チャンバー2内において、シート状の基板4を搬送しながら、冷却キャン6上の蒸着領域で蒸着を行なう形態であるが、貯蔵容器9及び加熱容器10の開口部は、両容器の側面に形成されている。この側面に形成された開口部に近接するよう、冷却キャン6は配置されている。これによっても、第一実施形態と同様に基板4の蒸着が可能である。
図7は、第二実施形態の蒸着装置200を模式的に示す断面図である。第二実施形態も、第一実施形態と同様、チャンバー2内において、シート状の基板4を搬送しながら、冷却キャン6上の蒸着領域で蒸着を行なう形態であるが、貯蔵容器9及び加熱容器10の開口部は、両容器の側面に形成されている。この側面に形成された開口部に近接するよう、冷却キャン6は配置されている。これによっても、第一実施形態と同様に基板4の蒸着が可能である。
図9は、図1の蒸着装置の蒸着源付近を拡大して示す部分拡大図である。図3と同様、加熱容器10の開口部と貯蔵容器9の開口部に段差形状を設けることで、開口部付近の隙間50Aをそれ以外の隙間50よりも小さくしている。図8は別の形態に関するもので、このような段差形状を設けていない場合を示している。
以上では冷却キャンに沿って搬送しているシート状の基板に対して蒸着をする場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。本発明の蒸着装置を用いて、静置している基板に対して蒸着を行なうこともできるし、直線状に搬送されているシート状の基板に対して蒸着を行なうこともできる。直線状に搬送されている基板は、水平に搬送されている基板であってもよいし、斜め方向に搬送されている基板であってもよい。
(第三実施形態)
図17に示すように、真空蒸着装置300は、真空槽81、真空ポンプ82、巻き出しロール85、搬送ローラ86a〜86d、キャンローラ87、巻き取りロール88及び蒸発源110を備えている。蒸発源110は、キャンローラ87に向かい合う位置に配置されている。基板4は、巻き出しロール85に準備されており、搬送ローラ86aに向かって送り出される。基板4は、さらに、搬送ローラ86b、キャンローラ87、搬送ローラ86c及び搬送ローラ86dに沿って搬送され、巻き取りロール88に巻き取られる。巻き出しロール85、搬送ローラ86a〜86d、キャンローラ87及び巻き取りロール88は、基板4を搬送する搬送系を構成している。
図17に示すように、真空蒸着装置300は、真空槽81、真空ポンプ82、巻き出しロール85、搬送ローラ86a〜86d、キャンローラ87、巻き取りロール88及び蒸発源110を備えている。蒸発源110は、キャンローラ87に向かい合う位置に配置されている。基板4は、巻き出しロール85に準備されており、搬送ローラ86aに向かって送り出される。基板4は、さらに、搬送ローラ86b、キャンローラ87、搬送ローラ86c及び搬送ローラ86dに沿って搬送され、巻き取りロール88に巻き取られる。巻き出しロール85、搬送ローラ86a〜86d、キャンローラ87及び巻き取りロール88は、基板4を搬送する搬送系を構成している。
キャンローラ87の外周面に沿って基板4が搬送されているとき、蒸発源110から蒸発した材料89が基板4の上に堆積する。これにより、基板4の上に材料89を含む薄膜が形成される。蒸着時において、真空槽81の内部は、真空ポンプ82の働きによって薄膜の製造に適した圧力に保たれる。真空槽81の内部の真空度は特に限定されず、例えば10-1〜10-4Paの範囲にある。
図18〜図20に示すように、蒸発源110は、加熱ブロック92及び複数の棒状のヒータ20を備え、真空中で物体(材料89)を加熱する加熱装置(heating unit)として構成されている。加熱ブロック92は、蒸発させるべき材料89を収容する凹部21を有する蒸発容器(るつぼ)である。ヒータ20に電流を流すことによって加熱ブロック92が加熱される。ヒータ20で加熱ブロック92を加熱することによって、凹部21に収容された材料89を溶融及び蒸発させることができる。
加熱ブロック92には、複数のスロット94及び複数のガス導入経路97が形成されている。スロット94は、ヒータ20を収納することができる長い穴である。凹部21の周囲において、スロット94は、加熱ブロック92の一辺に平行な方向(典型的には、水平方向)に延びており、加熱ブロック92を一方の側面から他方の側面へと貫通している。スロット94が加熱ブロック92を貫通していることは必須ではない。スロット94は有底孔であってもよい。ヒータ20は、スロット94に着脱可能に差し込まれている。ガス導入経路97は、スロット94とヒータ20との間の隙間96に伝熱ガスを導入するための経路である。本実施形態において、ガス導入経路97は、加熱ブロック92の底部92pに開口しており、加熱ブロック92の内部でスロット94に連通している。ガス導入経路97に伝熱ガスを供給できるように、加熱ブロック92の底部92pにガス供給管95が接続されている。図17に示すように、ガス供給管95は加熱ブロック92から真空槽81の外部へと延びている。
図19及び図20に示すように、ヒータ20は、スロット94の内径よりも小さい外径を有する。そのため、スロット94の下半分にヒータ20が接している。これにより、ヒータ20の上に隙間96が形成される。ガス供給管95を通じてガス導入経路97に伝熱ガスが供給されると、伝熱ガスはガス導入経路97を通じて隙間96に導入される。隙間96に伝熱ガスが充満することによって、真空中にもかかわらず、ヒータ20から加熱ブロック92に効率的に熱が伝わる。
図17に示す真空蒸着装置300では、蒸発源110を使用し、薄膜の材料89を真空中で蒸発させ、蒸発した材料89を基板4の上に堆積させる(堆積工程又は加熱工程)。堆積工程を実施しながら、隙間96が伝熱ガスで満たされるように、ガス供給管95を通じて、真空槽81の外部から蒸発源110のガス導入経路97に伝熱ガスを供給する。
伝熱ガスの種類は特に限定されない。ただし、本発明を蒸発源110に適用する場合、蒸着するべき材料と反応しやすいガス、高品質な薄膜の製造を阻害するガスを避けるべきである。その観点において、不活性ガス、特にアルゴンなどの希ガスを伝熱ガスとして好適に使用できる。
加熱ブロック92には、複数のスロット94が形成されている。複数のスロット94のそれぞれにヒータ20が差し込まれている。複数のヒータ20が凹部21を取り囲む形で配置されている。このような構成によれば、加熱ブロック92を均一に加熱することができ、ひいては凹部21に収容された材料89を均一に加熱することができる。ただし、ヒータ20、スロット94及びガス導入経路97の数は特に限定されない。
図19及び図20に示すように、ガス導入経路97は、第一経路97a及び第二経路97bを含む。第一経路97aは、加熱ブロック92の外部から特定のスロット94に伝熱ガスを導入する経路である。第二経路97bは、スロット94同士を互いに連通する経路である。このような構成によれば、スロット94の数よりもガス供給管95の数を少なくすることができる。このことは、加熱ブロック92の構造の簡略化に寄与する。伝熱ガスは、1つのガス供給管95を通じてガス導入経路97の第一経路97aに供給され、第一経路97aを通じて、特定のスロット94の隙間96に導入される。伝熱ガスは、さらに、第二経路97bを通じて、別のスロット94の隙間96にも導入される。従って、少ない量の伝熱ガスでヒータ20から加熱ブロック92への伝熱を促すことができる。
なお、蒸発源110は、第二経路97bのコンダクタンスが隙間96から真空槽81の内部の空間に至る経路の漏れコンダクタンスを上回るように設計されていてもよい。この場合、真空槽81の内部に散逸する伝熱ガスを減らすことができるとともに、複数の隙間96のそれぞれに伝熱ガスが過不足なく配分されやすい。
また、ヒータ20の外径及びスロット94の内径は、蒸発源110を繰り返し使用した後においても、ヒータ20をスロット94から容易に引き抜くこと、及び、ヒータ20をスロット94に容易に差し込むことができるように適切に調節されている。例えば、ヒータ20の外径が5〜15mmの範囲にあるとき、スロット94の内径からヒータ20の外径を引いた値(つまり、隙間96の広さ)が0.05〜0.5mmの範囲に収まるように、スロット94の内径を決めることができる。ヒータ20の外径とスロット94の内径との差がこのような範囲内にあれば、真空ポンプ82に過剰な負荷をかけずに真空を維持できる。
また、通電時にヒータ20の動きが許容されるように、ヒータ20の寸法及びスロット94の寸法が調節されていてもよい。具体的には、ヒータ20の外径とスロット94の内径との差が調節されうる。外径と内径との差は、ヒータ20の材料の線膨張係数、加熱ブロック92の材料の線膨張係数、及びヒータ20の使用温度から計算することが可能である。また、ヒータ20がスロット94の中で圧迫されていないこと、ヒータ20を加熱ブロック92に固定するためにネジなどの固定具が使用されていないことが望ましい。このような構成によれば、通電時の熱膨張によってヒータ20に大きい力(荷重又は応力)が加わることを防止できる。そのため、ヒータ20の寿命が延びる。通電時において、スロット94の内周面から受ける支持力を除き、ヒータ20に加えられている荷重が実質的にゼロであってもよい。
加熱ブロック92は、ステンレス、銅、カーボンなどの耐熱材料によって作られている。本実施形態において、加熱ブロック92は升の形を有している。しかし、加熱ブロック92の形状、寸法などは特に限定されない。
図21に示すように、ヒータ20は、ヒータ本体31、リード部32及び接続部33で構成されている。ヒータ20の横断面の形状は特に限定されず、典型的には円形であり、楕円形又は矩形であってもよい。つまり、ヒータ20は、円柱、楕円柱又は角柱の形状を有していてもよい。スロット94の横断面の形状も特に限定されず、典型的には円形であり、楕円形又は矩形であってもよい。
ヒータ本体31は、接続部33を介してリード部32に接続されている。ヒータ本体31は、発熱体34、絶縁体35a及び外筒36を有する。リード部32は、1対のリード線38及び絶縁被覆39を有する。接続部33は、絶縁体35b、外筒36及び1対のヒータ線端部37を有する。リード線38を発熱体34に電気的に接続するようにリード部32とヒータ本体31との間に接続部33が設けられている。リード線38を通じて発熱体34に電力が供給される。外筒36は、ヒータ本体31と接続部33とに共用されていてもよい。
発熱体34は、例えば、タングステンなどの金属線を捲回することによって形成されており、外筒36によって覆われている。発熱体34と外筒36との間に絶縁体35aが充填されている。絶縁被覆39は、リード線38を被覆するように設けられている。絶縁被覆39は、ガラス繊維、セラミックなどで作られている。接続部33の接続点41において、リード線38はヒータ線端部37に接続されている。接続部33において、リード線38、ヒータ線端部37及び接続点41によって通電部が形成されている。通電部と外筒36との間には絶縁体35bが充填されている。
通電部が絶縁されている限りにおいて、接続部33は、外筒36及び絶縁体35bを有している必要はない。ただし、外筒36及び絶縁体35bが接続部33に設けられていると、接続点41の近傍の機械的な堅牢性を高めることができる。そのため、応力の集中による断線を防止できる。また、接続部33の外筒36がヒータ部31の外筒36の外径と同一の外径を有していると、ヒータ20の取り扱いが容易になる。
図20に示すように、接続点41及びリード線38の温度が上がりすぎないように、接続部33はスロット94の外に位置していることが望ましい。これにより、ヒータ20の寿命を延ばすことができる。なお、図21に示すヒータ20は一例にすぎない。本発明において、ヒータの種類は特に限定されない。
以下、変形例に係る加熱装置を説明する。以下の変形例において、図17〜図21を参照して説明した蒸発源110(加熱装置)の構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付し、その説明を省略する。
(変形例1)
図22に示すように、変形例1に係る蒸発源120において、スロット94は、長さ方向に沿って大径の中央部94aと小径の端部94bとを有する。この点に関して、変形例1に係る蒸発源120は、先に説明した蒸発源110と異なる。
図22に示すように、変形例1に係る蒸発源120において、スロット94は、長さ方向に沿って大径の中央部94aと小径の端部94bとを有する。この点に関して、変形例1に係る蒸発源120は、先に説明した蒸発源110と異なる。
スロット94の中央部94aは、ガス導入経路97(第一部分97a又は第二部分97b)に連通している部分である。スロット94の端部94bは、スロット94の開口部を含む部分である。ヒータ20は、端部94bにおけるスロット94の内径よりも小さい外径を有している。このようなスロット94によれば、スロット94の中央部94aで隙間96が相対的に広く、スロット94の端部94bで隙間96が相対的に狭い。さらに、スロット94において、中央部94aの中心が端部94bの中心に一致している。従って、ヒータ20の上方に上隙間96aが形成され、ヒータ20の下方に下隙間96bが形成される。
伝熱ガスを隙間96に保持するためには、スロット94の内径をできるだけ小さくすることが有効である。しかし、スロット94の内径を小さくしすぎると、ヒータ20を引き抜くこと及び差し込むことが困難になる。これに対し、本変形例によれば、スロット94の端部94bで隙間96が相対的に狭いので、隙間96からの伝熱ガスの漏れを低減できる。また、スロット94の中央部94aで隙間96が相対的に広いので、スロット94からヒータ20を容易に引き抜くこと、及びスロット94にヒータ20を容易に差し込むことができる。
(変形例2)
図23に示すように、変形例2に係る蒸発源130は、筒状部品98をさらに備えている点で、先に説明した蒸発源110と異なる。
図23に示すように、変形例2に係る蒸発源130は、筒状部品98をさらに備えている点で、先に説明した蒸発源110と異なる。
図23に示すように、筒状部品98は、隙間96を狭めるようにスロット94の開口部に設けられている。ヒータ20は、筒状部品98を介して、スロット94に差し込まれている。変形例1と同じように、ヒータ20の上方に上隙間96aが形成され、ヒータ20の下方に下隙間96bが形成されている。筒状部品98は、スロット94の内径を縮小するのと同じ役割を果たしている。このような筒状部品98を使用すれば、加熱ブロック92にスロット94を形成するための加工が容易になる。
図24Aに示すように、筒状部品98は、大径部98a、小径部98b及び貫通孔98hを有する。大径部98aは、スロット94の内径よりも大きい外径を有する部分である。小径部98bは、スロット94の内径よりも小さい外径を有する部分である。大径部98a及び小径部98bは一体に形成されている。貫通孔98hは、大径部98a及び小径部98bを貫通する形で形成されている。貫通孔98hは、ヒータ20の外径よりも大きい内径を有する。このような構造の筒状部品98によれば、スロット94の端部で隙間96を狭めることができる。
図24Aに示す筒状部品98に代えて、図24Bに示す樋状部品28を使用してもよい。樋状部品28は、筒状部品98を貫通孔98hの中心軸を含む平面で2等分することによって得られる。リード部32が設けられている側のスロット94の開口部において、樋状部品28をヒータ20とスロット94との間に配置してもよい。これにより、樋状部品28の内周面の曲率半径とヒータ20の外径との差がある程度小さかったとしても、ヒータ20をスロット94から容易に引き抜くことができる。
(変形例3)
図25に示すように、変形例3に係る蒸発源140は、スロット94を閉じるためのフランジ99をさらに備えている点で、先に説明した蒸発源110と異なる。
図25に示すように、変形例3に係る蒸発源140は、スロット94を閉じるためのフランジ99をさらに備えている点で、先に説明した蒸発源110と異なる。
フランジ99は、スロット94の2つの開口部のうち、ヒータ20のリード線38が位置する側とは反対側の開口部に配置されている。フランジ99によってスロット94が閉じられている。スロット94を密閉すれば、隙間96から真空槽81の内部に漏出する伝熱ガスの量を減らすことができる。フランジ99によれば、スロット94が有底孔で形成されている場合と同じ効果が得られる。
フランジ99が複数のスロット94のそれぞれに設けられていることは必須ではない。例えば、複数のスロット94を一括して覆うことができる大きさの板状部材をフランジとして使用できる。さらに、フランジ99は、加熱ブロック92に差し込まれているだけでもよいし、ねじ込まれていてもよいし、加熱ブロック92に溶接されていてもよい。このように、スロット94を密閉する方法は特に限定されない。
(第四実施形態)
本発明は、蒸発源以外の加熱装置にも適用されうる。図26に示すように、加熱装置は、基板を加熱する基板加熱装置150であってもよい。基板加熱装置150は、加熱ブロック51、複数のスロット94及び複数のヒータ20を備えている。加熱ブロック51に複数のスロット94及び複数のガス導入経路(図示省略)が形成されている。スロット94にヒータ20が差し込まれている。ガス導入経路にガス供給管95が接続されている。ヒータ20に電流を流すことによって加熱ブロック51が全体的に加熱される。
本発明は、蒸発源以外の加熱装置にも適用されうる。図26に示すように、加熱装置は、基板を加熱する基板加熱装置150であってもよい。基板加熱装置150は、加熱ブロック51、複数のスロット94及び複数のヒータ20を備えている。加熱ブロック51に複数のスロット94及び複数のガス導入経路(図示省略)が形成されている。スロット94にヒータ20が差し込まれている。ガス導入経路にガス供給管95が接続されている。ヒータ20に電流を流すことによって加熱ブロック51が全体的に加熱される。
加熱ブロック51は、例えば、蒸発源110の加熱ブロック92に使用できる耐熱材料で作られている。加熱ブロック51の上面51pは、基板に向かい合う面である。上面51pに基板を接近又は接触させることによって基板を加熱できる。上面51pには、基板の加熱効率を高めるための処理が施されていてもよい。そのような処理としては、輻射率を高めるための黒色被膜を上面51pに形成することが挙げられる。
加熱ブロック51の構造は、材料を収容するための凹部を有していていないことを除けば、先に説明した加熱ブロック92の構造と概ね同じである。つまり、蒸発源110,120,130及び140で説明した全ての構成は、基板加熱装置150にも有利に適用できる。また、基板を加熱しながら搬送する加熱ローラのように、可動部分を有する加熱装置にも本発明を適用できる。
本発明の加熱装置は、真空成膜装置、真空加工装置、真空冶金装置、真空化学装置、表面分析装置、真空試験装置などの様々な真空装置に使用できる。
Claims (24)
- 真空中で加熱されるべき被加熱体と、
前記被加熱体から分離可能、かつ自身と前記被加熱体との間に隙間が形成されるように構成された加熱体と、
前記隙間に伝熱ガスを導入するためのガス導入経路と、
を備え、
前記被加熱体は、真空中で物体を加熱する加熱ブロックであり、
前記加熱体は、前記加熱ブロックに形成されたスロットに着脱可能に差し込まれた棒状のヒータであり、
前記スロットと前記ヒータとの間に前記隙間が形成されており、
前記ガス導入経路は、前記隙間に伝熱ガスを導入するように前記加熱ブロックに形成されており、
前記加熱ブロックは、前記伝熱ガスを介して前記ヒータによって加熱される、加熱装置。 - 前記加熱ブロックによって加熱される前記物体は、蒸着材料を保持し、かつ蒸発した前記蒸着材料が通過するための開口部を有する貯蔵容器であり、
前記加熱ブロックは、前記貯蔵容器を着脱可能に格納し、前記貯蔵容器内の前記蒸着材料を加熱するための加熱容器であって、前記貯蔵容器から蒸発した前記蒸着材料が通過するための開口部を有するとともに、前記貯蔵容器を格納したときに前記貯蔵容器の外壁面と前記加熱容器の内壁面とが直接対向することによって前記内壁面と前記外壁面との間に他の隙間が生じるように構成された加熱容器であり、
前記伝熱ガスを介して前記貯蔵容器が前記加熱ブロックによって加熱されるように、前記ガス導入経路又は他のガス導入経路を通じて前記他の隙間に前記伝熱ガスが導入され、
前記加熱装置は、(i)前記貯蔵容器及び前記加熱容器を収容し、内部で基材上に蒸着するための真空槽と、(ii)前記真空槽内を排気する真空ポンプと、をさらに備えた蒸着装置である、請求項1に記載の加熱装置。 - 前記他の隙間は、幅が0.5mm以下である、請求項2に記載の加熱装置。
- 前記伝熱ガスが前記他の隙間から前記真空槽の中に流出することを抑制する抑制構造をさらに備えた、請求項2に記載の加熱装置。
- 前記抑制構造は、前記他の隙間から流出する前記伝熱ガスの進行方向を変えるように構成されている、又は、前記他の隙間から流出する前記伝熱ガスの量を低減するように構成されている、請求項4に記載の加熱装置。
- 前記抑制構造は、前記貯蔵容器の前記開口部、及び、前記加熱容器の前記開口部の周囲に設けられた段差構造、又は、テーパー構造である、請求項4に記載の加熱装置。
- 前記段差構造、又は、前記テーパー構造を設けることにより、前記貯蔵容器の前記開口部と前記加熱容器の前記開口部の周囲における前記他の隙間が、前記開口部の周囲以外の前記他の隙間よりも狭くなるように形成されている、請求項6に記載の加熱装置。
- 前記加熱容器の熱膨張係数が、前記貯蔵容器の熱膨張係数より小さい、請求項2に記載の加熱装置。
- 前記ヒータを有する前記加熱容器内部の空間と、前記加熱容器の内壁面との間に、前記伝熱ガスを通過させるための通過路、をさらに備えた、請求項2に記載の加熱装置。
- 前記他の隙間が、前記貯蔵容器の前記開口部と前記加熱容器の前記開口部において、閉鎖されている、請求項2に記載の加熱装置。
- 前記他の隙間の開口部の上に、蓋体が載置されている、請求項2に記載の加熱装置。
- 前記蓋体の下面に、前記他の隙間に導入された前記伝熱ガスを通過させるガス流路が形成されている、請求項11に記載の加熱装置。
- 蒸着装置としての、請求項2に記載の加熱装置を使用して、真空中で前記基材上に蒸着を行なう蒸着方法であって、
前記隙間及び前記他の隙間に伝熱ガスを導入しつつ、前記ヒータにより前記貯蔵容器内の前記蒸着材料を加熱することで、前記貯蔵容器から前記蒸着材料を蒸発させる工程を含む、薄膜製造方法。 - 前記伝熱ガスの導入量は、前記真空槽内の圧力に応じて制御される、請求項13に記載の薄膜製造方法。
- 前記蒸着材料がリチウムであり、前記伝熱ガスが不活性ガスである、請求項13に記載の薄膜製造方法。
- 前記加熱ブロックには、複数の前記スロットが形成されており、
複数の前記スロットのそれぞれに前記ヒータが差し込まれており、
前記ガス導入経路は、前記加熱ブロックの外部から前記スロットに前記伝熱ガスを導入する第一経路と、前記スロット同士を互いに連通する第二経路とを含む、請求項1に記載の加熱装置。 - 前記スロットの長さ方向の中央部で前記隙間が相対的に広く、前記スロットの長さ方向の端部で前記隙間が相対的に狭い、請求項1に記載の加熱装置。
- 前記ヒータが、発熱体を有するヒータ本体と、前記発熱体に電力を供給するように前記ヒータ本体の前記発熱体に電気的に接続されたリード線とを有し、
前記リード線が位置する側とは反対側において、前記スロットが閉じられている、請求項1に記載の加熱装置。 - 通電時に前記ヒータの動きが許容されるように、前記ヒータの寸法及び前記スロットの寸法が調節されている、請求項1に記載の加熱装置。
- 前記ヒータが、発熱体を有するヒータ本体と、前記発熱体に電力を供給するためのリード線を有するリード部と、前記リード線を前記発熱体に電気的に接続するように前記リード部と前記ヒータ本体との間に設けられた接続部とを有し、
前記接続部が前記スロットの外に位置している、請求項1に記載の加熱装置。 - 前記加熱装置が蒸発源であり、
前記加熱ブロックが、蒸発させるべき材料としての前記物体を収容する凹部を有する蒸発容器である、請求項1に記載の加熱装置。 - 前記加熱装置が基板を加熱する基板加熱装置である、請求項1に記載の加熱装置。
- 請求項1に記載の加熱装置を使用して真空中で前記物体を加熱する工程と、
前記加熱工程を実施しながら、真空の外部から前記加熱装置に前記伝熱ガスを供給する工程と、
を含む、真空加熱方法。 - 請求項1に記載の加熱装置を使用し、前記物体としての薄膜の材料を真空中で蒸発させ、蒸発した材料を基板上に堆積させる工程と、
前記堆積工程を実施しながら、真空の外部から前記加熱装置に前記伝熱ガスを供給する工程と、
を含む、薄膜製造方法。
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