JP5582158B2 - マルチバンドアンテナ装置 - Google Patents
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Description
前記放射素子分岐回路は、前記放射素子分岐回路が有する分岐点と前記ローバンド用放射素子との間に設けられるローバンド用装荷リアクタンス素子、および前記分岐点と給電点との間に設けられる分岐元装荷リアクタンス素子を有し、
少なくとも前記ローバンド用装荷リアクタンス素子および前記分岐元装荷リアクタンス素子は、それぞれコイルパターンで構成されたインダクタであって、前記給電点と前記ローバンド用放射素子との間のインダクタンスが増大する方向に、前記ローバンド用装荷リアクタンス素子と前記分岐元装荷リアクタンス素子とはトランス結合している、ことを特徴としている。
図1(A)は本発明の第1の実施形態に係るマルチバンドアンテナ装置101の斜視図、図1(B)は図1(A)からの視点を基準として後方から見たマルチバンドアンテナ装置101の斜視図である。また図2はマルチバンドアンテナ装置101の平面図である。
図6(A)は第2の実施形態に係るマルチバンドアンテナ装置102の回路図、図6(B)は、このマルチバンドアンテナ装置102の等価回路図である。第1の実施形態で図3・図5に示した等価回路と異なり、第3リアクタンス素子X3の給電回路側に第4リアクタンス素子X4を接続している。また、第1リアクタンス素子X1とローバンド用放射素子11との間に第5リアクタンス素子X5を接続している。
第3の実施形態では、VSWR改善用インピーダンス変換素子の具体例を示す。
FP…給電点
L1a,L1b,L2a,L2b…インダクタ
M…相互インダクタンス
P1…第1電気長
P2…第2電気長
P3…第3電気長
T…トランス
X1…第1リアクタンス素子(ローバンド用装荷リアクタンス素子)
X2…第2リアクタンス素子
X3…第3リアクタンス素子(分岐元装荷リアクタンス素子)
X4…第4リアクタンス素子
X5…第5リアクタンス素子
8…基材
9…グランド導体
10…誘電体素体
11…ローバンド用放射素子
12…ハイバンド用放射素子
30…放射素子分岐回路
31…VSWR改善用インピーダンス変換素子
32…給電回路
33…終端抵抗
50…チップアンテナ
60…プリント配線板
101,102…マルチバンドアンテナ装置
111…ローバンド用放射素子の第1端
112…ローバンド用放射素子の第2端
121…ハイバンド用放射素子の第1端
122…ハイバンド用放射素子の第2端
Claims (3)
- 第1端が放射素子分岐回路に接続され第2端が開放されたローバンド用放射素子と、第1端が前記放射素子分岐回路に接続され第2端が開放されたハイバンド用放射素子と、前記ローバンド用放射素子および前記ハイバンド用放射素子とともに共振動作するグランド導体とを備えたマルチバンドアンテナ装置において、
前記放射素子分岐回路は、前記放射素子分岐回路が有する分岐点と前記ローバンド用放射素子との間に設けられるローバンド用装荷リアクタンス素子、および前記分岐点と給電点との間に設けられる分岐元装荷リアクタンス素子を有し、
少なくとも前記ローバンド用装荷リアクタンス素子および前記分岐元装荷リアクタンス素子は、それぞれコイルパターンで構成されたインダクタであって、前記給電点と前記ローバンド用放射素子との間のインダクタンスが増大する方向に、前記ローバンド用装荷リアクタンス素子と前記分岐元装荷リアクタンス素子とはトランス結合している、ことを特徴とするマルチバンドアンテナ装置。 - 給電回路と前記給電点との間に電圧定在波比改善用インピーダンス変換素子が装荷されている、請求項1に記載のマルチバンドアンテナ装置。
- 前記ローバンド用放射素子および前記ハイバンド用放射素子は、第1端が前記グランド導体に近い側、第2端が前記グランド導体より遠い側に配置され、且つ、前記ローバンド用放射素子の第2端と前記ハイバンド用放射素子の第2端とは、容量を介して互いに結合する、請求項1または2に記載のマルチバンドアンテナ装置。
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