JP5573054B2 - Substrate processing method, substrate processing apparatus, and device manufacturing method - Google Patents

Substrate processing method, substrate processing apparatus, and device manufacturing method Download PDF

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

本発明は、基板処理方法、基板処理装置、及びデバイスの製造方法に関する。
The present invention relates to a substrate processing method, substrate processing apparatus, a method of manufacturing a beauty device.

フラットパネルディスプレイなどの電子デバイスを製造する手法として、例えばフォトリソグラフィ法が知られている。フォトリソグラフィ法では、マスクを介した露光光で基板を露光する露光装置や、露光された基板を現像する現像装置、基板に配線層などを形成するためのスパッタ装置、CVD装置などが用いられる。   As a technique for manufacturing an electronic device such as a flat panel display, for example, a photolithography method is known. In the photolithography method, an exposure apparatus that exposes a substrate with exposure light through a mask, a developing apparatus that develops the exposed substrate, a sputtering apparatus that forms a wiring layer on the substrate, a CVD apparatus, and the like are used.

露光装置では、例えば基板は、トレイなどの保持部材に保持させた状態で搬送され、トレイとともに基板ステージに載置される(例えば、特許文献1参照)。また、載置後は基板のアライメント処理が行われる。アライメント処理では、基板に設けられたアライメントマークを検出し、検出結果に基づいて基板ステージを駆動することで基板の位置や姿勢が調整される(例えば、特許文献2参照)。このように、露光装置では、基板に対して複数の処理が行われる。   In the exposure apparatus, for example, the substrate is transported in a state of being held by a holding member such as a tray, and is placed on the substrate stage together with the tray (for example, see Patent Document 1). In addition, after the placement, the substrate alignment processing is performed. In the alignment process, the position and orientation of the substrate are adjusted by detecting the alignment mark provided on the substrate and driving the substrate stage based on the detection result (see, for example, Patent Document 2). Thus, in the exposure apparatus, a plurality of processes are performed on the substrate.

露光装置での各処理は、その処理手順を記録した露光レシピと呼ばれる処理手順情報に従って行われる。露光レシピには、例えば上記各処理についての処理パラメータなどが含まれている。この処理パラメータは、従来、一の露光レシピについて1つずつ予め対応付けられており、露光レシピごとに処理パラメータが設定されるようになっている。   Each processing in the exposure apparatus is performed according to processing procedure information called an exposure recipe that records the processing procedure. The exposure recipe includes, for example, process parameters for the above processes. Conventionally, this processing parameter is associated with each exposure recipe in advance, and the processing parameter is set for each exposure recipe.

特開2001−100169号公報JP 2001-100189 A 特開2006−195353号公報JP 2006-195353 A

ところが、上述した従来の露光装置では、基板の特性やトレイの特性等に応じて露光処理の結果にバラつきが発生する虞がある。露光処理に限られず、例えば基板を基板ステージなどに載置する処理や基板を搬送する処理など、基板に対する他の処理についても同様に処理結果にバラつきが発生しうる。   However, in the above-described conventional exposure apparatus, there is a possibility that the result of the exposure process varies depending on the characteristics of the substrate, the characteristics of the tray, and the like. The processing results are not limited to the exposure process, and the processing results may vary in the same manner for other processes on the substrate, such as a process of placing the substrate on a substrate stage or the like, or a process of transporting the substrate.

本発明の態様は、基板に対する処理の処理精度を向上させることができる基板処理方法、基板処理装置、及びデバイスの製造方法を提供することを目的とする。 Aspect of the present invention has an object to provide a substrate processing method capable of improving the processing accuracy of the processing for the substrate, the substrate processing apparatus, a method of manufacturing beauty device.

本発明の第1の態様に従えば、基板に対して所定処理を行う基板処理方法であって、前記基板の識別に関する情報と前記所定処理の識別に関する情報との少なくとも一方を含む識別情報を取得することと、前記識別情報に基づいて、前記所定処理に用いる処理パラメータを設定することと、を含む基板処理方法が提供される。   According to the first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing method for performing a predetermined process on a substrate, and acquiring identification information including at least one of information regarding identification of the substrate and information regarding identification of the predetermined process And setting a processing parameter to be used for the predetermined processing based on the identification information.

本発明の第2の態様に従えば、基板に対して所定処理を行う処理装置と、前記基板の識別に関する情報と前記所定処理の識別に関する情報との少なくとも一方を含む識別情報に基づいて前記所定処理に用いる処理パラメータを設定する制御装置とを備える基板処理装置が提供される。   According to the second aspect of the present invention, the predetermined processing is performed based on identification information that includes at least one of a processing apparatus that performs predetermined processing on a substrate, information related to identification of the substrate, and information related to identification of the predetermined processing. There is provided a substrate processing apparatus including a control device that sets processing parameters used for processing.

本発明の第3の態様に従えば、基板に対して露光処理を行う露光処理部と、前記基板に設けられた複数のマークを計測する計測処理部と、前記基板の識別に関する情報と前記基板に対して行われる所定処理の識別に関する情報との少なくとも一方を含む識別情報に基づいて前記露光処理に用いる処理パラメータを設定し、前記処理パラメータに基づいて前記複数のマークの計測結果を補正し、補正された前記計測結果に基づいて前記基板を露光するための露光条件を調整させる制御部とを備える露光装置が提供される。   According to the third aspect of the present invention, an exposure processing unit that performs an exposure process on a substrate, a measurement processing unit that measures a plurality of marks provided on the substrate, information on identification of the substrate, and the substrate Setting processing parameters used for the exposure processing based on identification information including at least one of information relating to the identification of the predetermined processing performed on, correcting the measurement results of the plurality of marks based on the processing parameters, An exposure apparatus is provided that includes a control unit that adjusts exposure conditions for exposing the substrate based on the corrected measurement result.

本発明の第4の態様に従えば、本発明の露光装置と、前記所定処理として前記露光装置による前記露光処理の前処理を行い、前記前処理を識別する情報を前記露光装置の前記制御装置に送信する1つ以上の前処理装置とを備える露光システムが提供される。   According to a fourth aspect of the present invention, the exposure apparatus of the present invention and the pre-processing of the exposure process by the exposure apparatus as the predetermined process are performed, and information for identifying the pre-process is transmitted to the control apparatus of the exposure apparatus An exposure system is provided that includes one or more pre-processing devices that transmit to the device.

本発明の第5の態様に従えば、本発明の露光装置と、前記所定処理として前記露光装置による前記露光処理の前処理を行う1つ以上の前処理装置と、前記前処理を識別する情報を前記露光装置の前記制御部に送信する通信装置とを備える露光システムが提供される。   According to the fifth aspect of the present invention, the exposure apparatus of the present invention, one or more preprocessing apparatuses that perform preprocessing of the exposure processing by the exposure apparatus as the predetermined processing, and information that identifies the preprocessing An exposure system is provided that includes a communication device that transmits the information to the control unit of the exposure apparatus.

本発明の第6の態様に従えば、本発明の露光装置を用いて、感光剤が塗布された前記基板の露光を行い、該基板にパターンを転写することと、前記露光によって露光された前記感光剤を現像して、前記パターンに対応する露光パターン層を形成することと、前記露光パターン層を介して前記基板を加工することと、を含むデバイスの製造方法が提供される。   According to the sixth aspect of the present invention, the exposure apparatus of the present invention is used to expose the substrate coated with a photosensitive agent, transfer a pattern to the substrate, and the exposure performed by the exposure. There is provided a device manufacturing method including developing a photosensitive agent to form an exposure pattern layer corresponding to the pattern, and processing the substrate through the exposure pattern layer.

本発明の態様によれば、基板に対する処理の処理精度を向上させることができる。   According to the aspect of the present invention, it is possible to improve the processing accuracy of processing on a substrate.

本発明の実施の形態に係る露光システムの構成例を示す概略構成図。1 is a schematic block diagram that shows a configuration example of an exposure system according to an embodiment of the present invention. 本実施形態に係る露光装置の一部の構成を示す図。FIG. 2 is a view showing a configuration of a part of an exposure apparatus according to the present embodiment. 本実施形態に係る露光装置の一部の構成を示す図。FIG. 2 is a view showing a configuration of a part of an exposure apparatus according to the present embodiment. 本実施形態の投影領域、検出領域及び基板の位置関係の一例を示す模式図。The schematic diagram which shows an example of the positional relationship of the projection area | region of this embodiment, a detection area | region, and a board | substrate. 本実施形態に係る露光装置の動作を示す工程図。FIG. 6 is a process diagram showing the operation of the exposure apparatus according to the present embodiment. 同、工程図。The process drawing. 同、工程図。The process drawing. 同、工程図。The process drawing. 同、工程図。The process drawing. 本実施形態に係る露光システムの動作を示すフローチャート。6 is a flowchart showing the operation of the exposure system according to the present embodiment. マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャート。The flowchart for demonstrating an example of the manufacturing process of a microdevice.

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれと直交する方向(すなわち鉛直方向)をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto. In the following description, an XYZ orthogonal coordinate system is set, and the positional relationship of each part will be described with reference to this XYZ orthogonal coordinate system. A predetermined direction in the horizontal plane is defined as an X-axis direction, a direction orthogonal to the X-axis direction in the horizontal plane is defined as a Y-axis direction, and a direction orthogonal to each of the X-axis direction and the Y-axis direction (that is, a vertical direction) is defined as a Z-axis direction. Further, the rotation (inclination) directions around the X axis, Y axis, and Z axis are the θX, θY, and θZ directions, respectively.

図1は、本実施形態に係る露光システムSYSの一例を示す概略構成図である。
図1に示すように、露光システムSYSは、露光装置EX及び外部装置EAを有している。露光装置EX及び外部装置EAは、例えば工場などの床部に設置されており、露光装置EXと外部装置EAとの間では、基板Pが搬送可能に設けられている。露光システムSYSが露光装置EX及び外部装置EAのうち少なくとも一方を複数有している構成であっても構わない。
FIG. 1 is a schematic block diagram showing an example of an exposure system SYS according to the present embodiment.
As shown in FIG. 1, the exposure system SYS includes an exposure apparatus EX and an external apparatus EA. The exposure apparatus EX and the external apparatus EA are installed, for example, on the floor of a factory or the like, and the substrate P is provided between the exposure apparatus EX and the external apparatus EA so that it can be transported. The exposure system SYS may be configured to include a plurality of at least one of the exposure apparatus EX and the external apparatus EA.

露光装置EXは、マスクMを保持して移動可能なマスクステージ1と、基板Pを保持して移動可能な基板ステージ2と、マスクMを露光光ELで照明する照明システムISと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板Pに投影する投影システムPSと、マスクステージ1及び基板ステージ2の位置を計測可能な干渉計システム3と、基板Pを搬送する搬送システム4と、基板P上のアライメントマークを検出するアライメントシステム5と、少なくとも投影システムPS及び基板ステージ2を収容するチャンバ装置8と、露光装置EX全体の動作を制御する制御装置9と、制御装置9に接続され、露光に関する各種の情報を記憶する記憶装置10とを備えている。   The exposure apparatus EX includes a mask stage 1 that can move while holding a mask M, a substrate stage 2 that can move while holding a substrate P, an illumination system IS that illuminates the mask M with exposure light EL, and exposure light EL. A projection system PS for projecting the image of the pattern of the mask M illuminated by (1) onto the substrate P, an interferometer system 3 capable of measuring the positions of the mask stage 1 and the substrate stage 2, a transport system 4 for transporting the substrate P, An alignment system 5 that detects alignment marks on the substrate P, a chamber device 8 that houses at least the projection system PS and the substrate stage 2, a control device 9 that controls the overall operation of the exposure apparatus EX, and a control device 9 are connected. And a storage device 10 for storing various types of information relating to exposure.

外部装置EAは、例えば露光装置EXにおける処理の前処理を行う装置などを含む。具体的には、基板に感光剤を塗布する塗布処理を行う塗布処理装置、露光処理後の感光剤に対する現像処理を行う現像処理装置、現像処理後の基板に対する成膜処理を行う成膜処理装置などを含む。成膜処理装置は、例えば蒸着装置、スパッタ装置、CVD装置などを含む。外部装置EAは制御装置80を有しており、制御装置80には通信装置91が含まれている。外部装置EAは、通信装置91を介して、露光装置EXの制御装置9に含まれる通信装置90との間で情報の通信が可能になっている。   The external device EA includes, for example, a device that performs preprocessing of processing in the exposure apparatus EX. Specifically, a coating processing apparatus that performs a coating process for coating a photosensitive agent on a substrate, a development processing apparatus that performs a developing process on the photosensitive agent after the exposure process, and a film processing apparatus that performs a film forming process on the substrate after the development process Etc. The film forming apparatus includes, for example, a vapor deposition apparatus, a sputtering apparatus, a CVD apparatus, and the like. The external device EA has a control device 80, and the control device 80 includes a communication device 91. The external device EA can communicate information with the communication device 90 included in the control device 9 of the exposure apparatus EX via the communication device 91.

マスクMは、基板Pに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。基板Pは、例えばガラスプレート等の基材と、その基材上に形成された感光膜(塗布された感光剤)とを含む。本実施形態において、基板Pは、マザーガラスと呼ばれる大型のガラスプレートを含み、その基板Pの一辺のサイズは、例えば500mm以上である。本実施形態においては、基板Pの基材として、一辺が約3000mmの矩形のガラスプレートを用いる。本実施形態において、基板Pには、例えば基板識別用マークPmが形成されている。基板識別用マークPmは、例えば上記の外部装置EAにおいて形成することができる。   The mask M includes a reticle on which a device pattern projected onto the substrate P is formed. The substrate P includes, for example, a base material such as a glass plate and a photosensitive film (coated photosensitizer) formed on the base material. In the present embodiment, the substrate P includes a large glass plate called mother glass, and the size of one side of the substrate P is, for example, 500 mm or more. In the present embodiment, a rectangular glass plate having a side of about 3000 mm is used as the base material of the substrate P. In the present embodiment, for example, a substrate identification mark Pm is formed on the substrate P. The substrate identification mark Pm can be formed, for example, in the external device EA.

チャンバ装置8は、実質的に閉ざされた内部空間8Hを形成するチャンバ部材8Aと、内部空間8Hの環境(温度、湿度、クリーン度、及び圧力等)を制御する空調装置8Bとを有する。基板ステージ2は、内部空間8Hを移動する。本実施形態においては、内部空間8Hに、照明システムISの少なくとも一部、マスクステージ1、投影システムPS、基板ステージ2及び搬送システム4が配置される。   The chamber device 8 includes a chamber member 8A that forms a substantially closed internal space 8H, and an air conditioner 8B that controls the environment (temperature, humidity, cleanliness, pressure, etc.) of the internal space 8H. The substrate stage 2 moves in the internal space 8H. In the present embodiment, at least a part of the illumination system IS, the mask stage 1, the projection system PS, the substrate stage 2, and the transfer system 4 are arranged in the internal space 8H.

本実施形態において、露光装置EXは、基板交換位置CPの+X側に配置された中継部(ポート部)15を有する。中継部15は、トレイTrを支持可能な支持機構16を有する。トレイTrは、フレーム部材とそのフレーム部材の内側に格子状に配置された複数のロッド部材とを含むフレーム構造を有する。本実施形態では、トレイTrは例えば基板Pごとに複数用いられる。各トレイTrには、当該トレイTrを識別するためのトレイ識別用マークTmが形成されている。中継部15には、トレイTrに形成されるトレイ識別用マークTmを検出するためのトレイ識別センサ17が設けられている。また、中継部15には、支持機構16の+Z側に基板識別センサ18が設けられている。基板識別センサ18は、基板Pに形成された基板識別用マークPmを検出する。トレイ識別センサ17の検出結果及び基板識別センサ18の検出結果は、例えば制御装置9に送信されるようになっている。なお、トレイ識別センサ17と基板識別センサ18とを別々に設けるのではなく、トレイ識別用マークTmと基板識別用マークPmとを一種類のセンサで検出させる構成としても構わない。   In the present embodiment, the exposure apparatus EX includes a relay unit (port unit) 15 disposed on the + X side of the substrate exchange position CP. The relay unit 15 includes a support mechanism 16 that can support the tray Tr. The tray Tr has a frame structure including a frame member and a plurality of rod members arranged in a lattice shape inside the frame member. In the present embodiment, a plurality of trays Tr are used for each substrate P, for example. Each tray Tr is formed with a tray identification mark Tm for identifying the tray Tr. The relay unit 15 is provided with a tray identification sensor 17 for detecting a tray identification mark Tm formed on the tray Tr. The relay unit 15 is provided with a substrate identification sensor 18 on the + Z side of the support mechanism 16. The substrate identification sensor 18 detects a substrate identification mark Pm formed on the substrate P. The detection result of the tray identification sensor 17 and the detection result of the substrate identification sensor 18 are transmitted to the control device 9, for example. Note that the tray identification sensor 17 and the board identification sensor 18 are not provided separately, and the tray identification mark Tm and the board identification mark Pm may be detected by one type of sensor.

本実施形態において、支持機構16は、複数のロッド部材(ピン部材)を有し、そのロッド部材の上端でトレイTrを支持する。搬送システム4は、中継部15と基板ステージ2との間で、基板Pを支持したトレイTrを搬送可能である。トレイTrは、基板Pを支持した状態で、中継部15と基板ステージ2との間を移動可能である。例えば、チャンバ装置8に接続される第2チャンバ装置が設けられている場合、その第2チャンバ装置によって形成される内部空間に、中継部15が配置されてもよい。   In the present embodiment, the support mechanism 16 has a plurality of rod members (pin members), and supports the tray Tr at the upper end of the rod members. The transport system 4 can transport the tray Tr supporting the substrate P between the relay unit 15 and the substrate stage 2. The tray Tr is movable between the relay unit 15 and the substrate stage 2 while supporting the substrate P. For example, when the 2nd chamber apparatus connected to the chamber apparatus 8 is provided, the relay part 15 may be arrange | positioned in the internal space formed by the 2nd chamber apparatus.

照明システムISは、所定の照明領域IRに露光光ELを照射する。照明領域IRは、照明システムISから射出される露光光ELの照射領域である。照明システムISは、照明領域IRに配置されたマスクMの少なくとも一部を、均一な照度分布の露光光ELで照明する。   The illumination system IS irradiates the predetermined illumination area IR with the exposure light EL. The illumination area IR is an irradiation area of the exposure light EL emitted from the illumination system IS. The illumination system IS illuminates at least a part of the mask M arranged in the illumination area IR with the exposure light EL having a uniform illuminance distribution.

マスクステージ1は、マスクMの下面の少なくとも一部を保持する保持部11を有し、マスクMを保持した状態で、第1定盤12のガイド面12G上を移動可能である。マスクステージ1は、マスクMの下面(パターン形成面)とXY平面とがほぼ平行となるように、マスクMを保持する。マスクステージ1は、例えばリニアモータ等を含む駆動機構(不図示)の作動により、照明領域IRにマスクMを保持して移動可能である。本実施形態において、マスクステージは、X軸、Y軸、及びθZ方向の3つの方向に移動可能である。   The mask stage 1 has a holding portion 11 that holds at least a part of the lower surface of the mask M, and can move on the guide surface 12G of the first surface plate 12 while holding the mask M. The mask stage 1 holds the mask M so that the lower surface (pattern formation surface) of the mask M and the XY plane are substantially parallel. The mask stage 1 is movable while holding the mask M in the illumination region IR by the operation of a drive mechanism (not shown) including, for example, a linear motor. In the present embodiment, the mask stage is movable in three directions, the X axis, the Y axis, and the θZ direction.

投影システムPSは、所定の投影領域PRに露光光ELを照射する。投影領域PRは、投影システムPSから射出される露光光ELの照射領域である。投影システムPSは、投影領域PRに配置された基板Pの少なくとも一部に、マスクMのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。投影システムPSは、投影領域PRに配置された基板Pの少なくとも一部に、マスクMのパターンの像を投影する。   The projection system PS irradiates a predetermined projection region PR with the exposure light EL. The projection area PR is an irradiation area of the exposure light EL emitted from the projection system PS. The projection system PS projects an image of the pattern of the mask M at a predetermined projection magnification onto at least a part of the substrate P arranged in the projection region PR. The projection system PS projects an image of the pattern of the mask M onto at least a part of the substrate P arranged in the projection region PR.

基板ステージ2は、基板Pの裏面の少なくとも一部を保持する保持部13を有し、基板Pを保持した状態で、第2定盤14のガイド面14G上を移動可能である。基板ステージ2は、基板Pの表面(露光面)とXY平面とがほぼ平行となるように、基板Pを保持する。基板ステージ2は、例えばリニアモータ等を含む駆動機構20の作動により、投影領域PRに基板Pを保持して移動可能である。本実施形態において、基板ステージ2は、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。基板ステージ2は、当該基板ステージ2上の気体を排気する排気機構21を有している。排気機構21は、基板ステージ2上に基板Pを載置する際、基板ステージ2と基板Pとの間の空間の気体を排気する。排気機構21は、開口部21a及び吸引機構21b(図3参照)を有している。吸引機構21bの吸引動作は、例えば制御装置9において制御可能になっている。   The substrate stage 2 has a holding portion 13 that holds at least a part of the back surface of the substrate P, and can move on the guide surface 14G of the second surface plate 14 while holding the substrate P. The substrate stage 2 holds the substrate P so that the surface (exposure surface) of the substrate P and the XY plane are substantially parallel. The substrate stage 2 can move while holding the substrate P in the projection region PR by the operation of the drive mechanism 20 including, for example, a linear motor. In the present embodiment, the substrate stage 2 is movable in six directions including an X axis, a Y axis, a Z axis, a θX, a θY, and a θZ direction. The substrate stage 2 has an exhaust mechanism 21 that exhausts the gas on the substrate stage 2. When the substrate P is placed on the substrate stage 2, the exhaust mechanism 21 exhausts the gas in the space between the substrate stage 2 and the substrate P. The exhaust mechanism 21 has an opening 21a and a suction mechanism 21b (see FIG. 3). The suction operation of the suction mechanism 21b can be controlled by the control device 9, for example.

干渉計システム3は、XY平面内におけるマスクステージ1(マスクM)の位置を光学的に計測可能な第1干渉計ユニット3Aと、XY平面内における基板ステージ2(基板P)の位置を光学的に計測可能な第2干渉計ユニット3Bとを有する。基板Pの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置9は、干渉計システム3の計測結果に基づいて、第1,第2駆動システムを作動して、マスクステージ1(マスクM)及び基板ステージ2(基板P)の位置制御を実行する。   The interferometer system 3 optically measures the position of the first interferometer unit 3A capable of optically measuring the position of the mask stage 1 (mask M) in the XY plane and the position of the substrate stage 2 (substrate P) in the XY plane. And a second interferometer unit 3B capable of measuring. When executing the exposure process of the substrate P or when executing the predetermined measurement process, the control device 9 operates the first and second drive systems based on the measurement result of the interferometer system 3 to thereby perform the mask stage. 1 (mask M) and position control of the substrate stage 2 (substrate P) are executed.

本実施形態の露光装置EXは、マスクMと基板Pとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクMのパターンの像を基板Pに投影する走査型露光装置(所謂スキャニングステッパ)である。基板Pの露光時、制御装置9は、マスクステージ1及び基板ステージ2を制御して、マスクM及び基板Pを、投影システムPSの光軸(露光光ELの光路)と交差するXY平面内の所定の走査方向に移動する。本実施形態においては、基板Pの走査方向(同期移動方向)をX軸方向とし、マスクMの走査方向(同期移動方向)もX軸方向とする。基板Pの露光時、マスクステージ1は、マスクMを保持した状態で、投影システムPSの物体面側でX軸方向に移動し、基板ステージ2は、基板Pを保持した状態で、投影システムPSの像面側でX軸方向に移動する。制御装置9は、投影システムPSの像面側で投影システムPSの投影領域PRに対して基板PをX軸方向に移動するとともに、その基板PのX軸方向への移動と同期して、投影システムPSの物体面側で照明システムISの照明領域IRに対してマスクMをX軸方向に移動しつつ、マスクM及び投影システムPSを介して基板Pに露光光ELを照射する。これにより、マスクMのパターンの像が基板Pに投影され、基板PはマスクM及び投影システムPSからの露光光ELで露光される。   The exposure apparatus EX of the present embodiment is a scanning exposure apparatus (so-called scanning stepper) that projects an image of the pattern of the mask M onto the substrate P while synchronously moving the mask M and the substrate P in a predetermined scanning direction. When the substrate P is exposed, the control device 9 controls the mask stage 1 and the substrate stage 2 so that the mask M and the substrate P are in the XY plane intersecting the optical axis of the projection system PS (the optical path of the exposure light EL). Move in a predetermined scanning direction. In the present embodiment, the scanning direction (synchronous movement direction) of the substrate P is the X-axis direction, and the scanning direction (synchronous movement direction) of the mask M is also the X-axis direction. During exposure of the substrate P, the mask stage 1 moves in the X-axis direction on the object plane side of the projection system PS while holding the mask M, and the substrate stage 2 holds the substrate P while holding the substrate P. Move in the X-axis direction on the image plane side. The control device 9 moves the substrate P in the X-axis direction relative to the projection region PR of the projection system PS on the image plane side of the projection system PS, and projects in synchronization with the movement of the substrate P in the X-axis direction. While moving the mask M in the X-axis direction relative to the illumination area IR of the illumination system IS on the object plane side of the system PS, the exposure light EL is irradiated onto the substrate P through the mask M and the projection system PS. Thereby, the pattern image of the mask M is projected onto the substrate P, and the substrate P is exposed with the exposure light EL from the mask M and the projection system PS.

搬送システム4は、基板ステージ2に基板Pを搬入(ロード)する処理、及び、基板ステージ2から基板Pを搬出(アンロード)する処理を行う。基板ステージ2に基板Pを搬入する処理は、中継部15から基板ステージ2へ基板Pを搬送する搬送処理と、基板ステージ2へ基板Pを載置する載置処理とを含む。また、基板ステージ2から基板Pを搬出する処理は、基板ステージ2に載置された基板Pをピックアップするピックアップ処理と、ピックアップした基板Pを中継部15へと搬送する搬送処理とを含む。   The transport system 4 performs a process of loading (loading) the substrate P onto the substrate stage 2 and a process of unloading the substrate P from the substrate stage 2. The process of loading the substrate P into the substrate stage 2 includes a transfer process of transferring the substrate P from the relay unit 15 to the substrate stage 2 and a mounting process of mounting the substrate P on the substrate stage 2. The process of unloading the substrate P from the substrate stage 2 includes a pickup process for picking up the substrate P placed on the substrate stage 2 and a transfer process for transferring the picked-up substrate P to the relay unit 15.

本実施形態において、搬送システム4は、基板ステージ2に基板Pを搬入する第1搬送部材41と、基板ステージ2から基板Pを搬出する第2搬送部材42とを備えている。本実施形態において、第1搬送部材41は、第2搬送部材42の上方(+Z方向)に配置される。第1搬送部材41は、駆動機構43を有している。駆動機構43は、第1搬送部材41を例えばX方向及びZ方向に駆動する。第2搬送部材42は、駆動機構44を有している。駆動機構44は、第2搬送部材42をX方向及びZ方向に駆動する。   In the present embodiment, the transport system 4 includes a first transport member 41 that carries the substrate P into the substrate stage 2 and a second transport member 42 that carries the substrate P out of the substrate stage 2. In the present embodiment, the first transport member 41 is disposed above (the + Z direction) the second transport member 42. The first transport member 41 has a drive mechanism 43. The drive mechanism 43 drives the first transport member 41 in, for example, the X direction and the Z direction. The second transport member 42 has a drive mechanism 44. The drive mechanism 44 drives the second transport member 42 in the X direction and the Z direction.

搬送システム4は、第1搬送部材41を用いて、露光前の基板Pを中継部15から基板ステージ2に搬送すると共に、当該基板Pを基板ステージ2に載置する。また、搬送システム4は、第2搬送部材42を用いて、露光後の基板Pを基板ステージ2から中継部15へ搬送する。以下の説明において、基板ステージ2に基板Pを搬入する処理、及び、基板ステージ2から基板Pを搬出する処理の少なくとも一方を含む処理を適宜、基板交換処理、と表記する。   The transport system 4 uses the first transport member 41 to transport the unexposed substrate P from the relay unit 15 to the substrate stage 2 and to place the substrate P on the substrate stage 2. Further, the transport system 4 transports the exposed substrate P from the substrate stage 2 to the relay unit 15 using the second transport member 42. In the following description, a process including at least one of a process for loading the substrate P into the substrate stage 2 and a process for unloading the substrate P from the substrate stage 2 will be appropriately referred to as a substrate replacement process.

基板ステージ2は、投影システムPSから射出される露光光ELが照射可能な位置EPと、基板交換処理が実行される位置CPとの間を移動可能である。位置EPは、露光光ELが射出される投影システムPSの射出面と対向する位置を含む。位置CPは、位置EPと異なる位置であって、本実施形態においては、位置EPの+X側に配置される。以下の説明において、位置EPを適宜、露光位置EP、と称し、位置CPを適宜、基板交換位置CP、と表記する。   The substrate stage 2 is movable between a position EP where the exposure light EL emitted from the projection system PS can be irradiated and a position CP where the substrate replacement process is executed. The position EP includes a position facing the exit surface of the projection system PS from which the exposure light EL is emitted. The position CP is a position different from the position EP, and in the present embodiment, the position CP is arranged on the + X side of the position EP. In the following description, the position EP is appropriately referred to as an exposure position EP, and the position CP is appropriately referred to as a substrate replacement position CP.

基板交換処理を実行するとき、制御装置9は、基板交換位置CPに基板ステージ2を移動させる。制御装置9は、第1搬送部材41に、基板交換位置CPに配置された基板ステージ2へ露光前の基板Pを搬送させる。また、制御装置9は、第2搬送部材42に、基板交換位置CPに配置された基板ステージ2から露光後の基板Pを搬送させる。   When executing the substrate exchange process, the control device 9 moves the substrate stage 2 to the substrate exchange position CP. The control device 9 causes the first transport member 41 to transport the unexposed substrate P to the substrate stage 2 disposed at the substrate replacement position CP. Further, the control device 9 causes the second transport member 42 to transport the exposed substrate P from the substrate stage 2 disposed at the substrate replacement position CP.

基板交換処理を実行するとき、制御装置9は、基板交換位置CPに基板ステージ2を移動する。制御装置9は、基板交換位置CPに配置された基板ステージ2に、第1搬送部材41を用いて露光前の基板Pを搬入する。また、制御装置9は、基板交換位置CPに配置された基板ステージ2から、第2搬送部材42を用いて露光後の基板Pを搬出する。   When executing the substrate exchange process, the control device 9 moves the substrate stage 2 to the substrate exchange position CP. The control device 9 carries in the substrate P before exposure using the first transport member 41 to the substrate stage 2 disposed at the substrate exchange position CP. Further, the control device 9 carries out the exposed substrate P from the substrate stage 2 disposed at the substrate exchange position CP using the second transport member 42.

本実施形態において、基板Pは、トレイTrに支持された状態で、基板ステージ2に搬入されるとともに、基板ステージ2から搬出される。本実施形態において、第1搬送部材41は、基板Pを支持したトレイTrを基板ステージ2に搬入可能である。第2搬送部材42は、基板Pを支持したトレイTrを基板ステージ2から搬出可能である。基板Pを支持したトレイTrが基板ステージ2に搬入されることによって、基板Pが基板ステージ2に搬入される。基板Pを支持したトレイTrが基板ステージ2から搬出されることによって、基板Pが基板ステージ2から搬出される。   In the present embodiment, the substrate P is loaded into the substrate stage 2 and unloaded from the substrate stage 2 while being supported by the tray Tr. In the present embodiment, the first transport member 41 can carry the tray Tr supporting the substrate P into the substrate stage 2. The second transport member 42 can carry out the tray Tr supporting the substrate P from the substrate stage 2. When the tray Tr supporting the substrate P is carried into the substrate stage 2, the substrate P is carried into the substrate stage 2. When the tray Tr supporting the substrate P is unloaded from the substrate stage 2, the substrate P is unloaded from the substrate stage 2.

基板ステージ2(保持部13)は、トレイTrのフレーム部材及びロッド部材を配置可能な溝を有する。基板Pを支持可能なフレーム構造のトレイ、トレイの少なくとも一部を配置可能な溝を有する基板ステージ(保持部)、及び基板Pを支持した状態でトレイを搬送可能な搬送システム(搬送部材)に関する技術の一例は、例えば特開2001−100169号公報、特開2001−176947号公報、特開2003−258078号公報、及び特開2004−273702号公報等に開示されている。それら技術が、本実施形態に係るトレイTr、基板ステージ2、及び搬送システム4に適用されている。   The substrate stage 2 (holding unit 13) has a groove in which the frame member and the rod member of the tray Tr can be placed. The present invention relates to a tray having a frame structure capable of supporting a substrate P, a substrate stage (holding unit) having a groove in which at least a part of the tray can be disposed, and a conveyance system (conveying member) capable of conveying the tray while supporting the substrate P. Examples of the technology are disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2001-100169, 2001-176947, 2003-258078, and 2004-273702. These techniques are applied to the tray Tr, the substrate stage 2, and the transfer system 4 according to this embodiment.

第1搬送部材41によって、基板Pを支持したトレイTrが基板ステージ2に搬入されると、トレイTrが基板ステージ2の溝に配置され、トレイTrの上面が保持部13の上面(保持面)より下方に配置されるとともに、基板Pの裏面が保持部13に保持される。また、第2搬送部材42によって、トレイTrが基板ステージ2から搬出されると、基板Pの裏面がトレイTrに支持され、基板PとトレイTrとが基板ステージ2から一緒に搬出される。   When the tray Tr supporting the substrate P is carried into the substrate stage 2 by the first transport member 41, the tray Tr is disposed in the groove of the substrate stage 2, and the upper surface of the tray Tr is the upper surface (holding surface) of the holding unit 13. While being arranged further downward, the back surface of the substrate P is held by the holding portion 13. When the tray Tr is unloaded from the substrate stage 2 by the second transport member 42, the back surface of the substrate P is supported by the tray Tr, and the substrate P and the tray Tr are unloaded from the substrate stage 2 together.

図2は、本実施形態に係る照明システムIS、マスクステージ1、投影システムPS、及び基板ステージ2の近傍を示す斜視図である。
図2に示すように、投影システムPSは、投影光学系PLを複数有する。投影光学系PLは、基板Pの表面とほぼ平行なXY平面内において複数配置されている。照明システムISは、複数の投影光学系PLに対応するように、照明モジュールILを複数有する。
FIG. 2 is a perspective view showing the vicinity of the illumination system IS, the mask stage 1, the projection system PS, and the substrate stage 2 according to the present embodiment.
As shown in FIG. 2, the projection system PS has a plurality of projection optical systems PL. A plurality of projection optical systems PL are arranged in an XY plane substantially parallel to the surface of the substrate P. The illumination system IS has a plurality of illumination modules IL so as to correspond to the plurality of projection optical systems PL.

また、上述したように、本実施形態の露光装置EXは、マスクMと基板Pとを所定の走査方向(X軸方向)に同期移動しながら、マスクMのパターンの像を基板Pに投影する。すなわち、本実施形態の露光装置EXは、所謂、マルチレンズ型スキャン露光装置である。   Further, as described above, the exposure apparatus EX of the present embodiment projects an image of the pattern of the mask M onto the substrate P while moving the mask M and the substrate P synchronously in a predetermined scanning direction (X-axis direction). . That is, the exposure apparatus EX of the present embodiment is a so-called multi-lens scan exposure apparatus.

投影システムPSは、投影光学系PLを7つ有する。照明システムISは、照明モジュールILを7つ有する。なお、投影光学系PL及び照明モジュールILの数は7つに限定されず、例えば投影システムPSが、投影光学系PLを11個有し、照明システムISが、照明モジュールILを11個有してもよい。   The projection system PS has seven projection optical systems PL. The illumination system IS has seven illumination modules IL. The number of projection optical systems PL and illumination modules IL is not limited to seven. For example, the projection system PS has eleven projection optical systems PL, and the illumination system IS has eleven illumination modules IL. Also good.

照明システムISは、異なる7つの照明領域IRのそれぞれを露光光ELで照明する。照明システムISは、マスクMのうち照明領域IRに配置された部分を、均一な照度分布の露光光ELで照明する。本実施形態においては、照明システムISから射出される露光光ELとして、水銀ランプLSから射出される輝線(g線、h線、i線)を用いる。   The illumination system IS illuminates each of the seven different illumination areas IR with the exposure light EL. The illumination system IS illuminates a portion of the mask M arranged in the illumination area IR with the exposure light EL having a uniform illuminance distribution. In the present embodiment, bright lines (g line, h line, i line) emitted from the mercury lamp LS are used as the exposure light EL emitted from the illumination system IS.

投影システムPSは、異なる7つの投影領域PRのそれぞれにマスクMのパターンの像を投影する。投影システムPSは、基板Pのうち投影領域PRに配置された部分に、マスクMのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。   The projection system PS projects an image of the pattern of the mask M on each of the seven different projection areas PR. The projection system PS projects an image of the pattern of the mask M at a predetermined projection magnification onto a portion of the substrate P arranged in the projection region PR.

図3は、本実施形態に係る投影システムPS、及び投影領域PRに配置された基板ステージ2の一例を示す図である。
投影システムPSは、投影システムPSの結像特性(光学特性)を調整する結像特性調整装置30を備えている。結像特性調整装置30は、複数の投影光学系PLのそれぞれに設けられている。
FIG. 3 is a diagram showing an example of the projection system PS according to the present embodiment and the substrate stage 2 arranged in the projection region PR.
The projection system PS includes an imaging characteristic adjusting device 30 that adjusts the imaging characteristics (optical characteristics) of the projection system PS. The imaging characteristic adjusting device 30 is provided in each of the plurality of projection optical systems PL.

以下、図3を参照して、複数の投影光学系PLのうち、1つの投影光学系PL及びその投影光学系PLに設けられている結像特性調整装置30について説明する。その1つの投影光学系PLの構成と、他の投影光学系PLの構成とは、同じであるため、他の投影光学系PLについての説明は省略する。   Hereinafter, with reference to FIG. 3, one projection optical system PL among the plurality of projection optical systems PL and the imaging characteristic adjusting device 30 provided in the projection optical system PL will be described. Since the configuration of the one projection optical system PL and the configuration of the other projection optical system PL are the same, the description of the other projection optical system PL is omitted.

投影光学系PLは、照明モジュールILにより露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板P上に正立等倍で形成する。結像特性調整装置30は、像面調整部33と、シフト調整部34と、二組の反射屈折型光学系31,32と、視野絞り35と、ローテーション調整部36と、スケーリング調整部37とを備えている。   The projection optical system PL forms an image of the pattern of the mask M illuminated with the exposure light EL by the illumination module IL on the substrate P at an equal magnification. The imaging characteristic adjusting device 30 includes an image plane adjusting unit 33, a shift adjusting unit 34, two sets of catadioptric optical systems 31 and 32, a field stop 35, a rotation adjusting unit 36, and a scaling adjusting unit 37. It has.

照明領域IRに照射され、マスクMを透過した露光光ELは、像面調整部33に入射する。像面調整部33は、投影光学系PLの像面の位置をZ軸、θX、及びθY方向に調整可能である。像面調整部33は、くさび形状の2つの光学部材を有し、それら光学部材の少なくとも一方を移動させることによって、Z軸、θX、及びθY方向に関する投影光学系PLの像面の位置を調整することができる。   The exposure light EL irradiated to the illumination area IR and transmitted through the mask M enters the image plane adjustment unit 33. The image plane adjustment unit 33 can adjust the position of the image plane of the projection optical system PL in the Z-axis, θX, and θY directions. The image plane adjustment unit 33 has two wedge-shaped optical members, and adjusts the position of the image plane of the projection optical system PL in the Z axis, θX, and θY directions by moving at least one of the optical members. can do.

像面調整部33を通過した露光光ELは、シフト調整部34に入射する。シフト調整部34は、投影光学系PLの投影像(マスクMのパターンの像)の位置をX軸、及びY軸方向に調整可能である。シフト調整部34は、平行平板からなる2つの光学部材を有し、それら光学部材の少なくとも一方を移動させることによって、X軸、及びY軸方向に関する投影光学系PLの投影像の位置を調整することができる。   The exposure light EL that has passed through the image plane adjustment unit 33 enters the shift adjustment unit 34. The shift adjustment unit 34 can adjust the position of the projection image (the pattern image of the mask M) of the projection optical system PL in the X-axis and Y-axis directions. The shift adjustment unit 34 has two optical members made of parallel plates, and adjusts the position of the projection image of the projection optical system PL in the X-axis and Y-axis directions by moving at least one of the optical members. be able to.

シフト調整部34を透過した露光光ELは、1組目の反射屈折型光学系31に入射する。反射屈折型光学系31は、直角プリズム、レンズ、及び凹面鏡を有する。反射屈折型光学系31は、マスクMのパターンの中間像を形成する。反射屈折型光学系31から射出された露光光ELは、視野絞り35に供給される。視野絞り35は、反射屈折型光学系31により形成されるパターンの中間像の位置に配置されている。視野絞り35は、投影領域PR及び照明領域IRを規定する。本実施形態において、視野絞り35は、基板P上における投影領域PR及びマスクM上における照明領域IRを台形状に規定する。視野絞り35を通過した露光光ELは、2組目の反射屈折型光学系32に入射する。反射屈折型光学系32は、反射屈折型光学系31と同様に構成されている。   The exposure light EL transmitted through the shift adjustment unit 34 enters the first set of catadioptric optical system 31. The catadioptric optical system 31 includes a right-angle prism, a lens, and a concave mirror. The catadioptric optical system 31 forms an intermediate image of the pattern of the mask M. The exposure light EL emitted from the catadioptric optical system 31 is supplied to the field stop 35. The field stop 35 is disposed at the position of the intermediate image of the pattern formed by the catadioptric optical system 31. The field stop 35 defines the projection region PR and the illumination region IR. In the present embodiment, the field stop 35 defines the projection region PR on the substrate P and the illumination region IR on the mask M in a trapezoidal shape. The exposure light EL that has passed through the field stop 35 enters the second set of catadioptric optical system 32. The catadioptric optical system 32 is configured in the same manner as the catadioptric optical system 31.

ローテーション調整部36は、投影光学系PLの投影像(マスクMのパターンの像)の位置をθZ方向に調整可能である。ローテーション調整部36は、反射屈折型光学系31,32それぞれの直角プリズムを含み、それら直角プリズムの少なくとも一方を移動させることによって、θZ方向に関する投影光学系PLの投影像の位置を調整することができる。   The rotation adjusting unit 36 can adjust the position of the projection image (the pattern image of the mask M) of the projection optical system PL in the θZ direction. The rotation adjustment unit 36 includes right-angle prisms of the catadioptric optical systems 31 and 32, and adjusts the position of the projection image of the projection optical system PL in the θZ direction by moving at least one of the right-angle prisms. it can.

反射屈折型光学系32から射出された露光光ELは、スケーリング調整部37に入射する。スケーリング調整部37は、マスクMのパターンの像の倍率(スケーリング)を調整可能である。スケーリング調整部37は、例えば、凹レンズ、凸レンズ、及び凹レンズを有し、2つの凹レンズの間に位置する凸レンズをZ軸方向に移動させることによって、マスクMのパターンの像の倍率(スケーリング)を調整することができる。   The exposure light EL emitted from the catadioptric optical system 32 enters the scaling adjustment unit 37. The scaling adjustment unit 37 can adjust the magnification (scaling) of the pattern image of the mask M. The scaling adjustment unit 37 has, for example, a concave lens, a convex lens, and a concave lens, and adjusts the magnification (scaling) of the pattern image of the mask M by moving the convex lens located between the two concave lenses in the Z-axis direction. can do.

アライメントシステム5は、基板Pに設けられているアライメントマークを検出する。
アライメントシステム5は、所謂、オフアクシス方式のアライメントシステムであり、図3に示すように、基板ステージ2に保持された基板Pの表面と対向配置される複数の顕微鏡5A〜5Fを有する。顕微鏡5A〜5Fのそれぞれは、検出領域AL1〜AL6に検出光を照射する投射部と、検出領域AL1〜AL6に配置されたアライメントマークの光学像を取得可能な受光部とを有する。
The alignment system 5 detects an alignment mark provided on the substrate P.
The alignment system 5 is a so-called off-axis alignment system, and includes a plurality of microscopes 5A to 5F arranged to face the surface of the substrate P held on the substrate stage 2, as shown in FIG. Each of the microscopes 5A to 5F includes a projection unit that irradiates detection light to the detection regions AL1 to AL6, and a light receiving unit that can acquire an optical image of the alignment marks arranged in the detection regions AL1 to AL6.

図4は、投影領域PR1〜PR7と、検出領域AL1〜AL6と、基板Pとの位置関係の一例を示す模式図であり、基板Pの表面を含む平面内の位置関係を示している。図4に示すように、本実施形態において、投影領域PR1〜PR7のそれぞれは、XY平面内において台形である。投影光学系PL1、PL3、PL5、PL7による投影領域PR1、PR3、PR5、PR7は、Y軸方向にほぼ等間隔で配置され、投影光学系PL2、PL4、PL6による投影領域PR2、PR4、PR6は、Y軸方向にほぼ等間隔で配置されている。投影領域PR1、PR3、PR5、PR7は、投影領域PR2、PR4、PR6に対して−X側に配置されている。また、Y軸方向に関して、投影領域PR1、PR3、PR5、PR7の間に、投影領域PR2、PR4、PR6が配置される。   FIG. 4 is a schematic diagram illustrating an example of a positional relationship between the projection regions PR1 to PR7, the detection regions AL1 to AL6, and the substrate P, and illustrates a positional relationship within a plane including the surface of the substrate P. As shown in FIG. 4, in the present embodiment, each of the projection regions PR1 to PR7 is trapezoidal in the XY plane. Projection regions PR1, PR3, PR5, and PR7 by the projection optical systems PL1, PL3, PL5, and PL7 are arranged at substantially equal intervals in the Y-axis direction, and projection regions PR2, PR4, and PR6 by the projection optical systems PL2, PL4, and PL6 are Are arranged at substantially equal intervals in the Y-axis direction. The projection areas PR1, PR3, PR5, and PR7 are arranged on the −X side with respect to the projection areas PR2, PR4, and PR6. Further, the projection areas PR2, PR4, and PR6 are arranged between the projection areas PR1, PR3, PR5, and PR7 with respect to the Y-axis direction.

本実施形態おいて、基板Pの表面は、マスクMのパターンの像が投影される複数の露光領域(被処理領域)PA1〜PA6を有する。本実施形態において、基板Pの表面は、6つの露光領域PA1〜PA6を有する。露光領域PA1、PA2、PA3が、Y軸方向にほぼ等間隔で離れて配置され、露光領域PA4、PA5、PA6が、Y軸方向にほぼ等間隔で離れて配置されている。露光領域PA1、PA2、PA3は、露光領域PA4、PA5、PA6に対して+X側に配置されている。   In the present embodiment, the surface of the substrate P has a plurality of exposure areas (processed areas) PA1 to PA6 on which an image of the pattern of the mask M is projected. In the present embodiment, the surface of the substrate P has six exposure areas PA1 to PA6. The exposure areas PA1, PA2, and PA3 are arranged at approximately equal intervals in the Y axis direction, and the exposure areas PA4, PA5, and PA6 are arranged at approximately equal intervals in the Y axis direction. The exposure areas PA1, PA2, and PA3 are arranged on the + X side with respect to the exposure areas PA4, PA5, and PA6.

アライメントシステム5は、基板Pに設けられている複数のアライメントマークm1〜m6を検出する。本実施形態において、基板P上にはY軸方向に離れて6つのアライメントマークm1〜m6が配置され、それらアライメントマークm1〜m6のグループが、X軸方向に離れた2箇所に配置されている。アライメントマークm1,m2は、露光領域PA1,PA4の一端側に隣接して設けられ、アライメントマークm3,m4は、露光領域PA2,PA5の一端側に隣接して設けられ、アライメントマークm5,m6は、露光領域PA3,PA6の一端側に隣接して設けられている。   The alignment system 5 detects a plurality of alignment marks m1 to m6 provided on the substrate P. In the present embodiment, six alignment marks m1 to m6 are arranged on the substrate P so as to be separated in the Y axis direction, and groups of these alignment marks m1 to m6 are arranged at two places separated in the X axis direction. . Alignment marks m1 and m2 are provided adjacent to one end side of exposure areas PA1 and PA4, alignment marks m3 and m4 are provided adjacent to one end side of exposure areas PA2 and PA5, and alignment marks m5 and m6 are The exposure areas PA3 and PA6 are provided adjacent to one end side.

本実施形態においては、基板P上においてY軸方向に離れて配置された6つのアライメントマークm1〜m6に対応して、顕微鏡5A〜5F(検出領域AL1〜AL6)が配置されている。顕微鏡5A〜5Fは、アライメントマークm1〜m6が検出領域AL1〜AL6に同時に配置されるように設けられている。アライメントシステム5は、顕微鏡5A〜5Fを用いて、6つのアライメントマークm1〜m6を同時に検出可能となっている。   In the present embodiment, the microscopes 5A to 5F (detection areas AL1 to AL6) are arranged corresponding to the six alignment marks m1 to m6 arranged on the substrate P so as to be separated in the Y-axis direction. The microscopes 5A to 5F are provided so that the alignment marks m1 to m6 are simultaneously arranged in the detection areas AL1 to AL6. The alignment system 5 can simultaneously detect the six alignment marks m1 to m6 using the microscopes 5A to 5F.

制御装置9は、上記各部を統括的に制御する。制御装置9は、例えばマスクステージ1の駆動機構や基板ステージ2の駆動機構20、搬送システム4の駆動機構43及び駆動機構44などの各駆動機構の動作を制御すると共に、投影システムPSの結像特性調整装置30などを制御する。制御装置9は、例えばアライメントシステム5による検出結果に基づいて、例えば基板Pの位置及び姿勢のうち少なくとも一方を調整する。   The control device 9 comprehensively controls the above-described units. The control device 9 controls the operation of each drive mechanism such as the drive mechanism of the mask stage 1, the drive mechanism 20 of the substrate stage 2, the drive mechanism 43 and the drive mechanism 44 of the transport system 4, and also forms an image of the projection system PS. The characteristic adjusting device 30 and the like are controlled. For example, the control device 9 adjusts at least one of the position and the posture of the substrate P, for example, based on the detection result by the alignment system 5.

また、制御装置9は、例えばトレイ識別センサ17や基板識別センサ18の検出結果に基づいて演算等を行うことで所定の処理パラメータを設定する。この処理パラメータとしては、例えばアライメントシステム5による検出結果を補正する補正値の処理パラメータ(補正値パラメータ)や、基板Pを基板ステージ2に載置する載置速度を調整するためのパラメータ(載置速度パラメータ)、基板Pを基板ステージ2に載置する際の排気速度を調整するためのパラメータ(排気速度パラメータ)、基板Pを中継部15と基板ステージ2との間で搬送する際の搬送速度を調整するためのパラメータ(搬送速度パラメータ)などが挙げられる。   In addition, the control device 9 sets predetermined processing parameters by performing calculations based on detection results of the tray identification sensor 17 and the substrate identification sensor 18, for example. As this processing parameter, for example, a processing parameter (correction value parameter) of a correction value for correcting the detection result by the alignment system 5 and a parameter (mounting) for adjusting the mounting speed for mounting the substrate P on the substrate stage 2. Speed parameter), a parameter for adjusting the exhaust speed when the substrate P is placed on the substrate stage 2 (exhaust speed parameter), and the transport speed when the substrate P is transported between the relay unit 15 and the substrate stage 2. For example, a parameter for adjusting (conveyance speed parameter) can be used.

設定された処理パラメータは、例えば記憶装置10に記憶されるようになっている。記憶装置10では、各部について複数のパラメータを記憶できるようになっている。記憶装置10には、制御装置9において演算等で求められた処理パラメータのみならず、予め求められた処理パラメータが記憶されていても構わない。この場合、予め求められた処理パラメータに対して新たに制御装置9において求められた処理パラメータを更新して記憶するようにしても構わないし、複数の処理パラメータを蓄積して記憶するようにしても構わない。複数の処理パラメータを蓄積して記憶する場合、例えば制御装置9が、上記各部の制御に用いる際、複数の処理パラメータの中から最適な処理パラメータを選択する構成になっていても構わない。   The set processing parameters are stored in the storage device 10, for example. The storage device 10 can store a plurality of parameters for each unit. The storage device 10 may store not only the processing parameters obtained by calculation or the like in the control device 9 but also processing parameters obtained in advance. In this case, the processing parameter newly obtained in the control device 9 may be updated and stored with respect to the processing parameter obtained in advance, or a plurality of processing parameters may be accumulated and stored. I do not care. When accumulating and storing a plurality of processing parameters, for example, the control device 9 may be configured to select an optimum processing parameter from among the plurality of processing parameters when used for controlling the above-described units.

次に、図5〜図9に示す工程図及び図10に示すフローチャートを参照して、上述の構成を有する露光システムSYSを用いて基板Pを処理する方法の一例を説明する。
まず、例えば外部装置EAにおいて基板Pに対して露光処理の前処理が行われる。この場合の外部装置EAとしては、例えば基板Pに感光剤の膜を形成する塗布処理装置が挙げられ、前処理としては塗布処理が行われる(ステップST00)。
Next, an example of a method for processing the substrate P using the exposure system SYS having the above-described configuration will be described with reference to the process charts shown in FIGS. 5 to 9 and the flowchart shown in FIG.
First, for example, the pretreatment of the exposure process is performed on the substrate P in the external apparatus EA. An example of the external device EA in this case is a coating processing device that forms a film of a photosensitive agent on the substrate P, and the coating processing is performed as preprocessing (step ST00).

塗布処理の後、外部装置EAから露光装置EXに基板Pが搬入される。搬入された基板Pは、図5に示すように中継部15に搬送され、トレイTrに載置される(ステップST01)。中継部15においては、基板ステージ2に対する基板P(トレイTr)の大まかな位置合わせ処理(プリアライメント処理)が実行される。例えば、中継部15に設けられているラインセンサによって、θZ方向に関する基板Pの位置が検出され、その検出結果に基づいて、基板Pのプリアライメント処理が実行される。   After the coating process, the substrate P is carried into the exposure apparatus EX from the external apparatus EA. The loaded board | substrate P is conveyed by the relay part 15, as shown in FIG. 5, and is mounted in tray Tr (step ST01). In the relay unit 15, a rough alignment process (pre-alignment process) of the substrate P (tray Tr) with respect to the substrate stage 2 is executed. For example, the position of the substrate P in the θZ direction is detected by a line sensor provided in the relay unit 15, and the pre-alignment process of the substrate P is executed based on the detection result.

また、制御装置9は、トレイTr及び基板Pの識別情報を取得する(ST02)。具体的には、制御装置9は、トレイ識別センサ17を用いてトレイTrのトレイ識別用マークTmを検出させると共に、基板識別センサ18を用いて基板Pの基板識別用マークPmを検出させる。トレイ識別センサ17及び基板識別センサ18による検出結果は、例えば制御装置9に送信される。制御装置9では、トレイ識別センサ17及び基板識別センサ18による検出結果(トレイTr及び基板Pの識別情報)に基づいて、トレイTr及び基板Pを識別する。   Further, the control device 9 acquires identification information of the tray Tr and the substrate P (ST02). Specifically, the control device 9 causes the tray identification sensor 17 to detect the tray identification mark Tm of the tray Tr and also uses the substrate identification sensor 18 to detect the substrate identification mark Pm of the substrate P. The detection results by the tray identification sensor 17 and the substrate identification sensor 18 are transmitted to the control device 9, for example. In the control device 9, the tray Tr and the substrate P are identified based on the detection results (identification information of the tray Tr and the substrate P) by the tray identification sensor 17 and the substrate identification sensor 18.

なお、ここではトレイ識別センサ17を用いてトレイTrの識別情報を検出することとしたが、例えば、作業者がトレイTrを目視等によって識別し、その識別した結果をトレイTrの識別情報として制御装置9に対して入力するようにしてもよい。この場合、入力された識別情報に対応するトレイの移動を不図示の監視システムまたは追跡システム等によってモニタすることで、処理中の基板Pの搬送に使用されているトレイTrを確実に識別することができる。   Here, the tray identification sensor 17 is used to detect the identification information of the tray Tr. However, for example, the operator identifies the tray Tr visually, and the identification result is controlled as the identification information of the tray Tr. An input may be made to the device 9. In this case, the movement of the tray corresponding to the input identification information is monitored by a monitoring system or a tracking system (not shown) to reliably identify the tray Tr used for transporting the substrate P being processed. Can do.

次に、制御装置9は、トレイTr及び基板Pの識別情報に基づいて、搬送処理、載置処理及び露光処理に関する各処理パラメータ、すなわち、上記の補正値パラメータ、載置速度パラメータ、排気速度パラメータ、搬送速度パラメータをそれぞれ設定する(ステップST03)。   Next, based on the identification information of the tray Tr and the substrate P, the control device 9 performs processing parameters relating to the transfer process, the placement process, and the exposure process, that is, the correction value parameter, the placement speed parameter, and the exhaust speed parameter. The conveyance speed parameter is set (step ST03).

制御装置9は、処理パラメータを設定する際には、例えば記憶装置10に記憶された複数のパラメータのうち識別されたトレイTr及び基板Pに対応する最適な値を選択することにより、あるいは、識別情報に基づいて各処理パラメータを新たに演算等によって求めることにより、処理パラメータを設定することができる。例えば各処理パラメータについて、一部の処理パラメータについては複数のパラメータの中から選択し、他の処理パラメータについては新たに演算等によって求めるようにしても構わない。   When setting the processing parameter, the control device 9 selects, for example, an optimum value corresponding to the identified tray Tr and the substrate P from among a plurality of parameters stored in the storage device 10, or A processing parameter can be set by newly calculating each processing parameter based on information. For example, for each processing parameter, some of the processing parameters may be selected from a plurality of parameters, and other processing parameters may be newly obtained by calculation or the like.

次に、制御装置9は、第1搬送部材41を用いて、基板Pを支持したトレイTrを基板ステージ2に搬入する。制御装置9は、基板交換位置CPに基板ステージ2を予め配置させておく。搬入処理では、まず第1搬送部材41によって支持機構16に支持された基板Pが持ち上げられ、所定の速度でトレイTr及び当該トレイTrに支持される基板Pが基板交換位置CPの+Z方向上の位置に搬送される(ステップST04)。制御装置9は、ステップST03において設定された搬送速度パラメータに基づいて、基板Pの搬送速度を調整する。搬送速度パラメータは基板PごとあるいはトレイTrごとに設定されるため、基板PごとあるいはトレイTrごとに搬送速度が調整されることになる。   Next, the control device 9 uses the first transport member 41 to carry the tray Tr supporting the substrate P into the substrate stage 2. The control device 9 previously arranges the substrate stage 2 at the substrate exchange position CP. In the carry-in process, first, the substrate P supported by the support mechanism 16 is lifted by the first transport member 41, and the tray Tr and the substrate P supported by the tray Tr are moved at a predetermined speed in the + Z direction of the substrate replacement position CP. It is conveyed to the position (step ST04). The control device 9 adjusts the transport speed of the substrate P based on the transport speed parameter set in step ST03. Since the transport speed parameter is set for each substrate P or each tray Tr, the transport speed is adjusted for each substrate P or each tray Tr.

トレイTr及び基板Pが基板交換位置CPの+Z方向上の位置に配置された後、図7に示すように、第1搬送部材41によって基板Pを基板ステージ2上に載置させる(ステップST05)。この載置処理では、駆動機構43によって第1搬送部材41を−Z方向に移動させることにより、トレイTrの少なくとも一部が、基板ステージ2の溝に配置されるとともに、基板Pが、基板ステージ2に保持される。この載置処理は、図8に示すように、基板ステージ2に設けられる排気機構21によって基板ステージ2と第1搬送部材41との間の空間の気体を排気しながら行われる。   After the tray Tr and the substrate P are arranged at a position on the + Z direction with respect to the substrate replacement position CP, the substrate P is placed on the substrate stage 2 by the first transport member 41 as shown in FIG. 7 (step ST05). . In this placement process, the first transport member 41 is moved in the −Z direction by the drive mechanism 43 so that at least a part of the tray Tr is disposed in the groove of the substrate stage 2 and the substrate P is moved to the substrate stage. 2 is held. As shown in FIG. 8, this placement process is performed while exhausting the gas in the space between the substrate stage 2 and the first transport member 41 by the exhaust mechanism 21 provided in the substrate stage 2.

載置処理では、制御装置9は、ステップST03において設定された載置速度パラメータに基づいて第1搬送部材41の移動速度(載置速度)を調整すると共に、当該ステップST03において設定された排気速度パラメータに基づいて排気機構21の排気速度を調整する。載置速度パラメータ及び排気速度パラメータは、基板PごとあるいはトレイTrごとに設定されるため、載置速度及び排気速度は、基板PごとあるいはトレイTrごとに調整されることになる。   In the placement process, the control device 9 adjusts the moving speed (placement speed) of the first transport member 41 based on the placement speed parameter set in step ST03, and the exhaust speed set in step ST03. The exhaust speed of the exhaust mechanism 21 is adjusted based on the parameters. Since the placement speed parameter and the exhaust speed parameter are set for each substrate P or each tray Tr, the placement speed and the exhaust speed are adjusted for each substrate P or each tray Tr.

少なくとも基板Pの露光が開始される前に、マスクステージ1には、マスクMが保持される。また、少なくとも基板Pの露光が開始される前に、ベースライン計測処理等のセットアップ処理が実行される。ベースライン計測処理は、投影システムPSによるマスクMのパターン像の位置(投影領域PRの位置)と、基板P上のアライメントマークm1〜m6を検出するアライメントシステム5の顕微鏡5A〜5Fの検出領域AL1〜AL6との位置関係(ベースライン量)を計測する処理である。   At least before the exposure of the substrate P is started, the mask M is held on the mask stage 1. Further, at least before the exposure of the substrate P is started, a setup process such as a baseline measurement process is executed. In the baseline measurement processing, the position of the pattern image of the mask M (the position of the projection region PR) by the projection system PS and the detection region AL1 of the microscopes 5A to 5F of the alignment system 5 that detects the alignment marks m1 to m6 on the substrate P. This is a process of measuring the positional relationship (baseline amount) with .about.AL6.

また、制御装置9は、基板Pの露光が開始される前に、マーク検出装置で基板P上のアライメントマークm1〜m6を検出し、投影領域PRに対する基板Pの露光対象領域(ショット領域)の位置を導出する(ステップST06)。検出結果が所期の値に対してずれている場合には、制御装置9は、当該検出結果を補正する。   Further, before the exposure of the substrate P is started, the control device 9 detects the alignment marks m1 to m6 on the substrate P by the mark detection device, and the exposure target region (shot region) of the substrate P with respect to the projection region PR is detected. A position is derived (step ST06). When the detection result deviates from the intended value, the control device 9 corrects the detection result.

制御装置9は、ステップST03において設定された補正値パラメータに基づいてアライメントマークm1〜m6の検出結果を補正する(ステップST07)。補正値パラメータは基板PごとあるいはトレイTrごとに設定されるため、基板PごとあるいはトレイTrごとに最適な補正値で検出結果が補正されることになる。   The control device 9 corrects the detection results of the alignment marks m1 to m6 based on the correction value parameter set in step ST03 (step ST07). Since the correction value parameter is set for each substrate P or tray Tr, the detection result is corrected with an optimum correction value for each substrate P or tray Tr.

次に、制御装置9は、アライメントマークm1〜m6の補正された検出結果に基づいて基板ステージ2上の基板Pの位置や姿勢を調整させる(ステップST08)。具体的には、基板ステージ2に設けられる駆動機構20を制御し、基板ステージ2の位置や傾きを調整させる。   Next, the control device 9 adjusts the position and posture of the substrate P on the substrate stage 2 based on the corrected detection results of the alignment marks m1 to m6 (step ST08). Specifically, the drive mechanism 20 provided on the substrate stage 2 is controlled to adjust the position and tilt of the substrate stage 2.

基板Pの位置、姿勢を調整した後、制御装置9は、基板Pを保持した基板ステージ2を投影領域PRに移動して、基板Pを露光する処理を開始する(ステップST09)。制御装置9は、マスクステージ1及び基板ステージ2を制御して、投影システムPS(投影光学系PL)の物体面側で照明領域IRに対してマスクMをX軸方向に移動しながら、投影システムPS(投影光学系PL)の像面側で投影領域PRに対して基板PをX軸方向に移動しつつ、照明システムISより露光光ELを射出させる。これにより、基板Pは、投影領域PRに対してX軸方向に移動しながら、マスクM及び投影システムPS(投影光学系PL)からの露光光ELで露光される。このとき、制御装置9は、アライメントマークm1〜m6の補正された検出結果に基づいて、結像特性調整装置30を調整しても構わない。   After adjusting the position and orientation of the substrate P, the control device 9 moves the substrate stage 2 holding the substrate P to the projection region PR and starts a process of exposing the substrate P (step ST09). The control device 9 controls the mask stage 1 and the substrate stage 2 to move the mask M in the X-axis direction with respect to the illumination region IR on the object plane side of the projection system PS (projection optical system PL), while projecting the projection system. Exposure light EL is emitted from the illumination system IS while moving the substrate P in the X-axis direction with respect to the projection region PR on the image plane side of PS (projection optical system PL). Accordingly, the substrate P is exposed with the exposure light EL from the mask M and the projection system PS (projection optical system PL) while moving in the X-axis direction with respect to the projection region PR. At this time, the control device 9 may adjust the imaging characteristic adjusting device 30 based on the corrected detection results of the alignment marks m1 to m6.

基板Pの露光処理が終了した後、制御装置9は、その露光後の基板Pを保持した基板ステージ2を、露光位置EPから基板交換位置CPまで移動する。制御装置9は、第2搬送部材42を用いて、基板Pを支持したトレイTrを、基板ステージ2から搬出する(ステップST10)。制御装置9は、基板交換位置CPに配置されている基板ステージ2から、基板Pを支持したトレイTrを搬出する。基板Pは、トレイTrとともに、基板ステージ2から搬出される。   After the exposure processing of the substrate P is completed, the control device 9 moves the substrate stage 2 holding the exposed substrate P from the exposure position EP to the substrate replacement position CP. The control device 9 uses the second transport member 42 to carry out the tray Tr supporting the substrate P from the substrate stage 2 (step ST10). The control device 9 carries out the tray Tr supporting the substrate P from the substrate stage 2 arranged at the substrate exchange position CP. The substrate P is unloaded from the substrate stage 2 together with the tray Tr.

以上のステップにより、露光装置EXにおける1ロットの基板Pに対しての処理が完了する。露光装置EXにおいて、同一ロットは同一のマスクMを用いて露光される複数の基板Pのグループを含む。また、少なくとも同一ロットにおいては、同一の露光レシピの下で、基板Pの搬入処理(搬送処理及び載置処理を含む)、露光処理及び搬出処理が実行される。   Through the above steps, the processing for one lot of substrates P in the exposure apparatus EX is completed. In the exposure apparatus EX, the same lot includes a group of a plurality of substrates P to be exposed using the same mask M. Further, at least in the same lot, the carry-in process (including the transfer process and the placement process), the exposure process, and the carry-out process of the substrate P are executed under the same exposure recipe.

露光後の基板Pは、露光装置EXより外部装置EAに搬送され、当該外部装置EAにおいて、例えば基板P(感光剤)を現像する処理(ステップST11)や基板Pを成膜する処理(ステップST12)が行われる。以下、同一ロットにおいて、上記の各処理が繰り返される。   The exposed substrate P is transferred from the exposure apparatus EX to the external apparatus EA, and in the external apparatus EA, for example, a process of developing the substrate P (photosensitive agent) (step ST11) and a process of forming the substrate P (step ST12). ) Is performed. Thereafter, each process described above is repeated in the same lot.

露光装置EXにおいては、1つのロットの処理が終了するとマスクMが交換され、上記各基板Pに対して2回目の搬送処理、載置処理及び露光処理が行われる。2回目以降の処理においては、例えばマスクMの交換に伴い、前回処理時に用いた露光レシピとは異なる露光レシピの下で基板Pの搬入処理、露光処理及び搬出処理が行われる。また、2回目以降の露光処理においては、1回目の露光処理を行った露光領域PA1〜PA6に対して重ねて露光処理が行われる。   In the exposure apparatus EX, when the processing of one lot is completed, the mask M is replaced, and the second transfer processing, placement processing, and exposure processing are performed on each substrate P. In the second and subsequent processing, for example, with the replacement of the mask M, the substrate P loading processing, exposure processing, and unloading processing are performed under an exposure recipe different from the exposure recipe used during the previous processing. In the second and subsequent exposure processes, the exposure process is performed so as to overlap the exposure areas PA1 to PA6 subjected to the first exposure process.

このような2回目以降の処理においても、制御装置9は、1回目の処理と同様に基板P及びトレイTrのうち少なくとも一方の識別情報を取得し、当該識別情報に基づいて各処理パラメータを設定し、設定した処理パラメータに基づいて露光処理、搬送処理及び載置処理を行うようにする。   Also in the second and subsequent processes, the control device 9 acquires the identification information of at least one of the substrate P and the tray Tr as in the first process, and sets each processing parameter based on the identification information. Then, the exposure process, the transfer process, and the placement process are performed based on the set process parameters.

基板Pに露光処理及び外部装置EAによる処理を行う場合、例えば外部装置EAの条件に僅かなムラ(加熱機構の温度ムラなど)があると、基板Pごとに異なる変形を生じる場合がある。また、露光装置EXにおいても、例えば基板Pの搬送に用いるトレイTrごとに固有の変形や歪みなどが生じる場合がある。このため、同一の露光レシピを用いて画一的に補正するようにしたのでは、基板P及びトレイTrの個々の変形や歪みなどに対応することが困難となり、基板Pに対する処理精度が低下する可能性がある。   When performing exposure processing and processing by the external apparatus EA on the substrate P, for example, if there is slight unevenness (such as temperature unevenness of the heating mechanism) in the conditions of the external apparatus EA, different deformation may occur for each substrate P. Also in the exposure apparatus EX, for example, there are cases where unique deformation or distortion occurs for each tray Tr used for transporting the substrate P, for example. For this reason, if correction is performed uniformly using the same exposure recipe, it becomes difficult to cope with individual deformations and distortions of the substrate P and the tray Tr, and the processing accuracy for the substrate P is lowered. there is a possibility.

これに対して、本実施形態では、基板P及びトレイTrのうち少なくとも一方を識別し、識別結果に基づいて露光処理、搬送処理及び載置処理を行うこととしたので、個々の基板PあるいはトレイTrに応じた露光処理、搬送処理及び載置処理を行うことができる。これにより、基板PやトレイTrに個々の変形などが生じた場合であっても、当該個々の変形に応じた補正が行うことができるため、基板Pに対する処理精度を向上させることができる。   In contrast, in the present embodiment, at least one of the substrate P and the tray Tr is identified, and the exposure process, the transport process, and the placement process are performed based on the identification result. An exposure process, a transport process, and a placement process according to Tr can be performed. Thereby, even when individual deformations or the like occur in the substrate P or the tray Tr, correction according to the individual deformations can be performed, so that the processing accuracy for the substrate P can be improved.

本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
上記実施形態では、基板P及びトレイTrの両方の識別情報を取得するようにしたが、これに限られることは無く、基板Pの識別情報及びトレイTrの識別情報のうちいずれかい一方のみを取得するようにしても構わない。また、外部装置EAにおいて識別情報を取得しておき、通信装置90及び通信装置91を介して制御装置9に識別情報を送信する構成としても構わない。
The technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and appropriate modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
In the above embodiment, the identification information of both the substrate P and the tray Tr is acquired. However, the present invention is not limited to this, and only one of the identification information of the substrate P and the identification information of the tray Tr is acquired. You may make it. Alternatively, the identification information may be acquired in the external device EA, and the identification information may be transmitted to the control device 9 via the communication device 90 and the communication device 91.

また、上記実施形態の露光システムSYSは、露光装置EXは制御装置9により、外部装置EAは制御装置80により、それぞれ制御される構成としたが、これに限られることは無く、例えば露光装置EX及び外部装置EAを統括的に制御する主制御装置を有する構成とし、当該主制御装置の制御の下で一連の処理が行われるようにしても構わない。この場合、識別情報の通信は当該主制御装置において行われるようにしても構わない。   In the exposure system SYS of the above embodiment, the exposure apparatus EX is controlled by the control apparatus 9 and the external apparatus EA is controlled by the control apparatus 80. However, the present invention is not limited to this. For example, the exposure apparatus EX In addition, the configuration may include a main control device that controls the external device EA in an integrated manner, and a series of processes may be performed under the control of the main control device. In this case, communication of identification information may be performed in the main controller.

また、上記実施形態において、2回目以降の処理時に識別情報を取得する際、1回目の処理時の識別情報を取得する手法と同様の手法で行うこととしたが、これに限られることは無い。例えば、2回目以降の処理においては、制御装置9はアライメントシステム5により検出結果に基づいて、基板Pの識別情報を取得することもできる。   In the above embodiment, when the identification information is acquired in the second and subsequent processing, the method is the same as the method of acquiring the identification information in the first processing. However, the present invention is not limited to this. . For example, in the second and subsequent processes, the control device 9 can also acquire the identification information of the substrate P based on the detection result by the alignment system 5.

具体的には、まず2回目の処理を行う基板Pのアライメントマークm1〜m6の検出結果と、1回目の検出結果とを比較する。2つの検出結果に差が生じている場合には、制御装置9は当該検出結果に基づいて、基板Pの変形の直交度成分や非線形成分を算出する。当該直交度成分及び非線形成分については、予め複数の閾値を求めておき記憶装置10などに記憶させておくようにする。また、この場合には各閾値に対応する処理パラメータを複数設定しておき、同様に記憶装置10などに記憶させておくようにする。このようにすることで、制御装置9は、算出結果に応じて処理パラメータを選択することができる。   Specifically, first, the detection results of the alignment marks m1 to m6 of the substrate P to be processed for the second time are compared with the first detection results. When there is a difference between the two detection results, the control device 9 calculates an orthogonality component or a nonlinear component of the deformation of the substrate P based on the detection result. For the orthogonality component and the nonlinear component, a plurality of threshold values are obtained in advance and stored in the storage device 10 or the like. In this case, a plurality of processing parameters corresponding to the respective threshold values are set and stored in the storage device 10 or the like in the same manner. By doing in this way, the control apparatus 9 can select a processing parameter according to a calculation result.

また、上記実施形態においては、制御装置9で設定される処理パラメータとして、補正値パラメータ、載置速度パラメータ、排気速度パラメータ、搬送速度パラメータを挙げて説明したが、これに限られることは無く、露光装置EXあるいは外部装置EAの他の動作における処理パラメータを設定する構成としても構わない。このような処理パラメータとしては、例えば露光装置EXのマスクステージ1の移動速度や、基板ステージ2の移動速度に関する処理パラメータなどが挙げられる。   In the above embodiment, the correction parameter, the mounting speed parameter, the exhaust speed parameter, and the transport speed parameter have been described as processing parameters set by the control device 9, but the present invention is not limited to this. It may be configured to set processing parameters in other operations of the exposure apparatus EX or the external apparatus EA. Examples of such processing parameters include processing parameters relating to the moving speed of the mask stage 1 of the exposure apparatus EX and the moving speed of the substrate stage 2.

なお、上述の各実施形態の基板Pとしては、ディスプレイデバイス用のガラス基板のみならず、半導体デバイス製造用の半導体ウエハ、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。   The substrate P in each of the above embodiments is not only a glass substrate for a display device, but also a semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device, a ceramic wafer for a thin film magnetic head, or an original mask or reticle used in an exposure apparatus. (Synthetic quartz, silicon wafer) or the like is applied.

なお、露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを介した露光光ELで基板Pを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)の他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)にも適用することができる。   As the exposure apparatus EX, a step-and-scan type scanning exposure apparatus (scanning stepper) that scans and exposes the substrate P with the exposure light EL through the pattern of the mask M by moving the mask M and the substrate P synchronously. In addition, the pattern of the mask M is collectively exposed while the mask M and the substrate P are stationary, and is applied to a step-and-repeat type projection exposure apparatus (stepper) that sequentially moves the substrate P stepwise. Can do.

また、本発明は、米国特許第6341007号明細書、米国特許第6208407号明細書、米国特許第6262796号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。   The present invention also relates to a twin-stage type exposure having a plurality of substrate stages as disclosed in US Pat. No. 6,341,007, US Pat. No. 6,208,407, US Pat. No. 6,262,796, and the like. It can also be applied to devices.

また、本発明は、米国特許第6897963号明細書、欧州特許出願公開第1713113号明細書等に開示されているような、基板を保持する基板ステージと、基板を保持せずに、基準マークが形成された基準部材及び/又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置を採用することができる。   Further, the present invention relates to a substrate stage for holding a substrate as disclosed in US Pat. No. 6,897,963, European Patent Application No. 1713113, etc., and a reference mark without holding the substrate. The present invention can also be applied to an exposure apparatus that includes a formed reference member and / or a measurement stage on which various photoelectric sensors are mounted. An exposure apparatus including a plurality of substrate stages and measurement stages can be employed.

露光装置EXの種類としては、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置に限られず、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)、マイクロマシン、MEMS、DNAチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。   The type of the exposure apparatus EX is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element or a display, but an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element that exposes a semiconductor element pattern on a substrate P, a thin film magnetic head, an image sensor (CCD) In addition, the present invention can be widely applied to an exposure apparatus for manufacturing a micromachine, MEMS, DNA chip, reticle, mask, or the like.

なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いて各ステージの位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール(回折格子)を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。   In each of the above-described embodiments, the position information of each stage is measured using an interferometer system including a laser interferometer. However, the present invention is not limited to this. For example, a scale (diffraction grating) provided in each stage You may use the encoder system which detects this.

なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第6778257号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク(電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる)を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。   In the above-described embodiment, a light-transmitting mask in which a predetermined light-shielding pattern (or phase pattern / dimming pattern) is formed on a light-transmitting substrate is used. As disclosed in US Pat. No. 6,778,257, a variable shaped mask (also called an electronic mask, an active mask, or an image generator) that forms a transmission pattern, a reflection pattern, or a light emission pattern based on electronic data of a pattern to be exposed. ) May be used. Further, a pattern forming apparatus including a self-luminous image display element may be provided instead of the variable molding mask including the non-luminous image display element.

上述の実施形態の露光装置EXは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。   The exposure apparatus EX of the above-described embodiment is manufactured by assembling various subsystems including the respective constituent elements recited in the claims of the present application so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. Is done. In order to ensure these various accuracies, before and after assembly, various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy, various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy, and various electrical systems are Adjustments are made to achieve electrical accuracy.

各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。   The assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus includes mechanical connection, electrical circuit wiring connection, pneumatic circuit piping connection and the like between the various subsystems. Needless to say, there is an assembly process for each subsystem before the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus. When the assembly process of the various subsystems to the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies as the entire exposure apparatus. The exposure apparatus is preferably manufactured in a clean room where the temperature, cleanliness, etc. are controlled.

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図11に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板(感光剤)を現像することを含む基板処理(露光処理)を含む基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。なお、ステップ204では、感光剤を現像することで、マスクのパターンに対応する露光パターン層(現像された感光剤の層)を形成し、この露光パターン層を介して基板を加工することが含まれる。   As shown in FIG. 11, a microdevice such as a semiconductor device includes a step 201 for designing a function / performance of the microdevice, a step 202 for manufacturing a mask (reticle) based on the design step, and a substrate as a substrate of the device. Manufacturing step 203, including substrate processing (exposure processing) including exposing the substrate with exposure light using a mask pattern and developing the exposed substrate (photosensitive agent) according to the above-described embodiment The substrate is manufactured through a substrate processing step 204, a device assembly step (including processing processes such as a dicing process, a bonding process, and a packaging process) 205, an inspection step 206, and the like. In step 204, the photosensitive agent is developed to form an exposure pattern layer (developed photosensitive agent layer) corresponding to the mask pattern, and the substrate is processed through the exposure pattern layer. It is.

なお、上述の実施形態及び変形例の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。   Note that the requirements of the above-described embodiments and modifications can be combined as appropriate. Some components may not be used. In addition, as long as it is permitted by law, the disclosure of all published publications and US patents related to the exposure apparatus and the like cited in the above-described embodiments and modifications are incorporated herein by reference.

SYS…露光システム EX…露光装置 M…マスク P…基板 Pm…基板識別用マーク Tr…トレイ Tm…トレイ識別用マーク m1〜m6…アライメントマーク PS…投影光学システム 2…基板ステージ 5…アライメントシステム 5A〜5F…顕微鏡 9…制御装置 10…記憶装置 15…中継部 17…トレイ識別センサ 18…基板識別センサ 20、43、44…駆動機構 21…排気機構 30…結像特性調整装置 41…第1搬送部材 42…第2搬送部材 EA…外部装置 90、91…通信部   SYS ... Exposure system EX ... Exposure apparatus M ... Mask P ... Substrate Pm ... Substrate identification mark Tr ... Tray Tm ... Tray identification mark m1-m6 ... Alignment mark PS ... Projection optical system 2 ... Substrate stage 5 ... Alignment system 5A- 5F ... Microscope 9 ... Control device 10 ... Storage device 15 ... Relay unit 17 ... Tray identification sensor 18 ... Substrate identification sensor 20, 43, 44 ... Drive mechanism 21 ... Exhaust mechanism 30 ... Imaging characteristic adjusting device 41 ... First transport member 42 ... 2nd conveyance member EA ... External device 90, 91 ... Communication part

Claims (19)

基板を処理する基板処理方法であって、
前記基板の裏面を支持部材によって支持することと、
前記支持部材によって支持された前記基板を前記支持部材と共に搬送し、前記基板および前記支持部材をステージ上に載置することと、
前記支持部材の識別に関する情報を含む識別情報を取得することと、
前記識別情報に基づいて、前記支持部材に支持された前記基板を搬送するための搬送条件と、前記基板および前記支持部材を前記ステージ上に載置するための載置条件との少なくとも一方を設定することと、
を含み、
前記搬送条件は、前記基板を搬送する際の搬送速度に関する条件を含む基板処理方法。
A substrate processing method for processing a substrate, comprising:
Supporting the back surface of the substrate by a support member;
Transporting the substrate supported by the support member together with the support member, and placing the substrate and the support member on a stage;
Obtaining identification information including information relating to identification of the support member;
Based on the identification information, at least one of a transport condition for transporting the substrate supported by the support member and a placement condition for placing the substrate and the support member on the stage is set. To do
Only including,
The transport conditions, conditions including the substrate processing method of the conveying speed at the time of transporting the substrate.
基板を処理する基板処理方法であって、
前記基板の裏面を支持部材によって支持することと、
前記支持部材によって支持された前記基板を前記支持部材と共に搬送し、前記基板および前記支持部材をステージ上に載置することと、
前記支持部材の識別に関する情報を含む識別情報を取得することと、
前記識別情報に基づいて、前記支持部材に支持された前記基板を搬送するための搬送条件と、前記基板および前記支持部材を前記ステージ上に載置するための載置条件との少なくとも一方を設定することと、
を含み、
前記載置条件は、前記基板を前記ステージに載置する際の載置速度に関する条件を含む基板処理方法。
A substrate processing method for processing a substrate, comprising:
Supporting the back surface of the substrate by a support member;
Transporting the substrate supported by the support member together with the support member, and placing the substrate and the support member on a stage;
Obtaining identification information including information relating to identification of the support member;
Based on the identification information, at least one of a transport condition for transporting the substrate supported by the support member and a placement condition for placing the substrate and the support member on the stage is set. To do
Including
The placing conditions,置速degree conditions including board processing method for mounting at the time of mounting the substrate on the stage.
基板を処理する基板処理方法であって、
前記基板の裏面を支持部材によって支持することと、
前記支持部材によって支持された前記基板を前記支持部材と共に搬送し、前記基板および前記支持部材をステージ上に載置することと、
前記支持部材の識別に関する情報を含む識別情報を取得することと、
前記識別情報に基づいて、前記支持部材に支持された前記基板を搬送するための搬送条件と、前記基板および前記支持部材を前記ステージ上に載置するための載置条件との少なくとも一方を設定することと、
を含み、
前記基板および前記支持部材が前記ステージ上に載置される際に、前記基板と前記ステージとの間の気体を、前記ステージに設けられた排気機構を用いて排気することを含み、
前記載置条件は、前記排気機構による排気速度に関する条件を含む基板処理方法。
A substrate processing method for processing a substrate, comprising:
Supporting the back surface of the substrate by a support member;
Transporting the substrate supported by the support member together with the support member, and placing the substrate and the support member on a stage;
Obtaining identification information including information relating to identification of the support member;
Based on the identification information, at least one of a transport condition for transporting the substrate supported by the support member and a placement condition for placing the substrate and the support member on the stage is set. To do
Including
Exhausting the gas between the substrate and the stage using an exhaust mechanism provided on the stage when the substrate and the support member are placed on the stage;
The placing conditions, conditions including board processing method to an exhaust rate by the exhaust mechanism.
基板を処理する基板処理方法であって、A substrate processing method for processing a substrate, comprising:
前記基板の裏面を支持部材によって支持することと、Supporting the back surface of the substrate by a support member;
前記支持部材によって支持された前記基板を前記支持部材と共に搬送し、前記基板および前記支持部材をステージ上に載置することと、Transporting the substrate supported by the support member together with the support member, and placing the substrate and the support member on a stage;
前記支持部材の識別に関する情報を含む識別情報を取得することと、Obtaining identification information including information relating to identification of the support member;
前記識別情報に基づいて、前記支持部材に支持された前記基板を搬送するための搬送条件と、前記基板および前記支持部材を前記ステージ上に載置するための載置条件との少なくとも一方を設定することと、Based on the identification information, at least one of a transport condition for transporting the substrate supported by the support member and a placement condition for placing the substrate and the support member on the stage is set. To do
を含み、Including
前記基板は、前記ステージ上に設けられた保持部の上面に載置され、前記支持部材は、前記ステージ上で前記保持部の上面よりも下方に載置される基板処理方法。The substrate processing method, wherein the substrate is placed on an upper surface of a holding unit provided on the stage, and the support member is placed on the stage below the upper surface of the holding unit.
前記支持部材は、フレーム構造を有し、該フレーム構造は、前記保持部に形成された溝に載置される請求項4に記載の基板処理方法。The substrate processing method according to claim 4, wherein the support member has a frame structure, and the frame structure is placed in a groove formed in the holding portion. 前記識別情報は、前記基板の識別に関する情報を含む請求項1〜のいずれか一項に記載の基板処理方法。 The identification information is, the substrate processing method according to any one of claims 1 to 5 including the information regarding the identification of the substrate. 前記支持部材は、該支持部材の識別に関する情報を含む識別用マークを有し、
前記識別情報は、前記識別用マークを検出することにより取得される請求項1〜のいずれか一項に記載の基板処理方法。
The support member has an identification mark including information on identification of the support member;
The identification information is, the substrate processing method according to any one of claims 1 to 6, which is acquired by detecting the identification mark.
前記ステージ上に載置された前記基板を露光することを含み、
前記識別情報に基づいて、前記基板を露光するための露光条件を設定することを含む請求項1〜のいずれか一項に記載の基板処理方法。
Exposing the substrate placed on the stage;
Based on the identification information, the substrate processing method according to any one of claims 1 to 7 including the setting the exposure conditions for exposing the substrate.
前記基板に設けられたマークを計測することと、
前記識別情報に基づいて前記マークの計測結果を補正することと、を含み、
前記露光条件は、前記前記識別情報に基づいて補正された前記計測結果に基づいて設定される請求項に記載の基板処理方法。
Measuring a mark provided on the substrate;
Correcting the measurement result of the mark based on the identification information,
The substrate processing method according to claim 8 , wherein the exposure condition is set based on the measurement result corrected based on the identification information.
基板を処理する基板処理装置と、
基板の裏面を支持する支持部材と、
前記基板および前記支持部材が載置されるステージと、
前記支持部材によって支持された前記基板を前記支持部材と共に搬送し、前記基板および前記支持部材を前記ステージ上に載置する搬送装置と、
前記支持部材の識別に関する情報を含む識別情報を取得する情報取得部と、
前記情報取得部により取得された前記識別情報に基づいて、前記支持部材に支持された前記基板を搬送するための搬送条件と、前記基板および前記支持部材を前記ステージ上に載置するための載置条件との少なくとも一方を設定する制御装置と、
を備え
前記搬送条件は、前記基板を搬送する際の搬送速度に関する条件を含む基板処理装置。
A substrate processing apparatus for processing a substrate;
A support member for supporting the back surface of the substrate;
A stage on which the substrate and the support member are placed;
A transport device for transporting the substrate supported by the support member together with the support member, and placing the substrate and the support member on the stage;
An information acquisition unit for acquiring identification information including information on identification of the support member;
Based on the identification information acquired by the information acquisition unit, a transport condition for transporting the substrate supported by the support member, and a mounting for mounting the substrate and the support member on the stage. A control device for setting at least one of the setting conditions;
Equipped with a,
The transport condition is a substrate processing apparatus including a condition related to a transport speed when transporting the substrate.
基板を処理する基板処理装置と、
基板の裏面を支持する支持部材と、
前記基板および前記支持部材が載置されるステージと、
前記支持部材によって支持された前記基板を前記支持部材と共に搬送し、前記基板および前記支持部材を前記ステージ上に載置する搬送装置と、
前記支持部材の識別に関する情報を含む識別情報を取得する情報取得部と、
前記情報取得部により取得された前記識別情報に基づいて、前記支持部材に支持された前記基板を搬送するための搬送条件と、前記基板および前記支持部材を前記ステージ上に載置するための載置条件との少なくとも一方を設定する制御装置と、
を備え、
前記載置条件は、前記基板を前記ステージに載置する際の載置速度に関する条件を含む基板処理装置。
A substrate processing apparatus for processing a substrate;
A support member for supporting the back surface of the substrate;
A stage on which the substrate and the support member are placed;
A transport device for transporting the substrate supported by the support member together with the support member, and placing the substrate and the support member on the stage;
An information acquisition unit for acquiring identification information including information on identification of the support member;
Based on the identification information acquired by the information acquisition unit, a transport condition for transporting the substrate supported by the support member, and a mounting for mounting the substrate and the support member on the stage. A control device for setting at least one of the setting conditions;
With
The placing conditions, conditions including board processor regarding placing置速degree when mounting the substrate on the stage.
基板を処理する基板処理装置と、
基板の裏面を支持する支持部材と、
前記基板および前記支持部材が載置されるステージと、
前記支持部材によって支持された前記基板を前記支持部材と共に搬送し、前記基板および前記支持部材を前記ステージ上に載置する搬送装置と、
前記支持部材の識別に関する情報を含む識別情報を取得する情報取得部と、
前記情報取得部により取得された前記識別情報に基づいて、前記支持部材に支持された前記基板を搬送するための搬送条件と、前記基板および前記支持部材を前記ステージ上に載置するための載置条件との少なくとも一方を設定する制御装置と、
を備え、
前記搬送装置によって前記ステージ上方に搬送された前記基板と前記ステージとの間の気体を排気するために前記ステージに設けられた排気機構を備え、
前記載置条件は、前記排気機構による排気速度に関する条件を含む基板処理装置。
A substrate processing apparatus for processing a substrate;
A support member for supporting the back surface of the substrate;
A stage on which the substrate and the support member are placed;
A transport device for transporting the substrate supported by the support member together with the support member, and placing the substrate and the support member on the stage;
An information acquisition unit for acquiring identification information including information on identification of the support member;
Based on the identification information acquired by the information acquisition unit, a transport condition for transporting the substrate supported by the support member, and a mounting for mounting the substrate and the support member on the stage. A control device for setting at least one of the setting conditions;
With
An exhaust mechanism provided in the stage for exhausting gas between the substrate and the stage transported above the stage by the transport device;
The placing conditions, the exhaust system by the exhaust speed including board processor conditions on.
基板を処理する基板処理装置と、A substrate processing apparatus for processing a substrate;
基板の裏面を支持する支持部材と、A support member for supporting the back surface of the substrate;
前記基板および前記支持部材が載置されるステージと、A stage on which the substrate and the support member are placed;
前記支持部材によって支持された前記基板を前記支持部材と共に搬送し、前記基板および前記支持部材を前記ステージ上に載置する搬送装置と、A transport device for transporting the substrate supported by the support member together with the support member, and placing the substrate and the support member on the stage;
前記支持部材の識別に関する情報を含む識別情報を取得する情報取得部と、An information acquisition unit for acquiring identification information including information on identification of the support member;
前記情報取得部により取得された前記識別情報に基づいて、前記支持部材に支持された前記基板を搬送するための搬送条件と、前記基板および前記支持部材を前記ステージ上に載置するための載置条件との少なくとも一方を設定する制御装置と、Based on the identification information acquired by the information acquisition unit, a transport condition for transporting the substrate supported by the support member, and a mounting for mounting the substrate and the support member on the stage. A control device for setting at least one of the setting conditions;
を備え、With
前記ステージは、前記基板が載置される保持部を有し、The stage has a holding part on which the substrate is placed,
前記搬送装置は、前記基板を前記保持部の上面に載置し、前記支持部材を前記ステージ上で前記保持部の上面よりも下方に載置する基板処理装置。The transport apparatus is a substrate processing apparatus in which the substrate is placed on an upper surface of the holding unit, and the support member is placed on the stage below the upper surface of the holding unit.
前記支持部材は、フレーム構造を有し、The support member has a frame structure;
前記搬送装置は、前記保持部に形成された溝に前記フレーム構造が配置されるように前前記支持部材を記ステージ上に載置する請求項13に記載の基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 13, wherein the transport device places the front support member on a stage so that the frame structure is disposed in a groove formed in the holding portion.
前記識別情報は、前記基板の識別に関する情報を含む請求項1〜14のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The identification information is, the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 0-14 comprising information about the identity of the substrate. 前記支持部材は、該支持部材の識別に関する情報を含む識別用マークを有し、
前記情報取得部は、前記識別用マークを検出するセンサを含む請求項1〜15のいずれか一項に記載の基板処理装置。
The support member has an identification mark including information on identification of the support member;
The information acquisition unit, a substrate processing apparatus according to any one of claims 1 0-15 comprising a sensor for detecting the identification mark.
前記ステージ上に載置された前記基板を露光するための露光処理部を備え、
前記制御装置は、前記識別情報に基づき、前記露光処理部により前記基板を露光するための露光条件を設定する請求項1〜1のいずれか一項に記載の基板処理装置。
An exposure processing unit for exposing the substrate placed on the stage;
The control device, based on said identification information, a substrate processing apparatus according to any one of claims 1 0-1 6 for setting exposure conditions for exposing the substrate by the exposure processing unit.
前記基板に設けられたマークを計測する計測部を備え、
前記制御装置は、前記計測部による計測結果を前記識別情報に基づいて補正し、該識別情報に基づいて補正した前記計測結果に基づいて前記露光条件を設定する請求項1に記載の基板処理装置。
A measuring unit for measuring a mark provided on the substrate;
The substrate processing according to claim 17 , wherein the control device corrects a measurement result obtained by the measurement unit based on the identification information, and sets the exposure condition based on the measurement result corrected based on the identification information. apparatus.
請求項1または18に記載の基板処理装置を用いて、基板を露光することと、
前記基板処理装置によって露光された前記基板を現像することと、
現像された前記基板を加工することと、
を含むデバイスの製造方法。
Using the substrate processing apparatus according to claim 17 or 18 , exposing the substrate;
Developing the substrate exposed by the substrate processing apparatus;
Processing the developed substrate;
A device manufacturing method including:
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