JP2019124965A - Auxiliary exposure device - Google Patents

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Abstract

To provide an auxiliary exposure device capable of heightening exposure resolution.SOLUTION: The auxiliary exposure device is disposed at a front stage side or a rear stage side of an exposure device performing exposure processing on a substrate to be processed, and performs exposure processing locally on the substrate to be processed, and is provided with a light source unit. The light source unit irradiates the substrate to be processed with line-shape light. The light source unit comprises: a spatial light modulator having a plurality of movable micro-mirrors; and a projection lens disposed on a light path between the spatial light modulator having a plurality of the movable micro-mirrors and the substrate to be processed, and projecting light reflected by the spatial light modulator having a plurality of the movable micro-mirrors on the substrate to be processed by enlarging the light in a line shape.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

開示の実施形態は、補助露光装置に関する。   The disclosed embodiments relate to an auxiliary exposure apparatus.

従来、被処理基板上に塗布されたレジスト膜に対し、たとえばマスクのパターンを転写する通常の露光装置とは別に、局所的な露光処理を行う補助露光装置が知られている。かかる補助露光装置によれば、光リソグラフィにおける現像処理後のレジストパターンの膜厚や線幅の均一性を向上させることができる。   2. Description of the Related Art Conventionally, there is known an auxiliary exposure apparatus that performs a local exposure process separately from a normal exposure apparatus that transfers, for example, a mask pattern to a resist film coated on a substrate to be processed. According to such an auxiliary exposure apparatus, it is possible to improve the uniformity of the film thickness and line width of the resist pattern after the development processing in photolithography.

たとえば、特許文献1には、複数のLED(Light Emitting Diode)素子をライン状に配列してなる光源ユニットを備えた補助露光装置が開示されている。   For example, Patent Document 1 discloses an auxiliary exposure apparatus provided with a light source unit in which a plurality of LED (Light Emitting Diode) elements are arranged in a line.

特開2013−186191号公報JP, 2013-186191, A

しかしながら、LED素子を用いた場合の露光分解能は、LED素子本体のサイズ(たとえば5mm程度)による制約を受ける。このため、上述した従来技術には、露光分解能を高めるという点でさらなる改善の余地がある。   However, the exposure resolution when using the LED element is limited by the size of the LED element body (for example, about 5 mm). Therefore, there is room for further improvement in the prior art described above in terms of enhancing the exposure resolution.

実施形態の一態様は、露光分解能を高めることができる補助露光装置を提供することを目的とする。   An aspect of the embodiment aims to provide an auxiliary exposure apparatus capable of enhancing the exposure resolution.

実施形態の一態様に係る補助露光装置は、被処理基板に対して露光処理を行う露光装置の前段側または後段側に配置され、被処理基板に対して局所的に露光処理を行う補助露光装置であって、光源ユニットを備える。光源ユニットは、被処理基板に対してライン状の光を照射する。また、光源ユニットは、複数の可動式マイクロミラーを有する空間光変調器と、複数の可動式マイクロミラーを有する空間光変調器および被処理基板間の光路上に配置され、複数の可動式マイクロミラーを有する空間光変調器によって反射された光を被処理基板に対してライン状に拡大して投射する投射レンズとを備える。   The auxiliary exposure apparatus according to one aspect of the embodiment is disposed upstream or downstream of the exposure apparatus that performs exposure processing on the substrate to be processed, and performs exposure processing locally on the substrate to be processed. And a light source unit. The light source unit emits line-shaped light to the processing substrate. The light source unit is disposed on the optical path between the spatial light modulator having the plurality of movable micro mirrors, the spatial light modulator having the plurality of movable micro mirrors, and the processing substrate, and the plurality of movable micro mirrors And a projection lens configured to project the light reflected by the spatial light modulator having a linear shape onto the substrate to be processed in a line.

実施形態の一態様によれば、露光分解能を高めることができる。   According to an aspect of the embodiment, the exposure resolution can be enhanced.

図1は、実施形態に係る基板処理システムの構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing the configuration of a substrate processing system according to an embodiment. 図2は、基板処理システムにおける1枚のガラス基板に対する全工程の処理手順を示すフローチャートである。FIG. 2 is a flowchart showing the processing procedure of the entire process for one glass substrate in the substrate processing system. 図3Aは、実施形態においてガラス基板上の製品領域をマトリクス状に区画するフォーマットを示す図である。FIG. 3A is a diagram showing a format for partitioning product areas on a glass substrate in a matrix in an embodiment. 図3Bは、ガラス基板上のマトリクス区画の各単位領域毎にレジストパターンの膜厚や線幅の測定値を演算してマッピングする仕組みを示す図である。FIG. 3B is a view showing a mechanism for calculating and mapping measured values of a film thickness and a line width of a resist pattern for each unit region of a matrix section on a glass substrate. 図3Cは、ガラス基板上のマトリクス区画の各単位領域毎に補正露光量を演算してマッピングする仕組みを示す図である。FIG. 3C is a view showing a mechanism for calculating and mapping the correction exposure amount for each unit area of the matrix section on the glass substrate. 図3Dは、ガラス基板上のマトリクス区画の各単位領域毎に照度の目標値を演算してマッピングする仕組みを示す図である。FIG. 3D is a diagram showing a mechanism for computing and mapping a target value of illuminance for each unit area of matrix sections on a glass substrate. 図4は、実施形態に係る補助露光装置の構成を示す図である。FIG. 4 is a view showing the arrangement of an auxiliary exposure apparatus according to the embodiment. 図5は、光源ユニットから照射される紫外線の照射領域を示す図である。FIG. 5 is a view showing an irradiation region of ultraviolet light emitted from the light source unit. 図6は、光源ユニットの構成を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing the configuration of the light source unit.

以下、添付図面を参照して、本願の開示する補助露光装置の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。   Hereinafter, embodiments of the auxiliary exposure apparatus disclosed in the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Note that the present invention is not limited by the embodiments described below.

[基板処理システムの構成]
図1に示す基板処理システム100は、クリーンルーム内に設置され、たとえばLCD(Liquid Crystal Display)用のガラス基板Gを被処理基板とし、LCD製造プロセスにおいてフォトリソグラフィ工程中の洗浄、レジスト塗布、プリベイク、現像およびポストベイク等の一連の処理を行う。露光処理は、基板処理システム100に隣接して設置される外部の露光装置20(EXP)で行われる。
[Configuration of substrate processing system]
The substrate processing system 100 shown in FIG. 1 is installed in a clean room, for example, using a glass substrate G for LCD (Liquid Crystal Display) as a substrate to be processed, and cleaning, resist application, pre-baking in a photolithography process in an LCD manufacturing process. Perform a series of processing such as development and post bake. The exposure processing is performed by an external exposure apparatus 20 (EXP) installed adjacent to the substrate processing system 100.

基板処理システム100は、カセットステーション1と、搬入部2(IN PASS)と、洗浄装置3(SCR)と、第1乾燥部4(DR)と、第1冷却部5(COL)と、塗布装置6(COT)と、第2乾燥部7(DR)と、プリベイク部8(PRE BAKE)と、第2冷却部9(COL)と、インタフェースステーション10とを備える。また、基板処理システム100は、補助露光装置11(AE)と、現像装置12(DEV)と、ポストベイク部13(POST BAKE)と、第3冷却部14(COL)と、検査部15(IP)と、搬出部16(OUT PASS)と、制御部17とを備える。   The substrate processing system 100 includes a cassette station 1, a loading unit 2 (IN PASS), a cleaning device 3 (SCR), a first drying unit 4 (DR), a first cooling unit 5 (COL), and a coating device. 6 (COT), a second drying unit 7 (DR), a pre-baking unit 8 (PRE BAKE), a second cooling unit 9 (COL), and an interface station 10. The substrate processing system 100 also includes the auxiliary exposure device 11 (AE), the developing device 12 (DEV), the post bake unit 13 (POST BAKE), the third cooling unit 14 (COL), and the inspection unit 15 (IP). , An unloading unit 16 (OUT PASS), and a control unit 17.

カセットステーション1とインタフェースステーション10との間には、ガラス基板Gをカセットステーション1からインタフェースステーション10へ搬送する搬送往路が設けられており、かかる搬送往路上に、搬入部2、洗浄装置3、第1乾燥部4、第1冷却部5、塗布装置6、第2乾燥部7、プリベイク部8および第2冷却部9が、カセットステーション1からインタフェースステーション10に向かってこの順番で設けられる。   Between the cassette station 1 and the interface station 10, a transport forward path for transporting the glass substrate G from the cassette station 1 to the interface station 10 is provided. On the transport forward path, the loading unit 2, the cleaning device 3, the third A first drying unit 4, a first cooling unit 5, a coating device 6, a second drying unit 7, a pre-baking unit 8 and a second cooling unit 9 are provided in this order from the cassette station 1 to the interface station 10.

また、カセットステーション1とインタフェースステーション10との間には、ガラス基板Gをインタフェースステーション10からカセットステーション1へ搬送するための搬送復路が設けられており、かかる搬送復路上に、補助露光装置11、現像装置12、ポストベイク部13、第3冷却部14、検査部15および搬出部16が、インタフェースステーション10からカセットステーション1に向かってこの順番で配置されている。なお、搬送往路および搬送復路は、たとえばロコ搬送路等により構成される。   Further, a transport return path for transporting the glass substrate G from the interface station 10 to the cassette station 1 is provided between the cassette station 1 and the interface station 10, and the auxiliary exposure device 11 is provided on the transport return path. The developing device 12, the post-baking unit 13, the third cooling unit 14, the inspection unit 15, and the unloading unit 16 are disposed in this order from the interface station 10 toward the cassette station 1. The forward and reverse transport paths are constituted by, for example, loco transport paths and the like.

カセットステーション1は、ガラス基板Gを多段に積み重ねるようにして複数枚収容したカセットCを搬入出するポートである。カセットステーション1は、水平な一方向(Y軸方向)にたとえば4個並べて載置可能なカセットステージ1aと、カセットステージ1a上のカセットCに対してガラス基板Gの出し入れを行う搬送装置1bとを備える。搬送装置1bは、ガラス基板Gを保持する搬送アームを有し、X,Y,Z,θの4軸で動作可能であり、隣接するカセットステージ1a、搬入部2および搬出部16との間でガラス基板Gの受け渡しを行えるようになっている。   The cassette station 1 is a port for loading and unloading a plurality of cassettes C containing a plurality of glass substrates G stacked in multiple stages. The cassette station 1 comprises, for example, a cassette stage 1a which can be mounted four side by side in one horizontal direction (Y-axis direction), and a transport apparatus 1b for taking in and out the glass substrate G to the cassette C on the cassette stage 1a. Prepare. The transfer apparatus 1b has a transfer arm for holding the glass substrate G, and can operate along four axes of X, Y, Z, and θ, and between the adjacent cassette stage 1a, the carry-in unit 2 and the carry-out unit 16 Delivery of the glass substrate G can be performed.

インタフェースステーション10は、搬送装置10aを備える。搬送装置10aは、ガラス基板Gを保持する搬送アームを有し、X,Y,Z,θの4軸で動作可能であり、隣接する第2冷却部9、補助露光装置11および露光装置20との間でガラス基板Gの受け渡しを行えるようになっている。なお、インタフェースステーション10には、搬送装置10aの他に、たとえば、周辺露光装置やタイトラー等の装置が配置されていてもよい。周辺露光装置は、ガラス基板Gの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光処理を行う。タイトラーは、ガラス基板G上の所定の部位に所定の情報を記録する。   The interface station 10 comprises a transport device 10a. The transfer apparatus 10a has a transfer arm for holding the glass substrate G, is operable along four axes of X, Y, Z, and θ, and the adjacent second cooling unit 9, the auxiliary exposure apparatus 11, and the exposure apparatus 20 The glass substrate G can be delivered between the two. In the interface station 10, in addition to the transport device 10a, for example, a device such as a peripheral exposure device or a titler may be disposed. The peripheral exposure device performs an exposure process for removing the resist adhering to the peripheral portion of the glass substrate G at the time of development. The titler records predetermined information on a predetermined portion on the glass substrate G.

制御部17は、たとえばCPU(Central Processing Unit)であり、図示しない記憶部に記憶された図示しないプログラムを読み出して実行することにより、基板処理システム100全体を制御する。制御部17は、プログラムを用いずにハードウェアのみで構成されてもよい。   Control unit 17 is, for example, a CPU (Central Processing Unit), and reads out and executes a program (not shown) stored in a storage unit (not shown) to control the entire substrate processing system 100. The control unit 17 may be configured only by hardware without using a program.

図2は、基板処理システム100における1枚のガラス基板Gに対する全工程の処理手順を示すフローチャートである。先ず、カセットステーション1において、搬送装置1bが、カセットステージ1a上のいずれか1つのカセットCからガラス基板Gを取り出し、取り出したガラス基板Gを搬入部2へ搬入する(ステップS101)。   FIG. 2 is a flowchart showing the processing procedure of the entire process for one glass substrate G in the substrate processing system 100. First, at the cassette station 1, the transfer device 1b takes out the glass substrate G from any one of the cassettes C on the cassette stage 1a, and carries the taken-out glass substrate G into the loading unit 2 (step S101).

搬入部2に搬入されたガラス基板Gは、搬送往路上を搬送されて洗浄装置3に搬入されて洗浄処理が施される(ステップS102)。ここで、洗浄装置3は、搬送往路上を水平に移動するガラス基板Gに対して、ブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより基板表面から粒子状の汚れを除去し、その後にリンス処理を施す。洗浄装置3における一連の洗浄処理を終えると、ガラス基板Gは第1乾燥部4に搬入される。   The glass substrate G carried into the carry-in unit 2 is transported along the transport forward path, carried into the cleaning device 3 and subjected to the cleaning process (step S102). Here, the cleaning device 3 removes particulate dirt from the surface of the glass substrate G moving horizontally along the transport path by brushing cleaning or blow cleaning, and then performs a rinsing process. When a series of cleaning processes in the cleaning device 3 is finished, the glass substrate G is carried into the first drying unit 4.

つづいて、ガラス基板Gは、第1乾燥部4において所定の乾燥処理を施された後(ステップS103)、第1冷却部5に搬入されて所定の温度まで冷却される(ステップS104)。その後、ガラス基板Gは、塗布装置6に搬入される。   Subsequently, the glass substrate G is subjected to a predetermined drying process in the first drying unit 4 (step S103), and then carried into the first cooling unit 5 and cooled to a predetermined temperature (step S104). Thereafter, the glass substrate G is carried into the coating device 6.

塗布装置6において、ガラス基板Gは、たとえばスリットノズルを用いたスピンレス法により基板上面(被処理面)にレジスト液が塗布される(ステップS105)。その後、ガラス基板Gは、第2乾燥部7に搬入され、たとえば減圧による常温の乾燥処理を受ける(ステップS106)。   In the coating device 6, a resist solution is applied to the upper surface (surface to be processed) of the glass substrate G by, for example, a spinless method using a slit nozzle (step S105). Thereafter, the glass substrate G is carried into the second drying unit 7, and subjected to, for example, a normal temperature drying process by reduced pressure (step S106).

第2乾燥部7から搬出されたガラス基板Gは、プリベイク部8に搬入され、プリベイク部8において所定の温度で加熱される(ステップS107)。この処理により、ガラス基板G上のレジスト膜中に残留していた溶剤が蒸発して除去され、ガラス基板Gに対するレジスト膜の密着性が強化される。   The glass substrate G carried out of the second drying unit 7 is carried into the pre-baking unit 8 and heated to a predetermined temperature in the pre-baking unit 8 (step S107). By this treatment, the solvent remaining in the resist film on the glass substrate G is evaporated and removed, and the adhesion of the resist film to the glass substrate G is enhanced.

つづいて、ガラス基板Gは、第2冷却部9に搬入され、第2冷却部9において所定の温度まで冷却される(ステップS108)。その後、ガラス基板Gは、インタフェースステーション10の搬送装置10aによって露光装置20に搬入される。なお、ガラス基板Gは、露光装置20に搬入される前に図示しない周辺露光装置に搬入されてもよい。   Subsequently, the glass substrate G is carried into the second cooling unit 9 and cooled to a predetermined temperature in the second cooling unit 9 (step S108). Thereafter, the glass substrate G is carried into the exposure device 20 by the transfer device 10 a of the interface station 10. The glass substrate G may be carried into the peripheral exposure device (not shown) before being carried into the exposure device 20.

露光装置20では、ガラス基板G上のレジストに所定の回路パターンが露光される(ステップS109)。そして、パターン露光を終えたガラス基板Gは、インタフェースステーション10の搬送装置10aによって露光装置20から搬出されて補助露光装置11へ搬入される。なお、ガラス基板Gは、補助露光装置11に搬入される前に図示しないタイトラーに搬入されてもよい。   In the exposure apparatus 20, a predetermined circuit pattern is exposed on the resist on the glass substrate G (step S109). Then, the glass substrate G which has finished the pattern exposure is carried out of the exposure device 20 by the transfer device 10 a of the interface station 10 and carried into the auxiliary exposure device 11. The glass substrate G may be carried into a non-illustrated tighter before being carried into the auxiliary exposure device 11.

補助露光装置11では、露光処理後のガラス基板Gに対し、現像処理後に得られるレジストパターンの膜厚や線幅の均一性を向上させるための後述するような特殊な補助露光処理が行われる(ステップS110)。補助露光処理を終えたガラス基板Gは、現像装置12に搬入され、現像装置12において現像、リンスおよび乾燥の一連の現像処理が施される(ステップS111)。   In the auxiliary exposure device 11, a special auxiliary exposure process, which will be described later, is performed on the glass substrate G after the exposure process to improve the uniformity of the film thickness and line width of the resist pattern obtained after the development process Step S110). The glass substrate G which has completed the auxiliary exposure process is carried into the developing device 12 and subjected to a series of developing processes of developing, rinsing and drying in the developing device 12 (step S111).

現像処理を終えたガラス基板Gは、ポストベイク部13に搬入され、ポストベイク部13において現像処理後の熱処理が施される(ステップS112)。これにより、ガラス基板Gのレジスト膜に残存していた現像液や洗浄液が蒸発して除去され、基板に対するレジストパターンの密着性が強化される。その後、ガラス基板Gは、第3冷却部14に搬入され、第3冷却部14において所定の温度まで冷却される(ステップS113)。   The glass substrate G which has been subjected to the development processing is carried into the post bake section 13 and subjected to heat treatment after the development processing in the post bake section 13 (step S112). As a result, the developer and the cleaning solution remaining on the resist film of the glass substrate G are evaporated and removed, and the adhesion of the resist pattern to the substrate is enhanced. Thereafter, the glass substrate G is carried into the third cooling unit 14 and cooled to a predetermined temperature in the third cooling unit 14 (step S113).

つづいて、ガラス基板Gは、検査部15に搬入される。検査部15では、ガラス基板G上のレジストパターンについて非接触の線幅検査や膜質・膜厚検査等が行われる(ステップS114)。検査部15における検査結果は、制御部17に出力され、制御部17によって図示しない記憶部に記憶される。   Subsequently, the glass substrate G is carried into the inspection unit 15. In the inspection unit 15, a noncontact line width inspection, a film quality / film thickness inspection, and the like are performed on the resist pattern on the glass substrate G (step S114). The inspection result in the inspection unit 15 is output to the control unit 17 and stored by the control unit 17 in a storage unit (not shown).

搬出部16は、検査を終えたガラス基板Gを検査部15から受け取って、カセットステーション1の搬送装置1bへ渡す。搬送装置1bは、搬出部16から受け取った処理済みのガラス基板GをカセットCに収容する(ステップS115)。以上により、1枚のガラス基板Gに対する基板処理の全工程が終了する。   The unloading unit 16 receives the glass substrate G after the inspection from the inspection unit 15 and delivers the glass substrate G to the transfer device 1 b of the cassette station 1. The transport device 1b stores the processed glass substrate G received from the unloading unit 16 in the cassette C (step S115). By the above, the whole process of the substrate processing to one glass substrate G is completed.

補助露光装置11は、露光処理後のガラス基板Gに対し、膜厚や線幅が所望の膜厚や線幅からずれている部位への局所的な露光処理を行うことにより、現像処理後に得られるレジストパターンの膜厚や線幅の均一性を向上させる。かかる補助露光装置11の動作は、制御部17によって制御される。   The auxiliary exposure device 11 is obtained after development processing by performing local exposure processing on a portion where the film thickness and line width deviate from the desired film thickness and line width on the glass substrate G after the exposure processing. The uniformity of the film thickness and line width of the resist pattern is improved. The operation of the auxiliary exposure device 11 is controlled by the control unit 17.

制御部17は、検査部15から取得した検査結果に基づいて補助露光装置11の動作を制御する。ここで、検査部15の検査結果から補助露光装置11の制御データを生成する方法の一例について図3A〜図3Dを参照して説明する。   The control unit 17 controls the operation of the auxiliary exposure device 11 based on the inspection result acquired from the inspection unit 15. Here, an example of a method of generating control data of the auxiliary exposure apparatus 11 from the inspection result of the inspection unit 15 will be described with reference to FIGS. 3A to 3D.

図3Aは、実施形態においてガラス基板G上の製品領域をマトリクス状に区画するフォーマットを示す図である。図3Bは、ガラス基板G上のマトリクス区画の各単位領域毎にレジストパターンの膜厚や線幅の測定値を演算してマッピングする仕組みを示す図である。図3Cは、ガラス基板G上のマトリクス区画の各単位領域毎に補正露光量を演算してマッピングする仕組みを示す図である。図3Dは、ガラス基板G上のマトリクス区画の各単位領域毎に照度の目標値を演算してマッピングする仕組みを示す図である。   FIG. 3A is a diagram showing a format for partitioning product areas on a glass substrate G in a matrix in the embodiment. FIG. 3B is a view showing a mechanism for calculating and mapping measured values of a film thickness and a line width of a resist pattern for each unit region of a matrix section on a glass substrate G. FIG. 3C is a view showing a mechanism for computing and mapping the correction exposure amount for each unit area of the matrix section on the glass substrate G. FIG. 3D is a view showing a mechanism for calculating and mapping a target value of illuminance for each unit region of matrix sections on the glass substrate G.

検査部15は、ポストベイク後のガラス基板G上に得られたレジストパターンの膜厚や線幅をたとえばガラス基板G上の幾つか(たとえば数十箇所)の代表点で測定する。また、制御部17は、レジストパターンの膜厚や線幅について、検査部15によって取得されたガラス基板G上の代表点における測定値を基に、所定の補間処理によってガラス基板G上の他の位置または領域における測定値(正確には推測値)を演算する。   The inspection unit 15 measures the film thickness and the line width of the resist pattern obtained on the post-baked glass substrate G at, for example, several (eg, several tens of) representative points on the glass substrate G. Further, the control unit 17 performs predetermined interpolation processing based on the measurement values at representative points on the glass substrate G acquired by the inspection unit 15 with respect to the film thickness and the line width of the resist pattern. Calculate the measured values (precisely estimated values) at the position or area.

たとえば、制御部17は、図3Aに示すようにガラス基板G上の製品領域PAをマトリクス状に区画し、マトリクス区画の各単位領域(i,j)毎にレジストパターンの膜厚や線幅の測定値(または補間処理で得られた推定値)Ai,jを演算して、メモリ内に構築されるテーブル上で図3Bに示すようにマッピングする。なお、図面では、理解を容易にするために、マトリクス区画を9列(j=1〜9)で示している。実際は、マトリクス区画の行数および列数のいずれも、少なくとも数十以上あり、FPD用の大型基板では百以上ある。   For example, as shown in FIG. 3A, the control unit 17 divides the product area PA on the glass substrate G into a matrix, and sets the film thickness and the line width of the resist pattern for each unit area (i, j) of the matrix section. Measured values (or estimated values obtained by interpolation processing) Ai, j are calculated and mapped as shown in FIG. 3B on a table constructed in the memory. In the drawing, matrix partitions are shown in nine columns (j = 1 to 9) in order to facilitate understanding. In practice, both the number of rows and the number of columns of matrix sections are at least several tens or more, and one hundred or more for large substrates for FPD.

つづいて、制御部17は、ガラス基板G上のマトリクス区画の各単位領域(i,j)毎に補正露光量Bi,jを演算して、たとえばメモリ内に構築されるテーブル上で図3Cに示すようにマッピングする。ここで、補正露光量Bi,jは、各単位領域(i,j)内のレジストパターンの膜厚や線幅について測定値と設定値との差分(誤差)を零に近づけるための露光量である。   Subsequently, the control unit 17 calculates the correction exposure amount Bi, j for each unit area (i, j) of the matrix section on the glass substrate G, for example, as shown in FIG. Map as shown. Here, the correction exposure amount Bi, j is an exposure amount for bringing the difference (error) between the measured value and the setting value for the film thickness or line width of the resist pattern in each unit region (i, j) closer to zero. is there.

つづいて、制御部17は、ガラス基板G上のマトリクス区画の各単位領域(i,j)毎に照度の目標値Ci,jを演算して、たとえばメモリ内に構築されるテーブル上で図3Dに示すようにマッピングする。ここで、補助露光装置11においてマトリクス区画の各単位領域(i,j)当たりの紫外線照射時間をtSとすると、Ci,j=Bi,j/tSである。   Subsequently, the control unit 17 calculates the target value Ci, j of the illuminance for each unit area (i, j) of the matrix section on the glass substrate G, for example, as shown in FIG. Map as shown in. Here, assuming that the ultraviolet irradiation time per unit area (i, j) of the matrix section in the auxiliary exposure device 11 is tS, then Ci, j = Bi, j / tS.

[補助露光装置の構成]
次に、実施形態に係る補助露光装置11の構成について図4および図5を参照して説明する。図4は、実施形態に係る補助露光装置11の構成を示す図である。また、図5は、光源ユニット32から照射される紫外線の照射領域を示す図である。
[Configuration of Auxiliary Exposure Device]
Next, the configuration of the auxiliary exposure apparatus 11 according to the embodiment will be described with reference to FIGS. 4 and 5. FIG. 4 is a view showing the configuration of the auxiliary exposure apparatus 11 according to the embodiment. Moreover, FIG. 5 is a figure which shows the irradiation area | region of the ultraviolet-ray irradiated from the light source unit 32. As shown in FIG.

図4に示すように、補助露光装置11は、ガラス基板Gを走査方向(X軸負方向)に搬送する平流し搬送部30と、この平流し搬送部30によって搬送されるガラス基板G上のレジストに光、具体的には所定波長の紫外線(UV)を照射する光源ユニット32とを備える。また、補助露光装置11は、光源ユニット32によって照射される光の照度を測定する照度測定部38と、装置内の各部を制御するための制御部17と、制御部17で用いる各種プログラムおよびデータを蓄積または保存するメモリ42とを備える。   As shown in FIG. 4, the auxiliary exposure device 11 has a flat-flow transfer unit 30 that transfers the glass substrate G in the scanning direction (X-axis negative direction), and the glass substrate G transferred by the flat-flow transfer unit 30. The resist is provided with a light source unit 32 for irradiating light, specifically, ultraviolet light (UV) of a predetermined wavelength. In addition, the auxiliary exposure device 11 includes an illuminance measurement unit 38 that measures the illuminance of light emitted by the light source unit 32, a control unit 17 that controls each unit in the device, and various programs and data used by the control unit 17. And a memory 42 for storing or storing the

平流し搬送部30は、たとえば多数のコロ44を搬送方向に敷設してなるコロ搬送路46と、このコロ搬送路46上でガラス基板Gを搬送するために各コロ44をたとえばベルトやギア等を有する伝動機構48を介して回転駆動する走査駆動部50とを有している。コロ搬送路46は、図1に示す基板処理システム100において、インタフェースステーション10からカセットステーション1への搬送復路の一部を構成する。   The flat-flow transport unit 30 includes, for example, a roller transport path 46 formed by laying a large number of rollers 44 in the transport direction, and belts, gears, and the like for transporting the glass substrate G on the roller transport path 46. And a scan drive unit 50 that is rotationally driven via a transmission mechanism 48. The roller transport path 46 constitutes a part of the transport return path from the interface station 10 to the cassette station 1 in the substrate processing system 100 shown in FIG.

平流し搬送部30は、露光処理後のガラス基板Gを平流しで補助露光装置11内に搬入し、補助露光装置11内で補助露光処理の走査のためにガラス基板Gを平流しで搬送し、補助露光処理を終えたガラス基板Gを平流しで現像装置12へ搬出する。なお、制御部17は、コロ搬送路46の所々に配置されている位置センサ(図示せず)を通じてガラス基板Gの現時の位置を検出ないし把握できるようになっている。   The flat-flow transport unit 30 flat-flows the glass substrate G after the exposure processing into the auxiliary exposure device 11, and transports the glass substrate G in parallel flow for scanning of the auxiliary exposure processing in the auxiliary exposure device 11. Then, the glass substrate G on which the auxiliary exposure process has been completed is unloaded to the developing device 12 in a plane flow. The control unit 17 can detect or grasp the current position of the glass substrate G through position sensors (not shown) arranged at places of the roller conveyance path 46.

光源ユニット32は、コロ搬送路46の上方に配置され、図示しない支持部材により支持される。図5に示すように、光源ユニット32は、走査方向と交差する方向(Y軸方向)における幅がガラス基板Gよりも短く、この方向(Y軸方向)におけるガラス基板Gの(言い換えればコロ搬送路46の)中央部に配置される。かかる光源ユニット32は、走査方向(X軸負方向)に搬送されるガラス基板Gに対し、走査方向と交差する方向(Y軸方向)を長手方向とするライン状の光を照射する。   The light source unit 32 is disposed above the roller conveyance path 46 and supported by a support member (not shown). As shown in FIG. 5, in the light source unit 32, the width in the direction (Y-axis direction) intersecting the scanning direction is shorter than the glass substrate G, and in this direction (Y-axis direction) Located in the middle of the road 46). The light source unit 32 emits, to the glass substrate G transported in the scanning direction (X-axis negative direction), linear light whose longitudinal direction is the direction (Y-axis direction) intersecting the scanning direction.

図4に示すように、本実施形態に係る光源ユニット32は、デジタルマイクロミラーデバイス(以下、DMDと記載する)325を含んで構成される。   As shown in FIG. 4, the light source unit 32 according to the present embodiment is configured to include a digital micro mirror device (hereinafter, described as DMD) 325.

DMD325は、多数の可動式マイクロミラー(以下、ミラーと記載する)を有する空間光変調器である。1つのミラーの鏡面サイズは、たとえば10数μmであり、DMD325には、かかるミラーが数10〜数100万個マトリクス状に配列される。   The DMD 325 is a spatial light modulator having a large number of movable micro mirrors (hereinafter referred to as mirrors). The mirror surface size of one mirror is, for example, ten and several μm, and in the DMD 325, several tens to several millions of such mirrors are arranged in a matrix.

各ミラーは、ガラス基板G上に向けて光を反射させるオン角度と、ガラス基板G以外の場所に向けて光を反射させるオフ角度との間で変位可能である。   Each mirror is displaceable between an on angle that reflects light toward the glass substrate G and an off angle that reflects light toward a location other than the glass substrate G.

制御部17は、DMD325の各ミラーの動作を制御し、オン角度およびオフ角度の時間比率をミラーごとに調整することで、各ミラーに対応するガラス基板G上の単位領域ごとに、当該単位領域に照射される光の照度を調整する。   The control unit 17 controls the operation of each mirror of the DMD 325, and adjusts the time ratio of the on angle and the off angle for each mirror, to thereby obtain the unit area for each unit area on the glass substrate G corresponding to each mirror. Adjust the illuminance of the light emitted to the

具体的には、制御部17は、光源ユニット32を通過するガラス基板G上の単位領域(i,j)に対し、各単位領域(i,j)の照度が目標値Ci,jとなるように、各ミラーごとにオン角度およびオフ角度の時間比率を調整する。制御部17は、コロ搬送路46によるガラス基板Gの走査方向への移動に同期させて、走査方向に交差する方向に並んだ単位領域の列ごとに上記処理を行うことで、1枚のガラス基板Gにおける全単位領域に対して補助露光処理を行う。   Specifically, with respect to the unit area (i, j) on the glass substrate G passing the light source unit 32, the control unit 17 causes the illuminance of each unit area (i, j) to become the target value Ci, j. Adjust the time ratio of the on angle and the off angle for each mirror. The control unit 17 synchronizes the movement of the glass substrate G in the scanning direction by the roller conveyance path 46, and performs the above-described processing for each row of unit areas aligned in the direction intersecting the scanning direction, thereby forming one glass An auxiliary exposure process is performed on the entire unit area of the substrate G.

かかるDMD325では、極小のミラーの1つ1つをガラス基板G上の単位領域に対応させることができる。言い換えれば、DMD325を用いることにより、ガラス基板G上に設定される単位領域のサイズをミラーのサイズに応じて小さくすることができる。したがって、本実施形態に係る補助露光装置11によれば、LED素子本体のサイズ(5mm程度)による制約を受ける従来の補助露光装置と比較して、露光分解能を高めることができる。   In the DMD 325, each of the tiny mirrors can be made to correspond to a unit area on the glass substrate G. In other words, by using the DMD 325, the size of the unit area set on the glass substrate G can be reduced according to the size of the mirror. Therefore, according to the auxiliary exposure apparatus 11 according to the present embodiment, the exposure resolution can be enhanced as compared with the conventional auxiliary exposure apparatus which is restricted by the size (about 5 mm) of the LED element main body.

[光源ユニットの構成]
次に、上述したDMD325を備える光源ユニット32の構成の一例について図6を参照して説明する。図6は、光源ユニット32の構成を示す図である。なお、光源ユニット32の構成は、図6に示す構成に限定されない。
[Configuration of light source unit]
Next, an example of the configuration of the light source unit 32 including the above-described DMD 325 will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a diagram showing the configuration of the light source unit 32. As shown in FIG. The configuration of the light source unit 32 is not limited to the configuration shown in FIG.

図6に示すように、光源ユニット32は、光源321と、第1レンズ322と、反射鏡323と、第2レンズ324と、DMD325と、投射レンズ326と、ライトトラップ327とを備える。   As shown in FIG. 6, the light source unit 32 includes a light source 321, a first lens 322, a reflecting mirror 323, a second lens 324, a DMD 325, a projection lens 326, and a light trap 327.

光源321は、紫外線(UV)を出射する。光源321としては、たとえばLEDやレーザービーム発生器等を用いることができる。第1レンズ322は、光源321およびDMD325間の光路上に配置され、光源321から出射された光を拡大させる。反射鏡323は、第1レンズ322およびDMD325間の光路上に配置され、第1レンズ322によって拡大された光をDMD325に向けて反射させる。なお、この反射鏡323の角度は、固定である。   The light source 321 emits ultraviolet (UV) light. As the light source 321, for example, an LED or a laser beam generator can be used. The first lens 322 is disposed on the light path between the light source 321 and the DMD 325 and magnifies the light emitted from the light source 321. The reflecting mirror 323 is disposed on the optical path between the first lens 322 and the DMD 325, and reflects the light expanded by the first lens 322 toward the DMD 325. The angle of the reflecting mirror 323 is fixed.

第2レンズ324は、反射鏡323およびDMD325間の光路上に配置され、反射鏡323によって反射された光の分布を均一化させる。DMD325は、矩形状のミラーMを多数有し、制御部17の制御に従って各ミラーMを駆動させることにより、ガラス基板G上に照射される光の照度を単位領域ごとに調整する。   The second lens 324 is disposed on the optical path between the reflecting mirror 323 and the DMD 325 to make the distribution of the light reflected by the reflecting mirror 323 uniform. The DMD 325 has a large number of rectangular mirrors M, and drives each mirror M according to the control of the control unit 17 to adjust the illuminance of light irradiated onto the glass substrate G for each unit area.

投射レンズ326は、DMD325およびガラス基板G間の光路上に配置され、DMD325によってガラス基板Gへ向けて反射された光をガラス基板Gに対してライン状に拡大して投射する。ライトトラップ327は、オフ角度のミラーMによって反射される光の光路上に配置され、かかる光を吸収する。   The projection lens 326 is disposed on the light path between the DMD 325 and the glass substrate G, and projects the light reflected by the DMD 325 toward the glass substrate G in a linear form on the glass substrate G. A light trap 327 is placed on the light path of the light reflected by the off-angle mirror M to absorb such light.

このように、実施形態に係る補助露光装置11は、単一の光源321を有する単一の光源ユニット32を備える。したがって、複数のLED素子を光源として用いる従来の補助露光装置と比較し、たとえば、異なる光源から照射された光同士の重なりを考慮して各光源の照度を調整すると行った煩雑な処理が不要となる。   Thus, the auxiliary exposure apparatus 11 according to the embodiment includes the single light source unit 32 having the single light source 321. Therefore, compared with the conventional auxiliary exposure apparatus using a plurality of LED elements as light sources, for example, adjusting the illuminance of each light source in consideration of the overlap of lights emitted from different light sources eliminates the need for complicated processing. Become.

なお、補助露光装置11は、複数の光源ユニット32を備えていてもよい。かかる場合であっても、光源ユニット32が備えるDMD325は、矩形状のミラーMによって光を矩形状に反射することができるため、たとえば光を円形に照射するLED素子を有する従来の補助露光装置と比較し、異なる光源ユニット32から照射された光同士が重なりにくい。したがって、光同士の重なりを考慮して各光源の照度を調整するといった煩雑な処理が不要である。   The auxiliary exposure device 11 may include a plurality of light source units 32. Even in such a case, since the DMD 325 included in the light source unit 32 can reflect light in a rectangular shape by the rectangular mirror M, for example, a conventional auxiliary exposure device having an LED element for emitting light circularly In comparison, lights emitted from different light source units 32 do not easily overlap with each other. Therefore, the complicated process of adjusting the illuminance of each light source in consideration of the overlap of the lights is unnecessary.

また、図1に示すように、本実施形態に係る補助露光装置11は、露光装置20の後段側かつ現像装置12の前段に配置される。すなわち、仮に、露光処理の精度が高かったとしても、その後に行われる現像処理の精度が低い場合には、膜厚や線幅にずれが生じるおそれがある。したがって、膜厚や線幅のずれを適切に補正するためには、本実施形態に係る補助露光装置11のように、現像処理前の全ての工程を終えた後、すなわち、現像装置12の直前に補助露光装置11を配置することが好ましい。本実施形態に係る基板処理システム100によれば、現像処理後のガラス基板Gの膜厚や線幅を検査部15により検査し、その検査結果を現像処理直前の補助露光処理にフィードバックすることで、膜厚や線幅を適切に補正することができる。   Further, as shown in FIG. 1, the auxiliary exposure device 11 according to the present embodiment is disposed on the rear side of the exposure device 20 and on the front side of the developing device 12. That is, even if the accuracy of the exposure processing is high, if the accuracy of the development processing to be performed thereafter is low, there is a possibility that the film thickness and the line width may be deviated. Therefore, in order to properly correct the film thickness and the line width deviation, as in the auxiliary exposure device 11 according to the present embodiment, after all the steps before the development processing are completed, that is, immediately before the development device 12 Preferably, the auxiliary exposure device 11 is disposed at According to the substrate processing system 100 according to the present embodiment, the film thickness and the line width of the glass substrate G after the development processing are inspected by the inspection unit 15, and the inspection result is fed back to the auxiliary exposure processing just before the development processing. Film thickness and line width can be properly corrected.

なお、補助露光装置11の配置は上記の例に限定されず、塗布装置6の後段側かつ現像装置12の前段側であれば任意の位置に配置することができる。   The arrangement of the auxiliary exposure device 11 is not limited to the above-described example, and can be arranged at any position as long as it is on the downstream side of the coating device 6 and on the upstream side of the developing device 12.

[照度分布調整処理]
ところで、DMD325の反射光をガラス基板Gの幅まで拡大した場合、照度分布が不均一化することが懸念される。具体的には、光源ユニット32から照射されるライン状の光のうち、DMD325から遠い端部側の照度がDMD325に近い中央部の照度と比べて低下するおそれがある。特に、本実施形態に係る補助露光装置11のように、単一の光源ユニット32を用いる場合には、上記のような照度分布の不均一化が生じ易い。
[Illumination distribution adjustment processing]
By the way, when the reflected light of the DMD 325 is expanded to the width of the glass substrate G, there is a concern that the illuminance distribution may become uneven. Specifically, of the linear light emitted from the light source unit 32, the illuminance on the end side far from the DMD 325 may be lower than the illuminance on the central portion closer to the DMD 325. In particular, in the case of using a single light source unit 32 as in the auxiliary exposure apparatus 11 according to the present embodiment, the uneven distribution of the illuminance distribution as described above is likely to occur.

そこで、補助露光装置11では、照度測定部38を備えるとともに、かかる照度測定部38を用いて光源ユニット32から照射されるライン状の光の照射分布を測定する処理を事前に行い、その結果を加味して補助露光処理における光源ユニット32への指令値を決定するようにしてもよい。   Therefore, the auxiliary exposure device 11 includes the illuminance measurement unit 38 and performs in advance a process of measuring the irradiation distribution of the linear light emitted from the light source unit 32 using the illuminance measurement unit 38, and the result is shown in FIG. The command value to the light source unit 32 in the auxiliary exposure process may be determined in consideration.

照度測定部38は、たとえば、紫外線の照度を測定するための照度計と、この照度計を光源ユニット32の真下で照射ライン方向(Y軸方向)に移動させるための移動機構とを備えている。照度計は、その頂部付近に光電変換素子たとえばフォトダイオードを有しており、その受光面に入射した紫外線の光強度に対応した電気信号(照度測定信号)を生成するようになっている。照度計より出力される照度測定信号は、たとえば、アナログ−デジタル変換器を介して制御部17に送られる。   The illuminance measurement unit 38 includes, for example, an illuminance meter for measuring the illuminance of ultraviolet light, and a moving mechanism for moving the illuminance meter in the irradiation line direction (Y-axis direction) directly below the light source unit 32. . The illuminance meter has a photoelectric conversion element such as a photodiode near its top, and generates an electrical signal (illuminance measurement signal) corresponding to the light intensity of the ultraviolet light incident on the light receiving surface. The illuminance measurement signal output from the illuminance meter is sent to the control unit 17 via, for example, an analog-digital converter.

移動機構は、照度計の受光部がコロ搬送路46上を移動するときのガラス基板Gの表面と同じ高さになるように照度計をキャリッジに搭載し、光源ユニット32と平行(Y軸方向)に延びるレール上でたとえばリニアモータによりキャリッジおよび照度計を双方向で任意に移動させ、レール上の任意の位置に照度計を停止または静止できるようになっている。   The movement mechanism mounts the luminometer on the carriage so that the light receiving part of the luminometer is at the same height as the surface of the glass substrate G when moving on the roller conveyance path 46, parallel to the light source unit 32 (Y-axis direction The carriage and the luminometer can be arbitrarily moved bi-directionally by, for example, a linear motor on the rail extending to the), so that the luminometer can be stopped or stopped at any position on the rail.

制御部17は、DMD325を制御して、各ミラーMを同一の時間比率(たとえば、オン角度:オフ角度=1:1)で駆動させ、照度測定部38を制御して、照度計を照射ライン方向(Y軸方向)に移動させながら各位置の照度を測定させる。これにより、光源ユニット32によって照射されるライン状の光の照度分布が取得される。制御部17は、取得した照度分布をメモリ42に格納する。   The control unit 17 controls the DMD 325 to drive each mirror M at the same time ratio (for example, on-angle: off-angle = 1: 1), and controls the illuminance measuring unit 38 to irradiate the illuminance meter with the illumination line. The illuminance at each position is measured while moving in the direction (Y-axis direction). Thereby, the illuminance distribution of the linear light irradiated by the light source unit 32 is acquired. The control unit 17 stores the acquired illuminance distribution in the memory 42.

制御部17は、補助露光処理に先立ち、図3Dに示すような照射マップとメモリ42のテーブルに格納した照度分布とを参照して、ガラス基板G上のマトリクス区画の各単位領域(i,j)毎に指令値Vi,jを演算して、たとえばメモリ42内に構築されるテーブル上でマッピングする。   The control unit 17 refers to the irradiation map as shown in FIG. 3D and the illuminance distribution stored in the table of the memory 42 prior to the auxiliary exposure processing, to form each unit area (i, j of the matrix section on the glass substrate G). The command value Vi, j is calculated for each) and mapped on a table constructed in the memory 42, for example.

そして、制御部17は、光源ユニット32およびコロ搬送路46を制御して、補助露光処理のためのガラス基板Gと光源ユニット32間の走査を行わせる。この走査では、ガラス基板Gの上のマトリクス区画の第i行の単位領域(i,1)〜(i,9)が光源ユニット32の真下を通過する時に、光源ユニット32に対して第i行分の各指令値Vi,1〜Vi,9を与える。これにより、第i行の単位領域(i,1)〜(i,9)に対して、光源ユニット32からライン状の光が単位領域ごとに独立した照度で一定時間照射される。   Then, the control unit 17 controls the light source unit 32 and the roller conveyance path 46 to perform scanning between the glass substrate G and the light source unit 32 for the auxiliary exposure process. In this scanning, when the unit regions (i, 1) to (i, 9) of the i-th row of the matrix section on the glass substrate G pass directly below the light source unit 32, the i-th row Each command value Vi, 1 to Vi, 9 of the minute is given. Thus, line-shaped light is emitted from the light source unit 32 to the unit regions (i, 1) to (i, 9) of the i-th row for a certain period of time with independent illuminance per unit region.

こうして、ガラス基板Gが光源ユニット32の真下を通過する際に、照射ライン(マトリクス区画の各行)上で単位領域(i,j)毎に独立した照度または露光量の補助的露光が行われる。   Thus, when the glass substrate G passes directly below the light source unit 32, auxiliary exposure of the illuminance or exposure amount independent for each unit area (i, j) is performed on the irradiation line (each row of the matrix section).

このように、補助露光装置11の制御部17は、現像処理後のガラス基板Gにおける膜厚および線幅の少なくとも1つの測定結果と、複数のミラーMを均一に制御した場合において光源ユニット32から照射されるライン状の光の照度分布とに基づき、各ミラーMの動作を制御してもよい。このようにすることで、照度分布の不均一により生じる補助露光処理の精度低下を抑えることができる。   As described above, the control unit 17 of the auxiliary exposure device 11 measures the film thickness and the line width of the glass substrate G after the development processing at least one from the light source unit 32 when uniformly controlling the plurality of mirrors M and the plurality of mirrors M. The operation of each mirror M may be controlled based on the illumination distribution of linear light to be irradiated. By doing this, it is possible to suppress the decrease in accuracy of the auxiliary exposure process caused by the non-uniformity of the illuminance distribution.

なお、上述した実施形態では、1つの単位領域に対して1つのミラーMを対応させる場合の例について説明したが、対応させるミラーMの数を単位領域ごとに異ならせてもよい。   In the embodiment described above, an example in which one mirror M is made to correspond to one unit area has been described, but the number of mirrors M to be made to correspond may be different for each unit area.

たとえば、補助露光装置11が単一の光源ユニット32を備える場合、光学系の構成によっては、1つのミラーMからライン方向におけるガラス基板Gの端部に照射される光の照射範囲が、1つのミラーMからライン方向におけるガラス基板Gの中央(すなわち光源ユニット32の真下)に照射される光の照射範囲と比べて大きくなる可能性がある。   For example, when the auxiliary exposure device 11 includes a single light source unit 32, depending on the configuration of the optical system, the irradiation range of light irradiated to the end of the glass substrate G in one line direction from one mirror M is one It may be larger than the irradiation range of light irradiated from the mirror M to the center of the glass substrate G in the line direction (that is, immediately below the light source unit 32).

そこで、補助露光装置11は、ライン方向端部側の単位領域に対して1または複数のミラーMを対応付けると共に、ライン方向中央部側の単位領域に対して、ライン方向端部側の単位領域よりも多くのミラーMを対応付けるようにしてもよい。すなわち、仮に、1つのミラーMからライン方向端部側に照射される光の照射範囲が、1つのミラーMからライン方向中央部側に照射される光の照射範囲の2倍の大きさになる場合には、ライン方向端部側の単位領域に対して1つのミラーMを対応付けると共に、ライン方向中央部側の単位領域に対して2つのミラーMを対応付けるようにしてもよい。このようにすることで、照射範囲の差による補助露光処理の精度低下を抑えることが出来る。   Therefore, the auxiliary exposure device 11 associates the one or more mirrors M with the unit area at the end in the line direction and the unit area at the end in the line direction with respect to the unit area at the center in the line direction. Many mirrors M may be associated. That is, temporarily, the irradiation range of light irradiated from one mirror M to the end in the line direction is twice as large as the irradiation range of light irradiated from the one mirror M to the center in the line direction. In this case, one mirror M may be associated with the unit area at the end in the line direction, and two mirrors M may be associated with the unit area at the center in the line direction. By doing this, it is possible to suppress the decrease in accuracy of the auxiliary exposure process due to the difference in the irradiation range.

また、DMD325は、熱によって反射特性が変化するおそれがある。そこで、補助露光装置11は、DMD325の温度を調整する温度調整部を備えていてもよい。温度調整部としては、たとえばヒートシンクやベルチェモジュール等を用いることができる。   Also, the DMD 325 may change its reflection characteristics due to heat. Therefore, the auxiliary exposure device 11 may be provided with a temperature adjustment unit that adjusts the temperature of the DMD 325. As a temperature control part, a heat sink, a Bertier module, etc. can be used, for example.

また、上述した実施形態では、ガラス基板Gを平流しで搬送する平流し搬送部30を備え、光源ユニット32を走査方向で一定位置に固定した。しかし、ガラス基板Gをたとえばステージに固定し、ステージ上で光源ユニット32を走査方向に移動させる走査方式や、ガラス基板Gと光源ユニット32の双方を移動させる走査方式も可能である。   Further, in the embodiment described above, the flat-flow transport unit 30 that transports the glass substrate G flat-flow is provided, and the light source unit 32 is fixed at a fixed position in the scanning direction. However, a scanning method in which the glass substrate G is fixed to, for example, a stage and the light source unit 32 is moved in the scanning direction on the stage, or a scanning method in which both the glass substrate G and the light source unit 32 are moved is also possible.

また、上述した実施形態では、被処理基板がFPD用のガラス基板であるものとしたが、これに限らず、他のフラットパネルディスプレイ用基板、半導体ウェハ、有機EL、太陽電池用の各種基板、CD基板、フォトマスク、プリント基板等であってもよい。   In the embodiment described above, although the substrate to be treated is a glass substrate for FPD, the present invention is not limited to this, and other substrates for flat panel displays, semiconductor wafers, organic EL, various substrates for solar cells, It may be a CD substrate, a photomask, a printed circuit board or the like.

上述してきたように、実施形態に係る補助露光装置は、被処理基板に対して露光処理を行う露光装置の前段側または後段側に配置され、被処理基板に対して局所的に露光処理を行う補助露光装置であって、搬送部と、光源ユニットとを備える。搬送部は、被処理基板を走査方向に搬送する。光源ユニットは、走査方向に搬送される被処理基板に対し、走査方向と交差する方向を長手方向とするライン状の光を照射する。また、光源ユニットは、複数の可動式マイクロミラーを配列したデジタルマイクロミラーデバイスを含んで構成される。したがって、実施形態に係る補助露光装置によれば、露光分解能を高めることができる。   As described above, the auxiliary exposure apparatus according to the embodiment is disposed upstream or downstream of the exposure apparatus that performs the exposure process on the processing target substrate, and performs the exposure process locally on the processing target substrate The auxiliary exposure device includes a transport unit and a light source unit. The transport unit transports the target substrate in the scanning direction. The light source unit emits line-shaped light whose longitudinal direction is a direction intersecting with the scanning direction to the processing target substrate transported in the scanning direction. Also, the light source unit is configured to include a digital micro mirror device in which a plurality of movable micro mirrors are arranged. Therefore, the auxiliary exposure apparatus according to the embodiment can increase the exposure resolution.

さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。   Further effects and modifications can be easily derived by those skilled in the art. Thus, the broader aspects of the invention are not limited to the specific details and representative embodiments represented and described above. Accordingly, various modifications may be made without departing from the spirit or scope of the general inventive concept as defined by the appended claims and their equivalents.

11 補助露光装置
12 現像装置
17 制御部
20 露光装置
30 平流し搬送部
32 光源ユニット
38 照度測定部
46 コロ搬送路
100 基板処理システム
325 DMD
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Auxiliary exposure apparatus 12 Development apparatus 17 Control part 20 Exposure apparatus 30 Flat-flow conveyance part 32 Light source unit 38 Illuminance measurement part 46 Roller conveyance path 100 Substrate processing system 325 DMD

Claims (3)

被処理基板に対して露光処理を行う露光装置の前段側または後段側に配置され、前記被処理基板に対して局所的に露光処理を行う補助露光装置であって、
前記被処理基板に対してライン状の光を照射する光源ユニット
を備え、
前記光源ユニットは、
複数の可動式マイクロミラーを有する空間光変調器と、
前記複数の可動式マイクロミラーを有する空間光変調器および前記被処理基板間の光路上に配置され、前記複数の可動式マイクロミラーを有する空間光変調器によって反射された光を前記被処理基板に対して前記ライン状に拡大して投射する投射レンズと
を備える、補助露光装置。
An auxiliary exposure apparatus which is disposed upstream or downstream of an exposure apparatus that performs exposure processing on a substrate to be processed, and performs exposure processing locally on the substrate to be processed,
A light source unit configured to emit linear light to the processing target substrate;
The light source unit is
A spatial light modulator having a plurality of movable micro mirrors;
A spatial light modulator having the plurality of movable micro mirrors and light reflected by the spatial light modulator disposed on the light path between the plurality of movable micro mirrors and disposed on the light path between the plurality of movable micro mirrors are transmitted to the substrate. An auxiliary exposure device comprising: a projection lens for enlarging and projecting in the form of a line;
前記被処理基板と前記光源ユニットとの相対位置を走査方向に沿って変更する走査部
を備える、請求項1に記載の補助露光装置。
The auxiliary exposure apparatus according to claim 1, further comprising: a scanning unit configured to change a relative position between the substrate to be processed and the light source unit along a scanning direction.
複数の前記光源ユニット
を備える、請求項1または2に記載の補助露光装置。
The auxiliary exposure apparatus according to claim 1, comprising a plurality of the light source units.
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