JP5568972B2 - 有機光電変換素子、それを用いた太陽電池及び光センサアレイ - Google Patents
有機光電変換素子、それを用いた太陽電池及び光センサアレイInfo
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Description
2.前記一般式(3)におけるY 3 及びY 4 が硫黄原子であることを特徴とする前記1に記載の有機光電変換素子。
3.前記光電変換層が溶液塗布法によって作製されたことを特徴とする前記1または2に記載の有機光電変換素子。
4.前記一般式(1)または(3)で表される構造を有する化合物が、高分子化合物であることを特徴とする前記1〜3のいずれかに記載の有機光電変換素子。
5.前記一般式(1)または(3)で表される構造を有する化合物の分子量が、5000〜26000であることを特徴とする、前記4に記載の有機光電変換素子。
6.前記一般式(1または(3))で表される構造を有する化合物の分子量が、10000〜26000であることを特徴とする、前記4に記載の有機光電変換素子。
7.前記光電変換層が、電子受容性のフラーレン化合物と、電子供与性の高分子化合物とを含有し、前記一般式(1)または(3)で表される構造を有する化合物が低分子化合物であることを特徴とする前記(1)〜(3)のいずれかに記載の有機光電変換素子。
8.前記1〜7のいずれかに記載の有機光電変換素子からなることを特徴とする太陽電池。
9.前記1〜7のいずれかに記載の有機光電変換素子からなることを特徴とする光センサアレイ。
図1は、バルクヘテロジャンクション型の有機光電変換素子を示す断面図である。図1において、バルクヘテロジャンクション型の有機光電変換素子10は、基板11の一方面上に、透明電極(一般に陽極)12、正孔輸送層17、光電変換層14、電子輸送層18及び対電極(一般に陰極)13が順次積層されている。
本発明において、p型半導体材料としては前記一般式(1)で表される構造を有する化合物が用いられる。
[n型半導体材料]
本発明に係る光電変換層に用いられるn型半導体材料としては、特に限定されないが、例えば、フラーレン、オクタアザポルフィリン等、p型半導体の水素原子をフッ素原子に置換したパーフルオロ体(パーフルオロペンタセンやパーフルオロフタロシアニン等)、ナフタレンテトラカルボン酸無水物、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、ペリレンテトラカルボン酸無水物、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド等の芳香族カルボン酸無水物やそのイミド化物を骨格として含む高分子化合物等を挙げることができる。
電子受容体と電子供与体とが混合された光電変換層の形成方法としては、蒸着法、塗布法(キャスト法、スピンコート法を含む)等を例示することができる。このうち、前述の正孔と電子が電荷分離する界面の面積を増大させ、高い光電変換効率を有する素子を作製するためには、塗布法が好ましい。また、塗布法は製造速度にも優れている。
本発明の有機光電変換素子は、光電変換層と対電極との中間に電子輸送層を形成することで、光電変換層で発生した電荷をより効率的に取り出すことが可能となるため、これらの層を有していることが好ましい。
本発明の有機光電変換素子は、光電変換層と透明電極との中間には正孔輸送層を、光電変換層で発生した電荷をより効率的に取り出すことが可能となるため、これらの層を有していることが好ましい。
エネルギー変換効率の向上や、素子寿命の向上を目的に、各種中間層を素子内に有する構成としてもよい。中間層の例としては、正孔ブロック層、電子ブロック層、正孔注入層、電子注入層、励起子ブロック層、UV吸収層、光反射層、波長変換層などを挙げることができる。
本発明の有機光電変換素子においては、少なくとも透明電極(陽極)と対電極(陰極)とを有する。また、タンデム構成をとる場合には、中間電極を用いることでタンデム構成を達成することができる。
本発明の透明電極は、好ましくは380〜800nmの光を透過する電極である。材料としては、例えば、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO2、ZnO等の透明導電性金属酸化物、金、銀、白金等の金属薄膜、金属ナノワイヤ、カーボンナノチューブ用いることができる。
対電極は導電材単独層であってもよいが、導電性を有する材料に加えて、これらを保持する樹脂を併用してもよい。対電極の導電材としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。
また、前記図3のようなタンデム構成の場合に必要となる中間電極の材料としては、透明性と導電性を併せ持つ化合物を用いた層であることが好ましく、前記透明電極で用いたような材料(ITO、AZO、FTO、酸化チタン等の透明金属酸化物、Ag、Al、Au等の非常に薄い金属層またはナノ粒子・ナノワイヤを含有する層、PEDOT:PSS、ポリアニリン等の導電性高分子材料等)を用いることができる。
基板側から光電変換される光が入射する場合、基板はこの光電変換される光を透過させることが可能な、即ちこの光電変換すべき光の波長に対して透明な部材であることが好ましい。基板は、例えば、ガラス基板や樹脂基板等が好適に挙げられるが、軽量性と柔軟性の観点から透明樹脂フィルムを用いることが望ましい。本発明で透明基板として好ましく用いることができる透明樹脂フィルムには特に制限がなく、その材料、形状、構造、厚み等については公知のものの中から適宜選択することができる。
本発明の有機光電変換素子は、太陽光のより効率的な受光を目的として、各種の光学機能層を有していてよい。光学機能層としては、例えば、反射防止膜、マイクロレンズアレイ等の集光層、対電極で反射した光を散乱させて再度発電層に入射させることができるような光拡散層などを設けてもよい。
本発明に係る電極、発電層、正孔輸送層、電子輸送層等をパターニングする方法やプロセスには特に制限はなく、公知の手法を適宜適用することができる。
また、作製した有機光電変換素子が環境中の酸素、水分等で劣化しないために、有機光電変換素子だけでなく有機エレクトロルミネッセンス素子などで公知の手法によって封止することが好ましい。
次に、以上説明したバルクヘテロジャンクション型の有機光電変換素子を応用した光センサアレイについて詳細に説明する。光センサアレイは、前記のバルクヘテロジャンクション型の有機光電変換素子が受光によって電流を発生することを利用して、前記の光電変換素子を細かく画素状に並べて作製し、光センサアレイ上に投影された画像を電気的な信号に変換する効果を有するセンサである。
〔有機光電変換素子1の作製〕
ガラス基板上に、インジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を110nm堆積したもの(シート抵抗13Ω/□)を、通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングとを用いて2mm幅にパターニングして、透明電極を形成した。
上記有機光電変換素子1の作製において、p型半導体材料をpBBTDPP2に代えて、表1に記載した比較および本発明に係る例示化合物に変更した以外は、比較の有機光電変換素子1と同様にして有機光電変換素子2〜8を得た。
上記作製した光電変換素子に、ソーラーシミュレーター(AM1.5Gフィルタ)の100mW/cm2の強度の光を照射し、有効面積を4.0mm2にしたマスクを受光部に重ね、短絡電流密度Jsc(mA/cm2)及び開放電圧Voc(V)、曲線因子(フィルファクター)FFを、同素子上に形成した4箇所の受光部をそれぞれ測定し、平均値を求めた。また、Jsc、Voc、FFから式1に従ってエネルギー変換効率η(%)を求めた。
(耐久性評価)
ソーラシュミレーター(AM1.5G)の光を100mW/cm2の照射強度で照射して、電圧−電流特性を測定し、初期の変換効率を測定した。更にこの時の初期変換効率を100とし、透明電極と対電極の間に抵抗を接続したまま、100mW/cm2の照射強度で1000h照射し続けた後の変換効率を評価し、相対効率低下を算出した。
〔有機光電変換素子11の作製〕
ガラス基板上に、インジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を110nm堆積したもの(シート抵抗13Ω/□)を、通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングとを用いて2mm幅にパターニングして、透明電極を形成した。
特開2007−180190号を参考とし、上記有機光電変換素子11の作製において、さらにN719色素を、溶媒に対してさらに0.05%添加し、溶媒をクロロベンゼンからトルエン:ピリジン=4:1に変更した以外は、比較の有機光電変換素子11と同様にして、比較の有機光電変換素子12を得た。
上記有機光電変換素子11の作製において、さらに表2に記載した本発明に係る例示化合物を、溶媒に対してさらに0.05%添加した以外は、比較の有機光電変換素子11と同様にして有機光電変換素子12〜15を得た。
11 基板
12 透明電極(陽極)
13 対電極(陰極)
14 光電変換層
14p p層
14i i層
14n n層
14′ 第1の光電変換層
15 電荷再結合層
16 第2の光電変換層
17 正孔輸送層
18 電子輸送層
20 光センサアレイ
21 基板
22 透明電極(陽極)
23 対電極(陰極)
24 光電変換部
24a バッファ層
24b 光電変換層
Claims (9)
- 透明電極、対電極、及びp型半導体材料とn型半導体材料が混合された光電変換層を有する有機光電変換素子において、該光電変換層に下記一般式(1)または(3)で表される構造を有する化合物を含有することを特徴とする有機光電変換素子。
- 前記一般式(3)におけるY3及びY4が硫黄原子であることを特徴とする請求項1に記載の有機光電変換素子。
- 前記光電変換層が溶液塗布法によって作製されたことを特徴とする請求項1または2に記載の有機光電変換素子。
- 前記一般式(1)または(3)で表される構造を有する化合物が、高分子化合物であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機光電変換素子。
- 前記一般式(1)または(3)で表される構造を有する化合物の数平均分子量が、5000〜26000であることを特徴とする、請求項4に記載の有機光電変換素子。
- 前記一般式(1)または(3)で表される構造を有する化合物の数平均分子量が、10000〜26000であることを特徴とする、請求項4に記載の有機光電変換素子。
- 前記光電変換層が、電子受容性のフラーレン化合物と、電子供与性の高分子化合物とを含有し、前記一般式(1)または(3)で表される構造を有する化合物が低分子化合物であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機光電変換素子。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の有機光電変換素子からなることを特徴とする太陽電池。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の有機光電変換素子からなることを特徴とする光センサアレイ。
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