JP5564782B2 - Adhesive composition, film adhesive, adhesive sheet and semiconductor device - Google Patents

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Description

本発明は、接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート及びこれを用いた半導体装置に関する。   The present invention relates to an adhesive composition, a film adhesive, an adhesive sheet, and a semiconductor device using the same.

従来、半導体素子をリードフレーム等の半導体素子搭載用支持部材に接着するためのダイボンディング層を形成するダイボンディング用接着剤としては、銀ペーストが主に使用されていた。しかし、銀ペーストの場合、近年の半導体素子の大型化や、半導体パッケージの小型化及び高性能化に伴って、ぬれ広がり性によるダイボンボンディング後のはみ出し、半導体素子の傾きに起因するワイヤボンディング時の不具合の発生、ダイボンディング層の膜厚精度の不足、及びダイボンディング層におけるボイド等の問題が生じやすくなるために、半導体パッケージの小型化及び高性能化のための支持部材の小型化及び細密化の要求を満足することが困難となっていた。そこで、近年、支持部材の小型化及び細密化に対して有利な、フィルム状接着剤がダイボンディング用の接着剤として広く用いられている（例えば、特許文献１、特許文献２参照。）。このフィルム状接着剤は、例えば、個片貼付け方式やウエハ裏面貼付方式の半導体パッケージ（半導体装置）の製造方法において使用される。   Conventionally, silver paste has been mainly used as a die bonding adhesive for forming a die bonding layer for bonding a semiconductor element to a semiconductor element mounting support member such as a lead frame. However, in the case of silver paste, with the recent increase in the size of semiconductor elements and the downsizing and performance of semiconductor packages, protrusions after die bonding due to wetting and spreading, and wire bonding caused by inclination of the semiconductor elements Due to the occurrence of defects, insufficient film thickness accuracy of the die bonding layer, and voids in the die bonding layer, problems such as voids are likely to occur. It was difficult to satisfy the requirements of Therefore, in recent years, film adhesives that are advantageous for miniaturization and densification of support members have been widely used as adhesives for die bonding (see, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2). This film adhesive is used, for example, in a method for manufacturing a semiconductor package (semiconductor device) of a piece sticking method or a wafer back surface sticking method.

個片貼付け方式においては、リール状のフィルム状接着剤をカッティング又はパンチングによって個片に切り出して支持部材に接着した後、支持部材上のフィルム状接着剤を介して、ダイシングによって個片化された半導体素子を支持部材に接着（ダイボンディング）する。その後、ワイヤボンド工程、封止工程などを経て半導体装置が製造される（例えば、特許文献３参照。）。しかし、この個片貼付け方式の場合、フィルム状接着剤を切り出して支持部材に接着するための専用の組立装置が必要となるために、銀ペーストを使用する場合に比べて製造コストが高くなるという問題があった。   In the piece pasting method, a reel-like film adhesive was cut into pieces by cutting or punching and bonded to a support member, and then separated into pieces by dicing through the film adhesive on the support member. The semiconductor element is bonded to the support member (die bonding). Thereafter, a semiconductor device is manufactured through a wire bonding process, a sealing process, and the like (see, for example, Patent Document 3). However, in the case of this piece pasting method, a dedicated assembly device for cutting out the film adhesive and bonding it to the support member is required, so that the manufacturing cost is higher than when silver paste is used. There was a problem.

一方、ウエハ裏面貼付け方式においては、半導体ウエハの裏面にフィルム状接着剤を貼り付け、貼り付けられたフィルム状接着剤の上にダイシングテープを貼り付けた後、半導体ウエハをダイシングによって個片化することによりフィルム状接着剤付きの半導体素子を得、これをピックアップして支持部材に接着（ダイボンディング）する。その後、ワイヤボンド工程、封止工程などを経て半導体装置が製造される。このウエハ裏面貼付け方式の場合、フィルム状接着剤を切り出して支持部材に接着するための専用の組立装置を必要とせず、従来の銀ペースト用の組立装置をそのまま用いるか、又はこれに熱盤を付加するなどの部分的な改造を施した装置を用いて行うことができる。そのため、フィルム状接着剤を用いた組立方法の中では、製造コストが比較的安く抑えられる方法として注目されている（例えば、特許文献４参照。）。   On the other hand, in the wafer back surface attaching method, a film adhesive is attached to the back surface of the semiconductor wafer, a dicing tape is attached on the attached film adhesive, and then the semiconductor wafer is diced. Thus, a semiconductor element with a film adhesive is obtained, and this is picked up and bonded (die bonding) to the support member. Thereafter, a semiconductor device is manufactured through a wire bonding process, a sealing process, and the like. In the case of this wafer back surface pasting method, a dedicated assembly device for cutting out the film adhesive and bonding it to the support member is not required, and the conventional assembly device for silver paste is used as it is, or a hot plate is used for this. This can be done by using a device that has been partially modified such as adding. Therefore, in the assembly method using a film adhesive, it attracts attention as a method in which the manufacturing cost can be kept relatively low (for example, see Patent Document 4).

ところで、最近になって、多機能化のために支持部材に複数の半導体素子が積層された、いわゆる３Ｄパッケージの半導体装置が急増している。そして、このような３Ｄパッケージの半導体装置においても、半導体装置全体の厚さを薄くすることが求められるため、半導体ウエハの更なる極薄化が進行している。   By the way, recently, so-called 3D package semiconductor devices in which a plurality of semiconductor elements are stacked on a support member have been rapidly increasing in order to achieve multi-functionality. Even in such a semiconductor device of a 3D package, since it is required to reduce the thickness of the entire semiconductor device, the semiconductor wafer is further reduced in thickness.

これに伴い、ウエハ裏面へダイボンディングフィルムを貼付けた時のウエハ反りが顕在化してきている。そこで、これを防止するために、１５０℃よりも低温でウエハ裏面への貼り付けが可能なダイボンディングフィルムが求められている。さらに、ダイシング後のピックアップ性、すなわち一旦貼り合せたダイボンディングフィルムとダイシングシート間の易剥離性など、半導体装置組立時の良好なプロセス特性を兼ね備えることが求められている。   Along with this, the warpage of the wafer when the die bonding film is attached to the back surface of the wafer has become apparent. Therefore, in order to prevent this, there is a demand for a die bonding film that can be attached to the back surface of the wafer at a temperature lower than 150 ° C. Furthermore, it is required to have good process characteristics at the time of assembling a semiconductor device, such as pick-up property after dicing, that is, easy peelability between a once-bonded die bonding film and a dicing sheet.

さらにまた、組立プロセスの簡略化を目的に、フィルム状接着剤の一方の面に、ダイシングシートを貼り合せた接着シート、すなわちダイシングシートとダイボンディングフィルムとを一体化させたフィルム（以下、「一体型フィルム」という。）とすることによって、ウエハ裏面への貼り合せプロセスの簡略化を図った手法が提案されている。   Furthermore, for the purpose of simplifying the assembly process, an adhesive sheet in which a dicing sheet is bonded to one surface of the film adhesive, that is, a film in which a dicing sheet and a die bonding film are integrated (hereinafter referred to as “one”). By adopting a so-called “body-shaped film”), there has been proposed a method for simplifying the bonding process on the wafer back surface.

このような一体型フィルムの形態にするためには、ダイシングテープの軟化温度が１５０℃以下であり、ウエハ裏面への貼り合せ時の熱応力によるウエハ反りの抑制のため、１５０℃よりも低温で貼り付けが可能であり、かつ上述の良好なプロセス特性を有することが求められる。   In order to form such an integrated film, the softening temperature of the dicing tape is 150 ° C. or lower, and in order to suppress wafer warpage due to thermal stress at the time of bonding to the wafer back surface, the temperature is lower than 150 ° C. It is required to be able to be pasted and to have the above-mentioned good process characteristics.

また、ダイボンディングフィルムを用いた半導体装置として、信頼性、すなわち、耐熱性、耐湿性、耐リフロー性等も求められている。耐リフロー性を確保するためには、２６０℃前後のリフロー加熱温度において、ダイボンド層の剥離又は破壊を抑制できる高い接着強度を有することが求められる。このように、低温ラミネート性を含むプロセス特性と、耐リフロー性を含む半導体装置の信頼性を高度に両立できるダイボンディングフィルムに対する要求が強くなってきている。   In addition, as a semiconductor device using a die bonding film, reliability, that is, heat resistance, moisture resistance, reflow resistance, and the like are also required. In order to ensure reflow resistance, it is required to have a high adhesive strength that can suppress peeling or breakage of the die bond layer at a reflow heating temperature of around 260 ° C. As described above, there is an increasing demand for a die bonding film that can achieve a high degree of compatibility between process characteristics including low-temperature laminating properties and reliability of semiconductor devices including reflow resistance.

一方、支持部材が表面に配線を有する有機基板である場合、前記の配線段差に対する十分な充填性（埋め込み性）を確保することが、半導体装置の耐湿信頼性及び配線間の絶縁信頼性を確保する上で重要である。前記の埋め込み性が確保されなかった場合、未充填による空隙が原因で、耐湿信頼性及び耐リフロー性の低下が懸念されるようになる。   On the other hand, when the support member is an organic substrate having wiring on the surface, ensuring sufficient filling property (embedding property) with respect to the wiring step ensures moisture resistance reliability of the semiconductor device and insulation reliability between the wirings. It is important to do. When the embeddability is not ensured, there is a concern that the moisture resistance reliability and the reflow resistance are deteriorated due to voids due to unfilling.

よって、このような半導体装置の最下段である半導体素子及び配線段差付き有機基板との接着に用いられるダイボンディングフィルムにおいては、半導体装置の組立工程において、発泡することなく、またボイドが発生することなく、基板表面の配線段差への埋め込み性を確保できる熱時流動性を有することが望まれる。   Therefore, in the die bonding film used for bonding with the semiconductor element at the bottom of such a semiconductor device and the organic substrate with a wiring step, voids are generated in the assembly process of the semiconductor device without foaming. In addition, it is desired to have fluidity during heat that can ensure the embedding property of the substrate surface in the wiring step.

これまで、低温加工性と耐熱性を両立すべく、比較的Ｔｇが低い熱可塑性樹脂と、熱硬化性樹脂とを組み合わせたダイボンディングフィルムが提案されている（例えば、特許文献５参照）。
特開平０３−１９２１７８号公報 特開平０４−２３４４７２号公報 特開平０９−０１７８１０号公報 特開平０４−１９６２４６号公報 特許第３０１４５７８号 Until now, in order to make low temperature workability and heat resistance compatible, the die bonding film which combined the thermoplastic resin with relatively low Tg, and the thermosetting resin is proposed (for example, refer patent document 5).
Japanese Patent Laid-Open No. 03-192178 Japanese Patent Laid-Open No. 04-234472 JP 09-017810 A Japanese Patent Laid-Open No. 04-196246 Patent No. 3014578

しかしながら、上述した基板表面の配線段差への埋め込みを可能にする熱時流動性の確保と、耐リフロー性を含めた高温時の耐熱性を両立できる材料、及びその設計はまだ十分ではない。   However, a material that can achieve both high-temperature fluidity that enables embedding in the wiring step on the substrate surface described above and high-temperature heat resistance including reflow resistance, and its design are not yet sufficient.

さらに、ウエハの極薄化に伴い、ダイシング後良好なピックアップ性を確保できる特性の要求が強まっている中で、これらの特性を兼ね備える材料を開発するためには、更に詳細又は精密な材料設計が必要である。   In addition, as the demand for properties that can ensure good pick-up properties after dicing is increasing as wafers become extremely thin, more detailed or precise material design is required to develop materials that combine these properties. is necessary.

本発明は、上述した従来技術の問題に鑑み、製膜性、熱流動性に優れ、ピール強度等の半導体装置の信頼性を兼ね備えた接着剤組性物、並びにこれを用いたフィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置を提供することを目的とする。   SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above-mentioned problems of the prior art, the present invention is an adhesive assembly having excellent film-forming properties and thermal fluidity, and having reliability of a semiconductor device such as peel strength, and a film adhesive using the same An object of the present invention is to provide an adhesive sheet and a semiconductor device.

本発明は、ポリビニルアセタール樹脂及び熱硬化性樹脂を含有する接着剤組成物であって、前記接着剤組成物のＢステージでの１８０℃におけるフロー量が５００μｍ以上であり、かつＣステージでの１８０℃におけるフロー量が５００μｍ未満であり、Ｂステージでの１８０℃におけるフロー量を（Ａ）、Ｃステージでの１８０℃におけるフロー量を（Ｂ）としたとき、（Ａ）−（Ｂ）の値が１００μｍ以上である接着剤組成物を提供する。   The present invention is an adhesive composition containing a polyvinyl acetal resin and a thermosetting resin, wherein the flow rate of the adhesive composition at 180 ° C. at the B stage is 500 μm or more, and 180 at the C stage. When the flow amount at 180 ° C. is less than 500 μm, the flow amount at 180 ° C. at the B stage is (A), and the flow amount at 180 ° C. at the C stage is (B), the value of (A) − (B) An adhesive composition having a thickness of 100 μm or more is provided.

かかる接着剤組成物によれば、製膜性、熱流動性に優れ、ピール強度等の半導体装置の信頼性を兼ね備える。   According to such an adhesive composition, it is excellent in film forming property and heat fluidity, and has the reliability of the semiconductor device such as peel strength.

なお、本明細書中、「Ｂステージ」とは後述する接着剤組成物ワニスをＰＥＴ基材上に塗工後、オーブン中で、８０℃で３０分、続いて１２０℃で３０分の条件で加熱した後の状態をいい、「Ｃステージ」とはオーブン中でさらに１８０℃で５時間の条件で加熱硬化した後の状態をいう。   In the present specification, “B stage” refers to a condition in which an adhesive composition varnish, which will be described later, is applied onto a PET substrate, and then in an oven at 80 ° C. for 30 minutes and subsequently at 120 ° C. for 30 minutes. The state after heating is referred to, and the “C stage” refers to a state after heat curing in an oven at 180 ° C. for 5 hours.

また、「フロー量」は、厚さが５０μｍのＰＥＴ基材上に４０μｍの厚さのフィルム状接着剤が形成された接着シートを１０ｍｍ×１０ｍｍサイズに切断し、この接着シートを２枚のスライドグラス（ＭＡＴＳＵＮＡＭＩ製、７６ｍｍ×２６ｍｍ×１．０〜１．２ｍｍ厚）の間に挟み、このサンプルを１８０℃の熱盤上で１００ｋｇｆ／ｃｍ２の荷重をかけ、１２０秒間加熱圧着した後の上記ＰＥＴ基材からの四辺からのはみ出し量をそれぞれ光学顕微鏡で計測したときの平均値である。 In addition, the “flow amount” is obtained by cutting an adhesive sheet in which a film adhesive having a thickness of 40 μm is formed on a PET substrate having a thickness of 50 μm into a size of 10 mm × 10 mm, and then sliding the adhesive sheet into two slides. The above after sandwiching between glass (made by MATSANAMI, 76 mm × 26 mm × 1.0-1.2 mm thickness), applying a load of 100 kgf / cm 2 on a 180 ° C. heating plate, and thermocompression bonding for 120 seconds It is an average value when the amount of protrusion from the four sides from the PET base material is measured with an optical microscope.

上記ポリビニルアセタール樹脂のＴｇは１５０℃以下であることが好ましく、上記ポリビニルアセタール樹脂はポリビニルブチラール樹脂であることが好ましい。   It is preferable that Tg of the said polyvinyl acetal resin is 150 degrees C or less, and it is preferable that the said polyvinyl acetal resin is a polyvinyl butyral resin.

上記熱硬化性樹脂の含有量は、ポリビニルアセタール樹脂１００重量部に対して、５〜２５０重量部であることが好ましい。   It is preferable that content of the said thermosetting resin is 5-250 weight part with respect to 100 weight part of polyvinyl acetal resin.

上記熱硬化性樹脂はエポキシ樹脂であることが好ましい。また、上記接着剤組成物はさらにフィラーを含有することが好ましい。   The thermosetting resin is preferably an epoxy resin. Moreover, it is preferable that the said adhesive composition contains a filler further.

上記接着剤組成物は、半導体素子と、他の半導体素子又は半導体素子搭載用支持部材との接着に用いられることが好ましく、半導体素子搭載用支持部材は、半導体素子を搭載する面に配線段差を有する有機基板であることが好ましい。   The adhesive composition is preferably used for adhesion between a semiconductor element and another semiconductor element or a semiconductor element mounting support member. The semiconductor element mounting support member has a wiring step on the surface on which the semiconductor element is mounted. It is preferable that it is an organic substrate.

本発明はまた、上記本発明の接着剤組成物をフィルム状に形成してなるフィルム状接着剤を提供する。かかるフィルム状接着剤は、本発明の接着剤組成物を用いているので、熱流動性に優れ、ピール強度等の半導体装置の信頼性を兼ね備える。   The present invention also provides a film adhesive formed by forming the adhesive composition of the present invention into a film. Since this film-like adhesive uses the adhesive composition of the present invention, it has excellent thermal fluidity and has the reliability of the semiconductor device such as peel strength.

本発明はさらに、支持基材と、該支持基材の主面上に形成された上記本発明のフィルム状接着剤とを備えてなる接着シートを提供する。かかる接着シートは、本発明の接着剤組成物を用いているので、熱流動性に優れ、ピール強度等の半導体装置の信頼性を兼ね備える。   The present invention further provides an adhesive sheet comprising a supporting substrate and the film adhesive of the present invention formed on the main surface of the supporting substrate. Since such an adhesive sheet uses the adhesive composition of the present invention, the adhesive sheet has excellent thermal fluidity and combines the reliability of the semiconductor device such as peel strength.

上記支持基材はダイシングシートであることが好ましく、ダイシングシートは、基材フィルム及び基材フィルム及び該基材フィルム上に設けられた粘着材層を有することが好ましい。   The support substrate is preferably a dicing sheet, and the dicing sheet preferably has a substrate film, a substrate film, and an adhesive layer provided on the substrate film.

本発明はまた、上記本発明の接着剤組成物により、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とが接着された構造及び／又は隣接する半導体素子同士が接着された構造を有する半導体装置を提供する。かかる半導体装置は、本発明の接着剤組成物を用いているので、信頼性が高い。   The present invention also provides a semiconductor device having a structure in which a semiconductor element and a semiconductor element mounting support member are bonded and / or a structure in which adjacent semiconductor elements are bonded to each other by the adhesive composition of the present invention. . Such a semiconductor device has high reliability because it uses the adhesive composition of the present invention.

本発明によれば、製膜性、熱流動性に優れ、ピール強度等の半導体装置の信頼性を兼ね備えた接着剤組性物、及びこれを用いたフィルム状接着剤を提供することができる。このような接着剤組成物及びフィルム状接着剤は、極薄ウエハ及び複数の半導体素子を積層した半導体装置に対応できるウエハ裏面貼付け方式の半導体素子の固定用に好適に用いることができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it is excellent in film forming property and heat fluidity | liquidity, and can provide the adhesive composition which has the reliability of semiconductor devices, such as peel strength, and a film adhesive using the same. Such an adhesive composition and a film-like adhesive can be suitably used for fixing a semiconductor element of a wafer back surface attachment type that can be applied to an ultra-thin wafer and a semiconductor device in which a plurality of semiconductor elements are laminated.

ウエハ裏面にフィルム状接着剤を貼り付ける際に、通常、フィルム状接着剤が溶融する温度まで加熱するが、本発明のフィルム状接着剤を使用すれば、極薄ウエハの保護テープ又は貼り合わせるダイシングテープの軟化温度よりも低い温度でウエハ裏面に貼り付けることが可能となる。これにより、熱応力も低減され、大径化薄化するウエハの反り等の問題を解決できる。   When a film adhesive is affixed to the back side of a wafer, it is usually heated to a temperature at which the film adhesive melts. If the film adhesive of the present invention is used, a protective tape for ultra-thin wafer or dicing to be bonded is used. It becomes possible to affix on the back surface of the wafer at a temperature lower than the softening temperature of the tape. As a result, thermal stress is also reduced, and problems such as wafer warping that become thinner and thinner can be solved.

また、ダイボンド時の熱と圧力によって、基板表面の配線段差への良好な埋め込みを可能にする熱時流動性を確保でき、複数の半導体素子を積層した半導体装置の製造工程に好適に対応できる。   Also, heat and pressure at the time of die bonding can secure the fluidity at the time of thermal embedment that enables good embedding in the wiring level difference on the substrate surface, and can be suitably applied to the manufacturing process of a semiconductor device in which a plurality of semiconductor elements are stacked.

また、高温時の高い接着強度を確保できるため、耐熱性を向上でき、さらに半導体装置の製造工程を簡略化できる。
さらに、低温での貼り付けが可能であるため、ウエハの反り等の熱応力を低減しつつ、ダイシング時のチップ飛びを抑えることができる。 In addition, since high adhesive strength at high temperatures can be ensured, heat resistance can be improved, and the manufacturing process of the semiconductor device can be simplified.
Furthermore, since it can be attached at a low temperature, it is possible to suppress chip jumping during dicing while reducing thermal stress such as wafer warping.

また、ダイシング時の良好な切断性及びダイシング後の良好なピックアップ性を確保できるため、半導体装置の製造時の作業性を向上できる。また、製膜性に優れ、かつ低コストの接着剤組成物を提供できる。また、本発明によれば、上述のフィルム状接着剤とダイシングシートを貼りあわせた接着シートを提供することができる。   In addition, since good cutting performance during dicing and good pick-up performance after dicing can be ensured, workability during manufacturing of the semiconductor device can be improved. Moreover, it is excellent in film forming property and can provide a low-cost adhesive composition. Moreover, according to this invention, the adhesive sheet which bonded the above-mentioned film adhesive and the dicing sheet can be provided.

本発明の接着シートによれば、ダイシング工程までの貼付工程を簡略化し、パッケージの組立熱履歴に対しても安定した特性を確保できる材料を提供することが可能である。
また、本発明によれば、ダイシングシートとダイボンドフィルムの両機能を併せ持った粘接着剤層と基材とからなる接着シートを提供することができる。 According to the adhesive sheet of the present invention, it is possible to provide a material that can simplify the pasting process up to the dicing process and secure stable characteristics against the assembly heat history of the package.
Moreover, according to this invention, the adhesive sheet which consists of an adhesive layer and a base material which have both the function of the dicing sheet and the die-bonding film can be provided.

以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一要素には同一符号を付すこととし、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings as necessary. In the drawings, the same elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. Further, the positional relationship such as up, down, left and right is based on the positional relationship shown in the drawings unless otherwise specified. Further, the dimensional ratios in the drawings are not limited to the illustrated ratios.

図１は、本発明の好適な実施形態に係るフィルム状接着剤を示す模式断面図である。フィルム状接着剤１は、後述する接着剤組成物をフィルム状に成形してなるものである。フィルム状接着剤１の厚みは、１〜１００μｍ程度であることが好ましい。フィルム状接着剤１を保存及び搬送する際には、幅１〜２０ｍｍ程度のテープ状や、幅１０〜５０ｃｍ程度のシート状とし、巻き芯に巻きつけた状態とすることが好ましい。これにより、フィルム状接着剤１の保管や搬送が容易となる。   FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a film adhesive according to a preferred embodiment of the present invention. The film adhesive 1 is formed by molding an adhesive composition described later into a film. The thickness of the film adhesive 1 is preferably about 1 to 100 μm. When the film-like adhesive 1 is stored and transported, it is preferable to form a tape having a width of about 1 to 20 mm or a sheet having a width of about 10 to 50 cm and wound around a core. Thereby, storage and conveyance of the film adhesive 1 become easy.

図２は、本発明の好適な実施形態に係る接着シートを示す模式断面図である。接着シート２０は、支持基材である基材フィルム２と、その両主面上に設けられた接着層としてのフィルム状接着剤１とを備える。基材フィルム２としては、フィルム状接着剤１を形成する際の加熱に耐えるものであれば特に限定されず、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、メチルペンテンフィルム等を好適に用いることができる。基材フィルム２はこれらのフィルムの２種以上を組み合わせた多層フィルムであってもよい。また、基材フィルム２の表面はシリコーン系、シリカ系等の離型剤で処理されていてもよい。   FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an adhesive sheet according to a preferred embodiment of the present invention. The adhesive sheet 20 includes a base film 2 that is a support base and a film adhesive 1 as an adhesive layer provided on both main surfaces thereof. The base film 2 is not particularly limited as long as it can withstand the heating when forming the film adhesive 1. For example, a polyester film, a polypropylene film, a polyethylene terephthalate film, a polyimide film, a polyetherimide film, a poly An ether naphthalate film, a methylpentene film, or the like can be suitably used. The base film 2 may be a multilayer film in which two or more of these films are combined. The surface of the base film 2 may be treated with a release agent such as silicone or silica.

なお、本実施形態においては、基材フィルム２の両主面上に接着層としてのフィルム状接着剤１を備える態様について説明したが、基材フィルム２の片面上のみに接着層としてのフィルム状接着剤１を備える態様であってもよい。   In addition, in this embodiment, although the aspect provided with the film adhesive 1 as an adhesive layer on both main surfaces of the base film 2 was demonstrated, the film form as an adhesive layer only on the single side | surface of the base film 2 The aspect provided with the adhesive agent 1 may be sufficient.

図３は、本発明の接着シートの別の一実施形態を示す模式断面図である。図３に示す接着シート３０は、基材フィルム２の一方の主面上にフィルム状接着剤１及び保護フィルム３がこの順に積層されてなるものである。保護フィルム３は、フィルム状接着剤１の損傷や汚染を防ぐために、フィルム状接着剤１を覆うように設けられている。この場合、フィルム状接着剤１は、保護フィルムを剥離してからダイボンディングに用いられる。   FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of the adhesive sheet of the present invention. The adhesive sheet 30 shown in FIG. 3 is formed by laminating the film adhesive 1 and the protective film 3 in this order on one main surface of the base film 2. The protective film 3 is provided so as to cover the film adhesive 1 in order to prevent damage and contamination of the film adhesive 1. In this case, the film adhesive 1 is used for die bonding after peeling off the protective film.

フィルム状接着剤１は、本発明の接着剤組成物をフィルム状に形成することにより得られる。以下、本発明の接着剤組成物について説明する。   The film adhesive 1 is obtained by forming the adhesive composition of the present invention into a film. Hereinafter, the adhesive composition of the present invention will be described.

本発明の接着剤組成物は、ポリビニルアセタール樹脂及び熱硬化性樹脂を少なくとも含有する。   The adhesive composition of the present invention contains at least a polyvinyl acetal resin and a thermosetting resin.

本発明におけるポリビニルアセタール樹脂は特に制限はないが、ポリビニルブチラール樹脂が好ましい。なお、上記ポリビニルブチラール樹脂とは、分子内にビニルブチラール基を有する重合体であれば特に制限されないが、下記式（Ｉ）で表されるポリビニルブチラール（ｌ）、ポリ酢酸ビニル（ｍ）、ポリビニルアルコール及び（ｎ）が分子内にランダム重合した重量平均分子量が１００００〜５０００００の重合体であることが好ましい。   The polyvinyl acetal resin in the present invention is not particularly limited, but a polyvinyl butyral resin is preferable. The polyvinyl butyral resin is not particularly limited as long as it is a polymer having a vinyl butyral group in the molecule, but polyvinyl butyral (l), polyvinyl acetate (m), polyvinyl represented by the following formula (I) A polymer having a weight average molecular weight of 10,000 to 500,000 in which alcohol and (n) are randomly polymerized in the molecule is preferable.

上記ポリビニルブチラール樹脂の具体例としては、電気化学工業（株）製、商品名：電化ブチラール３０００−１、３０００−Ｋ、４０００−２、５０００−Ａ、６０００−Ｃ、６０００−ＥＰ、積水化学工業（株）製、エスレックＢＨシリーズ、ＢＸシリーズ、ＫＳシリーズ、ＢＬシリーズ、ＢＭシリーズ、クラレ（株）製、商品名：モビタール（Ｍｏｗｉｔａｌ）シリーズの他、ソルーシア（Ｓｏｌｕｔｉａ）社製、ビュートバー（Ｂｕｔｖａｒ）シリーズなどが挙げられる。   Specific examples of the polyvinyl butyral resin include those manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd., trade names: Denka Butylal 3000-1, 3000-K, 4000-2, 5000-A, 6000-C, 6000-EP, Sekisui Chemical Co., Ltd. Made by Co., Ltd., ESREC BH series, BX series, KS series, BL series, BM series, made by Kuraray Co., Ltd., trade name: Mowital series, but also made by Solutia, Butvar Series.

本発明の接着剤組成物のウエハ裏面への貼り付け可能温度は、ウエハの保護テープ及びダイシングテープの軟化温度以下であることが好ましく、また半導体ウエハの反りを抑えるという観点からも、上記の貼り付け温度は、２０〜１５０℃が好ましく、２０〜１００℃、より好ましく、２０〜８０℃がさらに好ましい。   The temperature at which the adhesive composition of the present invention can be applied to the back surface of the wafer is preferably not higher than the softening temperature of the protective tape and dicing tape of the wafer, and also from the viewpoint of suppressing warpage of the semiconductor wafer. The attaching temperature is preferably 20 to 150 ° C, more preferably 20 to 100 ° C, still more preferably 20 to 80 ° C.

これらの範囲の温度での貼り付けを可能にするためには、接着剤組成物のＴｇが１０〜１５０℃であることが好ましく、そのためには、ポリビニルアセタール樹脂のＴｇを１５０℃以下に調整することが望ましく、１２０℃以下が好ましく、１００℃以下がより好ましい。   In order to enable pasting at a temperature in these ranges, the Tg of the adhesive composition is preferably 10 to 150 ° C., and for that purpose, the Tg of the polyvinyl acetal resin is adjusted to 150 ° C. or lower. Desirably, 120 ° C. or lower is preferable, and 100 ° C. or lower is more preferable.

ポリビニルアセタール樹脂のＴｇが１５０℃を超えると、ウエハ裏面への貼り付け温度が１５０℃を超える可能性が高くなる傾向がある。該樹脂のＴｇの下限値は特に設けないが、１０℃未満であると、Ｂステージ状態でのフィルム表面の粘着力が強くなり、取り扱い性が損なわれる他、本接着剤組成物付き半導体ウエハをダイシングした後のダイシングテープからのピックアップ性が低下する傾向がある。   When the Tg of the polyvinyl acetal resin exceeds 150 ° C., there is a tendency that the bonding temperature to the back surface of the wafer exceeds 150 ° C. Although the lower limit of Tg of the resin is not particularly provided, if it is less than 10 ° C., the adhesive strength of the film surface in the B-stage state becomes strong and the handling property is impaired, and the semiconductor wafer with the adhesive composition is The pick-up property from the dicing tape after dicing tends to decrease.

上記ポリビニルアセタール樹脂のＴｇを上記の範囲内とすることにより、ウエハ裏面への貼り付け温度を低く抑えることができるだけでなく、低温でのダイボンドも確保することができ、半導体素子の反りの増大を抑制できる。   By setting the Tg of the polyvinyl acetal resin within the above range, not only can the temperature for attaching to the backside of the wafer be kept low, but also die bonding at a low temperature can be secured, increasing the warpage of the semiconductor element. Can be suppressed.

なお、上記Ｔｇとは、フィルム化したときの主分散ピーク温度であり、レオメトリックス製粘弾性アナライザーＲＳＡ−２を用いて、フィルムサイズ３５ｍｍ×１０ｍｍ×４
０μｍ厚、昇温速度５℃／分、周波数１Ｈｚ、測定温度−１５０〜３００℃の条件で測定し、Ｔｇ付近のｔａｎδピーク温度を測定し、これを主分散ピーク温度とした。 The above Tg is the main dispersion peak temperature when filmed, and the film size is 35 mm × 10 mm × 4 using a rheometric viscoelasticity analyzer RSA-2.
Measurement was performed under the conditions of a thickness of 0 μm, a temperature rising rate of 5 ° C./min, a frequency of 1 Hz, and a measurement temperature of −150 to 300 ° C., and a tan δ peak temperature in the vicinity of Tg was measured.

また、本発明における熱硬化性樹脂は、熱により架橋反応を起こす反応性化合物からなる成分であれば特に制限はなく、例えば、エポキシ樹脂、シアネートエステル樹脂、マレイミド樹脂、アリルナジイミド樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、レゾルシノールホルムアルデヒド樹脂、キシレン樹脂、フラン樹脂、ポリウレタン樹脂、ケトン樹脂、トリアリルシアヌレート樹脂、ポリイソシアネート樹脂、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌラートを含有する樹脂、トリアリルトリメリタートを含有する樹脂、シクロペンタジエンから合成された熱硬化性樹脂、芳香族ジシアナミドの三量化による熱硬化性樹脂等の他、多官能のアクリレート及び／又はメタクリレート化合物などが挙げられる。中でも、高温での優れた接着力をもたせることができる点で、エポキシ樹脂が好ましい。なお、これら熱硬化性樹脂は単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。   In addition, the thermosetting resin in the present invention is not particularly limited as long as it is a component composed of a reactive compound that causes a crosslinking reaction by heat. For example, epoxy resin, cyanate ester resin, maleimide resin, allyl nadiimide resin, phenol resin , Urea resin, melamine resin, alkyd resin, acrylic resin, unsaturated polyester resin, diallyl phthalate resin, silicone resin, resorcinol formaldehyde resin, xylene resin, furan resin, polyurethane resin, ketone resin, triallyl cyanurate resin, polyisocyanate resin , Resins containing tris (2-hydroxyethyl) isocyanurate, resins containing triallyl trimellitate, thermosetting resins synthesized from cyclopentadiene, thermosetting resins by trimerization of aromatic dicyanamide, etc. And polyfunctional acrylates and / or methacrylate compounds. Among these, an epoxy resin is preferable in that it can have an excellent adhesive force at high temperatures. In addition, these thermosetting resins can be used individually or in combination of 2 or more types.

上記熱硬化性樹脂の含有量は、ポリビニルアセタール樹脂１００重量部に対して、５〜２００重量部が好ましく、１０〜２００重量部がより好ましく、２０〜１５０重量部がさらに好ましい。上記含有量が２５０重量部を超えると、加熱時のアウトガスが多くなる他、フィルム形成性（靭性）が損なわれる傾向があり、上記含有量が５重量部未満であると、Ｂステージでの熱時流動性付与及びＣステージでの耐熱性並びに高温接着性を有効に付与できなくなる可能性が高くなる。   The content of the thermosetting resin is preferably 5 to 200 parts by weight, more preferably 10 to 200 parts by weight, and still more preferably 20 to 150 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polyvinyl acetal resin. If the content exceeds 250 parts by weight, outgassing during heating tends to increase, and film formability (toughness) tends to be impaired. If the content is less than 5 parts by weight, heat at the B stage There is a high possibility that the fluidity at the time, the heat resistance at the C stage and the high-temperature adhesiveness cannot be effectively imparted.

上記熱硬化性樹脂の硬化のために、硬化剤、触媒、過酸化物を使用することができ、必要に応じて硬化剤と硬化促進剤又は触媒と助触媒を併用することができる。上記硬化剤及び硬化促進剤、過酸化物の添加量並びに添加の有無については、後述する望ましい熱時の流動性及び硬化後の耐熱性を確保できる範囲で判断、調整する。   In order to cure the thermosetting resin, a curing agent, a catalyst, and a peroxide can be used, and a curing agent and a curing accelerator or a catalyst and a cocatalyst can be used in combination as necessary. About the addition amount of the said hardening | curing agent and hardening accelerator, a peroxide, and the presence or absence of addition, it judges and adjusts in the range which can ensure the fluidity | liquidity at the time of the desirable heat | fever mentioned later and heat resistance after hardening.

好ましい熱硬化性樹脂の一つであるエポキシ樹脂としては、分子内に少なくとも２個のエポキシ基を含むものがより好ましく、硬化性や硬化物特性の点からフェノールのグリシジルエーテル型のエポキシ樹脂が極めて好ましい。   As an epoxy resin which is one of the preferred thermosetting resins, those containing at least two epoxy groups in the molecule are more preferable, and phenol glycidyl ether type epoxy resins are extremely preferable in terms of curability and cured product characteristics. preferable.

このような樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型、ＡＤ型、Ｓ型又はＦ型のグリシジルエーテル、水添加ビスフェノールＡ型のグリシジルエーテル、エチレンオキシド付加体ビスフェノールＡ型のグリシジルエーテル、プロピレンオキシド付加体ビスフェノールＡ型のグリシジルエーテル、フェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、クレゾールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ビスフェノールＡノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ナフタレン樹脂のグリシジルエーテル、３官能型（又は４官能型）のグリシジルエーテル、ジシクロペンタジエンフェノール樹脂のグリシジルエーテル、ダイマー酸のグリシジルエステル、３官能型（又は４官能型）のグリシジルアミン、ナフタレン樹脂のグリシジルアミン等が挙げられる。これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。   Examples of such resins include bisphenol A type, AD type, S type or F type glycidyl ether, water added bisphenol A type glycidyl ether, ethylene oxide adduct bisphenol A type glycidyl ether, propylene oxide adduct bisphenol A. Type glycidyl ether, glycidyl ether of phenol novolac resin, glycidyl ether of cresol novolac resin, glycidyl ether of bisphenol A novolac resin, glycidyl ether of naphthalene resin, trifunctional (or tetrafunctional type) glycidyl ether, dicyclopentadienephenol Examples include glycidyl ether of resin, glycidyl ester of dimer acid, trifunctional (or tetrafunctional) glycidylamine, glycidylamine of naphthalene resin, and the like. That. These can be used alone or in combination of two or more.

また、これらのエポキシ樹脂には不純物イオンである、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、ハロゲンイオン、特に塩素イオンや加水分解性塩素等を３００ｐｐｍ以下に低減した高純度品を用いることがエレクトロマイグレーション防止や金属導体回路の腐食防止のために好ましい。   In addition, it is preferable to use high-purity products in which the impurity ions, alkali metal ions, alkaline earth metal ions, halogen ions, particularly chlorine ions and hydrolyzable chlorine are reduced to 300 ppm or less for these epoxy resins. This is preferable for prevention of corrosion and corrosion of metal conductor circuits.

上記エポキシ樹脂を使用する場合は、必要に応じて硬化剤を使用することもできる。上記硬化剤としては、例えば、フェノール系化合物、脂肪族アミン、脂環族アミン、芳香族ポリアミン、ポリアミド、脂肪族酸無水物、脂環族酸無水物、芳香族酸無水物、ジシアンジアミド、有機酸ジヒドラジド、三フッ化ホウ素アミン錯体、イミダゾール類、第３級アミン等が挙げられ、中でもフェノール系化合物が好ましく、分子中に少なくとも２個のフェノール性水酸基を有するフェノール系化合物がより好ましい。   When using the said epoxy resin, a hardening | curing agent can also be used as needed. Examples of the curing agent include phenolic compounds, aliphatic amines, alicyclic amines, aromatic polyamines, polyamides, aliphatic acid anhydrides, alicyclic acid anhydrides, aromatic acid anhydrides, dicyandiamide, organic acids. Examples thereof include dihydrazide, boron trifluoride amine complex, imidazoles, and tertiary amines. Among them, phenolic compounds are preferable, and phenolic compounds having at least two phenolic hydroxyl groups in the molecule are more preferable.

このような化合物としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジェンクレゾールノボラック樹脂、ジシクロペンタジェンフェノールノボラック樹脂、キシリレン変性フェノールノボラック樹脂、ナフトール系化合物、トリスフェノール系化合物、テトラキスフェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、ポリ−ｐ−ビニルフェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂等が挙げられる。   Examples of such compounds include phenol novolak resins, cresol novolak resins, t-butylphenol novolak resins, dicyclopentagencresol novolak resins, dicyclopentagen phenol novolak resins, xylylene-modified phenol novolak resins, naphthol compounds, trisphenols. Examples thereof include tetrakisphenol novolac resin, bisphenol A novolac resin, poly-p-vinylphenol resin, and phenol aralkyl resin.

これらの中で、数平均分子量が４００〜１５００の範囲内のものが好ましい。これにより、半導体装置組立加熱時に、半導体素子、装置等の汚染の原因となるアウトガスを有効に低減できる。なお、硬化物の耐熱性を確保するためにも、これらのフェノール系化合物の配合量は、エポキシ樹脂のエポキシ当量と、フェノール系化合物のＯＨ当量の当量比が、０．９５〜１．０５：０．９５〜１．０５となることが好ましい。   Among these, those having a number average molecular weight in the range of 400 to 1500 are preferable. Thereby, the outgas which becomes a cause of contamination of a semiconductor element, an apparatus, etc. at the time of semiconductor device assembly heating can be reduced effectively. In order to secure the heat resistance of the cured product, the compounding amount of these phenolic compounds is such that the equivalent ratio of the epoxy equivalent of the epoxy resin and the OH equivalent of the phenolic compound is 0.95 to 1.05: It is preferably 0.95 to 1.05.

また、必要に応じて、硬化促進剤を使用することもできる。
上記硬化促進剤としては、熱硬化性樹脂を硬化させるものであれば特に制限はなく、例えば、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾール−テトラフェニルボレート、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７−テトラフェニルボレート等が挙げられる。 Moreover, a hardening accelerator can also be used as needed.
The curing accelerator is not particularly limited as long as it cures a thermosetting resin. For example, imidazoles, dicyandiamide derivatives, dicarboxylic acid dihydrazide, triphenylphosphine, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, 2-ethyl- Examples include 4-methylimidazole-tetraphenylborate and 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undecene-7-tetraphenylborate.

本発明の接着剤組成物は、さらにフィラーを含有することが好ましい。
上記フィラーとしては、例えば、銀粉、金粉、銅粉、ニッケル粉等の金属フィラー、アルミナ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミック等の無機フィラー、カーボン、ゴム系フィラー等の有機フィラーなどが挙げられ、種類・形状等にかかわらず特に制限なく使用することができる。 The adhesive composition of the present invention preferably further contains a filler.
Examples of the filler include metal fillers such as silver powder, gold powder, copper powder, and nickel powder, alumina, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, and magnesium oxide. Inorganic fillers such as aluminum oxide, aluminum nitride, crystalline silica, amorphous silica, boron nitride, titania, glass, iron oxide, and ceramics, and organic fillers such as carbon and rubber fillers, types and shapes, etc. It can be used without any particular limitation.

上記フィラーは所望する機能に応じて使い分けることができる。例えば、金属フィラーは、接着剤組成物に導電性、熱伝導性、チキソ性等を付与する目的で添加され、非金属無機フィラーは、接着剤層に熱伝導性、低熱膨張性、低吸湿性等を付与する目的で添加され、有機フィラーは接着剤層に靭性等を付与する目的で添加される。これら金属フィラー、無機フィラー又は有機フィラーは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。   The filler can be used properly according to the desired function. For example, the metal filler is added for the purpose of imparting conductivity, thermal conductivity, thixotropy, etc. to the adhesive composition, and the nonmetallic inorganic filler is thermally conductive, low thermal expansion, low hygroscopicity to the adhesive layer. The organic filler is added for the purpose of imparting toughness to the adhesive layer. These metal fillers, inorganic fillers or organic fillers can be used alone or in combination of two or more.

中でも、半導体装置用接着材料に求められる、導電性、熱伝導性、低吸湿特性、絶縁性等を付与できる点で、金属フィラー、無機フィラー又は絶縁性のフィラーが好ましく、無機フィラー又は絶縁性フィラーの中では、樹脂ワニスに対する分散性が良好でかつ、熱時の高い接着力を付与できる点で窒化ホウ素フィラー又はシリカフィラーがより好ましい。   Among them, metal fillers, inorganic fillers or insulating fillers are preferable in terms of being able to impart conductivity, thermal conductivity, low moisture absorption characteristics, insulating properties, etc. required for adhesive materials for semiconductor devices, and inorganic fillers or insulating fillers. Among these, a boron nitride filler or a silica filler is more preferable in that the dispersibility with respect to the resin varnish is good and a high adhesive force during heating can be imparted.

上記フィラーの使用量は、付与する特性又は機能に応じて決められるが、樹脂成分とフィラーの合計に対して１０〜４０体積％、好ましくは１０〜３０体積％、より好ましくは１０〜２０体積％である。フィラーを適度に増量させることにより、フィルム表面低粘着化及び高弾性率化が図れ、ダイシング性（ダイサー刃による切断性）、ピックアップ性（ダイシングテープとの易はく離性）、ワイヤボンディング性（超音波効率）、熱時の接着強度を有効に向上できる。   Although the usage-amount of the said filler is decided according to the characteristic or function to provide, it is 10-40 volume% with respect to the sum total of a resin component and a filler, Preferably it is 10-30 volume%, More preferably, it is 10-20 volume% It is. By appropriately increasing the amount of filler, the film surface can be reduced in adhesion and elastic modulus, dicing (cutting with a dicer blade), pick-up (easy peeling from dicing tape), wire bonding (ultrasonic) Efficiency) and can effectively improve the adhesive strength during heating.

フィラーを必要以上に増量させると、本発明の特徴である低温貼付性、被着体との界面接着性及び熱時流動性が損なわれ、耐リフロー性を含む信頼性の低下を招くため、フィラーの使用量は上記の範囲内に収めることが好ましい。求められる特性のバランスをとるべく、最適フィラー含量を決定する。フィラーを用いた場合の混合・混練は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。   If the filler is increased more than necessary, the low-temperature sticking property, interfacial adhesion to the adherend and fluidity during hot flow, which are the characteristics of the present invention, are impaired, and the reliability including reflow resistance is reduced. It is preferable that the amount of use be within the above range. The optimal filler content is determined to balance the required properties. Mixing and kneading in the case of using a filler can be performed by appropriately combining dispersers such as a normal stirrer, a raking machine, a three-roller, and a ball mill.

本発明の接着剤組成物には、異種材料間の界面結合を良くするために、各種カップリング剤を添加することもできる。カップリング剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニウム系等が挙げられ、中でも効果が高い点で、シラン系カップリング剤が好ましい。上記カップリング剤の使用量は、その効果や耐熱性及びコストの面から、ポリビニルアセタール樹脂１００重量部に対して、０．０１〜２０重量部とするのが好ましい。   Various coupling agents can be added to the adhesive composition of the present invention in order to improve interfacial bonding between different materials. Examples of the coupling agent include silane-based, titanium-based, and aluminum-based, and among them, a silane-based coupling agent is preferable because it is highly effective. The amount of the coupling agent used is preferably 0.01 to 20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polyvinyl acetal resin from the viewpoints of the effect, heat resistance and cost.

また、本発明のフィルム状接着剤には、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性を良くするために、さらにイオン捕捉剤を添加することもできる。このようなイオン捕捉剤としては、特に制限はなく、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤等の銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物、ジルコニウム系、アンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウム化合物等の無機イオン吸着剤などが挙げられる。上記イオン捕捉剤の使用量は、添加による効果や耐熱性、コスト等の点から、ポリビニルアセタール樹脂１００重量部に対して、０．０１〜１０重量部が好ましい。   In addition, an ion scavenger can be further added to the film adhesive of the present invention in order to adsorb ionic impurities and improve insulation reliability during moisture absorption. Such an ion scavenger is not particularly limited, for example, triazine thiol compound, a compound known as a copper damage inhibitor to prevent copper from being ionized and dissolved, such as a bisphenol-based reducing agent, zirconium-based, Examples include inorganic ion adsorbents such as antimony bismuth-based magnesium aluminum compounds. The amount of the ion scavenger used is preferably 0.01 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polyvinyl acetal resin from the viewpoint of the effect of addition, heat resistance, cost, and the like.

本発明において、接着剤層には、適宜、軟化剤、老化防止剤、着色剤、難燃剤、テルペン系樹脂等の粘着付与剤、熱可塑系高分子成分を添加しても良い。接着性向上、硬化時の応力緩和性を付与するため用いられる熱可塑系高分子成分としては、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、キシレン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、尿素樹脂、アクリルゴム等が挙げられる。これら高分子成分は、分子量が５，０００〜５００，０００のものが好ましい。   In the present invention, a softener, an anti-aging agent, a colorant, a flame retardant, a tackifier such as a terpene resin, and a thermoplastic polymer component may be appropriately added to the adhesive layer. Thermoplastic polymer components used to improve adhesion and provide stress relaxation during curing include polyester resin, polyamide resin, polyimide resin, xylene resin, phenoxy resin, polyurethane resin, urea resin, acrylic rubber, etc. Can be mentioned. These polymer components preferably have a molecular weight of 5,000 to 500,000.

本発明の接着剤組成物においては、Ｂステージでの１８０℃におけるフロー量を（Ａ）、Ｃステージでのフロー量を（Ｂ）としたとき、（Ａ）−（Ｂ）が１００μｍ以上であり、２００μｍ以上であると好ましく、５００μｍ以上であるとさらに好ましい。（Ａ）−（Ｂ）が１００μｍ未満であると、Ｂステージでの熱流動による熱圧着性とＣステージでの熱流動抑制による高温接着性を両立できなくなる傾向にあり、半導体素子固定用フィルム状接着剤としての機能を備えることが困難になる。   In the adhesive composition of the present invention, when the flow amount at 180 ° C. in the B stage is (A) and the flow amount in the C stage is (B), (A)-(B) is 100 μm or more. 200 μm or more, preferably 500 μm or more. When (A)-(B) is less than 100 μm, it tends to be impossible to achieve both thermocompression bonding due to thermal fluidization at the B stage and high-temperature adhesiveness due to thermal fluidity suppression at the C stage. It becomes difficult to provide a function as an adhesive.

本発明の接着剤組成物は、Ｂステージの１８０℃におけるフロー量が５００μｍ以上であり、８００μｍ以上であると好ましく、１０００μｍ以上であるとより好ましい。また本発明の接着剤組成物は、Ｃステージの１８０℃におけるフロー量が５００μｍ未満であり、３００μｍ未満であると好ましく、１００μｍ未満であるとより好ましい。   In the adhesive composition of the present invention, the flow amount at 180 ° C. of the B stage is 500 μm or more, preferably 800 μm or more, and more preferably 1000 μm or more. In the adhesive composition of the present invention, the flow amount at 180 ° C. of the C stage is less than 500 μm, preferably less than 300 μm, and more preferably less than 100 μm.

これにより、表面に配線などが形成されている有機基板のような表面凹凸を有する支持部材に、半導体素子を８０〜２００℃の温度で１ＭＰａ以下の圧力で圧着したときに、上記支持部材表面凹凸への良好な段差埋込を確保できる。   As a result, when the semiconductor element is pressure-bonded at a pressure of 1 MPa or less at a temperature of 80 to 200 ° C. to a support member having a surface unevenness such as an organic substrate having a wiring formed on the surface, the surface unevenness of the support member Good step embedding can be secured.

上記Ｂステージの１８０℃におけるフロー量が５００μｍ未満であると、上述した熱流動による熱圧着性を確保できる温度が２００℃を超える可能性が高くなり、熱応力による反りの発生など熱ひずみに影響を与える可能性が高くなる他、基板上の凹凸に対する埋め込み性が低下する。   If the flow amount at 180 ° C. of the B stage is less than 500 μm, there is a high possibility that the temperature at which the thermocompression bondability due to the above-described heat flow can be ensured exceeds 200 ° C., which affects the thermal strain such as warpage due to thermal stress. The embedding property with respect to the unevenness on the substrate is reduced.

上記Ｂステージの１８０℃におけるフロー量の上限は特に限定されないが、３０００μｍを超えると、８０〜１５０℃での加熱圧着時の熱流動が大きくなりすぎて、支持部材界面に残存する空気の巻き込み又は発泡などにより、フィルム状接着剤内部にボイドが残存し易くなる傾向がある。   The upper limit of the flow amount at 180 ° C. of the B stage is not particularly limited, but if it exceeds 3000 μm, the heat flow at the time of thermocompression bonding at 80 to 150 ° C. becomes too large, or air entrainment remaining at the support member interface or Due to foaming or the like, voids tend to remain inside the film adhesive.

また、上記Ｃステージでの１８０℃におけるフロー量が５００μｍを超えると、上述した高温接着性の確保が困難になり、はんだリフロー時の熱流動による発泡など、耐リフロー性の確保が困難になる。   On the other hand, if the flow amount at 180 ° C. in the C stage exceeds 500 μm, it becomes difficult to ensure the high-temperature adhesion described above, and it becomes difficult to ensure reflow resistance such as foaming due to thermal flow during solder reflow.

（フィルム状接着剤の製造方法）
フィルム状接着剤は、上述の成分を有機溶媒中で混練してワニス（接着剤層塗工用のワニス）を調製した後、基材フィルム上に上記ワニスの層を形成させ、加熱乾燥した後に基材を除去することで得ることができる。 (Method for producing film adhesive)
The film-like adhesive is prepared by kneading the above components in an organic solvent to prepare a varnish (varnish for coating an adhesive layer), then forming a layer of the varnish on the base film, and heating and drying. It can be obtained by removing the substrate.

上記の混合、混練は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。上記の加熱乾燥の条件は、使用した溶媒が充分に揮散する条件であれば特に制限はないが、通常５０〜２００℃で、０．１〜９０分間加熱して行う。   The above mixing and kneading can be carried out by appropriately combining dispersers such as ordinary stirrers, crackers, three rolls, and ball mills. The heating and drying conditions are not particularly limited as long as the solvent used is sufficiently volatilized, but the heating is usually performed at 50 to 200 ° C. for 0.1 to 90 minutes.

上記接着剤層の製造の際に用いる有機溶媒、即ちワニス溶剤は、材料を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなく、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ―メチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トルエン、ベンゼン、キシレン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブ、ジオキサン、シクロヘキサノン、酢酸エチル等が挙げられる。   The organic solvent used in the production of the adhesive layer, that is, the varnish solvent is not limited as long as the material can be uniformly dissolved, kneaded, or dispersed. For example, dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methyl-2- Examples include pyrrolidone, dimethyl sulfoxide, diethylene glycol dimethyl ether, toluene, benzene, xylene, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, tetrahydrofuran, ethyl cellosolve, ethyl cellosolve acetate, butyl cellosolve, dioxane, cyclohexanone, and ethyl acetate.

本発明のフィルム状接着剤の製造時に使用する基材フィルムは、上記の加熱、乾燥条件に耐えるものであれば特に制限するものではなく、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、メチルペンテンフィルム等が挙げられる。これらの基材としてのフィルムは２種以上組み合わせて多層フィルムとしてもよく、表面がシリコーン系、シリカ系等の離型剤などで処理されたものであってもよい。   The base film used in the production of the film adhesive of the present invention is not particularly limited as long as it can withstand the above heating and drying conditions. For example, polyester film, polypropylene film, polyethylene terephthalate film, polyimide film , Polyetherimide film, polyether naphthalate film, methylpentene film and the like. Two or more kinds of these base films may be combined to form a multilayer film, or the surface may be treated with a release agent such as silicone or silica.

図４は、本発明による接着シートの更に別の一実施形態を示す模式断面図である。この接着シート４０は、支持基材としての基材フィルム７の一方の主面上に粘着剤層６が設けられたダイシングシート５の粘着剤層６上にフィルム状接着剤１が積層された構成を有している。基材フィルム７は、上述の基材フィルム２と同様のものであればよい。また、接着シート４０におけるフィルム状接着剤１は、これを貼り付ける半導体ウエハに近い形状に予め形成されていることが好ましい。なお、本発明に係る接着シートは、図５に示すように、上記接着シート４０におけるダイシングシート５に代えて基材フィルム７のみからなるダイシングシート５を設けた接着シート５０であってもよい。この態様の場合には、フィルム状接着剤が予めウエハに近い形状に形成されている（プリカット）ことが好ましい。   FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing still another embodiment of the adhesive sheet according to the present invention. The adhesive sheet 40 has a configuration in which the film adhesive 1 is laminated on the pressure-sensitive adhesive layer 6 of the dicing sheet 5 in which the pressure-sensitive adhesive layer 6 is provided on one main surface of the base film 7 as a supporting base material. have. The base film 7 may be the same as the base film 2 described above. Moreover, it is preferable that the film adhesive 1 in the adhesive sheet 40 is formed in advance in a shape close to the semiconductor wafer to which it is attached. As shown in FIG. 5, the adhesive sheet according to the present invention may be an adhesive sheet 50 provided with a dicing sheet 5 made of only the base film 7 instead of the dicing sheet 5 in the adhesive sheet 40. In the case of this aspect, it is preferable that the film adhesive is formed in advance in a shape close to the wafer (pre-cut).

上記接着シート４０は、ダイシングフィルムとしての機能を果たす粘着剤層６と、粘着剤層６上に積層されたダイボンディング用接着剤としてのフィルム状接着剤１とを備えていることにより、ダイシング工程においてはダイシングフィルムとして、ダイボンディング工程においてはダイボンディングフィルムとして機能することができる。例えば、半導体ウエハの裏面にフィルム状接着剤の側が半導体ウエハと密着するように接着シート４０が貼り付けられた状態でダイシングした後、フィルム状接着剤付きの半導体素子をダイシングシート５からピックアップして、これをそのままダイボンディング工程に用いることができる。   The adhesive sheet 40 includes a pressure-sensitive adhesive layer 6 that functions as a dicing film, and a film-like adhesive 1 as an adhesive for die bonding laminated on the pressure-sensitive adhesive layer 6, so that a dicing process is performed. Can function as a dicing film and in the die bonding step as a die bonding film. For example, after dicing in a state where the adhesive sheet 40 is adhered to the back surface of the semiconductor wafer so that the film adhesive side is in close contact with the semiconductor wafer, the semiconductor element with the film adhesive is picked up from the dicing sheet 5. This can be used as it is in the die bonding step.

粘着剤層６は、感圧型又は放射線硬化型の粘着剤で形成されている。粘着剤層６は、放射線硬化型の粘着剤で形成されていることが好ましい。放射線硬化型の粘着剤は、ダイシングの際には高粘着力で、ダイシング後のピックアップの際にはピックアップ前の放射線照射によって低粘着力となるといったように、粘着力の制御が容易である。   The pressure-sensitive adhesive layer 6 is formed of a pressure-sensitive or radiation-curable pressure-sensitive adhesive. The pressure-sensitive adhesive layer 6 is preferably formed of a radiation curable pressure-sensitive adhesive. The radiation curable pressure-sensitive adhesive has a high adhesive strength when dicing, and has a low adhesive strength when picked up after dicing and has a low adhesive strength due to radiation irradiation before picking up.

粘着剤層６が放射線硬化型の粘着剤で形成されている場合、ダイシング時に半導体素子が飛散しない程度の十分な粘着力を有し、放射線照射後は半導体素子をピックアップする際に半導体素子を傷つけない程度の低い粘着力を有することが好ましい。より具体的には、半導体ウエハの裏面にフィルム状接着剤１が密着するように接着シート４０を貼り付けた場合に、半導体ウエハに対するフィルム状接着剤の２５℃での９０°ピール剥離力をＡとし、露光量５００ｍＪ／ｃｍ２の条件でＵＶ照射した後の粘着剤層のフィルム状接着剤に対する２５℃での９０°ピール剥離力をＢとしたときに、（Ａ−Ｂ）の値が１Ｎ／ｍ以上であることが好ましい。この（Ａ−Ｂ）の値は５Ｎ／ｍ以上がより好ましく、１０Ｎ／ｍ以上がさらに好ましい。（Ａ−Ｂ）の値が１Ｎ／ｍ未満であると、ピックアップ時に半導体素子を傷つけたり、ピックアップ時に半導体ウエハとフィルム状接着剤との界面において先に剥離を生じてしまい、正常にピックアップできなくなったりする傾向にある。 When the pressure-sensitive adhesive layer 6 is formed of a radiation-curable pressure-sensitive adhesive, it has sufficient adhesive strength that the semiconductor element does not scatter during dicing, and damages the semiconductor element when picking up the semiconductor element after irradiation It is preferable that the adhesive strength is as low as possible. More specifically, when the adhesive sheet 40 is attached so that the film adhesive 1 is in close contact with the back surface of the semiconductor wafer, the 90 ° peel peeling force at 25 ° C. of the film adhesive on the semiconductor wafer is expressed as A. When the 90 ° peel peel force at 25 ° C. with respect to the film adhesive of the pressure-sensitive adhesive layer after UV irradiation under the condition of an exposure amount of 500 mJ / cm 2 is B, the value of (A−B) is 1N. / M or more is preferable. The value of (A-B) is more preferably 5 N / m or more, and further preferably 10 N / m or more. If the value of (A-B) is less than 1 N / m, the semiconductor element may be damaged during pick-up, or peeling may occur first at the interface between the semiconductor wafer and the film-like adhesive during pick-up, making it impossible to pick up normally. It tends to be.

この接着シートは、半導体装置製造工程を簡略化する目的で、フィルム状接着剤１とダイシングシート又は引張テンションを加えたときの伸び（通称、エキスパンド）を確保できる基材フィルム７とを少なくとも備える一体型の接着シートである。即ち、ダイシングシートとダイボンディングフィルムの両者に要求される特性を兼ね備える接着シートである。   For the purpose of simplifying the semiconductor device manufacturing process, this adhesive sheet is provided with at least a film-like adhesive 1 and a base film 7 that can ensure elongation (commonly known as an expand) when a dicing sheet or tensile tension is applied. It is a body-shaped adhesive sheet. That is, it is an adhesive sheet having characteristics required for both a dicing sheet and a die bonding film.

このように基材フィルムの上にダイシングシートとしての機能を果たす粘着剤層を設け、さらに粘着剤層の上にダイボンディングフィルムとしての機能を果たす本発明のフィルム状接着剤とを積層させる又は上述のエキスパンド可能な基材フィルムとを貼り合せることにより、ダイシング時にはダイシングシートとして、ダイボンディング時にはダイボンディングフィルムとしての機能を発揮する。   In this way, a pressure-sensitive adhesive layer that functions as a dicing sheet is provided on the base film, and the film-like adhesive of the present invention that functions as a die bonding film is further laminated on the pressure-sensitive adhesive layer, or the above-mentioned By adhering to the expandable base film, it functions as a dicing sheet during dicing and as a die bonding film during die bonding.

そのため、上述の一体型の接着シートは、半導体ウエハの裏面に一体型接着シートのフィルム状接着剤を加熱しながらウエハ裏面にラミネートし、ダイシングした後、フィルム状接着剤付き半導体素子としてピックアップして使用することができる。   Therefore, the above-mentioned integrated adhesive sheet is laminated on the back surface of the wafer while heating the film adhesive of the integrated adhesive sheet on the back surface of the semiconductor wafer, diced, and then picked up as a semiconductor element with a film adhesive. Can be used.

上記の粘着剤層は、感圧型又は放射線硬化型のどちらでも良く、ダイシング時には半導体素子が飛散しない十分な粘着力を有し、その後の半導体素子のピックアップ工程においては半導体素子を傷つけない程度の低い粘着力を有するものであれば特に制限することなく従来公知のものを使用することができる。   The pressure-sensitive adhesive layer may be either a pressure-sensitive type or a radiation-curing type, has a sufficient adhesive strength that prevents the semiconductor element from scattering during dicing, and is low enough not to damage the semiconductor element in the subsequent pick-up process of the semiconductor element. A conventionally well-known thing can be used without a restriction | limiting especially if it has adhesive force.

また、上記の基材フィルム７は、引張テンションを加えたときの伸び（通称、エキスパンド）を確保できるフィルムであれば特に制限はないが、材質がポリオレフィンのフィルムが好ましく用いられる。   Further, the base film 7 is not particularly limited as long as it can ensure elongation (common name, expanded) when a tensile tension is applied, but a film made of polyolefin is preferably used.

本発明の接着剤組成物及びフィルム状接着剤は、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子と、４２アロイリードフレーム、銅リードフレーム等のリードフレーム；ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等のプラスチックフィルム；ガラス不織布等基材にポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等のプラスチックを含浸、硬化させたもの；アルミナ等のセラミックス等の半導体搭載用支持部材等の被着体とを貼り合せるためのダイボンディング用接着材料として用いることができる。   The adhesive composition and the film-like adhesive of the present invention include semiconductor elements such as IC and LSI, lead frames such as 42 alloy lead frames and copper lead frames; plastic films such as polyimide resins and epoxy resins; A material obtained by impregnating and curing a plastic such as polyimide resin or epoxy resin on a material; can be used as an adhesive material for die bonding for bonding an adherend such as a ceramic mounting support member such as ceramics such as alumina. .

中でも、表面に有機レジスト層を具備してなる有機基板、表面に配線有する有機基板等の表面に凹凸を有する有機基板と半導体素子とを接着するためのダイボンディング用接着材料として好適に用いられる。   Among them, it is suitably used as an adhesive material for die bonding for bonding an organic substrate having an uneven surface on a surface such as an organic substrate having an organic resist layer on the surface and an organic substrate having wiring on the surface, and a semiconductor element.

また、複数の半導体素子を積み重ねた構造のＳｔａｃｋｅｄ−ＰＫＧにおいて、半導体素子と半導体素子とを接着するための接着材料としても好適に用いられる。   Further, in the Stacked-PKG having a structure in which a plurality of semiconductor elements are stacked, it is also suitably used as an adhesive material for bonding the semiconductor elements to the semiconductor elements.

上記フィルム状接着剤の用途のうち、このフィルム状接着剤を備える半導体装置について図面を用いて具体的に説明する。ただし、上述のフィルム状接着剤の用途は、以下に説明する実施形態に係る半導体装置に限定されるものではない。   Among the uses of the film adhesive, a semiconductor device provided with the film adhesive will be specifically described with reference to the drawings. However, the use of the above-mentioned film adhesive is not limited to the semiconductor device according to the embodiment described below.

図６は、本発明に係る半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。図６に示す半導体装置６０は、半導体素子９が、上述のフィルム状接着剤１を介して支持部材１０に接着され、半導体素子９の接続端子（図示せず）がワイヤ１１を介して外部接続端子（図示せず）と電気的に接続され、更に、封止材層１２によって封止された構成を有している。   FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a semiconductor device according to the present invention. In the semiconductor device 60 shown in FIG. 6, the semiconductor element 9 is bonded to the support member 10 via the above-described film adhesive 1, and a connection terminal (not shown) of the semiconductor element 9 is externally connected via the wire 11. The structure is electrically connected to a terminal (not shown) and further sealed with a sealing material layer 12.

図７は、本発明に係る半導体装置の別の実施形態を示す模式断面図である。図７に示す半導体装置７０は、一段目の半導体素子９ａが上記フィルム状接着剤によって形成されたダイボンディング層１を介して支持部材１０に接着され、半導体素子９ａの上に半導体素子９ｂが上記フィルム状接着剤によって形成されたダイボンディング層１を介して接着され、全体が封止材層１２によって封止された構成を有している。半導体素子９ａ及び半導体素子９ｂの接続端子（図示せず）は、それぞれワイヤ１１を介して外部接続端子と電気的に接続されている。   FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of the semiconductor device according to the present invention. In the semiconductor device 70 shown in FIG. 7, the first-stage semiconductor element 9a is bonded to the support member 10 via the die bonding layer 1 formed by the film adhesive, and the semiconductor element 9b is placed on the semiconductor element 9a. It is bonded via a die bonding layer 1 formed by a film adhesive and has a configuration in which the whole is sealed by a sealing material layer 12. Connection terminals (not shown) of the semiconductor element 9a and the semiconductor element 9b are electrically connected to external connection terminals via wires 11, respectively.

図６及び図７に示す半導体装置（半導体パッケージ）は、本実施形態に係るフィルム状接着剤を用いたダイボンディング工程と、これに続いてワイヤボンディング工程、封止材による封止工程等の工程を備える製造方法により製造することができる。ダイボンディング工程においては、フィルム状接着剤が積層された半導体素子を、支持部材との間にフィルム状接着剤が挟まれるように支持部材の上に載せた状態で、全体を加熱及び加圧することにより、半導体素子が支持部材に接着される。ダイボンディング工程における加熱の条件は、通常、２０〜２５０℃で０．１〜３００秒間である。   The semiconductor device (semiconductor package) shown in FIGS. 6 and 7 includes a die bonding process using the film-like adhesive according to the present embodiment, and subsequent processes such as a wire bonding process and a sealing process using a sealing material. It can manufacture with a manufacturing method provided with. In the die bonding step, the semiconductor element laminated with the film adhesive is heated and pressurized in a state where the semiconductor element is placed on the support member so that the film adhesive is sandwiched between the semiconductor element and the support member. Thus, the semiconductor element is bonded to the support member. The heating conditions in the die bonding step are usually 20 to 250 ° C. and 0.1 to 300 seconds.

以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれに制限するものではない。   EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.

（実施例１〜５、比較例１〜５）
下記の材料をそれぞれ用い、表１及び表２の配合表に示す組成（重量部）で混合し、フィルム塗工用ワニスを調製した。
次に、得られたワニスを４０μｍの厚さに、それぞれ基材（剥離剤処理ＰＥＴ）上に塗布し、オーブン中で、８０℃で３０分、続いて１２０℃で３０分加熱し、基材付きのフィルム状接着剤を得た。
これらの実施例１〜５及び比較例１〜５のフィルム状接着剤の特性評価結果を表１及び表２にまとめて示す。 (Examples 1-5, Comparative Examples 1-5)
Each of the following materials was used and mixed with the composition (parts by weight) shown in the formulation tables of Tables 1 and 2, to prepare a varnish for film coating.
Next, the obtained varnish was applied to a base material (peeling agent-treated PET) to a thickness of 40 μm, and heated in an oven at 80 ° C. for 30 minutes and then at 120 ° C. for 30 minutes. A film-like adhesive was obtained.
Tables 1 and 2 collectively show the property evaluation results of the film adhesives of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 5.

なお、表１及び２において、種々の記号は下記のものを意味する。
Ｂ−７２（Ｂｕｔｖａｒ−７２）：ソルーシア、ポリビニルブチラール樹脂（Ｔｇ：７５℃、重量平均分子量：２１００００）
Ｂ−７４（Ｂｕｔｖａｒ−７４）：ソルーシア、ポリビニルブチラール樹脂（Ｔｇ：７５℃、重量平均分子量：１３５０００）
ＺＸ−１３９５：東都化成、ビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂（Ｔｇ：６８℃、重量平均分子量：８８０００） In Tables 1 and 2, various symbols mean the following.
B-72 (Butvar-72): Solusia, polyvinyl butyral resin (Tg: 75 ° C., weight average molecular weight: 210000)
B-74 (Butvar-74): Solusia, polyvinyl butyral resin (Tg: 75 ° C., weight average molecular weight: 135000)
ZX-1395: Toto Kasei, bisphenol F type phenoxy resin (Tg: 68 ° C., weight average molecular weight: 88000)

ＥＳＣＮ−１９５：住友化学、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２００）、
ＨＰ−８５０Ｎ：日立化成、フェノールノボラック樹脂（ＯＨ当量：１０６）
ＴＰＰＫ：東京化成、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボラート
ＮＭＰ：関東化学、Ｎ−メチル−２−ピロリドン
ＨＰ−Ｐ１：水島合金鉄、窒化ホウ素フィラー ESCN-195: Sumitomo Chemical, cresol novolac type epoxy resin (epoxy equivalent 200),
HP-850N: Hitachi Chemical, phenol novolac resin (OH equivalent: 106)
TPPK: Tokyo Kasei, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate NMP: Kanto Chemical, N-methyl-2-pyrrolidone HP-P1: Mizushima alloy iron, boron nitride filler

ＰＩ−１：下記の方法により製造されたポリイミド樹脂
温度計、攪拌機、冷却管及び窒素流入管を装着した３００ｍＬフラスコ中に、モノマーとして、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン６．８３ｇ（０．０５モル）、４，９−ジオキサドデカン−１，１２−ジアミン３．４０ｇ（０．０５モル）及び有機溶媒としてＮ−メチル−２−ピロリドン１１０．５ｇを仕込み撹拌して、有機溶媒中に上記各ジアミンが溶解した反応液を得た。 PI-1: Polyimide resin produced by the following method 2,2-bis (4-aminophenoxyphenyl) propane as a monomer in a 300 mL flask equipped with a thermometer, a stirrer, a condenser tube and a nitrogen inflow tube. 83 g (0.05 mol), 4,9-dioxadodecane-1,12-diamine 3.40 g (0.05 mol) and N-methyl-2-pyrrolidone 110.5 g as an organic solvent were charged and stirred. A reaction solution in which each diamine was dissolved in an organic solvent was obtained.

次いで、そこにデカメチレンビストリメリテート二無水物１７．４０ｇ（０．１モル）を少量ずつ添加すると共に、窒素ガスを吹き込みながら１８０℃で５時間加熱して反応を進行させて、発生する水を系外に除去して、ポリイミド樹脂（ＰＩ−１）の溶液を得た。   Next, 17.40 g (0.1 mol) of decamethylene bistrimellitate dianhydride was added thereto little by little, and the reaction was allowed to proceed by heating at 180 ° C. for 5 hours while blowing nitrogen gas to generate generated water. Was removed from the system to obtain a polyimide resin (PI-1) solution.

得られたポリイミド樹脂の分子量をＧＰＣにより測定したところ、ポリスチレン換算で、数平均分子量（Ｍｎ）が２８９００、重量平均分子量（Ｍｗ）が８８６００であった。 また、得られたポリイミド樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は７３℃であった。   When the molecular weight of the obtained polyimide resin was measured by GPC, the number average molecular weight (Mn) was 28900 and the weight average molecular weight (Mw) was 88600 in terms of polystyrene. Moreover, the glass transition temperature (Tg) of the obtained polyimide resin was 73 degreeC.

＜製膜性＞
上述のフィルム塗工用ワニスを４０μｍの厚さに、それぞれ基材（剥離剤処理ＰＥＴ）上に塗布し、オーブン中で、８０℃で３０分、続いて、１２０℃で３０分加熱した後のフィルム状態を観察し、塗工ワニスのはじき及びムラなく均一なフィルムが得られた場合を○、塗工ワニスのはじき及びムラによって、得られたフィルム面積が５０％以下に縮小してしまった場合を×とした。 <Film-forming properties>
After coating the above-mentioned varnish for film coating to a thickness of 40 μm on a substrate (peeling agent-treated PET), heating in an oven at 80 ° C. for 30 minutes, and subsequently at 120 ° C. for 30 minutes When the film state is observed and a uniform film is obtained with no repelling and unevenness of the coating varnish, when the obtained film area is reduced to 50% or less due to repelling and unevenness of the coating varnish Was marked with x.

＜フロー量＞
フロー量とは、厚さが５０μｍのＰＥＴ基材上に４０μｍの厚さのフィルム状接着剤が形成された接着シートを、１０ｍｍ×１０ｍｍサイズに切断し、この接着シートを２枚のスライドグラス（ＭＡＴＳＵＮＡＭＩ製、７６ｍｍ×２６ｍｍ×１．０〜１．２ｍｍ厚）の間に挟み、このサンプルを１８０℃の熱盤上で１００ｋｇｆ／ｃｍ２の荷重をかけ、１２０秒間加熱圧着した後の上記ＰＥＴ基材からの四辺からのはみ出し量をそれぞれ光学顕微鏡で計測したときの平均値である。Ｂステージ状態の接着シート及びＣステージ状態の接着シートについて、このフロー量を測定した。 <Flow amount>
The flow amount means that an adhesive sheet in which a film adhesive having a thickness of 40 μm is formed on a PET substrate having a thickness of 50 μm is cut into a size of 10 mm × 10 mm, and the adhesive sheet is cut into two slide glasses ( MATUNAMI, 76 mm × 26 mm × 1.0-1.2 mm thickness), and the sample is subjected to a pressure of 100 kgf / cm 2 on a 180 ° C. hot plate and heat-pressed for 120 seconds to obtain the PET base. It is an average value when the amount of protrusion from the four sides of the material is measured with an optical microscope. This flow amount was measured for the adhesive sheet in the B stage state and the adhesive sheet in the C stage state.

なお、Ｂステージとは後述する接着剤組成物ワニスをＰＥＴ基材上に塗工後、オーブン中で、８０℃で３０分、続いて１２０℃で３０分の条件で加熱した後の状態であり、Ｃステージとはオーブン中でさらに１８０℃で５時間の条件で加熱硬化した後の状態のことである。
また、フィルムの厚さは±５μｍの誤差で調整した（以下、同様）。 The B stage is a state after an adhesive composition varnish, which will be described later, is coated on a PET substrate and then heated in an oven at 80 ° C. for 30 minutes and then at 120 ° C. for 30 minutes. The C stage is a state after further heat-curing in an oven at 180 ° C. for 5 hours.
The thickness of the film was adjusted with an error of ± 5 μm (hereinafter the same).

＜ピール強度＞
図８に示すような、プッシュプルゲージ１４に取り付けられたロッドの先端に、取っ手が支点の周りで角度可変に設けられた接着力評価装置を用い、以下のようにして、リードフレーム１３を介して熱盤１５上に設置した半導体素子（シリコンチップ）９とフィルム状接着剤１との間のピール強度を測定した。 <Peel strength>
As shown in FIG. 8, an adhesive strength evaluation device in which a handle is provided with a variable angle around a fulcrum at the tip of a rod attached to a push-pull gauge 14, and through a lead frame 13 as follows. The peel strength between the semiconductor element (silicon chip) 9 placed on the heating plate 15 and the film adhesive 1 was measured.

まず、４２アロイリードフレーム上にシリコンチップ（５ｍｍ×５ｍｍ×０．４ｍｍ厚）をフィルム状接着剤（５ｍｍ×５ｍｍ×４０μｍ厚）を用いて、温度：１５０℃、圧力：１ｋｇｆ／ｃｈｉｐ、時間：５秒、又は、温度：２００℃、圧力：５ｋｇｆ／ｃｈｉｐ、時間：１０秒の条件で加熱圧着した後、オーブン中で、１８０℃で５時間の条件で加熱硬化した。
２６０℃の熱盤１５上で２０秒加熱した後、上述の接着力評価装置を用いて、測定速度：０．５ｍｍ／秒の条件でシリコンチップの引き剥がし強度を測定し、このときの値をピール強度とした。 First, a silicon chip (5 mm × 5 mm × 0.4 mm thickness) on a 42 alloy lead frame using a film adhesive (5 mm × 5 mm × 40 μm thickness), temperature: 150 ° C., pressure: 1 kgf / chip, time: After thermocompression bonding under the conditions of 5 seconds or temperature: 200 ° C., pressure: 5 kgf / chip, time: 10 seconds, it was cured by heating in an oven at 180 ° C. for 5 hours.
After heating on a heating plate 15 at 260 ° C. for 20 seconds, the peeling strength of the silicon chip was measured at a measurement speed of 0.5 mm / second using the above-described adhesive strength evaluation apparatus, and the value at this time was The peel strength was used.

表１及び表２に示されるように、実施例の接着剤組成物を用いたものは、比較例のものと比較して、製膜性、熱流動性に優れ、２６０℃ピール強度が十分に高いことが明らかである。   As shown in Table 1 and Table 2, those using the adhesive composition of the example are superior in film forming property and heat fluidity compared to those of the comparative example, and the 260 ° C. peel strength is sufficient. Clearly high.

本発明の好適な実施形態に係るフィルム状接着剤を示す模式断面図である。It is a schematic cross section which shows the film adhesive which concerns on suitable embodiment of this invention. 本発明の好適な実施形態に係る接着シートを示す模式断面図である。It is a schematic cross section which shows the adhesive sheet which concerns on suitable embodiment of this invention. 本発明の接着シートの別の一実施形態を示す模式断面図である。It is a schematic cross section which shows another one Embodiment of the adhesive sheet of this invention. 本発明による接着シートの更に別の一実施形態を示す模式断面図である。It is a schematic cross section which shows another one Embodiment of the adhesive sheet by this invention. 本発明による接着シートのなおも更に別の一実施形態を示す模式断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing still another embodiment of the adhesive sheet according to the present invention. 本発明に係る半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。1 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a semiconductor device according to the present invention. 本発明に係る半導体装置の別の実施形態を示す模式断面図である。It is a schematic cross section which shows another embodiment of the semiconductor device which concerns on this invention. 実施例における接着力評価装置を示す模式部分断面図である。It is a model fragmentary sectional view which shows the adhesive force evaluation apparatus in an Example.

符号の説明Explanation of symbols

１…フィルム状接着剤、２…基材フィルム、３…保護フィルム、５…ダイシングシート、６…粘着剤層、７…基材フィルム、９，９ａ，９ｂ…半導体素子、１０…支持部材、１１…ワイヤ、１２…封止材層、１３…リードフレーム、１４…プッシュプルゲージ、１５…熱盤、２０，３０，４０，５０…接着シート、６０，７０…半導体装置。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Film adhesive, 2 ... Base film, 3 ... Protective film, 5 ... Dicing sheet, 6 ... Adhesive layer, 7 ... Base film, 9, 9a, 9b ... Semiconductor element, 10 ... Support member, 11 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Wire, 12 ... Sealing material layer, 13 ... Lead frame, 14 ... Push-pull gauge, 15 ... Heating board, 20, 30, 40, 50 ... Adhesive sheet, 60, 70 ... Semiconductor device.

Claims (7)

ポリビニルアセタール樹脂、熱硬化性樹脂、硬化剤及び窒化ホウ素フィラーを含有する接着剤組成物であって、
前記接着剤組成物のＢステージでの１８０℃におけるフロー量が５００μｍ以上であり、かつＣステージでの１８０℃におけるフロー量が５００μｍ未満であり、
前記Ｂステージでの１８０℃におけるフロー量を（Ａ）、前記Ｃステージでの１８０℃におけるフロー量を（Ｂ）としたとき、（Ａ）−（Ｂ）の値が１００μｍ以上であり、
前記ポリビニルアセタール樹脂のＴｇが１５０℃以下であり、
前記ポリビニルアセタール樹脂がポリビニルブチラール樹脂であり、
前記熱硬化性樹脂の含有量が、前記ポリビニルアセタール樹脂１００重量部に対して、５〜２５０重量部であり、
前記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂であり、
半導体素子と、他の半導体素子又は半導体素子搭載用支持部材との接着に用いられる、接着剤組成物。 An adhesive composition containing a polyvinyl acetal resin, a thermosetting resin , a curing agent and a boron nitride filler ,
The flow amount at 180 ° C. in the B stage of the adhesive composition is 500 μm or more, and the flow amount at 180 ° C. in the C stage is less than 500 μm,
When the flow amount at 180 ° C. in the B stage is (A) and the flow amount at 180 ° C. in the C stage is (B), the value of (A)-(B) is 100 μm or more,
Tg of the polyvinyl acetal resin is 150 ° C. or less,
The polyvinyl acetal resin is a polyvinyl butyral resin;
The content of the thermosetting resin is 5 to 250 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polyvinyl acetal resin,
The thermosetting resin is Ri epoxy resin der,
An adhesive composition used for bonding a semiconductor element to another semiconductor element or a semiconductor element mounting support member . 前記半導体素子搭載用支持部材が、前記半導体素子を搭載する面に配線段差を有する有機基板である請求項１に記載の接着剤組成物。 The adhesive composition according to claim 1 , wherein the semiconductor element mounting support member is an organic substrate having a wiring step on a surface on which the semiconductor element is mounted. 請求項１又は２に記載の接着剤組成物をフィルム状に形成してなるフィルム状接着剤。 The film adhesive formed by forming the adhesive composition of Claim 1 or 2 in a film form. 支持基材と、該支持基材の主面上に形成された請求項３に記載のフィルム状接着剤とを備えてなる接着シート。 An adhesive sheet comprising: a support substrate; and the film adhesive according to claim 3 formed on the main surface of the support substrate. 前記支持基材がダイシングシートである請求項４に記載の接着シート。 The adhesive sheet according to claim 4 , wherein the support substrate is a dicing sheet. 前記ダイシングシートが、基材フィルム及び該基材フィルム上に設けられた粘着剤層を有する請求項５に記載の接着シート。 The adhesive sheet according to claim 5 , wherein the dicing sheet has a base film and an adhesive layer provided on the base film. 請求項１又は２に記載の接着剤組成物により、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とが接着された構造及び／又は隣接する半導体素子同士が接着された構造を有する半導体装置。   A semiconductor device having a structure in which a semiconductor element and a semiconductor element mounting support member are bonded and / or a structure in which adjacent semiconductor elements are bonded to each other by the adhesive composition according to claim 1.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5223946B2 (en) * 2010-06-14 2013-06-26 日立化成株式会社 Adhesive film for circuit connection, circuit connection structure using the same, and circuit member connection method
JP5910630B2 (en) * 2011-05-20 2016-04-27 日立化成株式会社 Adhesive composition, film adhesive, adhesive sheet and semiconductor device
JP5664455B2 (en) * 2011-05-20 2015-02-04 日立化成株式会社 Adhesive composition, adhesive sheet, and semiconductor device
KR20220147084A (en) * 2020-02-27 2022-11-02 린텍 가부시키가이샤 Sheet for forming a protective film, a method for manufacturing a chip with a protective film, and a laminate

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2718844B2 (en) * 1991-08-29 1998-02-25 日立化成工業株式会社 Copper foil adhesive for copper clad laminates
JPH07154068A (en) * 1993-12-01 1995-06-16 Hitachi Chem Co Ltd Adhesive sheet and production thereof, metal based wiring board employing adhesive sheet and production thereof
JPH08269423A (en) * 1995-03-28 1996-10-15 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Electroconductive adhesive
JPH10178036A (en) * 1996-10-15 1998-06-30 Toray Ind Inc Board for connecting semiconductor integrated circuit, components therefor and semiconductor device
JP2001220557A (en) * 2000-02-07 2001-08-14 Tomoegawa Paper Co Ltd Epoxy resin composition adhesive sheet
JP2005247953A (en) * 2004-03-03 2005-09-15 Toray Ind Inc Adhesive composition for semiconductor and adhesive sheet for semiconductor using the same
JP2006290997A (en) * 2005-04-08 2006-10-26 Hitachi Chem Co Ltd Thermosetting resin composition, adhesive sheet using the composition and adhesive sheet with copper foil
JP4992396B2 (en) * 2005-11-29 2012-08-08 味の素株式会社 Resin composition for interlayer insulation layer of multilayer printed wiring board
JP2007331180A (en) * 2006-06-14 2007-12-27 General Technology Kk Sublimation transfer image-receiving sheet, sublimation transfer sheet and sublimation transfer-recording set
US8293847B2 (en) * 2006-08-04 2012-10-23 Hitachi Chemical Co., Ltd. Film-like adhesive, adhesive sheet, and semiconductor device using same
JP2008094908A (en) * 2006-10-10 2008-04-24 Sumitomo Electric Ind Ltd Adhesive for electrode connection

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