JP5559869B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
まず、本発明の第1の実施例について説明する。図1は、円筒型の外周にプラズマを生成するプラズマ処理装置において、プラズマを生成するプラズマ源(プラズマ放電部)10の基本構成例の斜視図である。円筒型のプラズマ源の左側の開口部が見え、右側の開口部は隠れており、右側の開口部は破線で示している。誘電体からなる円筒状の基板11に対して、2本の導線1−1と1−2を略平行に保ちながら、螺旋状に巻き付けてある。そして、導線を巻き付けた状態で、厚さ(T2)1mm以下の誘電体膜12を形成している。これによって導線を誘電体で覆い、誘電体バリア放電の電極を形成している。なお、2本の導線1−1と1−2は、識別しやすいように太さを変えて表示し、こちらから見て奥側の導線については破線で表示している。2本の導電の間隔D1は1mm以下としている。また、2本の導線が略平行である場合、D1とD1の間の間隔D2はD1よりも広くした方が望ましい。導線1−1と1−2との間で、間隔が近い導線間で放電が起き易く、安定した放電が望めるためである。誘電体基板11及び誘電体膜12の材料は耐プラズマ性の高い材料であることが望ましい。例えばガラスや透明イットリア、アルミナ(Al2O3)を用いることが望ましい。ただし、処理によっては樹脂等を誘電体基板や誘電体薄膜に利用しても良い。
次に、第2の実施例として、円筒型プラズマ源において、円筒の内周でプラズマを生成するプラズマ処理装置について述べる。図7は円筒の内周にプラズマ生成するプラズマ源10を示した斜視図である。図1と同様に、2本の導線を略平行に保ちながら、円筒状の誘電体基板11に対して螺旋状に巻き付けている。そして、その上から誘電体膜12を成膜している。ただし、本実施例ではプラズマを円筒内部の内側で生成するため、誘電体基板11の厚さH1は誘電体膜12の厚さH2に比べて十分薄くしてある。例えば、誘電体基板の厚さH1は1mm以下、誘電体膜の厚さH2はH1の10倍以上である。原理的には、H1はH2より薄ければ誘電体基板11の内部にプラズマを発生させることができるものの、実施例1同様、強度の理由からである。また、ここでは、誘電体基板11を円筒内側、誘電体膜12を円筒外側の構成として説明しているが、誘電体基板を12、誘電体膜を11としても良い。製造方法が異なるだけで装置として得られる効果は同じであるためである。なお、螺旋状に巻いた導線の引き出し線4−1、4−2は円筒の外側へ引き出すようにしてある。また、引き出し線4−1、4−2の導線の終端および高周波電源3への接続形態については、実施例1で説明したものと同様であり、説明は省略する。
次に、第3の実施例として、非平面を持つ、大型の被処理体に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置について述べる。図10は本発明のプラズマ処理装置50の全体概要を示している。平板型のプラズマ源10(10−1から10−5)は位置調整機構20に接続されており、被処理体41との距離、及び被処理体に対する向き(角度)を調整できるようになっている。図11にプラズマ源10の一例を示す。図11Aは上面図、図11Bは側面断面図を示している。2種類の導線1−1と1−2が略平行になるように配置して、その上から誘電体膜12(図11B参照)を成膜することで、誘電体に覆われた電極を形成している。誘電体膜12の厚さは1mm以下であり、誘電体基板11の厚さは強度確保のため誘電体膜の10倍以上の厚さとしている。電極1−1、1−2は引き出し線4−1、4−2によって高周波電源3に接続されている。図12は平面型プラズマ源10を並べた状態の上面図である。図12中のX-X’の断面を側面から見た状態が図10中のプラズマ源部分に相当している。なお、プラズマ源を密に配置するためプラズマ源の夫々が六角形状となっているが、この形態に限定されることなく、五角形、四角形でもよい。
Claims (20)
- 円筒状の誘電体基板と、
前記誘電体基板の外周に配置された、間隔が1mm以下の一対の導線と、
前記一対の導線を覆う厚さ1mm以下の誘電体膜を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
前記一対の導線は平行に配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
さらに、前記誘電体基板を駆動する位置調整機構を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
さらに、前記誘電体基板の外部に配置される被処理体との距離を測定する、前記誘電体基板の内部に配置された距離計を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
さらに、前記誘電体基板の外部に配置される被処理体にプラズマにより成膜された膜厚を測定する、前記誘電体基板の内部に配置された膜厚モニタを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
さらに、前記誘電体基板を駆動する位置調整機構と、前記誘電体基板の外部に配置される被処理体との距離を測定する、前記誘電体基板の内部に配置された複数の測定計とを備え、
前記複数の測定計により得られた距離情報に基づき、前記誘電体基板と前記被処理体とが所定の距離を保つよう、前記位置調整機構は前記誘電体基板を駆動することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
前記一対の導線は前記誘電体基板に対し螺旋状に配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
さらに、前記一対の導線に対し交流電圧を印加する高周波電源を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 円筒状の1mm以下の厚さを備える誘電体基板と、
前記誘電体基板の外周に配置された、間隔が1mm以下の一対の導線と、
前記一対の導線を覆う誘電体膜を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項9記載のプラズマ処理装置において、
前記一対の導線は平行に配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項9記載のプラズマ処理装置において、
さらに、前記誘電体基板を駆動する位置調整機構を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項9記載のプラズマ処理装置において、
さらに、前記誘電体基板の内部に配置される被処理体との距離を測定する、前記誘電体基板の外部に配置された距離計を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項9記載のプラズマ処理装置において、
さらに、前記誘電体基板の内部に配置される被処理体にプラズマにより成膜された膜厚を測定する、前記誘電体基板の外部に配置された膜厚モニタを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項9記載のプラズマ処理装置において、
さらに、前記誘電体基板を駆動する位置調整機構と、前記誘電体基板の内部に配置される被処理体との距離を測定する、前記誘電体基板の外部に配置された複数の測定計とを備え、
前記複数の測定計により得られた距離情報に基づき、前記誘電体基板と前記被処理体とが所定の距離を保つよう、前記位置調整機構は前記誘電体基板を駆動することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項9記載のプラズマ処理装置において、
前記一対の導線は前記誘電体基板に対し螺旋状に配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項9記載のプラズマ処理装置において、
さらに、前記一対の導線に対し交流電圧を印加する高周波電源を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 複数の誘電体基板と、
前記複数の誘電体基板の夫々に配置された、間隔が1mm以下の一対の導線と、
前記一対の導線を覆う厚さ1mm以下の誘電体膜と、
前記誘電体基板の夫々に対し、被処理体との距離および角度を調整する位置調整機構を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項17記載のプラズマ処理装置において、
前記一対の導線は平行に配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項17記載のプラズマ処理装置において、
さらに、前記複数の誘電体基板の夫々は、被処理体との距離を測定する複数の測定計とを備え、
前記複数の測定計により得られた距離情報に基づき、前記誘電体基板と前記被処理体とが所定の距離を保つよう、前記位置調整機構は前記誘電体基板を駆動することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項17記載のプラズマ処理装置において、
さらに、複数の前記一対の導線の夫々に対し交流電圧を印加する高周波電源を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
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JPH10158846A (ja) * | 1996-12-05 | 1998-06-16 | Canon Inc | バッチ式マイクロ波プラズマ処理装置及び処理方法 |
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