JP5557810B2 - 水酸化インジウム及び水酸化インジウムを含む化合物の製造方法 - Google Patents
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スパッタリング法による被覆法は処理時間や供給電力等を調節することによって、安定した成膜速度でオングストローム単位の薄い膜から数十μmの厚い膜まで形成できるという特徴を有している。
a) 得られる酸化インジウム粉末は諸特性(平均粒径,見掛密度等)のバラツキが大きく、これが酸化インジウム系の表示材料,蛍光体等の“品質バラツキの低減”或いは“高品質化”の阻害要因となっている。
b) 製造条件(液温,反応速度等)を一定に制御することが必ずしも容易でなく、これを安定させるために設備コストが上昇する。
c) 従来とは特性の異なる粉末を要求された場合に、この要求への柔軟な対応ができない。
d) 装置が比較的大掛かりとなり、そのため製造条件を一定に制御しようとすると、かなりの労力を要する上、増産への対応が必ずしも容易とは言えない。
e) 中和廃液(例えば硝酸アンモニウム)がその都度発生するのでその処理が必要であり、これがランニングコストを高める。
硝酸アンモニウム(NH4NO3)、濃度:0.2〜5mol/L、pH:4〜10、温度:10〜50°Cの水溶液中において、インジウムを陽極(アノード)として、電流密度100〜1800A/m2で通電して電解を行う。そして、電解槽底の沈積物をろ過、洗浄及び乾燥し、水酸化インジウムを得る。
この水酸化インジウムを原料として、酸化インジウムを製造する場合には、1100°C程度の温度で焙焼すれば良い。これによって、平均粒径1〜5μmの酸化インジウム粉末を得ることができる。
特許文献2は、酸化インジウム粉末の製造方法であり、インジウムを陽極として、電解液中に水酸化インジウム沈殿を懸濁させた状態に攪拌して電解するものである。具体的には、攪拌を行わない場合には、電解槽の液面付近におけるpHは8.5程度であるが槽底付近のpHは3.2程度、電解液を攪拌することにより液面付近と槽底付近の電解液が混合され、pHが均一化されるというものである。
1)電解により水酸化インジウム又は水酸化インジウムを含む化合物を製造する方法であって、電解液の電導度を10mS/cm以上として電解を行い、水酸化インジウム又は水酸化インジウムを含む化合物を電解液中に析出させ、さらに析出した水酸化インジウム又は水酸化インジウムを含む化合物を洗浄し、この洗浄液の電導度が1mS/cm以下になるまで洗浄することを特徴とする電解による水酸化インジウム又は水酸化インジウムを含む化合物の製造方法。
電解槽には、ステンレス板又はチタン板からなるカソード板を交互に平行に複数枚配置する。電解槽には、電解液を供給する。電解液には、硝酸アンモニウム水溶液(NH4NO3)を用いる。なお、電解液については、特に指定されるものではなく、硝酸系水溶液、硫酸系水溶液、塩酸系水溶液或いはその他の電解質等の何れを用いても良いものの、コストや製品の純度維持の面から硝酸アンモニウム水溶液が好ましいと言える。
そこで、各種検討した結果、電解液中の電導度が低すぎると電流効率が非常に悪くなり、また焼結密度が低いのは、水酸化インジウムに付着した電解液が原因していることが判明した。
アノードにインジウム板を使用し、カソードにステンレス板を使用し、電解液として硝酸アンモニウム水溶液を用い電解により水酸化物を析出させた。この場合の電解液の電導度を10mS/cm として電解を行ったところ、電流効率は95%であった。
さらに、その水酸化物をろ過し、純水を使用して洗浄を行い、洗浄液の電導度が0.1mS/cm になるまで洗浄した。その後、乾燥して酸化インジウムとし、さらに1500°Cという条件で焼結を行って、相対密度98%のインジウム焼結体を得た。
すなわち、いずれも得られた水酸化インジウム又は水酸化インジウムを含む化合物を洗浄することにより、相対密度が向上するということ、そして、その指標となり、制御できる条件が、洗浄液の電導度であることが確認できた。
実施例1の電解液の電導度を100mS/cmに替えて電解を行った。この場合の電流効率は99%であった。その後、純水でリパルプ洗浄し、洗浄液の電導度が0.01mS/cmになるまで洗浄した。実施例1と同一の条件で焼結した結果、焼結体の相対密度99.5%の高密度焼結体を得た。
実施例1と同様に、水酸化インジウム又は水酸化インジウムを含む化合物を洗浄することにより、相対密度が向上するということ、そして、その指標となり、制御できる条件が、洗浄液の電導度であることが確認できた。
実施例1の電解液の電導度を8.0mS/cmに替えて電解を行った。この結果、アノード板から酸素ガス、カソード板から水素ガスが発生したので、電流効率が約80%と悪かった。焼結原料となるレベルの水酸化インジウムを製造できなかったので、その後の工程は中止した。
実施例1の電解液の電導度を50mS/cmに替えて電解を行った。電流効率は99%と良かったが、その後、水酸化物を純水でリパルプ洗浄し、洗浄液の電導度が2 mS/cmになるまで洗浄した。実施例1と同一の条件で焼結した結果、焼結密度は95%で悪く、一部焼結体の割れが発生した。これは、析出した水酸化インジウムの洗浄が十分に行われなかった結果であると考えられた。
実施例1の電解液の電導度を1mS/cmに替えて電解を行った。この結果、電流効率は50%と非常に悪かった。しかし、析出した水酸化物を純水でリパルプ洗浄し、洗浄液の電導度が0.01mS/cmになるまで洗浄した。
そして、実施例1と同一の条件で焼結した結果、焼結密度は99%まで達成することができた。電解の際の電流効率が悪いので、実操業上では使用できる条件ではないが、水酸化インジウムの洗浄が、焼結密度を向上させる効果が確認できた。
Claims (2)
- 電解により水酸化インジウム又は水酸化インジウムを含む化合物を製造する方法であって、電解液の電導度を10mS/cm以上として電解を行い、水酸化インジウム又は水酸化インジウムを含む化合物を電解液中に析出させ、さらに析出した水酸化インジウム又は水酸化インジウムを含む化合物を洗浄し、この洗浄液の電導度が1mS/cm以下になるまで洗浄することを特徴とする電解による水酸化インジウム又は水酸化インジウムを含む化合物の製造方法。
- 析出した水酸化インジウム又は水酸化インジウムを含む化合物の洗浄液の電導度が0.1mS/cm以下になるまで洗浄することを特徴とする請求項1記載の電解による水酸化インジウム、又は、水酸化インジウムを含む化合物の製造方法。
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