JP5554353B2 - 降圧dc/dcコンバータ - Google Patents
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Description
また、スイッチングの切換え速度を遅くすることで、スイッチング時の損失が大きくなるために、スイッチング周期を短くできず、大型なリアクトルが必要となるため、DC/DCコンバータの大型化を招くといった問題があった。
前記入力電源と前記スイッチング素子の間にインダクタを直列に挿入すると共に、前記インダクタ及び前記スイッチング素子の接続点と接地点との間に入力平滑コンデンサを設け、
前記インダクタのインダクタンス値をL、前記入力平滑コンデンサの静電容量値をC、前記駆動回路からの出力信号により前記スイッチング素子がオン状態からオフ状態に切替わってから、再びオン状態になるまでの時間をT2としたとき、
前記入力平滑コンデンサと並列にサージ吸収用素子を設け、前記スイッチング素子がオン、オフを繰り返す駆動状態において、前記スイッチング素子がオン状態からオフ状態に切替わってから前記T2後の前記入力平滑コンデンサの端子間電圧をVt2、前記スイッチング素子がオン状態からオフ状態に切替わり後の前記入力平滑コンデンサの端子間電圧の最大値をVpk、前記サージ吸収用素子の動作電圧をVzとすると、
Vpk > Vz > Vt2
としたものである。
図1は、この発明の実施の形態1における降圧DC/DCコンバータの構成を示す。この実施の形態1における降圧DC/DCコンバータは、入力電源Eに順次直列に接続されたチョッパ用スイッチング素子Q1、還流用ダイオードD1と、スイッチング素子Q1と還流用ダイオードD1の接続点と接地点との間に順次直列に接続されたリアクトルL1、出力平滑コンデンサC1と、スイッチング素子Q1をオン、オフ制御する駆動回路DRとから構成される降圧DC/DCコンバータにおいて、入力電源Eとスイッチング素子Q1の間にインダクタL2を直列に挿入し、このインダクタL2とスイッチング素子Q1の接続点と接地点との間に入力平滑コンデンサC2を設けている。
リアクトルL2、入力平滑コンデンサC2、スイッチング素子Q1、及び還流用ダイオードD1は降圧コンバータ部を構成し、リアクトルL1、出力平滑コンデンサC1は降圧出力部を構成している。
ここでインダクタL2のインダクタンス値をL2、入力平滑コンデンサC2の静電容量値をC2とすると、下式が成り立つ様に所定時間T1を設定している。
スイッチング素子Q1がオフの期間、入力側よりインダクタL2を通して供給される電流は、入力平滑コンデンサC2に充電され、スイッチング素子Q1の+側端子電圧が上昇する。この間、還流用ダイオードD1を通じて、リアクトルL1に電流が流れるため、スイッチング素子Q1の−側端子電圧は約0V(接地電位に対してダイオードでの電圧降下のみ)となる。
スイッチング素子Q1がオンの期間、スイッチング素子Q1を通じて、リアクトルL1に電流が流れるため、入力平滑コンデンサC2が放電され、スイッチング素子Q1の+端子電圧が低下する。また、スイッチング素子Q1の−側端子電圧は+端子電圧に対して約0V(オン抵抗による電圧降下のみ)となる。
スイッチング素子Q1が再びオンからオフになるとき、入力平滑コンデンサC2の端子電圧に寄生インダクタンスにより発生するサージ電圧Vsgが重畳された電圧Vt1がスイッチング素子Q1の+側端子に印加される。
図に示すように、Vt1は、T1が
一方、スイッチング周期TはT1とT2の和であり、同じ降圧比の場合、T2とT1は比例の関係となるため、スイッチング周期TはT1に比例する。
つまり、スイッチング素子Q1のオン時間T1をインダクタL2と入力平滑コンデンサC2の共振周期の1/2よりも小さくすることで、Vt1の低減と、スイッチング周期Tの縮小を両立させることができる。
つまり、耐圧が低いスイッチング素子を使用することが可能となるために、スイッチング素子の小型化が可能となり、かつスイッチング周期を縮小することができることから、リアクトルL1のインダクタンス値L1を小さくでき、リアクトルL1の小型化が可能となる。ひいてはDC/DCコンバータの小型化が可能となるため、車載用等取り付けスペースに制約があるような用途において、レイアウトの自由度が向上可能となる。
例えば、L2が2μH、C2が20μF、変圧比1/2のときのT1とVt1およびT1とスイッチング周期Tの関係を図4に示す。図4に示すようにT1が
1が小さくなる。
また、この実施の形態1ではスイッチング素子Q1として、MOSFETを示しているが、他のスイッチング素子、例えばIGBT、バイポーラトランジスタ等を使用してもよい。
また、還流用素子としてダイオードを使用しているが、他の半導体素子、例えば、MOSFET等を使用してもよい。
図5は、この発明の実施の形態2における動作波形を示す。横軸が時間t、縦軸がそれぞれスイッチング素子Q1の+側端子電圧、スイッチング素子Q1の−側端子電圧、スイッチング素子Q1の端子間電圧Vswである。降圧DC/DCコンバータの構成は実施の形態1と同じである。
スイッチング素子Q1が所定時間T1の間オン状態が、所定の時間T2の間オフ状態が交互に繰返されるように駆動回路DRから駆動信号が出力されることで、入力電圧を所定の出力電圧に降圧させている。
ここでインダクタL2のインダクタンス値をL2、入力平滑コンデンサC2の静電容量値をC2とすると、下式が成り立つ様にT2を設定している。
ここでスイッチング素子Q1がオフからオンになるときの入力平滑コンデンサC2の電圧つまり、スイッチング素子Q1の+側端子電圧はVt2となり、インダクタL1と入力平滑コンデンサC2の共振により発生するピーク電圧Vpkよりも低くなることから、耐圧が低いスイッチング素子を使用することが可能となる。
例えば、L2が2μH、C2が20μF、変圧比1/2のときのT2とVt2の関係を図6に示す。図6に示すようにT2が
図7は、この発明の実施の形態3におけるDC/DCコンバータの構成を示す。この実施の形態3における降圧DC/DCコンバータは、図1の回路における入力平滑コンデンサC2に対しサージ吸収用素子としてツェナーダイオードZ1が並列に接続されている。それ以外は実施の形態1における図1の回路と同様である。
スイッチング素子Q1において、所定時間T1の間オン状態、所定の時間T2の間オフ状態が交互に繰返されるように駆動回路DRから駆動信号が出力されることで、入力電圧を所定の出力電圧に降圧させている。
ここでインダクタL2のインダクタンス値をL2、入力平滑コンデンサC2の静電容量値をC2とすると、下式が成り立つ様にT1、T2を設定している。
降圧DC/DCコンバータの駆動を停止するために、スイッチング素子Q1をオンからオフにすると、入力側よりインダクタL2を通して供給される電流は、入力平滑コンデンサC2にチャージされ、スイッチング素子Q1の+側端子電圧が上昇し、駆動時のオフ時間T2のスイッチング素子Q1の+側端子電圧Vt2を超えて上昇する。
ここで、サージ吸収用のツェナーダイオードZ1の動作電圧VzをVt2以上、かつインダクタL2と入力平滑コンデンサC2の共振により発生するピーク電圧Vpk以下となる値に設定することで、耐圧が低いスイッチング素子を使用することが可能となる。
また降圧DC/DCコンバータが駆動しているときには、サージ吸収用のツェナーダイオードZ1は動作せず、降圧DC/DCコンバータ停止時の1パルスのみの動作となるため、比較的容量小さいツェナーダイオードを選定することができ、かつ、通常駆動時の効率低下を回避できる。
サージ吸収用素子としてツェナーダイオードを使用しているが、その他のサージ吸収用素子、例えばバリスタ等を使用してもよい。
なお、この発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
Q1 スイッチング素子
DR 駆動回路
D1 還流用ダイオード
L1 リアクトル
L2 インダクタ
C1 出力平滑コンデンサ
C2 入力平滑コンデンサ
Z1 ツェナーダイオード
L 負荷
Claims (1)
- 入力電源に順次直列に接続されたスイッチング素子、還流用半導体素子と、前記スイッチング素子及び前記還流用半導体素子の接続点と接地点との間に順次直列に接続されたリアクトル、出力平滑コンデンサと、前記スイッチング素子をオン、オフ制御する駆動回路とから構成される降圧DC/DCコンバータにおいて、
前記入力電源と前記スイッチング素子の間にインダクタを直列に挿入すると共に、前記インダクタ及び前記スイッチング素子の接続点と接地点との間に入力平滑コンデンサを設け、
前記インダクタのインダクタンス値をL、前記入力平滑コンデンサの静電容量値をC、前記駆動回路からの出力信号により前記スイッチング素子がオン状態からオフ状態に切替わってから、再びオン状態になるまでの時間をT2としたとき、
前記入力平滑コンデンサと並列にサージ吸収用素子を設け、前記スイッチング素子がオン、オフを繰り返す駆動状態において、前記スイッチング素子がオン状態からオフ状態に切替わってから前記T2後の前記入力平滑コンデンサの端子間電圧をVt2、前記スイッチング素子がオン状態からオフ状態に切替わり後の前記入力平滑コンデンサの端子間電圧の最大値をVpk、前記サージ吸収用素子の動作電圧をVzとすると、
Vpk > Vz > Vt2
とすることを特徴とする降圧DC/DCコンバータ。
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