JP5554158B2 - 脆性材料基板の割断方法 - Google Patents

Description

本発明は、脆性材料基板にレーザビームを照射して、互いに交差する２方向に沿って脆性材料基板を割断する方法に関するものである。

従来、ガラス基板などの脆性材料基板の割断方法としては、カッターホイール等を圧接転動させてスクライブラインを形成した後、スクライブラインに沿って基板に対して垂直方向から外力を加え基板を割断する方法が広く行われている。

通常、カッターホイールを用いて脆性材料基板のスクライブを行った場合、カッターホイールによって脆性材料基板に付与される機械的な応力によって基板の欠陥が生じやすく、ブレイクを行った際に上記欠陥に起因する欠け等が発生する。

そこで、近年、レーザを用いて脆性材料基板を割断する方法が実用化されている。この方法は、レーザビームを基板に照射して基板を溶融温度未満に加熱した後、冷却媒体により基板を冷却することによって基板に熱応力を生じさせ、この熱応力によって基板の表面から略垂直方向にクラックを形成させるというものである。このレーザビームを用いた脆性材料基板の割断方法では、熱応力を利用するため、工具を基板に直接接触させることがなく、割断面は欠け等の少ない平滑な面となり、基板の強度が維持される。

また、例えば特許文献１では、レーザを用いて、互いに交差する２方向に脆性材料基板を割断する方法も提案されている。この提案方法は、脆性材料基板にレーザビームを照射してハーフカット状態の第１クラックを形成した後、同じくレーザビームの照射によって、第１クラックに交差するハーフカット状態の第２クラックを形成し、次いで第１クラック及び第２クラックにレーザビームを再度照射してフルカットするものである。

特開2001-130921号公報

ところが、上記提案方法のように、第１クラック及び第２クラックにレーザビームを再度照射して脆性材料基板をフルカットする際に、第１クラックと第２クラックとの交点部分に欠けが生じることがある。割断後の角部となる脆性材料基板の交点部分に欠けが生じると、割断後の脆性材料基板の寸法精度が落ちるとともに、発生したカレットが基板表面に付着等して不具合の原因となる。

本発明はこのような従来の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、レーザを用いて互いに交差する２方向で脆性材料基板を割断する場合に、交点部分における欠けの発生を抑制する方法を提供することにある。

本発明によれば、互いに交差する、垂直クラックからなる第１スクライブラインと第２スクライブラインとを脆性材料基板に形成した後に、第１スクライブライン及び第２スクライブラインに沿ってレーザビームを相対移動させながら照射して前記垂直クラックを伸展させて、第１スクライブライン及び第２スクライブラインで前記基板を割断する脆性材料基板の割断方法であって、第１スクライブライン及び／又は第２スクライブラインに沿ってレーザビームを照射する際に、第１スクライブラインと第２スクライブラインとの交点領域へのレーザビーム照射量を、交点領域以外のレーザビーム照射量よりも減少させることを特徴とする脆性材料基板の割断方法が提供される。

ここで、第１スクライブラインと第２スクライブラインとの交点領域へのレーザビーム照射量としては、交点領域以外のレーザビーム照射量の５０％以下とするのが好ましい。

また、第１スクライブラインと第２スクライブラインとの交点領域へのレーザビーム照射量を他の部分よりも減少させるには、レーザビーム出力を制御することによって行ってもよい。また、第１スクライブラインと第２スクライブラインとの交点領域を、レーザビームを吸収又は反射する被覆部材や液体で覆うことによって、第１スクライブラインと第２スクライブラインとの交点領域へのレーザビーム照射量を減少させてもよい。

また、レーザビームの照射量を減少させる交点領域としては、第１スクライブラインと第２スクライブラインとの交点から、レーザビームの相対移動方向上流側及び下流側にそれぞれ５ｍｍ以下の幅を有するのが好ましい。

第１スクライブライン及び第２スクライブラインは、前記基板に対してレーザビームを相対移動させながら照射して、前記基板を溶融温度未満に加熱した後、前記基板に対して冷却媒体を吹き付けて冷却し、前記基板に生じた熱応力によって形成するのが好ましい。

本発明に係る脆性材料基板の割断方法によれば、互いに交差する２方向に脆性材料基板を割断する際に、交点部分における欠けの発生を抑制できる。これにより、割断後の脆性材料基板の寸法精度が向上し、またカレットに起因する不具合が格段に抑制される。

本発明に係る割断方法を実施できる割断装置の一例を示す概説図である。 レーザスクライブの操作状態を説明する図である。 本発明に係る割断方法の一例を示す工程図である。 レーザビームＬＢの交点領域への照射量調整例及び交点領域でのレーザ照射量を示す図である。 レーザビームＬＢの交点領域への照射量調整例及び交点領域でのレーザ照射量を示す図である。 レーザビームＬＢの交点領域への照射量調整を被覆部材で行う場合の例を示す図である。 レーザビームＬＢの交点領域への照射量調整を液体で行う場合の例を示す図である。

以下、本発明に係る脆性材料基板の割断方法についてより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態に何ら限定されるものではない。

図１に、本発明に係る割断方法の実施に用いる割断装置の一例を示す概説図を示す。この図の割断装置は、架台１１上に紙面に対して垂直方向（Ｙ方向）に移動自在のスライドテーブル１２と、スライドテーブル上に図の左右方向（Ｘ方向）に移動自在の台座１９と、台座１９上に設けられた回転機構２５とを備え、この回転機構２５上に設けられた回転テーブル２６に載置・固定された脆性材料基板５０はこれらの移動手段によって水平面内を自在に移動される。

スライドテーブル１２は、架台１１の上面に所定距離隔てて平行に配置された一対のガイドレール１４，１５上に移動自在に取り付けられている。そして、一対のガイドレール１４，１５の間には、ガイドレール１４，１５と平行にボールネジ１３が、不図示のモータによって正・逆回転自在に設けられている。また、スライドテーブル１２の底面にはボールナット１６が設けられている。このボールナット１６はボールネジ１３に螺合している。ボールネジ１３が正転又は逆転することによって、ボールナット１６はＹ方向に移動し、これによってボールナット１６が取り付けられたスライドテーブル１２が、ガイドレール１４，１５上をＹ方向に移動する。

また台座１９は、スライドテーブル１２上に所定距離隔てて平行に配置された一対のガイド部材２１に移動可能に支持されている。そして、一対のガイド部材２１間には、ガイド部材２１と平行にボールネジ２２が、モータ２３によって正逆回転自在に設けられている。また、台座１９の底面にはボールナット２４が設けられ、ボールネジ２２に螺合している。ボールネジ２２が正転又は逆転することによって、ボールナット２４はＸ方向に移動し、これによって、ボールナット２４と共に台座１９が、一対のガイド部材２１に沿ってＸ方向に移動する。

台座１９上には回転機構２５が設けられている。そして、この回転機構２５上に回転テーブル２６が設けられている。割断対象である脆性材料基板５０は、回転テーブル２６上に真空吸着によって固定される。回転機構２５は、回転テーブル２６を垂直方向の中心軸の周りに回転させる。

回転テーブル２６の上方には、回転テーブル２６と離隔対向するように、支持台３１が、取付台３２から垂下する保持部材３３によって支持されている。支持台３１には、脆性材料基板５０の表面にトリガークラックを形成するためのカッタホイール３５と、脆性材料基板５０にレーザビームを照射するための開口（不図示）と、脆性材料基板５０の表面を冷却するための冷却ノズル３７とが設けられている。

カッタホイール３５は、チップホルダー３６によって、脆性材料基板５０に圧接する位置と非接触な位置とに昇降可能に保持されており、スクライブラインの開始起点となるトリガークラックを形成するときのみ、脆性材料基板５０に圧接する位置に下降する。トリガークラックの形成位置は、トリガークラックから予測不可能な方向にクラックが生じる先走り現象を抑制するために、脆性材料基板５０の表面側端よりも内側に形成するのが好ましい。

取付台３２上にはレーザ出力装置３４が設けられている。レーザ出力装置３４から出射されたレーザビームＬＢは、反射ミラー４４で下方に反射され、保持部材３３内に保持された光学系を介して支持台３１に形成された開口から、回転テーブル２６上に固定された脆性材料基板５０に照射される。

また、支持台３１の、レーザビームＬＢが出射する開口近傍に設けられた冷却ノズル３７からは、脆性材料基板５０に向かって冷却媒体としての水が空気と共に噴出される。冷却媒体が噴出される脆性材料基板５０上の位置は、割断予定ライン５１上で且つレーザビームＬＢの照射領域の後側である（図２を参照）。

取付台３２には、脆性材料基板５０に予め刻印されたアライメントマークを認識する一対のＣＣＤカメラ３８，３９が設けられている。これらのＣＣＤカメラ３８，３９により、脆性材料基板５０のセット時の位置ずれが検出され、例えば脆性材料基板５０が角度θずれていた場合は回転テーブル２６が−θだけ回転され、脆性材料基板５０がＹずれていたときはスライドテーブル１２が−Ｙだけ移動される。

このような構成の割断装置において脆性材料基板５０を割断する場合には、まず、脆性材料基板５０を回転テーブル２６上に載置し吸引手段により固定する。そして、ＣＣＤカメラ３８，３９によって、脆性材料基板５０に設けられたアライメントマークを撮像し、前述のように、撮像データに基づいて脆性材料基板５０を所定の位置に位置決めする。

次いで、前述のように、ホイールカッタ３５によって脆性材料基板５０にトリガークラックを形成する。そして、レーザ出力装置３４からレーザビームＬＢを出射する。レーザビームＬＢは反射ミラー４４よって、図２に示すように、脆性材料基板５０表面に対して略垂直に照射する。また同時に、レーザビーム照射領域の後端近傍に冷却媒体としての水を冷却ノズル３７から噴出させる。脆性材料基板５０にレーザビームＬＢを照射することによって、脆性材料基板５０は厚み方向に溶融温度未満で加熱され、脆性材料基板５０は熱膨張しようとするが、局所加熱のため膨張できず照射点を中心に圧縮応力が発生する。そして加熱直後に、脆性材料基板５０の表面が水により冷却されることによって、脆性材料基板５０が今度は収縮して引張応力が発生する。この引張応力の作用によって、トリガークラックを開始点として割断予定ライン５１に沿って垂直クラック５３が脆性材料基板５０に形成される。

そしてレーザビームＬＢ及び冷却ノズル３７を割断予定ライン５１に沿って相対的に移動させることによって、垂直クラック５３が伸展し脆性材料基板５０にスクライブライン５２が形成される。この実施形態の場合には、レーザビームＬＢと冷却ノズル３７とは所定位置に固定された状態で、スライドテーブル１２と台座１９、回転テーブル２６の回転機構２５とによって脆性材料基板５０が移動される。もちろん、脆性材料基板５０を固定した状態で、レーザビームＬＢと冷却ノズル３７とを移動させても構わない。あるいは脆性材料基板５０及びレーザビームＬＢ・冷却ノズル３７の双方を移動させても構わない。

次に、本発明に係る割断方法について説明する。図３に、本発明の割断方法の一例を示す工程図を示す。同図（ａ）に示すように、前述のようにして、レーザビームＬＢ及び冷却ノズル３７を割断予定ライン５１ａに従って相対的に移動させることによって、不図示のトリガークラックを開始点とする垂直クラック５３ａを相対移動方向に伸展させて、脆性材料基板５０に第１スクライブライン５２ａを形成する。

ここで使用するレーザビームＬＢとしては特に限定はなく、基板の材質や厚み、形成したい垂直クラックの深さなどから適宜決定すればよい。脆性材料基板がガラス基板の場合、ガラス基板表面での吸収が大きい波長９〜１１μｍのレーザビームが好適に使用される。このようなレーザビームとしてはＣＯ_２レーザが挙げられる。レーザビームの基板への照射形状としては、レーザビームの相対移動方向に細長い楕円形状が好ましく、相対移動方向の照射長さＬは１０〜６０ｍｍの範囲、照射幅Ｗは１〜５ｍｍの範囲が好適である。

冷却ノズル３７から噴出させる冷却媒体としては水やアルコールなどが挙げられる。また、割断後の脆性材料基板を使用する上で悪影響を与えない範囲において、界面活性剤等の添加剤が添加されていても構わない。冷却媒体の吹き付け量としては通常は数ｍｌ／ｍｉｎ程度が好適である。冷却媒体による基板の冷却は、レーザービームによって加熱された基板を急冷する観点からは、気体（通常は空気）と共に水を噴射させるいわゆるウォータジェット方式が望ましい。冷却媒体による冷却領域は、長径１〜５ｍｍ程度の円形状又は楕円形状であることが好ましい。また、冷却領域は、レーザビームによる加熱領域の相対移動方向後方であって、冷却領域と加熱領域との中心点間の距離が数ｍｍ〜数十ｍｍ程度となるように形成するのが好ましい。

レーザビームＬＢ及び冷却ノズル３７の相対移動速度としては特に限定はなく、得たい垂直クラックの深さなどから適宜決定すればよい。一般に相対移動速度を遅くするほど、形成される垂直クラックは深くなる。通常、相対移動速度は数百ｍｍ／ｓｅｃ程度である。

スクライブライン５２ａを構成する垂直クラック５３ａの深さとしては、特に限定はないが、後工程の脆性材料基板を割断するためのレーザビームを照射する条件、例えば相対移動速度やレーザ出力などの裕度を広げるためには、基板厚み対して２５％以上の深さとするのが望ましい。

次いで図３（ｂ）に示すように、第１スクライブライン５２ａに直交する割断予定ライン５１ｂに沿って、レーザビームＬＢ及び冷却ノズル３７を相対的に移動させることによって第２スクライブライン５２ｂを形成する。第２スクライブライン５２ｂの形成条件としては、第１スクライブライン５２ａの形成条件と同じ条件がここでも挙げられる。

次に、同図（ｃ）に示すように、第２スクライブライン５２ｂに沿ってレーザビームＬＢを再度照射する。これによって垂直クラック５３ｂが基板厚み方向に伸展し、第２スクライブライン５２ｂで基板５０が割断されて割断ライン５４が形成される。なお、垂直クラック５３ｂは、外力を加えることなく基板５０が割断される深さにまで伸展していればよく、必ずしも基板５０の反対面側に到達している必要はない。

垂直クラック５３ｂを基板厚み方向に伸展させるためのレーザビームＬＢの照射条件は、基板５０の厚みや垂直クラック５３ｂの深さなどから適宜決定すればよいが、通常は前述の第２スクライブライン５２ｂを形成するときの照射条件がここでも例示される。

次いで、同図（ｄ）に示すように、第１スクライブライン５２ａに沿ってレーザビームＬＢを再度照射する。これによって垂直クラック５３ａが基板厚み方向に伸展し、第１スクライブライン５２ａで基板５０が割断される。伸展後の垂直クラック５３ａの、基板厚み方向の深さは、垂直クラック５３ｂの場合と同様に、外力を加えることなく基板５０が割断される深さにまで伸展していればよく、必ずしも基板５０の反対面側に到達している必要はない。

ここで重要なことは、第１スクライブライン５２ａに沿ってレーザビームＬＢを再度照射する際に、第１スクライブライン５２ａと割断ライン５４との交点領域へのレーザビームＬＢの照射量を他の部分の照射量よりも減少させることにある。このように交点領域へのレーザビームＬＢの照射量を減少させることによって、割断後の角部となる交点部分の欠けを効果的に抑えられるようになる。交点領域におけるより好ましいレーザビーム照射量は、交点領域以外のレーザビーム照射量の５０％以下であり、より好ましくは１０％以下、さらに好ましくはゼロ％である。

なお、以上説明した実施形態では、第１スクライブライン５２ａに沿ってレーザビームＬＢを再度照射する際に、交点領域へのレーザビームＬＢの照射量を他の部分の照射量よりも減少させたが、第２スクライブライン５２ｂに沿ってレーザビームＬＢを再度照射する際に、交点領域へのレーザビームＬＢの照射量を他の部分の照射量よりも減少させるようにしてもよい。あるいはまた、第１スクライブライン５２ａに沿ってレーザビームＬＢを再度照射する際及び第２スクライブライン５２ｂに沿ってレーザビームＬＢを再度照射する際に、交点領域へのレーザビームＬＢの照射量を他の部分の照射量よりも減少させるようにしてもよい。

第１スクライブライン５２ａと第２スクライブライン５２ｂとの交点領域へのレーザビームＬＢの照射量の調整は、例えば、レーザビーム出力の制御によって行うことができる。レーザビームの照射スポットを、シリンドリカルレンズ等の光学系によってレーザビームの相対的移動方向に細長い楕円形状とした場合には、図４（ａ）に示すように、第１スクライブライン５２ａと第２スクライブライン５２ｂとの交点を中心として、レーザビームＬＢの相対移動方向上流側から下流側の所定範囲にわたってレーザビームＬＢを照射しない領域を設ける。このときのレーザビームＬＢの照射量を図４（ｂ）に示す。図４（ｂ）から理解されるように、レーザビームの照射量は、第１スクライブライン５２ａと第２スクライブライン５２ｂとの交点で向かって通常照射量から徐々に減少し、交点でゼロとなった後、徐々に増加して通常照射量に戻るようになる。このように、第１スクライブライン５２ａと第２スクライブライン５２ｂとの交点領域へのレーザビームＬＢの照射量を減少させることにより、交点部分における欠けの発生が抑制される。

レーザビームＬＢの照射量を減少させる領域、すなわち第１スクライブライン５２ａと第２スクライブライン５２ｂとの交点領域としては、第１スクライブライン５２ａと第２スクライブライン５２ｂとの交点から、レーザービームＬＢの相対移動方向上流側には最大で５ｍｍ、下流側にも最大５ｍｍの幅であるのが好ましい。

また、レーザビームＬＢの照射スポットを、ポリゴンミラーやガルバノミラー、円筒型反射鏡などを用いて走査してレーザビームの相対的移動方向に細長い楕円形状とした場合には、照射スポット内のレーザ強度が均一となるとともに、所定範囲にわたってレーザ照射量をゼロにもできる。図５（ａ）に、レーザビームＬＢの照射状態を経時的に示す図を示す。レーザビームＬＢが、第１スクライブライン５２ａと第２スクライブライン５２ｂとの交点領域にかかると、交点領域内を走査する間はレーザ発振をオフにする一方、交点領域外に出るとレーザ発振をオンにする。これにより、図５（ｂ）に示すように、交点領域へのレーザビームＬＢの照射量をゼロにできる。

図６に、第１スクライブライン５２ａと第２スクライブライン５２ｂとの交点領域へのレーザビームＬＢの照射量を調整する他の手段を示す。この図に示す手段では、第１スクライブライン５２ａと第２スクライブライン５２ｂとの交点領域を被覆部材６１で覆い、交点領域へのレーザビームＬＢの照射量を減少させる。この手段によれば、前記実施形態のようなレーザ発振をオン・オフ制御する必要がなく、被覆部材６１の載置という簡単な作業でレーザビームＬＢの照射量を減少できる。

本発明で使用する被覆部材６１としては、レーザビームＬＢを吸収又は反射する部材であれば特に限定はなく、例えば、ガラス基板やアルミニウムなどの金属板、ドライアイスなどが挙げられる。ガラス基板を用いる場合には、ガラス基板でレーザビームが吸収されるので、その材質や厚み等によって基板５０へのレーザビームＬＢの照射量を調整できる。また、アルミニウムなどの金属板を用いる場合には、レーザビームＬＢは金属板で反射されるので基板５０への照射量はゼロとなる。

図７に、第１スクライブライン５２ａと第２スクライブライン５２ｂとの交点領域へのレーザビームＬＢの照射量を調整するさらに他の手段を示す。この図に示す手段では、第１スクライブライン５２ａと第２スクライブライン５２ｂとの交点領域を液体６２で覆い、交点領域へのレーザビームＬＢの照射量を減少させる。この手段によれば、上記実施形態と同様に、レーザ発振をオン・オフ制御する必要がなく、液体６２の滴下・塗布等の簡単な作業でレーザビームＬＢの照射量を減少できる。

本発明で使用する液体６２としては、レーザビームＬＢを吸収又は反射する部材であれば特に限定はなく、例えば、水やアルコールなどが好適に使用される。基板５０の交点領域への液体６２の付着は、例えばスポイト等による滴下や塗布などにより行うことができる。液体６２の付着量としては、交点領域の大きさ、使用するレーザの種類や出力等により適宜決定すればよいが、水を使用する場合には、通常、０．０１ｍＬ〜０．０５ｍＬの範囲が好ましい。

以上、説明した各実施形態では第１スクライブライン５２ａと第２スクライブライン５２ｂとを各１本形成して基板を割断していたが、大面積の基板５０に第１スクライブライン５２ａ及び第２スクライブライン５２ｂをそれぞれ複数本の形成して、多数個の小面積基板に割断する場合も本発明の割断方法は当然ながら適用できる。また、本発明の割断方法は、２つのスクライブラインを直交させる場合の他、所望の角度で交点させる場合にももちろん適用できる。

実施例１
図１に示した割断装置を用いて、厚さ０．５５ｍｍの化学強化ソーダガラス基板に、その交点が４０個となるように互いに直行する複数本のスクライブラインを形成し、形成した一方のスクライブラインに沿ってレーザビームを照射して基板を割断した後、割断ラインともう一方のスクライブラインとの交点領域に、ガラス板（５ｍｍ×５ｍｍ×厚さ０．４ｍｍ）を載置した。そして、前記もう一方のスクライブラインに沿ってレーザビームを照射して基板を複数個に割断した。ガラス基板の割断は、図３に示す方法を用いて行った。結果を表１に示す。なお、レーザビームの具体的照射条件は下記の通りである。

（第１スクライブライン形成のレーザビーム照射条件）
レーザ種類：ＣＯ_２レーザ
レーザ出力：１００Ｗ
相対移動速度：１００ｍｍ／ｓｅｃ
レーザスポット：楕円形

（第２スクライブライン形成のレーザビーム照射条件）
レーザ種類：ＣＯ_２レーザ
レーザ出力：１２０Ｗ
相対移動速度：２００ｍｍ／ｓｅｃ
レーザスポット：楕円形

（レーザブレイクのレーザビーム照射条件）
レーザ種類：ＣＯ_２レーザ
レーザ出力：３２０Ｗ
相対移動速度：１５００ｍｍ／ｓｅｃ
レーザスポット：楕円形

比較例１
交点領域にガラス板を載置しなかった以外は実施例１と同様にして基板の割断を行った。結果を表１に合わせて示す。

「欠け」 ：交点部分に欠けが生じた。
「交点トビ」：交点から、レーザビームの相対移動方向下流側に割断ラインが伸展しな
かった。

表１から理解されるように、実施例１の割断方法では４０個の交点の内、すべての交点で割断良好であったのに対し、比較例１の割断方法ではわずか３個の交点が割断良好で、残る３７個の交点で欠けが発生した。

実施例２
ガラス板に替えての水（付着量：０．０４ｍＬ，直径８〜１０ｍｍ）を交点領域に付着させた以外は実施例１と同様にしてガラス基板を割断した。結果を表２に示す。なお、レーザビームの具体的照射条件は下記の通りである。

（第１スクライブライン形成のレーザビーム照射条件）
レーザ種類：ＣＯ_２レーザ
レーザ出力：１００Ｗ
相対移動速度：１００ｍｍ／ｓｅｃ
レーザスポット：楕円形

（第２スクライブライン形成のレーザビーム照射条件）
レーザ種類：ＣＯ_２レーザ
レーザ出力：１３０Ｗ
相対移動速度：１８０ｍｍ／ｓｅｃ
レーザスポット：楕円形

（レーザブレイクのレーザビーム照射条件）
レーザ種類：ＣＯ_２レーザ
レーザ出力：２４０Ｗ
相対移動速度：１５００ｍｍ／ｓｅｃ
レーザスポット：楕円形

比較例２
交点領域に水滴を付着させなかった以外は実施例２と同様にして基板の割断を行った。結果を表２に合わせて示す。

表２から理解されるように、交点領域に水滴を付着させた実施例２の割断方法では４０個の交点の内、すべての交点で割断良好であったのに対し、比較例２の割断方法ではわずか２個の交点が割断良好で、残る３８個の交点で欠けが発生した。

本発明の割断方法によれば、レーザを用いて互いに交差する２方向に脆性材料基板を割断する場合に、交点部分における欠けの発生を抑制でき有用である。

３７ 冷却ノズル
５０ 脆性材料基板
５１，５１ａ，５１ｂ 割断予定ライン
５２ スクライブライン
５２ａ 第１スクライブライン
５２ｂ 第２スクライブライン
５３，５３ａ，５３ｂ 垂直クラック
６１ 被覆部材
６２ 液体
ＬＢ レーザビーム

Claims (7)

1. 互いに交差する、垂直クラックからなる第１スクライブラインと第２スクライブラインとを脆性材料基板に形成した後に、第１スクライブライン及び第２スクライブラインに沿ってレーザビームを相対移動させながら照射して前記垂直クラックを伸展させて、第１スクライブライン及び第２スクライブラインで前記基板を割断する脆性材料基板の割断方法であって、
   第１スクライブライン及び／又は第２スクライブラインに沿ってレーザビームを照射する際に、第１スクライブラインと第２スクライブラインとの交点領域へのレーザビーム照射量を、交点領域以外のレーザビーム照射量よりも減少させることを特徴とする脆性材料基板の割断方法。
2. 第１スクライブラインと第２スクライブラインとの交点領域へのレーザビーム照射量を、交点領域以外のレーザビーム照射量の５０％以下とする請求項１記載の割断方法。
3. レーザビーム出力を制御することによって、第１スクライブラインと第２スクライブラインとの交点領域へのレーザビーム照射量を減少させる請求項１又は２記載の割断方法。
4. 第１スクライブラインと第２スクライブラインとの交点領域を、レーザビームを吸収又は反射する被覆部材で覆い、前記交点領域へのレーザビーム照射量を減少させる請求項１又は２記載の割断方法。
5. 第１スクライブラインと第２スクライブラインとの交点領域を、レーザビームを吸収又は反射する液体で覆い、前記交点領域へのレーザビーム照射量を減少させる請求項１又は２記載の割断方法。
6. 前記交点領域が、第１スクライブラインと第２スクライブラインとの交点から、レーザビームの相対移動方向上流側及び下流側にそれぞれ５ｍｍ以下の幅を有する領域である請求項１〜５のいずれかに記載の割断方法。
7. 第１スクライブライン及び第２スクライブラインは、前記基板に対してレーザビームを相対移動させながら照射して、前記基板を溶融温度未満に加熱した後、前記基板に対して冷却媒体を吹き付けて冷却し、前記基板に生じた熱応力によって形成する請求項１〜６のいずれかに記載の割断方法。