JP2007301806A - 脆性基板の分断方法及び素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】交差して延びる分断ラインを形成して脆性基板を分断する際、レーザ照射後に、脆性基板に機械的な外力を加えることなく分断する。
【解決手段】レーザ照射及び冷媒の吹き付けを行うことでクラックを成長させてガラス基板１１を複数に分断する。ガラス基板１１の第１の方向に延びる第１クラック１６を形成する第１クラック形成工程と、第１クラック形成工程の後に行われて第１の方向と交差する第２の方向に延びる第２クラック１７を形成する第２クラック形成工程とを備える。第１クラック１６は第２クラック１７と交差する部分をハーフカットになる状態で形成し、第２クラック１７は全長にわたってフルカットに形成する。第１クラック１６のハーフカット部１６ａは、第２クラック１７を形成する際のブレイクレーザビーム１４ａの照射によりフルカットになる。
【選択図】図１

Description

本発明は、ガラス基板、半導体ウエハー等の脆性基板の分断方法及び脆性基板に構成要素が形成された素子の製造方法に関する。

ガラス板等の脆性基板を分断する方法として、スクライブ・アンド・ブレイク法がある。スクライブ・アンド・ブレイク法として、図６（ａ）に示すように、ガラス基板５１の端部にイニシャルクラック５２をメカ刃（カッタ）で形成した後、レーザビーム５３をガラス基板５１の表面に照射して加熱した箇所に冷却媒体５４を吹き付ける方法がある。この方法では、レーザビーム５３でガラス基板５１を加熱した後、加熱された箇所を冷却媒体５４で急冷することによってガラス基板５１に引っ張り応力を生じさせ、イニシャルクラック５２をレーザビーム５３の移動方向に進行（成長）させ、かつ垂直方向にもクラックを成長させる。但し、垂直方向にクラックが形成されても、ガラス基板５１を完全には分断できず、レーザ照射を利用してクラックを入れた後、メカ式ブレーカによってガラス基板５１を叩いて垂直クラックを成長させて分断を行っている。

この方法では、メカ式ブレーカによってガラス基板５１を分断する時にカレット（ガラス屑）が発生したり、断面にマイクロクラックが発生したりするという問題がある。また、メカ式ブレーカを使用すると、叩く位置をアライメントマークを基準にして決めても、ブレイクバーの先端をカメラで認識することができず、メカ精度分のずれを調整してブレイクバーの先端をスクライブラインの真上に合わせることはできない。また、ブレイクバーの先端をカメラで認識できたとしても、レーザでのスクライブラインは肉眼やカメラで認識できる太さではなく、やはり調整でブレイクバーの先端をスクライブラインの真上に合わせることは難しい。ブレイクバーの先端がスクライブラインからずれたところを叩くと、斜め割れをおこし、外形精度もそれほどの向上は見られない。

また、ガラスカッターホイールを用いた従来のスクライブ法に従ってレーザスクライブを行うと、スクライブラインの直交する箇所で大きなクラックが発生する。この不具合を抑制可能にする、レーザを用いたスクライブ法が提案されている（特許文献１参照）。この方法では、脆性基板にレーザを照射して熱歪により脆性基板に垂直クラックを形成するためのスクライブ法において、第１の方向に垂直クラックを形成するステップと、その後、第１の方向と直交する第２の方向に垂直クラックを形成するステップとからなる。そして、第２の方向に垂直クラックを形成するステップにおいて、第１の方向の垂直クラック深さよりも第２の方向に形成する垂直クラック深さを浅くする。

また、レーザ照射を利用してスクライブを行った後、機械的な外力を与えて行うブレイク工程でカレットが発生するのを防止する分断方法として、メカ式ブレーカを用いずに、レーザ照射で脆性基板を完全にブレイクさせる方法が提案されている（特許文献２参照）。この方法では、レーザ照射後に冷媒を吹き付けることにより、脆性基板の表面にブラインドクラック（垂直クラック）を形成した後に、更にレーザ照射を行うことでブラインドクラックの形成（成長）を促進させて、脆性基板を完全にブレイクさせる。
特開２００１−５８２８１号公報 特開２００１−１３０９２１号公報

特許文献１の方法は、脆性基板に第１の方向及び第１の方向と直交する第２の方向にレーザ照射でスクライブを行う際に、スクライブラインの交差箇所での不具合を解消するためのものであり、スクライブ後のブレイクには機械的な外力を加えるため、メカ式ブレーカを使用するブレイク方法の問題は解消できない。

一方、特許文献２の方法では、メカ式ブレーカを用いずに、脆性基板を完全にブレイクさせることができる。そして、図６（ｂ）に示すように、ガラス基板（脆性基板）５１に対して、スクライブレーザビーム５５の照射、冷媒５６の吹き付け及びブレイクレーザビーム５７の照射により、第１の方向に延びる分断ラインＬ１を特許文献２の方法で形成しようとすると、分断ラインＬ１は支障なく形成できる。しかし、第１の方向に延びる分断ラインＬ１と交差する第２の方向に延びる分断ラインＬ２を形成しようとすると、分断ラインＬ２は、分断ラインＬ１と交差する位置で、分断ラインＬ２を構成するためのクラックの進行が停止してしまう。そして、図６（ｂ）に二点鎖線で示す部分の分断ラインＬ２は形成されない。

この理由は、レーザ照射及び冷媒吹き付けによるクラックの形成には、既にあるクラックが成長することが必要なため、分断ラインＬ１を構成するクラックがガラス基板５１を完全に分断する位置まで厚さ方向に進行した状態において、分断ラインＬ２が延びても、分断ラインＬ１を超えてクラックが成長することはできないからである。イニシャルクラックの無い状態からレーザ照射のみあるいはレーザ照射と冷媒吹き付けでクラックを発生させてガラス基板５１を分断させようとしても、目的とする方向へクラックを発生、成長させることは難しい。

本発明は、前記従来の問題に鑑みてなされたものであって、その目的は、交差して延びる分断ラインを形成して脆性基板を分断する際、レーザ照射後に、脆性基板に機械的な外力を加えることなく分断することができる脆性基板の分断方法及びその分断方法を使用する素子の製造方法を提供することにある。

前記の目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、レーザ照射及び冷媒の吹き付けを行うことでクラックを成長させて脆性基板を複数に分断する脆性基板の分断方法である。そして、前記脆性基板の第１の方向に延びる第１クラックを形成する第１クラック形成工程と、前記第１クラック形成工程の後に行われて前記第１の方向と交差する第２の方向に延びる第２クラックを形成する第２クラック形成工程とを備える。前記第１クラックは少なくとも前記第２クラックと交差する部分をハーフカットになる状態で形成し、前記第２クラックは全長にわたってフルカットに形成し、さらに前記第１クラックのハーフカット部にレーザを照射してフルカットにする工程を備えている。

ここで、「ハーフカット」とは、クラックが脆性基板の表面から厚さ方向（深さ方向）の途中まで達しているクラックを意味し、「フルカット（フルクラック）」とは、クラックが脆性基板の表面から裏面まで達しているクラックを意味する。以下、この明細書では同様の意味で使用する。

脆性基板は、第１の方向に延びる第１クラックと、第１の方向と交差する第２の方向に延びる第２クラックとを形成することで複数に分断される。第１クラックを全長にわたってフルカットで形成した後、第２クラックを第１クラックと交差するように形成しようとしても、第１クラックと交差する位置でクラックの伝播が途絶えてしまう。しかし、この発明では、第１クラックは全長にわたってフルカットで形成されるのではなく、少なくとも第２クラックとの交差部はハーフカットで形成される。そのため、第２クラックを形成する際、第２クラックは第１クラックとの交差部においても、クラックが第１クラックで分断されずに第１クラックのハーフカット部を横切って成長し、第２クラックを全長にわたってフルカットで形成することができる。第１クラックのハーフカット部が短い場合は、第２クラックをフルカットにするためのレーザビームが第１クラックのハーフカット部を横切る際に、ハーフカット部はフルカット（フルクラック）に成長する。第２クラック形成工程が終了した時点で、ハーフカット部が残っている場合は、ハーフカット部にレーザ照射を行い、ハーフカット部をフルカットに成長させる。その結果、脆性基板を、機械的な外力を加えることなく第１の方向及び第１の方向と交差する第２の方向へ延びる分断ラインを形成することができ、レーザ照射によりマイクロクラックやチッピングの発生が抑制された状態で分断することができる。

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記レーザ照射は、ハーフカットを行う場合よりフルカットを行う場合の方が強いエネルギーで行われる。従って、この発明では、フルカットを行う場合に、ハーフカットを行う場合より弱いエネルギーでレーザ照射を行う場合に比較してフルカットを形成し易い。

請求項３に記載の発明は、請求項１又は請求項２に記載の発明において、前記第１クラック形成工程及び前記第２クラック形成工程において、スクライブレーザ照射部、冷媒吹き付け部及びブレイクレーザ照射部を対で前記脆性基板に対して相対移動させる。そして、ハーフカットを行う場合は前記スクライブレーザ照射部からのスクライブレーザ照射及び前記冷媒吹き付け部からの冷媒吹き付けを順次行い、フルカットを行う場合は前記スクライブレーザ照射部からのスクライブレーザ照射、前記冷媒吹き付け部からの冷媒吹き付け及び前記ブレイクレーザ照射部からのブレイクレーザ照射を順次行う。

この発明では、第１クラックを形成する際は、脆性基板の第１クラックを形成すべき位置に、スクライブレーザ照射、冷媒吹き付け及びブレイクレーザ照射を行いながら、スクライブレーザ照射部、冷媒吹き付け部及びブレイクレーザ照射部を対で前記脆性基板に対して相対移動させ、ハーフカット部を形成すべき位置のみブレイクレーザ照射を中止する。また、第２クラックを形成する際は、脆性基板の第２クラックを形成すべき位置に、スクライブレーザ照射、冷媒吹き付け及びブレイクレーザ照射を行いながら、スクライブレーザ照射部、冷媒吹き付け部及びブレイクレーザ照射部を対で前記脆性基板に対して相対移動させる。従って、ハーフカット及びフルカットを簡単に行うことができる。

請求項４に記載の発明は、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の発明において、前記第１クラックのハーフカット部は、前記第２クラックを形成する際のブレイクレーザ照射でフルカットになる長さに形成されている。従って、この発明では、第２クラック形成工程を実施すると、第１クラックに存在していたハーフカット部がフルカットになるため、脆性基板の分断が完了する。そのため、第２クラック形成工程の後、第１クラックのハーフカット部をフルカットにするブレイクレーザ照射が不要になり、脆性基板の分断作業が簡単になる。

請求項５に記載の発明は、脆性基板上に構成要素が形成された多数個取りのマザー基板を個片に分断して素子を製造する素子の製造方法であって、前記マザー基板の分断工程において、請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の脆性基板の分断方法を使用して前記マザー基板の分断を行う。従って、この発明では、脆性基板上に構成要素が形成された多数個取りのマザー基板を個片に分断する際、対応する前記請求項に記載の発明の作用、効果を奏する。

本発明によれば、交差して延びる分断ラインを形成して脆性基板を分断する際、レーザ照射後に、脆性基板に機械的な外力を加えることなく分断することができる。

以下、本発明を脆性基板としてのガラス基板の分断に具体化した一実施形態を図１〜図４にしたがって説明する。
図１に示すように、ガラス基板１１は、テーブルＴに吸着された状態で保持されて、テーブルＴと共に水平面内を移動する。テーブルＴは図１における左右方向に往復動可能な台座に回転機構を介して装備されている。従って、テーブルＴに吸着されたガラス基板１１は、テーブルＴの往復移動により、第１の方向及び第１の方向と交差する第２の方向へ往復移動可能になる。

テーブルＴの上方、即ちテーブルＴに吸着されたガラス基板１１の上方には、スクライブレーザ照射部１２、冷媒吹き付け部としてのノズル１３及びブレイクレーザ照射部１４が設けられている。スクライブレーザ照射部１２は、一定のスポットにレーザビームを照射可能、かつガラス基板１１にレーザビームを照射した後、ノズル１３から冷媒が吹き付けられた際に、ガラス基板１１に生じる引っ張り応力でイニシャルクラックが成長してハーフカット部が形成される強さのエネルギーでレーザビームを照射可能になっている。ノズル１３は、水ジェット、ヘリウムガス、窒素ガス、炭酸ガスやエタノール等のアルコールを冷媒としてガラス基板１１に吹き付け可能に構成されている。

ブレイクレーザ照射部１４は、スクライブレーザ照射部１２からのスクライブレーザ照射及びノズル１３からの冷媒吹き付けによりハーフカットが行われた箇所にレーザビームを照射した際に、ハーフカットがフルカットになる強さのエネルギーでレーザビームを照射可能になっている。この実施形態では、ブレイクレーザ照射部１４からのブレイクレーザビーム１４ａの照射は、スクライブレーザ照射部１２からのスクライブレーザビーム１２ａの照射より強いエネルギーで行われる。即ち、ハーフカットを行う場合よりフルカットを行う場合の方が強いエネルギーでレーザ照射が行われる。

スクライブレーザ照射部１２、ノズル１３及びブレイクレーザ照射部１４は、レーザビームの照射あるいは冷媒の吹き付けを同一直線上に順次行うことが可能に配置されている。また、スクライブレーザ照射部１２、ノズル１３及びブレイクレーザ照射部１４は、一定の位置関係を保持した状態で、テーブルＴの移動方向と直交する方向に平行移動可能になっている。

次にガラス基板１１の分断方法を説明する。
先ず、図２に示すように、ガラス基板１１の端部に所定間隔でイニシャルクラック１５が形成される。イニシャルクラック１５は、鎖線で示す第１の方向に延びるように形成される各分断ラインＬ１と、第１の方向と直交する第２の方向に延びるように形成される各分断ラインＬ２の一端と対応する位置に形成される。イニシャルクラック１５は、ガラスカッタで長さが１ｍｍ以下に形成される。

次にガラス基板１１の一辺に平行な第１の方向に延びる第１クラック１６を形成する第１クラック形成工程が行われる。ガラス基板１１は第１の方向がテーブルＴの移動方向と平行になるように配置された状態で、即ち、図２の状態からテーブルＴと共に時計方向に９０°回転された状態から、スクライブレーザ照射部１２、ノズル１３及びブレイクレーザ照射部１４の順にその下方を通過するように移動される。スクライブレーザ照射部１２は、ガラス基板１１の第１の方向におけるイニシャルクラック１５が形成された側と反対側の端部がレーザビーム照射位置を通過するまで、設定された強さのエネルギーでレーザビームの照射を継続する。また、ノズル１３は、ガラス基板１１の第１の方向におけるイニシャルクラック１５が形成された側と反対側の端部が冷媒吹き付け位置を通過するまで、冷媒１３ａの吹き付けを継続する。

一方、ブレイクレーザ照射部１４は、第２の方向に延びる第２クラック１７を形成すべき位置にはブレイクレーザビーム１４ａを照射しないように間欠的にブレイクレーザビーム１４ａを照射する。その結果、第１クラック１６は第２クラック１７を形成すべき箇所にハーフカット部１６ａが存在し、その他の部分はフルカットとなるように形成される。この実施形態ではハーフカット部１６ａの長さは、第２クラック１７を形成する際のブレイクレーザビーム１４ａの照射でフルカットになる長さに形成されている。

詳述すると、イニシャルクラック１５側の端部がブレイクレーザビーム１４ａの照射位置を通過した後、第２クラック１７を形成すべき位置から所定の距離までガラス基板１１が移動した時点でブレイクレーザ照射部１４からのブレイクレーザビーム１４ａの照射が中断される。そして、第２クラック１７を形成すべき位置から所定の距離離れた時点で、ブレイクレーザビーム１４ａの照射が再開される。以下、同様に、第２クラックを形成すべき位置の近くでブレイクレーザビーム１４ａの照射が中断された後、再開することが繰り返される。そして、ガラス基板１１の第１の方向におけるイニシャルクラック１５が形成された側と反対側の端部がレーザビーム照射位置を通過するまで、ブレイクレーザビーム１４ａの照射を継続する。前記所定の距離は、予め試験を行って決めておく。

１本の第１クラック１６が形成された後、テーブルＴが元の位置まで移動される。また、スクライブレーザ照射部１２、ノズル１３及びブレイクレーザ照射部１４は、次の第１クラック１６を形成すべき位置と対応する位置に平行移動される。その後、前記と同様にして２本目の１６が形成される。以下、同様にして、全ての第１クラック１６が順次形成される。

全ての第１クラック１６が形成された後、ガラス基板１１の第２の方向がテーブルＴの移動方向と平行になる状態にするため、テーブルＴが９０°回転されてセットされる。そして、図３に示すように、その状態から第２クラック１７を形成する第２クラック形成工程が行われる。第２クラック１７の形成では、スクライブレーザ照射部１２及びブレイクレーザ照射部１４は、ガラス基板１１の第２の方向におけるイニシャルクラック１５が形成された側と反対側の端部がレーザビーム照射位置を通過するまで、設定された強さのエネルギーでレーザビームの照射を継続する。ノズル１３は、ガラス基板１１の第２の方向におけるイニシャルクラック１５が形成された側と反対側の端部が冷媒吹き付け位置を通過するまで、冷媒１３ａの吹き付けを継続する。

第２クラック１７は、第１クラック１６と交差（直交）するように形成されるが、第１クラック１６の第２クラック１７と交差する部分は、第２クラック１７が形成されるまではフルカットではなく、ハーフカット部１６ａで構成されている。そして、第２クラック１７を形成する際、スクライブレーザ照射及び冷媒吹き付けにより第２クラック１７を形成するハーフカットのクラックが成長する際、クラックが第１クラック１６と交差して支障なく成長する。そして、ブレイクレーザ照射部１４からブレイクレーザビーム１４ａが照射されると、ハーフカットの状態のクラックがフルカットに成長する。

図４に示すように、第１クラック形成工程で形成された第１クラック１６には、第２クラック１７との交差部にハーフカット部１６ａが存在する。即ち、ガラス基板１１のうち、実線で示す部分と二点鎖線で示す部分は、ハーフカット部１６ａにおいて連続している。そして、ハーフカット部１６ａは、その長さが、第２クラック１７を形成するためのブレイクレーザビーム１４ａの照射によりフルカットになる長さに形成されている。その結果、第２クラック１７が形成されると、第１クラック形成工程で形成された段階ではハーフカット部１６ａが残っていた第１クラック１６は、ハーフカット部１６ａが無くなって全てフルカットで構成された第１クラック１６になる。なお、図４では、分かり易くするため、第１クラック１６及び第２クラック１７の幅を広く表しているが、実際は第１クラック１６及び第２クラック１７とも、その幅は非常に狭い。

この実施形態によれば、以下に示す効果を得ることができる。
（１）ガラス基板１１の第１の方向に延びる第１クラック１６を形成する第１クラック形成工程と、第１クラック形成工程の後に行われて第１の方向と交差する第２の方向に延びる第２クラック１７を形成する第２クラック形成工程とを備える。第１クラック１６は第２クラックと交差する部分をハーフカットになる状態で形成し、第２クラック１７は全長にわたってフルカットに形成し、さらに第１クラック１６のハーフカット部１６ａにレーザを照射してフルカットにする工程を備えている。従って、ガラス基板１１（脆性基板）を、機械的な外力を加えることなく、第１の方向及び第１の方向と交差する第２の方向へ延びる分断ラインＬ１，Ｌ２を形成するためのレーザ照射により、マイクロクラックやチッピングの発生が抑制された状態で分断することができる。

（２）レーザ照射は、ハーフカットを行う場合よりフルカットを行う場合の方が強いエネルギーで行われる。従って、フルカットを行う場合に、ハーフカットを行う場合より弱いエネルギーでレーザ照射を行う場合に比較してフルカットを形成し易い。

（３）第１クラック形成工程及び前記第２クラック形成工程において、スクライブレーザ照射部１２、ノズル１３及びブレイクレーザ照射部１４を対でガラス基板１１に対して相対移動させる。そして、フルカットを行う場合はスクライブレーザ照射部１２からのスクライブレーザ照射、ノズル１３からの冷媒吹き付け及びブレイクレーザ照射部１４からのブレイクレーザ照射を順次行う。また、ハーフカットを行う場合はスクライブレーザ照射部１２からのスクライブレーザ照射及びノズル１３からの冷媒吹き付けを行った後、ブレイクレーザ照射を中断する。従って、ハーフカット及びフルカットの形成を簡単に行うことができる。

（４）第１クラック１６のハーフカット部１６ａは、第２クラック１７を形成する際のブレイクレーザ照射でフルカットになる長さに形成されている。従って、第２クラック形成工程を実施すると、第１クラック１６に存在していたハーフカット部１６ａがフルカットになるため、ガラス基板１１の分断が完了する。そのため、第２クラック形成工程の後、第１クラック１６のハーフカット部１６ａをフルカットにするブレイクレーザ照射が不要になり、ガラス基板１１の分断作業が簡単になる。

実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
○ 第１クラック形成工程で形成される第１クラック１６は少なくとも第２クラック１７と交差する部分がハーフカットになる状態で形成すればよく、ハーフカット部１６ａの長さは、第２クラック形成工程で第２クラック１７を形成する際のブレイクレーザビーム１４ａの照射でフルカットになる長さに限らない。図５に示すように、第１クラック１６のハーフカット部１６ａの長さを、第２クラック１７を形成する際におけるブレイクレーザビーム１４ａの照射領域より長く形成してもよい。この場合、第２クラック１７を形成した後、ハーフカット部１６ａにブレイクレーザビーム１４ａを照射する工程を設けて、ハーフカット部１６ａをフルカットにする。

○ 第１クラック１６を形成する場合において、部分的にハーフカット部１６ａを形成する方法として、ハーフカット部１６ａを形成すべき箇所にはブレイクレーザ照射部１４からのブレイクレーザビーム１４ａの照射を行わないようにする代わりに、照射エネルギーを弱めて照射してもよい。

○ レーザ照射は、ハーフカットを行う場合よりフルカットを行う場合の方が強いエネルギーで行われる構成に限らない。ガラス基板１１の種類、厚さ、スクライブレーザビーム１２ａのエネルギー量、ノズル１３から吹き付けられる冷媒１３ａの温度、ブレイクレーザビーム１４ａのエネルギー量によっては、ハーフカットを行う場合よりフルカットを行う場合の方を弱いエネルギーで行ったり、ハーフカットを行う場合と同じエネルギーで行ったりしてもよい。

○ 脆性基板としてガラス基板１１を例にして説明したが、ガラス基板１１に限らず、半導体ウエハー、あるいは素子の構成要素が形成されたガラス基板等の脆性基板の分断に適用してもよい。

○ スクライブレーザ照射部１２、ノズル１３及びブレイクレーザ照射部１４を対で所定位置に保持した状態で脆性基板（ガラス基板１１）をクラックの延びる方向に移動させて第１クラック１６及び第２クラック１７を形成したが、脆性基板を固定して、スクライブレーザ照射部１２等をクラックの延びる方向に移動させてもよい。

○ テーブルＴは一方向のみ往復移動可能な台座に装備して、スクライブレーザ照射部１２、ノズル１３及びブレイクレーザ照射部１４をテーブルＴの移動に対して直交する方向に平行移動可能に構成したが、テーブルＴをＸ，Ｙ方向に移動可能な台座上に装備して、スクライブレーザ照射部１２等を所定位置に固定してもよい。

○ スクライブレーザ照射部１２、ノズル１３及びブレイクレーザ照射部１４を対で設ける代わりに、レーザ照射エネルギーを少なくともスクライブ用とブレイク用とに変更可能なレーザ照射部及びノズル１３を設ける。そして、レーザ照射エネルギーをスクライブ用にして、スクライブレーザビーム１２ａの照射及び冷媒１３ａの吹き付けを行った後、レーザ照射エネルギーをブレイク用にして、ブレイクレーザビーム１４ａの照射を行うようにしてもよい。

○ 予め全てのイニシャルクラック１５をガラス基板１１の所定位置に形成した後、レーザ照射や冷媒吹き付けを行う方法に限らず、イニシャルクラック１５の形成は第１クラック１６あるいは第２クラック１７を形成する際、形成すべき第１クラック１６あるいは第２クラック１７の端部と対応する位置にその都度形成してもよい。

○ 脆性基板上に構成要素が形成された多数個取りのマザー基板を個片に分断して素子を製造する素子の製造方法に前記各実施形態の分断方法を使用してもよい。例えば、液晶素子や、有機ＥＬ素子や無機ＥＬ素子を多数個取り（多面取り）で形成するため、ガラス基板上に所定間隔で素子の構成要素を形成した後、そのマザー基板の分断工程において、前記各実施形態の分断方法を使用してもよい。例えば、１インチクラスの素子を数百ｍｍ×数百ｍｍのマザー基板から形成する場合、マイクロクラックやチッピングの発生が抑制されることにより、品質低下の抑制や歩留まり向上に寄与する。

一実施形態の概略斜視図。 イニシャルクラックが形成された状態の概略斜視図。 第２クラック１７の形成状態を示す概略斜視図。 ハーフカット部を示す概略斜視図。 別の実施形態の概略斜視図。 （ａ）は従来技術の概略斜視図、（ｂ）は別の従来技術の概略斜視図。

符号の説明

１１…脆性基板としてのガラス基板、１２…スクライブレーザ照射部、１３…冷媒吹き付け部としてのノズル、１３ａ…冷媒、１４…ブレイクレーザ照射部、１６…第１クラック、１６ａ…ハーフカット部、１７…第２クラック。

Claims (5)

1. レーザ照射及び冷媒の吹き付けを行うことでクラックを成長させて脆性基板を複数に分断する脆性基板の分断方法であって、
   前記脆性基板の第１の方向に延びる第１クラックを形成する第１クラック形成工程と、前記第１クラック形成工程の後に行われて前記第１の方向と交差する第２の方向に延びる第２クラックを形成する第２クラック形成工程とを備え、前記第１クラックは少なくとも前記第２クラックと交差する部分をハーフカットになる状態で形成し、前記第２クラックは全長にわたってフルカットに形成し、さらに前記第１クラックのハーフカット部にレーザを照射してフルカットにする工程を備えている脆性基板の分断方法。
2. 前記レーザ照射は、ハーフカットを行う場合よりフルカットを行う場合の方が強いエネルギーで行われる請求項１に記載の脆性基板の分断方法。
3. 前記第１クラック形成工程及び前記第２クラック形成工程において、スクライブレーザ照射部、冷媒吹き付け部及びブレイクレーザ照射部を対で前記脆性基板に対して相対移動させ、ハーフカットを行う場合は前記スクライブレーザ照射部からのスクライブレーザ照射及び前記冷媒吹き付け部からの冷媒吹き付けを順次行い、フルカットを行う場合は前記スクライブレーザ照射部からのスクライブレーザ照射、前記冷媒吹き付け部からの冷媒吹き付け及び前記ブレイクレーザ照射部からのブレイクレーザ照射を順次行う請求項１又は請求項２に記載の脆性基板の分断方法。
4. 前記第１クラックのハーフカット部は、前記第２クラックを形成する際のブレイクレーザ照射でフルカットになる長さに形成されている請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の脆性基板の分断方法。
5. 脆性基板上に構成要素が形成された多数個取りのマザー基板を個片に分断して素子を製造する素子の製造方法であって、前記マザー基板の分断工程において、請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の脆性基板の分断方法を使用して前記マザー基板の分断を行う素子の製造方法。

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