JP5546133B2 - 半導体電子デバイス - Google Patents
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Description
一方で、GaN系化合物半導体は、SiやGaAsとは異なり、大口径の単結晶基板を作製することが困難であり、低コスト化が難しいという問題がある。
しかしながら、SiとGaNとでは格子定数および熱膨張率に非常に大きな差があるため、Si基板上にGaN層を直接エピタキシャル成長させると、GaN層に大きな引っ張り歪みが内在することとなり、GaN層をエピタキシャル成長させたエピタキシャル基板全体に凹形状の反りが発生したり結晶性が悪化したりする原因となる。さらに、内在する歪みが大きいとGaN層中にクラックが発生する。
特許文献1に記載のGaN系電界効果トランジスタの作製方法では、たとえば直径4インチ(101.6mm)のSi単結晶からなる基板上に、MOCVD法などのエピタキシャル結晶成長法で、まず1000〜1100℃程度の基板温度でAlN層を形成し、ついで同程度の温度でGaN層とAlN層とが積層された複合層を形成してバッファ層とする。その後、バッファ層上に電子走行層、電子供給層およびコンタクト層を順次積層して半導体動作層を形成する。
このように、GaN層とAlN層との複合層を形成してバッファ層とすることにより、Si基板上にクラックがなく結晶性が良好なGaN層をエピタキシャル成長させることができる。さらに、エピタキシャル基板全体の反りも改善される。
なお、バッファ層はGaN層とAlN層との複合層に限らず、互いに組成の異なるAlGaN層の複合層としても、両者に適切な量の歪みがあれば同様な効果を得られる。
特許文献2には、バッファ層としてGaN層とAlN層との複合層を用いた場合が記載されている。この場合の構造を図2に示す。
エピタキシャル基板の反り量を低減するために、Si基板を厚くすることも検討されているが、この方法でも内在歪量を低減することは難しく、歪量が大きくなればエピタキシャル層が割れるなど悪影響を及ぼすこともある。
図1は、本発明の実施の形態1に係る電界効果トランジスタの模式的な断面図である。この電界効果トランジスタ100は、高電子移動度トランジスタ(HEMT)であって、主表面が(111)面のSi基板10と、前記Si基板10上に形成されたバッファ層20と、Si基板10とバッファ層20との間に形成された介在層21と、バッファ層20上に形成された半導体動作層30と、半導体動作層30上に形成されたソース電極41とゲート電極42とドレイン電極43とを備えている。
ここでSi基板は、主面の面方位が(111)面のSi層11上に、ポーラスSi層13及びSi薄膜14をこの順に備えている。
このポーラスSi層13直上に設けられるSi薄膜14の厚さは、1μm以上20μm以下であることが望ましい。これは、Si薄膜14の厚さが1μmよりも薄いとSi薄層14にクラックが入ってしまい、Si薄層14が20μmよりも厚すぎると歪緩和効果が生まれ難くなるためである。
また、バッファ層20は、アンドープのGaNからなる第一半導体層22、・・・、22と、アンドープのAlNからなる第二半導体層23、・・・、23とが交互に積層している。隣接する第一半導体層22と第二半導体層23との組を複合層とすると、バッファ層20は複合層を4層以上有している。なお、GaNからなる第一半導体層22をSiからなるSi基板10上に直接形成すると、GaとSiが合金を形成してしまうが、介在層21の存在により合金形成が防止されている。
図3はSi基板10内のポーラスSi層13の膜厚と、エピタキシャル基板の反り量をあらわした図である。これから分かるようにポーラスSi層13が無い通常のSi単結晶基板と比べてエピタキシャル基板の反り量が低減していることが分かる。
これはポーラスSi層13がSiとGaNとの間に発生する歪を緩和する効果があるためだと考えられる。これは前記特許文献2で報告されているGaN/AlNの複合層からなるバッファ層構造を用いても同様な現象が見られることから、このようなSi基板を使用することによって相対的にバッファ層厚さや層数を低減できることを意味する。
これに対して、複合層が4層以上のバッファ層20を挿入したエピタキシャル層は、クラックが見られず良好な膜が得られた。これは、バッファ層20が、Si基板10とエピタキシャル層の格子定数差による歪を緩和し、クラックを防止したからと考えられる。複合層を8層挿入したエピタキシャル層では、さらに、エピタキシャル基板の反り量が低減された。
表1にポーラスSi部13の厚さを20μmとし、Si薄膜14の厚さを2μmとした場合の、300nmのGaN層、および20nmのAlN層からなる複合層の層数とクラックの発生有無を示す。この実験から複合層の層数が3層まででは充分な効果が見られず、複合層は4層以上が必要であることがわかる。
図4に本発明の実施の形態2に係る、主面の面方位が(001)面であるSi基板を使用した電界効果トランジスタの模式的な断面図の例を示す。
ポーラスSi部13は、面方位が(111)面のSi基板11の場合は、微細孔が網目状に形成される。これに対して、面方位が(001)面のSi基板12の場合には、微細孔が柱状に形成される。網目状構造のポーラスSi部13でもエピタキシャル層の歪を低減することは可能であるが、図4のような柱状のポーラスSi部13のほうが、エピタキシャル層内の歪を低減する効果が大きいことが判明した。
また、本発明は、電界効果トランジスタ以外にも、ショットキーダイオード等、各種ダイオードに対しては適用可能である。たとえば、実施の形態1の電界効果トランジスタ100において、ソース電極41、ドレイン電極43およびゲート電極42のかわりにカソード電極およびアノード電極を形成した構造とすれば、本発明を適用したダイオードを実現できる。
11 (面方位が(111)面の)Si層
12 (面方位が(001)面の)Si基板
13 ポーラスSi層
14 Si薄膜
15 Si(シリコン)基板
20 バッファ層
21 介在層
22 第一半導体層
23 第二半導体層
30 半導体動作層
31 電子走行層
32 電子供給層
33 コンタクト層
33a コンタクト層開口部
41 ソース電極
42 ゲート電極
43 ドレイン電極
100 電界効果トランジスタ
Claims (5)
- Si基板に陽極化成によって多孔質化されたポーラスSi層および前記ポーラスSi層上に張り付けによって形成されたSi薄層を有するシリコン基板と、
前記シリコン基板上に順次形成された介在層およびバッファ層と、
前記バッファ層上に形成された、窒化物系化合物半導体からなる半導体動作層と、
を備え、
前記Si薄層は、前記シリコン基板の前記介在層が形成される面側に形成され、主面の面方位が(111)面を持ち、前記バッファ層は、前記シリコン基板よりも格子定数が小さく熱膨張係数が大きい窒化物系化合物半導体からなる第一半導体層と、前記第一半導体層よりも格子定数が小さく前記基板よりも熱膨張係数が大きい窒化物系化合物半導体からなる第二半導体層とが、交互に積層した4層以上の複合層を有し、
前記介在層は、前記第一半導体層よりも格子定数が小さく前記基板よりも熱膨張係数が大きい窒化物系化合物半導体からなることを特徴とする半導体電子デバイス。 - 前記Si基板の主面の面方位が(001)面であることを特徴とする請求項1に記載の半導体電子デバイス。
- 前記Si薄層は、厚さ1μm以上、20μm以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体電子デバイス。
- 前記ポーラスSi層の厚さが50μm以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体電子デバイス。
- 前記第一半導体層はGaNからなり、前記第二半導体層はAlxGa1-xN(ただし、0<x≦1)からなることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体電子デバイス。
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