JP5545014B2 - 炭素繊維強化炭素複合体の製造方法と炭素繊維含有炭化ケイ素複合体の製造方法 - Google Patents

炭素繊維強化炭素複合体の製造方法と炭素繊維含有炭化ケイ素複合体の製造方法 Download PDF

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Description

この発明は、複合材料に関し、特に大型望遠鏡や高温用構造部材に適した、炭素繊維強化炭素複合材料と炭素繊維含有炭化ケイ素複合材料に関する。
炭化ケイ素セラミックスは、高温耐食部材、ヒーター材、耐摩耗部材、研削材、砥石材などの用途に幅広く用いられているが、破壊靭性値が低いため成形性および加工性が悪く、高温用構造部材としての実用化例は少ない。
セラミックスの靭性を向上させることを目的として、繊維状の強化材と複合化させたセラミックス複合材料が提案されている。一般的に、繊維強化炭化ケイ素複合材料は、繰り返し法、化学蒸着法(CVD法)、シリコン溶融含浸法(反応焼結法)などにより製造されている。
繰り返し法は、有機金属ポリマーの含浸と熱分解焼成の繰り返しによりセラミックス複合材料を製造する方法である。一回の含浸では密度も強度特性も低いものしか得られないので、十分な強度特性を得るためには含浸と焼成を複数回繰り返す。複合材料の開気孔率を少なくとも10%以内に収めるためには、含浸と焼成を10回程度繰り返す必要がある。この場合、製造期間が長いことが実用化における課題となっている。
化学蒸着法では、1100℃程度の比較的低温で、複雑な形状のものを製造し得るが、充填に数週間という長時間を要する上、使用するガスが有毒であるなどの面倒な点がある。当該方法、又は、上述した繰り返し法のみでは開気孔率が5%以下の複合材料を得ることは非常に困難である。
反応焼結法は、反応時間も短く、短期間に緻密な複合材料が製造できる。この方法で繊維強化炭化ケイ素系複合材料を製造する方法として、繊維束部分を樹脂からのガラス状炭素で緻密に覆い、シリコンと樹脂からの炭素との体積減少を伴った炭化ケイ素生成反応により生じるポーラスな部分をマトリックスの特定部分のみに生成させ、このポーラスな部分にシリコンの溶融含浸を行うものが提案されている。これにより、繊維強化炭化ケイ素複合材料を、繊維表面にBN(窒化ホウ素)等のコーティングを施すことなく、製造することが可能である。
特許文献1には、反応焼結法(シリコン溶融含浸法)による繊維強化炭化ケイ素系複合材料の製造方法が開示されている。この方法を簡単に説明する。先ずシリコン粉末と樹脂と繊維からなるプリプレグを製作し、次いでこのプリプレグを所要形状に成形する。或いは、樹脂を含んだ繊維のプリプレグとシリコン粉末及び樹脂を含んだプリプレグを交互に積層して成形してもよい。プリプレグとは、炭素繊維に樹脂を含浸した成形用中間材料のことで、樹脂は炭素源となる。
成形体は、不活性雰囲気下にて900〜1350℃程度の温度で炭素化する。続いて、得られた炭素化複合材料に樹脂を含浸し、再び不活性雰囲気下で900〜1350℃程度の温度で炭素化する。この樹脂含浸及び炭素化処理を繰り返した後、真空或いは不活性雰囲気下、1300℃以上の温度で反応焼結する。この後、最終的に真空或いは不活性雰囲気下において1300〜1800℃程度の温度で溶融シリコンを含浸させる。
このようにして得られた繊維強化炭化ケイ素複合材料は、非線形な破壊挙動を示し、緻密質であるとされる。しかし、炭素繊維に連続繊維を用いてプリプレグを作製し、それを積層して成形しているため、炭素繊維の配向の影響により、複合材料の材料物性に異方性が生じている。
この異方性のある成形体を各種構造部材に適応しようとすると構造設計が複雑になる。また、製造プロセスが比較的長く、製造には長期間を要する。また、炭素化や反応焼結において1300℃以上の温度で処理をする必要がある。焼成炉としてかなり特別な仕様の設備が必要であるため、製造コストがかさむ。さらに、この繊維強化炭化ケイ素複合材料の材料物性は、炭素繊維及び炭素マトリックス含有率が高いため、焼結SiCと比較して強度や剛性は十分ではない。
特許文献2には、シリコンとの反応性が異なる複数種類の炭素繊維と黒鉛粉末とを混合し、混合した炭素繊維の一部を炭化ケイ素化する技術が開示されている。シリコンとの反応性の異なる炭素繊維の種類及び炭素マトリックスの組み合わせや配合比率を制御することにより、炭素繊維の一部をシリコンと未反応の状態で維持し、残りの炭素質部分をシリコンと反応させて炭化ケイ素化させることが可能となる。これにより、SiC化を促進させることができ、SiC比率の高い組織が得られる。この結果、焼結SiC並みの優れた強度、剛性を有した炭素繊維強化炭化ケイ素基材が製造可能になり、耐熱構造部材への適応度が向上した。
特許文献3には、シリコンとの反応性が異なる複数種類の炭素繊維と黒鉛粉末と造粒をした粉末樹脂を炭素基材原料に用いる技術が開示されている。原料の流動性・分散性が改善されているので、材料物性のばらつきが低減している。これにより光学センサー用部材への適応度が向上した。
特開2000−313676号公報 特開2006−290670号公報 特開2009−274889号公報
この発明は、炭素繊維強化炭素複合材料の炭素繊維の繊維配向をなくし、ケイ素と反応して得られる、炭素繊維含有炭化ケイ素複合材料の異方性を解消することにある。さらに等方性に優れた材料物性を得ることで、一様な特性を示し、最終的に高性能な光学センサーに適する炭素繊維含有炭化ケイ素複合体を得ることを目的とする。
この発明に係る炭素繊維強化炭素複合体の製造方法は、複数種類の炭素繊維と、炭素粉末と、粉末樹脂を混ぜ合わせて混合物にする工程と、混合物にバインダーを加えて造粒体にする工程と、造粒体を等方性圧縮する工程と、等方性圧縮された造粒体を昇温し、硬化させる工程と、前工程で得られる硬化物を焼成する工程とを備えているものである。
この発明よれば、シリコンとの反応性が異なる複数種類の炭素繊維と炭素粉末と粉末樹脂を混合し造粒することで、炭素繊維と粉末樹脂をランダムに結合することが可能となる。これにより、成形用治具へ原料を充填する時に繊維の配向を減少させることおよび原料の流動性と分散性を向上させることが可能となる。更に、予め立体形状に予備形成されたラバー又はフィルムに造粒した混合原料を充填後、液相又は気相による等方性加圧により圧縮および加熱硬化させることで、繊維配向の異方性が改善される。この結果、このC/C(炭素繊維強化炭素)成形体を用いてケイ素化して得られるC/SiC(炭素繊維含有炭化ケイ素)複合材料は、等方性に優れた材料物性を示し、高精度な光学センサー部材への適応性が向上する。
この発明の実施の形態による炭素繊維強化炭素複合体と炭素繊維含有炭化ケイ素複合体の製造方法を説明する図である。図1(a)は原材料を混ぜ合わせる工程を示す図、図1(b)は造粒体を仮成形する工程を示す図、図1(c)は仮成形体を等方性圧縮と熱硬化させる工程を示す図、図1(d)は硬化物を焼成する工程を示す図、図1(e)は焼成物を粗加工する工程を示す図、図1(f)は粗加工物をシリコンに溶浸させ、炭化ケイ素化する工程を示す図、図1(g)は炭化ケイ素化した焼成物を仕上げ加工する工程を示す図である。 この発明の実施例の材料物性と比較例1〜3の材料物性を比較表示する図である。
軽量・高精度の光学センサー用部材として、C/SiC複合材料を考える。その素材は以下の(1)〜(4)に示す条件を満たしていることが必要である。
(1)金属シリコンと容易に反応しやすい構造と組成を備えていること。
(2)炭素繊維の配向が少なく、均質であること。
(3)成形プロセスが簡単で、形状製造性に優れていること。
(4)汎用設備による製造が可能で、素材の加工性に優れていること。
本発明に関わる、炭素繊維強化炭素複合体の製造方法と炭素繊維含有炭化ケイ素複合体の製造方法を、図1(a)〜図1(g)に基づいて説明する。出発原材料には、シリコンとの反応性が異なる複数種類の炭素繊維を用いる。現行のプロセスで用いている炭素繊維は2種類である。繊維長分布に2種類の長さ分布を用い、炭素繊維の混合性と分散性を良くしている。長い繊維は、最長5mm、最短20μm程度、平均値としては、100μm以上、1mm以下である。短い繊維は、最長1mm、最短10μm程度、平均値としては、20μm以上、500μm以下である。
図1(a)に示す工程では、先ず素材原料である、ピッチ系炭素繊維1、PAN系炭素繊維2、炭素粉末3、及び粉末樹脂4を特定重量比で秤量する。次いで、秤量した4種類の素材をミキサーに装填して均一に混ぜ合わせ、混合体5を得る。ピッチ(石油、石炭、コールタールなどの副生成物)から得られるピッチ系炭素繊維1はシリコンと反応し難いが、アクリル繊維から得られるPAN(Poly Acrylo Nitrile)系炭素繊維2はピッチ系炭素繊維1よりもシリコンと反応し易い。この反応性の差を利用して炭素繊維部分もSiC化反応させてSiCの生成比率を高めることを狙っている。
炭素粉末3は、混合した炭素繊維の隙間に収まる範囲のサイズであることが必要で、平均粒度として数ミクロンから数百ミクロンの範囲にあることが好ましい。炭素粉末3には黒鉛粉末、活性炭粉末などが考えられるが、粒度が100μm以下、10μm以上の黒鉛粉末が好ましい。粉末樹脂4にはフェノール樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、塩化ビニル樹脂などを用いることができる。粉末樹脂4の好ましい粒径の範囲は平均で数ミクロンから数十ミクロンである。
図1(b)に示す工程では、混合体5を造粒用のミキサーに移し、バインダー22を噴霧しながら撹拌乾燥して、素材混合物の造粒体6を得る。混合体5を造粒することで、炭素繊維はランダムに仮り固定されて、粒径が大きくなる。造粒体6の好ましい粒径は数十ミクロンから数百ミクロンの範囲である。造粒体6は、最終製品の形状(ここでは凹型光学反射鏡)に近い、基本的な単純形状に仮成形する。基本的な単純形状とは、立方体、直方体、円柱、球体などを指す。最終製品が採れる素材(ブロック)を成形するイメージである。仮成形の段階では、反射鏡形状の凹面形状にはしないで、円柱状に成形し、その後、機械加工で凹面形状にする。形状を複雑にすると、成形時の圧縮が均質にならず、粗密斑が発生し易くなる。また、成形精度そのものはさほど良くなく、表面に皺や凹凸が発生する。
図1(c)に示す工程では、形状追随性を有するフィルム容器20に仮成形された造粒体6を充填する。造粒体6はフィルム容器20に充填してから仮成形してもよい。フィルム容器20は、予め所望の立体形状に予備形成され、治具に保持されていてもよい。フィルム容器20には、薄く、自由に変形するFRP(Fiber Reinforced Plastics)等のオートクレーブ成形に使用するバギングフィルムが好ましい。バギングフィルムは、布団圧縮袋のようなもので真空に引き、加熱工程で容器内にわずかに含まれる空気を抜くことができる。
フィルム容器20に造粒体6を充填した後、上面をシール材を用いて蓋をし、真空引きをして減圧する。素材混合物は造粒体6にすることで、原料の流動性が改善されているため、フィルム容器20への充填時に繊維の倒れこみが軽減している。このあと、混合原料を充填したフィルム容器20をオーブンの中に設置して造粒体6が硬化する温度(通常約150℃)まで昇温する。
図1(c)に示す工程は、造粒体6を等方的に加圧と圧縮することを目的にしている。フィルム容器20の代わりに、造粒体6を充填した弾性の有るラバーバッグを水の入った容器(装置)に入れ、水圧を上げて加圧する方法も考えられる。ラバーバッグの場合は、CIP(冷間静水等方圧プレス)成形に使用可能なものを用いる。このように充填物を気相或いは液相で等方的な加圧および加熱を行うと、充填物は均一化され、繊維の配向が減少する。ラバーまたはフィルムは、成形時の圧力、温度に対して、損傷を生じない程度の強度と耐熱性が要求される。さらに、薄くて柔らかく、形状追随性が有ることも要求される。この工程を経ると造粒体6を圧縮・硬化した炭素繊維基材成形体7が得られる。
図1(d)に示す工程では、炭素繊維基材成形体7を真空或いは不活性雰囲気(大気圧)で加熱する。加熱によりバインダー22の成分は炭化し、炭素繊維強化炭素複合体であるC/C焼成体8が得られる。焼成時に混合体中の粉末樹脂4は炭素化され、炭素マトリックスが生成している。炭素粉末3を加えずに粉末樹脂4だけを用いて炭素マトリックスを生成する場合、粉末樹脂4の含有率を多くする必要がある。粉末樹脂4の含有率が多くなると焼成時の分解収縮の影響が大きくなるので、大型の炭素繊維基材の炭化焼成に適さなくなる。このため、あらかじめ炭素粉末3をマトリックス炭素として添加し、炭素化時の収縮の影響を低減させている。
次に、図1(e)に示す工程に進む。この工程では、C/C焼成体8を凹型光学反射鏡の形状に粗加工し、反射鏡サブストレート9を得る。図1(e)〜(g)では、反射鏡サブストレート9を表側から見た形態を左側に、裏側からみた形態を右側に表示している。反射鏡サブストレート9は軽量化のため、裏面から表面に向かって所定の深さだけくり抜き加工される。反射鏡サブストレート9は三角形を基本にして組まれたトラス構造を示していて、リブが立てられている。リブのパターンは、三角が一般的であるが、六角形の場合等、他のパターンと組み合わせることもある。
図1(f)に示す工程では、C/C焼成体8をSi溶浸(熔浸)するために、反射鏡サブストレート9に溶融金属シリコンを浸透させて、シリコンと炭素を反応させる。減圧雰囲気中にて約1600℃で熱処理を実施すと、C/C焼成体8は炭化ケイ素化して、反射鏡形状の炭素繊維含有炭化ケイ素複合体10を得る。その後、表面の凹面を研磨により光学鏡面化することで、炭素繊維含有炭化ケイ素複合体10の完成品である、図1(g)に示す凹型光学反射鏡11が得られる。
なお、粉末樹脂4を先に造粒してから、炭素繊維と炭素粉末3に混合した場合、混合原料の充填時に炭素繊維が配向するので、その後、等方性加圧による成形を実施しても、炭素繊維基材成形体の繊維配向を解消できない。この炭素繊維強化炭素を使用して製造したC/SiCは、物性の異方性があり光学センサー用の反射鏡用素材として好ましくない。
一方、炭素繊維を先に造粒してから、粉末樹脂4と混合した場合、この混合原料は、粉末樹脂と炭素繊維粒との粒度および比重が大きく異なるため、均一に混合できず、偏在しやすい。この混合材料は流動性が悪く、均一な原料充填が困難である。均質な炭素繊維基材成形体を得ることができないので、光学反射鏡用素材として好ましくない。
また、混合体5から形成された造粒体6を金型に充填してプレス或いはオートクレーブで加熱・加圧して成形する場合、炭素繊維基材成形体中の炭素繊維は、成形時の圧縮プロセスが一方向であるため、繊維が配向する。この成形体を用いてC/SiCを製造すると物性に異方性が残る。等方性の物性が得られないので、光学反射鏡用素材として好ましくない。特に、成形体が大型になるにしたがって、等方性の欠落が顕著になる。その理由としては、成形型への充填時に炭素繊維が重力の影響で倒れて面内方向に配向しやすいこと、鉛直方向の加圧成形時にその配向がさらに促進されることが考えられる。
このような原材料および成形プロセスの適用により、等方性の高い物性を有するC/SiC複合体の製造に適した、C/C複合体を得ることが可能となる。本実施の形態によれば、出発原料の原料流動性および分散性が改善されているため、原料の充填・成形プロセスにおいて、炭素繊維の配向が抑えられる。その結果、C/SiC複合材料の材料物性にバラツキおよび異方性が改善されている。温度が変化する環境下で使用する光学センサーに使用した場合、熱歪が生じ難く、性能の低下は抑制される。
また、本実施の形態に従えば、特に、炭素がシリコンと反応して炭化ケイ素に変化する時に、炭素繊維の配向が改善されていることにより、反応による寸法変化に異方性が減少する。面内方向と面外方向とで大きな違いが生じないため、炭化ケイ素化の工程で、製品に捩れや変形等のひずみが減少している。
等方性の低い炭化ケイ素複合材料から、宇宙用或は地上用の大型望遠鏡の反射鏡部品を削りだして製作した場合、反射鏡の凹面(鏡面)の向きが、素材の成形面とずれる(傾いている)と反射鏡の熱変形は反射鏡面内で捩れるように変形して、本来の形状が崩れるため、反射鏡としての光学性能の低下が生じる。
反射鏡部材の削りだし方向が素材の成形面と一致している場合でも、反射鏡の鏡面は曲面で構成されているため、鏡面の中央部と周辺部では、削りだす前の素材の成形面との角度が異なる。素材の異方性物性の影響を受けて、鏡面中央部と周辺部とでは、表面の線膨張係数が異なるので、温度変化が生じると、反射鏡は相似変形しない。その結果、中央部から外周部にかけて曲率が変化するので、鏡面が歪、光学性能の劣化が避けられなかった。これに対し、本実施の形態によれば、等方性に優れた物性が得られるため、C/SiC複合体による光学性能が向上した光学センサー用の反射鏡部品が得られる。
実施例1.
ピッチ系炭素繊維として三菱化学(株)製K7351Mのミルドファイバー(平均繊維長さ:200μm)を用いた。PAN系炭素繊維として東レ(株)製MLD−300のミルドファイバー(平均繊維長さ:130μm)を用いた。黒鉛粉末には和光純薬工業(株)製の黒鉛粉末(平均粒径30μm)を用いた。粉末樹脂は群栄化学(株)製PG652(フェノール樹脂、平均粒径2μm)を使用した。
ピッチ系炭素繊維、PAN系炭素繊維、黒鉛粉末、粉末樹脂を重量比で56:117:12.4:99の比率で秤量し、V型ミキサーを用いて均一な混合体5になるように混ぜ合わせた。混合体5をバインダー22を噴霧しながら撹拌乾燥して、造粒用装置(パウレック:MP−01)により造粒した。バインダー22にはPVK(Poly 9-vinylcarbazole)10wt%水溶液を用いた。
次に、この造粒した混合原料を予め予備成形したフィルム容器20に充填して密閉した。密閉されたフィルム容器20の内部を真空ポンプにより減圧したあと、大気圧による加圧を実施した。このとき、混合原料を充填したフィルム容器20をオーブンの中に設置して150℃まで昇温した。こうして、加熱・加圧して硬化成形することで、炭素繊維基材成形体7を得た。炭素繊維基材成形体7は不活性雰囲気中(真空中或いは窒素やアルゴンなどの不活性ガス)で800℃まで昇温して炭素化させ、C/C焼成体を得た。
続いて、C/C焼成体を真空中で1600℃に加熱し、金属シリコンを溶融させて含浸することによりC/SiC化した。こうして得られた、C/SiC複合材料の組成を分析したところ、マトリックス炭素とPAN系炭素繊維は、含浸したシリコンと殆ど反応してSiCに変化していたが、ピッチ系炭素繊維は一部反応していたが大半が反応していないことが確認された。
C/SiC複合材料成形体のボイドはシリコン含浸によってほぼ完全に埋まっており、ボイドは1%未満であった。図2に示すように、炭化ケイ素化の反応時の寸法変化率は、面内、面外方向共に等しく差異は無かった。このC/SiC複合材料の特性を評価したところ、物理物性、特に熱膨張係数は、サンプリングの向きに依存せずほぼ同じ値であった。その差異は測定限界以下であり、高い等方性を示した。
比較例1.
ピッチ系炭素繊維として三菱化学(株)製K7351Mのミルドファイバー(平均繊維長さ:200μm)を用いた。PAN系炭素繊維として東レ(株)製MLD−300のミルドファイバー(平均繊維長さ:130μm)を用いた。黒鉛粉末には和光純薬工業(株)製の黒鉛粉末を用いた。粉末樹脂は群栄化学(株)製PG652を造粒し平均粒径を10μmにしたものを使用した。粉末樹脂の造粒には、バインダーとしてPVP(ポリビニルピロリドン)を用いた。
ピッチ系炭素繊維、PAN系炭素繊維、黒鉛粉末、造粒粉末樹脂を重量比で56:117:12.4:99の比率で秤量し、V型ミキサーを用いて均一な混合体になるように混ぜ合せた。この後、当該混合体を金型に移し、プレスで加圧して一定の形状に成型した。これにより、炭素繊維、黒鉛粉末及び粉末樹脂からなる炭素繊維基材成形体を得た。こうして得られた、炭素繊維基材成形体を不活性雰囲気中で800℃まで昇温して炭素化させて、C/C複合材料を得た。
続いて、C/Cの成形体を真空中で1600℃に加熱し、溶融した金属シリコンを含浸することによりC/SiC化した。こうして得られた、C/SiC複合材料の組成を分析したところ、マトリックス炭素とPAN系炭素繊維は、シリコンと殆ど反応してSiCに変化していたが、ピッチ系炭素繊維は大半が反応していないことが確認された。また、C/SiC複合材料成形体のボイドはシリコン含浸によってほぼ完全に埋まっており、ボイドは1%未満であった。
このC/C成形体を用いて炭化ケイ素化したときの寸法変化率は、面内方向で、約0.5%、面外方向では、約3.5%であることが確認された。C/SiC複合材料の特性を評価したところ、物理物性、特に熱膨張係数は、面内方向と面外方向とで約1.5%程度の差異が確認された。
比較例1のように、混合原料をそのまま、金型に充填して加圧成形をして得られた成形体を用いて製造したC/C成形体を炭化ケイ素化させた場合、寸法変化率に異方性があり、C/SiC複合材に歪が発生することおよびC/SiC複合材料の物性には、異方性があることが確認できた。
比較例2.
ピッチ系炭素繊維として三菱化学(株)製K7351Mのミルドファイバー(平均繊維長さ:200μm)を用いた。PAN系炭素繊維として東レ(株)製MLD−300のミルドファイバー(平均繊維長さ:130μm)を用いた。黒鉛粉末には和光純薬工業(株)製の黒鉛粉末を用いた。粉末樹脂は群栄化学(株)製PG652を造粒し平均粒径を100μmにしたものを使用した。粉末樹脂の造粒には、バインダーとしてPVP(ポリビニルピロリドン)を用いた。
ピッチ系炭素繊維、PAN系炭素繊維、黒鉛粉末、造粒粉末樹脂を重量比で56:117:12.4:99の比率で秤量し、V型ミキサーを用いて均一な混合体になるように混合させた。この後、当該混合原料を造粒用装置(パウレック:MP−01)により、バインダーにPVK10wt%水溶液を用いて、造粒した。
この後、造粒原料を金型に移し、プレスで加圧して一定の形状に成型した。これにより、炭素繊維、黒鉛粉末及び粉末樹脂からなる炭素繊維基材成形体を得た。こうして得られた、炭素繊維基材成形体を不活性雰囲気中で800℃まで昇温して炭素化させて、炭素強化炭素複合材料を得た。
続いて、得られたC/C成形体を真空中で1600℃に加熱し、金属シリコンを溶融させて含浸することによりC/SiC化した。こうして得られた、C/SiC複合材料の組成を分析したところ、マトリックス炭素とPAN系炭素繊維は、含浸したシリコンと殆ど反応してSiCに変化していたが、ピッチ系炭素繊維は大半が反応していないことが確認された。C/SiC複合材料成形体のボイドはシリコン含浸によってほぼ完全に埋まっており、ボイドは1%未満であった。
このC/C成形体を用いて炭化ケイ素化したときの寸法変化率は、面内方向で、約1%、面外方向では、約2.5%であることが確認された。C/SiC複合材料の特性を評価したところ、物理物性、特に熱膨張係数は、面内方向と面外方向とで約0.2%程度の差異が確認された。
比較例2のように、造粒原料をそのまま、金型に充填して加圧成形をして得られた成形体を用いて製造したC/C成形体を炭化ケイ素化させた場合、寸法変化率に異方性があり、C/SiC複合材に歪が発生することおよび製造したC/SiC複合材料の物性には、異方性があり、完全な等方性材料にならないことが確認できた
比較例3.
ピッチ系炭素繊維として三菱化学(株)製K7351Mのミルドファイバー(平均繊維長さ:200μm)を用いた。PAN系炭素繊維として東レ(株)製MLD−300のミルドファイバー(平均繊維長さ:130μm)を用いた。黒鉛粉末には和光純薬工業(株)製の黒鉛粉末を用いた。粉末樹脂は群栄化学(株)製PG652を造粒し平均粒径を100μmにしたものを使用した。粉末樹脂の造粒には、バインダーとしてPVP(ポリビニルピロリドン)を用いた。
ピッチ系炭素繊維、PAN系炭素繊維、黒鉛粉末、造粒粉末樹脂を重量比で55:109:25:97の比率で秤量し、V型ミキサーを用いて均一な混合体になるように混ぜ合わせた。この後、混合原料を金型に移し、プレスで加圧して一定の形状に成型した。これにより、炭素繊維、黒鉛粉末及び粉末樹脂からなる炭素繊維基材成形体を得た。こうして得られた、炭素繊維基材成形体を不活性雰囲気中で800℃まで昇温して炭素化させて、C/C複合材料を得た。
続いて、得られたC/C成形体を真空中で1700℃に加熱し、金属シリコンを溶融させて含浸することによりC/SiC化した。こうして得られた、C/SiC複合材料の組成を分析したところ、マトリックス炭素とPAN系炭素繊維は、含浸したシリコンと殆ど反応してSiCに変化していたが、ピッチ系炭素繊維は大半が反応していないことが確認された。C/SiC複合材料成形体のボイドはシリコン含浸によってほぼ完全に埋まっており、ボイドは1%未満であった。
このC/C成形体を用いて炭化ケイ素化したときの寸法変化率は、面内方向で、約0.4%、面外方向では、約4%であることが確認された。C/SiC複合材料の特性を評価したところ、熱膨張係数は、成形時の方向に依存し、面内方向と面外方向とで約2%程度の差異が確認された。
比較例3では、炭素繊維基材の成形において造粒した粉末樹脂を含んだ原料を使用して成形用治具に充填し、加熱・加圧成形している。このため、原料を成形用の充填する際に炭素繊維が重力の影響を受け倒れやすいため、平面内に配向する傾向にあった。更に、成形用の治具に原料を充填した後、ホットプレスあるいはオートクレーブにより加熱・加圧圧縮して硬化し、炭素繊維基材を成形しているので、この炭素繊維基材成形体中の炭素繊維は成形面内での配向が促進されている。この炭素繊維基材成形体を用いて製造した炭素繊維含有炭化ケイ素複合材料中の炭素繊維の多くはシリコンと反応して、炭化ケイ素に変化しているが、反応しなかった炭素繊維の多くは、面内方向に配向している。
この発明に係る炭素繊維強化炭化ケイ素複合材料は、焼結SiC並みの強度、剛性を有し、かつ等方性に優れた材料物性を有することから、宇宙用、地上用の大型望遠鏡や高温用構造部材に適用可能である。
1 ピッチ系炭素繊維、2 PAN系炭素繊維、3 炭素粉末、4 粉末樹脂、5 混合体、6 造粒体、7 炭素繊維基材成形体、8 C/C焼成体(炭素繊維強化炭素複合体)、9 反射鏡サブストレート 、10 炭素繊維含有炭化ケイ素複合体、11 凹型光学反射鏡

Claims (8)

  1. 複数種類の炭素繊維、炭素粉末および粉末樹脂を混ぜ合わせて混合物にする工程と、前記混合物にバインダーを加えて造粒体にする工程と、前記造粒体を等方性圧縮する工程と、等方性圧縮された造粒体を昇温し、硬化させる工程と、前工程で得られる硬化物を焼成する工程とを備えている炭素繊維強化炭素複合体の製造方法。
  2. 造粒体をフィルム容器に入れて減圧することで等方性圧縮することを特徴とする請求項1に記載の炭素繊維強化炭素複合体の製造方法。
  3. 造粒体を弾性バッグに入れ、液中で圧力を上げて加圧することで等方性圧縮することを特徴とする請求項1に記載の炭素繊維強化炭素複合体の製造方法。
  4. 炭素繊維にPAN系炭素繊維とピッチ系炭素繊維を用いることを特徴とする請求項1に記載の炭素繊維強化炭素複合体の製造方法。
  5. ピッチ系炭素繊維は平均繊維長が1mm以下、0.1mm以上、PAN系炭素繊維は平均繊維長が0.5mm以下、0.02mm以上であることを特徴とする請求項4に記載の炭素繊維強化炭素複合体の製造方法。
  6. 炭素粉末は粒度が10μm以上、100μm以下の黒鉛粉末であることを特徴とする請求項1に記載の炭素繊維強化炭素複合体の製造方法。
  7. 複数種類の炭素繊維と、炭素粉末と、粉末樹脂を混ぜ合わせて混合物にする工程と、前記混合物にバインダーを加えて造粒体にする工程と、前記造粒体を等方性圧縮する工程と、等方性圧縮された造粒体を昇温し、硬化させる工程と、前工程で得られる硬化物を焼成する工程と、前工程で得られる焼成体をケイ素に溶浸し、炭化ケイ素化する工程とを備えている炭素繊維含有炭化ケイ素複合体の製造方法。
  8. 炭化ケイ素化された焼成体を仕上げ加工する工程を備えていることを特徴とする請求項7に記載の炭素繊維含有炭化ケイ素複合体の製造方法。
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