JP5543174B2 - ケミカルメカニカル研磨組成物及びそれに関連する方法 - Google Patents

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Description

本発明は、ケミカルメカニカル研磨組成物及びそれを使用する方法に関する。より詳細には、本発明は、相変態合金（例えば、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変態合金）を有する基材を研磨するためのケミカルメカニカル研磨組成物に関する。
概して無定形の絶縁性状態と、概して結晶構造の導電性状態との間を電気的に遷移することができる相変態材料を使用する相変化ランダムアクセスメモリー（ＰＲＡＭ）装置は、次世代の記憶装置の最有力候補となっている。これらの次世代のＰＲＡＭ装置は、各記憶ビットにつき超小型電子回路要素を用いる、従来の固体記憶装置、例えば、ダイナミックランダムアクセスメモリー（ＤＲＡＭ）装置；スタティックランダムアクセスメモリー（ＳＲＡＭ）装置、消去可能プログラム可能リードオンリーメモリー（ＥＰＲＯＭ）装置、及び電気的消去可能プログラム可能リードオンリーメモリー（ＥＥＰＲＯＭ）装置に取って代わる可能性がある。これらの固体記憶装置は、情報を記憶するのに多くのチップスペースを消費するため、チップ密度が制限され、また相対的にプログラミングが遅い。
ＰＲＡＭ装置において有用な相変態材料には、ゲルマニウム−テルル（Ｇｅ−Ｔｅ）及びゲルマニウム−アンチモン−テルル（Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ）相変態合金などのカルコゲニド材料が含まれる。ＰＲＡＭ装置の製造は、カルコゲニド相変態材料が選択的に除去され、装置表面が平坦化されるケミカルメカニカル研磨工程を含む。
カルコゲニド相変態材料を有する基材を研磨するための一つの研磨組成物が、Dysardらの米国特許出願公開第２００７０１７８７００号に開示されている。Dysardらは、（ａ）約３重量パーセント以下の量の微粒子砥粒；（ｂ）相変態合金をキレート化することができる少なくとも１個のキレート剤、その成分、又はケミカルメカニカル研磨の間、相変態合金材料から形成される物質；及び（ｃ）その水性担体を含む、相変態合金含有基材を研磨するためのケミカルメカニカル研磨組成物を開示する。
ＰＲＡＭ装置の製造時に相変態合金を選択的に除去することができる一方で、高い除去速度と低いディッシングが得られるケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）組成物に対する必要性が存在する。
本発明の１つの態様においては、基材のケミカルメカニカル研磨方法であって、カルコゲニド相変態合金を含む基材を用意し；水；５０ｎｍ以下の平均粒径を有する砥粒１〜４０重量％；第四級アンモニウム化合物０〜２重量％を含み；酸化剤とキレート剤を含まず；ｐＨ６を超え１２以下であるケミカルメカニカル研磨組成物を用意し；ケミカルメカニカル研磨パッドを用意し；ケミカルメカニカル研磨パッドと基材との界面に動的接触を作り出し；次いでケミカルメカニカル研磨組成物を、ケミカルメカニカル研磨パッド上で、ケミカルメカニカル研磨パッドと基材との間の界面又は界面近くに計量分配することを含み、少なくとも幾つかのカルコゲニド相変態合金が基材から除去される、方法が提供される。
本発明の別の態様においては、基材のケミカルメカニカル研磨方法であって、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変態合金を含む基材を用意し；水；１〜５０ｎｍの平均粒径を有するコロイドシリカ砥粒１〜５重量％；第四級アンモニウム化合物０．０１〜５重量％；酸化剤とキレート剤を含まず；ｐＨ７〜１２であるケミカルメカニカル研磨組成物を用意し；ケミカルメカニカル研磨パッドを用意し；ケミカルメカニカル研磨パッドと基材との間の界面に動的接触を作り出し;次いでケミカルメカニカル研磨組成物を、ケミカルメカニカル研磨パッド上で、ケミカルメカニカル研磨パッドと基材との界面又は界面近くに計量分配することを含み、少なくとも幾つかのゲルマニウム−アンチモン−テルル相変態合金が基材から除去される、方法が提供される。
詳細な説明
本発明のケミカルメカニカル研磨方法は、カルコゲニド相変態合金を含有する基材を研磨する上で有用である。本発明の方法において使用されるケミカルメカニカル研磨組成物は、基材上の追加的な材料に対して有利な選択性を有する、高いカルコゲニド相変態合金の除去速度を提供する。
ケミカルメカニカル研磨に対して、本発明の方法で使用される好適な基材は、カルコゲニド相変態合金を含む。好ましくは、カルコゲニド相変態合金は、ゲルマニウム−テルル相変態合金及びゲルマニウム−アンチモン−テルル相変態合金より選択される。最も好ましくは、カルコゲニド相変態合金は、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変態合金である。
ケミカルメカニカル研磨に対して、本発明の方法で使用される好適な基材は、場合により、更に、リンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）、ホウリンケイ酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）、非ドープケイ酸塩ガラス（ＵＳＧ）、スピンオンガラス（ＳＯＧ）、オルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）、プラズマ増強ＴＥＯＳ（ＰＥＴＥＯＳ）、流動性酸化物（ＦＯｘ）、高密度プラズマ化学蒸着（ＨＤＰ−ＣＶＤ）酸化物、及び窒化ケイ素（例えば、Ｓｉ３Ｎ４）より選択される追加的な材料を含む。好ましくは、基材は、更に、Ｓｉ３Ｎ４及びＴＥＯＳより選択される追加的な材料を含む。
本発明に使用される好適な砥粒には、例えば、無機酸化物、無機水酸化物、無機水酸化酸化物、金属ホウ化物、金属炭化物、金属窒化物、ポリマー粒子及び少なくとも前述の一つを含む混合物が含まれる。適切な無機酸化物には、例えば、シリカ（ＳｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、ジルコニア（ＺｒＯ２）、セリア（ＣｅＯ２）、酸化マンガン（ＭｎＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）又は前述の酸化物の少なくとも１つを含む組み合わせが含まれる。これらの無機酸化物の改変形態、例えば、有機ポリマー被覆無機酸化物粒子及び無機被覆粒子もまた、所望であれば利用することができる。好適な金属炭化物、ホウ化物及び窒化物には、例えば、炭化ケイ素、窒化ケイ素、炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）、炭化ホウ素、炭化タングステン、炭化ジルコニウム、ホウ化アルミニウム、炭化タンタル、炭化チタン、又は前述の金属炭化物、ホウ化物及び窒化物の少なくとも１つを含む組み合わせが含まれる。好ましくは、砥粒はコロイドシリカ砥粒である。ケミカルメカニカル研磨についての、本発明の方法で使用される好適なコロイドシリカ砥粒は、ヒュームドシリカ、沈降性シリカ及び凝集シリカのうちの少なくとも１つを含有する。
本発明の幾つかの実施態様においては、砥粒は、５０nm以下（≦５０nm）の平均粒径を有するコロイドシリカである。これらの実施態様の幾つかの態様においては、コロイドシリカは、１〜５０nmの平均粒径を有する。これらの実施態様の幾つかの態様においては、コロイドシリカは、１〜４０nmの平均粒径を有する。これらの実施態様の幾つかの態様においては、コロイドシリカは、１〜３０nmの平均粒径を有する。これらの実施態様の幾つかの態様においては、コロイドシリカは、１〜２５nmの平均粒径を有する。
本発明の幾つかの実施態様においては、使用されるケミカルメカニカル研磨組成物は、１２〜４０重量％の砥粒（ここで、砥粒は、５０nm以下（≦５０nm）の平均粒径を有するコロイドシリカである）を含有する。これらの実施態様の幾つかの態様においては、コロイドシリカは、１〜５０nmの平均粒径を有する。これらの実施態様の幾つかの態様においては、コロイドシリカは、１〜４０nmの平均粒径を有する。これらの実施態様の幾つかの態様においては、コロイドシリカは、１〜３０nmの平均粒径を有する。これらの実施態様の幾つかの態様においては、コロイドシリカは、１〜２５nmの平均粒径を有する。
本発明の幾つかの実施態様においては、使用されるケミカルメカニカル研磨組成物は、１５〜３５重量％の砥粒（ここで、砥粒は、５０nm以下（≦５０nm）の平均粒径を有するコロイドシリカである）を含有する。これらの実施態様の幾つかの態様においては、コロイドシリカは、１〜５０nmの平均粒径を有する。これらの実施態様の幾つかの態様においては、コロイドシリカは、１〜４０nmの平均粒径を有する。これらの実施態様の幾つかの態様においては、コロイドシリカは、１〜３０nmの平均粒径を有する。これらの実施態様の幾つかの態様においては、コロイドシリカは、１〜２５nmの平均粒径を有する。
本発明の幾つかの実施態様においては、使用されるケミカルメカニカル研磨組成物は、２０〜３０重量％の砥粒（ここで、砥粒は、５０nm以下（≦５０nm）の平均粒径を有するコロイドシリカである）を含有する。これらの実施態様の幾つかの態様においては、コロイドシリカは、１〜５０nmの平均粒径を有する。これらの実施態様の幾つかの態様においては、コロイドシリカは、１〜４０nmの平均粒径を有する。これらの実施態様の幾つかの態様においては、コロイドシリカは、１〜３０nmの平均粒径を有する。これらの実施態様の幾つかの態様においては、コロイドシリカは、１〜２５nmの平均粒径を有する。
好ましくは、本発明のケミカルメカニカル研磨方法において使用されるケミカルメカニカル研磨組成物は、更に、０．０１〜５重量％、より好ましくは０．１〜３重量％、より一層好ましくは０．５〜２重量％の第四級アンモニウム化合物を含む。ケミカルメカニカル研磨組成物に使用される好適な第四級アンモニウム化合物には、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラシクロプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラtertブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラsecブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラシクロブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラペンチルアンモニウムヒドロキシド、テトラシクロペンチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラシクロヘキシルアンモニウムヒドロキシド、及びその混合物が含まれる。好ましい第四級アンモニウム化合物には、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）及びテトラブチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＢＡＨ）が含まれる。
本発明の幾つかの実施態様においては、ケミカルメカニカル研磨組成物は、更に、０．０１〜５重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）を含む。これらの実施態様の幾つかの態様においては、ケミカルメカニカル研磨組成物は、更に、０．１〜３重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）を含む。これらの実施態様の幾つかの態様においては、ケミカルメカニカル研磨組成物は、更に、０．５〜２重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）を含む。
本発明の幾つかの実施態様においては、ケミカルメカニカル研磨組成物は、更に、０．０１〜５重量％のテトラブチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＢＡＨ）を含む。これらの実施態様の幾つかの態様においては、ケミカルメカニカル研磨組成物は、更に、０．１〜３重量％のテトラブチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＢＡＨ）を含む。これらの実施態様の幾つかの態様においては、ケミカルメカニカル研磨組成物は、更に、０．５〜２重量％のテトラブチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＢＡＨ）を含む。
本発明のケミカルメカニカル研磨方法において使用されるケミカルメカニカル研磨組成物に含有される水は、偶発的な不純物を制限するために、好ましくは、脱イオン水及び蒸留水の少なくとも１つである。
本発明のケミカルメカニカル研磨方法において使用されるケミカルメカニカル研磨組成物は、場合により、更に、分散剤、界面活性剤、緩衝剤及び殺生物剤より選択される追加的な添加剤を含む。
本発明のケミカルメカニカル研磨方法において使用されるケミカルメカニカル研磨組成物は酸化剤を含まない。本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用される用語「酸化剤を含まない」とは、ケミカルメカニカル研磨組成物が、過酸化水素、過硫酸塩（例えば、一過硫酸アンモニウム、及び二過硫酸カリウム）及び過ヨウ素酸塩（例えば、過ヨウ素酸カリウム）などの酸化剤を含有しないことを意味する。
本発明のケミカルメカニカル研磨方法において使用されるケミカルメカニカル研磨組成物はキレート剤を含まない。本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用される用語「キレート剤を含まない」とは、ケミカルメカニカル研磨組成物が、ジカルボン酸（例えば、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、マレイン酸、フタル酸、酒石酸、アスパラギン酸、グルタミン酸）、ポリカルボン酸（例えば、クエン酸、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸、ポリアクリル酸、ポリマレイン酸）、アミノカルボン酸（例えば、アルファ−アミノ酸、ベータアミノ酸、オメガ−アミノ酸）、リン酸塩、ポリリン酸塩、アミノホスホン酸塩、ホスホノカルボン酸などのカルコゲニド相変態合金（すなわち、ゲルマニウム、アンチモン又はテルル）の成分をキレート化することができるキレート剤、及び高分子キレート剤を含有しないことを意味する。
本発明のケミカルメカニカル研磨方法において使用されるケミカルメカニカル研磨組成物は、ｐＨ６超え１２以下（＞６〜１２）にわたって効力を示す。好ましくは、使用されるケミカルメカニカル研磨組成物は、ｐＨ７〜１２にわたって効力を示す。ケミカルメカニカル研磨組成物のｐＨの調整に使用する好適な酸には、例えば、硝酸、硫酸及び塩酸が含まれる。ケミカルメカニカル研磨組成物のｐＨ調整に使用する好適な塩基には、例えば、水酸化アンモニウム及び水酸化カリウムが含まれる。
本発明の幾つかの実施態様においては、カルコゲニド相変態合金は、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変態合金であり、砥粒はコロイドシリカであり、基材は更にＳｉ３Ｎ４を含む。これらの実施態様の幾つかの態様においては、ケミカルメカニカル研磨組成物は、そのＳｉ３Ｎ４の除去速度を上回るゲルマニウム−アンチモン−テルル相変態合金の除去速度を示す。これらの実施態様の幾つかの態様においては、ケミカルメカニカル研磨組成物は、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変態合金対Ｓｉ３Ｎ４の除去速度選択性４０以上：１（≧４０：１）を示す。これらの実施態様の幾つかの態様においては、ケミカルメカニカル研磨組成物は、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変態合金対Ｓｉ３Ｎ４の除去速度選択性６０以上：１（≧６０：１）を示す。これらの実施態様の幾つかの態様においては、ケミカルメカニカル研磨組成物は、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変態合金対Ｓｉ３Ｎ４の除去速度選択性１００以上：１（≧１００：１）を示す。
本発明の幾つかの実施態様においては、カルコゲニド相変態合金は、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変態合金であり、砥粒はコロイドシリカであり、基材は更にオルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）を含む。これらの実施態様の幾つかの態様においては、ケミカルメカニカル研磨組成物は、そのＴＥＯＳの除去速度を上回るゲルマニウム−アンチモン−テルル相変態合金の除去速度を示す。これらの実施態様の幾つかの態様においては、ケミカルメカニカル研磨組成物は、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変態合金対ＴＥＯＳの除去速度選択性４０以上：１（≧４０：１）を示す。これらの実施態様の幾つかの態様においては、ケミカルメカニカル研磨組成物は、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変態合金対ＴＥＯＳの除去速度選択性６０以上：１（≧６０：１）を示す。これらの実施態様の幾つかの態様においては、ケミカルメカニカル研磨組成物は、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変態合金対ＴＥＯＳの除去速度選択性１００以上：１（≧１００：１）を示す。これらの実施態様の幾つかの態様においては、ケミカルメカニカル研磨組成物は、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変態合金対ＴＥＯＳの除去速度選択性２００以上：１（≧２００：１）を示す。
本発明の幾つかの実施態様においては、カルコゲニド相変態合金は、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変態合金であり、砥粒はコロイドシリカであり、ケミカルメカニカル研磨組成物は、ケミカルメカニカル研磨パッドがポリマー中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織サブパッドを含む２００mm研磨機（例えば、Applied Materials Mirra 200 mm polishing machine）で、プラテン速度６０回転／分、キャリヤ速度５６回転／分、ケミカルメカニカル研磨組成物流速２００ml／分、及び公称ダウンフォース１．０psiで、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変態合金の除去速度２００Å／分以上（≧２００Å／分）、好ましくは４００Å／分以上（≧４００Å／分）、より好ましくは８００Å／分以上（≧８００Å／分）、最も好ましくは１０００Å／分以上（≧１０００Å／分）を示す。
本発明の幾つかの実施態様においては、基材のケミカルメカニカル研磨方法は、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変態合金を含む基材を用意し；水；１〜５０nmの平均粒径を有するコロイドシリカ砥粒１〜５重量％、第四級アンモニウム化合物０．０１〜５重量％、好ましくは０．１〜３重量％、より一層好ましくは０．５〜２重量％を含み；酸化剤とキレート剤を含まず；ｐＨ７〜１２であるケミカルメカニカル研磨組成物を用意し；ケミカルメカニカル研磨パッドを用意し；ケミカルメカニカル研磨パッドと基材との間の界面に動的接触を作り出し；次いでケミカルメカニカル研磨組成物を、ケミカルメカニカル研磨パッド上でケミカルメカニカル研磨パッドと基材との間の界面又は界面近くに計量分配することを含み、少なくとも幾つかのゲルマニウム−アンチモン−テルル相変態合金が基材から除去される。これらの実施態様の幾つかの態様においては、ケミカルメカニカル研磨組成物は、ケミカルメカニカル研磨パッドがポリマー中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織サブパッドを含む２００mm研磨機（例えば、Applied Materials Mirra 200 mm polishing machine）で、プラテン速度６０回転／分、キャリヤ速度５６回転／分、ケミカルメカニカル研磨組成物流速２００ml／分、及び公称ダウンフォース１．０psiで、更に、ゲルマニウム−アンチモン−テルルカルコゲニド相変態合金の除去速度２００Å／分以上（≧２００Å／分）、好ましくは４００Å／分以上（≧４００Å／分）、より好ましくは８００Å／分以上（≧８００Å／分）、最も好ましくは１０００Å／分以上（≧１０００Å／分）を示す。これらの実施態様の幾つかの態様においては、基材は、更に、Ｓｉ３Ｎ４を含み、ケミカルメカニカル研磨組成物は、ケミカルメカニカル研磨パッドがポリマー中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織サブパッドを含む２００mm研磨機（例えば、Applied Materials Mirra 200 mm polishing machine）で、プラテン速度６０回転／分、キャリヤ速度５６回転／分、ケミカルメカニカル研磨組成物流速２００ml／分、及び公称ダウンフォース１．０psiで、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変態合金対Ｓｉ３Ｎ４の除去速度選択性４０以上：１（≧４０：１）、好ましくは５０以上：１（≧５０：１）、より好ましくは１００：１を示し、そしてゲルマニウム−アンチモン−テルル除去速度２００Å／分以上（≧２００Å／分）、好ましくは４００Å／分以上（≧４００Å／分）、より好ましくは≧８００Å／分以上（≧８００Å／分）、最も好ましくは１０００Å／分以上（≧１０００Å／分）を示す。これらの実施態様の幾つかの態様においては、基材は、更に、オルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）を含み、ケミカルメカニカル研磨組成物は、ケミカルメカニカル研磨パッドがポリマー中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織サブパッドを含む２００mm研磨機（例えば、Applied Materials Mirra 200 mm polishing machine）で、プラテン速度６０回転／分、キャリヤ速度５６回転／分、ケミカルメカニカル研磨組成物流速２００ml／分、及び公称ダウンフォース１．０psiで、ゲルマニウム−アンチモン−テルルカルコゲニド相変態合金対ＴＥＯＳの除去速度選択性４０以上：１（≧４０：１）、好ましくは６０以上：１（≧６０：１）、より好ましくは１００以上：１（≧１００：１）、最も好ましくは２００以上：１（≧２００：１）、そしてゲルマニウム−アンチモン−テルル除去速度２００Å／分以上（≧２００Å／分）、好ましくは４００Å／分以上（≧４００Å／分）、より好ましくは８００Å／分以上（≧８００Å／分）、最も好ましくは１０００Å／分以上（≧１０００Å／分）を示す。
ここで本発明の幾つかの実施態様を、以下の実施例において詳細に説明する。
実施例
ケミカルメカニカル研磨組成物
試験したケミカルメカニカル研磨組成物（ＣＭＰＣ）を表１に記載する。ケミカルメカニカル研磨組成物Ａはクレームされた本発明の範囲ではない比較配合物である。
Figure 0005543174
研磨試験
表１に記載されたケミカルメカニカル研磨組成物は、ダウンフォース１psi、ケミカルメカニカル研磨組成物流速２００ml／分、プラテン速度６０rpm及びキャリヤ速度５６rpm下で、IC1010（商標）ポリウレタン研磨パッド（Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.から市販）を用いるＩＳＲＭ検出システムを備えるApplied Materials, Inc. Mirra 200mm polishing machineを使用して試験した。SKW Associates Inc.からのゲルマニウム−アンチモン−テルル（ＧＳＴ）ブランケットウェハを、上記条件で研磨した。表２に報告されているＧＳＴ除去速度データは、断面透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察により測定した。ATDFからのＳｉ３Ｎ４及びＴＥＯＳブランケットウェハを、上記条件で研磨した。表２に報告されているＳｉ３Ｎ４及びＴＥＯＳの除去速度は、ThermWave Optiprobe（登録商標）2600フィルム厚測定システムを使用して測定した。
研磨試験の結果を表２に示す。
Figure 0005543174

Claims (4)

  1. 基材のケミカルメカニカル研磨方法であって、
    カルコゲニド相変態合金を含む基材を用意し、前記カルコゲニド相変態合金が、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変態合金であり；
    水；５０ｎｍ以下の平均粒径を有する砥粒１〜４０重量％；第四級アンモニウム化合物０．０１〜２重量％を含み（ここで、第四級アンモニウム化合物は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラシクロプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラtertブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラsecブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラシクロブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラペンチルアンモニウムヒドロキシド、テトラシクロペンチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラシクロヘキシルアンモニウムヒドロキシド及びその混合物から選択される）；酸化剤とキレート剤を含まず；ｐＨ６を超え１２以下であるケミカルメカニカル研磨組成物を用意し；
    ケミカルメカニカル研磨パッドを用意し；
    ケミカルメカニカル研磨パッドと基材との界面に動的接触を作り出し；次いで
    ケミカルメカニカル研磨組成物を、ケミカルメカニカル研磨パッド上で、ケミカルメカニカル研磨パッドと基材との間の界面又は界面近くに計量分配することを含み、
    少なくとも幾つかのカルコゲニド相変態合金が基材から除去される、方法。
  2. 基材が更にＳｉ３Ｎ４を含む、請求項１記載の方法。
  3. 基材が更にオルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）を含む、請求項１記載の方法。
  4. ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変態合金であるカルコゲニド相変態合金を含む基材をケミカルメカニカル研磨するためのケミカルメカニカル研磨組成物であって、
    水；５０ｎｍ以下の平均粒径を有する砥粒１〜４０重量％；第四級アンモニウム化合物０．０１〜２重量％を含み（ここで、第四級アンモニウム化合物は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラシクロプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラtertブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラsecブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラシクロブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラペンチルアンモニウムヒドロキシド、テトラシクロペンチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラシクロヘキシルアンモニウムヒドロキシド及びその混合物から選択される）；酸化剤とキレート剤を含まず；ｐＨ６を超え１２以下である、組成物。
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