JP5541087B2 - 半導体ウェーハの洗浄方法および半導体ウェーハ洗浄液の濃度測定方法 - Google Patents
半導体ウェーハの洗浄方法および半導体ウェーハ洗浄液の濃度測定方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5541087B2 JP5541087B2 JP2010241382A JP2010241382A JP5541087B2 JP 5541087 B2 JP5541087 B2 JP 5541087B2 JP 2010241382 A JP2010241382 A JP 2010241382A JP 2010241382 A JP2010241382 A JP 2010241382A JP 5541087 B2 JP5541087 B2 JP 5541087B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- concentration
- wafer cleaning
- organic acid
- hydrofluoric acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
よって、特許文献1に記載の洗浄方法によれば、半導体ウェーハの表面に付着している有機物、金属不純物および微粒子を少ない工程数で良好に除去することができる。
(1)図4(a)に半導体ウェーハ洗浄液中のフッ酸濃度を一定(0.055質量%)にした状態で液中の有機酸(シュウ酸)濃度を変化させた場合の赤外吸収スペクトルおよび紫外吸収スペクトルの吸光度の変化を示すように、半導体ウェーハ洗浄液中の有機酸濃度が変化した場合、紫外吸収スペクトルの吸光度は有機酸濃度に比例して変化するが、赤外吸収スペクトルの吸光度は殆ど変化しない。
(2)図4(b)に半導体ウェーハ洗浄液中の有機酸(シュウ酸)濃度を一定(0.01質量%)にした状態で液中のフッ酸濃度を変化させた場合の赤外吸収スペクトルおよび紫外吸収スペクトルの吸光度の変化を示すように、半導体ウェーハ洗浄液中のフッ酸濃度が変化した場合、赤外吸収スペクトルの吸光度はフッ酸濃度に比例して変化するが、紫外吸収スペクトルの吸光度は殆ど変化しない。
(3)従って、フッ酸と有機酸との混合液からなる半導体ウェーハ洗浄液の紫外吸収スペクトルの測定結果に変化があれば、それは有機酸濃度が変化したことを意味するので、紫外吸収スペクトルを測定することで半導体ウェーハ洗浄液中の有機酸濃度を求めることができる。また、半導体ウェーハ洗浄液の赤外吸収スペクトルの測定結果に変化があれば、それは液中のフッ酸濃度が変化したことを意味するので、赤外吸収スペクトルを測定することで半導体ウェーハ洗浄液中のフッ酸濃度を求めることができる。
なお、液中の有機酸(シュウ酸)濃度を変化させた際に赤外吸収スペクトルの吸光度が殆ど変化しないのは、明らかではないが、半導体ウェーハ洗浄液中の有機酸濃度が比較的低濃度であるからと推察されている。
本発明の半導体ウェーハ洗浄液の濃度測定方法は、フッ酸と有機酸とを含有する半導体ウェーハ洗浄液中のフッ酸濃度および有機酸濃度の測定に用いられ、半導体ウェーハ洗浄液の赤外吸収スペクトルを測定し、該赤外吸収スペクトルからフッ酸の濃度を求めるフッ酸濃度測定工程と、半導体ウェーハ洗浄液の紫外吸収スペクトルを測定し、該紫外吸収スペクトルから有機酸の濃度を求める有機酸濃度測定工程とを含むことを特徴とする。
(1)まず、半導体ウェーハ洗浄液に含まれる有機酸と同一の有機酸を添加した濃度既知の標準フッ酸溶液を近赤外液体成分濃度計で測定し、標準フッ酸溶液中のフッ酸濃度と、近赤外液体成分濃度計に表示されるフッ酸濃度との関係から検量線を作成する。
(2)次に、半導体ウェーハ洗浄液のフッ酸濃度を近赤外液体成分濃度計で測定する。
(3)最後に、近赤外液体成分濃度計に表示されたフッ酸濃度と、上記(1)で作成した検量線とを用いて、半導体ウェーハ洗浄液中のフッ酸濃度を算出する。
(4)まず、フッ酸を添加した濃度既知の標準有機酸溶液の紫外吸光スペクトルを吸光度計で測定し、標準有機酸溶液中の有機酸濃度と、有機酸分子に対応する吸収ピークの吸光度との関係から検量線を作成する。
(5)次に、半導体ウェーハ洗浄液の紫外吸光スペクトルを吸光度計で測定する。
(6)最後に、(5)で測定した紫外吸光スペクトルの有機酸分子に対応する吸収ピークの吸光度と、上記(4)で作成した検量線とを用いて、半導体ウェーハ洗浄液中の有機酸濃度を算出する。
因みに、標準有機酸溶液を用いて検量線を作成する際に標準有機酸溶液へ添加するフッ酸の量は、測定対象の半導体ウェーハ洗浄液中のフッ酸濃度に影響されることなく、例えば0.001〜0.1質量%とすることができる。
本発明の半導体ウェーハの洗浄方法は、シリコンウェーハ等の半導体ウェーハの洗浄に用いられ、半導体ウェーハを浸漬して洗浄する半導体ウェーハ洗浄液のフッ酸濃度および有機酸濃度を上述した半導体ウェーハ洗浄液の濃度測定方法で測定し、所定の範囲内に制御することを特徴とする。
ここで、本発明の半導体ウェーハの洗浄方法の一例の半導体ウェーハ洗浄プロセスの還元工程(S3)は、例えば以下のような半導体ウェーハ洗浄装置を用いて実施することができる。
フッ酸を0.06質量%含有する標準シュウ酸溶液と、紫外吸収スペクトル測定装置(測定波長範囲:200〜400nm)とを用いてシュウ酸濃度測定用の検量線を作成した。また、シュウ酸を0.05質量%含有する標準フッ酸溶液と、赤外吸収スペクトル測定装置(測定波長範囲:1〜3μm)とを用いてフッ酸濃度測定用の検量線を作成した。
そして、表1に示す濃度既知の半導体ウェーハ洗浄液のフッ酸濃度および有機酸濃度を本発明の濃度測定方法に従い測定した。結果を表1に示す。
図2に示す装置を用いて、半導体ウェーハ250枚を連続して洗浄した。なお、半導体ウェーハ洗浄液の濃度は、フッ酸が0.050〜0.055質量%、シュウ酸が0.008〜0.010質量%となるように制御した。
そして、洗浄後の半導体ウェーハ表面のサイズ50nm以上の微粒子数を表面検査装置(KLA−Tencor社製:SP−2)で測定した。また、半導体ウェーハ表面のAl量を、ウェーハ表層部をフッ酸と過酸化水素との混合酸溶液で溶解し、その溶解液をICP−MS(Inductively Coupled Plasma-Mass Spectrometer)で分析することにより求めた。半導体ウェーハ洗浄液のフッ酸およびシュウ酸濃度の経時変化および洗浄後の半導体ウェーハ表面の微粒子数の経時変化を図3(a)に示す。また、微粒子数および半導体ウェーハ表面のAl量の平均値を表2に示す。
半導体ウェーハ洗浄液を用いて半導体ウェーハ250枚を連続して洗浄した。なお、半導体ウェーハ洗浄液の濃度は制御しなかった。
そして、洗浄後の半導体ウェーハ表面の微粒子数を実施例3と同様の方法で測定した。半導体ウェーハ洗浄液のフッ酸およびシュウ酸濃度の経時変化および洗浄後の半導体ウェーハ表面の微粒子数の経時変化を図3(b)に示す。
半導体ウェーハ洗浄液のフッ酸濃度およびシュウ酸濃度が表2に示す濃度となるように制御した以外は、実施例3と同様にして半導体ウェーハ250枚を連続して洗浄した。
そして、洗浄後の半導体ウェーハ表面の微粒子数および半導体ウェーハ表面のAl量を実施例3と同様の方法で測定し、微粒子数および半導体ウェーハ表面のAl量の平均値を求めた。結果を表2に示す。
20 ウェーハ洗浄槽
31 サンプリングポンプ
32 フィルター
40 赤外吸収スペクトル測定装置
50 紫外吸収スペクトル測定装置
60 制御装置
71 純水供給槽
72 純水供給ポンプ
81 フッ酸溶液供給槽
82 フッ酸供給ポンプ
91 有機酸溶液供給槽
92 有機酸供給ポンプ
Claims (6)
- フッ酸と有機酸とを含有する半導体ウェーハ洗浄液中に半導体ウェーハを浸漬し、該半導体ウェーハを洗浄するウェーハ洗浄工程と、
前記半導体ウェーハ洗浄液の赤外吸収スペクトルを測定し、該赤外吸収スペクトルから半導体ウェーハ洗浄液中に含まれるフッ酸の濃度を求めるフッ酸濃度測定工程と、
前記半導体ウェーハ洗浄液の紫外吸収スペクトルを測定し、該紫外吸収スペクトルから半導体ウェーハ洗浄液中に含まれる有機酸の濃度を求める有機酸濃度測定工程と、
前記フッ酸濃度測定工程および前記有機酸濃度測定工程で測定したフッ酸濃度および有機酸濃度に基づき、前記半導体ウェーハ洗浄液中に純水、フッ酸および有機酸の何れか1種以上を添加して半導体ウェーハ洗浄液のフッ酸濃度および有機酸濃度を所定の範囲内に制御する濃度制御工程と、
を含み、
前記フッ酸濃度測定工程を経た半導体ウェーハ洗浄液に対して前記有機酸濃度測定工程を行うことを特徴とする、半導体ウェーハの洗浄方法。 - 前記フッ酸濃度測定工程において、前記赤外吸収スペクトルを1〜3μmの波長範囲内で測定し、
前記有機酸濃度測定工程において、前記紫外吸収スペクトルを200〜400nmの波長範囲内で測定することを特徴とする、請求項1に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。 - 前記濃度制御工程で、前記フッ酸濃度を0.01〜0.1質量%の範囲内に制御し、前記有機酸濃度を0.005〜0.1質量%の範囲内に制御することを特徴とする、請求項1または2に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
- 前記有機酸が、シュウ酸、クエン酸およびそれらの塩の何れか1種以上であることを特徴とする、請求項1〜3の何れかに記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
- フッ酸と有機酸とを含有する半導体ウェーハ洗浄液の濃度測定方法であって、
前記半導体ウェーハ洗浄液の赤外吸収スペクトルを測定し、該赤外吸収スペクトルから半導体ウェーハ洗浄液中に含まれるフッ酸の濃度を求めるフッ酸濃度測定工程と、
前記半導体ウェーハ洗浄液の紫外吸収スペクトルを測定し、該紫外吸収スペクトルから半導体ウェーハ洗浄液中に含まれる有機酸の濃度を求める有機酸濃度測定工程と、
を含み、
前記フッ酸濃度測定工程を経た半導体ウェーハ洗浄液に対して前記有機酸濃度測定工程を行うことを特徴とする、半導体ウェーハ洗浄液の濃度測定方法。 - 前記フッ酸濃度測定工程において、前記赤外吸収スペクトルを1〜3μmの波長範囲内で測定し、
前記有機酸濃度測定工程において、前記紫外吸収スペクトルを200〜400nmの波長範囲内で測定することを特徴とする、請求項5に記載の半導体ウェーハ洗浄液の濃度測定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010241382A JP5541087B2 (ja) | 2010-10-27 | 2010-10-27 | 半導体ウェーハの洗浄方法および半導体ウェーハ洗浄液の濃度測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010241382A JP5541087B2 (ja) | 2010-10-27 | 2010-10-27 | 半導体ウェーハの洗浄方法および半導体ウェーハ洗浄液の濃度測定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012094715A JP2012094715A (ja) | 2012-05-17 |
JP5541087B2 true JP5541087B2 (ja) | 2014-07-09 |
Family
ID=46387726
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010241382A Active JP5541087B2 (ja) | 2010-10-27 | 2010-10-27 | 半導体ウェーハの洗浄方法および半導体ウェーハ洗浄液の濃度測定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5541087B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6060729A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-08 | Hitachi Ltd | 洗浄装置 |
JP2771915B2 (ja) * | 1991-09-11 | 1998-07-02 | 花王株式会社 | 紫外可視部に吸収を有する多種類の化合物の一斉自動分析システム |
JP3239998B2 (ja) * | 1998-08-28 | 2001-12-17 | 三菱マテリアルシリコン株式会社 | 半導体基板の洗浄方法 |
JP3754581B2 (ja) * | 1999-08-31 | 2006-03-15 | 株式会社堀場製作所 | 多成分有機溶液の分析方法 |
-
2010
- 2010-10-27 JP JP2010241382A patent/JP5541087B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012094715A (ja) | 2012-05-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6798045B2 (ja) | 次亜塩素酸イオンを含む半導体ウェハの処理液 | |
JP3789083B2 (ja) | 洗浄溶液を用いた集積回路基板の汚染物質の除去方法 | |
US20190136161A1 (en) | Treatment liquid and method for washing substrate | |
JP5589968B2 (ja) | 半導体ウェーハの洗浄方法 | |
JPWO2006129538A1 (ja) | ホスホン酸を含む半導体ウェハ洗浄用組成物及び洗浄方法 | |
JP2014514743A (ja) | ウェハの汚染測定装置およびウェハの汚染測定方法 | |
JP2000117208A (ja) | 電子材料の洗浄方法 | |
JP2599021B2 (ja) | シリコンウエハのエッチング方法および洗浄方法 | |
KR19980047233A (ko) | 극히 깨끗한 물로 린스하지 않고 직접 화학 용기에서 웨이퍼를 건조시키는 방법 | |
JP3957268B2 (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
US8288291B2 (en) | Method for removal of bulk metal contamination from III-V semiconductor substrates | |
JP3957264B2 (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
JPH07183264A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
KR101643124B1 (ko) | 웨이퍼용 세정수 및 웨이퍼의 세정 방법 | |
JP5541087B2 (ja) | 半導体ウェーハの洗浄方法および半導体ウェーハ洗浄液の濃度測定方法 | |
JP2007234964A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
JPH08264498A (ja) | シリコンウエーハの清浄化方法 | |
Yang et al. | Addition of surfactants in ozonated water cleaning for the suppression of functional group formation and particle adhesion on the SiO2 surface | |
JP2776583B2 (ja) | 半導体基板の処理液及び処理方法 | |
JP4091014B2 (ja) | 半導体装置の洗浄方法ならびに半導体装置製造用機器の洗浄方法および洗浄装置 | |
JPH0818920B2 (ja) | シリコンウェハの洗浄方法 | |
JP4288112B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理液 | |
JP5836650B2 (ja) | 半導体基板洗浄装置および洗浄方法、並びに半導体装置の製造方法 | |
JP2001326209A (ja) | シリコン基板の表面処理方法 | |
JP3397117B2 (ja) | 電子材料用洗浄水及び洗浄方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130121 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131119 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140117 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140408 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140421 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5541087 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |