JP5538340B2 - ワークピース処理方法および真空プラズマプロセッサ - Google Patents
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Description
Vpkpk (X)=V0 pkpkcos[β(x+xo)]および
Ipkpk (X)=I0 pkpksin[β(x+xo)]
ここで、
xはコイルの端子54から測定した直線距離、
βは高周波電源26の光速cで割り算をした角周波数、
xoはキャパシタ80の値によって決定されるゼロからのオフセット、
V0 pkpkおよびI0 pkpkはそれぞれコイルの最大高周波ピークピーク電圧および電流である。
(ここでθはコイルの中心点50°を通って延びる基準角度に関して、コイル周辺部についての角度を表す、例えば図2では、基準角度は中心点50の左側へ水平に延びる)。
Claims (20)
- 異なる第1と第2の周縁長を有する円形のワークピースを同じ真空プラズマ処理チェンバもしくは同じ幾何学形状を有する複数の真空プラズマ処理チェンバ内で処理するワークピース処理方法であって、
第1と第2の異なる周縁寸法を有し、(a)巻線幅が略等しく、且つ、共通中心からの半径が異なる略円形の複数の巻線と、(b)巻線幅が前記複数の巻線と略等しい少なくとも1つのさらなる巻線が、支柱を介して直列接続された構成を備え、前記複数の巻線は該巻線の全部の内縁と前記共通中心との間隔が略一定になっている態様を有するのに対し、前記少なくとも1つのさらなる巻線は該巻線の少なくとも一部の内縁と前記共通中心との間隔が略一定になっていない態様を有する高周波プラズマ励起コイルを前記チェンバもしくは複数のチェンバ内のイオン化可能なガスに結合させ、その間で前記第1と第2の周縁長を有するワークピースが前記チェンバもしくは複数のチェンバ内で処理され、その間では前記チェンバもしくは複数のチェンバが真空下におかれ、かつ前記ガスを処理プラズマへと励起するために前記コイルに高周波エネルギーが供給されるステップを含み、
前記第1の周縁長が第2の周縁長を超え、前記第1の周縁寸法が第2の周縁寸法よりも大きい
ことを特徴とするワークピース処理方法。 - 前記少なくとも1つのさらなる巻線は連続したアーチ形の3つの区画からなり、前記3つの区画のうちの2つの区画の内縁と前記共通中心との間隔が略同じであるのに対し、前記3つの区画のうちの1つの区画の内縁と前記共通中心との間隔が前記2つの区画の内縁と前記共通中心との間隔と異なっている
ことを特徴とする請求項1に記載のワークピース処理方法。 - 前記3つの区画は前記共通中心と同じ中心を有する円弧部からなり、前記1つの区画を構成する円弧部の半径は前記2つの区画を構成する円弧部の半径と異なっている
ことを特徴とする請求項2に記載のワークピース処理方法。 - 前記コイルの各々が、処理中に高周波励起電源に接続される一対の内側励起端子を含む
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のワークピース処理方法。 - 第1と第2のワークピースがそれぞれ300mmと200mmの直径を有し、300mmと200mmの直径のワークピース用の複数のコイルが、300mmよりも大きい外径を有する円の円周上にある外側エッジを備えた外側巻線を有する
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のワークピース処理方法。 - 300mm直径のワークピース用のコイルの円が約400mmの直径を有し、200mm直径のワークピース用のコイルの円が約330mmの直径を有する
ことを特徴とする請求項5に記載のワークピース処理方法。 - 300mm直径と200mm直径のワークピースの両方のためのコイルの巻線数が4回である
ことを特徴とする請求項5または6に記載のワークピース処理方法。 - 200mm直径のワークピースのためのコイルの前記少なくとも1つのさらなる巻線が2番目に大きい直径を有する
ことを特徴とする請求項5乃至7のいずれかに記載のワークピース処理方法。 - 300mm直径のワークピースのためのコイルが、コイルの他のいかなる巻線よりも中心点に近い非対称巻線を含む
ことを特徴とする請求項5乃至7のいずれかに記載のワークピース処理方法。 - 前記少なくとも1つのさらなる巻線は略円形を成していて、略円形を成す前記少なくとも1つのさらなる巻線の中心は前記共通中心から前記コイルの平面方向にシフトしている
ことを特徴とする請求項1に記載のワークピース処理方法。 - 異なる第1と第2の周縁長を有する円形のワークピースを処理する真空プラズマプロセッサであって、
前記ワークピースをプラズマで処理するための真空プラズマ処理チェンバもしくは同じ幾何学形状を有する複数の真空プラズマ処理チェンバと、
前記ワークピースのための前記チェンバ内のホルダと、
前記チェンバ内のガスをプラズマへと励起するための第1と第2の異なる周縁寸法を有する高周波プラズマ励起コイルと、
前記コイルを励起するために接続された高周波電源とを含み、
前記コイルが、(a)巻線幅が略等しく、且つ、共通中心からの半径が異なる略円形の複数の巻線と、(b)巻線幅が前記複数の巻線と略等しい少なくとも1つのさらなる巻線が、支柱を介して直列接続された構成を備え、前記複数の巻線は該巻線の全部の内縁と前記共通中心との間隔が略一定になっている態様を有するのに対し、前記少なくとも1つのさらなる巻線は該巻線の少なくとも一部の内縁と前記共通中心との間隔が略一定になっていない態様を有する
ことを特徴とする真空プラズマプロセッサ。 - 前記少なくとも1つのさらなる巻線は連続したアーチ形の3つの区画からなり、前記3つの区画のうちの2つの区画の内縁と前記共通中心との間隔が略同じであるのに対し、前記3つの区画のうちの1つの区画の内縁と前記共通中心との間隔が前記2つの区画の内縁と前記共通中心との間隔と異なっている
ことを特徴とする請求項11に記載の真空プラズマプロセッサ。 - 前記3つの区画は前記共通中心と同じ中心を有する円弧部からなり、前記1つの区画を構成する円弧部の半径は前記2つの区画を構成する円弧部の半径と異なっている
ことを特徴とする請求項12に記載の真空プラズマプロセッサ。 - 3回の前記複数の巻線と1回の前記少なくとも1つのさらなる巻線があり、前記少なくとも1つのさらなる巻線が最大半径と2番目に小さい半径を有する前記複数の巻線の間にあり、励起端子が最小半径を有する前記複数の巻線上にあり、中心点から次第に離れて行く巻線が互いに直接的につながり、最大半径と最小半径を有する前記複数の巻線が互いに直接的につながる
ことを特徴とする請求項11乃至13のいずれかに記載の真空プラズマプロセッサ。 - 前記少なくとも1つのさらなる巻線が、空間的には隣接して電気的には離れた前記少なくとも1つのさらなる巻線の第1と第2の端部間で連続であり、該第1と第2の端部のそれぞれが、前記少なくとも1つのさらなる巻線の内側と外側それぞれにおいて第1と第2の隣接巻線に接続される
ことを特徴とする請求項12に記載の真空プラズマプロセッサ。 - 前記少なくとも1つのさらなる巻線は略円形を成していて、略円形を成す前記少なくとも1つのさらなる巻線の中心は前記共通中心から前記コイルの平面方向にシフトしている
ことを特徴とする請求項11に記載の真空プラズマプロセッサ。 - 前記コイルが、4回の巻線しか持たず、前記コイルの3回の巻線が前記複数の巻線であり、前記コイルの1回の巻線だけが前記少なくとも1つのさらなる巻線であり、前記少なくとも1つのさらなる巻線が最大半径と2番目に小さい半径を有する前記複数の巻線の間にあり、励起端子が最小半径を有する巻線上にあり、中心点から次第に離れて行く巻線が互いに直接的につながり、最大半径と最小半径を有する巻線が互いに直接的につながる
ことを特徴とする請求項11乃至16のいずれかに記載の真空プラズマプロセッサ。 - 前記少なくとも1つのさらなる巻線が、前記共通中心と一致する中心を有するアーチ形の第1の部分と、当該第1の部分の第1の端部から直線状に延びる第2の部分と、当該第1の部分の第2の端部から直線状に延びる第3の部分とを含む
ことを特徴とする請求項11に記載の真空プラズマプロセッサ。 - 前記第1の部分が、第3と第4の端部をそれぞれ有する第1と第2の区画に分割され、第3と第4の端部が高周波電源に接続される
ことを特徴とする請求項18に記載の真空プラズマプロセッサ。 - 前記コイルが、第1と第2の前記少なくとも1つのさらなる巻線を含み、第1の前記少なくとも1つのさらなる巻線が、第2の前記少なくとも1つのさらなる巻線よりも前記共通中心の近くにあり、両方の前記少なくとも1つのさらなる巻線が請求項18に規定された形状を有し、両方の前記少なくとも1つのさらなる巻線の第1の部分および両方の前記少なくとも1つのさらなる巻線の第2の部分が互いに平行に延び、第1と第2の前記少なくとも1つのさらなる巻線が前記共通中心に最も近い
ことを特徴とする請求項19に記載の真空プラズマプロセッサ。
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