JP5536436B2 - 黒体放射光源及びその製造方法 - Google Patents
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Description
EBλ = C1/{λ5・(eC2/λT-1)} (1)
ここで、 C1 = 2πc0 2h
C2 = c0h/k
但し、 c0は真空中の光速度
hはプランク定数
kはボルツマン定数
である。つまり、
C1 = 3.74041×10-16Wm2
= 0.3216×10-15kcalm2/h
C2 = 1.43868×10-2mK
である。
ελ = αλ
= 1 - Rλ (2)
但し、 αλは波長λにおける吸収率、
Rλは波長λにおける反射率
RFパワー:100-1000W
圧力:133-13300Pa (1-100Torr)
水素流量:5-500sccm
エッチング時間:1-100分
601:不規則的周期のミクロン(サブミクロン)機械的凹凸構造加工ステップ
602:不規則的周期のミクロン(サブミクロン)レーザ照射凹凸構造加工ステップ
701:口金
702:セラミックヒータ
703、704:炭素系基板
705:封止ガラス
705a:カバー部
705b:窓部
Claims (9)
- 表面にナノオーダの第1の凹凸構造を形成した炭素系基板を黒体放射材料として具備し、
前記第1の凹凸構造は、該第1の凹凸構造のサイズより大きい不規則的周期の第2の凹凸構造上に形成されている黒体放射光源。 - 前記第2の凹凸構造のサイズがサブミクロンオーダ以上である請求項1に記載の黒体放射光源。
- 前記第2の凹凸構造が前記炭素系基板の表面に設けられた剣山構造である請求項1に記載の黒体放射光源。
- さらに、
前記炭素系基板を加熱するためのヒータと、
該炭素系基板及び前記ヒータを真空封止するための封止ガラスと
を具備する請求項1に記載の黒体放射光源。 - 黒体放射材料としての炭素系基板の表面をナノオーダの第1の凹凸構造に加工する第1の凹凸構造加工工程と、
前記第1の凹凸構造のサイズより大きい不規則的周期の第2の凹凸構造を前記炭素系基板の表面に加工する第2の凹凸構造加工工程と
を具備する黒体放射光源の製造方法。 - 前記第2の凹凸構造のサイズがサブミクロンオーダ以上である請求項5に記載の黒体放射光源の製造方法。
- 前記第1の凹凸構造加工工程がプラズマエッチング工程である請求項5に記載の黒体放射光源の製造方法。
- 前記第2の凹凸構造加工工程が、
前記不規則的周期のパターンを有するフォトレジスト層を形成するフォトリソグラフィ工程と、
該フォトレジスト層を用いて前記炭素系基板の表面に前記凹みを形成するエッチング工程と、
該凹みの形成後に前記フォトレジスト層を除去する工程と
を具備する請求項5に記載の黒体放射光源の製造方法。 - 前記第2の凹凸構造が前記炭素系基板の表面に設けられた剣山構造である請求項5に記載の黒体放射光源の製造方法。
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