JP5534229B2 - 薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜形成組成物 - Google Patents
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Description
第2観点として、前記成分(i)が、下記式(1)で表される繰り返し単位を含む化合物である、第1観点に記載の薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜形成組成物に関する。
第3観点として、前記成分(ii)が、下記式(2)乃至式(4)で表される化合物のうち少なくとも一種の化合物である、第1観点又は第2観点に記載の薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜形成組成物に関する。
第4観点として、前記成分(ii)が、下記式(5)乃至式(7)で表される化合物のうち少なくとも一種の化合物である、第1観点乃至第3観点に記載の薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜形成組成物に関する。
第5観点として、前記成分(ii)が、下記式(10)で表される化合物である、第1観点乃至第4観点に記載の薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜形成組成物に関する。
)
第7観点として、前記成分(i)100質量部に基づいて、10乃至100質量部の前記成分(ii)を含有する、第1観点乃至第6観点のうちのいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜形成組成物に関する。
第8観点として、第1観点乃至第7観点のうちのいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜形成組成物を用いて形成される、ゲート絶縁膜に関する。
第9観点として、第8観点に記載のゲート絶縁膜を有する、薄膜トランジスタに関する。
第10観点として、第1観点乃至第7観点のうちのいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜形成組成物を基板に塗布した後、180℃以下の温度で焼成する工程を含む、薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜の製造方法に関する。
第11観点として、
第1観点乃至第7観点のうちのいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜形成組成物を基板に塗布した後、180℃以下の温度で焼成し、薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜を得る工程、及び、
該ゲート絶縁膜上に薄膜トランジスタの半導体層を有機半導体の塗布により形成する工程
を含む、薄膜トランジスタの製造方法に関する。
また、本発明は、上記第1観点のうち、特に好ましい態様のものとして、
成分(i):トリアジントリオン環の窒素原子がヒドロキシアルキレン基を介して別のトリアジントリオン環の窒素原子に結合した構造を有する下記式(1)で表される繰り返し単位を含むオリゴマー化合物又はポリマー化合物と、
成分(ii):下記式(5)乃至式(7)で表される化合物のうち少なくとも一種である、1分子中に2個以上のブロックイソシアネート基を有する化合物とを含む、薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜形成組成物であって、
前記成分(i)100質量部に基づいて、10乃至100質量部の前記成分(ii)を含有する、組成物に関する。
立して、水素原子、メチル基又はエチル基を表す。nは2乃至500の整数を表す。)
機基を表す。)
特に本発明のゲート絶縁膜は、紫外線照射による上記絶縁性の劣化が大変小さく、耐光性に優れるという特徴を有し、また透明性にも優れる。
そして、本発明のゲート絶縁膜は、膜を構成する化合物がトリアジントリオン環を含むため、従来のアクリル骨格を主体として構成された絶縁膜などと比べて絶縁破壊耐圧が高く、ゲート絶縁膜に高電界を加える必要のある有機トランジスタ用ゲート絶縁膜としての信頼性が高い。
本発明の薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜形成組成物は、成分(i)としてトリアジントリオン環の窒素原子がヒドロキシアルキレン基を介して別のトリアジントリオン環の窒素原子に結合した構造を有する繰り返し単位を含むオリゴマー化合物又はポリマー化合物と、(ii)成分として1分子中に2個以上のブロックイソシアネート基を有する化合物とを含む。
本発明に用いる成分(i)は、トリアジントリオン環の窒素原子がヒドロキシアルキレン基を介して別のトリアジントリオン環の窒素原子に結合した構造を有する繰り返し単位を含むオリゴマー化合物又はポリマー化合物である。好ましくは下記式(1)で表される繰り返し単位を含む化合物である。
また、A1、A2及びA3は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基又はエチル基を表す。
さらにnは2乃至500の整数を表す。
前記炭素原子数3乃至6のアルケニル基としては、例えば、アリル基、2−ブテニル基、3−ブテニル基、及び2−ペンテニル基等が挙げられる。
前記炭素原子数6乃至10の芳香族環を含む1価の有機基としては、例えば、フェニル基、ベンジル基、及びナフチル基等が挙げられる。
上述より、上記式(1)で表される繰り返し単位においても、R1及びR2で表される置換基が紫外領域で透明性の高い置換基であることが好ましい。そのような置換基としては、アルキル基、アルケニル基、フルオロアルキル基やシクロヘキシル基などの脂環式基が最適である。また、透明性が損なわれない範囲においてフェニル基、ベンジル基、ナフチル基等の芳香族基を用いることも可能である。
また、式(8)で表される化合物と式(9)で表される化合物が複数種存在する場合、これら複数種の化合物をあらかじめ混合した状態で重縮合反応させても良く、また個別に順次重縮合反応させてもよい。
通常の重縮合反応同様、このモル比が1:1に近いほど生成する化合物の重合度は大きくなり、分子量が増加する。
前述の第4級アンモニウム塩又はホスホニウム塩等の反応触媒を用いる場合、反応させる化合物(すなわち、前記式(8)及び式(9)で表される化合物)の総質量に対して0.001乃至50質量%の範囲で用いることが好ましい。
本発明に用いる成分(ii)は、1分子中に2個以上のブロックイソシアネート基を有する化合物である。成分(ii)を用いることによって、本発明の有機トランジスタ用ゲート絶縁膜形成組成物は、上塗りする半導体材料、電極材料、第二層目のゲート絶縁膜、及び電極形成用下層膜とのインターミキシングを効果的に防止することができる。
なお、電極形成用下層膜とは、有機ポリマーからなる絶縁膜表面に紫外線を照射するなどの前処理を施すことによって、親疎水性の異なる2つ領域を予めパターニングし電極を形成するための膜である。
前記式中R3の具体例としては、下記式(C−1)乃至式(C−8)で表される1価の有機基が挙げられる。
Q2は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子又はメチル基、エチル基、及びプロピル基等の炭素原子数3以下の1価の置換基である。
また、Q3は炭素原子数8乃至18の分岐していても良いアルキル基である。
保護基(R3)のさらなる具体例としては、下記式(D−1)乃至式(D−15)で表される基などが挙げられる。特に好ましい保護基は下記式(D−7)、(D−11)、及び(D−14)である。
こうした観点から、特に前記成分(ii)の好ましい具体例としては、イソホロンジイソシアネートから誘導される下記式(5)乃至式(7)で表される化合物、及びヘキサメチレンジイソシアネートから誘導される下記式(11)及び式(12)で表される化合物から選ばれる化合物が挙げられる。下記式(7)で表される化合物は絶縁性、耐光性の観点から好ましい。
本発明の薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜形成組成物は、前記成分(i)及び成分(ii)、更に所望により後述するその他の添加剤を含有する。該組成物は、実際には溶媒に溶解した塗布液として用いられることが多い。なお、本発明において「組成物」とは溶媒に溶解した塗布液の状態をも含む。
その際、固形分は、例えば0.5乃至30質量%であり、又、例えば5乃至30質量%である。ここで言うところの固形分とは、薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜形成組成物から溶媒を除いた質量を意味する。
<界面活性剤>
本発明の薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜形成組成物には、ピンホールやストレーション等の発生を抑え、表面むらに対する塗布性をさらに向上させるために、界面活性剤を配合することができる。
界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類;ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類;ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類;ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類;ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤;エフトップEF301、EF303、EF352(三菱マテリアル電子化成(株)(旧(株)ジェムコ)製)、メガファックF171、F173(DIC(株)(旧大日本インキ化学工業(株))製)、フロラードFC430、FC431(住友スリーエム(株)製)、アサヒガードAG710、サーフロンS−382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106(旭硝子(株)製)等のフッ素系界面活性剤;オルガノシロキサンポリマーKP341(信越化学工業(株)製)等を挙げることができる。
これらの界面活性剤の配合量は、本発明の薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜形成組成物の総質量に対して、通常0.2質量%以下、好ましくは0.1質量%以下である。これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また2種以上の組合せで添加することもできる。
また、本発明の薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜形成組成物にあっては、該組成物と基板との密着性を向上させる目的で、本発明の効果を損なわない限りにおいてカップリング剤を更に含有することができる。前記カップリング剤としては、例えば、官能性シラン含有化合物やエポキシ基含有化合物等を挙げることができる。
具体的には、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、2−アミノプロピルトリメトキシシラン、2−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、3−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、3−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、N−エトキシカルボニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−エトキシカルボニル−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−トリメトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、N−トリエトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、10−トリメトキシシリル−1,4,7−トリアザデカン、10−トリエトキシシリル−1,4,7−トリアザデカン、9−トリメトキシシリル−3,6−ジアザノニルアセテート、9−トリエトキシシリル−3,6−ジアザノニルアセテート、N−ベンジル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−ベンジル−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−ビス(オキシエチレン)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−ビス(オキシエチレン)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン等の官能性シラン含有化合物;エチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、トリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリセリンジグリシジルエーテル、2,2−ジブロモネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、6−テトラグリシジル−2,4−ヘキサンジオール、N,N,N’,N’−テトラグリシジル−m−キシレンジアミン、1,3−ビス(N,N−ジグリシジルアミノメチル)シクロヘキサン、N,N,N’,N’−テトラグリシジル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン等のエポキシ基含有化合物を挙げることができる。
上記カップリング剤を使用する場合、その含有量は、本発明の薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜形成組成物100質量部に対して、0.1乃至30質量部で添加することが好ましく、より好ましくは1乃至20質量部である。
本発明の薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜形成組成物は、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンナフタレート、ポリイミドなどの汎用のプラスチック基板やガラス基板などの上に、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、インクジェット法、スプレー法、刷毛塗り法等によって塗布し、その後、ホットプレートまたはオーブン等で予備乾燥することにより、塗膜を形成することができる。
上記加熱処理の方法としては特に限定されるものではないが、適切な雰囲気下、即ち大気、窒素等の不活性ガス、真空中等で、ホットプレートやオーブンを用いて行う方法を例示することができる。
焼成温度は、塗膜中の残存溶媒を少なくするという観点から40℃以上が好ましく、より好ましくは150℃以上で実施される。また、プラスチック基板の耐熱性を考慮すると180℃以下で行うことがより望ましい。
焼成は2段階以上の温度変化をつけてもよい。段階的に焼成することで硬化膜の均一性をより高めることができる。
なお、一度の塗布・加熱処理により所望の厚さの硬化膜(ゲート絶縁膜)が得られない場合は、塗布・加熱処理の工程を所望の膜厚となるまで繰り返せばよい。
本発明の薄膜トランジスタは、前出の本発明のゲート絶縁膜を用いたものであればその構成は特に制限されない。一例として、図1乃至図4に本発明のゲート絶縁膜を用いた薄膜トランジスタの構成例を示す。
図1乃至図3の例では、本発明の薄膜トランジスタは、基板1上にゲート電極2が形成されており、ゲート電極2は、本発明のゲート絶縁膜3(又は3a、3b)で覆われている。
図1の例では、ゲート絶縁膜3の上にソース電極4とドレイン電極4とが設置されており、これらを覆うように半導体層5が形成されている。
一方、図2の例では、ゲート絶縁膜3の上に半導体層5が形成され、その上にソース電極4とドレイン電極4とが設置されている。
また、図3の例では、ゲート絶縁膜3aの上にゲート絶縁膜3bが形成され、この上にソース電極4とドレイン電極4が設置されている。半導体層5はこれらを覆うように形成されている。ここでゲート絶縁膜3bは、トランジスタの特性制御のため絶縁膜としての機能の他に、表面処理膜又はソース電極4とドレイン電極4の電極形成用下層膜としての機能も有する。
さらに図4の例では、基板1上に半導体層5が形成されており、この半導体層5と基板1の双方を覆うようにソース電極4とドレイン電極4が設置されている。そしてゲート絶縁膜3は半導体層5とソース電極4とドレイン電極4の上に形成され、その上にゲート電極2が設置された構成となっている。
これらの電極材料は1種類で用いてもよいが、薄膜トランジスタの電界効果移動、オン/オフ比の向上を目的として、若しくは閾値電圧の制御を目的として、複数の材料を組み合わせて用いてもよい。また、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極のそれぞれにおいて異なる電極材料を用いてもよい。
また、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、2−ピロリドン、N−メチル−2−ピロリドン、n−エチル−2−ピロリドン、n−ビニル−2−ピロリドン、N−メチルカプロラクム、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素などの極性溶媒も電極材料の溶解性に優れる観点から好ましいが、これらは、本発明のゲート絶縁膜へのダメージが少ない範囲において使用することが好ましい。
成膜の際、π共役ポリマーの溶媒としては、これらを溶解又は均一に分散させることができ、かつ本発明のゲート絶縁膜へのダメージ(インターミキシングなど)が少ないものであれば特に限定されず、キシレン、トリクロロベンゼン、トリメチルベンゼンなどを例示することができる。
本実施例において、重合し得られたP−1の分子量はGPC(常温ゲル浸透クロマトグラフィー)装置によって測定し、ポリスチレン換算値として数平均分子量と重量平均分子量を算出した。
GPC装置:JASCO社製 (JASCO−BORWIN Ver.1.50)
カラム:Shodex社製 (804、805の直列)
カラム温度:40℃
溶離液:テトラヒドロフラン
流速:1.0ml/分
検量線作成用標準サンプル:標準ポリスチレン(210,000、70,600、28,600、10,900、3,000、1,300)
GPC装置:(株)Shodex社製 (GPC−101)
カラム:Shodex社製 (KD803、KD805の直列)
カラム温度:50℃
溶離液:N,N−ジメチルホルムアミド(添加剤として、臭化リチウム−水和物(LiBr・H2O)が30mmol/L、リン酸・無水結晶(O−リン酸)が30mmol/L、テトラヒドロフラン(THF)が10ml/L)
流速:1.0ml/分
検量線作成用標準サンプル:標準ポリエチレンオキサイド(分子量 約900,000、150,000、100,000、30,000)、および、ポリマーラボラトリー社製 ポリエチレングリコール(分子量 約12,000、4,000、1,000)
膜厚は、カッターナイフで膜の一部を剥離し、その段差を全自動微細形状測定機(ET4000A、(株)小坂研究所社製)を用いて、測定力を13μN、掃引速度を0.05mm/秒として測定することにより求めた。
<合成例1:P−1>
モノアリルジグリシジルイソシアヌル酸90g、モノアリルイソシアヌル酸54.4g及びベンジルトリエチルアンモニウムクロリド3.66gをシクロヘキサノン222gに投入し、この混合物を125℃に加温し、同時に該混合物中に窒素を流しながら、4時間撹拌した。その後、得られた反応溶液をメタノール溶媒に滴下し、析出した沈殿物を濾過し、反応生成物P−1(白色粉末)を得た。
得られた反応生成物P−1のGPC分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量(Mw)は21,500であった。
なお、反応生成物P−1には、下記式(13)で表される構造単位を有する。
p−フェニレンジアミン4.86g、4−ヘキサデシルオキシ−1,3−ジアミノベンゼン1.74gをn−メチルピロリドン(以下、NMPと称す)122.5gに溶解させた後、3,4−ジカルボキシ−1,2,3,4−テトラヒドロ−1−ナフタレンコハク酸二無水物15.01gを加え、これを室温で10時間攪拌して重合反応を行った。得られたポリアミド酸の溶液をNMPで8重量%に希釈した。この溶液50gにイミド化触媒として無水酢酸10.8g、ピリジン5.0gを加え、50℃で3時間反応させポリイミド溶液を得た。この溶液を大量のメタノール中に投入し、得られた白色沈殿をろ別、乾燥し、白色のポリイミド粉末を得た。このポリイミド粉末は1H−NMRより90%イミド化されていることが確認された。
なお、得られたポリイミドの数平均分子量(Mn)と重量平均分子量(Mw)はそれぞれMn=18,000、Mw=54,000であった。
合成例1で得られたP−1(白色粉末)20gをγ−ブチロラクトン(以下、GBLと称す)107g、シクロヘキサノン47g、及びプロピレングリコールモノメチルエーテル(以下、PGMEと称す)19gの混合溶媒に溶解した後、前記式(10)で表されるブロック化イソシアネート8g、界面活性剤R−30 0.84gを添加し、固形分14wt%の組成物Aを得た。
合成例1で得られたP−1(白色粉末)10gをGBL75gとジプロピレングリコールモノブチルエーテル(以下、DPMと称す)15gの混合溶媒に溶解し組成物Bを得た。
比較合成例1で得られたP−2(白色粉末)10gをGBL75gとDPM15gの混合溶媒に溶解し組成物Cを得た。
<実施例2:組成物Aを用いた膜の耐溶剤性>
ITO付きガラス基板(2.5cm角、厚み0.7mm)に、実施例1で調製した組成物Aを0.2μm孔フィルタを付けたシリンジで滴下し、スピンコート法により塗布した。その後大気中で、80℃のホットプレートで5分間加熱処理し、有機溶媒を揮発させた。次いで180℃のホットプレートで30分間焼成し、膜厚約400nmのゲート絶縁膜を得た。
次に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(以下、PGMEAと称す)、PGME、アセトンのそれぞれの溶剤に膜付きのガラス基板ごとに1分間浸漬し、その後、膜付きのガラス基板を150℃のホットプレート上で1分間加熱する事で乾燥させた。浸漬前後の膜厚(残膜率)を測定し、耐溶剤性を評価したところ、組成物Aからなる膜はいずれの溶剤に対しても残膜率が99%以上であり、すぐれた耐溶剤性を示した。
実施例2と同様の手順で組成物Bからなるゲート絶縁膜を得た。その後、実施例2と同様の手順で耐溶剤性を評価した。組成物Bからなる膜はPGMEA、PGME、アセトン全ての溶媒に溶解した。すなわち組成物Bからなるゲート絶縁膜は、有機トランジスタの製造プロセスに耐えられない事が示された。
<実施例3:組成物Aを用いた絶縁膜特性>
ITO付きガラス基板(2.5cm角、厚み0.7mm)に、実施例1で調製した組成物Aを0.2μm孔フィルタを付けたシリンジで滴下し、スピンコート法により塗布した。その後大気中で、80℃のホットプレートで5分間加熱処理し、有機溶媒を揮発させた。次いで180℃のホットプレートで30分間焼成し、膜厚約400nmのゲート絶縁膜を得た。
実施例3と同様の手順を用いて組成物Aからなるゲート絶縁膜を得た。次に、高圧水銀ランプを光源として波長254nm付近の光を通すバンドパスフィルタを介してゲート絶縁膜に紫外線を10J/cm2照射した。
なお、ゲート絶縁膜上の露光量の算出にあたり、紫外線の照度を照度計(OAI社製、MODEL306)に波長253.7nmにピーク感度を持つDeep UV用のプローブを装着し測定し、得られた照度は45〜50mW/cm2であった。
実施例3と同様の手順を用いて組成物Cからなるゲート絶縁膜の絶縁性を評価した。その結果を表1に示す。組成物Cからなる絶縁膜の比抵抗は8×1015Ωcmであり、このゲート絶縁膜の比誘電率は3.3であった。
実施例4と同様の手順を用いて組成物Cからなるゲート絶縁膜の耐光性を評価した。その結果を表1に示す。組成物Cからなる絶縁膜は紫外線照射によって1×1015Ωcmまで抵抗値が低下し、耐光性が低いとする結果が示された。
<実施例5>
ITO付きガラス基板(2.5cm角、厚み0.7mm)に、実施例1で調製した組成物Aを0.2μm孔フィルタを付けたシリンジで5分間加熱処理(予備乾燥)し、有機溶媒を揮発させた。次いで180℃のホットプレートで30分間焼成し、膜厚約400nmのゲート絶縁膜を得た。
このゲート絶縁膜の静電容量Cは7.7×10−9(F/cm2)であった。
まず、ポリ(3−ヘキシル)チオフェン(以下、P3HTと称す)を2質量%の濃度でm−キシレンに溶解し、P3HTの塗布溶液を調製し、窒素雰囲気下、該塗布液を前述のゲート絶縁膜上にスピンコート法により塗布した。その後、溶媒を完全に揮発させるため、真空状態で105℃、60分間加熱処理し、半導体層とした。
また、このときの電極の真空蒸着時の条件は、室温、真空度1×10−3Pa以下、金の蒸着速度0.1nm/秒以下とした。
詳細には、ソース・ドレイン電圧(VD)を−40Vとして、ゲート電圧(VG)を+30Vから−40Vまで、2Vステップで変化させ、電流が十分安定するまで1秒間電圧を保持した後の値をドレイン電流の測定値として記録した。なお、測定には、半導体パラメータアナライザー HP4156C(アジレント・テクノロジー(株)製)を用いた。
ID=WCμ(VG−VT)2/2L
すなわち、組成物Aから得られたゲート絶縁膜は有機トランジスタ用ゲート絶縁膜として適用可能であることが示された。
2 :ゲート電極
3(3a、3b) :ゲート絶縁膜
4 :ソース電極、ドレイン電極
5 :半導体層
Claims (7)
- 成分(i):トリアジントリオン環の窒素原子がヒドロキシアルキレン基を介して別のトリアジントリオン環の窒素原子に結合した構造を有する下記式(1)で表される繰り返し単位を含むオリゴマー化合物又はポリマー化合物と、
成分(ii):下記式(5)乃至式(7)で表される化合物のうち少なくとも一種である、1分子中に2個以上のブロックイソシアネート基を有する化合物とを含む、薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜形成組成物であって、
前記成分(i)100質量部に基づいて、10乃至100質量部の前記成分(ii)を含有する、組成物。
立して、水素原子、メチル基又はエチル基を表す。nは2乃至500の整数を表す。)
機基を表す。) - 請求項1乃至請求項3のうちのいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜
形成組成物を用いて形成される、ゲート絶縁膜。 - 請求項4に記載のゲート絶縁膜を有する、薄膜トランジスタ。
- 請求項1乃至請求項3のうちのいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜形成組成物を基板に塗布した後、180℃以下の温度で焼成する工程を含む、薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜の製造方法。
- 請求項1乃至請求項3のうちのいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜形成組成物を基板に塗布した後、180℃以下の温度で焼成し、薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜を得る工程、及び、
該ゲート絶縁膜上に薄膜トランジスタの半導体層を有機半導体の塗布により形成する工程
を含む、薄膜トランジスタの製造方法。
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