JP5529416B2 - 有機半導体薄膜及び有機半導体素子 - Google Patents
有機半導体薄膜及び有機半導体素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5529416B2 JP5529416B2 JP2009012017A JP2009012017A JP5529416B2 JP 5529416 B2 JP5529416 B2 JP 5529416B2 JP 2009012017 A JP2009012017 A JP 2009012017A JP 2009012017 A JP2009012017 A JP 2009012017A JP 5529416 B2 JP5529416 B2 JP 5529416B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- thin film
- organic semiconductor
- polyacene
- polyacene compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
有機半導体材料としては、ポリフェニレンビニレン,ポリピロール,ポリチオフェン等の共役系高分子化合物やそのオリゴマーとともに、アントラセン,テトラセン,ペンタセン等のポリアセン化合物を中心とする芳香族化合物が研究されている。特に、ポリアセン化合物は分子間凝集力が強いため高い結晶性を有していて、これによって高いキャリア移動度と、それによる優れた半導体デバイス特性とを発現することが報告されている。
また、蒸着法以外の方法でポリアセン化合物の薄膜を形成する方法として、ポリアセン化合物の一種であるペンタセンの前駆体の溶液を基板上に塗布し、加熱処理してペンタセン薄膜を形成する方法が報告されている(非特許文献4を参照)。この方法は、ポリアセン化合物は溶媒に対する溶解性が低いため、溶解性の高い前駆体の溶液を用いて薄膜を形成し、熱により前駆体をポリアセン化合物に変換するというものである。
そこで、本発明は、前述のような従来技術が有する問題点を解決し、高い移動度を有する有機半導体薄膜、及び、電子特性の優れた有機半導体素子を提供することを課題とする。さらに、有機半導体薄膜の成膜性に優れた溶液及びインクを提供することを併せて課題とする。
さらに、本発明に係るポリアセン化合物は、上記ポリアセン化合物において、R1,R4,R5,R6,R7,R8が水素原子であり、R2,R3の少なくとも一つが前記ケイ素含有基であってもよい。
さらに、本発明に係るポリアセン化合物は、上記ポリアセン化合物において、B1,B2,B3のうち少なくとも一つがアルキル基であってもよい。
さらに、本発明に係るポリアセン化合物は、上記ポリアセン化合物において、mが1であってもよい。
さらに、本発明に係るインクは、上記ポリアセン化合物を含有することを特徴とする。 さらに、本発明に係る有機半導体薄膜は、上記ポリアセン化合物で構成され、結晶性を有することを特徴とする。
さらに、本発明に係る有機半導体素子は、上記有機半導体薄膜で少なくとも一部を構成したことを特徴とする。
本発明のポリアセン化合物は、細長い形状のポリアセン骨格の長軸方向両端のアセン環(ベンゼン環)のうち一方又は両方に前記ケイ素含有基(シリル基を有する官能基)を備える構造である。本発明者らは、ポリアセン化合物の長軸方向端部のアセン環に官能基を導入することによって、有機溶剤に対する溶解性が向上し、その官能基のシリル基が活性で反応しやすい水素原子を備えないようにすることによって、安定性が向上すると考え、前記化学式(I)で表されるような構造を有する新規なポリアセン化合物を見出すに至った。
化学式(II)中のAは、単結合、アルキレン基(例えばメチレン基)、アルケニレン基、アルキニレン基、二官能性の芳香族炭化水素基(例えばフェニレン基)、カルボニル基(C=O)、又はエーテル基(−O−)である。
前記ケイ素含有基が、活性で反応しやすい水素原子を備えるシリル基を有していないので、本発明のポリアセン化合物は安定性が優れている。
アルコキシ基の例としては、メトキシ基,エトキシ基,2−メトキシエトキシ基,t−ブトキシ基があげられる。また、アリールオキシ基の例としては、フェノキシ基,ナフトキシ基,フェニルフェノキシ基,4−メチルフェノキシ基があげられる。
ポリアセン骨格の長軸方向両端のアセン環のうち一方又は両方に前記ケイ素含有基を有する本発明のペンタセン化合物は、分子同士のスタッキング時に前記ケイ素含有基が障害(立体障害)となる場合があるため、分子間の共役面の重なりが阻害されることがある。したがって、前記ケイ素含有基の数は少ない方が好ましい。
なお、複数のXのうち偶数個がハロゲン基であり、これらのうち2個のハロゲン基が同一のアセン環に結合しているポリアセン化合物は、同一アセン環内にカルボニル基を2つ有するポリアセンキノン(ポリアセン化合物を合成する場合の前駆体となる)の合成が容易であること、及び、分子同士がスタッキングする際にハロゲン基同士の立体障害が少ないという点から好ましい。
また、ポリアセン骨格の縮環数に関しては、前述の化学式(I)中のmが2又は3であることが好ましい。一般に、縮環数が増えていくと有機溶剤への溶解性は低下し、酸素への反応性が向上する(つまり、耐酸化性が低下する)。一方で、縮環数が増加するに従い、HOMO−LUMOギャップが減少することから高い移動度の発現が見込まれる。これら溶解性,安定性,及び半導体特性を勘案すると、mが2(すなわち縮環数が5)のペンタセンと、mが3(すなわち縮環数が6)のヘキサセンが好ましい。また、有機溶剤への溶解性及び酸素に対する高い安定性から、mが1(すなわち縮環数が4)のテトラセンも好ましい。
(1)ヒドロキシポリアセン誘導体のヒドロキシル基をハロゲン基に変換する方法
(2)ポリアセンキノン誘導体のカルボニル基を還元して、直接的にポリアセン化合物に変換する方法
この(1)の方法で得られるハロゲン置換ポリアセン化合物は、ポリアセン化合物に対応する化学構造を有するポリアセンキノン化合物を原料として、2段階で合成することができる。なお、ポリアセンキノン化合物は、ポリアセン化合物に対応する化学構造を有しているので、六員環の数や備えている官能基の種類、数、置換位置はポリアセン化合物と同一であるが、ポリアセンキノン化合物はカルボニル基を有しているから、環構造はポリアセン構造となっていない。
本発明のポリアセン化合物は、上記のような方法で合成した後に、昇華,再結晶,カラム精製等の通常の精製法により精製し、高純度化することができる。
また、本発明のポリアセン化合物は、無置換のポリアセン化合物と同様に斜方晶系構造又は立方晶系構造を示す。ここで、結晶の格子定数a,b,cが決定でき、このc軸格子定数は細長い分子の分子長が配列した格子ユニット長さに対応し、a軸及びb軸格子定数は分子の共役面がスタックした分子カラム面内の格子ユニットの大きさに対応する。
本発明の有機半導体薄膜の形成方法としては、公知の方法を採用することが可能であり、ウェットプロセスで形成することも可能である。従来公知の無置換ポリアセン化合物は一般の溶媒に室温では難溶であり、溶液化と溶液の塗布による薄膜形成とが困難であったが、本発明のポリアセン化合物は、官能基の導入により溶媒に対する溶解性が無置換ポリアセン化合物と比べて同等又は高いので、溶液化と溶液の塗布による薄膜形成とが可能である。
このような操作は、通常の大気下又は窒素,アルゴン等の不活性ガス雰囲気下で行うことができる。ただし、一部のポリアセン化合物の溶液は酸化されやすい場合もあるため、溶液の作製,保存及び有機半導体薄膜の作製は、不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
本発明で用いるポリアセン化合物は昇華性を示すので、前述の方法で薄膜を形成することが可能である。MBE法,真空蒸着法,及び気相輸送成長法は、ポリアセン化合物を加熱して昇華した蒸気を、高真空,真空,低真空又は常圧で基板表面に輸送して薄膜を形成するものである。
また、本発明のポリアセン化合物は、薄膜成長速度が高い場合でも結晶性の良好な薄膜を形成しやすく、高速成膜が可能である。成長速度は、0.1nm/min以上1μm/sec以下の範囲とすることが好ましい。0.1nm/min未満では結晶性が低下しやすく、1μm/secを超えると薄膜の表面平滑性が低下する。
前述したように、本発明のポリアセン化合物は、結晶性及び半導体特性に優れた薄膜を形成することができる。また、本発明の有機半導体薄膜においては、ポリアセン化合物は、分子の長軸がベース面に対して垂直方向に配向している。これは、ポリアセン化合物の分子の分子凝集力が強く、分子面同士でスタックした分子カラムを形成しやすいためであると考えられる。したがって、有機半導体薄膜のX線回折パターンは、結晶の(00n)面強度が強く現れやすい。この面間距離は、結晶のc軸格子定数にあたる。
例えば、ガラス,石英,酸化アルミニウム,サファイア,チッ化珪素,炭化珪素等のセラミックや、シリコン,ゲルマニウム,ガリウム砒素,ガリウム燐,ガリウム窒素等の半導体があげられる。また、ポリエステル(ポリエチレンテレフタレート,ポリエチレンナフタレート等),ポリエチレン,ポリプロピレン,ポリビニルアルコール,エチレンビニルアルコール共重合体,環状ポリオレフィン,ポリイミド,ポリアミド,ポリスチレン,ポリカーボネート,ポリエーテルスルフォン,ポリスルフォン,ポリメチルメタクリレート等の樹脂や、紙、不織布などがあげられる。
本発明の有機半導体薄膜はキャリア移動度が高いことが特徴であり、1×10-4cm2 /V・s以上であることが好ましい。より好ましくは1×10-3cm2 /V・s以上であり、最も好ましくは1×10-2cm2 /V・s以上である。
トランジスタ及び薄膜トランジスタは、液晶ディスプレイ,分散型液晶ディスプレイ,電気泳動型ディスプレイ,粒子回転型表示素子,エレクトロクロミックディスプレイ,有機発光ディスプレイ,電子ペーパー等の種々の表示素子に利用可能であり、これらの表示素子を用いて様々なディスプレイ装置を製造することができる。トランジスタ及び薄膜トランジスタは、これらの表示素子において表示画素のスイッチング用トランジスタ,信号ドライバ回路素子,メモリ回路素子,信号処理回路素子等に利用される。
半導体素子における有機半導体薄膜内部又は有機半導体薄膜表面と電極との接合面の少なくとも一部は、ショットキー接合及び/又はトンネル接合とすることができる。このような接合構造を有する半導体素子は、単純な構成によりダイオードやトランジスタを作製することができるので好ましい。さらに、このような接合構造を有する有機半導体素子を複数接合して、インバータ,オシレータ,メモリ,センサ等の素子を形成することもできる。
また、本発明の有機半導体素子は、ICカード,スマートカード,及び電子タグにおける演算素子,記憶素子としても利用することができる。その場合、これらが接触型であっても非接触型であっても、問題なく適用可能である。このICカード,スマートカード,及び電子タグは、メモリ,パルスジェネレータ,信号分割器,コントローラ,キャパシタ等で構成されており、さらにアンテナ,バッテリを備えていてもよい。
〔実施例1:2−(ジメチルペンチルシリル)ペンタセン〕
〔ポリアセン化合物の合成について〕
2−(ジメチルペンチルシリル)−1,3−ブタジエンとアセチレンジカルボン酸ジメチルとのディールス−アルダー反応により合成した化合物を、2,3−ジクロロ−5,6−ジシアノ−p−ベンゾキノン(DDQ)で酸化して、4−(ジメチルペンチルシリル)フタル酸ジメチルとした。これを還元した後にSwern酸化して、4−(ジメチルペンチルシリル)フタルアルデヒドを得た。次に、このフタルアルデヒド誘導体と1,4−ジヒドロキシアントラセンとを等モル量用いて縮合環化して、2−(ジメチルペンチルシリル)ペンタセン−6,13−キノンを合成した。
1H−NMR(ppm):δ0.41(s、6H)、0.91(m、6H)、1.34〜1.40(m、5H)、7.34(s、2H)、7.43(d、1H)、7.90(d、1H)、7.95(s、2H)、8.11(s、1H)、8.63(s、4H)、8.67(s、3H)、8.97(s、2H)
また、2−(ジメチルペンチルシリル)ペンタセンについて、質量分析を行った。結果は以下の通りである。
計算値:m/z=406
〔有機半導体薄膜の作製について〕
前述のようにして合成した2−(ジメチルペンチルシリル)ペンタセン10mgにテトラリン10mlを混合し、室温で溶液を調整した。表面が熱酸化され厚さ200nmのSiO2 膜が形成されたシリコン基板に、ヘキサメチルジシラザンをスピンコートしたものを用意し、その表面に前記テトラリン溶液を滴下して塗布した。そして、溶媒を気化させて、シリコン基板上に平均膜厚150nmの薄膜を形成した。
〔薄膜トランジスタの作製について〕
前述と同様の厚さ200nmの熱酸化膜を表面に備えたシリコン基板の表面に、金/チタン薄膜(厚さは、金が22nm、チタンが3nm)をフォトリソグラフィーによってパターン形成して、ソース・ドレイン電極を形成した。なお、ソース・ドレイン電極のチャネル長は20μmで、チャネル幅は500μmである。
該トランジスタのシリコン基板をゲート電極として、ソース・ドレイン電極間のドレイン電流/ゲート電圧曲線を測定した。その際には、ゲート電極に40V〜−60Vの電圧を走査し、ドレイン電圧を−20Vとしてドレイン電流の変化を観測した。得られた伝達特性はp型半導体動作を示し、飽和領域で求めたキャリア移動度は0.16cm2 /Vsで、閾値電圧は−1.3Vであった。
Claims (5)
- B1 ,B2 ,B3 のうち少なくとも一つがアルキル基であることを特徴とする請求項1に記載の有機半導体薄膜。
- 基板上に形成された結晶性の有機半導体薄膜であって、前記ポリアセン化合物の分子の長軸が前記基板の表面に対して垂直方向に配向していることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の有機半導体薄膜。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載の有機半導体薄膜で少なくとも一部を構成したことを特徴とする有機半導体素子。
- ゲート電極,誘電体層,ソース電極,ドレイン電極,及び半導体層を備えるトランジスタにおいて、前記半導体層を請求項1〜3のいずれか一項に記載の有機半導体薄膜で構成したことを特徴とするトランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009012017A JP5529416B2 (ja) | 2009-01-22 | 2009-01-22 | 有機半導体薄膜及び有機半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009012017A JP5529416B2 (ja) | 2009-01-22 | 2009-01-22 | 有機半導体薄膜及び有機半導体素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010168305A JP2010168305A (ja) | 2010-08-05 |
JP5529416B2 true JP5529416B2 (ja) | 2014-06-25 |
Family
ID=42700793
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009012017A Expired - Fee Related JP5529416B2 (ja) | 2009-01-22 | 2009-01-22 | 有機半導体薄膜及び有機半導体素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5529416B2 (ja) |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0344111A3 (de) * | 1988-05-27 | 1990-04-04 | Ciba-Geigy Ag | Substituierte Tetrathio- und Tetraselenotetracene |
CN100334263C (zh) * | 2001-08-09 | 2007-08-29 | 旭化成株式会社 | 有机半导体元件 |
EP1808866A1 (en) * | 2003-11-28 | 2007-07-18 | Merck Patent GmbH | Organic semiconducting layer formulations comprising polyacenes and organic binder polymers |
JP2005263721A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Sharp Corp | 多環式縮合芳香族炭化水素骨格含有有機シラン化合物及びその製造方法 |
US7655809B2 (en) * | 2004-05-18 | 2010-02-02 | University Of Ottawa | Compounds comprising a linear series of five fused carbon rings, and preparation thereof |
JP4065874B2 (ja) * | 2004-12-22 | 2008-03-26 | シャープ株式会社 | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
CA2547799A1 (en) * | 2005-05-27 | 2006-11-27 | University Of Ottawa | Compounds comprising a linear series of five fused carbon rings, and preparation thereof |
JP2007145984A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Sharp Corp | シロキサン系分子膜、その製造方法及びその膜を用いた有機デバイス |
JP2007197347A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Sharp Corp | 有機シラン化合物の製造方法 |
JP5028610B2 (ja) * | 2006-04-07 | 2012-09-19 | ダイトーケミックス株式会社 | 新規なアセン系有機シリル化合物およびその製造方法 |
-
2009
- 2009-01-22 JP JP2009012017A patent/JP5529416B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010168305A (ja) | 2010-08-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4820287B2 (ja) | ポリアセン化合物及び有機半導体薄膜 | |
JP4481028B2 (ja) | 有機半導体薄膜の製造方法 | |
KR20060136434A (ko) | 폴리아센 화합물 및 유기 반도체 박막 | |
JP5921554B2 (ja) | ジケトピロロピロール系の半導体 | |
JP6170488B2 (ja) | 新規縮合多環芳香族化合物及びその用途 | |
JP4783282B2 (ja) | 縮合多環芳香族化合物薄膜及び縮合多環芳香族化合物薄膜の製造方法 | |
JP2005232136A (ja) | ポリアセン化合物前駆体及びポリアセン化合物の合成方法 | |
JP5291303B2 (ja) | ポリアセン化合物及び有機半導体薄膜 | |
JP2008226959A (ja) | 有機電界効果トランジスタの製造方法、及び、有機電界効果トランジスタ | |
JP2009105336A (ja) | 膜の製造方法、有機電子素子の製造方法及びナフタロシアニン膜 | |
JP2006335719A (ja) | ポリアセン化合物及びその製造方法並びに有機半導体素子 | |
JP5529416B2 (ja) | 有機半導体薄膜及び有機半導体素子 | |
Hunziker et al. | Highly ordered thin films of a bis (dithienothiophene) derivative | |
JP2006335720A (ja) | ポリアセン化合物の製造方法及び有機半導体素子 | |
JP5291321B2 (ja) | 有機半導体薄膜及び有機半導体素子 | |
JP6497560B2 (ja) | 新規縮合多環芳香族化合物及びその用途 | |
JP2007055939A (ja) | ポリアセン化合物及びその製造方法並びに有機半導体素子 | |
JP2004158719A (ja) | アセン化合物誘導体薄膜の製造方法 | |
JP5458267B2 (ja) | ヘキサメチレンテトラチアフルバレン化合物、有機半導体および有機薄膜トランジスタ | |
Chang et al. | High-mobility and solution-processable organic field-effect transistors based on carbazole-dihexylquaterthiophenes with controllable morphology | |
JP2005268450A (ja) | 有機半導体薄膜及びその製造方法並びに有機半導体素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120120 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130924 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140107 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140306 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140325 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140417 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5529416 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |