JP5527502B2 - 温超純水供給ユースポイント配管の立ち上げ洗浄方法 - Google Patents
温超純水供給ユースポイント配管の立ち上げ洗浄方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5527502B2 JP5527502B2 JP2008298635A JP2008298635A JP5527502B2 JP 5527502 B2 JP5527502 B2 JP 5527502B2 JP 2008298635 A JP2008298635 A JP 2008298635A JP 2008298635 A JP2008298635 A JP 2008298635A JP 5527502 B2 JP5527502 B2 JP 5527502B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ultrapure water
- water
- use point
- cleaning
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 title claims description 95
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 title claims description 94
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 29
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 claims description 18
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 claims description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 17
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 22
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 3
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical group O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
図1に示すようなシステム構成の温超純水製造装置を用いて、フィルタ装置(UF)8の出口温度約75℃の温超純水を製造し、戻り超純水(ラインL4)及び送り温超純水(フィルタ装置(UF)8の出口)の各種金属、カチオン、アニオン及びシリカの濃度を測定した。
結果を表1に示す。
長さ100cmのPVDF配管(内径25mmΦ、外径31mmΦ)を0.3m3の20℃及び80℃の超純水にそれぞれ浸漬して、1日、2〜7日間、8〜30日間のPVD配管からの各種イオン等の溶出濃度を測定するとともに溶出速度を算出した。
結果を表2に示す。
図1に示すようなシステム構成の温超純水製造装置において、超純水加熱装置7による温超純水の温度を80℃として立上洗浄を7日及び14日行った際の戻り温超純水におけるフッ素濃度及び比抵抗値を測定した(実施例1)。
結果を表3に示す。
結果を表3にあわせて示す。
9…ユースポイント
L3…ライン(ユースポイント配管)
W2…温超純水
Claims (2)
- 超純水を加温して温超純水としてユースポイントへ供給する温超純水製造装置のPVDFからなるユースポイント配管の立ち上げ時の洗浄方法であって、
前記温超純水製造装置において超純水を加温する加熱装置が前記ユースポイント配管の直前に配置されており、
ユースポイントへ供給する温超純水の水温が75℃以下であるときに、80℃以上の水温で前記ユースポイント配管の洗浄を行うことを特徴とする温超純水供給ユースポイント配管の立上洗浄方法。 - 前記立上洗浄を2週間以上行うことを特徴とする請求項1に記載の温超純水供給ユースポイント配管の立上洗浄方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008298635A JP5527502B2 (ja) | 2008-11-21 | 2008-11-21 | 温超純水供給ユースポイント配管の立ち上げ洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008298635A JP5527502B2 (ja) | 2008-11-21 | 2008-11-21 | 温超純水供給ユースポイント配管の立ち上げ洗浄方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010123897A JP2010123897A (ja) | 2010-06-03 |
JP5527502B2 true JP5527502B2 (ja) | 2014-06-18 |
Family
ID=42324948
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008298635A Active JP5527502B2 (ja) | 2008-11-21 | 2008-11-21 | 温超純水供給ユースポイント配管の立ち上げ洗浄方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5527502B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018020272A (ja) * | 2016-08-02 | 2018-02-08 | オルガノ株式会社 | 超純水製造装置および超純水製造方法 |
KR102328783B1 (ko) * | 2020-06-02 | 2021-11-22 | 주식회사 케이씨 | 케미컬 공급장치의 커플러 세정 장치 및 방법 |
JP7033691B1 (ja) | 2021-10-29 | 2022-03-10 | 野村マイクロ・サイエンス株式会社 | 温超純水製造システムの立ち上げ方法、立ち上げプログラム、及び温超純水製造システム |
JP7365479B1 (ja) | 2022-10-07 | 2023-10-19 | 野村マイクロ・サイエンス株式会社 | 製薬用水製造システムの滅菌方法及び製薬用水製造システム |
KR20240049186A (ko) | 2022-10-07 | 2024-04-16 | 노무라마이크로사이엔스가부시키가이샤 | 제약용수 제조 시스템, 제약용수 제조 시스템 운전 방법 |
JP2024055481A (ja) | 2022-10-07 | 2024-04-18 | 野村マイクロ・サイエンス株式会社 | 製薬用水製造システムの滅菌方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3231170B2 (ja) * | 1994-01-06 | 2001-11-19 | オルガノ株式会社 | 超純水製造装置の洗浄方法 |
JP3620577B2 (ja) * | 1999-05-14 | 2005-02-16 | 栗田工業株式会社 | 超純水製造システムの洗浄方法 |
-
2008
- 2008-11-21 JP JP2008298635A patent/JP5527502B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010123897A (ja) | 2010-06-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5527502B2 (ja) | 温超純水供給ユースポイント配管の立ち上げ洗浄方法 | |
TW418357B (en) | Chemical generator with controlled mixing and concentration feedback and adjustment | |
TWI801568B (zh) | 加熱臭氧水之製造方法、加熱臭氧水及半導體晶圓洗淨液 | |
JP4480061B2 (ja) | 超純水製造装置及び該装置における超純水製造供給システムの洗浄方法 | |
TW201501195A (zh) | 用以提供加熱的蝕刻溶液之處理系統及方法 | |
TW201520175A (zh) | 超純水製造系統、超純水製造供給系統及其洗淨方法 | |
TWI753014B (zh) | 稀釋藥液的製造裝置 | |
JP2009260020A (ja) | 電子材料用洗浄水、電子材料の洗浄方法及びガス溶解水の供給システム | |
JP2006066727A (ja) | 半導体製造装置及び薬液交換方法 | |
JP2010017633A (ja) | 水素溶解水の製造装置及びこれを用いた製造方法ならびに電子部品又は電子部品の製造器具用の洗浄装置 | |
KR20190005843A (ko) | 초순수 제조 장치의 기동 방법 | |
JP6427378B2 (ja) | アンモニア溶解水供給システム、アンモニア溶解水供給方法、およびイオン交換装置 | |
JP2013111537A (ja) | 設備洗浄方法及び装置 | |
WO2000017108A1 (fr) | Appareil de production d'eau ultrapure a haute temperature et appareil de preparation d'un medicament liquide equipe de l'appareil de production | |
JP2009189905A (ja) | 熱回収型洗浄装置 | |
KR102689736B1 (ko) | 초순수 제조 시스템의 세정 방법 | |
JP2000290693A (ja) | 電子部品部材類の洗浄方法 | |
JP2010135810A (ja) | 水溶液のpH及び酸化還元電位の制御方法及びその装置 | |
JP2000317413A (ja) | 超純水製造システムの洗浄方法 | |
WO2020250495A1 (ja) | pH調整水製造装置 | |
JP6206173B2 (ja) | 半導体ウェーハの洗浄方法 | |
US9875915B2 (en) | Method for removing metal contamination and apparatus for removing metal contamination | |
JP7480594B2 (ja) | 電子部品部材洗浄水の製造装置 | |
JP7099603B1 (ja) | 半導体製造用液体供給装置 | |
TWI793049B (zh) | 溫超純水製造系統之初始方法、初始程式及溫超純水製造系統 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111018 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130109 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130308 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130911 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140319 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140401 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5527502 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |