JP5523787B2 - Wafer defect detection system with moving lens multi-beam scanner - Google Patents

Wafer defect detection system with moving lens multi-beam scanner Download PDF

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Description

[01]本発明は、分析下にあるウェハを照明し、反射光または透過光の分析によって欠陥を特定するために走査レーザビームを使用するウェハ欠陥検出システムに関する。特に、本発明は、検査下にあるウェハ、レチクル、マスクなどのサンプルを同時に照明し、同時に検出された対応する反射または透過ビームを生成する複数のビームを用いたスキャナシステムに関する。   [01] The present invention relates to a wafer defect detection system that illuminates a wafer under analysis and uses a scanned laser beam to identify defects by analysis of reflected or transmitted light. In particular, the present invention relates to a scanner system using multiple beams that simultaneously illuminate a sample, such as a wafer, reticle, mask, etc., under inspection, and generate corresponding reflected or transmitted beams detected simultaneously.

[02]半導体製造プロセスにおける品質保証プロセスの一環として、ウェハ表面上の欠陥、粒子、および/またはパターンを検出するために、半導体ウェハを自動的に検査するためのさまざまなシステムが使用されている。サブミクロンの半導体製造プロセスにおいて要求される信頼性と精度を与えるために、高解像度および高コントラスト撮像を有することが、現行の検査システムの目標である。しかしながら、ウェハ生産の過程で、品質保証プロセスにより進行が妨げられることがないように、大量のスループットを可能にする高速プロセスを有することも重要である。したがって、光学検査システムで使用しなければならないものは、より短い波長、より多い開口数の光学系、および高密度イメージキャプチャ技術であり、所望の製品スループット要求を満たすであろう十分な高速で、このようなシステムからのデータを処理することができるようになる。   [02] As part of the quality assurance process in the semiconductor manufacturing process, various systems are used to automatically inspect semiconductor wafers to detect defects, particles, and / or patterns on the wafer surface . It is the goal of current inspection systems to have high resolution and high contrast imaging to provide the required reliability and accuracy in submicron semiconductor manufacturing processes. However, it is also important to have a high-speed process that allows a large amount of throughput so that the quality assurance process does not hinder progress during wafer production. Therefore, what must be used in an optical inspection system are shorter wavelengths, higher numerical aperture optics, and high density image capture technology, fast enough to meet the desired product throughput requirements, Data from such a system can be processed.

[03]現時点でウェハ検査システムにおいて使用されている従来の撮像アーキテクチャは、高速撮像用に単一のスポット走査レーザを利用する。しかしながら、このようなアーキテクチャによって達成可能なデータレートは、単一のレーザビームの速度および品質の制限により生じる物理的制約、適用可能な光学系、および関連する検出デバイスによって制限される。例えば、点光源として作用する単一のレーザは、検査下にある物体上のスポットに集束され、物体の表面中を走査し、走査と連携してステージ機構上で静止されたり動かされたりしてよい。その後、物体からの反射光は、検出器に撮像され、走査プロセスからピクセルデータを生成する。検出器は、CCDアレイであってよく、その個々の要素は、従来のように、ビームが走査され、順次読み出されるとき、反射光を受けるように配置される。このような点光源の照明から高解像度が得られることもあるが、視認可能な像を構築するために、領域の各点を走査する必要があると、システムにスループットの制限が課せられてしまう。   [03] Conventional imaging architectures currently used in wafer inspection systems utilize a single spot scanning laser for high speed imaging. However, the data rates achievable with such an architecture are limited by physical constraints, applicable optics, and associated detection devices that result from speed and quality limitations of a single laser beam. For example, a single laser acting as a point source is focused on a spot on the object under inspection, scans through the surface of the object, and is stationary or moved on a stage mechanism in conjunction with the scan Good. The reflected light from the object is then imaged by a detector to produce pixel data from the scanning process. The detector may be a CCD array, the individual elements of which are arranged to receive the reflected light as the beam is scanned and sequentially read out, as is conventional. High resolution may be obtained from illumination of such point light sources, but if each point in the region needs to be scanned to construct a visible image, the system will be limited in throughput. .

[04]単一レーザビームの走査は、米国特許第5,065,008号に開示されているような回転ミラーシステムまたは音響光学セルによって達成されてよい。しかしながら、これらの単一スポット走査アーキテクチャは、必然的に速度が制限され、走査収差、低照明輝度、および高輝度レーザ源が使用された場合の標本への潜在的な熱ダメージを被る可能性がある。固定位置である領域にわたって単一の光点を移動させることによって、同期された走査パターンを発生しながら、固定された照明および像位置に対して標本を移動するステージタイプの走査システムが使用される場合でも、現行の半導体製品のサブミクロン構造を検査するのに必要な高データレートの達成は不可能である。   [04] Scanning of a single laser beam may be accomplished by a rotating mirror system or acousto-optic cell as disclosed in US Pat. No. 5,065,008. However, these single spot scanning architectures are inevitably limited in speed and can suffer from scanning aberrations, low illumination brightness, and potential thermal damage to the specimen when high brightness laser sources are used. is there. A stage-type scanning system is used that moves the specimen relative to a fixed illumination and image position while generating a synchronized scanning pattern by moving a single light spot over an area that is a fixed position. Even so, it is impossible to achieve the high data rates necessary to inspect the submicron structure of current semiconductor products.

[05]したがって、静止タイプのシステムであれステージタイプのシステムであれ、標本走査中に収集されたデータの信頼性および精度を維持し、または更に高めながら、標本スループットを高める標本走査システムが必要とされている。この需要は、標本を走査するために複数の並列走査ビームを利用し、標本が表面から光を反射させることによって検査されるか、または表面に光を透過させることによって検査されるかに応じて、複数の反射ビームまたは並列透過ビームを検出し、同時に複数の反射または透過ビームを処理することによって、単一のスポット走査システムよりスループットが著しく高められる本発明により満たされる。   [05] Accordingly, there is a need for a sample scanning system that increases sample throughput while maintaining or even increasing the reliability and accuracy of data collected during sample scans, whether stationary or stage type systems. Has been. This demand utilizes multiple parallel scanning beams to scan the specimen, depending on whether the specimen is inspected by reflecting light from the surface or by transmitting light to the surface. It is satisfied by the present invention that by detecting multiple reflected or parallel transmitted beams and processing multiple reflected or transmitted beams simultaneously, the throughput is significantly increased over a single spot scanning system.

[06]本発明は、光ビームを与える単一の光源を用いて標本を検査するシステムに関する。光ビームは、移動レンズ音響光学デバイスに撮像され、このデバイスは、活性領域を有し、RF入力信号に応答して、活性領域に複数の移動レンズを選択的に生成する。移動レンズ音響光学デバイスは、生成された移動レンズの各々の焦点のそれぞれで、光ビームを受け、複数のスポットビームを生成するように動作する。また、システムは、複数の検出器セクションを含む光検出器ユニットを含み、各検出器セクションは、複数の光検出器と、複数の光検出器からの入力を並列に受けるように動作する少なくとも1つのマルチステージ格納デバイスとを有する。マルチステージ格納デバイスの各々に格納された情報は、複数のステージから同時に連続して読み出される。   [06] The present invention relates to a system for inspecting a specimen using a single light source that provides a light beam. The light beam is imaged by a moving lens acousto-optic device, which has an active region and selectively generates a plurality of moving lenses in the active region in response to the RF input signal. The moving lens acousto-optic device operates to receive a light beam and generate a plurality of spot beams at each of the focal points of the generated moving lens. The system also includes a photodetector unit that includes a plurality of detector sections, wherein each detector section operates to receive a plurality of photodetectors and inputs from the plurality of photodetectors in parallel. Two multi-stage storage devices. Information stored in each of the multi-stage storage devices is read continuously and continuously from a plurality of stages.

[07]本発明の別の特徴によれば、本発明は、複数の走査スポットビーム源を含む標本検査システムを含む。ビームは、標本の表面に撮像され、複数のビームが、標本から反射または標本を透過することによって発生する。複数の検出器セクションを有し、各検出器セクションが、複数の光検出器と、複数の光検出器からの入力を並列に受けるように動作する少なくとも1つのマルチステージ格納デバイスとを有する光検出器ユニットが使用される。マルチステージ格納デバイスの各々に格納された情報は、複数のステージから同時に連続して読み出される。   [07] According to another feature of the invention, the invention includes a specimen inspection system that includes a plurality of scanning spot beam sources. The beam is imaged on the surface of the specimen, and multiple beams are generated by reflecting from or passing through the specimen. Optical detection having a plurality of detector sections, each detector section having a plurality of photodetectors and at least one multi-stage storage device operative to receive inputs from the plurality of photodetectors in parallel A unit is used. Information stored in each of the multi-stage storage devices is read continuously and continuously from a plurality of stages.

[08]本発明の更なる別の特徴によれば、本発明は、標本を検査するための方法に関する。この方法は、単一の光源から複数のフライングスポットを供給することと、標本の表面上で複数のスポットビームを走査することとを含むことで、対応する複数のビームが、標本から反射するか、または標本を透過することによって生成される。その後、反射ビームの各々の内容が取り込まれ、それぞれの信号格納セクションに同時に格納される。格納された情報は、連続して読み出されることによって、速度および走査データのスループットが高まる。   [08] According to yet another aspect of the invention, the invention relates to a method for examining a specimen. This method includes providing a plurality of flying spots from a single light source and scanning a plurality of spot beams over the surface of the specimen so that the corresponding plurality of beams reflect off the specimen. Or by passing through the specimen. Thereafter, the contents of each of the reflected beams are captured and stored simultaneously in the respective signal storage sections. The stored information is continuously read, thereby increasing the speed and throughput of the scan data.

[09]本発明の更なる特徴は、複数の同時走査スポットを供給する複数の移動レンズを生成するために、光源およびRF入力を受けるように適合された音響光学デバイスを達成することである。このデバイスは、音波の伝播方向を規定する活性領域を有する結晶媒体と、RFチャープ入力を受け、音波の伝播方向に媒体の一端に位置するRF入力部分と、音波の伝播方向に交差する位置にあり、光源からの光を受けるための光入力部分と、光出力部分とを含む。RF入力部分へ入力される一連のRFパルスは、活性領域に同時に存在する移動レンズのシーケンスを生成するように動作し、移動レンズは、光入力部分へ入力される光を受け、光出力部分から出力された複数のスポットビームを生成するように動作する。   [09] A further feature of the present invention is to achieve an acousto-optic device adapted to receive a light source and RF input to generate a plurality of moving lenses that provide a plurality of simultaneous scanning spots. This device has a crystal medium having an active region that defines a sound wave propagation direction, an RF chirp input, an RF input portion located at one end of the medium in the sound wave propagation direction, and a position intersecting the sound wave propagation direction. And includes a light input portion for receiving light from the light source and a light output portion. A series of RF pulses input to the RF input portion operate to generate a sequence of moving lenses that are simultaneously present in the active region, and the moving lens receives light input to the light input portion and from the light output portion. It operates to generate a plurality of output spot beams.

[10]本発明の更なる特徴は、活性領域を有し、光入力部分で光源を受け、光出力部分から複数の同時発生スポットを供給する複数の移動レンズを生成するためのRF入力部分を受けるようにされた音響光学デバイスを動作する方法である。この方法は、RF入力部分に一連のチャープ入力パルスを入力することによって、音波が各入力パルスに対して形成され、伝播方向に活性領域において伝播するステップと、この伝播方向に交差する方向に、供給源からの光を光入力部分に入力するステップと、光を伝播する音波に適用するステップとを含み、音波は、移動レンズを形成し、活性領域に同時に存在し、移動レンズの各々は、この光を集束させ方向付けるように動作することによって、各レンズに対するそれぞれのスポットビームが、光出力部分から出力される。   [10] A further feature of the present invention is an RF input portion for generating a plurality of moving lenses having an active region, receiving a light source at the light input portion and providing a plurality of co-occurring spots from the light output portion. A method of operating an acousto-optic device adapted to receive. In this method, by inputting a series of chirp input pulses to the RF input portion, a sound wave is formed for each input pulse and propagates in the active region in the propagation direction, and in a direction crossing this propagation direction, Inputting light from a source into a light input portion and applying it to a sound wave propagating the light, the sound wave forming a moving lens and being simultaneously present in the active region, each moving lens comprising: By operating to focus and direct this light, a respective spot beam for each lens is output from the light output portion.

[11]本発明の更なる特徴は、複数の同時走査スポットビームを検出するためのリニア光検出器ユニットである。光検出器ユニットは、共通軸に沿って線形に配置された複数の隣接する光検出器セクションを備える。検出器セクションの各々は、複数の隣接する光検出器と、複数の光検出器からの入力を並列に受け、複数のステージに格納された情報を連続して読み出すように動作する少なくとも1つのマルチステージ格納デバイスとを有する。   [11] A further feature of the present invention is a linear photodetector unit for detecting a plurality of simultaneously scanned spot beams. The photodetector unit comprises a plurality of adjacent photodetector sections arranged linearly along a common axis. Each of the detector sections includes a plurality of adjacent photodetectors and at least one multi-unit that receives inputs from the plurality of photodetectors in parallel and operates to sequentially read information stored in the plurality of stages. And a stage storage device.

[12]本発明の更なる特徴は、第1の複数のセクションを有するリニアCCDに格納された複数のピクセルを検出するための方法であり、各セクションは、第2の複数のピクセル格納要素を含み、第3の複数の同時走査ビームのそれぞれから入力を受ける。この方法は、それぞれの信号格納セクションに同時に第3の複数のビームの各々の内容を取り込み格納することと、格納された信号を同時に連続して読み出すこととを含む。   [12] A further feature of the present invention is a method for detecting a plurality of pixels stored in a linear CCD having a first plurality of sections, each section comprising a second plurality of pixel storage elements. And receiving input from each of the third plurality of simultaneous scanning beams. The method includes capturing and storing the contents of each of the third plurality of beams simultaneously in respective signal storage sections and reading the stored signals simultaneously and continuously.

[13]本発明の更なる特徴は、標本の表面から明視野と暗視野の両方の像を検出するための装置であり、明視野像は、少なくとも1つのCCDによって検出され、暗視野像は、光電子倍増管(PMT)などの少なくとも1つの高感度検出器によって検出される。   [13] A further feature of the present invention is an apparatus for detecting both bright and dark field images from the surface of a specimen, wherein the bright field image is detected by at least one CCD, , Detected by at least one sensitive detector, such as a photomultiplier tube (PMT).

発明の詳細な説明Detailed Description of the Invention

[21]以下の詳細な記載は、本発明の例示的な実施形態であって、本発明は、それらに限定されるものではなく、当業者に公知のように、修正および補助的な構造が追加されてよい。特に、制限を加えるものではないが、標本の共通側面上に配置された光源および検出ユニットを用いて反射光を検出することによって標本表面を検査すること(「反射システム」)に関して、例示的な実施形態が開示されているが、当業者であれば、光源のものとは反対にある標本の側面上にある検出ユニットを用いて、透過光を検出することによって透過標本を検出すること(「透過システム」)に容易に適合可能であることは、容易に明らかなことであろう。例えば、透過システムにはビームスプリッタがないことにより、反射システムと透過システムとは異なるものであるが、本発明の原理は、両方のタイプのシステムに適用可能である。当業者により理解されるように、両方のタイプのシステムは、本発明により、標本を検査するさいに別々にまたは一緒に利用されてよい。   [21] The following detailed description is exemplary embodiments of the invention, and the invention is not limited thereto, and modifications and auxiliary structures are known to those skilled in the art. May be added. In particular, but not as a limitation, with respect to inspecting a specimen surface by detecting reflected light using a light source and detection unit located on a common side of the specimen ("reflection system") Although embodiments are disclosed, those skilled in the art will detect a transmitted specimen by detecting transmitted light using a detection unit on the side of the specimen opposite to that of the light source (" It will be readily apparent that it is easily adaptable to a transmission system "). For example, the reflection system is different from the transmission system due to the absence of a beam splitter in the transmission system, but the principles of the present invention are applicable to both types of systems. As will be appreciated by those skilled in the art, both types of systems may be utilized separately or together when examining specimens according to the present invention.

[22]図1は、本発明による移動レンズマルチビームスキャナを利用した、ウェハ、レチクル、または同様の標本の検出システム100の略図である。制限を加えるものではなく、例示的にのみ、標本は、いくつかの製造ステージの任意のステージにおいて、複数の半導体素子を有する8インチまたは12インチウェハなどの任意の半導体製品であってよく、または、製造プロセスにおいて使用されるマスク、レチクルなどであってよく、このような標本は、欠陥、異物、またはパターン精度に関する検査が必要不可欠である。このようなシステムでは、標本表面上に現れる構造、欠陥、または物体のサイズ、位置、およびタイプを高精度および高信頼性に特定することが望まれる。また、検査および品質保証のステップにかけられる製造プロセスの遅延を最小限に抑えるために、このような特定を高速処理することも望まれる。   [22] FIG. 1 is a schematic diagram of a wafer, reticle, or similar specimen detection system 100 utilizing a moving lens multi-beam scanner according to the present invention. By way of example only, without limitation, the specimen may be any semiconductor product, such as an 8-inch or 12-inch wafer having multiple semiconductor elements, at any stage of several manufacturing stages, or It may be a mask, reticle, etc. used in the manufacturing process, and such specimens are indispensable for inspection with respect to defects, foreign matter, or pattern accuracy. In such a system, it is desirable to identify the size, position, and type of structures, defects, or objects that appear on the specimen surface with high accuracy and reliability. It is also desirable to speed up such identification in order to minimize manufacturing process delays that are subject to inspection and quality assurance steps.

[23]システム100は、光ビーム出力151を発生するCW(またはパルス状)レーザ101などの明光源に依存する。ビーム151は、ビーム151を拡張および平行化して、当業者に公知の方法で均一の強度プロファイルを有するビーム152を形成する従来のデザインのビーム形成器に適用される。ウェハ検査では、レーザは、例えば、248nmまたは193nmなどの短波長で動作して、安定した出力パワー(または安定したパルスエネルギーまたはパルスレート)、安定した横モード、および安定したビームポインティングで高解像度を生じさせることが好ましい。平行化されたビーム152は、従来のミラー103に適用されて、ビーム153を形成して動作レンズ系に向け、その構成部品については、更に詳細に後述する。   [23] The system 100 relies on a bright light source, such as a CW (or pulsed) laser 101, that generates a light beam output 151. Beam 151 is applied to a beamformer of conventional design that expands and collimates beam 151 to form beam 152 having a uniform intensity profile in a manner known to those skilled in the art. For wafer inspection, the laser operates at a short wavelength, such as 248 nm or 193 nm, for high resolution with stable output power (or stable pulse energy or pulse rate), stable transverse mode, and stable beam pointing. It is preferable to make it occur. The collimated beam 152 is applied to the conventional mirror 103 to form the beam 153 and direct it toward the working lens system, the components of which will be described in more detail below.

[24]特に、形成されたビーム153は、形成ビーム153を複数のビーム154a、154b、154cに変換するように動作する移動レンズ音響光学デバイス104に投影される。便宜上、3つのビームを例示的に示しているが、ビームの数は、それよりも多くてもよく、例示的な実施形態では、10本以上の同時発生する走査ビームであってよい。移動レンズ音響光学デバイス104は、一連のチャープRFパルスの各々に応答し、単一のパルスにより、単一のレンズが生成され、一連のパルスにより、移動レンズデバイス104に複数の段階的なレンズが形成される。各レンズは、入力レーザ光を受け取り出力で集束させることによって、所望の数のビームを形成する。RFパルスがデバイス104を通って移行するにつれ、関連付けられたレンズは移動して、走査の性質に合わせてそれらのビームの各々を移動させる。   [24] In particular, the formed beam 153 is projected onto a moving lens acousto-optic device 104 that operates to convert the formed beam 153 into a plurality of beams 154a, 154b, 154c. For convenience, three beams are illustratively shown, but the number of beams may be greater, and in the exemplary embodiment, there may be 10 or more simultaneously scanned beams. The moving lens acousto-optic device 104 responds to each of a series of chirped RF pulses, a single pulse produces a single lens, and the series of pulses causes the moving lens device 104 to have multiple graded lenses. It is formed. Each lens receives the input laser light and focuses it at the output to form the desired number of beams. As the RF pulse travels through the device 104, the associated lens moves to move each of those beams to the nature of the scan.

[25]音響光学セルの基本理論、構造、および材料は、「Optical Scanning」、Gerald F.Marshall編集、Chapter11(Marcel Dekker,Inc.出版、1991年)に教示されている。675〜677頁に説明されているように、単一ビームの周波数チャープ走査は、線形周波数掃引(「チャープ」)が適用される音響光学ブラッグセルを伴う。セルの光学開口で発生した周波数勾配が、焦点距離がチャープレートに基づく円柱レンズとして作用することになる。線形掃引された音響周波数によって回折された光は、集束または発散することがあり、相補的な光学レンズによって補償されてよい。この開示によれば、音響光学スキャナにより、コストと性能の面での著しい利点が得られ、特に、ランダムアクセス時間が短い。音響光学スキャナは、典型的に、1つの走査ビームを生成し、複数のビームが望ましい場合、Marshallの書籍の682〜83頁に開示されているように、各々がチャープRFパルスを受け取る複数のチャープセルが要求される。更に詳しく言えば、線形増大する周波数が、アレイ状に複数のチャープセルの各々のドライバに適用されると、アレイの各平行化ビームの連続した角度走査がブラッグ条件に応じて発生されるため、時間領域でピッチが増大する位相格子ができることによって、スポットのアレイの線形走査を生じる。高周波数カットオフで、ドライバ信号はゼロに設定されることによって、チャープセルの音響エネルギーを消失させることができ、次の走査を始動する前にスポットをリセットする。   [25] The basic theory, structure, and materials of acousto-optic cells are described in “Optical Scanning”, Gerald F., et al. Edited by Marshall, Chapter 11 (Marcel Dekker, Inc., 1991). As described on pages 675-677, single beam frequency chirp scanning involves acousto-optic Bragg cells to which a linear frequency sweep ("chirp") is applied. The frequency gradient generated at the optical aperture of the cell will act as a cylindrical lens whose focal length is based on a char plate. Light diffracted by the linearly swept acoustic frequency may converge or diverge and may be compensated by a complementary optical lens. According to this disclosure, acousto-optic scanners provide significant cost and performance advantages, and in particular random access times are short. Acousto-optic scanners typically produce a single scanning beam and, if multiple beams are desired, a plurality of chirp cells each receiving a chirp RF pulse, as disclosed on pages 682-83 of the Marshall book. Is required. More particularly, when a linearly increasing frequency is applied to each driver of each of the plurality of chirp cells in an array, successive angular scans of each collimated beam of the array are generated in response to Bragg conditions, resulting in time The creation of a phase grating with increasing pitch in the region results in a linear scan of the array of spots. With a high frequency cut-off, the driver signal is set to zero so that the chirp cell acoustic energy can be lost, resetting the spot before starting the next scan.

[26]Marshallの682〜683頁には、帯域幅が倍増されるものと、解像度が倍増されるものを含む2つのタイプの音響アレイスキャナが教示されている。最初のケースでは、多数の個々に駆動される小型の密接に配設された変換器が、TeOガラスおよびPbMoOおよびTeO結晶から作られた音響光学媒体上に並列に取り付けられる。音響光学アレイの第2のケースでは、構成要素が直列に配設される。各々が特定の解像度(ライン当たりのポイント数)を有するスキャナのアレイは、複合光学系を用いることによって、更に高い解像度(ライン当たりのポイント数)を生じることができる。 [26] Marshall, pages 682-683, teaches two types of acoustic array scanners, including those with doubled bandwidth and those with doubled resolution. In the first case, a large number of individually driven small closely spaced transducers are mounted in parallel on an acousto-optic medium made from TeO 2 glass and PbMoO 4 and TeO 4 crystals. In the second case of the acousto-optic array, the components are arranged in series. An array of scanners, each having a specific resolution (number of points per line), can produce even higher resolution (number of points per line) by using composite optics.

[27]対照的に、本発明において使用される音響光学デバイス104は、一連の入力RFパルスに基づいた複数の移動レンズを生成するのに効果的な単結晶を用いる。デバイスの単結晶は、UV光源と適合性のある材料から構成され、溶融シリカ、GaAs、またはTeOガラスから作られた音響光学媒体を有することが好ましいが、UV光との適合性を備えた他の公知の材料が使用されてもよい。結晶は、両面で0.5%未満とされた反射防止コーティングを各主要面上に有する。デバイスは、266nmの波長および130MHzの帯域幅を有する200MHzの中心周波数で、縦音響モードで動作することになる。RFパワーは、3.0ワット未満である。1つの例示的な実施形態において、デバイスの活性開口は、「H」1.0mm×「L」60mmであってよい。 [27] In contrast, the acousto-optic device 104 used in the present invention uses a single crystal that is effective in generating multiple moving lenses based on a series of input RF pulses. The device single crystal is preferably composed of a material compatible with a UV light source and has an acousto-optic medium made of fused silica, GaAs or TeO 2 glass, but with compatibility with UV light. Other known materials may be used. The crystals have an anti-reflective coating on each major surface that is less than 0.5% on both sides. The device will operate in longitudinal acoustic mode at a center frequency of 200 MHz with a wavelength of 266 nm and a bandwidth of 130 MHz. The RF power is less than 3.0 watts. In one exemplary embodiment, the active aperture of the device may be “H” 1.0 mm × “L” 60 mm.

[28]動作時、図4に更に詳細に示すように、当業者によって理解されるように、単一のビームまたは複数の平行化されたビームであってよいレーザ光401が、変換器410の1つの主要な表面411に適用される。RF生成器430は、一連の「チャープ」またはパルス状のRF波形431、432、433などをRF入力ポート(SNAコネクタ)413に出力し、例示的な実施形態において、これらの持続時間および振幅は同一であることが最適であるが、移動レンズの所望の光学的な効果に応じて異なったものであってよい。ポートは、光路に対して横断するように配置され、RF波形を結晶の縁で投入することができ、例示的な実施形態において、5.96mm/μsまたは音速とほぼ同じである速度で、結晶の長さを横断する圧力波を確立する。結晶媒体を伝播する圧力波は、入力主要表面411に入り、出力主要表面412から出るレーザ光401に段階的な焦点レンズ421、422を与えるように整列される。当業者によって理解されるように、各レンズ421、422は、焦点443、444で通過ビーム441、442を集束することになる。   [28] In operation, as shown in more detail in FIG. 4, laser light 401, which may be a single beam or a plurality of collimated beams, is converted into a Applied to one major surface 411. The RF generator 430 outputs a series of “chirp” or pulsed RF waveforms 431, 432, 433, etc. to an RF input port (SNA connector) 413, and in an exemplary embodiment, these durations and amplitudes are It is optimal that they are the same, but they may be different depending on the desired optical effect of the moving lens. The port is positioned transverse to the optical path, and an RF waveform can be injected at the edge of the crystal, and in an exemplary embodiment, at a speed that is approximately the same as 5.96 mm / μs or speed of sound. Establish a pressure wave across the length of. Pressure waves propagating through the crystal medium are aligned to provide stepped focus lenses 421, 422 to the laser light 401 entering the input major surface 411 and exiting the output major surface 412. As will be appreciated by those skilled in the art, each lens 421, 422 will focus the passing beams 441, 442 at focal points 443, 444.

[29]再度、図1を参照すると、音響光学デバイス104の活性領域において複数の段階的なレンズ104a、104b、104cを作り出す効果により、作り出されたレンズの各々に対して移動レンズ音響光学デバイスの焦点154a、154b、154cでフライングスポットが発生される。その後、フライングスポット154a、154b、154cは、従来のコリメータレンズ105を通過して、平行化されたビーム155a、155b、155cの群は、ダイクロイックミラー106の表面106aに入射するが、ダイクロイックミラー106を通過する。ミラー106は、走査されるウェハ、レチクル、または他の標本108の表面に複数のビーム156a、156b、156cとして撮像するための対物レンズ107へ、平行化されたビーム155a、155b、155cのすべてを送る。対物レンズ107によって出力された複数の平行なビーム156a、156b、156cは、ウェハ、レチクル、または他の標本の表面上の個々のスポット108a、108b、108cに集束され、平行なビーム157a、157b、157cとして反射される。これらの反射ビーム157a、157b、157cは、再度、対物レンズ107を通過し、ダイクロイックミラー106の背面106bに向けられる。これらの平行な反射ビーム158a、158b、158cは、ミラー106によって反射され、コリメータレンズ109に適用される。   [29] Referring again to FIG. 1, the effect of creating a plurality of graded lenses 104a, 104b, 104c in the active region of the acousto-optic device 104 is that of the moving lens acousto-optic device for each of the created lenses. Flying spots are generated at the focal points 154a, 154b, 154c. Thereafter, the flying spots 154a, 154b, 154c pass through the conventional collimator lens 105, and the collimated beams 155a, 155b, 155c are incident on the surface 106a of the dichroic mirror 106, but the dichroic mirror 106 pass. The mirror 106 provides all of the collimated beams 155a, 155b, 155c to the objective lens 107 for imaging as a plurality of beams 156a, 156b, 156c on the surface of the scanned wafer, reticle, or other specimen 108. send. A plurality of parallel beams 156a, 156b, 156c output by the objective lens 107 are focused on individual spots 108a, 108b, 108c on the surface of a wafer, reticle, or other specimen, and the parallel beams 157a, 157b, Reflected as 157c. These reflected beams 157a, 157b, and 157c pass through the objective lens 107 again and are directed to the back surface 106b of the dichroic mirror 106. These parallel reflected beams 158 a, 158 b and 158 c are reflected by the mirror 106 and applied to the collimator lens 109.

[30]レンズ109からのビームは、マルチステージ、マルチタップの垂直転送CCD110を有するカメラに出力される。CCDは、ビーム159a、159b、および159cの1つによって照明されるそれぞれの検出領域111、112、113を有する。ビームがウェハ108の表面を走査し、並列イメージストリームを発生すると、電荷結合素子110の各セクタ111、112、113のセルは、各ビームのそれぞれにおける出力ピクセルを取り込む。マルチタップCCD110の各セクタ111、112、113は、ビーム159a、159b、159cに対応するシフトレジスタセクション114、115、116をそれぞれ有する。これらの平行入力セクタは、並列に読み出されてよいことから、画像検出デバイスのスループットが上がる。したがって、所与の時間期間において、一連の読出しパルスをシフトレジスタの各々に入力することで並列読出しが実行されることによって、それらの内容を並列データストリームで出力させる。   [30] The beam from the lens 109 is output to a camera having a multi-stage, multi-tap vertical transfer CCD 110. The CCD has a respective detection area 111, 112, 113 illuminated by one of the beams 159a, 159b and 159c. As the beam scans the surface of the wafer 108 and generates a parallel image stream, the cells in each sector 111, 112, 113 of the charge coupled device 110 capture an output pixel in each of each beam. Each sector 111, 112, 113 of the multi-tap CCD 110 has shift register sections 114, 115, 116 corresponding to the beams 159a, 159b, 159c, respectively. These parallel input sectors may be read in parallel, increasing the throughput of the image detection device. Thus, in a given time period, a series of read pulses are input to each of the shift registers to perform parallel reads, thereby outputting their contents in a parallel data stream.

[31]一般的な例において、シフトレジスタ114を有する第1のセクタ111は、増幅器121を介して入力されるセクタ転送信号160aによって読み出される。この信号は、ステージが並列に積載されたシフトレジスタが、バッファ131を介して出力ライン161aにデータを連続して読み出すようにする一連のパルスである。同様に、セクタ2およびセクタ3のクロッキング信号は、増幅器122、123を介して、マルチタップのCCDセクタ112、113のシフトレジスタ115、116のそれぞれに適用される。増幅器132、133を介して連続して読み出された結果的に得られたデータは、データ出力161b、161cに与えられる。   [31] In a general example, the first sector 111 having the shift register 114 is read by the sector transfer signal 160 a input through the amplifier 121. This signal is a series of pulses that cause a shift register with stages mounted in parallel to read data continuously to the output line 161a via the buffer 131. Similarly, the clocking signals of sector 2 and sector 3 are applied to shift registers 115 and 116 of multi-tap CCD sectors 112 and 113 via amplifiers 122 and 123, respectively. The resulting data, read continuously through amplifiers 132, 133, is provided to data outputs 161b, 161c.

[32]マルチセクションタップのリニアCCD構造110によりウェハまたは標本108の表面から後方反射された光ビーム157a、157b、157cを取り込むと、高度に効果的かつ効率的なデザインが得られる。構造110は、走査および反射光用に同じ対物レンズ構造が使用されるように構築される。更に、各走査ビームからの反射光が、セグメント化されたCCD構造110に適用されると、標本のそれぞれのセクションを走査することから引き出された情報の内容は、一時的なシフトレジスタに並列転送された後、連続して読み出される。CCD110の複数のセクタからの転送により、大量のデータスループットが得られ、これは、ウェハ検査システムにおいて極めて望ましいものである。   [32] Taking a light beam 157a, 157b, 157c back-reflected from the surface of the wafer or specimen 108 by a multi-section tap linear CCD structure 110 provides a highly effective and efficient design. Structure 110 is constructed such that the same objective lens structure is used for scanning and reflected light. Furthermore, when the reflected light from each scanning beam is applied to the segmented CCD structure 110, the content of the information derived from scanning each section of the specimen is transferred in parallel to a temporary shift register. Are read continuously. Transfer from multiple sectors of the CCD 110 provides a large amount of data throughput, which is highly desirable in a wafer inspection system.

[01]図5に、実際的なカメラデザインのセンサ500の例示的な実施形態を示す。デバイスは、2048個の素子501を有するリニアCCDであり、各素子は、横寸法が16μmであり、縦寸法が64μmであるピクセルサイズと、16μのピクセルピッチを有する。2048個の素子は、32個の素子501を各々が有する64個の独立したセクション502に分割され、各素子501は、第1の一時的な格納ステージ504への出力503を有し、この出力503は、セクション502の他の31個の素子の出力と並列に設けられる。セクション502は、別のセクションに対してすぐに隣接した位置に設けられる。別の実施形態において、高速化を図って、1つのタップ当たり16ピクセルしかない128個の出力を設けてもよい。各第1の一時的な格納ステージ504の32個の値は、それぞれのクロックC〜C64によって、それぞれの第2段の格納ステージ505へ並列に読み出され、すべての第2段の格納ステージ505の32個の値は、単一のクロックCに応答して、それぞれの読出しシフトレジスタステージ506へ読み出される。各読出しシフトレジスタステージ506の32バイトは、クロック入力Cによって連続してクロックされ、レジスタからアナログ出力された電圧モードは、64個のセクション502の各々に対するそれぞれの出力ポートOUT〜OUT64に与えられる。当業者により理解されるように、適切な動作のために、デバイスに適切な電圧が適用される。このアーキテクチャを備えたセンサは、20〜40MHzのデータレート(1.0〜1.6MHzラインレート)と、1秒当たり2.0〜3.2Gpixの範囲の出力を有するようにデザインされてよい。 [01] FIG. 5 illustrates an exemplary embodiment of a sensor 500 with a practical camera design. The device is a linear CCD having 2048 elements 501, each element having a horizontal dimension of 16 μm, a vertical dimension of 64 μm, and a pixel pitch of 16 μm. The 2048 elements are divided into 64 independent sections 502 each having 32 elements 501, each element 501 having an output 503 to a first temporary storage stage 504, this output 503 is provided in parallel with the outputs of the other 31 elements of section 502. Section 502 is located immediately adjacent to another section. In another embodiment, 128 outputs may be provided with only 16 pixels per tap for speed. The 32 values of each first temporary storage stage 504 are read in parallel to the respective second stage storage stage 505 by the respective clocks C 1 -C 64 and stored in all second stage storages. 32 values of the stage 505, in response to a single clock C 0, are read into the respective read shift register stage 506. 32 bytes of each read shift register stage 506 is clocked continuously by clock input C K, voltage mode, which is the analog output from the register, the respective output ports OUT 1 to OUT 64 for each of the 64 sections 502 Given. As will be appreciated by those skilled in the art, an appropriate voltage is applied to the device for proper operation. Sensors with this architecture may be designed to have a data rate of 20-40 MHz (1.0-1.6 MHz line rate) and an output in the range of 2.0-3.2 Gpix per second.

[34]再度、図1の略図に戻ると、スポットタイミングは、単一CCDセクション114〜116に対してスポットが1つのみであるようにデザインされる。実際、図5のリニアセンサと10ビームスキャナを用いた例示的な実施形態において、各々が32ピクセルに対する格納を有する64個のセンサセグメントの6分の1のみが、一度に1つの入力を受け取ることになる。単一ビームを複数のセグメントに入力すると、ビームが次のセクションに移動すると、必要な格納および読出し処理が可能な遅延が得られる。例示的かつ非制限的に、図2には、2つのみのスポットのタイミング図が示されているが、以下の教示により追加のスポットに容易に推定されてよい。図において、タイミング(t)ライン200は、複数のスポットによってウェハの表面、レチクル、または他の表面の走査に参照を与える。表面が所定の速度でy(ページ縦)方向に移動する間、スポットは、x(ページ横)方向に沿って走査する。最初、スポット1は、ウェハのセクション1上に配置され、時間期間201中の位置211に示すように、ウェハまたは他の表面のセクション1中を走査する。走査は、ステージ上でのウェハなどの動きによる表面の上向きの動きにより、右側へ上向きに傾斜する。第2のスポットは、処理位置220に示すように、まだ走査が始まっていない。時間期間201では第1のスポットのみしか走査していないため、処理部分230でセクション1または処理部分240でセクション2から転送されるデータはなく、処理部分250で出力されるデータもない。   [34] Returning again to the schematic of FIG. 1, the spot timing is designed so that there is only one spot for a single CCD section 114-116. In fact, in the exemplary embodiment using the linear sensor of FIG. 5 and a 10 beam scanner, only one sixth of the 64 sensor segments, each with storage for 32 pixels, receive one input at a time. become. Entering a single beam into multiple segments provides a delay that allows the necessary storage and readout processing as the beam moves to the next section. By way of example and not limitation, FIG. 2 shows a timing diagram for only two spots, but may be easily estimated for additional spots with the following teachings. In the figure, a timing (t) line 200 provides a reference for scanning a wafer surface, reticle, or other surface by a plurality of spots. While the surface moves in the y (page length) direction at a predetermined speed, the spot scans along the x (page width) direction. Initially, spot 1 is placed on section 1 of the wafer and scans through section 1 of the wafer or other surface, as shown at position 211 during time period 201. The scan is tilted upward to the right side by upward movement of the surface due to movement of the wafer or the like on the stage. The second spot has not yet been scanned, as shown at processing position 220. Since only the first spot is scanned during time period 201, there is no data transferred from section 1 in processing section 230 or section 2 in processing section 230 and no data output in processing section 250.

[35]第2の時間期間202中、セクション1の走査は、スポット1によって完了し、走査線212の部分によって示すように、セクション2の走査を始める。同時に、第2のスポットは、走査線221で示すように、セクション1の走査を始める。時間期間202の開始時、期間201でのセクション1の走査中に獲得されたデータのすべてが、231で並列に出力される。しかしながら、この時点でセクション2に対して蓄積されたデータはないため、処理部分240での入力はない。しかしながら、231でセクション1から並列転送されたデータは、データセクション1の出力251で示すように、時間期間202中に連続して出力される。   [35] During the second time period 202, the scan of section 1 is completed by spot 1 and begins the scan of section 2, as indicated by the portion of scan line 212. At the same time, the second spot begins scanning section 1 as indicated by scan line 221. At the start of time period 202, all of the data acquired during the section 1 scan in period 201 is output in parallel at 231. However, since there is no data stored for section 2 at this time, there is no input at processing portion 240. However, the data transferred in parallel from section 1 at 231 is continuously output during time period 202 as indicated by output 251 of data section 1.

[36]期間203の開始時、スポットビーム1は、213でセクション3の走査を開始するのに対して、スポットビーム2は、222でセクション2の走査を開始する。処理部分230において、セクション1においてスポット2によって蓄積されたデータは、232で転送されるのに対して、セクション2のスポット1でのデータは、241で転送される。時間期間203中、セクション1および2の各々に対するデータ(走査221、212によって収集)は、252および253でそれぞれ連続して読み出される。10本のビームを使用し、リニアスキャナの64個のセクションを有する例示的な実施形態の場合、CCDの少なくとも6個のセクションが各ビームから入力を受けた後に別の走査の開始に戻るように、ビームがウェハなどの表面の一部分を走査しなければならないことは明らかである。したがって、6個のセクションの走査に相当するデータ出力時の遅延が存在する。ビーム走査とCCD出力との間の同期は、最適な出力を達成するために容易に達成される。   [36] At the beginning of period 203, spot beam 1 begins scanning section 3 at 213, while spot beam 2 begins scanning section 2 at 222. In the processing portion 230, the data accumulated by spot 2 in section 1 is transferred at 232, whereas the data at spot 1 in section 2 is transferred at 241. During time period 203, the data for each of sections 1 and 2 (collected by scans 221, 212) is read continuously at 252 and 253, respectively. For an exemplary embodiment using 10 beams and having 64 sections of a linear scanner, return at least 6 sections of the CCD to the start of another scan after receiving input from each beam. Obviously, the beam must scan a portion of the surface, such as a wafer. Therefore, there is a delay in data output corresponding to the scanning of six sections. Synchronization between beam scanning and CCD output is easily achieved to achieve optimum output.

[37]図3は、検査下にあるウェハ、レチクル、または同様の物体の実際の表面300を示す。横方向の目盛り0〜12は、個々のピクセル(明るい正方形301〜312)の位置を特定し、これらのピクセルのいくつか(301、304、307、および310)は、ウェハ、レチクル、または他の物体の動きに対して直交する方向に進む走査の走査開始点である。この動きは、数字0〜10で目盛りがつけられた方向にある。ウェハ自体は、単一のシリーズにおいて複数のビーム350、360、および370によって走査され、ビーム走査は、図の右側のピクセル10での走査シリーズ350’の開始で示すように、後続するシリーズで繰り返される。ウェハが、縦方向に数字0〜10の推移によって示されている従来の移送ステージ装置170(図1)によって移動されると、ビームは、ウェハの表面にわたって対角線に走査するように見える。そのため、第一のシリーズ走査において、スポット350は、セクタ1の点301で始まる。その後、走査するにつれ、スポット350は、セクタ2のピクセル302、セクタ3のピクセル303、以下同様、に移動する。第2のスポット360は、セクタ1の点304で始まり、セクタ2の点305、セクタ3の点306、セクタ4の点307、以下同様、に移動する。セクタ1の点7で始まるスポット370も同様の動きをする。走査の第2のシリーズは、スポット350’で再度始まるが、この場合、セクタ1の点310で始まる。第2の走査においてスポット360および370の走査が同様に繰り返され、ウェハがステージ170によって移動されると、後続するシリーズにおいて、スポット350〜370の走査が同様に繰り返される。この走査を行えば、ウェハの全領域の並列読出値を見ることができる。   [37] FIG. 3 shows an actual surface 300 of a wafer, reticle, or similar object under inspection. Horizontal scales 0-12 identify the location of individual pixels (bright squares 301-312), and some of these pixels (301, 304, 307, and 310) may be on wafers, reticles, or other This is the scanning start point of scanning that proceeds in a direction orthogonal to the movement of the object. This movement is in the direction marked by the numbers 0-10. The wafer itself is scanned by multiple beams 350, 360, and 370 in a single series, and the beam scan is repeated in subsequent series, as shown at the start of scan series 350 ′ at pixel 10 on the right side of the figure. It is. As the wafer is moved by a conventional transfer stage apparatus 170 (FIG. 1), indicated by the progression of the numbers 0-10 in the vertical direction, the beam appears to scan diagonally across the surface of the wafer. Therefore, in the first series scan, the spot 350 starts at the point 301 in the sector 1. Thereafter, as it scans, spot 350 moves to pixel 302 in sector 2, pixel 303 in sector 3, and so on. The second spot 360 begins at point 304 in sector 1, moves to point 305 in sector 2, point 306 in sector 3, point 307 in sector 4, and so on. A spot 370 starting at point 7 in sector 1 moves similarly. The second series of scans begins again at spot 350 ′, but in this case begins at point 310 in sector 1. In the second scan, the scans of spots 360 and 370 are similarly repeated, and as the wafer is moved by stage 170, the scans of spots 350-370 are similarly repeated in subsequent series. By performing this scanning, the parallel readout values of the entire area of the wafer can be viewed.

[38]図6Aに、第2の例示的な実施形態が示されており、同図において、システム600は、図1の実施形態と実質的に同一であるが、移動レンズの各々から複数のビームを作り出すために、ビームスプリッタを使用している点が異なる。更に詳しく言えば、レーザ601は、従来のビーム形成器602に適用される光ビーム出力651を発生して、当業者に公知の方法で均一の強度ビームプロファイルを有するビーム652を形成する。平行化されたビーム652は、音響光学移動レンズ604を有する動作レンズシステムにビーム653を方向付けるための従来のミラー603に適用される。移動レンズ音響光学デバイス604は、形成されたビーム653を複数のビーム654a、654b、654cに変換するように動作する。この場合も、便宜上、例示的に3本のビームが示されているが、ビームの数は、それよりも多くてもよく、例示的な実施形態では、10本以上の同時発生する走査ビームであってよい。移動レンズ音響光学デバイス604は、一連のチャープRFパルスの各々に応答し、移動レンズデバイス604の活性領域に複数の段階的なレンズの1つを形成する。音響パルスがデバイス604を通って移行するにつれ、関連付けられたレンズは移行して、走査の性質に合わせてそれらのビームの各々を移動させる。音響光学デバイス604の活性領域にある複数の段階的なレンズ604a、604b、604cにより、移動レンズ音響光学デバイスの焦点654a、654b、654cで複数のフライングスポットが発生し、その後、フライングスポット654a、654b、654cは、従来のコリメータレンズ605を通過する。   [38] A second exemplary embodiment is shown in FIG. 6A, in which the system 600 is substantially the same as the embodiment of FIG. The difference is that a beam splitter is used to create the beam. More particularly, the laser 601 generates a light beam output 651 that is applied to a conventional beamformer 602 to form a beam 652 having a uniform intensity beam profile in a manner known to those skilled in the art. The collimated beam 652 is applied to a conventional mirror 603 for directing the beam 653 to a working lens system having an acousto-optic moving lens 604. The moving lens acousto-optic device 604 operates to convert the formed beam 653 into a plurality of beams 654a, 654b, 654c. Again, for convenience, three beams are illustratively shown, but the number of beams may be greater, and in the exemplary embodiment, with ten or more simultaneous scanning beams. It may be. Moving lens acousto-optic device 604 is responsive to each of a series of chirped RF pulses to form one of a plurality of graded lenses in the active region of moving lens device 604. As the acoustic pulse travels through device 604, the associated lens transitions and moves each of those beams to the nature of the scan. A plurality of graded lenses 604a, 604b, 604c in the active region of the acousto-optic device 604 generate a plurality of flying spots at the focal point 654a, 654b, 654c of the moving lens acousto-optic device, and then the flying spots 654a, 654b. , 654c passes through a conventional collimator lens 605.

[39]第1の実施形態とは異なり、コリメータレンズ605の複数ビーム出力は、ダンマン格子またはビームスプリッタ(図示した実施形態では1×3タイプであるが、他の分割率も本発明の範囲内である)を通過することによって、いくつかの散開したビーム655a、655b、655cが生成される。分割された各ビームのエネルギーが実質的に等しいものである限り、当業者に公知の任意の手段によって分割が実行されてよい。これらのビームの各々は、ダイクロイックミラー606の表面に入射し、複数のビーム656a1〜3、656b1〜3、656c1〜3として走査対象の標本608の表面に撮像するための対物レンズ607に通される複数のスポットビーム(655a1〜3、655b1〜3、655c1〜3、図示せず)を含む。対物レンズ607によって出力された複数の平行ビーム656a1〜3、656b1〜3、656c1〜3は、標本の表面上の領域608a、608b、608cに集束される。これらの領域の各々は、ビーム655a、655b、および655cの別々のものから生じる別々のフライングスポットによって走査され、例示的な実施形態において、図6Bに示すような走査線構造を発生し、同図において、別々のビーム656a、656b、656cからの走査は一まとまりであるが、時間と位置がずれている。これらの走査は、平行ビーム(各々3つの走査での3本のビーム、図示せず)として戻され、これらのビームは、対物レンズ607を再度通過して、ダイクロイックミラー606の背面に向けられる。これらの平行な反射ビームは、ミラー606によって反射され、コリメータレンズ609に適用される。 [39] Unlike the first embodiment, the multiple beam output of the collimator lens 605 is a Dammam grating or beam splitter (1 × 3 type in the illustrated embodiment, but other split ratios are within the scope of the present invention. ) Produces several spread beams 655a, 655b, 655c. The splitting may be performed by any means known to those skilled in the art as long as the energy of each split beam is substantially equal. Each of these beams is incident on the surface of the dichroic mirror 606 and is applied to an objective lens 607 for imaging the surface of the sample 608 to be scanned as a plurality of beams 656a 1 to 3 , 656b 1 to 3 , and 656c 1 to 3 . A plurality of spot beams (655a 1 to 3 , 655b 1 to 3 , 655c 1 to 3 , not shown) to be passed are included. The plurality of parallel beams 656a 1-3 , 656b 1-3 , 656c 1-3 output by the objective lens 607 are focused on regions 608a, 608b, 608c on the surface of the specimen. Each of these regions is scanned by a separate flying spot resulting from a separate one of the beams 655a, 655b, and 655c, which in the exemplary embodiment generates a scan line structure as shown in FIG. in a separate beam 656a 2, 656b 2, scanning from 656c 2 is an unity, it is out of time and position. These scans are returned as parallel beams (three beams in each of the three scans, not shown), and these beams pass again through the objective lens 607 and are directed to the back of the dichroic mirror 606. These parallel reflected beams are reflected by the mirror 606 and applied to the collimator lens 609.

[40]レンズ609からのビーム659a1〜3、659b1〜3、659c1〜3は、3つのカメラに出力され、これらのカメラの各々は、図1の実施形態のリニアCCDのものと同様の構造および機能を備えたマルチステージ、マルチタップの垂直転送CCD610A、610B、610Cをそれぞれ有する。このアーキテクチャにより、画像検出デバイスのスループットおよび解像度が更に高まる。 [40] Beams 659a 1-3 , 659b 1-3 , 659c 1-3 from the lens 609 are output to three cameras, each of which is similar to that of the linear CCD of the embodiment of FIG. Multi-stage and multi-tap vertical transfer CCDs 610A, 610B, and 610C each having the structure and function described above are provided. This architecture further increases the throughput and resolution of the image detection device.

[41]図7aに示すような更なる別の例示的な実施形態において、すでに開示したような複数のフライングスポットまたは単一スポットを含むものであってよい光源からのレーザ光が、第1のダイクロイックミラー710を通過してよい。ミラー706は、第1の表面710aを介してレーザ光701を通過させるが、標本から戻る光を反対側の表面710bから反射させる。通過したレーザ光702は、レーザ光を通過させる第1の表面720aと、暗視野光704を反射する第2の表面720bとを有する第2のダイクロイックミラーを通過する。標本708の表面に衝突するレーザ光703は、暗視野光704および明視野光705として反射されて戻される。暗視野光704は、暗視野光を反射し明視野光を通過させる環状ミラー720の表面720bによって、明視野光705から分離される。暗視野光704は、高感度の光電子増倍管(PMT)740によって検出される。従来のデザインのものであり、製造業者のHammatsuおよびBurleから市販されているようなPMTは、暗視野低光散乱がある場合、特に有益である。明視野光は、ミラー720を通って、表面710bによってCCD730へと反射され、このCCDは、マルチステージまたは単一ステージCCDであってよく、感度はより低いが、ダイナミックレンジがより大きく、PMTより高速である。   [41] In yet another exemplary embodiment, as shown in FIG. 7a, laser light from a light source that may include multiple flying spots or a single spot as previously disclosed, It may pass through the dichroic mirror 710. The mirror 706 allows the laser light 701 to pass through the first surface 710a, but reflects light returning from the specimen from the opposite surface 710b. The passed laser light 702 passes through a second dichroic mirror having a first surface 720 a that allows the laser light to pass therethrough and a second surface 720 b that reflects the dark field light 704. Laser light 703 that collides with the surface of the specimen 708 is reflected back as dark field light 704 and bright field light 705. The dark field light 704 is separated from the bright field light 705 by the surface 720b of the annular mirror 720 that reflects the dark field light and passes the bright field light. Dark field light 704 is detected by a highly sensitive photomultiplier tube (PMT) 740. PMTs of conventional design and commercially available from manufacturers Hammatsu and Burle are particularly beneficial when there is dark field low light scattering. The bright field light is reflected through the mirror 720 by the surface 710b to the CCD 730, which may be a multistage or single stage CCD, with lower sensitivity but greater dynamic range than PMT. It is fast.

[42]別の実施形態において、ダイクロイックミラー760およびダイクロイックミラー770を通過し、標本758の表面に集束するための対物レンズ757へと進み、本願明細書においてすでに開示されている原理により移動レンズによって走査されてよい環状照明形態のレーザ751が与えられる。暗視野と明視野の成分である反射光は、ミラー770の表面に向けられ、明視野光は、CCD790に向けて反射される。暗視野光は、ミラー770を介してミラー760へと通過し、ミラーの表面は、検出用に光をPMT780に反射する。   [42] In another embodiment, the dichroic mirror 760 and the dichroic mirror 770 are advanced to an objective lens 757 for focusing on the surface of the specimen 758, and by a moving lens according to the principles already disclosed herein. A laser 751 in the form of an annular illumination that may be scanned is provided. The reflected light, which is a dark field and bright field component, is directed to the surface of the mirror 770, and the bright field light is reflected toward the CCD 790. The dark field light passes through the mirror 770 to the mirror 760, and the surface of the mirror reflects the light to the PMT 780 for detection.

[43]いくつかの例示的な実施形態に関して本発明を記載してきたが、本発明は、それらに限定されるものではなく、本発明の全範囲は、適用法に従って解釈されるように、添付の特許請求の範囲において規定される。   [43] Although the invention has been described with reference to several exemplary embodiments, the invention is not limited thereto, and the full scope of the invention is intended to be construed in accordance with applicable law. In the following claims.

本発明によるウェハまたは他の標本を走査するための第1の例示的なシステムおよび装置の略図を示す。1 shows a schematic diagram of a first exemplary system and apparatus for scanning a wafer or other specimen according to the present invention. ウェハまたは他の標本を走査するために、本発明の装置によって生成された複数のビームを使用するための例示的なタイミング図を示す。FIG. 4 shows an exemplary timing diagram for using multiple beams generated by the apparatus of the present invention to scan a wafer or other specimen. 本発明の一実施形態により生成された4つのビームによって同時に走査された場合のウェハ表面のトポグラフィを示す。Fig. 4 shows a topography of the wafer surface when scanned simultaneously by four beams generated according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態において使用された場合の移動レンズ、マルチビーム音響光学デバイスの略図である。1 is a schematic diagram of a moving lens, multi-beam acousto-optic device when used in one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態によるCCDスキャナにおいて用いられてよい、2ステージ垂直転送を有するマルチステージリニアフォトダイオードの略図である。1 is a schematic diagram of a multi-stage linear photodiode with two-stage vertical transfer that may be used in a CCD scanner according to one embodiment of the present invention. 本発明による、ウェハまたは他の標本上で複数の分割ビームを走査するための第2の例示的なシステムおよび装置の略図である。2 is a schematic diagram of a second exemplary system and apparatus for scanning multiple split beams on a wafer or other specimen according to the present invention. 本発明による、分割ビームに対して走査されたライン構造の略図である。2 is a schematic diagram of a line structure scanned against a split beam according to the present invention. 標本表面上の明視野および暗視野像を別々に検出するための単一の照明レーザアーキテクチャの略図である。1 is a schematic illustration of a single illumination laser architecture for separately detecting bright and dark field images on a specimen surface. 標本表面上の明視野および暗視野像を別々に検出するための環状照明レーザアーキテクチャの略図である。1 is a schematic illustration of an annular illumination laser architecture for separately detecting bright and dark field images on a specimen surface.

100…ウェハ検出システム、101…レーザ、102…ビーム形成器、103…ミラー、104…移動レンズ音響光学デバイス、106…ダイクロイックミラー、107…対物レンズ、108…ウェハ、109…コリメータレンズ、110…垂直転送CCD、114…シフトレジスタ。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Wafer detection system, 101 ... Laser, 102 ... Beam former, 103 ... Mirror, 104 ... Moving lens acousto-optic device, 106 ... Dichroic mirror, 107 ... Objective lens, 108 ... Wafer, 109 ... Collimator lens, 110 ... Vertical Transfer CCD, 114... Shift register.

Claims (7)

複数の同時走査スポットビームを検出するためのリニア光検出器装置であって、
共通軸に沿って直線的に位置する複数の隣接する光検出器セクションを備え、走査スポットビームから個々に検出するように配置される各検出器セクションが、
複数の隣接する光検出器と、
前記複数の光検出器からの入力を並列に受け、マルチステージ格納デバイスに格納された情報を一連のパルスで連続して読み出されるように動作する少なくとも1つのマルチステージ格納デバイスと、を備え、
前記複数の隣接する光検出器セクションの前記マルチステージ格納デバイスは、前記情報の一連のパルスでの連続読み出しを同時に並列に行うように前記情報を出力する
リニア光検出器。
A linear photodetector device for detecting a plurality of simultaneously scanned spot beams,
Comprising a plurality of adjacent light detector section located linearly along a common axis, each photodetector section that is arranged to detect individually the scanning spot beam,
A plurality of adjacent photodetectors;
Receiving an input from said plurality of photodetectors in parallel, and a least one multi-stage storage device operates to the information stored in the multi-stage storage device are read out continuously in a series of pulses ,
The multi-stage storage device of the plurality of adjacent photodetector sections outputs the information to simultaneously read in parallel in a series of pulses of the information ;
Linear photodetector.
前記各光検出器セクションが、セクション転送信号用の入力を備える、請求項1に記載のリニア光検出器。   The linear photodetector of claim 1, wherein each photodetector section comprises an input for a section transfer signal. 前記各検出器セクションが、複数のステージを有する一時的なシフトレジスタを備え、前記シフトレジスタが、対応する検出器の内容を並列に各ステージにおいて受け、一連のパルスで連続して読み出されるように動作する、請求項2に記載のリニア光検出器。 So that the each optical detector section, comprises a temporary shift register having a plurality of stages, the shift register is received at each stage the contents of the corresponding detector in parallel, are read sequentially in a series of pulses The linear photodetector according to claim 2, wherein the linear photodetector operates. セクション転送信号源を更に備え、前記信号源が、複数の前記ステージを連続して読み出すためにセクション転送信号を供給し、一連のパルスで連続して読み出された前記信号を搬送するためにバッファを含むデータ出力ラインを供給する、請求項に記載のリニア検出器。 Buffer To further comprising a section transfer signal source, the signal source supplies a section transfer signal to continuously read a plurality of said stages, conveying the signal read continuously in a series of pulses The linear detector of claim 3 , providing a data output line comprising: 請求項1に記載のリニア光検出器に格納された複数のピクセルの検出方法であって、
それぞれの前記光検出器セクションの前記複数の光検出器において、複数の同時走査ビームのそれぞれからの入力を並列に受けるステップと、
それぞれの前記光検出器セクションの前記マルチステージ格納デバイスにおいて前記複数の同時走査ビームの各々の信号を同時に取り込み格納するステップと、
前記複数の隣接する光検出器セクションの前記マルチステージ格納デバイスが、前記複数の光検出器セクションからの前記マルチステージ格納デバイスに格納された前記信号を並列に同時に一連のパルスで連続して出力するステップと、
を含む、方法。
A method for detecting a plurality of pixels stored in a linear photodetector according to claim 1 , comprising:
Receiving, in parallel, inputs from each of a plurality of simultaneous scanning beams at the plurality of photodetectors in each of the photodetector sections;
In each of the multi-stage storage devices of the photodetector section, a step of simultaneously captures stores each signal of said plurality of simultaneous scanning beam,
It said plurality of said multi-stage storage device adjacent photodetector section, outputs the signal stored in the multi-stage storage device from the plurality of photodetectors section continuously simultaneously a series of pulses in parallel Steps,
Including a method.
前記複数の同時走査ビームの走査のタイミングと前記信号の前記読出しのタイミングを同期させるステップを更に含む、請求項5に記載の方法。 6. The method of claim 5, further comprising synchronizing the timing of scanning of the plurality of simultaneous scanning beams and the timing of reading of the signal. 前記取込み格納するステップが、前記複数の光検出器セクションの一部分のみにおいて同時に実行される、請求項5に記載の方法。 Wherein the step of incorporation storing are performed simultaneously in only a portion of the plurality of photodetectors section The method of claim 5.
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US7049586B2 (en) * 2002-02-21 2006-05-23 Applied Material Israel, Ltd. Multi beam scanning with bright/dark field imaging
US6809808B2 (en) * 2002-03-22 2004-10-26 Applied Materials, Inc. Wafer defect detection system with traveling lens multi-beam scanner
US7359045B2 (en) * 2002-05-06 2008-04-15 Applied Materials, Israel, Ltd. High speed laser scanning inspection system
DE102004004761A1 (en) * 2004-01-30 2005-09-08 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Apparatus and method for inspecting a wafer
US7440091B2 (en) * 2004-10-26 2008-10-21 Applied Materials, Inc. Sensors for dynamically detecting substrate breakage and misalignment of a moving substrate
KR20070086657A (en) * 2004-11-29 2007-08-27 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. Radiation beam source device
US7468507B2 (en) * 2005-01-26 2008-12-23 Applied Materials, Israel, Ltd. Optical spot grid array scanning system
US7468506B2 (en) * 2005-01-26 2008-12-23 Applied Materials, Israel, Ltd. Spot grid array scanning system
KR101332786B1 (en) * 2005-02-18 2013-11-25 쇼오트 아게 Method and apparatus for detecting and/or classifying defects
US7345754B1 (en) 2005-09-16 2008-03-18 Kla-Tencor Technologies Corp. Fourier filters and wafer inspection systems
US7684048B2 (en) * 2005-11-15 2010-03-23 Applied Materials Israel, Ltd. Scanning microscopy
US7528943B2 (en) * 2005-12-27 2009-05-05 Kla-Tencor Technologies Corporation Method and apparatus for simultaneous high-speed acquisition of multiple images
US7847929B2 (en) * 2006-08-23 2010-12-07 Applied Materials Israel, Ltd. Methods and apparatus for inspecting a plurality of dies
JP2008051773A (en) * 2006-08-28 2008-03-06 Hamamatsu Photonics Kk Fluorescence image acquisition device and fluorescence image acquisition method
JP5221858B2 (en) * 2006-08-30 2013-06-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ Defect inspection apparatus and defect inspection method
US7576348B2 (en) * 2006-09-20 2009-08-18 Applied Materials, Israel, Ltd. One-dimensional phase contrast microscopy with a traveling lens generated by a step function change
US7528940B2 (en) * 2006-10-30 2009-05-05 Applied Materials, Israel, Ltd. System and method for inspecting an object using an acousto-optic device
KR100814628B1 (en) * 2007-02-08 2008-03-18 주식회사 디이엔티 Apparatus for auditing of auto probe
JP5060808B2 (en) * 2007-03-27 2012-10-31 オリンパス株式会社 Appearance inspection device
US7990546B2 (en) * 2007-07-16 2011-08-02 Applied Materials Israel, Ltd. High throughput across-wafer-variation mapping
US8402785B2 (en) * 2007-11-09 2013-03-26 Corning Incorporated Method and apparatus for measuring surface shape profile
SG157977A1 (en) * 2008-06-23 2010-01-29 Semiconductor Tech & Instr Inc System and method for inspection of semiconductor packages
KR101477569B1 (en) * 2008-07-29 2014-12-30 어플라이드 머티리얼즈 이스라엘 리미티드 Mapping variations of a surface
US8276959B2 (en) 2008-08-08 2012-10-02 Applied Materials, Inc. Magnetic pad for end-effectors
SG164292A1 (en) * 2009-01-13 2010-09-29 Semiconductor Technologies & Instruments Pte System and method for inspecting a wafer
US8872912B2 (en) * 2009-09-22 2014-10-28 Cyberoptics Corporation High speed distributed optical sensor inspection system
US8670031B2 (en) * 2009-09-22 2014-03-11 Cyberoptics Corporation High speed optical inspection system with camera array and compact, integrated illuminator
US8894259B2 (en) * 2009-09-22 2014-11-25 Cyberoptics Corporation Dark field illuminator with large working area
US8681211B2 (en) * 2009-09-22 2014-03-25 Cyberoptics Corporation High speed optical inspection system with adaptive focusing
US8388204B2 (en) * 2009-09-22 2013-03-05 Cyberoptics Corporation High speed, high resolution, three dimensional solar cell inspection system
JP5525336B2 (en) 2010-06-08 2014-06-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ Defect inspection method and defect inspection apparatus
US8488117B2 (en) * 2010-10-10 2013-07-16 Applied Materials Israel, Ltd. Inspection system and method for fast changes of focus
JP5637841B2 (en) 2010-12-27 2014-12-10 株式会社日立ハイテクノロジーズ Inspection device
US9318870B2 (en) 2011-05-06 2016-04-19 Kla-Tencor Corporation Deep ultra-violet light sources for wafer and reticle inspection systems
US8896827B2 (en) * 2012-06-26 2014-11-25 Kla-Tencor Corporation Diode laser based broad band light sources for wafer inspection tools
US9395340B2 (en) 2013-03-15 2016-07-19 Kla-Tencor Corporation Interleaved acousto-optical device scanning for suppression of optical crosstalk
EP2781912B1 (en) * 2013-03-19 2021-05-05 Hennecke Systems GmbH Inspection system
KR101358112B1 (en) * 2013-04-29 2014-02-05 주식회사 서울금속 Vision inspection apparatus for inspecting plural sections of object
EP2816585A1 (en) * 2013-06-17 2014-12-24 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam system and method of operating thereof
AT514332B1 (en) * 2013-08-27 2014-12-15 Swarovski D Kg Arrangement for analyzing a light pattern caused by refraction and reflection on a gemstone
CN103646889A (en) * 2013-11-29 2014-03-19 上海华力微电子有限公司 A method for detecting wafer defects
KR102399493B1 (en) * 2014-01-23 2022-05-19 삼성전자주식회사 Surface inspection apparatus for semiconductor chips and method of inspecting surfaces of semiconductor chips using the same
US9546962B2 (en) 2014-02-12 2017-01-17 Kla-Tencor Corporation Multi-spot scanning collection optics
US9645097B2 (en) * 2014-06-20 2017-05-09 Kla-Tencor Corporation In-line wafer edge inspection, wafer pre-alignment, and wafer cleaning
US9606069B2 (en) * 2014-06-25 2017-03-28 Kla-Tencor Corporation Method, apparatus and system for generating multiple spatially separated inspection regions on a substrate
US9439568B2 (en) 2014-07-03 2016-09-13 Align Technology, Inc. Apparatus and method for measuring surface topography optically
US9261358B2 (en) 2014-07-03 2016-02-16 Align Technology, Inc. Chromatic confocal system
US9726615B2 (en) * 2014-07-22 2017-08-08 Kla-Tencor Corporation System and method for simultaneous dark field and phase contrast inspection
US9991176B2 (en) 2014-09-29 2018-06-05 Rudolph Technologies, Inc. Non-destructive acoustic metrology for void detection
IL243163B (en) * 2014-12-18 2021-02-28 Gordon Noam A lighting method for imaging specular reflections from a wide range of angles in a visual inspection system
IL243165B (en) * 2014-12-18 2021-09-30 Camtek Imaging Tech Suzhou Co Ltd Enhanced optical inspection using polarization imaging
DE102014119027B4 (en) * 2014-12-18 2024-08-08 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Device for multispot scanning microscopy
US10408766B2 (en) * 2015-02-04 2019-09-10 Bosch Packaging Technology K.K. Inspection device and inspection system
US9891175B2 (en) * 2015-05-08 2018-02-13 Kla-Tencor Corporation System and method for oblique incidence scanning with 2D array of spots
WO2017001897A1 (en) * 2015-06-30 2017-01-05 Bosch Car Multimedia Portugal, S.A. Device and method for the detection of defects on specular surfaces using diffuse patterned light
US9784689B2 (en) * 2015-07-10 2017-10-10 Applied Materials Israel Ltd. Method and system for inspecting an object with an array of beams
US9535014B1 (en) * 2015-07-15 2017-01-03 Applied Materials Israel Ltd. Systems and methods for inspecting an object
JP6856635B2 (en) * 2015-10-13 2021-04-07 オメガ バイオシステムズ インコーポレイテッド Multi-mode fluorescence imaging flow cytometry system
CN105865339B (en) * 2016-05-12 2018-06-05 哈尔滨工业大学 Divide pupil formula phase shift interference confocal micro-displacement measuring device
CN105865347B (en) * 2016-05-12 2018-10-26 哈尔滨工业大学 Pupil is divided to move burnt type confocal microscopy differential measuring method and device
CN106152972A (en) * 2016-08-11 2016-11-23 广西师范大学 A kind of phase-shift type optical projection three-dimension measuring system and method
US10422984B2 (en) 2017-05-12 2019-09-24 Applied Materials, Inc. Flexible mode scanning optical microscopy and inspection system
DE102017123510A1 (en) * 2017-10-10 2019-04-11 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Digital microscope and method for picking up a stack of microscopic images of a sample
US10217252B1 (en) * 2018-07-05 2019-02-26 Mistubishi Electric Research Laboratories, Inc. See-through sensing for image reconstruction of structure of target object
US11927873B2 (en) * 2018-08-14 2024-03-12 Femtonics Kft. Method of scanning an optical beam using an acousto-optic deflector driven by chirped acoustic signals
US10295476B1 (en) * 2018-08-14 2019-05-21 Applied Materials Israel Ltd. System and method for multiple mode inspection of a sample
TWI668426B (en) * 2018-08-15 2019-08-11 國立清華大學 Optical measuring device
CN110057726A (en) * 2019-03-19 2019-07-26 中国科学院上海光学精密机械研究所 Three-color light source common optical axis grain graininess measuring device
WO2021066984A1 (en) * 2019-09-30 2021-04-08 Applied Materials, Inc. Conveyor inspection system, substrate rotator, and test system having the same
CN110996074B (en) * 2020-01-04 2021-03-16 盛广济 Method for monitoring burst partition of curtain wall glass
JP7392582B2 (en) * 2020-06-12 2023-12-06 オムロン株式会社 Inspection system and method
CN113970567B (en) * 2020-07-22 2023-01-31 同方威视技术股份有限公司 Back scattering imaging device, control method and inspection system
US11526086B2 (en) * 2021-03-08 2022-12-13 Kla Corporation Multi-field scanning overlay metrology
US12092941B2 (en) 2021-05-18 2024-09-17 Applied Materials Israel Ltd. System for illuminating a substrate using an acousto-optic device
CN113533351B (en) * 2021-08-20 2023-12-22 合肥御微半导体技术有限公司 Panel defect detection device and detection method
JP2023092933A (en) * 2021-12-22 2023-07-04 株式会社ヴィーネックス Inspection device and inspection method
CN114384081B (en) * 2021-12-22 2023-07-28 西安工程大学 Textile cloth defect detection device and detection method thereof
US12092584B2 (en) 2022-04-26 2024-09-17 Applied Materials Israel Ltd. High throughput defect detection

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1306428A (en) 1970-11-23 1973-02-14 Nippon Telegraph & Telephone Arrangement for acousto-optical light deflection
US3771124A (en) * 1972-01-21 1973-11-06 Sperry Rand Corp Coherent optical processor fingerprint identification apparatus
JPS50147286A (en) * 1974-05-15 1975-11-26
US4441124A (en) * 1981-11-05 1984-04-03 Western Electric Company, Inc. Technique for inspecting semiconductor wafers for particulate contamination
JPS61211621A (en) * 1985-03-14 1986-09-19 Rinnai Corp Heating control
JPS61232427A (en) * 1985-04-08 1986-10-16 Fuji Photo Film Co Ltd Optical scanning and recording device
JPS61232428A (en) * 1985-04-08 1986-10-16 Fuji Photo Film Co Ltd Optical scanning device
JPS61252538A (en) * 1985-05-01 1986-11-10 Fuji Photo Film Co Ltd Acoustooptical element array
JPS61278824A (en) * 1985-06-05 1986-12-09 Fuji Photo Film Co Ltd Optical synthesizing device
DE3540916A1 (en) * 1985-11-19 1987-05-21 Zeiss Carl Fa METHOD AND DEVICE FOR SCREEN LIGHT MICROSCOPIC DISPLAY OF OBJECTS IN THE DARK FIELD
JPH0526966Y2 (en) * 1986-04-21 1993-07-08
JPS63211621A (en) * 1987-02-26 1988-09-02 Fujitsu Ltd Laser lithography
US4992880A (en) * 1989-05-24 1991-02-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy High definition video-rate laser-addressed liquid-crystal light-valve projection display
US5045932A (en) * 1989-06-29 1991-09-03 Eastman Kodak Company Method and apparatus for generating a high definition electronic signal from a line scan of a color original
US5065008A (en) 1989-10-18 1991-11-12 Fuji Photo Film Co., Ltd. Scanning microscope and scanning mechanism for the same
US6112114A (en) * 1991-12-16 2000-08-29 Laser Diagnostic Technologies, Inc. Eye examination apparatus employing polarized light probe
JP3140838B2 (en) * 1992-06-04 2001-03-05 大日本印刷株式会社 Image position shift correction method and apparatus, and image inspection apparatus
JP3207931B2 (en) * 1992-08-24 2001-09-10 大日本印刷株式会社 Image inspection equipment
US5641954A (en) * 1993-09-09 1997-06-24 The United States Of American As Represented By The Secretary Of The Air Force Programmable delay line using laser diode taps
US5493423A (en) * 1994-10-28 1996-02-20 Xerox Corporation Resettable pixel amplifier for an image sensor array
US5633747A (en) * 1994-12-21 1997-05-27 Tencor Instruments Variable spot-size scanning apparatus
JPH10148778A (en) * 1996-11-18 1998-06-02 Minolta Co Ltd Multi-beams generator
JP3703587B2 (en) * 1996-12-06 2005-10-05 富士写真フイルム株式会社 Light beam scanning apparatus and control method thereof
HUP9700348A1 (en) * 1997-02-04 1998-12-28 Holografika E.C. Method and device for displaying three-dimensional pictures
JP3363089B2 (en) * 1997-03-21 2003-01-07 ダルサ・インコーポレーテッド CCD array structure with tap
JP3411780B2 (en) * 1997-04-07 2003-06-03 レーザーテック株式会社 Laser microscope and pattern inspection apparatus using this laser microscope
JPH1155573A (en) * 1997-07-30 1999-02-26 Sony Corp Ccd solid-state image pickup element and its drive method
US6236454B1 (en) * 1997-12-15 2001-05-22 Applied Materials, Inc. Multiple beam scanner for an inspection system
JP3978528B2 (en) * 1998-04-16 2007-09-19 レーザーテック株式会社 Pattern defect inspection apparatus and laser microscope
US6256093B1 (en) * 1998-06-25 2001-07-03 Applied Materials, Inc. On-the-fly automatic defect classification for substrates using signal attributes
US6208411B1 (en) * 1998-09-28 2001-03-27 Kla-Tencor Corporation Massively parallel inspection and imaging system
JP3385524B2 (en) * 1998-10-06 2003-03-10 ダックエンジニアリング株式会社 Quality inspection equipment
US6587193B1 (en) * 1999-05-11 2003-07-01 Applied Materials, Inc. Inspection systems performing two-dimensional imaging with line light spot
US6628381B1 (en) * 2000-06-20 2003-09-30 Applied Materials, Inc. Optical inspection method and apparatus utilizing a collection angle design
JP3858571B2 (en) * 2000-07-27 2006-12-13 株式会社日立製作所 Pattern defect inspection method and apparatus
US6636301B1 (en) * 2000-08-10 2003-10-21 Kla-Tencor Corporation Multiple beam inspection apparatus and method
US6670598B1 (en) * 2000-09-06 2003-12-30 Xerox Corporation Low power autozero of pixel amplifier
US6731384B2 (en) * 2000-10-10 2004-05-04 Hitachi, Ltd. Apparatus for detecting foreign particle and defect and the same method
JP3190913B1 (en) * 2000-10-18 2001-07-23 レーザーテック株式会社 Imaging device and photomask defect inspection device
US6538730B2 (en) * 2001-04-06 2003-03-25 Kla-Tencor Technologies Corporation Defect detection system
US6775051B2 (en) * 2001-05-03 2004-08-10 Kla-Tencor Technologies Systems and methods for scanning a beam of light across a specimen
US6560005B2 (en) * 2001-08-07 2003-05-06 Tkd, Inc. Acousto-optic devices
US6884982B2 (en) * 2002-02-19 2005-04-26 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus for improving resolution and reducing the effects of signal coupling in an electronic imager
US6756563B2 (en) * 2002-03-07 2004-06-29 Orbotech Ltd. System and method for forming holes in substrates containing glass
US6809808B2 (en) * 2002-03-22 2004-10-26 Applied Materials, Inc. Wafer defect detection system with traveling lens multi-beam scanner

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US6853475B2 (en) 2005-02-08
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