JP5500993B2 - 半導体集積回路およびそれを搭載した無線通信端末 - Google Patents
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Description
まず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。代表的な実施の形態についての概要説明で括弧を付して参照する図面の参照符号はそれが付された構成要素の概念に含まれるものを例示するに過ぎない。
次に、実施の形態について更に詳述する。尚、発明を実施するための最良の形態を説明するための全図において、前記の図と同一の機能を有する部品には同一の符号を付して、その繰り返しの説明は省略する。
《チャンネル選択フィルタの構成》
図1は、本発明の実施の形態1によるLTE方式に対応するためのダイレクト・コンバージョン・WCDMA・レシーバーのチャンネル選択フィルタの構成を示す図である。
《より好適なチャンネル選択フィルタの構成》
図3は、本発明の実施の形態2によるLTE方式に対応するためのダイレクト・コンバージョン・WCDMA・レシーバーのより好適なチャンネル選択フィルタの構成を示す図である。
図4は、図3に示した本発明の実施の形態2のより好適なチャンネル選択フィルタのカットオフ周波数を700kHz、1.5MHz、2.5MHz、5MHz、7.5MHz、10MHzの各周波数に設定するための回路定数の設定条件を示す図である。
図5は、図3に示した本発明の実施の形態2のより好適なチャンネル選択フィルタにおいて図4の(A)に示した高周波カットオフ周波数でQ1=R23/R21の値とQ2=R33/R31の値とを低下する回路定数の設定条件の場合のカットオフ周波数を700kHz、1.5MHz、2.5MHz、5MHz、7.5MHz、10MHzの各周波数における伝達関数H(s)を減衰量0.0dB〜−3.5dBの変化範囲で示した図である。
《ダイレクト・コンバージョン・レシーバーの構成》
図7は、図3の本発明の実施の形態2によるチャンネル選択フィルタを使用した本発明の実施の形態4によるLTE方式に対応するためのダイレクト・コンバージョン・WCDMA・レシーバーの構成を示す図である。
図9は、第1と第2のチャンネル選択フィルタ50、80の各チャンネル選択フィルタを構成する図3に示した本発明の実施の形態2のより好適なチャンネル選択フィルタの可変帰還容量C1、C2、C3を構成するための容量バンクの構成を示す図である。
20…バンドパスフィルタ(BPF)
30…低雑音増幅器(LNA)
40…I信号ミキサー
50…第1チャンネル選択フィルタ
60…第1増幅器
70…Q信号ミキサー
80第2チャンネル選択フィルタ
90…第2増幅器
100…90度移相器
110…RF電圧制御発振器(VCO)
OPA1、OPA2…演算増幅器
R1、R2、R3…抵抗
C…帰還容量
INT…非反転入力端子
INB…反転入力端子
OPA11…第1段の演算増幅器
R11…抵抗
C1…可変帰還容量
OPA21…第2段の演算増幅器
R21…抵抗
C2…可変帰還容量
OPA22…第3段の演算増幅器
R23…可変帰還抵抗
R31…抵抗
C3…可変帰還容量
OPA31…第4段の演算増幅器
R33…可変帰還抵抗
OPA32…第5段の演算増幅器
OUTT…非反転出力端子
OUTB…反転出力端子
Claims (26)
- 無線通信のRF受信信号を受信する受信回路と前記受信回路のためのチャンネル選択フィルタとを具備する半導体集積回路であって、
前記チャンネル選択フィルタには、前記受信回路による前記RF受信信号のダウンコンバージョンによって生成されるダウンコンバート受信信号が供給され、
前記ダウンコンバート受信信号は、少なくとも数MHzの周波数を有する複数の帯域幅から選択可能とされたものであり、
前記チャンネル選択フィルタは、前記ダウンコンバート受信信号が供給される前段フィルタとしての第1段フィルタと前記前段フィルタよりも後段に配置され前記前段フィルタの出力が供給される第2段フィルタとの従属接続によって構成され、
前記第1段フィルタは、第1段演算増幅器と、前記第1段演算増幅器の入力端子に接続された第1入力抵抗と、前記第1段演算増幅器の前記入力端子と出力端子との間に接続された第1帰還容量とを含む完全積分器によって構成され、
前記第2段フィルタは、第2段演算増幅器と、前記第2段演算増幅器の入力端子に接続された第2入力抵抗と、前記第2段演算増幅器の前記入力端子と出力端子との間に接続された第2帰還容量と可変帰還抵抗との並列接続とを含む不完全積分器によって構成されたことを特徴とする半導体集積回路。 - 前記チャンネル選択フィルタは、前記第1段演算増幅器の前記入力端子と前記第2段演算増幅器の前記出力端子との間に接続された入出力帰還抵抗を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。
- 前記第1段演算増幅器と前記第1入力抵抗と前記第1帰還容量と、前記第2段演算増幅器と前記第2入力抵抗と前記第2帰還容量と前記可変帰還抵抗と、前記入出力帰還抵抗とは、半導体チップの内部に集積化されたこと特徴とする請求項2に記載の半導体集積回路。
- 前記第1段演算増幅器と前記第2段演算増幅器とは、入出力端子が差動形式とされ、前記第1入力抵抗は2個の抵抗を含み、前記第1帰還容量は2個の容量を含み、前記第2入力抵抗は2個の抵抗を含み、前記第2帰還容量は2個の容量を含み、前記可変帰還抵抗は2個の抵抗を含み、前記入出力帰還抵抗は2個の抵抗を含み、
前記第1入力抵抗の一方の抵抗と他方の抵抗とは前記第1段演算増幅器の反転入力端子と非反転入力端子とにそれぞれ接続され、前記第1帰還容量の一方の容量と他方の容量とは前記第1段演算増幅器の前記反転入力端子と非反転出力端子との間と前記第1段演算増幅器の前記非反転入力端子と反転出力端子との間とにそれぞれ接続され、
前記第2入力抵抗の一方の抵抗と他方の抵抗とは、前記第1段演算増幅器の前記非反転出力端子と前記第2段演算増幅器の反転入力端子との間と前記第1段演算増幅器の前記反転出力端子と前記第2段演算増幅器の非反転入力端子との間とにそれぞれ接続され、
前記第2帰還容量の一方の容量と前記可変帰還抵抗の一方の抵抗との一方の並列接続は前記第2段演算増幅器の前記反転入力端子と非反転出力端子との間とにそれぞれ接続され、前記第2帰還容量の他方の容量と前記可変帰還抵抗の他方の抵抗との他方の並列接続は前記第2段演算増幅器の前記非反転入力端子と反転出力端子との間とにそれぞれ接続され、
前記入出力帰還抵抗の一方の抵抗と他方の抵抗とは、前記第1段演算増幅器の前記反転入力端子と前記第2段演算増幅器の前記反転出力端子との間と前記第1段演算増幅器の前記非反転入力端子と前記第2段演算増幅器の前記非反転出力端子との間とにそれぞれ接続されたことを特徴とする請求項3に記載の半導体集積回路。 - 前記チャンネル選択フィルタのカットオフ周波数は、前記複数の帯域幅から選択される高カットオフ周波数と低カットオフ周波数とに設定可能とされ、
前記チャンネル選択フィルタが前記低カットオフ周波数に設定される際の前記可変帰還抵抗の前記第2入力抵抗および前記入出力帰還抵抗との比は、前記チャンネル選択フィルタが前記高カットオフ周波数に設定される際の前記可変帰還抵抗の前記第2入力抵抗および前記入出力帰還抵抗との比より小さな値に設定されることを特徴とする請求項4に記載の半導体集積回路。 - 前記チャンネル選択フィルタは、前段チャンネル選択フィルタと後段チャンネル選択フィルタとの従属接続を含み、
前記前段チャンネル選択フィルタと前記後段チャンネル選択フィルタの各チャンネル選択フィルタは、前記第1段フィルタと前記第2段フィルタとの前記従属接続によって構成されたことを特徴とする請求項5に記載の半導体集積回路。 - 前記半導体集積回路の前記受信回路と前記チャンネル選択フィルタとは、低雑音増幅器、I信号ミキサー、第1チャンネル選択フィルタ、第1増幅器、Q信号ミキサー、第2チャンネル選択フィルタ、第2増幅器、90度移相器、RF電圧制御発振器を含み、
前記RF電圧制御発振器と前記90度移相器とによって、略90度の位相差を持つIローカル信号とQローカル信号とが、前記I信号ミキサーと前記Q信号ミキサーとにそれぞれ供給され、
前記RF受信信号は前記低雑音増幅器の入力端子に供給され、前記低雑音増幅器のRF受信増幅信号は直交ダウンコンバージョンミキサーを構成する前記I信号ミキサーと前記Q信号ミキサーにそれぞれ供給され、
前記I信号ミキサーから生成されるI受信信号は前記第1チャンネル選択フィルタと前記第1増幅器とに供給される一方、前記Q信号ミキサーから生成されるQ受信信号は前記第2チャンネル選択フィルタと前記第2増幅器とに供給される。
前記第1チャンネル選択フィルタと前記第2チャンネル選択フィルタとの各チャンネル選択フィルタは、前記前段チャンネル選択フィルタと前記後段チャンネル選択フィルタとの前記従属接続を含むことを特徴とする請求項6に記載の半導体集積回路。 - 前記受信回路の前記I信号ミキサーと前記Q信号ミキサーで構成された前記直交ダウンコンバージョンミキサーは、ダイレクト・コンバージョン・レシーバーまたはローIFレシーバーのいずれかを構成することを特徴とする請求項7に記載の半導体集積回路。
- 前記第1チャンネル選択フィルタと前記第2チャンネル選択フィルタとの前記各チャンネル選択フィルタのカットオフ周波数は、ロング・ターム・エボリューション方式に従って高カットオフ周波数と低カットオフ周波数とに設定可能とされることを特徴とする請求項8に記載の半導体集積回路。
- 前記低雑音増幅器の前記入力端子に供給される前記RF受信信号は、WCDMA方式によるRF受信信号であることを特徴とする請求項9に記載の半導体集積回路。
- 半導体集積回路を搭載した無線通信端末であって、
前記半導体集積回路は、無線通信のRF受信信号を受信する受信回路と前記受信回路のためのチャンネル選択フィルタとを具備して、
前記チャンネル選択フィルタには、前記受信回路による前記RF受信信号のダウンコンバージョンによって生成されるダウンコンバート受信信号が供給され、
前記ダウンコンバート受信信号は、少なくとも数MHzの周波数を有する複数の帯域幅から選択可能とされたものであり、
前記チャンネル選択フィルタは、前記ダウンコンバート受信信号が供給される前段フィルタとしての第1段フィルタと前記前段フィルタよりも後段に配置され前記前段フィルタの出力が供給される第2段フィルタとの従属接続によって構成され、
前記第1段フィルタは、第1段演算増幅器と、前記第1段演算増幅器の入力端子に接続された第1入力抵抗と、前記第1段演算増幅器の前記入力端子と出力端子との間に接続された第1帰還容量とを含む完全積分器によって構成され、
前記第2段フィルタは、第2段演算増幅器と、前記第2段演算増幅器の入力端子に接続された第2入力抵抗と、前記第2段演算増幅器の前記入力端子と出力端子との間に接続された第2帰還容量と可変帰還抵抗との並列接続とを含む不完全積分器によって構成されたことを特徴とする無線通信端末。 - 前記チャンネル選択フィルタは、前記第1段演算増幅器の前記入力端子と前記第2段演算増幅器の前記出力端子との間に接続された入出力帰還抵抗を更に含むことを特徴とする請求項11に記載の無線通信端末。
- 前記第1段演算増幅器と前記第1入力抵抗と前記第1帰還容量と、前記第2段演算増幅器と前記第2入力抵抗と前記第2帰還容量と前記可変帰還抵抗と、前記入出力帰還抵抗とは、半導体チップの内部に集積化されたこと特徴とする請求項12に記載の無線通信端。
- 前記第1段演算増幅器と前記第2段演算増幅器とは、入出力端子が差動形式とされ、前記第1入力抵抗は2個の抵抗を含み、前記第1帰還容量は2個の容量を含み、前記第2入力抵抗は2個の抵抗を含み、前記第2帰還容量は2個の容量を含み、前記可変帰還抵抗は2個の抵抗を含み、前記入出力帰還抵抗は2個の抵抗を含み、
前記第1入力抵抗の一方の抵抗と他方の抵抗とは前記第1段演算増幅器の反転入力端子と非反転入力端子とにそれぞれ接続され、前記第1帰還容量の一方の容量と他方の容量とは前記第1段演算増幅器の前記反転入力端子と非反転出力端子との間と前記第1段演算増幅器の前記非反転入力端子と反転出力端子との間とにそれぞれ接続され、
前記第2入力抵抗の一方の抵抗と他方の抵抗とは、前記第1段演算増幅器の前記非反転出力端子と前記第2段演算増幅器の反転入力端子との間と前記第1段演算増幅器の前記反転出力端子と前記第2段演算増幅器の非反転入力端子との間とにそれぞれ接続され、
前記第2帰還容量の一方の容量と前記可変帰還抵抗の一方の抵抗との一方の並列接続は前記第2段演算増幅器の前記反転入力端子と非反転出力端子との間とにそれぞれ接続され、前記第2帰還容量の他方の容量と前記可変帰還抵抗の他方の抵抗との他方の並列接続は前記第2段演算増幅器の前記非反転入力端子と反転出力端子との間とにそれぞれ接続され、
前記入出力帰還抵抗の一方の抵抗と他方の抵抗とは、前記第1段演算増幅器の前記反転入力端子と前記第2段演算増幅器の前記反転出力端子との間と前記第1段演算増幅器の前記非反転入力端子と前記第2段演算増幅器の前記非反転出力端子との間とにそれぞれ接続されたことを特徴とする請求項13に記載の無線通信端末。 - 前記チャンネル選択フィルタのカットオフ周波数は、前記複数の帯域幅から選択される高カットオフ周波数と低カットオフ周波数とに設定可能とされ、
前記チャンネル選択フィルタが前記低カットオフ周波数に設定される際の前記可変帰還抵抗の前記第2入力抵抗および前記入出力帰還抵抗との比は、前記チャンネル選択フィルタが前記高カットオフ周波数に設定される際の前記可変帰還抵抗の前記第2入力抵抗および前記入出力帰還抵抗との比より小さな値に設定されることを特徴とする請求項14に記載の無線通信端末。 - 前記チャンネル選択フィルタは、前段チャンネル選択フィルタと後段チャンネル選択フィルタとの従属接続を含み、
前記前段チャンネル選択フィルタと前記後段チャンネル選択フィルタの各チャンネル選択フィルタは、前記第1段フィルタと前記第2段フィルタとの前記従属接続によって構成されたことを特徴とする請求項15に記載の無線通信端末。 - 前記半導体集積回路の前記受信回路と前記チャンネル選択フィルタとは、低雑音増幅器、I信号ミキサー、第1チャンネル選択フィルタ、第1増幅器、Q信号ミキサー、第2チャンネル選択フィルタ、第2増幅器、90度移相器、RF電圧制御発振器を含み、
前記RF電圧制御発振器と前記90度移相器とによって、略90度の位相差を持つIローカル信号とQローカル信号とが、前記I信号ミキサーと前記Q信号ミキサーとにそれぞれ供給され、
前記RF受信信号は前記低雑音増幅器の入力端子に供給され、前記低雑音増幅器のRF受信増幅信号は直交ダウンコンバージョンミキサーを構成する前記I信号ミキサーと前記Q信号ミキサーにそれぞれ供給され、
前記I信号ミキサーから生成されるI受信信号は前記第1チャンネル選択フィルタと前記第1増幅器とに供給される一方、前記Q信号ミキサーから生成されるQ受信信号は前記第2チャンネル選択フィルタと前記第2増幅器とに供給される。
前記第1チャンネル選択フィルタと前記第2チャンネル選択フィルタとの各チャンネル選択フィルタは、前記前段チャンネル選択フィルタと前記後段チャンネル選択フィルタとの前記従属接続を含むことを特徴とする請求項16に記載の無線通信端末。 - 前記受信回路の前記I信号ミキサーと前記Q信号ミキサーで構成された前記直交ダウンコンバージョンミキサーは、ダイレクト・コンバージョン・レシーバーまたはローIFレシーバーのいずれかを構成することを特徴とする請求項17に記載の無線通信端末。
- 前記第1チャンネル選択フィルタと前記第2チャンネル選択フィルタとの前記各チャンネル選択フィルタのカットオフ周波数は、ロング・ターム・エボリューション方式に従って高カットオフ周波数と低カットオフ周波数とに設定可能とされることを特徴とする請求項18に記載の無線通信端末。
- 前記低雑音増幅器の前記入力端子に供給される前記RF受信信号は、WCDMA方式によるRF受信信号であることを特徴とする請求項19に記載の無線通信端末。
- 無線通信のRF受信信号を受信する受信回路と前記受信回路のためのチャンネル選択フィルタとを具備する半導体集積回路であって、
前記チャンネル選択フィルタには、前記受信回路による前記RF受信信号のダウンコンバージョンによって生成されるダウンコンバート受信信号が供給され、
前記ダウンコンバート受信信号は、少なくとも数MHzの周波数を有する複数の帯域幅から選択可能とされたものであり、
前記チャンネル選択フィルタは、前記ダウンコンバート受信信号が供給される前段フィルタとしての第1段フィルタと前記前段フィルタよりも後段に配置され前記前段フィルタの出力が供給される第2段フィルタとの従属接続によって構成され、
前記第1段フィルタは、第1段演算増幅器と、前記第1段演算増幅器の入力端子に接続された第1入力抵抗と、前記第1段演算増幅器の前記入力端子と出力端子との間に接続された第1帰還容量とを含む第1積分器によって構成され、
前記第2段フィルタは、第2段演算増幅器と、前記第2段演算増幅器の入力端子に接続された第2入力抵抗と、前記第2段演算増幅器の前記入力端子と出力端子との間に接続された第2帰還容量と可変帰還抵抗との並列接続とを含む第2積分器によって構成されたことを特徴とする半導体集積回路。 - 前記第1演算増幅器の出力端子は、前記第2入力抵抗を介して前記第2演算増幅器と電気的に接続され、
前記第2積分器は、前記第2帰還容量の電荷が前記可変帰還抵抗で放電される請求項21に記載の半導体集積回路。 - 前記チャンネル選択フィルタは、前記第1段演算増幅器の前記入力端子と前記第2段演算増幅器の前記出力端子との間に接続された入出力帰還抵抗を更に含むことを特徴とする請求項22に記載の半導体集積回路。
- 前記第1段演算増幅器と前記第1入力抵抗と前記第1帰還容量と、前記第2段演算増幅器と前記第2入力抵抗と前記第2帰還容量と前記可変帰還抵抗と、前記入出力帰還抵抗とは、半導体チップの内部に集積化されたこと特徴とする請求項23に記載の半導体集積回路。
- 前記第1段演算増幅器と前記第2段演算増幅器とは、入出力端子が差動形式とされ、前記第1入力抵抗は2個の抵抗を含み、前記第1帰還容量は2個の容量を含み、前記第2入力抵抗は2個の抵抗を含み、前記第2帰還容量は2個の容量を含み、前記可変帰還抵抗は2個の抵抗を含み、前記入出力帰還抵抗は2個の抵抗を含み、
前記第1入力抵抗の一方の抵抗と他方の抵抗とは前記第1段演算増幅器の反転入力端子と非反転入力端子とにそれぞれ接続され、前記第1帰還容量の一方の容量と他方の容量とは前記第1段演算増幅器の前記反転入力端子と非反転出力端子との間と前記第1段演算増幅器の前記非反転入力端子と反転出力端子との間とにそれぞれ接続され、
前記第2入力抵抗の一方の抵抗と他方の抵抗とは、前記第1段演算増幅器の前記非反転出力端子と前記第2段演算増幅器の反転入力端子との間と前記第1段演算増幅器の前記反転出力端子と前記第2段演算増幅器の非反転入力端子との間とにそれぞれ接続され、
前記第2帰還容量の一方の容量と前記可変帰還抵抗の一方の抵抗との一方の並列接続は前記第2段演算増幅器の前記反転入力端子と非反転出力端子との間とにそれぞれ接続され、前記第2帰還容量の他方の容量と前記可変帰還抵抗の他方の抵抗との他方の並列接続は前記第2段演算増幅器の前記非反転入力端子と反転出力端子との間とにそれぞれ接続され、
前記入出力帰還抵抗の一方の抵抗と他方の抵抗とは、前記第1段演算増幅器の前記反転入力端子と前記第2段演算増幅器の前記反転出力端子との間と前記第1段演算増幅器の前記非反転入力端子と前記第2段演算増幅器の前記非反転出力端子との間とにそれぞれ接続されたことを特徴とする請求項24に記載の半導体集積回路。 - 前記チャンネル選択フィルタのカットオフ周波数は、前記複数の帯域幅から選択される高カットオフ周波数と低カットオフ周波数とに設定可能とされ、
前記チャンネル選択フィルタが前記低カットオフ周波数に設定される際の前記可変帰還抵抗の前記第2入力抵抗および前記入出力帰還抵抗との比は、前記チャンネル選択フィルタが前記高カットオフ周波数に設定される際の前記可変帰還抵抗の前記第2入力抵抗および前記入出力帰還抵抗との比より小さな値に設定されることを特徴とする請求項25に記載の半導体集積回路。
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