JP5493791B2 - Manufacturing method of electro-optical device - Google Patents

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Description

本発明は、電気光学装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing an electro-optical device.

電気光学装置の1つとして、例えば、陽極と陰極との間に発光層などの有機膜が挟持された構造の有機EL(エレクトロルミネッセンス)装置がある。有機EL装置の製造方法としては、まず、複数の有機EL装置を形成するため、ガラス基板(マザー基板)上の複数の領域に有機EL層を形成する。次に、それぞれの有機EL層の領域毎にシール材を塗布し、その後、もう一つのガラス基板(マザー基板)を用いて各有機EL層を封止する。次に、有機EL装置の外形(四角形状)となる切断ラインに沿って一対のガラス基板に、例えば、特許文献1に記載のような、切断処理(例えば、ダイシング)を施し、複数の有機EL装置に分離する。   As one of the electro-optical devices, for example, there is an organic EL (electroluminescence) device having a structure in which an organic film such as a light emitting layer is sandwiched between an anode and a cathode. As a method for manufacturing an organic EL device, first, an organic EL layer is formed in a plurality of regions on a glass substrate (mother substrate) in order to form a plurality of organic EL devices. Next, a sealing material is applied to each region of each organic EL layer, and then each organic EL layer is sealed using another glass substrate (mother substrate). Next, a cutting process (for example, dicing) as described in Patent Document 1 is performed on a pair of glass substrates along a cutting line that is an outer shape (rectangular shape) of the organic EL device, and a plurality of organic ELs are thus obtained. Separate into equipment.

特開2003−223111号公報JP 2003-223111 A

しかしながら、ガラス基板の厚みを薄くすると有機EL装置の特にコーナーの強度が弱くなり、切断処理を行った際、切断する応力によってコーナーに欠けや割れが発生しやすい。言い換えれば、切断処理が安定してできないという課題があった。   However, when the thickness of the glass substrate is reduced, the corner strength of the organic EL device is particularly weakened, and when the cutting process is performed, the corner is likely to be chipped or cracked due to the cutting stress. In other words, there was a problem that the cutting process could not be performed stably.

また、完成品となった有機EL装置の取り扱いにおいて、コーナーに割れや欠けが発生し易いという課題があった。   Further, in handling the organic EL device as a finished product, there is a problem that the corners are easily cracked or chipped.

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

[適用例1]本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、電気光学素子が設けられた第1基板と、前記第1基板に対向配置されこれを封着する第2基板と、を備えた電気光学パネルを有する電気光学装置の製造方法であって、前記第1基板が面付けされた第1マザーガラス基板において、前記第2基板のコーナー部の領域を含む格子状にシール材を塗布する塗布工程と、前記シール材を介して前記第1マザーガラス基板に前記第2基板が面付けされた第2マザーガラス基板を対向して貼り付ける貼付工程と、前記第1マザーガラス基板及び前記第2マザーガラス基板を、前記電気光学パネルの形状に相当する切断ラインに沿って切断する切断工程と、を有することを特徴とする。   Application Example 1 A method of manufacturing an electro-optical device according to this application example includes a first substrate on which an electro-optical element is provided, and a second substrate that is disposed opposite to the first substrate and seals the first substrate. A method of manufacturing an electro-optical device having an electro-optical panel, wherein a sealing material is applied in a lattice shape including a region of a corner portion of the second substrate on a first mother glass substrate on which the first substrate is imposed. An applying step, an attaching step of attaching the second mother glass substrate with the second substrate imposed on the first mother glass substrate through the sealing material, the first mother glass substrate and the first mother glass substrate, And a cutting step of cutting the second mother glass substrate along a cutting line corresponding to the shape of the electro-optic panel.

この方法によれば、塗布工程において第2基板のコーナー部の領域を含む格子状にシール材を塗布するので、切断工程において電気光学パネルの形状に切断した際、第1基板と第2基板とが重なるコーナー部にシール材を介在させることができる。つまり、格子状にシール材を塗布したことで、電気光学パネルの中で強度が比較的弱いコーナー部の部分にも、シール材を介在させることができる。よって、切断工程において電気光学パネルの形状に切断した際、コーナー部の強度を強くすることが可能となり、安定して切断することができる。これにより、コーナー部が割れたり欠けたりすることを抑えることができる。また、完成品となった電気光学パネルを扱う際に応力が加わった場合でも、コーナー部が破損することを抑えることができる。   According to this method, since the sealing material is applied in a lattice shape including the corner area of the second substrate in the application process, when the electro-optical panel is cut in the cutting process, the first substrate and the second substrate A sealing material can be interposed in the corner portion where the two overlap. In other words, by applying the sealing material in a lattice shape, the sealing material can be interposed also in the corner portion where the strength is relatively weak in the electro-optical panel. Therefore, when cutting into the shape of the electro-optical panel in the cutting step, the strength of the corner portion can be increased, and the cutting can be stably performed. Thereby, it can suppress that a corner part is cracked or chipped. Further, even when stress is applied when the electro-optical panel that is a finished product is handled, it is possible to prevent the corner portion from being damaged.

[適用例2]上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記塗布工程は、前記第1マザーガラス基板における対向する一端から他端に亘って順に格子状に前記シール材を塗布することが好ましい。   Application Example 2 In the method of manufacturing an electro-optical device according to the application example, the application step applies the sealing material in a lattice shape sequentially from one end to the other end of the first mother glass substrate. Is preferred.

この方法によれば、シール材を第1マザーガラス基板の一端から他端に亘って順に格子状に塗布するので、シール材の塗布する方向を何回も変えずに行うことができる。また、順に塗布していくので塗布量を比較的安定させることができる。また、一端から他端に亘ってシール材を塗布するので、電気光学パネルの形状に切断した場合でも、破材同士を繋ぎとめておくことが可能となり、破材がばらばらになることを抑えることができる。   According to this method, since the sealing material is applied in a grid pattern in order from one end to the other end of the first mother glass substrate, it can be performed without changing the direction in which the sealing material is applied many times. Moreover, since it coats in order, the coating amount can be made relatively stable. In addition, since the sealing material is applied from one end to the other, even when cut into the shape of the electro-optic panel, it is possible to keep the broken materials connected together, and to prevent the broken materials from being separated. Can do.

[適用例3]上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記第1基板は、前記第2基板と平面的に重なり合わない端子部の領域を有し、前記塗布工程は、前記第2基板の辺より前記端子部側にはみ出さないように前記シール材を前記第1マザーガラス基板に塗布することが好ましい。   Application Example 3 In the method of manufacturing an electro-optical device according to the application example, the first substrate has a terminal area that does not overlap the second substrate in a planar manner, It is preferable to apply the sealing material to the first mother glass substrate so as not to protrude from the sides of the two substrates to the terminal portion side.

この方法によれば、第2基板の辺より端子部側にはみ出さないように塗布するので、切断工程において、第2マザーガラス基板における端子部の領域を切断する際、シール材の縁に沿って切断することが可能となる。よって、シール材に影響されることなく切断部分を取り除くことができる。また、切断した後の電気光学パネルの外周の縁にシール材を残すことが可能となり、電気光学パネルの中に不純物が侵入することを防ぐことができる。   According to this method, since the coating is performed so as not to protrude from the side of the second substrate to the terminal portion side, in the cutting step, when cutting the region of the terminal portion in the second mother glass substrate, along the edge of the sealing material. Can be cut. Therefore, the cut portion can be removed without being affected by the sealing material. In addition, it becomes possible to leave a sealing material on the outer peripheral edge of the electro-optical panel after cutting, and impurities can be prevented from entering the electro-optical panel.

[適用例4]上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記塗布工程は、前記電気光学パネルにおける前記端子部の領域を除くコーナー部の面形状に沿って前記シール材を塗布することが好ましい。   Application Example 4 In the method of manufacturing an electro-optical device according to the application example, the application step applies the sealing material along a surface shape of a corner portion excluding the terminal portion region in the electro-optical panel. Is preferred.

この方法によれば、コーナー部に面形状に沿ってシール材を塗布するので、電気光学パネルの形状に切断したとき、コーナー部の面形状に沿ってシール材を介在させることができる。よって、コーナー部における基板間に隙間がある場合と比較して、コーナー部の強度を向上させることができる。   According to this method, since the sealing material is applied to the corner portion along the surface shape, the sealing material can be interposed along the surface shape of the corner portion when cut into the shape of the electro-optical panel. Therefore, compared with the case where there is a gap between the substrates in the corner portion, the strength of the corner portion can be improved.

[適用例5]上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記塗布工程は、前記シール材が交差する部分において、前記シール材の塗布量が他の部分の塗布量と同等になるように塗布量を変える、又は、塗布のタイミングを変えることが好ましい。   Application Example 5 In the method of manufacturing the electro-optical device according to the application example, the application step is such that the application amount of the seal material is equal to the application amount of the other portions in the portion where the seal material intersects. It is preferable to change the application amount or the application timing.

この方法によれば、交差部分において、シール材の塗布量、又は塗布タイミングを変えるので、交差部分にシール材が過剰に塗布されることを抑えることができる。これにより、電気光学パネルの表示領域にシール材がはみ出すことを抑えることができる。   According to this method, since the application amount or application timing of the sealing material is changed at the intersection, it is possible to suppress the excessive application of the sealing material to the intersection. Thereby, it can suppress that a sealing material protrudes in the display area of an electro-optical panel.

[適用例6]上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記第1マザーガラス基板には、複数の第1基板がマトリクス状に面付けされており、前記塗布工程は、前記複数の第1基板に跨るように前記シール材を格子状に塗布することが好ましい。   Application Example 6 In the method of manufacturing an electro-optical device according to the application example described above, the first mother glass substrate has a plurality of first substrates faced in a matrix, and the coating process includes the plurality of application steps. It is preferable to apply the sealing material in a lattice shape so as to straddle the first substrate.

この方法によれば、複数の電気光学パネルを効率よく製造することが可能となり、多数個取り加工の生産性を向上させることができる。   According to this method, it is possible to efficiently manufacture a plurality of electro-optical panels, and it is possible to improve the productivity of multi-cavity processing.

[適用例7]上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記切断工程は、前記第1基板の前記端子部の領域のコーナー部を面取りするように切断することが好ましい。   Application Example 7 In the method of manufacturing the electro-optical device according to the application example, it is preferable that the cutting step is performed so that a corner portion of the terminal portion region of the first substrate is chamfered.

この方法によれば、端子部の領域のコーナー部を面取りするので、コーナー部の強度を向上させることができる。   According to this method, since the corner portion in the region of the terminal portion is chamfered, the strength of the corner portion can be improved.

[適用例8]上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記切断工程は、ダイシング法又はレーザー切断法を用いて、前記第1マザーガラス基板及び前記第2マザーガラス基板を切断することが好ましい。   Application Example 8 In the electro-optical device manufacturing method according to the application example, the cutting step includes cutting the first mother glass substrate and the second mother glass substrate using a dicing method or a laser cutting method. Is preferred.

この方法によれば、ダイシング法又はレーザー切断法を用いるので、シール材を含むガラス基板の部分を切断することができる。また、電気光学パネルとなった外周にシール材を介在させることが可能となり、電気光学パネルの強度を向上させることができる。   According to this method, since the dicing method or the laser cutting method is used, the portion of the glass substrate including the sealing material can be cut. Moreover, it becomes possible to interpose a sealing material on the outer periphery which becomes the electro-optical panel, and the strength of the electro-optical panel can be improved.

[適用例9]上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記電気光学パネルの厚みが100μm以下で構成され、少なくとも一方が透明な一対の樹脂フィルムで前記電気光学パネルを挟んでラミネートするラミネート工程を有することが好ましい。   Application Example 9 In the method of manufacturing an electro-optical device according to the application example, the electro-optical panel is laminated with a thickness of the electro-optical panel being 100 μm or less and at least one of which is transparent. It is preferable to have a laminating process.

この方法によれば、電気光学パネルを構成するガラス基板からなる第1基板及び第2基板を樹脂フィルムでラミネートするので、電気光学パネルのコーナー部への衝撃を緩和することができる。また、ガラス基板が破損したとき等、外部に飛散することを防ぐことが可能となり、安全性を向上させることができる。   According to this method, since the first substrate and the second substrate made of the glass substrate constituting the electro-optical panel are laminated with the resin film, the impact on the corner portion of the electro-optical panel can be reduced. Further, when the glass substrate is damaged, it is possible to prevent the glass substrate from being scattered outside, and safety can be improved.

第1実施形態の電気光学装置としての有機EL装置の構成を示す模式平面図。1 is a schematic plan view illustrating a configuration of an organic EL device as an electro-optical device according to a first embodiment. 図1に示す有機EL装置のA−A'線に沿う模式断面図。The schematic cross section which follows the AA 'line of the organic electroluminescent apparatus shown in FIG. 有機EL装置の電気的な構成を示す等価回路図。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram illustrating an electrical configuration of the organic EL device. 有機EL装置を構成する表示パネルの構造を示す模式断面図。The schematic cross section which shows the structure of the display panel which comprises an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置の製造方法を示すフローチャート。The flowchart which shows the manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置の製造方法の一部を示す模式平面図。The schematic plan view which shows a part of manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置の製造方法の一部を示す模式平面図。The schematic plan view which shows a part of manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置の製造方法の一部を示す模式平面図。The schematic plan view which shows a part of manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置の製造方法の一部を示す模式図。The schematic diagram which shows a part of manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus. 第2実施形態の有機EL装置の製造方法の一部を示す模式平面図。The schematic plan view which shows a part of manufacturing method of the organic EL apparatus of 2nd Embodiment. 有機EL装置の製造方法の一部を示す模式平面図。The schematic plan view which shows a part of manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置の製造方法の一部を示す模式平面図。The schematic plan view which shows a part of manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置の製造方法の変形例を示す模式平面図。The schematic plan view which shows the modification of the manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置の製造方法の変形例を示す模式平面図。The schematic plan view which shows the modification of the manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus.

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings. Note that the drawings to be used are appropriately enlarged or reduced so that the part to be described can be recognized.

(第1実施形態)
<電気光学装置の構成>
図1は、電気光学装置としての有機EL装置の構成を示す模式平面図である。図2は、図1に示す有機EL装置のA−A'線に沿う模式断面図である。以下、有機EL装置の構成を、図1及び図2を参照しながら説明する。
(First embodiment)
<Configuration of electro-optical device>
FIG. 1 is a schematic plan view showing a configuration of an organic EL device as an electro-optical device. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along the line AA ′ of the organic EL device shown in FIG. Hereinafter, the configuration of the organic EL device will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

図1に示すように、有機EL装置11は、外形が矩形状の電気光学パネルとしての表示パネル12を内包した表示部13を備えている。表示パネル12は、R(赤)、G(緑)、B(青)、3色の色表示が可能な複数の画素14が設けられた表示領域15を有している。複数の画素14は、表示領域15において3色のうち同色の画素14が短辺に沿った方向に配列した所謂ストライプ状の配列となっている。なお、画素14の配列はこれに限定されるものではない。   As shown in FIG. 1, the organic EL device 11 includes a display unit 13 including a display panel 12 as an electro-optical panel having a rectangular outer shape. The display panel 12 has a display area 15 provided with a plurality of pixels 14 capable of displaying three colors, R (red), G (green), B (blue). The plurality of pixels 14 have a so-called stripe arrangement in which pixels 14 of the same color among the three colors are arranged in the direction along the short side in the display region 15. Note that the arrangement of the pixels 14 is not limited to this.

表示パネル12の長辺に沿って設けられた端子部16には、表示パネル12を駆動制御する表示制御部(図示せず)との電気的な接続を図るべく、複数(例えば、3つ)の中継基板17a,17b,17cが実装されている。中継基板17a,17b,17cは、例えばフレキシブル回路基板(FPC)であって、その表面に表示パネル12を駆動する駆動回路の一部を構成する、例えばドライバーICなどの電子部品を実装したものも採用することができる。   A plurality of (for example, three) terminal portions 16 provided along the long side of the display panel 12 are connected to a display control unit (not shown) for driving and controlling the display panel 12. Relay boards 17a, 17b, and 17c are mounted. The relay boards 17a, 17b, and 17c are, for example, flexible circuit boards (FPC), and have a surface on which an electronic component such as a driver IC that constitutes a part of a drive circuit that drives the display panel 12 is mounted. Can be adopted.

図2に示すように、有機EL装置11の表示部13は、中継基板17aが実装された表示パネル12を樹脂フィルム21と樹脂フィルム22との間に挟んでラミネートされた構造となっている。   As shown in FIG. 2, the display unit 13 of the organic EL device 11 has a structure in which the display panel 12 on which the relay substrate 17 a is mounted is sandwiched between a resin film 21 and a resin film 22.

表示パネル12は、画素14ごとに対応して設けられた電気光学素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子23(以降、「有機EL素子23」と称する)を有する第1基板31と、同じく画素14ごとに対応して設けられた着色層を具備するカラーフィルター24を有する第2基板32とを、可視光透過性を有する封止樹脂25を介してシール材26により接合したものである。有機EL素子23は白色光を発するものであり、白色光がカラーフィルター24を透過して第2基板32側から射出することにより、カラー表示を可能とする所謂トップエミッション構造となっている。   The display panel 12 includes a first substrate 31 having an organic electroluminescence element 23 (hereinafter, referred to as “organic EL element 23”) as an electro-optic element provided corresponding to each pixel 14, and also for each pixel 14. A second substrate 32 having a color filter 24 having a colored layer provided corresponding thereto is joined by a sealing material 26 with a sealing resin 25 having visible light permeability. The organic EL element 23 emits white light, and has a so-called top emission structure that enables color display when the white light passes through the color filter 24 and is emitted from the second substrate 32 side.

第1基板31には、画素14ごとに有機EL素子23を駆動するための駆動回路(図示せず)が設けられており、有機EL素子23は駆動回路上に形成されている。駆動回路は薄膜トランジスターなどのスイッチング素子やこれに繋がる配線等を含むものであって、公知の構成を採用することができる。   The first substrate 31 is provided with a drive circuit (not shown) for driving the organic EL element 23 for each pixel 14, and the organic EL element 23 is formed on the drive circuit. The driving circuit includes a switching element such as a thin film transistor, wiring connected to the switching element, and the like, and a known configuration can be adopted.

このように、有機EL素子23を有する自発光型の表示パネル12において、第1基板31は透明なガラス基板を用いることができる。一方、有機EL素子23からの発光が取り出される側の第2基板32も透明なガラス基板を用いることができる。   Thus, in the self-luminous display panel 12 having the organic EL element 23, the first substrate 31 can be a transparent glass substrate. On the other hand, a transparent glass substrate can also be used as the second substrate 32 on the side from which light emission from the organic EL element 23 is extracted.

本実施形態では、第1基板31と第2基板32とを接合した後に、その表面を機械的または化学的な研磨を施すことにより、それぞれの基板の厚みを薄くする加工が施されている。例えば、それぞれの基板の元の厚みは、およそ0.5mmである。そして、加工後の総厚がおよそ100μm以下(例えば、80μm程度)となるように研磨されている。したがって、表示パネル12自体がある程度の可撓性を有する構成となっている。   In this embodiment, after joining the 1st board | substrate 31 and the 2nd board | substrate 32, the process which makes the thickness of each board | substrate thin is performed by giving the surface mechanically or chemically. For example, the original thickness of each substrate is approximately 0.5 mm. And it grind | polishes so that the total thickness after a process may be set to about 100 micrometers or less (for example, about 80 micrometers). Therefore, the display panel 12 itself has a certain degree of flexibility.

よって、表示パネル12自体では外部からの衝撃に対して弱い、また衝撃で破損したときの飛散を防ぐ必要がある。また、有機EL素子23を封着した密封構造とし、外部からの水分等の浸入を防ぎ、より長い発光寿命を確保したいなどの理由から、同じく可撓性を有する樹脂フィルム21,22でラミネートしている。   Therefore, it is necessary for the display panel 12 itself to be weak against an external impact and to prevent scattering when it is damaged by the impact. In addition, the organic EL element 23 is sealed to prevent the intrusion of moisture or the like from the outside, and is laminated with the flexible resin films 21 and 22 for the purpose of ensuring a longer light emission life. ing.

ラミネートに用いられる樹脂フィルム21は、ガス透過性が低い透明な基材フィルム21aの一方の表面に接着剤を均一に塗布して形成された接着層21bを有する。同様に樹脂フィルム22は、ガス透過性が低い透明な基材フィルム22aの一方の表面に透明な接着剤を均一に塗布して形成された接着層22bを有する。   The resin film 21 used for laminating has an adhesive layer 21b formed by uniformly applying an adhesive on one surface of a transparent base film 21a having low gas permeability. Similarly, the resin film 22 has an adhesive layer 22b formed by uniformly applying a transparent adhesive on one surface of a transparent base film 22a having low gas permeability.

基材フィルム21a,22aとしては、例えば、PET(ポリエチレンテレフタレート)フィルムやポリカーボネートフィルムなどが挙げられる。接着層21b,22bは、例えば、熱硬化型のエポキシ樹脂を用いることができる。また、粘着性を有する粘着剤としてもよい。粘着剤を用いればリペア性を実現できる。   Examples of the base films 21a and 22a include a PET (polyethylene terephthalate) film and a polycarbonate film. For the adhesive layers 21b and 22b, for example, a thermosetting epoxy resin can be used. Moreover, it is good also as an adhesive which has adhesiveness. Repair properties can be realized by using an adhesive.

接着層21b,22bが相対するように表示パネル12を挟んで2つの樹脂フィルム21,22によりラミネートする。また、有機EL素子23の防湿性、言い換えれば封止性を確保するために、ラミネート時に表示パネル12の周辺に発生するおそれがある空間27,28を封止樹脂により埋めた構造となっている。すなわち、封止樹脂と一緒に表示パネル12を挟んでラミネートしており、はみ出した封止樹脂の一部29が樹脂フィルム21,22の端面に盛り上がった状態となっている。   Lamination is performed with two resin films 21 and 22 with the display panel 12 sandwiched so that the adhesive layers 21b and 22b face each other. Further, in order to ensure moisture resistance of the organic EL element 23, in other words, sealing performance, spaces 27 and 28 that may be generated around the display panel 12 during lamination are filled with a sealing resin. . That is, the display panel 12 is laminated together with the sealing resin, and a part 29 of the protruding sealing resin is raised on the end surfaces of the resin films 21 and 22.

素子基板36の端子部16には、異方性導電膜(ACF)33を用いて中継基板17aが実装されている。中継基板17aの接続部を除く表面は絶縁性を有する、例えばポリイミドやソルダーレジストなどの保護膜で覆われており、樹脂フィルム21,22の接着層21b,22bと上記保護膜との接着性を確保するために、双方の界面に接着性を示す中間接着層34,35が設けられている。   A relay substrate 17 a is mounted on the terminal portion 16 of the element substrate 36 using an anisotropic conductive film (ACF) 33. The surface excluding the connection portion of the relay substrate 17a is insulative and is covered with a protective film such as polyimide or solder resist, for example, and the adhesion between the adhesive layers 21b and 22b of the resin films 21 and 22 and the protective film is improved. In order to ensure, intermediate adhesive layers 34 and 35 showing adhesiveness are provided at both interfaces.

このような構成の表示部13は所謂シート状(板状)であって、外部応力にある程度追随して表示面を湾曲させることができる。   The display unit 13 having such a configuration is a so-called sheet shape (plate shape), and the display surface can be curved by following external stress to some extent.

なお、表示パネル12がトップエミッション構造の有機EL素子23を有しているため、第1基板31側から光を取り出す必要がない。したがって、第1基板31側を覆う樹脂フィルム22は透明性を有する必要はなく、ラミネートが可能な金属薄膜などの熱伝導体を備えた不透明な樹脂フィルムでもよい。熱伝導体により有機EL素子23の発光に伴う発熱を放熱することが可能となる。   Since the display panel 12 includes the organic EL element 23 having a top emission structure, it is not necessary to extract light from the first substrate 31 side. Therefore, the resin film 22 covering the first substrate 31 does not have to be transparent, and may be an opaque resin film provided with a heat conductor such as a metal thin film that can be laminated. The heat conductor can dissipate heat generated by the light emission of the organic EL element 23.

図3は、有機EL装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、有機EL装置の電気的な構成を、図3を参照しながら説明する。   FIG. 3 is an equivalent circuit diagram showing an electrical configuration of the organic EL device. Hereinafter, the electrical configuration of the organic EL device will be described with reference to FIG.

図3に示すように、有機EL装置11は、複数の走査線41と、走査線41に対して交差する方向に延びる複数の信号線42と、信号線42に並行に延びる複数の電源線43とが、それぞれ格子状に配線されている。そして、走査線41と信号線42とにより区画された領域が画素領域として構成されている。信号線42は、信号線駆動回路44に接続されている。また、走査線41は、走査線駆動回路45に接続されている。   As shown in FIG. 3, the organic EL device 11 includes a plurality of scanning lines 41, a plurality of signal lines 42 extending in a direction intersecting the scanning lines 41, and a plurality of power supply lines 43 extending in parallel to the signal lines 42. Are wired in a grid pattern. An area partitioned by the scanning line 41 and the signal line 42 is configured as a pixel area. The signal line 42 is connected to the signal line drive circuit 44. The scanning line 41 is connected to the scanning line driving circuit 45.

各画素領域には、走査線41を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用TFT(Thin Film Transistor)46と、このスイッチング用TFT46を介して信号線42から供給される画素信号を保持する保持容量47と、保持容量47によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用TFT48(以下、「TFT素子48」と称する。)とが設けられている。更に、各画素領域には、TFT素子48を介して電源線43に電気的に接続したときに、電源線43から駆動電流が流れ込む陽極51と、陰極52と、この陽極51と陰極52との間に挟持された機能層53とが設けられている。   Each pixel region holds a switching TFT (Thin Film Transistor) 46 to which a scanning signal is supplied to the gate electrode via the scanning line 41 and a pixel signal supplied from the signal line 42 via the switching TFT 46. And a driving TFT 48 (hereinafter referred to as “TFT element 48”) to which a pixel signal held by the holding capacitor 47 is supplied to the gate electrode is provided. Further, in each pixel region, when electrically connected to the power supply line 43 via the TFT element 48, an anode 51 and a cathode 52 into which a drive current flows from the power supply line 43, and the anode 51 and the cathode 52 are connected. A functional layer 53 sandwiched therebetween is provided.

有機EL装置11は、陽極51と陰極52と機能層53とにより構成される有機EL素子23を複数備えている。また、有機EL装置11は、複数の有機EL素子23で構成される表示領域を備えている。   The organic EL device 11 includes a plurality of organic EL elements 23 including an anode 51, a cathode 52, and a functional layer 53. The organic EL device 11 includes a display area composed of a plurality of organic EL elements 23.

この構成によれば、走査線41が駆動されてスイッチング用TFT46がオン状態になると、そのときの信号線42の電位が保持容量47に保持され、保持容量47の状態に応じて、TFT素子48のオン・オフ状態が決まる。そして、TFT素子48のチャネルを介して、電源線43から陽極51に電流が流れ、更に、機能層53を介して陰極52に電流が流れる。機能層53は、ここを流れる電流量に応じた輝度で発光する。   According to this configuration, when the scanning line 41 is driven and the switching TFT 46 is turned on, the potential of the signal line 42 at that time is held in the holding capacitor 47, and the TFT element 48 depends on the state of the holding capacitor 47. ON / OFF state is determined. Then, a current flows from the power supply line 43 to the anode 51 through the channel of the TFT element 48, and further a current flows to the cathode 52 through the functional layer 53. The functional layer 53 emits light with a luminance corresponding to the amount of current flowing therethrough.

図4は、有機EL装置を構成する表示パネルの構造を示す模式断面図である。以下、表示パネルの構造を、図4を参照しながら説明する。なお、構成をわかりやすく示すため、各構成要素の層厚や寸法の比率、角度等は適宜異ならせてある。   FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing the structure of the display panel constituting the organic EL device. Hereinafter, the structure of the display panel will be described with reference to FIG. In addition, in order to show the configuration in an easy-to-understand manner, the layer thickness, dimensional ratio, angle, and the like of each component are appropriately changed.

図4に示すように、本実施形態における表示パネル12は、機能層53で発する光を陰極52側から射出させる、いわゆるトップエミッション構造である。この表示パネル12は、第1基板31と、第1基板31に対向配置された第2基板32とを有する。   As shown in FIG. 4, the display panel 12 in this embodiment has a so-called top emission structure in which light emitted from the functional layer 53 is emitted from the cathode 52 side. The display panel 12 includes a first substrate 31 and a second substrate 32 disposed to face the first substrate 31.

第1基板31としては、ガラス基板等が挙げられる。本実施形態では、第1基板31の材料として無アルカリガラスを用いている。第1基板31の厚さは、例えば、30μm程度である。本実施形態では、第1基板31は、材料として厚さが、例えば、0.5mm程度のガラス基板を用い、第2基板32と接着された後にエッチングにより上述の厚さに加工される。   Examples of the first substrate 31 include a glass substrate. In the present embodiment, non-alkali glass is used as the material of the first substrate 31. The thickness of the first substrate 31 is, for example, about 30 μm. In the present embodiment, a glass substrate having a thickness of, for example, about 0.5 mm is used as the material of the first substrate 31, and after being bonded to the second substrate 32, the first substrate 31 is processed to the above-described thickness by etching.

なお、表示パネル12がトップエミッション型であることから、第1基板31の材料として、光透過性を有する材料および光透過性を有していない材料のいずれを用いてもよい。   In addition, since the display panel 12 is a top emission type, as the material of the first substrate 31, either a light transmissive material or a non-light transmissive material may be used.

第1基板31上には、回路素子層61が設けられている。回路素子層61は、下地保護膜(図示せず)やTFT素子48、配線等を含んでいる。TFT素子48は、画素14に対応して設けられている。   A circuit element layer 61 is provided on the first substrate 31. The circuit element layer 61 includes a base protective film (not shown), a TFT element 48, wiring, and the like. The TFT element 48 is provided corresponding to the pixel 14.

回路素子層61上には、平坦化層62が設けられている。平坦化層62は、TFT素子48や配線等による表面の凹凸を緩和している。平坦化層62には、陽極51に平面的に重なるように、反射層63が内装されている。反射層63は、光反射性を有する金属材料等からなり、例えばアルミニウム合金等からなる。   A planarizing layer 62 is provided on the circuit element layer 61. The flattening layer 62 relaxes unevenness on the surface due to the TFT element 48 and wiring. The planarizing layer 62 includes a reflective layer 63 so as to overlap the anode 51 in a planar manner. The reflective layer 63 is made of a metal material having light reflectivity, and is made of, for example, an aluminum alloy.

平坦化層62上には、陽極51が設けられている。陽極51は、例えば、ITO(Indium Thin Oxide:インジウム錫酸化物)等の光透過性を有する金属酸化物導電膜からなる。陽極51の材料は、IZO(Indium Zinc Oxide)(登録商標)であってもよい。陽極51は、画素14毎に回路素子層61のTFT素子48のドレイン端子と電気的に接続されている。   An anode 51 is provided on the planarization layer 62. The anode 51 is made of a metal oxide conductive film having optical transparency such as ITO (Indium Thin Oxide). The material of the anode 51 may be IZO (Indium Zinc Oxide) (registered trademark). The anode 51 is electrically connected to the drain terminal of the TFT element 48 of the circuit element layer 61 for each pixel 14.

なお、表示パネル12がトップエミッション型であることから、陽極51の材料は必ずしも光透過性を有していなくてもよい。例えば、アルミニウム等からなる金属電極を用いるようにしてもよい。また、陽極51の材料として光透過性を有していない材料を用いる場合は、反射層63は設けなくてよい。   In addition, since the display panel 12 is a top emission type, the material of the anode 51 does not necessarily have light transmittance. For example, a metal electrode made of aluminum or the like may be used. In addition, when a material that does not have optical transparency is used as the material of the anode 51, the reflective layer 63 need not be provided.

また、平坦化層62上には、隔壁64が設けられている。隔壁64は、例えば、アクリル樹脂等からなり、画素14の領域を区画している。   A partition wall 64 is provided on the planarization layer 62. The partition wall 64 is made of, for example, acrylic resin and partitions the region of the pixel 14.

陽極51及び隔壁64上には、機能層53が設けられている。本実施形態の機能層53は、正孔注入層と、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層とが順に積層されて構成されている(図4では、1層で図示)。正孔注入層は、例えば、トリアリールアミン(ATP)多量体で形成されている。正孔輸送層は、例えば、トリフェニルアミン誘導体(TPD)で形成されている。   A functional layer 53 is provided on the anode 51 and the partition wall 64. The functional layer 53 of the present embodiment is configured by sequentially stacking a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer (in FIG. 4, one layer is illustrated). The hole injection layer is formed of, for example, a triarylamine (ATP) multimer. The hole transport layer is made of, for example, a triphenylamine derivative (TPD).

発光層の発光色は白色である。白色発光材料としては、スチリルアミン系発光材料、アントラセン系ドーパミント(青色)、あるいはスチリルアミン系発光材料、ルブレン系ドーパミント(黄色)等が用いられる。電子輸送層は、例えばアルミニウムキノリノール錯体(Alq3)で形成されている。機能層53の各層は、例えば、真空蒸着法を用いて順次形成される。 The emission color of the light emitting layer is white. As the white light-emitting material, styrylamine-based light-emitting material, anthracene-based dopamine (blue), styrylamine-based light-emitting material, rubrene-based dopamine (yellow), or the like is used. The electron transport layer is formed of, for example, an aluminum quinolinol complex (Alq 3 ). Each layer of the functional layer 53 is sequentially formed using, for example, a vacuum deposition method.

機能層53上には、陰極52が設けられている。陰極52は、本実施形態のようにトップエミッション構造である場合、光透過性を有する材料である、例えば、ITO等の透明導電材料が用いられる。また、陰極52は、マグネシウムと銀との合金(Mg−Ag合金)で構成するようにしてもよい。なお、陰極52の下層に、フッ化リチウム(LiF)等からなる電子注入バッファー層が設けられていてもよい。   A cathode 52 is provided on the functional layer 53. When the cathode 52 has a top emission structure as in the present embodiment, a transparent conductive material such as ITO, which is a material having optical transparency, is used. Moreover, you may make it comprise the cathode 52 with the alloy (Mg-Ag alloy) of magnesium and silver. An electron injection buffer layer made of lithium fluoride (LiF) or the like may be provided below the cathode 52.

陰極52及び隔壁64上には、電極保護層65が設けられている。電極保護層65は、光透過性、密着性、耐水性、ガスバリアー性等を考慮して、例えば、珪素酸化物や珪素酸窒化物等の珪素化合物で構成される。また、電極保護層65の厚さは100nm以上が好ましく、隔壁64を被覆することで発生する応力によるクラック発生を防ぐため、厚さの上限は200nm以下とすることが好ましい。電極保護層65は、PVD(物理気相成長法)、CVD(化学気相成長法)、またはイオンプレーティング法等を用いて形成される。   An electrode protective layer 65 is provided on the cathode 52 and the partition wall 64. The electrode protective layer 65 is made of, for example, a silicon compound such as silicon oxide or silicon oxynitride in consideration of light transmittance, adhesion, water resistance, gas barrier properties, and the like. Moreover, the thickness of the electrode protective layer 65 is preferably 100 nm or more, and the upper limit of the thickness is preferably 200 nm or less in order to prevent the occurrence of cracks due to the stress generated by covering the partition walls 64. The electrode protective layer 65 is formed using PVD (physical vapor deposition), CVD (chemical vapor deposition), ion plating, or the like.

電極保護層65上には、有機緩衝層66が形成されている。この有機緩衝層66は、隔壁64の形状の影響により凹凸状に形成された電極保護層65の凹凸部分を埋めるように設けられ、その上面は略平坦に形成される。   An organic buffer layer 66 is formed on the electrode protective layer 65. The organic buffer layer 66 is provided so as to fill the uneven portion of the electrode protection layer 65 formed in an uneven shape due to the influence of the shape of the partition wall 64, and the upper surface thereof is formed substantially flat.

有機緩衝層66としては、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂等からなる。有機緩衝層66は、第1基板31及び回路素子層61等の反りや堆積膨張により発生する応力を緩和し、不安定な形状の隔壁64から電極保護層65が剥離することを防止する機能を有する。   The organic buffer layer 66 is made of, for example, a thermosetting epoxy resin. The organic buffer layer 66 has a function of relieving stress generated by warping or deposition expansion of the first substrate 31 and the circuit element layer 61 and preventing the electrode protective layer 65 from peeling from the unstable partition wall 64. Have.

また、有機緩衝層66の上面が略平坦化されるので、有機緩衝層66上に形成される硬い被膜からなる後述するガスバリアー層67も平坦化される。したがって、応力が集中する部位がなくなり、これにより、ガスバリアー層67でのクラックの発生を防止する。   Further, since the upper surface of the organic buffer layer 66 is substantially flattened, a gas barrier layer 67, which will be described later, made of a hard film formed on the organic buffer layer 66 is also flattened. Therefore, there is no portion where stress is concentrated, and thereby, the generation of cracks in the gas barrier layer 67 is prevented.

有機緩衝層66の厚さは、3μm〜5μm程度が好ましい。有機緩衝層66は、例えば、真空スクリーン印刷法、スリットコート法、インクジェット法等を用いて形成される。   The thickness of the organic buffer layer 66 is preferably about 3 μm to 5 μm. The organic buffer layer 66 is formed using, for example, a vacuum screen printing method, a slit coating method, an ink jet method, or the like.

有機緩衝層66上には、有機緩衝層66を被覆し、かつ電極保護層65の終端部まで覆うような広い範囲で、ガスバリアー層67が形成されている。ガスバリアー層67は、酸素や水分が浸入するのを防止するためのもので、これにより酸素や水分による有機EL素子23の劣化等を抑えることができる。ガスバリアー層67は、透明性、ガスバリアー性、耐水性を考慮して、好ましくは窒素を含む珪素化合物、すなわち珪素窒化物や珪素酸窒化物などによって形成される。なお、本実施形態では、第1基板31からガスバリアー層67までを、「素子基板36」と称する。また、第2基板32とカラーフィルター24とを合わせて、「封止基板37」と称する。   On the organic buffer layer 66, a gas barrier layer 67 is formed in a wide range so as to cover the organic buffer layer 66 and cover the terminal portion of the electrode protective layer 65. The gas barrier layer 67 is for preventing intrusion of oxygen and moisture, thereby suppressing deterioration of the organic EL element 23 due to oxygen and moisture. In consideration of transparency, gas barrier properties, and water resistance, the gas barrier layer 67 is preferably formed of a silicon compound containing nitrogen, that is, silicon nitride or silicon oxynitride. In the present embodiment, the first substrate 31 to the gas barrier layer 67 are referred to as “element substrate 36”. The second substrate 32 and the color filter 24 are collectively referred to as a “sealing substrate 37”.

素子基板36の有機EL素子23が形成された面側、すなわちガスバリアー層67が形成された面側には、封止基板37が対向して配置されている。封止基板37は、シール材26および封止樹脂25を介して、素子基板36のガスバリアー層67と接着されている。封止基板37を構成する第2基板32は、例えば、光透過性を有する無機ガラスからなる。本実施形態では、第2基板32の材料として無アルカリガラスを用いている。   On the surface side of the element substrate 36 on which the organic EL element 23 is formed, that is, on the surface side on which the gas barrier layer 67 is formed, a sealing substrate 37 is disposed so as to face. The sealing substrate 37 is bonded to the gas barrier layer 67 of the element substrate 36 through the sealing material 26 and the sealing resin 25. The second substrate 32 that constitutes the sealing substrate 37 is made of, for example, inorganic glass having optical transparency. In the present embodiment, non-alkali glass is used as the material of the second substrate 32.

第2基板32の厚さは、例えば、30μm程度である。表示パネル12では、第1基板31および第2基板32に、プラスチック基板に比べてガスバリアー性の高いガラス基板を用い、これらのガラス基板の厚さを薄くすることにより可撓性が付与されている。   The thickness of the second substrate 32 is, for example, about 30 μm. In the display panel 12, a glass substrate having a higher gas barrier property than the plastic substrate is used for the first substrate 31 and the second substrate 32, and flexibility is imparted by reducing the thickness of these glass substrates. Yes.

シール材26は、第1基板31と第2基板32との間の非表示領域に配置され、第1基板31(第2基板32)の外周に沿って枠状に設けられている。シール材26は、水分透過率が低い材料からなる。シール材26の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂に硬化剤として酸無水物を添加し、促進剤としてシランカップリング剤を添加した高接着性の接着剤を用いることができる。   The sealing material 26 is disposed in a non-display area between the first substrate 31 and the second substrate 32, and is provided in a frame shape along the outer periphery of the first substrate 31 (second substrate 32). The sealing material 26 is made of a material having a low moisture permeability. As the material of the sealing material 26, for example, a highly adhesive adhesive in which an acid anhydride is added as a curing agent to an epoxy resin and a silane coupling agent is added as an accelerator can be used.

封止樹脂25は、素子基板36と封止基板37とシール材26とで囲まれた領域に隙間なく充填されるように設けられている。封止樹脂25は、例えば、アクリル系、エポキシ系、ウレタン系等の光透光性の高い樹脂からなる。耐熱性や耐水性を考慮すると、封止樹脂25の材料として、エポキシ系樹脂を用いることが好ましい。   The sealing resin 25 is provided so as to fill the region surrounded by the element substrate 36, the sealing substrate 37, and the sealing material 26 without any gap. The sealing resin 25 is made of a highly light-transmitting resin such as acrylic, epoxy, or urethane. In view of heat resistance and water resistance, it is preferable to use an epoxy resin as the material of the sealing resin 25.

カラーフィルター24は、第2基板32の有機EL素子23側に設けられている。カラーフィルター24は、赤色(R)光に対応するカラーフィルター24Rと、緑色(G)光に対応するカラーフィルター24Gと、青色(B)光に対応するカラーフィルター24Bとを有している(対応する色を区別しない場合には単にカラーフィルター24とも呼ぶ)。カラーフィルター24は、平面視で有機EL素子23に重なるように設けられている。   The color filter 24 is provided on the organic EL element 23 side of the second substrate 32. The color filter 24 includes a color filter 24R corresponding to red (R) light, a color filter 24G corresponding to green (G) light, and a color filter 24B corresponding to blue (B) light. If the colors to be used are not distinguished, they are also simply called color filters 24). The color filter 24 is provided so as to overlap the organic EL element 23 in plan view.

カラーフィルター24R,24G,24Bを区画するように、遮光層68が設けられている。遮光層68は、隔壁64に対応するように配置されている。遮光層68は、遮光性を有する材料からなり、例えばCr(クロム)等からなる。なお、カラーフィルター24と遮光層68とを覆うように、オーバーコート層が設けられていてもよい。   A light shielding layer 68 is provided so as to partition the color filters 24R, 24G, and 24B. The light shielding layer 68 is disposed so as to correspond to the partition wall 64. The light shielding layer 68 is made of a material having a light shielding property, and is made of, for example, Cr (chromium). An overcoat layer may be provided so as to cover the color filter 24 and the light shielding layer 68.

表示パネル12は、赤色光を射出する画素14Rと、緑色光を射出する画素14Gと、青色光を射出する画素14Bとを有している(対応する色を区別しない場合には単に画素14とも呼ぶ)。カラーフィルター24R,24G,24Bは、画素14R,14G,14Bに対応して配置されている。   The display panel 12 includes a pixel 14R that emits red light, a pixel 14G that emits green light, and a pixel 14B that emits blue light. Call). The color filters 24R, 24G, 24B are arranged corresponding to the pixels 14R, 14G, 14B.

有機EL素子23により発せられる白色光がカラーフィルター24R,24G,24Bを透過することで、画素14R,14G,14BにおいてR、G、Bの3つの異なる色の光が射出される。画素14R,14G,14Bから一つの画素群が構成され、それぞれの画素群において画素14R,14G,14Bのそれぞれの輝度を適宜変えることで、種々の色の表示を行うことができる。したがって、フルカラー表示またはフルカラー発光が可能な表示パネルを提供できる。   The white light emitted by the organic EL element 23 passes through the color filters 24R, 24G, and 24B, so that light of three different colors R, G, and B is emitted from the pixels 14R, 14G, and 14B. One pixel group is configured by the pixels 14R, 14G, and 14B, and various colors can be displayed by appropriately changing the luminance of the pixels 14R, 14G, and 14B in each pixel group. Therefore, a display panel capable of full color display or full color light emission can be provided.

表示パネル12では、機能層53から陰極52側に発せられた光は、観察側に射出される。また、機能層53から陽極51側に発せられた光は、反射層63により反射されて、観察側に射出される。以下、有機EL装置の製造方法について説明する。   In the display panel 12, light emitted from the functional layer 53 to the cathode 52 side is emitted to the observation side. Further, the light emitted from the functional layer 53 to the anode 51 side is reflected by the reflective layer 63 and emitted to the observation side. Hereinafter, a method for manufacturing the organic EL device will be described.

<電気光学装置の製造方法>
図5は、電気光学装置の製造方法としての有機EL装置の製造方法を示すフローチャートである。図6〜図8は、有機EL装置の製造方法の一部を示す模式平面図である。図9は、有機EL装置の製造方法の一部を示す模式図である。以下、有機EL装置の製造方法を、図5〜図9を参照しながら説明する。
<Method of manufacturing electro-optical device>
FIG. 5 is a flowchart showing a method for manufacturing an organic EL device as a method for manufacturing an electro-optical device. 6 to 8 are schematic plan views illustrating a part of the method for manufacturing the organic EL device. FIG. 9 is a schematic view showing a part of the method for manufacturing the organic EL device. Hereinafter, a method for manufacturing the organic EL device will be described with reference to FIGS.

図5に示すように、ステップS11(電気光学層形成工程)では、第1基板31上に画素14を形成する。詳しくは、図4に示すように、第1基板31上に、回路素子層61、隔壁64、陽極51、発光層を含む機能層53、陰極52等を形成する。なお、図4においては、これらの構成要素のいくつかを省略して描いている。   As shown in FIG. 5, in step S <b> 11 (electro-optic layer forming step), the pixels 14 are formed on the first substrate 31. Specifically, as shown in FIG. 4, a circuit element layer 61, a partition wall 64, an anode 51, a functional layer 53 including a light emitting layer, a cathode 52, and the like are formed on the first substrate 31. In FIG. 4, some of these components are omitted.

ステップS12では、第1基板31上の画素14に対して薄膜封止を行う(図4参照)。詳しくは、画素14を覆うようにして、電極保護層65、有機緩衝層66、ガスバリアー層67を形成する。この工程は、プラズマCVD法、スパッタ法、蒸着法、液滴吐出法、各種エッチング法等の種々の成膜方法、パターニング方法を用いて行うことができる。   In step S12, thin film sealing is performed on the pixels 14 on the first substrate 31 (see FIG. 4). Specifically, an electrode protective layer 65, an organic buffer layer 66, and a gas barrier layer 67 are formed so as to cover the pixels 14. This step can be performed using various film forming methods and patterning methods such as plasma CVD, sputtering, vapor deposition, droplet discharge, and various etching methods.

ステップS13(塗布工程)では、第1基板31上の画素14が形成された側にシール材26を格子状に形成する。具体的には、図6を参照しながら説明する。なお、上記した画素14などは、第1マザーガラス基板としてのマザー基板12a’に形成されている。まず、図6に示すように、例えば、表示パネル12となる第1外形ライン71を含むようにマザー基板12a’の第1辺81(一端)から第2辺82(他端)に亘って第1シール材26aを塗布する。なお、図6における破線は、後に表示パネル12となる形状を示している。   In step S13 (application process), the sealing material 26 is formed in a lattice shape on the side of the first substrate 31 where the pixels 14 are formed. Specifically, this will be described with reference to FIG. The above-described pixels 14 and the like are formed on a mother substrate 12a 'serving as a first mother glass substrate. First, as illustrated in FIG. 6, for example, the first side 81 (one end) to the second side 82 (the other end) of the mother substrate 12 a ′ so as to include the first outer shape line 71 that becomes the display panel 12. One sealing material 26a is applied. In addition, the broken line in FIG. 6 has shown the shape used as the display panel 12 later.

次に、第2外形ライン72を含むように第1辺81から第2辺82に亘って第2シール材26bを塗布する。その後、第3外形ライン73を含むように第3辺83(一端)から第4辺84(他端)に亘って第3シール材26cを塗布する。そして、第2基板32(封止基板37)の外形ラインとなる第4外形ライン74においては、第2基板32の面内側に沿って第3辺83から第4辺84に亘って第4シール材26dを塗布する。面内側に塗布することで、第4シール材26dの幅は、他のシール材26a〜26cと比較して細いことが好ましい。このように、第1外形ライン71から第4外形ライン74に沿った格子状にシール材26a〜26dを塗布する。シール材26の幅は、例えば、0.3〜0.4mmである。   Next, the second sealing material 26 b is applied from the first side 81 to the second side 82 so as to include the second outer shape line 72. Thereafter, the third sealing material 26 c is applied from the third side 83 (one end) to the fourth side 84 (the other end) so as to include the third outer shape line 73. In the fourth outline line 74 that is the outline line of the second substrate 32 (sealing substrate 37), the fourth seal extends from the third side 83 to the fourth side 84 along the inner surface of the second substrate 32. The material 26d is applied. It is preferable that the width | variety of the 4th sealing material 26d is thin compared with the other sealing materials 26a-26c by apply | coating inside a surface. In this way, the sealing materials 26a to 26d are applied in a lattice shape along the first outer shape line 71 to the fourth outer shape line 74. The width of the sealing material 26 is, for example, 0.3 to 0.4 mm.

なお、格子状にシール材26a〜26dを塗布した場合、交差する部分38(図6参照)のシール材26の塗布量が多くなることが考えられる。よって、交差する部分38の近傍では、シール材26の塗布量や塗布タイミングを調整することが望ましい。例えば、一方の第1シール材26aを通常通り塗布し、他方の第3シール材26cの塗布を中止する。また、例えば、交差する部分38のみ、他のライン(交差しないライン)の塗布量に比べて、互いのシール材26a,26cの量を少なくする。なお、その他の交差する部分においても同様に調整する。これにより、交差部分にシール材26を過剰に塗布することを抑えることができ、表示パネル12の表示領域15にシール材26がはみ出すことを抑えることができる。   In addition, when apply | coating the sealing materials 26a-26d in a grid | lattice form, it is possible that the application quantity of the sealing material 26 of the crossing part 38 (refer FIG. 6) increases. Therefore, it is desirable to adjust the application amount and application timing of the sealing material 26 in the vicinity of the intersecting portion 38. For example, one first sealing material 26a is applied as usual, and the application of the other third sealing material 26c is stopped. Further, for example, the amount of the sealing materials 26a and 26c is reduced only in the intersecting portion 38 as compared with the application amount of other lines (lines that do not intersect). The same adjustment is made for other intersecting portions. Thereby, it can suppress that the sealing material 26 is apply | coated excessively in an intersection part, and it can suppress that the sealing material 26 protrudes into the display area 15 of the display panel 12. FIG.

シール材26としては、例えば、エポキシの接着剤が用いられる。シール材26の形成方法としては、例えば、マザー基板12a’上に、ディスペンサー塗布法(スクリーン印刷法)等により、紫外線硬化性樹脂からなるシール材26を塗布することによって行う。また、シール材26にはスペーサーを混入させておく。   As the sealing material 26, for example, an epoxy adhesive is used. As a method of forming the sealing material 26, for example, the sealing material 26 made of an ultraviolet curable resin is applied onto the mother substrate 12a 'by a dispenser application method (screen printing method) or the like. In addition, a spacer is mixed in the sealing material 26.

ステップS14では、マザー基板12a’上のシール材26で囲まれた領域に、封止樹脂25を塗布する。詳しくは、マザー基板12a’上に、ディスペンサー塗布法又は液滴吐出法により熱硬化性樹脂からなる封止樹脂25を塗布することによって行う。また、封止樹脂25は、硬化後に透明となるものを用いる。以上により、素子基板36側が完成する。   In step S14, the sealing resin 25 is applied to the area surrounded by the sealing material 26 on the mother substrate 12a '. Specifically, the sealing resin 25 made of a thermosetting resin is applied onto the mother substrate 12a 'by a dispenser application method or a droplet discharge method. Further, as the sealing resin 25, a resin that becomes transparent after curing is used. Thus, the element substrate 36 side is completed.

ステップS21では、第2基板32が面付けされたマザー基板(第2マザーガラス基板)上にカラーフィルター24及び遮光層68を形成して、封止基板37側が完成する。   In step S21, the color filter 24 and the light shielding layer 68 are formed on the mother substrate (second mother glass substrate) on which the second substrate 32 is provided, and the sealing substrate 37 side is completed.

ステップS31(貼付工程)では、素子基板36(マザー基板)と封止基板37(マザー基板)とをシール材26及び封止樹脂25を介して貼り合わせる。詳しくは、減圧環境下において素子基板36と封止基板37との間でアライメント(位置合わせ)をした状態で接触、圧着させる。このとき、素子基板36と封止基板37とは、シール材26に含まれるスペーサーによって支持され、一定の間隔を有した状態で貼り合わされる。このときのシール材26の幅は、例えば、1.5mmである。   In step S31 (sticking step), the element substrate 36 (mother substrate) and the sealing substrate 37 (mother substrate) are bonded together with the sealing material 26 and the sealing resin 25 interposed therebetween. Specifically, contact and pressure bonding are performed in a state where the element substrate 36 and the sealing substrate 37 are aligned (positioned) in a reduced pressure environment. At this time, the element substrate 36 and the sealing substrate 37 are supported by a spacer included in the sealing material 26 and are bonded together with a certain interval. The width of the sealing material 26 at this time is, for example, 1.5 mm.

ステップS32では、シール材26を硬化させる。詳しくは、紫外線硬化性樹脂からなるシール材26に対し、封止基板37側から紫外線を照射することにより、シール材26を硬化させる。   In step S32, the sealing material 26 is cured. Specifically, the sealing material 26 is cured by irradiating the sealing material 26 made of an ultraviolet curable resin with ultraviolet rays from the sealing substrate 37 side.

ステップS33では、封止樹脂25を硬化させる。詳しくは、熱硬化性樹脂からなる封止樹脂25に対し熱処理を行うことにより、封止樹脂25を硬化させる。熱処理の方法としては、例えば、貼り合わせ後の素子基板36及び封止基板37を焼成炉内で加熱する方法を用いることができる。   In step S33, the sealing resin 25 is cured. Specifically, the sealing resin 25 is cured by performing a heat treatment on the sealing resin 25 made of a thermosetting resin. As a heat treatment method, for example, a method of heating the element substrate 36 and the sealing substrate 37 after bonding in a baking furnace can be used.

ステップS34では、第1基板31及び第2基板32をエッチングして、所定の厚さ、例えば、それぞれ30μm程度まで薄くする。エッチング液としては、例えば、フッ酸(フッ化水素酸)を希釈した水溶液を用いる。エッチング液は、塩酸、硫酸、硝酸、燐酸等の水溶液であってもよい。エッチング方法は、第1基板31および第2基板32をエッチング液に浸漬してもよいし、エッチング液をシャワー照射してもよい。なお、この状態の基板を、表示パネル前駆体12aと称する。   In step S34, the first substrate 31 and the second substrate 32 are etched to reduce the thickness to a predetermined thickness, for example, about 30 μm. As the etchant, for example, an aqueous solution in which hydrofluoric acid (hydrofluoric acid) is diluted is used. The etching solution may be an aqueous solution of hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid or the like. As the etching method, the first substrate 31 and the second substrate 32 may be immersed in an etching solution, or the etching solution may be shower irradiated. Note that the substrate in this state is referred to as a display panel precursor 12a.

ステップS35(切断工程)では、表示パネル前駆体12aを表示パネル12の形状に相当する切断ラインに沿って切断し個片化する(表示パネル12を切り出す)。具体的には、図7を参照しながら説明する。まず、図7に示すように、例えば、第1外形ライン71、第3外形ライン73、第2外形ライン72を切断する。切断する方法としては、例えば、レーザー切断法が用いられる。なお、レーザー切断法に限定されず、ダイシング法、またスクライブ及びブレイクを行って切断するようにしてもよい。その後、端子部16の両端の第1面76及び第2面77を含む第5外形ライン75を切断する。   In step S35 (cutting step), the display panel precursor 12a is cut along a cutting line corresponding to the shape of the display panel 12 and separated into pieces (cut out the display panel 12). Specifically, this will be described with reference to FIG. First, as shown in FIG. 7, for example, the first outline line 71, the third outline line 73, and the second outline line 72 are cut. As a cutting method, for example, a laser cutting method is used. In addition, it is not limited to the laser cutting method, You may make it cut | disconnect by performing a dicing method, and scribing and breaking. Thereafter, the fifth outer shape line 75 including the first surface 76 and the second surface 77 at both ends of the terminal portion 16 is cut.

その後、第4外形ライン74に沿って、第2基板32における端子部16の領域に相当する領域を切断する。なお、第4外形ライン74は、第4シール材26dにおけるライン際である。   Thereafter, an area corresponding to the area of the terminal portion 16 in the second substrate 32 is cut along the fourth outer shape line 74. In addition, the 4th external shape line 74 is a line edge in the 4th sealing material 26d.

レーザー切断法による切断条件は、例えば、次の通りである。周波数は50kHzである。レーザー出力は、1Wである。走査速度は、30mm/sである。なお、第2基板32における端子部16に相当する領域のみを切断する場合、レーザー出力は、例えば、0.75Wである。以上により、表示パネル前駆体12aから、図8に示すような表示パネル12が切り出される。   The cutting conditions by the laser cutting method are as follows, for example. The frequency is 50 kHz. The laser output is 1W. The scanning speed is 30 mm / s. Note that when only the region corresponding to the terminal portion 16 in the second substrate 32 is cut, the laser output is, for example, 0.75 W. Thus, the display panel 12 as shown in FIG. 8 is cut out from the display panel precursor 12a.

このように、シール材26を、切断ライン(第1外形ライン71〜第4外形ライン74)に沿って格子状に塗布するので、素子基板36と封止基板37との間にシール材26を介した状態で、表示パネル12の一部を切断することができる。これにより、表示パネル12における強度的に弱い部分である第1コーナー85〜第4コーナー88は、素子基板36と封止基板37との間にシール材26を介した隙間のない状態で切断することが可能となり、安定した状態で切断される。よって、第1コーナー85〜第4コーナー88が割れたり欠けたりすることを抑えることができる。   Thus, since the sealing material 26 is applied in a lattice shape along the cutting lines (the first outer shape line 71 to the fourth outer shape line 74), the sealing material 26 is provided between the element substrate 36 and the sealing substrate 37. In this state, a part of the display panel 12 can be cut. Thereby, the first corner 85 to the fourth corner 88 which are weak portions in the display panel 12 are cut without a gap between the element substrate 36 and the sealing substrate 37 via the sealing material 26. Can be cut in a stable state. Therefore, it can suppress that the 1st corner 85-the 4th corner 88 are cracked or chipped.

また、第1基板31の端子部16に第1面76及び第2面77を形成するので、表示パネル12における端子部16の強度を向上させることができる。また、後から面付け作業を行う場合と比較して、容易に面を形成することができる。   Further, since the first surface 76 and the second surface 77 are formed on the terminal portion 16 of the first substrate 31, the strength of the terminal portion 16 in the display panel 12 can be improved. Further, the surface can be easily formed as compared with the case where the imposition work is performed later.

また、表示パネル12の素子基板36と封止基板37との間における、第1コーナー85〜第4コーナー88、更に、第1外形ライン71〜第4外形ライン74に沿ってシール材26が介在しているので、表示パネル12、更には、有機EL装置11を扱う際に、割れや欠けが発生することを抑えることができる。加えて、表示パネル12の外周における、素子基板36と封止基板37との間に隙間がないので、ゴミなどの不純物が表示パネル12内に入り込むことを防ぐことができる。   Further, the sealing material 26 is interposed along the first corner 85 to the fourth corner 88 and the first outer shape line 71 to the fourth outer shape line 74 between the element substrate 36 and the sealing substrate 37 of the display panel 12. Therefore, when the display panel 12 and further the organic EL device 11 are handled, it is possible to suppress the occurrence of cracks and chips. In addition, since there is no gap between the element substrate 36 and the sealing substrate 37 on the outer periphery of the display panel 12, impurities such as dust can be prevented from entering the display panel 12.

ステップS36では、表示パネル12の第1基板31の端子部16に、中継基板17(17a,17b,17c)を接続する(図1、図2参照)。第1基板31と中継基板17との接続は、異方性導電膜等の導電性の接着剤を用いて公知の方法を用いて行われる。   In step S36, the relay substrate 17 (17a, 17b, 17c) is connected to the terminal portion 16 of the first substrate 31 of the display panel 12 (see FIGS. 1 and 2). The connection between the first substrate 31 and the relay substrate 17 is performed using a known method using a conductive adhesive such as an anisotropic conductive film.

ステップS37では、表示パネル12をラミネートする。具体的には、例えば、図9(a)に示すように、各部材を重ね合わせた状態とし、ラミネート装置91にセットする。詳しくは、樹脂フィルム22上に、表示パネル12と、樹脂フィルム21(いずれも図2参照)とを重ねてラミネート装置91にセットする。なお、図9では、ラミネート装置91の加圧ローラー92のみを図示している。   In step S37, the display panel 12 is laminated. Specifically, for example, as shown in FIG. 9A, the respective members are overlapped and set in the laminating apparatus 91. Specifically, the display panel 12 and the resin film 21 (see FIG. 2) are overlapped on the resin film 22 and set in the laminating apparatus 91. In FIG. 9, only the pressure roller 92 of the laminating apparatus 91 is illustrated.

次に、図9(b)に示すように、矢印で示す側から加圧し、80℃〜120℃の範囲で加熱して圧着する。加圧ローラー92に挟持された部分では、ローラーの熱によって樹脂フィルム21,22が溶解し、更に加圧されて相互に接着される。加熱圧着の方法は、ホットプレート型の並行板や一対の熱加圧ローラーを用いる方法が好ましい。また、真空圧着装置を用いてもよい。以上により、有機EL装置11が完成する。   Next, as shown in FIG.9 (b), it pressurizes from the side shown by the arrow, and it heats and crimps | bonds it in the range of 80 to 120 degreeC. In the portion sandwiched between the pressure rollers 92, the resin films 21 and 22 are dissolved by the heat of the rollers, and are further pressurized and bonded to each other. As a method of thermocompression bonding, a method using a hot plate type parallel plate or a pair of heat and pressure rollers is preferable. Further, a vacuum pressure bonding apparatus may be used. Thus, the organic EL device 11 is completed.

以上詳述したように、第1実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。   As described above in detail, according to the first embodiment, the following effects can be obtained.

(1)第1実施形態によれば、封止基板37(第2基板32)のコーナー85〜88の領域を含む格子状にシール材26を塗布するので、表示パネル前駆体12aを表示パネル12の形状に切断した際、素子基板36と封止基板37とが重なるコーナー85〜88にシール材26を介在させることができる。つまり、格子状にシール材26を塗布することで、表示パネル12の中で強度が比較的弱いコーナー85〜88の部分にも、シール材26を残すことができる。よって、表示パネル12の形状に切断する際、コーナー85〜88の強度を強くすることが可能となり、コーナー85〜88を安定して切断することができる。これにより、コーナー85〜88が割れたり欠けたりすることを抑えることができる。また、完成品となった有機EL装置11を扱う際にコーナー85〜88などに応力が加わった場合でも、破損することを抑えることができる。また、封止基板37の外周全域に沿ってシール材26が設けられるので、外周の基板36,37間に隙間がなく、表示パネル12の中(有機EL素子23など)に不純物が入り込むことを防ぐことができる。   (1) According to the first embodiment, since the sealing material 26 is applied in a lattice shape including the regions of the corners 85 to 88 of the sealing substrate 37 (second substrate 32), the display panel precursor 12a is used as the display panel 12. When cutting into the shape, the sealing material 26 can be interposed in the corners 85 to 88 where the element substrate 36 and the sealing substrate 37 overlap. That is, by applying the sealing material 26 in a lattice shape, it is possible to leave the sealing material 26 in the corners 85 to 88 where the strength is relatively weak in the display panel 12. Therefore, when cutting into the shape of the display panel 12, the strength of the corners 85 to 88 can be increased, and the corners 85 to 88 can be stably cut. Thereby, it can suppress that the corners 85-88 are cracked or chipped. Further, even when stress is applied to the corners 85 to 88 when the organic EL device 11 that is a finished product is handled, it is possible to suppress damage. Further, since the sealing material 26 is provided along the entire outer periphery of the sealing substrate 37, there is no gap between the peripheral substrates 36 and 37, and impurities enter the display panel 12 (such as the organic EL element 23). Can be prevented.

(2)第1実施形態によれば、表示パネル12を樹脂フィルム21,22でラミネートするので、表示パネル12のコーナー85〜88への衝撃を緩和させることができる。また、ガラス基板からなる第1基板31及び第2基板32が破損したとき等、外部に飛散することを防ぐことが可能となり、安全性を向上させることができる。   (2) According to the first embodiment, since the display panel 12 is laminated with the resin films 21 and 22, the impact on the corners 85 to 88 of the display panel 12 can be reduced. Further, when the first substrate 31 and the second substrate 32 made of a glass substrate are damaged, it is possible to prevent the glass substrate from being scattered outside, and safety can be improved.

(3)第1実施形態によれば、表示パネル12における端子部16の両端に面付け(第1面76、第2面77)を行うので、素子基板36の強度を向上させることができる。   (3) According to the first embodiment, since the imposition (the first surface 76 and the second surface 77) is performed on both ends of the terminal portion 16 in the display panel 12, the strength of the element substrate 36 can be improved.

(4)第1実施形態によれば、マザー基板12a’の第1辺81から第2辺82、及び第3辺83から第4辺84まで、シール材26を格子状に塗布するので、表示パネル12の形状に切断した場合でも、破材同士を繋ぎとめておくことが可能となり、破材がばらばらになることを抑えることができる。   (4) According to the first embodiment, the sealing material 26 is applied in a lattice form from the first side 81 to the second side 82 and from the third side 83 to the fourth side 84 of the mother substrate 12a ′. Even when it is cut into the shape of the panel 12, the broken materials can be held together, and the broken materials can be prevented from being separated.

(第2実施形態)
<電気光学装置の製造方法>
図10〜図12は、第2実施形態の電気光学装置の製造方法としての有機EL装置の製造方法の一部を示す模式平面図である。以下、有機EL装置の製造方法を、図5及び図10〜図12を参照しながら説明する。
(Second Embodiment)
<Method of manufacturing electro-optical device>
10 to 12 are schematic plan views illustrating a part of the method for manufacturing the organic EL device as the method for manufacturing the electro-optical device according to the second embodiment. Hereinafter, a method for manufacturing the organic EL device will be described with reference to FIGS. 5 and 10 to 12.

第2実施形態の有機EL装置(111)の製造方法は、1つの表示パネル前駆体112a(マザー基板112a’)から複数の表示パネル112を形成する部分が、第1実施形態と異なっている。以下、第1実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。   The manufacturing method of the organic EL device (111) of the second embodiment is different from that of the first embodiment in that a plurality of display panels 112 are formed from one display panel precursor 112a (mother substrate 112a '). Hereinafter, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted or simplified here.

まず、図5に示すフローチャートにおいて、第1実施形態と同様に、ステップS11及びステップS12を行う。次に、ステップS13では、素子基板36(マザー基板112a’)における画素14が形成された側に、複数の表示パネル112の領域に跨るようにシール材126を格子状に形成する。具体的には、図10を参照しながら説明する。まず、図10に示すように、例えば、複数の表示パネル112に跨る第1外形ライン171を含むように、マザー基板112a’の第1辺181から第2辺182に亘って複数本の第1シール材126aを塗布する。なお、図10における一点鎖線は、後に表示パネル112の外形となる形状を示している。   First, in the flowchart shown in FIG. 5, Steps S11 and S12 are performed as in the first embodiment. Next, in step S <b> 13, the sealing material 126 is formed in a lattice shape so as to straddle the regions of the plurality of display panels 112 on the element substrate 36 (mother substrate 112 a ′) where the pixels 14 are formed. Specifically, this will be described with reference to FIG. First, as shown in FIG. 10, for example, a plurality of first lines extending from the first side 181 to the second side 182 of the mother substrate 112 a ′ so as to include the first outline line 171 straddling the plurality of display panels 112. Sealing material 126a is applied. Note that the alternate long and short dash line in FIG. 10 indicates the shape that will be the outer shape of the display panel 112 later.

次に、第2外形ライン172を含むように、第1辺181から第2辺182に亘って第2シール材126bを複数本塗布する。その後、第3外形ライン173を含むように、第3辺183から第4辺184に亘って第3シール材126cを複数本塗布する。そして、第2基板32(封止基板37)の外形ラインとなる第4外形ライン174においては、第2基板32の面内側に沿って第3辺183から第4辺184に亘って複数本の第4シール材126dを塗布する。よって、第4シール材126dの幅は、他のシール材126a〜126cと比較して細いことが好ましい。このように、第1外形ライン171から第4外形ライン174に沿った格子状にシール材126a〜126dを塗布する。   Next, a plurality of second sealing materials 126 b are applied from the first side 181 to the second side 182 so as to include the second outer shape line 172. Thereafter, a plurality of third sealing materials 126 c are applied from the third side 183 to the fourth side 184 so as to include the third outer shape line 173. And in the 4th external shape line 174 used as the external shape line of the 2nd board | substrate 32 (sealing board | substrate 37), along the surface inner side of the 2nd board | substrate 32, several pieces are extended over the 4th side 184 from the 3rd side 183. A fourth sealing material 126d is applied. Therefore, the width of the fourth sealing material 126d is preferably narrower than the other sealing materials 126a to 126c. As described above, the sealing materials 126a to 126d are applied in a lattice shape along the first outer shape line 171 to the fourth outer shape line 174.

なお、第1実施形態と同様、格子状にシール材126a〜126dを塗布した場合、交差する部分のシール材126の量が多くなることが考えられる。よって、交差する部分の近傍では、シール材126の塗布量を調整することが望ましい。   As in the first embodiment, when the sealing materials 126a to 126d are applied in a lattice shape, the amount of the sealing material 126 at the intersecting portion may be increased. Therefore, it is desirable to adjust the application amount of the sealing material 126 in the vicinity of the intersecting portion.

次に、第1実施形態と同様、ステップS14及びステップS21を行う(図5参照)。これにより、素子基板36及び封止基板37が完成する。その後、ステップS31〜S34を行う。   Next, step S14 and step S21 are performed as in the first embodiment (see FIG. 5). Thereby, the element substrate 36 and the sealing substrate 37 are completed. Thereafter, steps S31 to S34 are performed.

次に、図11に示すように(ステップS35)、素子基板36と封止基板37とが貼り合わされた表示パネル前駆体112aを切断して、それぞれの表示パネル112に個片化する(表示パネル112を切り出す)。まず、例えば、1つの表示パネル112における第1外形ライン171、第3外形ライン173、第2外形ライン172を切断する。切断する方法としては、第1実施形態と同様である。その後、端子部16の両端の第1面76及び第2面77を含む第5外形ライン175を切断する。   Next, as shown in FIG. 11 (step S35), the display panel precursor 112a in which the element substrate 36 and the sealing substrate 37 are bonded together is cut and separated into individual display panels 112 (display panel). 112 is cut out). First, for example, the first outline line 171, the third outline line 173, and the second outline line 172 in one display panel 112 are cut. The method for cutting is the same as in the first embodiment. Thereafter, the fifth outer shape line 175 including the first surface 76 and the second surface 77 at both ends of the terminal portion 16 is cut.

その後、第4外形ライン174に沿って、第2基板32における端子部16の領域に相当する領域を切断する。なお、第4外形ライン174は、第4シール材126dの縁に沿っている。   Thereafter, the region corresponding to the region of the terminal portion 16 in the second substrate 32 is cut along the fourth outer shape line 174. In addition, the 4th external shape line 174 is along the edge of the 4th sealing material 126d.

このように、シール材126を、切断ライン(第1外形ライン171〜第4外形ライン174)に沿って格子状に塗布するので、素子基板36と封止基板37との間にシール材126を介した状態で、表示パネル112の一部を切断することができる。これにより、表示パネル112における強度的に弱い部分である第1コーナー85〜第4コーナー88においては、素子基板36と封止基板37との間にシール材126を介した隙間のない状態で切断することが可能となり、安定して切断することができる。よって、第1コーナー85〜第4コーナー88が割れたり欠けたりすることを抑えることができる。   Thus, since the sealing material 126 is applied in a lattice shape along the cutting lines (first outer shape line 171 to fourth outer shape line 174), the sealing material 126 is provided between the element substrate 36 and the sealing substrate 37. In this state, a part of the display panel 112 can be cut. Thus, the first corner 85 to the fourth corner 88, which are weak portions in the display panel 112, are cut with no gap between the element substrate 36 and the sealing substrate 37 via the sealing material 126. And can be cut stably. Therefore, it can suppress that the 1st corner 85-the 4th corner 88 are cracked or chipped.

また、第1基板31の端子部16に第1面76及び第2面77を形成するので、表示パネル112における端子部16の強度を向上させることができる。また、後から面付け作業を行う場合と比較して、容易に面を形成することができる。   Further, since the first surface 76 and the second surface 77 are formed on the terminal portion 16 of the first substrate 31, the strength of the terminal portion 16 in the display panel 112 can be improved. Further, the surface can be easily formed as compared with the case where the imposition work is performed later.

以上により、図12に示すような複数の表示パネル112が切り出される。そして、引き続きステップS36及びステップS37を行って、有機EL装置(111)を完成させる。   Thus, a plurality of display panels 112 as shown in FIG. 12 are cut out. Subsequently, Step S36 and Step S37 are performed to complete the organic EL device (111).

以上詳述したように、第2実施形態によれば、上記した第1実施形態の(1)〜(4)の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。   As described above in detail, according to the second embodiment, the following effects can be obtained in addition to the effects (1) to (4) of the first embodiment.

(5)第2実施形態によれば、複数の表示パネル112の領域に跨るように、マザー基板112a’の第1辺181から第2辺182、及び第3辺183から第4辺184まで、シール材126を格子状に塗布するので、シール材126を効率よく塗布することが可能となり、多数個取り加工の生産性を向上させることができる。   (5) According to the second embodiment, from the first side 181 to the second side 182 and from the third side 183 to the fourth side 184 of the mother substrate 112a ′ so as to straddle the regions of the plurality of display panels 112, Since the sealing material 126 is applied in a lattice shape, the sealing material 126 can be efficiently applied, and the productivity of multi-piece machining can be improved.

なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。   In addition, embodiment is not limited above, It can also implement with the following forms.

(変形例1)
上記したように、表示パネル12,112における端子部16のコーナーのみ面付け(第1面76、第2面77)を行うことに限定されず、例えば、図13に示す表示パネル212のような面(78,79)を形成するようにしてもよい。図13は、有機EL装置の製造方法の一部を示す模式平面図である。面付けを行う部分としては、パネル前駆体膜212aにおける表示パネル212の4つのコーナーである。なお、第3面78及び第4面79において、シール材126が残るように、各シール材126の幅を設定することが好ましい。これによれば、表示パネル12における4つのコーナーに面付け処理が施され、更に、その部分にシール材126が存在するので、曲げ応力などに対して強度を向上させることができる。
(Modification 1)
As described above, the present invention is not limited to imposing only the corners of the terminal portions 16 in the display panels 12 and 112 (the first surface 76 and the second surface 77). For example, the display panel 212 shown in FIG. Surfaces (78, 79) may be formed. FIG. 13 is a schematic plan view showing a part of the method for manufacturing the organic EL device. The impositioned portions are the four corners of the display panel 212 in the panel precursor film 212a. Note that the width of each sealing material 126 is preferably set so that the sealing material 126 remains on the third surface 78 and the fourth surface 79. According to this, imposition processing is performed on the four corners of the display panel 12, and the sealing material 126 is present in the corners, so that the strength against bending stress can be improved.

(変形例2)
上記した変形例1ように、第3面78及び第4面79にシール材126が介在するようにシール材126の幅を設定することに代えて、例えば、図14に示すように、シール材を塗布してもよい。図14は、有機EL装置の製造方法の一部を示す模式平面図である。図14に示すシール材の塗布方法は、マザー基板312a’に対し格子状にシール材126a〜126dを塗布することに加えて、表示パネル312の第3面78及び第4面79のラインに沿ってシール材226a,226bを塗布する。これにより、格子状のシール材126の幅を広くすることなく、第3面78及び第4面79に沿ってシール材226a,226bを設けた構造にすることができる。これによれば、表示パネル312のコーナーの強度を向上させることができる。
(Modification 2)
Instead of setting the width of the sealing material 126 so that the sealing material 126 is interposed between the third surface 78 and the fourth surface 79 as in the first modification, for example, as shown in FIG. May be applied. FIG. 14 is a schematic plan view showing a part of the manufacturing method of the organic EL device. 14 is applied along the lines of the third surface 78 and the fourth surface 79 of the display panel 312 in addition to applying the sealing materials 126a to 126d in a lattice pattern to the mother substrate 312a ′. Then, seal materials 226a and 226b are applied. Accordingly, the structure in which the sealing materials 226 a and 226 b are provided along the third surface 78 and the fourth surface 79 can be obtained without increasing the width of the lattice-shaped sealing material 126. According to this, the strength of the corner of the display panel 312 can be improved.

(変形例3)
上記したように、トップエミッション型の有機EL装置11,111に適用することに限定されず、例えば、ボトムエミッション型の有機EL装置に適用するようにしてもよい。
(Modification 3)
As described above, the present invention is not limited to being applied to the top emission type organic EL devices 11 and 111, and may be applied to, for example, a bottom emission type organic EL device.

(変形例4)
上記した電気光学装置は、有機EL装置11,111に限定されず、例えば、液晶装置、プラズマディスプレイ、電子ペーパー等であってもよい。
(Modification 4)
The electro-optical device described above is not limited to the organic EL devices 11 and 111, and may be a liquid crystal device, a plasma display, electronic paper, or the like.

11,111…電気光学装置としての有機EL装置、12,112…電気光学パネルとしての表示パネル、12a,112a…表示パネル前駆体、12a’,112a’…第1マザーガラス基板としてのマザー基板、13…表示部、14,14R,14G,14B…画素、15…表示領域、16…端子部、17a,17b,17c…中継基板、21,22…樹脂フィルム、21a,22a…基材フィルム、21b,22b…接着層、23…電気光学素子としての有機EL素子、24,24R,24G,24B…カラーフィルター、25…封止樹脂、26,26a〜26d,126,126a〜126d…シール材、27,28…空間、29…封止樹脂の一部、31…第1基板、32…第2基板、33…異方性導電膜、34,35…中間接着層、36…素子基板、37…封止基板、38…交差する部分、41…走査線、42…信号線、43…電源線、44…信号線駆動回路、45…走査線駆動回路、46…スイッチング用TFT、47…保持容量、48…TFT素子、51…陽極、52…陰極、53…機能層、61…回路素子層、62…平坦化層、63…反射層、64…隔壁、65…電極保護層、66…有機緩衝層、67…ガスバリアー層、68…遮光層、71〜75,171〜175…外形ライン、76〜79…面、81〜84,181〜184…辺、85〜88…コーナー、91…ラミネート装置、92…加圧ローラー。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 11, 111 ... Organic EL device as an electro-optical device, 12, 112 ... Display panel as an electro-optical panel, 12a, 112a ... Display panel precursor, 12a ', 112a' ... Mother substrate as a first mother glass substrate, DESCRIPTION OF SYMBOLS 13 ... Display part, 14, 14R, 14G, 14B ... Pixel, 15 ... Display area, 16 ... Terminal part, 17a, 17b, 17c ... Relay board, 21, 22 ... Resin film, 21a, 22a ... Base film, 21b , 22b ... adhesive layer, 23 ... organic EL element as an electro-optical element, 24, 24R, 24G, 24B ... color filter, 25 ... sealing resin, 26, 26a to 26d, 126, 126a to 126d ... sealing material, 27 , 28 ... space, 29 ... part of the sealing resin, 31 ... first substrate, 32 ... second substrate, 33 ... anisotropic conductive film, 34, 35 ... intermediate adhesive layer 36 ... element substrate, 37 ... sealing substrate, 38 ... intersecting part, 41 ... scanning line, 42 ... signal line, 43 ... power line, 44 ... signal line driving circuit, 45 ... scanning line driving circuit, 46 ... for switching TFT, 47 ... Retention capacity, 48 ... TFT element, 51 ... Anode, 52 ... Cathode, 53 ... Functional layer, 61 ... Circuit element layer, 62 ... Flattening layer, 63 ... Reflective layer, 64 ... Partition, 65 ... Electrode protection Layer, 66 ... organic buffer layer, 67 ... gas barrier layer, 68 ... light shielding layer, 71 to 75, 171 to 175 ... outer shape line, 76 to 79 ... plane, 81 to 84, 181 to 184 ... side, 85 to 88 ... Corner, 91 ... Laminating device, 92 ... Pressure roller.

Claims (6)

貼り合わされた一対のマザーガラス基板から、電気光学素子を有する電気光学パネルを多数個取りする電気光学装置の製造方法であって、
前記一対のマザーガラス基板のうちの一方のマザーガラス基板上に、シール材を塗布する塗布工程と、
前記シール材を介して前記一方のマザーガラス基板に対向するように前記一対のマザーガラス基板のうちの他方のマザーガラス基板を貼り付ける貼付工程と、
前記一対のマザーガラス基板を前記シール材と平面視で重なる切断ラインに沿って切断して前記電気光学パネルを切り出す切断工程と、を有し、
前記塗布工程は、平面視で、第1の方向および前記第1の方向と交差する第2の方向に沿って前記電気光学素子を囲むように前記シール材を格子状に塗布する工程と、を含み、
前記切断工程では、前記シール材の前記第1の方向と第2の方向とが重なる交差部が、前記電気光学パネルのコーナー部となるように切断し、かつ前記コーナー部を面取りする工程を含むこと
を特徴とする電気光学装置の製造方法。
A method of manufacturing an electro-optical device that takes a large number of electro-optical panels having electro-optical elements from a pair of bonded mother glass substrates ,
An application step of applying a sealing material on one mother glass substrate of the pair of mother glass substrates ,
An attaching step of attaching the other mother glass substrate of the pair of mother glass substrates so as to face the one mother glass substrate through the sealing material,
Have a, and a cutting step of cutting the electro-optical panel along the cut lines overlaps the pair of mother glass substrates in the sealing material in a plan view,
And applying the sealing material in a lattice shape so as to surround the electro-optic element along a first direction and a second direction intersecting the first direction in a plan view. Including
The cutting step includes a step of cutting so that an intersecting portion where the first direction and the second direction of the sealing material overlap is a corner portion of the electro-optical panel, and chamfering the corner portion. A method of manufacturing an electro-optical device.
請求項1に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記電気光学パネルは、第1基板と、第2基板と、を有し、
前記切断工程において、前記一方のマザーガラス基板から前記第1基板、前記他方のマザーガラス基板から前記第2基板となるように切断して前記電気光学パネルを切り出すことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
A method of manufacturing the electro-optical device according to claim 1,
The electro-optical panel includes a first substrate and a second substrate,
In the cutting step, the electro-optical panel is cut out by cutting the first mother glass substrate to be the first substrate and the other mother glass substrate to be the second substrate . Production method.
請求項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記第1基板は、前記電気光学素子が設けられた素子領域と、端子部が設けられた端子領域と、を有し、
前記端子領域における前記第1基板と前記第2基板とは平面視で重なっておらず、
前記塗布工程において、前記シール材が前記第1基板の前記端子領域には形成されないように、前記シール材を前記一方のマザーガラス基板に塗布し、
前記切断工程では、前記第1基板のうち端子領域側のコーナー部を面取りすることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
A method of manufacturing the electro-optical device according to claim 2 ,
The first substrate has an element region in which the electro-optic element is provided, and a terminal region in which a terminal portion is provided ,
The first substrate and the second substrate in the terminal region do not overlap in plan view,
In the application step , the sealing material is applied to the one mother glass substrate so that the sealing material is not formed in the terminal region of the first substrate ,
In the cutting step, the corner portion on the terminal region side of the first substrate is chamfered .
請求項1乃至請求項のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記塗布工程は、前記交差部において、前記シール材の塗布量が他の部分の塗布量と同等になるように塗布量を変える、又は、塗布のタイミングを変えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
A method for manufacturing an electro-optical device according to any one of claims 1 to 3 ,
In the electro-optical device, the application step may change the application amount or change the application timing so that the application amount of the sealing material is equal to the application amount of other portions at the intersection . Production method.
請求項1乃至請求項のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記切断工程は、ダイシング法又はレーザー切断法を用いて、前記一対のマザーガラス基板を切断することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
A method for manufacturing an electro-optical device according to any one of claims 1 to 4 ,
The method of manufacturing an electro-optical device, wherein the cutting step includes cutting the pair of mother glass substrates using a dicing method or a laser cutting method.
請求項1乃至請求項のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記一対のマザーガラス基板をエッチングするエッチング工程と、
前記切断工程において切断された前記電気光学パネルを一対の樹脂フィルムでラミネートするラミネート工程と、を有し、
前記エッチング工程は、前記一対のマザーガラス基板各々の厚みが100μm以下となるようにエッチングすることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
A method for manufacturing an electro-optical device according to any one of claims 1 to 5 ,
An etching step of etching the pair of mother glass substrates;
Have a, a laminating step of laminating a pair of resin films the electro-optical panel which is cut in the cutting step,
The etching process, a method of manufacturing an electro-optical device, each of the thickness of the pair of mother glass substrates, characterized in that the etching so as to 100μm or less.
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