JP2008046446A - Electro-optical device, electronic apparatus and method for electro-optical device - Google Patents

Electro-optical device, electronic apparatus and method for electro-optical device Download PDF

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宏司 麻田
Hiroaki Furuhata
浩明 降旗
Masahiko Nakazawa
政彦 中沢
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electro-optical device that can reliably prevent a device substrate from being cracked at a portion overlapping a corner of a counter substrate, and to provide an electronic apparatus and a method for manufacturing the electro-optical device. <P>SOLUTION: In a liquid crystal device 1, a device substrate 10 of a liquid crystal device 1 has an overhang region 15 overhanging from a substrate edge 201 of a counter substrate 20, therefore, three substrate edges 202, 203, 204 of the counter substrate 20 overlap with the substrate edges 102, 103, 104 of the device substrate 10, while the substrate edge 201 overlaps with the substrate surface of the device substrate 10. The counter substrate 20 has a C-chamfered shape at a corner portion to be formed when the substrate edge 201 is extended orthogonal to the substrate edges 202, 203 and both ends of the substrate edge 201 are served as chamfered portions 210. Therefore, the substrate edge 201 and the substrate edges 202, 203 form intersections 50 crossing at an angle of 135°. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、2枚の基板が貼り合わされた電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法に関するものである。   The present invention relates to an electro-optical device in which two substrates are bonded, an electronic apparatus, and a method for manufacturing the electro-optical device.

各種の電気光学装置のうち、例えば、アクティブマトリクス型の液晶装置は、図11に示すように、画素スイッチング素子および画素電極が形成された素子基板10と、対向電極が形成された対向基板20とを貼り合せた構造を有している。また、素子基板10は、対向基板20から張り出した張り出し領域15を備えており、張り出し領域15には駆動用ICが実装されるIC実装領域1s、およびフレキシブル基板が接続される基板実装領域1tが形成されている。   Among various electro-optical devices, for example, an active matrix liquid crystal device includes an element substrate 10 on which pixel switching elements and pixel electrodes are formed, and a counter substrate 20 on which counter electrodes are formed, as shown in FIG. Has a structure of bonding. In addition, the element substrate 10 includes an overhang area 15 that protrudes from the counter substrate 20. The overhang area 15 includes an IC mounting area 1 s where a driving IC is mounted and a substrate mounting area 1 t where a flexible substrate is connected. Is formed.

このような液晶装置については、素子基板10および対向基板20を薄板化して液晶装置の薄型化を図ることが課題である。しかしながら、最初から薄い基板を用いると、半導体プロセスを利用して画素トランジスタ、画素電極、対向電極などを形成する際、基板が割れてしまうおそれがある。   With respect to such a liquid crystal device, it is an object to reduce the thickness of the liquid crystal device by thinning the element substrate 10 and the counter substrate 20. However, if a thin substrate is used from the beginning, the substrate may be broken when a pixel transistor, a pixel electrode, a counter electrode, or the like is formed using a semiconductor process.

そこで、素子基板10と対向基板20とを貼り合せた後、外側表面を機械研磨して薄板化する技術が提案されている。また、素子基板10および対向基板20を機械研磨する際、素子基板10の張り出し領域15の角部160が浮き上がって研磨量にばらつきが発生するとして、角部160に対してC面取り110を施すことが提案されている。ここで、対向基板20の4つの角部は、張り出し領域15の角部160と違って、浮き上がることがないので、面取りを行う必要がなく、90°のままである(例えば、特許文献1参照)。
特開2004−101741号公報
Therefore, a technique has been proposed in which after the element substrate 10 and the counter substrate 20 are bonded together, the outer surface is mechanically polished to form a thin plate. Further, when the element substrate 10 and the counter substrate 20 are mechanically polished, the corner 160 of the overhanging region 15 of the element substrate 10 is lifted, and the amount of polishing varies, so that C corner 110 is applied to the corner 160. Has been proposed. Here, unlike the corner 160 of the overhanging region 15, the four corners of the counter substrate 20 are not lifted, and therefore do not need to be chamfered and remain at 90 ° (see, for example, Patent Document 1). ).
JP 2004-101741 A

図11に示すようなC面取り110は、研磨量のばらつきを抑えるという効果の他にも、素子基板10の角部160に割れが発生するのを防止するという面でも効果的である。   The C chamfer 110 as shown in FIG. 11 is effective not only in suppressing variation in the polishing amount, but also in preventing the corner portion 160 of the element substrate 10 from cracking.

しかしながら、素子基板10の割れは、角部160に限らず、素子基板10において、張り出し領域15の端部で対向基板20の角部240と重なる部分150でも発生するが、かかる割れについては、素子基板10の角部160を面取りしても防止することができない。   However, the crack of the element substrate 10 is not limited to the corner portion 160 but also occurs in the element substrate 10 in the portion 150 that overlaps the corner portion 240 of the counter substrate 20 at the end of the overhang region 15. Even if the corner portion 160 of the substrate 10 is chamfered, it cannot be prevented.

ここに、本願発明者は、素子基板10において対向基板20の角部240と重なる部分150に割れが発生する原因を追求した結果、駆動用ICやフレキシブル基板を実装する際に張り出し領域15に荷重が加わると、対向基板20の角部240と重なる部分150を中心に張り出し領域15を撓ませようとする力が集中して加わり、対向基板20の角部240と重なる部分150に割れが発生するという知見を得た。   Here, the inventor of the present application pursued the cause of the occurrence of cracking in the portion 150 overlapping the corner portion 240 of the counter substrate 20 in the element substrate 10, and as a result, when mounting the driving IC or the flexible substrate, Is applied, the force to bend the overhanging region 15 around the portion 150 that overlaps the corner portion 240 of the counter substrate 20 is concentrated and a crack occurs in the portion 150 that overlaps the corner portion 240 of the counter substrate 20. I got the knowledge.

本発明の課題は、かかる知見に基づいて、素子基板において対向基板の角部と重なる部分に割れが発生するのを確実に防止可能な電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide an electro-optical device, an electronic apparatus, and a method of manufacturing an electro-optical device capable of reliably preventing a crack from occurring in a portion of an element substrate that overlaps a corner portion of a counter substrate. It is to provide.

上記課題を解決するために、本発明では、第1の基板と第2の基板とが貼り合わされているとともに、前記第1の基板には、前記第2の基板から張り出した張り出し領域にフレキシブル基板およびICの少なくとも一方が実装されている電気光学装置において、前記第2の基板は、前記張り出し領域が位置する側で前記第1の基板の基板面と重なる第1の基板縁と、前記第1の基板の基板縁と重なる第2の基板縁と、前記第1の基板縁と前記第2の基板縁とが交わる交点とを備え、当該交点では、前記第1の基板縁と前記第2の基板縁とが90°より大きな角度で交わっていることを特徴とする。本発明において「前記第1の基板縁と前記第2の基板縁とが90°より大きな角度で交わっている」とは、第1の基板縁の端部が曲線になっている場合に交点での第1の基板縁に対する接線と第2の基板縁とがなす角度が90°より大きい形態を含む意味である。   In order to solve the above-described problems, in the present invention, a first substrate and a second substrate are bonded together, and a flexible substrate is provided on the first substrate in an overhang region that projects from the second substrate. In the electro-optical device on which at least one of the IC is mounted, the second substrate includes a first substrate edge that overlaps a substrate surface of the first substrate on a side where the projecting region is located, and the first substrate A second substrate edge overlapping the substrate edge of the substrate, and an intersection point where the first substrate edge and the second substrate edge intersect, wherein the first substrate edge and the second substrate edge The substrate edge intersects with an angle larger than 90 °. In the present invention, “the first substrate edge and the second substrate edge intersect at an angle larger than 90 °” is an intersection when the end portion of the first substrate edge is curved. This means that the angle formed between the tangent to the first substrate edge and the second substrate edge is greater than 90 °.

本発明では、第1の基板の張り出し領域に駆動用ICやフレキシブル基板を実装する際、張り出し領域に荷重が加わると、第1の基板において、第2の基板の第1の基板縁と第2の基板縁との交点と重なる部分に張り出し領域を撓ませようとする力が集中して加わるが、交点では第1の基板縁と第2の基板縁が90°より大きな角度で交わっており、第2の基板は尖っていない。このため、交点で第1の基板縁と第2の基板縁が90°以下の小さな角度で交わっている場合と比較して、第1の基板には力が分散して加わるため、第1の基板において第2の基板の第1の基板縁と第2の基板縁との交点と重なる部分に割れが発生しない。   In the present invention, when a driving IC or a flexible substrate is mounted on the overhanging region of the first substrate, if a load is applied to the overhanging region, the first substrate edge of the second substrate and the second substrate in the first substrate. The force to bend the overhanging area is concentrated on the portion that overlaps the intersection with the substrate edge, but at the intersection, the first substrate edge and the second substrate edge intersect at an angle greater than 90 °, The second substrate is not sharp. Therefore, compared with the case where the first substrate edge and the second substrate edge intersect at a small angle of 90 ° or less at the intersection, the force is distributed and applied to the first substrate. In the substrate, no crack is generated at the portion of the second substrate that overlaps the intersection of the first substrate edge and the second substrate edge.

本発明において、前記第1の基板縁は、長さ方向の中央側で直線的に延びた直線部分を備え、前記第1の基板縁において、前記第2の基板縁と交わって前記交点を構成する端部と前記直線部分とは、90°より大きな角度の出角部分、あるいは曲線部分を介して接続されていることが好ましい。このように構成すると、第1の基板には、基板面に対しても過大な力が加わらないので、第1の基板に割れが発生するのをより確実に防止することができる。   In the present invention, the first substrate edge includes a linear portion extending linearly at the center in the length direction, and the first substrate edge intersects the second substrate edge to form the intersection point. It is preferable that the end portion to be connected to the straight line portion is connected via an exit angle portion having a larger angle than 90 ° or a curved portion. If comprised in this way, since an excessive force will not be applied to a 1st board | substrate also with respect to a board | substrate surface, it can prevent more reliably that a crack generate | occur | produces in a 1st board | substrate.

本発明において、前記第1の基板縁と前記第2の基板縁とが90°より大きな角度で交わっている構成として、前記第2の基板は、前記第1の基板縁を前記第2の基板縁に対して直交するように延長した際に形成される角部分を除去した構成を採用することができる。また、前記第1の基板縁と前記第2の基板縁とが90°より大きな角度で交わっている構成として、前記第2の基板は、前記第1の基板縁を前記第2の基板縁に対して直交するように延長した際に形成される角部分をC面取りした構成、あるいはR面取りした構成を採用することができる。   In the present invention, the second substrate is configured such that the first substrate edge and the second substrate edge intersect each other at an angle larger than 90 °. A configuration in which a corner portion formed when extending so as to be orthogonal to the edge can be adopted. Further, as the configuration in which the first substrate edge and the second substrate edge intersect at an angle larger than 90 °, the second substrate has the first substrate edge as the second substrate edge. On the other hand, it is possible to adopt a configuration in which corner portions formed when extending so as to be orthogonal to each other are C-chamfered or R-chamfered.

本発明は、前記第1の基板および前記第2の基板の厚さが0.5mm以下、さらには0.25mm以下である場合に適用すると効果的である。   The present invention is effectively applied when the thickness of the first substrate and the second substrate is 0.5 mm or less, and further 0.25 mm or less.

本発明では、第1の基板と第2の基板とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記第2の基板を切断して前記第1の基板に対して前記第2の基板から張り出す張り出し領域を形成する基板切断工程と、前記張り出し領域にフレキシブル基板およびICの少なくとも一方を実装する実装工程とを有する電気光学装置の製造方法において、前記基板切断工程では、前記第2の基板が、前記張り出し領域が位置する側で前記第1の基板の基板面と重なる第1の基板縁と、前記第1の基板の基板縁と重なる第2の基板縁と、前記第1の基板縁と前記第2の基板縁とが交わる交点とを備え、当該交点では、前記第1の基板縁と前記第2の基板縁とが90°より大きな角度で交わるように前記第2の基板を切断することを特徴とする。このように構成すると、基板切断工程で第1の基板縁と第2の基板縁との交点の形状を整えるので、別工程で第2の基板に面取り加工などを行う必要がない。   In the present invention, a bonding step of bonding the first substrate and the second substrate, and an overhanging region protruding from the second substrate with respect to the first substrate by cutting the second substrate. In the method of manufacturing an electro-optical device, which includes a substrate cutting step to be formed and a mounting step in which at least one of a flexible substrate and an IC is mounted on the overhanging region, in the substrate cutting step, the second substrate is moved to the overhanging region. On the side where the first substrate is located, the first substrate edge overlapping the substrate surface of the first substrate, the second substrate edge overlapping the substrate edge of the first substrate, the first substrate edge and the second substrate edge Characterized in that the second substrate is cut so that the first substrate edge and the second substrate edge intersect at an angle greater than 90 ° at the intersection point. To do. If comprised in this way, since the shape of the intersection of a 1st board | substrate edge and a 2nd board | substrate edge is adjusted at a board | substrate cutting process, it is not necessary to perform a chamfering process etc. to a 2nd board | substrate at another process.

本発明において、前記基板切断工程では、前記第1の基板縁が、長さ方向の中央側で直
線的に延びた直線部分を備え、かつ、前記第1の基板縁において、前記第2の基板縁と交わって前記交点を構成する端部と前記直線部分とが90°より大きな角度の出角部分、あるいは曲線部分を介して接続された形状に前記第2の基板を切断することが好ましい。
In the present invention, in the substrate cutting step, the first substrate edge includes a linear portion extending linearly on the center side in the length direction, and the second substrate is provided at the first substrate edge. It is preferable that the second substrate is cut into a shape in which an end portion that intersects an edge and constitutes the intersection point and the linear portion are connected via an outgoing angle portion or a curved portion having an angle larger than 90 °.

本発明では、前記貼り合わせ工程の後、前記基板切断工程の前に、前記第1の基板および前記第2の基板の外側表面をエッチングあるいは研磨して前記第1の基板および前記第2の基板を薄板化することが好ましい。   In the present invention, after the bonding step and before the substrate cutting step, the first substrate and the second substrate are etched or polished on the outer surfaces of the first substrate and the second substrate. Is preferably made thin.

本発明を適用した電気光学装置は、例えば、モバイルコンピュータや携帯電話機などといった電子機器に用いられる。   The electro-optical device to which the present invention is applied is used in an electronic apparatus such as a mobile computer or a mobile phone.

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明に用いた各図では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を相違させてある。また、以下の説明では、図11に示す部分と共通する機能を有する部分には同一の符号を付してある。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the drawings used for the following description, the scales are different for each layer and each member in order to make each layer and each member large enough to be recognized on the drawing. Moreover, in the following description, the same code | symbol is attached | subjected to the part which has a function common to the part shown in FIG.

[実施の形態1]
(液晶装置の全体構成)
図1(a)、(b)は各々、本発明の実施の形態1に係る液晶装置(電気光学装置)をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのH−H′断面図である。図2は、図1に示す液晶装置を斜めからみた様子を模式的に示す説明図である。
[Embodiment 1]
(Overall configuration of liquid crystal device)
1A and 1B are plan views of the liquid crystal device (electro-optical device) according to Embodiment 1 of the present invention, as viewed from the counter substrate side, together with the components formed thereon, and It is the HH 'sectional view. FIG. 2 is an explanatory diagram schematically showing a state in which the liquid crystal device shown in FIG. 1 is viewed from an oblique direction.

図1(a)、(b)および図2において、本形態の液晶装置1は、TN(Twisted Nematic)モード、ECB(Electrically Controlled Birefringence)モード、あるいはVAN(Vertical Aligned Nematic)モードの透過型のアクティブマトリクス型の液晶装置である。この液晶装置1では、矩形の素子基板10(第1の基板)と矩形の対向基板20(第2の基板)とがシール材22を介して貼り合わされ、その間に液晶1fが保持されている。素子基板10の基材は、厚さが0.5mm以下、さらには0.25mm以下まで薄板化されたガラス基板11であり、対向基板20の基材も、厚さが0.5mm以下、さらには0.25mm以下まで薄板化されたガラス基板21である。   1A, 1B, and 2, the liquid crystal device 1 according to the present embodiment is a transmissive active type in a TN (Twisted Nematic) mode, an ECB (Electrically Controlled Birefringence) mode, or a VAN (Vertical Aligned Nematic) mode. It is a matrix type liquid crystal device. In this liquid crystal device 1, a rectangular element substrate 10 (first substrate) and a rectangular counter substrate 20 (second substrate) are bonded together via a sealing material 22, and the liquid crystal 1 f is held therebetween. The base material of the element substrate 10 is a glass substrate 11 having a thickness of 0.5 mm or less, further thinned to 0.25 mm or less, and the base material of the counter substrate 20 is also 0.5 mm or less in thickness. Is a glass substrate 21 thinned to 0.25 mm or less.

シール材22は、素子基板10と対向基板20とをそれらの周辺で貼り合わせるための光硬化樹脂や熱硬化性樹脂などからなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。シール材22には、その途切れ部分によって液晶注入口25が形成され、液晶1fを注入した後、封止材250により封止されている。   The sealing material 22 is an adhesive made of a photo-curing resin or a thermosetting resin for bonding the element substrate 10 and the counter substrate 20 around them, and is used for setting the distance between the substrates to a predetermined value. Gap materials such as glass fiber or glass beads are blended. A liquid crystal injection port 25 is formed in the sealing material 22 by the discontinuous portion, and after the liquid crystal 1f is injected, the sealing material 250 is sealed.

素子基板10において、シール材22で囲まれた領域内には、画素トランジスタ1cや画素電極2aがマトリクス状に形成され、その表面に配向膜19が形成されている。対向基板20には、シール材22の内側領域に遮光性材料からなる額縁26(図1(b)では図示を省略)が形成され、その内側が画像表示領域1a(画素領域)になっている。対向基板20には、図示を省略するが、各画素の縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜が形成され、その上層側には、対向電極28および配向膜29が形成されている。また、対向基板20において、素子基板10の各画素に対向する領域には、RGBのカラーフィルタ(図示せず)がその保護膜とともに形成され、それにより、液晶装置1をモバイルコンピュータ、携帯電話機、液晶テレビなどといった電子機器のカラー表示装置として用いることができる。なお、
図1(a)に模式的に示すように、素子基板10と対向基板20との間では、シール材22に配合された基板間導通用の導電材23などにより、素子基板10に形成された共通配線と対向基板20の対向電極28とが電気的に接続されている。
In the element substrate 10, the pixel transistors 1 c and the pixel electrodes 2 a are formed in a matrix shape in a region surrounded by the sealing material 22, and an alignment film 19 is formed on the surface thereof. On the counter substrate 20, a frame 26 (not shown in FIG. 1B) made of a light-shielding material is formed in an inner region of the sealing material 22, and an inner side thereof is an image display region 1 a (pixel region). . Although not shown, a light shielding film called a black matrix or black stripe is formed on the counter substrate 20 in a region facing the vertical and horizontal boundary regions of each pixel. An alignment film 29 is formed. In the counter substrate 20, an RGB color filter (not shown) is formed with a protective film in a region facing each pixel of the element substrate 10, so that the liquid crystal device 1 can be connected to a mobile computer, a mobile phone, It can be used as a color display device for electronic equipment such as a liquid crystal television. In addition,
As schematically shown in FIG. 1A, the element substrate 10 and the counter substrate 20 are formed on the element substrate 10 by the conductive material 23 for inter-substrate conduction blended in the sealing material 22. The common wiring and the counter electrode 28 of the counter substrate 20 are electrically connected.

(張り出し領域の構成)
素子基板10は対向基板20よりも大きく、素子基板10の基板縁101の側の端部は、シール材22の外側で対向基板20の基板縁201から張り出した張り出し領域15を備えている。張り出し領域15には、IC実装領域1sが形成されており、このIC実装領域1sには、ゲート線駆動回路66およびソース線駆動回路67を内蔵の駆動用IC60がCOG(Chip On Glass)実装されている。また、素子基板10の張り出し領域15には、IC実装領域1sより外周縁側に基板接続領域1tが形成されており、この基板接続領域1tにはフレキシブル配線基板70が接続されている。従って、素子基板10において、画像表示領域1aからIC実装領域1sに向けては、画像表示領域1aの外側領域1bを通って引き回し配線1x、1yが延びているとともに、IC実装領域1sと基板接続領域1tとの間には配線(図示せず)が形成されている。
(Structure of overhang area)
The element substrate 10 is larger than the counter substrate 20, and an end portion of the element substrate 10 on the substrate edge 101 side is provided with a protruding region 15 that protrudes from the substrate edge 201 of the counter substrate 20 outside the sealing material 22. An IC mounting region 1 s is formed in the overhanging region 15, and a driving IC 60 including a gate line driving circuit 66 and a source line driving circuit 67 is mounted in the IC mounting region 1 s by COG (Chip On Glass). ing. Further, a substrate connection region 1t is formed in the projecting region 15 of the element substrate 10 on the outer peripheral side of the IC mounting region 1s, and a flexible wiring substrate 70 is connected to the substrate connection region 1t. Accordingly, in the element substrate 10, the wiring lines 1x and 1y extend from the image display region 1a to the IC mounting region 1s through the outer region 1b of the image display region 1a, and the IC mounting region 1s and the substrate connection are connected. A wiring (not shown) is formed between the region 1t and the region 1t.

(対向基板の形状について)
素子基板10は対向基板20の基板縁201(第1の基板縁)から張り出した張り出し領域15を備えているため、対向基板20の4つの基板縁201、202、203、204のうち、3つの基板縁202、203、204(第2の基板縁)は、素子基板10の基板縁102、103、104と重なっている一方、対向基板20において張り出し領域15側に位置する基板縁201(第1の基板縁)は、素子基板10の基板面と重なっている。また、対向基板20では、基板縁201と基板縁202、203は、素子基板10の基板縁102、103上(液晶装置1の外形線上)で交わり、交点50を構成している。
(About the shape of the counter substrate)
Since the element substrate 10 includes the protruding region 15 that protrudes from the substrate edge 201 (first substrate edge) of the counter substrate 20, three of the four substrate edges 201, 202, 203, and 204 of the counter substrate 20 are provided. The substrate edges 202, 203, and 204 (second substrate edges) overlap with the substrate edges 102, 103, and 104 of the element substrate 10, while the substrate edge 201 (the first substrate edge 201 positioned on the overhanging region 15 side in the counter substrate 20). (The substrate edge) overlaps the substrate surface of the element substrate 10. In the counter substrate 20, the substrate edge 201 and the substrate edges 202 and 203 intersect on the substrate edges 102 and 103 of the element substrate 10 (on the outline of the liquid crystal device 1) to form an intersection 50.

本形態では、基板縁201と基板縁202、203とは、素子基板10の基板縁102、103と重なる位置(液晶装置1の外形線上)で90°より大きな角度θで交わって交点50を形成している。すなわち、対向基板20は、基板縁201を基板縁202、203に対して直交するように延長した際に形成される角部分をC面取りにより除去した形状になっており、基板縁201の両端部は面取り部210になっている。このため、基板縁201と基板縁202、203とは、約135°の角度で交わって交点50を形成している。また、基板縁201は、長さ方向の中央側で直線的に延びた直線部分を備え、この直線部分は、基板縁202、203と交わって交点50を構成する端部に対して、90°より大きな角度の出角部分を介して接続されている。   In this embodiment, the substrate edge 201 and the substrate edges 202 and 203 intersect with the substrate edges 102 and 103 of the element substrate 10 (on the outline of the liquid crystal device 1) at an angle θ larger than 90 ° to form an intersection 50. is doing. That is, the counter substrate 20 has a shape in which corner portions formed when the substrate edge 201 is extended so as to be orthogonal to the substrate edges 202 and 203 are removed by C chamfering. Is a chamfered portion 210. Therefore, the substrate edge 201 and the substrate edges 202 and 203 intersect at an angle of about 135 ° to form an intersection point 50. In addition, the substrate edge 201 includes a straight portion linearly extending on the center side in the length direction, and this straight portion intersects the substrate edges 202 and 203 with respect to an end portion constituting the intersection 50. It is connected through a larger angle angle part.

(液晶装置1の製造方法)
図3は、大型基板から液晶装置を製造する方法を示す説明図である。図4は、液晶装置の素子基板に駆動用ICを実装する方法を示す説明図である。
(Manufacturing method of the liquid crystal device 1)
FIG. 3 is an explanatory view showing a method of manufacturing a liquid crystal device from a large substrate. FIG. 4 is an explanatory diagram showing a method of mounting a driving IC on the element substrate of the liquid crystal device.

本形態の液晶装置1において、素子基板10および対向基板20はいずれも、基板厚が0.5mm以下、さらには0.25mm以下である。但し、最初から薄い基板を用いると、半導体プロセスを利用して画素トランジスタ1c、画素電極2a、対向電極28などを形成すると基板が割れてしまうおそれがある。また、素子基板10および対向基板20を各々、1枚ずつ製作したのでは生産性が低い。   In the liquid crystal device 1 of this embodiment, both the element substrate 10 and the counter substrate 20 have a substrate thickness of 0.5 mm or less, and further 0.25 mm or less. However, if a thin substrate is used from the beginning, the substrate may be broken if the pixel transistor 1c, the pixel electrode 2a, the counter electrode 28, and the like are formed using a semiconductor process. Further, if each of the element substrate 10 and the counter substrate 20 is manufactured one by one, the productivity is low.

そこで、本形態では、図3(a)に示すように、単品サイズの素子基板10を多数取りできる厚い第1の大型基板100と、単品サイズの対向基板20を多数取りできる厚い第2の大型基板200とを準備して、これらの大型基板100、200に対して、半導体プロセスなどを利用して、画素スイッチング素子、画素電極、および対向電極などの各構成要素を複数の基板分を形成する。   Therefore, in this embodiment, as shown in FIG. 3A, a thick first large substrate 100 that can take a large number of single-sized element substrates 10 and a thick second large size that can take a large number of single-sized counter substrates 20. A substrate 200 is prepared, and a component such as a pixel switching element, a pixel electrode, and a counter electrode is formed on the large substrates 100 and 200 by using a semiconductor process or the like for a plurality of substrates. .

次に、貼り合わせ工程では、第1の大型基板100あるいは第2の大型基板200に対して、素子基板10あるいは対向基板20として切り出される領域の各々に対してシール材22(図1(a)、(b)参照)を塗布、あるいは印刷した後、図3(b)に示すように、大型基板100、200同士をシール材22によって貼り合せて、大型のパネル構造体300を形成する。   Next, in the bonding step, the sealing material 22 (FIG. 1A) is applied to each of the regions cut out as the element substrate 10 or the counter substrate 20 with respect to the first large substrate 100 or the second large substrate 200. , (B)) is applied or printed, and then, as shown in FIG. 3B, the large substrates 100 and 200 are bonded to each other with the sealing material 22 to form a large panel structure 300.

次に、薄板化工程では、パネル構造体300の外周縁で開口する大型基板100、200の隙間をエポキシ樹脂やピッチ系塗料などの被覆材で塞いだ状態でフッ酸を含むエッチング液にパネル構造体300を浸漬し、図3(c)に示すように、パネル構造体300の外側表面(大型基板100、200の外側表面)をエッチングし、大型基板100、200を0.5mm以下、さらには0.25mm以下にまで薄板化する。次に、パネル構造体300を洗浄する。なお、被覆材として用いたエポキシ樹脂やピッチ系塗料については溶剤などにより除去してもよいが、以下に説明する切断工程により、被覆材が付着している部分を除去してもよい。また、基板に対するエッチングとしては、ウエットエッチングの他、ドライエッチングを採用してもよい。さらには、大型基板100、200を研磨して薄板化してもよい。   Next, in the thinning process, the panel structure is immersed in an etching solution containing hydrofluoric acid in a state where the gap between the large substrates 100 and 200 opened at the outer peripheral edge of the panel structure 300 is covered with a coating material such as epoxy resin or pitch paint. The body 300 is immersed, and as shown in FIG. 3C, the outer surface of the panel structure 300 (the outer surface of the large substrates 100 and 200) is etched to make the large substrates 100 and 200 0.5 mm or less, Thin plate to 0.25 mm or less. Next, the panel structure 300 is cleaned. The epoxy resin or pitch paint used as the coating material may be removed with a solvent or the like, but the portion to which the coating material is attached may be removed by a cutting process described below. In addition to wet etching, dry etching may be employed for etching the substrate. Further, the large substrates 100 and 200 may be polished and thinned.

次に、基板切断工程を行う。この基板切断工程では、まず、切断予定線301、302に沿ってパネル構造体300(第1の大型基板100および第2の大型基板200)を切断して短冊状のパネル構造体を得る。ここで、切断予定線301での大型基板100の切断により、素子基板10の基板縁101、104が形成され、切断予定線302での切断により、対向基板20の基板縁204が形成される。この状態で、図1に示すシール材22の途切れ部分が液晶注入口25として、短冊状のパネル構造体の外周縁で開口するので、液晶注入口25から液晶をパネル内に注入した後、液晶注入口25を封止材250により封止する。   Next, a substrate cutting process is performed. In this substrate cutting step, first, the panel structure 300 (the first large substrate 100 and the second large substrate 200) is cut along the planned cutting lines 301 and 302 to obtain a strip-shaped panel structure. Here, the substrate edges 101 and 104 of the element substrate 10 are formed by cutting the large substrate 100 along the planned cutting line 301, and the substrate edge 204 of the counter substrate 20 is formed by cutting along the planned cutting line 302. In this state, the discontinuous portion of the sealing material 22 shown in FIG. 1 is opened as the liquid crystal injection port 25 at the outer peripheral edge of the strip-shaped panel structure. The inlet 25 is sealed with a sealing material 250.

次に、切断予定線303、304に沿って単品サイズのパネル構造体を得る。ここで、切断予定線303での大型基板100の切断により、素子基板10の基板縁102、103が形成され、切断予定線304での切断により、対向基板20の基板縁202、203が形成される。   Next, a single-size panel structure is obtained along the planned cutting lines 303 and 304. Here, the substrate edges 102 and 103 of the element substrate 10 are formed by cutting the large substrate 100 along the planned cutting line 303, and the substrate edges 202 and 203 of the counter substrate 20 are formed by cutting along the planned cutting line 304. The

次に、切断予定線305に沿って対向基板20を切断して、対向基板20のうち、素子基板10の張り出し領域15に被さる部分を除去し、張り出し領域15に形成されているIC実装領域1sや基板接続領域1tの上方を開放する。   Next, the counter substrate 20 is cut along the planned cutting line 305 to remove the portion of the counter substrate 20 that covers the projecting region 15 of the element substrate 10, and the IC mounting region 1 s formed in the projecting region 15. And the upper part of the board connection region 1t is opened.

ここで、切断予定線305での対向基板20の切断により、対向基板20の基板縁201が形成される。また、本形態において、切断予定線305は、図3(d)に拡大して示すように、切断予定線304とが交差する部分で斜線部306になっている。従って、対向基板20は、基板縁201を基板縁202、203に対して直交するように延長した際に形成される角部分をC面取りにより除去した形状に切断され、基板縁201の両端部にC面取り部210が形成される。このため、基板縁201と基板縁202、203とは、135°の角度で交わって交点50を形成することになる。また、基板縁201は、長さ方向の中央側で直線的に延びた直線部分を備え、この直線部分は、基板縁202、203と交わって交点50を構成する端部に対して、90°より大きな角度の出角部分を介して接続されている。   Here, the substrate edge 201 of the counter substrate 20 is formed by cutting the counter substrate 20 along the planned cutting line 305. Further, in this embodiment, the planned cutting line 305 is a hatched portion 306 at a portion where the planned cutting line 304 intersects as shown in an enlarged view in FIG. Accordingly, the counter substrate 20 is cut into a shape in which corner portions formed when the substrate edge 201 is extended so as to be orthogonal to the substrate edges 202 and 203 are removed by chamfering, and are formed at both ends of the substrate edge 201. A chamfered portion 210 is formed. For this reason, the substrate edge 201 and the substrate edges 202 and 203 intersect at an angle of 135 ° to form the intersection point 50. In addition, the substrate edge 201 includes a straight portion linearly extending on the center side in the length direction, and this straight portion intersects the substrate edges 202 and 203 with respect to an end portion constituting the intersection 50. It is connected through a larger angle angle part.

次に、実装工程では、図4に模式的に示すように、ステージ510上に載置した素子基板10のIC実装領域1sに対して異方性導電材を塗布あるいは被覆した後、駆動用IC60を配置し、しかる後に、異方性導電材を加熱しながら、ヘッド520により駆動用I
C60を押圧する。その結果、素子基板10のパッドと駆動用IC60のバンプとは、異方性導電材に含まれる導電粒子によって接続される。このようなIC実装工程の後、あるいはその前に、異方性導電材などを用いて、基板接続領域1tにフレキシブル基板70を接続する。
Next, in the mounting process, as schematically shown in FIG. 4, after applying or covering an anisotropic conductive material to the IC mounting region 1 s of the element substrate 10 placed on the stage 510, the driving IC 60. After that, while driving the anisotropic conductive material, the driving I is driven by the head 520.
Press C60. As a result, the pads of the element substrate 10 and the bumps of the driving IC 60 are connected by the conductive particles contained in the anisotropic conductive material. After or before such an IC mounting process, the flexible substrate 70 is connected to the substrate connection region 1t using an anisotropic conductive material or the like.

(本形態の主な効果)
以上説明したように、本形態の液晶装置1では、対向基板20において、基板縁201と基板縁202、203とは90°より大きな角度、本形態では、135°の角度をもって交点50で交わっている。このため、素子基板10の張り出し領域15に駆動用IC60やフレキシブル基板70を実装する際、張り出し領域15に荷重が加わると、素子基板10において、対向基板20の基板縁201と基板縁202、203との交点50と重なる部分150に張り出し領域15を撓ませようとする力が集中して加わるが、交点50では基板縁201と基板縁202、203が90°より大きな角度θで交わっており、対向基板20は尖っていない。このため、交点50で基板縁201と基板縁202、203が90°以下の小さな角度で交わっている場合と比較して、素子基板10には力が分散して加わることになる。それ故、素子基板10および対向基板20を0.5mm以下、さらには0.25mm以下まで薄板化した場合でも、素子基板10において対向基板20の基板縁201と基板縁202、203との交点50と重なる部分150には割れが発生しない。
(Main effects of this form)
As described above, in the liquid crystal device 1 of this embodiment, in the counter substrate 20, the substrate edge 201 and the substrate edges 202 and 203 intersect at an intersection 50 at an angle larger than 90 °, and in this embodiment, an angle of 135 °. Yes. For this reason, when the driving IC 60 and the flexible substrate 70 are mounted on the overhanging region 15 of the element substrate 10, if a load is applied to the overhanging region 15, the substrate edge 201 and the substrate edges 202 and 203 of the counter substrate 20 in the element substrate 10. The force to bend the overhanging region 15 is concentrated on the portion 150 that overlaps the intersection 50 with the substrate 50, but at the intersection 50, the substrate edge 201 and the substrate edges 202 and 203 intersect at an angle θ greater than 90 ° The counter substrate 20 is not sharp. For this reason, compared with the case where the substrate edge 201 and the substrate edges 202 and 203 intersect at a small angle of 90 ° or less at the intersection 50, force is applied to the element substrate 10 in a distributed manner. Therefore, even when the element substrate 10 and the counter substrate 20 are thinned to 0.5 mm or less, and further to 0.25 mm or less, the intersection 50 between the substrate edge 201 of the counter substrate 20 and the substrate edges 202 and 203 in the element substrate 10. Cracks do not occur in the overlapping portion 150.

また、基板縁201は、長さ方向の中央側で直線的に延びた直線部分を備え、この直線部分は、基板縁202、203と交わって交点50を構成する端部に対して、90°より大きな角度の出角部分を介して接続されている。このため、素子基板10には、基板面に対しても過大な力が加わらないので、素子基板10に割れが発生しない。   In addition, the substrate edge 201 includes a straight portion linearly extending on the center side in the length direction, and this straight portion intersects the substrate edges 202 and 203 with respect to an end portion constituting the intersection 50. It is connected through a larger angle angle part. For this reason, since no excessive force is applied to the element substrate 10 even on the substrate surface, the element substrate 10 is not cracked.

また、基板切断工程で対向基板20の基板縁201と基板縁202、203との交点50の形状を整えたので、別工程で第2の基板に面取り加工などを行う必要がない。   In addition, since the shape of the intersection 50 between the substrate edge 201 of the counter substrate 20 and the substrate edges 202 and 203 is adjusted in the substrate cutting process, it is not necessary to chamfer the second substrate in a separate process.

[実施の形態2]
図5は、本発明の実施の形態2に係る液晶装置を対向基板の側から見た様子を模式的に示す説明図である。なお、本形態および後述する実施の形態は基本的な構成が実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示することにしてそれらの説明を省略する。
[Embodiment 2]
FIG. 5 is an explanatory view schematically showing a state in which the liquid crystal device according to Embodiment 2 of the present invention is viewed from the counter substrate side. Since the basic configuration of the present embodiment and the embodiment described later is the same as that of the first embodiment, common portions are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

図5に示すように、本形態の液晶装置1でも、素子基板10は対向基板20の基板縁201(第1の基板縁)から張り出した張り出し領域15を備えているため、対向基板20の4つの基板縁のうち、3つの基板縁202、203、204(第2の基板縁)は、素子基板10の基板縁102、103、104と重なっている一方、対向基板20において張り出し領域15側に位置する基板縁201(第1の基板縁)は、素子基板10の基板面と重なっている。   As shown in FIG. 5, also in the liquid crystal device 1 of the present embodiment, the element substrate 10 includes the protruding region 15 protruding from the substrate edge 201 (first substrate edge) of the counter substrate 20. Of the two substrate edges, three substrate edges 202, 203, and 204 (second substrate edges) overlap the substrate edges 102, 103, and 104 of the element substrate 10, while the counter substrate 20 faces the overhanging region 15. The positioned substrate edge 201 (first substrate edge) overlaps the substrate surface of the element substrate 10.

本形態でも、実施の形態1と同様、基板縁201と基板縁202、203とは、素子基板10の基板縁102、103と重なる位置(液晶装置1の外形線上)で90°より大きな角度θで交わって交点50を形成している。すなわち、対向基板20は、基板縁201を基板縁202、203に対して直交するように延長した際に形成される角部分を、C面取り以外の形状で直線的に除去した形状になっており、基板縁201の両端部は面取り部210になっている。このため、基板縁201と基板縁202、203とは、約100°の角度で交わって交点50を形成している。   Also in this embodiment, as in the first embodiment, the substrate edge 201 and the substrate edges 202 and 203 are at an angle θ larger than 90 ° at a position overlapping the substrate edges 102 and 103 of the element substrate 10 (on the outline of the liquid crystal device 1). To form an intersection 50. That is, the counter substrate 20 has a shape in which corner portions formed when the substrate edge 201 is extended so as to be orthogonal to the substrate edges 202 and 203 are linearly removed in a shape other than C chamfering. Both end portions of the substrate edge 201 are chamfered portions 210. For this reason, the substrate edge 201 and the substrate edges 202 and 203 intersect at an angle of about 100 ° to form an intersection point 50.

このように構成した場合も、実施の形態1と同様、素子基板10の張り出し領域15に
駆動用IC60やフレキシブル基板70を実装する際、張り出し領域15に荷重が加わると、素子基板10において、対向基板20の基板縁201と基板縁202、203との交点50と重なる部分150に張り出し領域15を撓ませようとする力が集中して加わるが、交点50では対向基板20は尖っていないので、素子基板10には力が分散して加わることになる。それ故、素子基板10および対向基板20を薄板化した場合でも、素子基板10において対向基板20の基板縁201と基板縁202、203との交点50と重なる部分150には割れが発生しない。
Even in such a configuration, when the driving IC 60 and the flexible substrate 70 are mounted on the overhanging region 15 of the element substrate 10 as in the first embodiment, if a load is applied to the overhanging region 15, The force to bend the overhang region 15 is concentrated and applied to the portion 150 overlapping the intersection 50 between the substrate edge 201 and the substrate edges 202 and 203 of the substrate 20, but the opposite substrate 20 is not sharp at the intersection 50. A force is distributed and applied to the element substrate 10. Therefore, even when the element substrate 10 and the counter substrate 20 are thinned, the portion 150 of the element substrate 10 that overlaps the intersection 50 between the substrate edge 201 and the substrate edges 202 and 203 of the counter substrate 20 does not crack.

また、基板縁201は、長さ方向の中央側で直線的に延びた直線部分を備え、この直線部分は、基板縁202、203と交わって交点50を構成する端部に対して、90°より大きな角度の出角部分を介して接続されている。このため、素子基板10には、基板面に対しても過大な力が加わらないので、素子基板10に割れが発生しない。   In addition, the substrate edge 201 includes a straight portion linearly extending on the center side in the length direction, and this straight portion intersects the substrate edges 202 and 203 with respect to an end portion constituting the intersection 50. It is connected through a larger angle angle part. For this reason, since no excessive force is applied to the element substrate 10 even on the substrate surface, the element substrate 10 is not cracked.

[実施の形態3]
図6は、本発明の実施の形態3に係る液晶装置を対向基板の側から見た様子を模式的に示す説明図である。
[Embodiment 3]
FIG. 6 is an explanatory view schematically showing a state in which the liquid crystal device according to Embodiment 3 of the present invention is viewed from the counter substrate side.

図6に示すように、本形態の液晶装置1でも、素子基板10は対向基板20の基板縁201(第1の基板縁)から張り出した張り出し領域15を備えているため、対向基板20の4つの基板縁のうち、3つの基板縁202、203、204(第2の基板縁)は、素子基板10の基板縁102、103、104と重なっている一方、対向基板20において張り出し領域15側に位置する基板縁201(第1の基板縁)は、素子基板10の基板面と重なっている。   As shown in FIG. 6, even in the liquid crystal device 1 of this embodiment, the element substrate 10 includes the protruding region 15 protruding from the substrate edge 201 (first substrate edge) of the counter substrate 20. Of the two substrate edges, three substrate edges 202, 203, and 204 (second substrate edges) overlap the substrate edges 102, 103, and 104 of the element substrate 10, while the counter substrate 20 faces the overhanging region 15. The positioned substrate edge 201 (first substrate edge) overlaps the substrate surface of the element substrate 10.

本形態でも、実施の形態1と同様、基板縁201と基板縁202、203とは、素子基板10の基板縁102、103と重なる位置(液晶装置1の外形線上)で90°より大きな角度θで交わって交点50を形成している。すなわち、対向基板20は、基板縁201を基板縁202、203に対して直交するように延長した際に形成される角部分を、複数の直線部分211による面取りにより除去した形状になっている。このため、基板縁201と基板縁202、203とは、約150°の角度で交わって交点50を形成している。   Also in this embodiment, as in the first embodiment, the substrate edge 201 and the substrate edges 202 and 203 are at an angle θ larger than 90 ° at a position overlapping the substrate edges 102 and 103 of the element substrate 10 (on the outline of the liquid crystal device 1). To form an intersection 50. That is, the counter substrate 20 has a shape in which corner portions formed when the substrate edge 201 is extended so as to be orthogonal to the substrate edges 202 and 203 are removed by chamfering with a plurality of linear portions 211. For this reason, the substrate edge 201 and the substrate edges 202 and 203 intersect at an angle of about 150 ° to form an intersection point 50.

このように構成した場合も、実施の形態1と同様、素子基板10の張り出し領域15に駆動用IC60やフレキシブル基板70を実装する際、張り出し領域15に荷重が加わると、素子基板10において、対向基板20の基板縁201と基板縁202、203との交点50と重なる部分150に張り出し領域15を撓ませようとする力が集中して加わるが、交点50では対向基板20は尖っていないので、素子基板10には力が分散して加わることになる。それ故、素子基板10および対向基板20を薄板化した場合でも、素子基板10において対向基板20の基板縁201と基板縁202、203との交点50と重なる部分150には割れが発生しない。   Even in such a configuration, when the driving IC 60 and the flexible substrate 70 are mounted on the overhanging region 15 of the element substrate 10 as in the first embodiment, if a load is applied to the overhanging region 15, The force to bend the overhang region 15 is concentrated and applied to the portion 150 that overlaps the intersection 50 between the substrate edge 201 and the substrate edges 202 and 203 of the substrate 20, but the opposite substrate 20 is not sharp at the intersection 50. A force is distributed and applied to the element substrate 10. Therefore, even when the element substrate 10 and the counter substrate 20 are thinned, the portion 150 of the element substrate 10 that overlaps the intersection 50 between the substrate edge 201 and the substrate edges 202 and 203 of the counter substrate 20 does not crack.

また、本形態では、基板縁201と基板縁202、203とは、実施の形態1よりも大きな角度(約150°)で交わっているため、その分、交点50で対向基板20は尖っていないので、素子基板10には力が分散して加わるという利点がある。   In this embodiment, the substrate edge 201 and the substrate edges 202 and 203 intersect at a larger angle (about 150 °) than in the first embodiment, so that the counter substrate 20 is not sharp at that intersection 50. Therefore, there is an advantage that force is distributed and applied to the element substrate 10.

さらに、基板縁201は、長さ方向の中央側で直線的に延びた直線部分を備え、この直線部分は、基板縁202、203と交わって交点50を構成する端部に対して、90°より大きな角度の3つの出角部分を介して接続されている。このため、素子基板10には、基板面に対しても過大な力が加わらないので、素子基板10に割れが発生しない。   Further, the substrate edge 201 includes a straight portion linearly extending on the center side in the length direction, and this straight portion intersects the substrate edges 202 and 203 with respect to the end portion constituting the intersection 50 by 90 °. It is connected through three larger angled corners. For this reason, since no excessive force is applied to the element substrate 10 even on the substrate surface, the element substrate 10 is not cracked.

[実施の形態4]
図7は、本発明の実施の形態4に係る液晶装置を対向基板の側から見た様子を模式的に示す説明図である。
[Embodiment 4]
FIG. 7 is an explanatory view schematically showing a state in which the liquid crystal device according to Embodiment 4 of the present invention is viewed from the counter substrate side.

図7に示すように、本形態の液晶装置1でも、素子基板10は対向基板20の基板縁201(第1の基板縁)から張り出した張り出し領域15を備えているため、対向基板20の4つの基板縁のうち、3つの基板縁202、203、204(第2の基板縁)は、素子基板10の基板縁102、103、104と重なっている一方、対向基板20において張り出し領域15側に位置する基板縁201(第1の基板縁)は、素子基板10の基板面と重なっている。   As shown in FIG. 7, also in the liquid crystal device 1 of the present embodiment, the element substrate 10 includes the protruding region 15 protruding from the substrate edge 201 (first substrate edge) of the counter substrate 20. Of the two substrate edges, three substrate edges 202, 203, and 204 (second substrate edges) overlap the substrate edges 102, 103, and 104 of the element substrate 10, while the counter substrate 20 faces the overhanging region 15. The positioned substrate edge 201 (first substrate edge) overlaps the substrate surface of the element substrate 10.

本形態でも、実施の形態1と同様、基板縁201と基板縁202、203とは、素子基板10の基板縁102、103と重なる位置(液晶装置1の外形線上)で90°より大きな角度θで交わって交点50を形成している。すなわち、対向基板20は、基板縁201を基板縁202、203に対して直交するように延長した際に形成される角部分をR面取りにより除去した形状になっており、基板縁201の両端部は面取り部212になっている。このため、基板縁201と基板縁202、203とは、約160°の角度で交わって交点50を形成している。なお、本形態では、R面取りを採用したため、基板縁201の両端部は曲線であるが、その接線と基板縁202、203とは、約160°の角度で交わっている。   Also in this embodiment, as in the first embodiment, the substrate edge 201 and the substrate edges 202 and 203 are at an angle θ larger than 90 ° at a position overlapping the substrate edges 102 and 103 of the element substrate 10 (on the outline of the liquid crystal device 1). To form an intersection 50. That is, the counter substrate 20 has a shape in which corner portions formed when the substrate edge 201 is extended so as to be orthogonal to the substrate edges 202 and 203 are removed by R chamfering. Is a chamfered portion 212. For this reason, the substrate edge 201 and the substrate edges 202 and 203 intersect at an angle of about 160 ° to form an intersection point 50. In this embodiment, since the R chamfering is adopted, both end portions of the substrate edge 201 are curved, but the tangent line and the substrate edges 202 and 203 intersect at an angle of about 160 °.

このように構成した場合も、実施の形態1と同様、素子基板10の張り出し領域15に駆動用IC60やフレキシブル基板70を実装する際、張り出し領域15に荷重が加わると、素子基板10において、対向基板20の基板縁201と基板縁202、203との交点50と重なる部分150に張り出し領域15を撓ませようとする力が集中して加わるが、交点50では、対向基板20は尖っていないので、素子基板10には力が分散して加わることになる。それ故、素子基板10および対向基板20を薄板化した場合でも、素子基板10において対向基板20の基板縁201と基板縁202、203との交点50と重なる部分150には割れが発生しない。   Even in such a configuration, when the driving IC 60 and the flexible substrate 70 are mounted on the overhanging region 15 of the element substrate 10 as in the first embodiment, if a load is applied to the overhanging region 15, The force to bend the overhanging region 15 is concentrated on the portion 150 where the substrate edge 201 of the substrate 20 and the substrate edges 202 and 203 overlap with each other, but the counter substrate 20 is not sharp at the intersection 50. The force is distributed and applied to the element substrate 10. Therefore, even when the element substrate 10 and the counter substrate 20 are thinned, the portion 150 of the element substrate 10 that overlaps the intersection 50 between the substrate edge 201 and the substrate edges 202 and 203 of the counter substrate 20 does not crack.

また、本形態では、R面取りを利用したため、交点50では対向基板20に角はないので、実施の形態1〜3と比較して、素子基板10には力が分散して加わるという利点がある。   Further, in this embodiment, since the R chamfering is used, the counter substrate 20 does not have a corner at the intersection point 50, so that there is an advantage that force is applied to the element substrate 10 in a distributed manner as compared with the first to third embodiments. .

さらに、基板縁201は、長さ方向の中央側で直線的に延びた直線部分を備え、この直線部分は、基板縁202、203と交わって交点50を構成する端部に対して、円弧状の曲線部分を介して接続されている。このため、素子基板10には、基板面に対しても過大な力が加わらないので、素子基板10に割れが発生しない。   Further, the substrate edge 201 includes a straight portion that linearly extends on the center side in the length direction, and this straight portion intersects with the substrate edges 202 and 203 and has an arc shape with respect to an end portion that forms the intersection 50. It is connected through the curved part. For this reason, since no excessive force is applied to the element substrate 10 even on the substrate surface, the element substrate 10 is not cracked.

[実施の形態5]
図8は、本発明の実施の形態5に係る液晶装置を対向基板の側から見た様子を模式的に示す説明図である。
[Embodiment 5]
FIG. 8 is an explanatory view schematically showing a state in which the liquid crystal device according to Embodiment 5 of the present invention is viewed from the counter substrate side.

実施の形態4において、対向基板20は、基板縁201(第1の基板縁)を基板縁202、203(第2の基板縁)に対して直交するように延長した際に形成される角部分をR面取りにより除去した形状になっており、基板縁201の両端部は、外側に膨らんだ面取り部210になっていたが、図8に示すように、基板縁201の両端部を、内側に凹んだ円弧状凹部213としてもよい。このように構成した場合も、基板縁201と基板縁202、203とは、素子基板10の基板縁102、103と重なる位置(液晶装置1の外形線上)で90°より大きな角度θで交わって交点50を形成している。   In the fourth embodiment, the counter substrate 20 is a corner portion formed when the substrate edge 201 (first substrate edge) is extended to be orthogonal to the substrate edges 202 and 203 (second substrate edge). The both ends of the substrate edge 201 are chamfered portions 210 bulging outward, but as shown in FIG. 8, the both ends of the substrate edge 201 are turned inward. A concave arcuate recess 213 may be used. Even in such a configuration, the substrate edge 201 and the substrate edges 202 and 203 intersect with each other at an angle θ larger than 90 ° at a position overlapping the substrate edges 102 and 103 of the element substrate 10 (on the outline of the liquid crystal device 1). An intersection point 50 is formed.

従って、素子基板10の張り出し領域15に駆動用IC60やフレキシブル基板70を実装する際、張り出し領域15に荷重が加わると、素子基板10において、対向基板20の基板縁201と基板縁202、203との交点50と重なる部分150に張り出し領域15を撓ませようとする力が集中して加わるが、交点50では対向基板20が尖っていないので、素子基板10には力が分散して加わることになる。それ故、素子基板10および対向基板20を薄板化した場合でも、素子基板10において対向基板20の基板縁201と基板縁202、203との交点50と重なる部分150には割れが発生しない。   Therefore, when the driving IC 60 and the flexible substrate 70 are mounted on the overhanging region 15 of the element substrate 10, if a load is applied to the overhanging region 15, the substrate edge 201 of the counter substrate 20 and the substrate edges 202 and 203 in the element substrate 10. The force to bend the overhanging region 15 is concentrated and applied to the portion 150 overlapping the intersection point 50 of the contact point 50. However, since the counter substrate 20 is not sharp at the intersection point 50, the force is applied to the element substrate 10 in a distributed manner. Become. Therefore, even when the element substrate 10 and the counter substrate 20 are thinned, the portion 150 of the element substrate 10 that overlaps the intersection 50 between the substrate edge 201 and the substrate edges 202 and 203 of the counter substrate 20 does not crack.

また、基板縁201は、長さ方向の中央側で直線的に延びた直線部分を備え、この直線部分は、基板縁202、203と交わって交点50を構成する端部に対して、90°より大きな角度の出角部分を介して接続されている。このため、素子基板10には、基板面に対しても過大な力が加わらないので、素子基板10に割れが発生しない。   In addition, the substrate edge 201 includes a straight portion linearly extending on the center side in the length direction, and this straight portion intersects the substrate edges 202 and 203 with respect to an end portion constituting the intersection 50. It is connected through a larger angle angle part. For this reason, since no excessive force is applied to the element substrate 10 even on the substrate surface, the element substrate 10 is not cracked.

[実施の形態6]
図9は、本発明の実施の形態5に係る液晶装置を対向基板の側から見た様子を模式的に示す説明図である。
[Embodiment 6]
FIG. 9 is an explanatory view schematically showing a state in which the liquid crystal device according to Embodiment 5 of the present invention is viewed from the counter substrate side.

図9に示すように、本形態でも、素子基板10は対向基板20の基板縁201(第1の基板縁)から張り出した張り出し領域15を備えている。但し、本形態では、対向基板20の基板縁201がU字状に湾曲しており、対向基板20は、素子基板10の基板縁101と重なる基板縁205、206(第2の基板縁)を備えている。   As shown in FIG. 9, also in this embodiment, the element substrate 10 includes an overhang region 15 that overhangs from the substrate edge 201 (first substrate edge) of the counter substrate 20. However, in this embodiment, the substrate edge 201 of the counter substrate 20 is curved in a U shape, and the counter substrate 20 has substrate edges 205 and 206 (second substrate edges) overlapping the substrate edge 101 of the element substrate 10. I have.

ここで、基板縁201と、基板縁205、206とは、素子基板10の基板縁101と重なる位置(液晶装置1の外形線上)で90°より大きな角度θで交わって交点50を形成している。すなわち、基板縁201の両端部は基板縁205、206に向けて斜めに延びている。従って、素子基板10の張り出し領域15に駆動用IC60やフレキシブル基板70を実装する際、張り出し領域15に荷重が加わると、素子基板10において、対向基板20の基板縁201と基板縁202、203との交点50と重なる部分150に張り出し領域15を撓ませようとする力が集中して加わるが、交点50で対向基板20は尖っていないので、素子基板10には力が分散して加わることになる。それ故、素子基板10および対向基板20を薄板化した場合でも、素子基板10において対向基板20の基板縁201と基板縁202、203との交点50と重なる部分150には割れが発生しない。また、基板縁201は、長さ方向の中央側で直線的に延びた直線部分を備え、この直線部分は、基板縁205、206と交わって交点50を構成する端部に対して、円弧状の曲線部分を介して接続されている。このため、素子基板10には、基板面に対しても過大な力が加わらないので、素子基板10に割れが発生しない。   Here, the substrate edge 201 and the substrate edges 205 and 206 intersect with the substrate edge 101 of the element substrate 10 (on the outline of the liquid crystal device 1) at an angle θ larger than 90 ° to form an intersection 50. Yes. That is, both end portions of the substrate edge 201 extend obliquely toward the substrate edges 205 and 206. Therefore, when the driving IC 60 and the flexible substrate 70 are mounted on the overhanging region 15 of the element substrate 10, if a load is applied to the overhanging region 15, the substrate edge 201 of the counter substrate 20 and the substrate edges 202 and 203 in the element substrate 10. Although the force to bend the overhanging region 15 is concentrated and applied to the portion 150 that overlaps the intersection point 50, since the counter substrate 20 is not sharp at the intersection point 50, the force is applied to the element substrate 10 in a distributed manner. Become. Therefore, even when the element substrate 10 and the counter substrate 20 are thinned, the portion 150 of the element substrate 10 that overlaps the intersection 50 between the substrate edge 201 and the substrate edges 202 and 203 of the counter substrate 20 does not crack. In addition, the substrate edge 201 includes a straight portion linearly extending on the center side in the length direction, and this straight portion intersects the substrate edges 205 and 206 and has an arc shape with respect to the end portion constituting the intersection 50. It is connected through the curved part. For this reason, since no excessive force is applied to the element substrate 10 even on the substrate surface, the element substrate 10 is not cracked.

[その他の実施の形態]
上記実施の形態では、TNモード、ECBモード、VANモードのアクティブマトリクス型の液晶装置を例に説明したが、IPS(In−Plane Switching)モードの液晶装置(電気光学装置)に本発明を適用してもよい。
[Other embodiments]
In the above embodiment, the TN mode, ECB mode, and VAN mode active matrix liquid crystal devices have been described as examples. However, the present invention is applied to an IPS (In-Plane Switching) mode liquid crystal device (electro-optical device). May be.

また、電気光学装置として液晶装置に限らず、例えば、有機EL(エレクトロルミネッセンス)装置でも、有機EL膜を電気光学物質として保持する素子基板上の各画素に、画素トランジスタが形成され、かつ、IC実装領域が形成されるので、かかる有機EL装置、さらにはその他の電気光学装置に本発明を適用してもよい。   Further, the electro-optical device is not limited to a liquid crystal device, and for example, in an organic EL (electroluminescence) device, a pixel transistor is formed in each pixel on an element substrate that holds an organic EL film as an electro-optical material, and an IC Since a mounting region is formed, the present invention may be applied to such an organic EL device and further to other electro-optical devices.

[電子機器の実施形態]
図10は、本発明に係る液晶装置を各種の電子機器の表示装置として用いる場合の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、パーソナルコンピュータや携帯電話機など
であり、表示情報出力源170、表示情報処理回路171、電源回路172、タイミングジェネレータ173、そして液晶装置1を有する。また、液晶装置1は、パネル175および駆動回路176を有しており、前述した液晶装置1を用いることができる。表示情報出力源170は、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random
Access Memory)等といったメモリ、各種ディスク等といったストレージユニット、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ173によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路171に供給する。表示情報処理回路171は、シリアル−パラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像信号をクロック信号CLKと共に駆動回路176へ供給する。電源回路172は、各構成要素に所定の電圧を供給する。
[Embodiment of Electronic Device]
FIG. 10 shows an embodiment in which the liquid crystal device according to the present invention is used as a display device of various electronic devices. The electronic device shown here is a personal computer, a mobile phone, or the like, and includes a display information output source 170, a display information processing circuit 171, a power supply circuit 172, a timing generator 173, and the liquid crystal device 1. Further, the liquid crystal device 1 includes a panel 175 and a drive circuit 176, and the above-described liquid crystal device 1 can be used. The display information output source 170 includes a ROM (Read Only Memory) and a RAM (Random).
A memory unit such as an access memory), a storage unit such as various disks, a tuning circuit that tunes and outputs a digital image signal, and a display such as an image signal of a predetermined format based on various clock signals generated by the timing generator 173 Information is supplied to the display information processing circuit 171. The display information processing circuit 171 includes various well-known circuits such as a serial-parallel conversion circuit, an amplification / inversion circuit, a rotation circuit, a gamma correction circuit, a clamp circuit, and the like, executes processing of input display information, and outputs the image. The signal is supplied to the drive circuit 176 together with the clock signal CLK. The power supply circuit 172 supplies a predetermined voltage to each component.

(a)、(b)は各々、本発明の実施の形態1に係る液晶装置(電気光学装置)をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのH−H′断面図である。(A), (b) is the top view which looked at the liquid crystal device (electro-optical device) based on Embodiment 1 of this invention from the opposing substrate side with each component formed on it, respectively, and its H It is -H 'sectional drawing. 図1に示す液晶装置を斜めからみた様子を模式的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows typically a mode that the liquid crystal device shown in FIG. 1 was seen from diagonally. 大型基板から液晶装置を製造する方法を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the method of manufacturing a liquid crystal device from a large sized substrate. 液晶装置の素子基板に駆動用ICを実装する方法を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the method of mounting drive IC in the element substrate of a liquid crystal device. 本発明の実施の形態2に係る液晶装置を対向基板の側から見た様子を模式的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows typically a mode that the liquid crystal device which concerns on Embodiment 2 of this invention was seen from the counter substrate side. 本発明の実施の形態3に係る液晶装置を対向基板の側から見た様子を模式的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows typically a mode that the liquid crystal device which concerns on Embodiment 3 of this invention was seen from the counter substrate side. 本発明の実施の形態4に係る液晶装置を対向基板の側から見た様子を模式的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows typically a mode that the liquid crystal device which concerns on Embodiment 4 of this invention was seen from the counter substrate side. 本発明の実施の形態5に係る液晶装置を対向基板の側から見た様子を模式的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows typically a mode that the liquid crystal device which concerns on Embodiment 5 of this invention was seen from the counter substrate side. 本発明の実施の形態6に係る液晶装置を対向基板の側から見た様子を模式的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows typically a mode that the liquid crystal device which concerns on Embodiment 6 of this invention was seen from the counter substrate side. 本発明に係る液晶装置を各種の電子機器の表示装置として用いた場合の説明図である。It is explanatory drawing at the time of using the liquid crystal device which concerns on this invention as a display apparatus of various electronic devices. 従来の液晶装置を対向基板の側から見た様子を模式的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows typically a mode that the conventional liquid crystal device was seen from the counter substrate side.

符号の説明Explanation of symbols

1・・液晶装置(電気光学装置)、1a・・画像表示領域(画素領域)、1s・・IC実装領域、1t・・基板接続領域、10・・素子基板(第1の基板)、15・・張り出し領域、20・・対向基板(第2の基板)、22・・シール材、50・・対向基板の基板縁同士の交点、101〜104・・素子基板の基板縁、150・・素子基板で対向基板の交点と重なる部分、201・・対向基板の基板縁(第1の基板縁)、202、203、205、206・・対向基板の基板縁(第2の基板縁)、210、212・・面取り部、211・・直線部分、213・・円弧状凹部、214・・基板縁の両端部 1 .... Liquid crystal device (electro-optical device), 1a..Image display area (pixel area), 1s..IC mounting area, 1t..Substrate connection area, 10..Element substrate (first substrate), 15. · Overhang region, 20 · · Opposing substrate (second substrate), 22 · · Sealing material, 50 · · Intersections between the substrate edges of the opposing substrate, 101 to 104 · · Substrate edge of the element substrate, 150 · · Element substrate , 201, the substrate edge of the counter substrate (first substrate edge), 202, 203, 205, 206, the substrate edge of the counter substrate (second substrate edge), 210, 212 ..Chamfered portion 211 211 Linear portion 213 Arc-shaped concave portion 214 214 End edge of substrate edge

Claims (9)

第1の基板と第2の基板とが貼り合わされているとともに、前記第1の基板には、前記第2の基板から張り出した張り出し領域にフレキシブル基板およびICの少なくとも一方が実装されている電気光学装置において、
前記第2の基板は、前記張り出し領域が位置する側で前記第1の基板の基板面と重なる第1の基板縁と、前記第1の基板の基板縁と重なる第2の基板縁と、前記第1の基板縁と前記第2の基板縁とが交わる交点とを備え、
当該交点では、前記第1の基板縁と前記第2の基板縁とが90°より大きな角度で交わっていることを特徴とする電気光学装置。
An electro-optical device in which a first substrate and a second substrate are bonded to each other, and at least one of a flexible substrate and an IC is mounted on the first substrate in a projecting region projecting from the second substrate. In the device
The second substrate includes a first substrate edge that overlaps a substrate surface of the first substrate on a side where the overhanging region is located, a second substrate edge that overlaps a substrate edge of the first substrate, and A point of intersection between the first substrate edge and the second substrate edge;
The electro-optical device is characterized in that the first substrate edge and the second substrate edge intersect at an angle greater than 90 ° at the intersection.
前記第1の基板縁は、長さ方向の中央側で直線的に延びた直線部分を備え、
前記第1の基板縁において、前記第2の基板縁と交わって前記交点を構成する端部と前記直線部分とが90°より大きな角度の出角部分、あるいは曲線部分を介して接続されていることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
The first substrate edge includes a straight portion extending linearly on the center side in the length direction,
At the first substrate edge, an end portion that intersects with the second substrate edge and forms the intersection point and the straight line portion are connected via an exit angle portion or a curved portion having an angle larger than 90 °. The electro-optical device according to claim 1.
前記第2の基板は、前記第1の基板縁を前記第2の基板縁に対して直交するように延長した際に形成される角部分を除去した形状を備えていることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。   The said 2nd board | substrate is equipped with the shape which removed the corner | angular part formed when extending the said 1st board | substrate edge so that it might orthogonally cross with respect to the said 2nd board | substrate edge, It is characterized by the above-mentioned. The electro-optical device according to Item 1. 前記第2の基板は、前記第1の基板縁を前記第2の基板縁に対して直交するように延長した際に形成される角部分をC面取りした形状、あるいはR面取りした形状を備えていることを特徴とする請求項3に記載の電気光学装置。   The second substrate has a shape in which a corner portion formed when the first substrate edge is extended so as to be orthogonal to the second substrate edge is a C-chamfered shape or an R-chamfered shape. The electro-optical device according to claim 3. 前記第1の基板および前記第2の基板は、厚さが0.5mm以下であることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の電気光学装置。   5. The electro-optical device according to claim 1, wherein the first substrate and the second substrate have a thickness of 0.5 mm or less. 請求項1乃至5の何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1. 第1の基板と第2の基板とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記第2の基板を切断して前記第1の基板に対して前記第2の基板から張り出す張り出し領域を形成する基板切断工程と、前記張り出し領域にフレキシブル基板およびICの少なくとも一方を実装する実装工程とを有する電気光学装置の製造方法において、
前記基板切断工程では、前記第2の基板が、前記張り出し領域が位置する側で前記第1の基板の基板面と重なる第1の基板縁と、前記第1の基板の基板縁と重なる第2の基板縁と、前記第1の基板縁と前記第2の基板縁とが交わる交点とを備え、かつ、当該交点では、前記第1の基板縁と前記第2の基板縁とが90°より大きな角度で交わるように前記第2の基板を切断することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
A bonding step of bonding the first substrate and the second substrate, and substrate cutting for cutting the second substrate to form an overhanging region protruding from the second substrate with respect to the first substrate In a method for manufacturing an electro-optical device, including a step and a mounting step of mounting at least one of a flexible substrate and an IC on the overhang region,
In the substrate cutting step, the second substrate overlaps the substrate surface of the first substrate on the side where the overhanging region is located, and the second substrate overlaps the substrate edge of the first substrate. And an intersection at which the first substrate edge and the second substrate edge intersect with each other, and at the intersection, the first substrate edge and the second substrate edge are more than 90 °. A method of manufacturing an electro-optical device, wherein the second substrate is cut so as to intersect at a large angle.
前記基板切断工程では、前記第1の基板縁が、長さ方向の中央側で直線的に延びた直線部分を備え、かつ、前記第1の基板縁において、前記第2の基板縁と交わって前記交点を構成する端部と前記直線部分とが90°より大きな角度の出角部分、あるいは曲線部分を介して接続された形状に前記第2の基板を切断することを特徴とする請求項7に記載の電気光学装置。   In the substrate cutting step, the first substrate edge includes a linear portion linearly extending on the center side in the length direction, and intersects the second substrate edge at the first substrate edge. 8. The second substrate is cut into a shape in which the end portion constituting the intersection point and the straight line portion are connected via an outgoing angle portion having a larger angle than 90 ° or a curved portion. The electro-optical device according to 1. 前記貼り合わせ工程の後、前記基板切断工程の前に、前記第1の基板および前記第2の基板の外側表面をエッチングあるいは研磨して前記第1の基板および前記第2の基板を薄板化することを特徴とする請求項7または8に記載の電気光学装置の製造方法。   After the bonding step and before the substrate cutting step, the outer surfaces of the first substrate and the second substrate are etched or polished to thin the first substrate and the second substrate. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 7 or 8.
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