JP5493075B2 - 集光型太陽電池およびこれを用いた追尾型太陽電池装置 - Google Patents
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Description
上記の本発明による代表的形態の集光型太陽電池は、前記光電変換素子の第2半導体層は、第1半導体の一部を露出させる開口部を有し、前記第2導電部材が、前記光電変換素子を収容し、かつ底部の孔から前記光電変換素子の第1半導体の露出部を当該第2導電部材の裏面側に臨ませる凹部を有し、前記第1半導体の露出部が前記第1導電部材に電気的に接続され、前記凹部の内面が前記反射鏡を構成することにより、前記第2導電部材が前記光反射部材を兼ねているものである。集光倍率は8倍以下であるのが好ましい。
本発明において、球状素子一個当たりの出力を一層向上させるためには、球状素子の表面に照射される上記の反射光を出来るだけ多く球状素子に吸収させることが肝要である。そのためには、反射光を球状素子の中心に向けて反射させて球状素子の表面に垂直方向に照射されるように、放物面の焦点に球状素子の中心を出来るだけ近づければよい。このように、反射光を反射鏡の内面に囲まれた光電変換素子の表面に垂直方向に照射することにより、上方から凹部内に照射された光の多くを一層効果的に球状素子に吸収させることができ、出力当たりの光電変換素子の原材料コストを一層大幅に削減することができる。
本発明の集光型太陽電池は、特に、追尾式太陽電池に適用することにより、極めて大きな効果が得られる。
この集光型太陽電池の出力は一個当り約1Wであるが、任意の数を電気溶接などにより直列、並列、または直並列に電気的に接続することによって、希望する仕様の電力を出力する光電変換装置の光電変換部を構成することができる。
反射鏡の光反射能を向上させる他の方法として、凹部内面のアルミニウムなどの金属基材の表面に、例えば極細粒研磨剤により鏡面加工を施してもよい。
球状素子当たりの短絡電流(mA/素子)は上記の光反射部材当たりの短絡電流値から算出した平均値である。素子間隔は隣接する球状素子の中心間の距離である。従来例として検討した反射鏡面が半球面の光反射部材は、半球面反射鏡としてはほぼ最適の条件で設計されたもので、球面の曲率半径は約2.7mmである。本発明の各実施形態A〜Fのそれぞれの反射鏡の放物面の焦点は、底部に孔を形成する前の放物面の最下点から上方に0.45〜0.46mmの点、即ち球状素子の中心に位置するように設計されている。
本発明では、上記のように「放物面の焦点が球状素子の中心から球状素子の直径の30%以内の距離に位置する」ことを、「放物面の焦点が球状素子の中心部に位置する」という表現で表している。
2a、2b、2c、13、30、32、53、70 反射鏡の内部(第2導電部材の凹部)
3a、3b、3c 反射鏡への入射光
4a、4b、4c、19、44 反射鏡の内面(凹部の内面)
5a、5b、20、45、55 放物面の焦点
6a、6b、6c、11、61、83、85 光電変換素子
7a、7b、7c、21、72 光電変換素子の中心
8a、8b、8c 光電変換素子に照射される反射光
9c 光電変換素子に照射されない反射光
12、40、68 第2導電部材
16、63、82 第2半導体層
17、64、81 第1半導体
22、46、56、71 銀を含む導電性の膜(銀メッキ層)
23、47、66 電気絶縁層
24、60 第1導電部材
31 凹部(反射鏡)の開口端
33 正六角形の頂点
34 凹部間の稜線
35、48、58 孔
36 稜線の中央部
42、52 凹部の開口部
43 凹部
50 樹脂製基体
67 透光性導電膜
84 反射防止膜
86 第1半導体の露出部
Claims (10)
- 太陽電池パネル、前記太陽電池パネルの受光面が太陽の方向に向くように前記太陽電池パネルを可動させる可動装置、および、前記可動装置を制御する制御装置を備え、
前記太陽電池パネルは、集光型太陽電池を含んでおり、
前記集光型太陽電池は、
球状の第1半導体およびその表面に形成された第2半導体層を有する複数のほぼ球状の光電変換素子、並びに、前記光電変換素子を個々に分離して支持する支持体を具備し、
前記支持体が、上部を開口し前記各光電変換素子の側面を囲む反射鏡を有する光反射部材、前記第1半導体と電気的に接続された第1導電部材、および前記第2半導体層と電気的に接続された第2導電部材を含み、
前記反射鏡の前記光電変換素子に面する内面が放物面状を呈し、前記放物面の焦点が前記光電変換素子の内部に位置するように、前記光電変換素子が配置されており、
前記光電変換素子の径が0.2〜4mmであり、
前記光電変換素子の横断面積に対する前記反射鏡の開口部の面積の比率である集光倍率が10倍以上であることを特徴とする集光型太陽電池装置。 - 前記光電変換素子の第2半導体層は、第1半導体の一部を露出させる開口部を有し、
前記第2導電部材が、前記光電変換素子を収容し、かつ底部の孔から前記光電変換素子の第1半導体の露出部を当該第2導電部材の裏面側に臨ませる凹部を有し、
前記第1半導体の露出部が前記第1導電部材に電気的に接続され、
前記凹部の内面が前記反射鏡を構成することにより、前記第2導電部材が前記光反射部材を兼ねている
請求項1記載の集光型太陽電池装置。 - 前記放物面の焦点が前記光電変換素子の中心部に位置するように、前記光電変換素子が配置されている請求項1または2に記載の集光型太陽電池装置。
- 前記第2導電部材の少なくとも受光面側が導電性の金属からなり、前記金属が前記光電変換素子の第2半導体層と電気的に接続されている請求項2または3に記載の集光型太陽電池装置。
- 前記第1導電部材が、前記第2導電部材の凹部の底部の孔を通して、前記光電変換素子の第1半導体と電気的に接続された請求項2〜4のいずれかに記載の集光型太陽電池装置。
- 前記反射鏡の開口端は、上方から見てほぼ正六角形を呈し、前記正六角形の各一辺は、相互に異なる、隣接する凹部を区画する稜線を構成し、前記稜線は、前記正六角形の頂点で最も高く、中央で最も低い曲線である請求項1〜5のいずれかに記載の集光型太陽電池装置。
- 前記反射鏡の内面が、アルミニウムまたはアルミニウム合金の表面に形成された銀を含む導電性の膜である請求項1〜6のいずれかに記載の集光型太陽電池装置。
- 前記反射鏡の内面が、樹脂の表面に形成された銀を含む導電性の膜である請求項1〜6のいずれかに記載の集光型太陽電池装置。
- 前記光電変換素子がシリコンを主成分とする請求項1〜8のいずれかに記載の集光型太陽電池装置。
- 前記光電変換素子の第2半導体層の表面の少なくとも一部に、反射防止膜が形成されている請求項1〜9のいずれかに記載の集光型太陽電池装置。
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