JP5487399B2 - 励起波長により発光ピーク制御可能なシリコン系青色−緑色燐光材料及びその製造方法 - Google Patents
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Description
寸法1.2cm×1.2cm×500μmのp型シリコン基板(4Ω・cm)を陽極とし、白金を陰極とし、電解液として55%フッ化水素酸−エタノール(1:1)を用い、電流(電流密度)50mA/cm2の定電流モードで、15分間陽極酸化を行い、多孔質ナノ結晶シリコンを作製した。このとき、ポーラスシリコン層の膜厚は35μmであった。
(実施例2)
寸法1.2cm×1.2cm×500μmのp型シリコン基板(4Ω・cm)を陽極とし、白金を陰極とし、電解液として55%フッ化水素酸−エタノール(1:1)を用い、電流(電流密度)50mA/cm2の定電流モードで、4分間陽極酸化を行い、多孔質ナノ結晶シリコンを作製した。このとき、ポーラスシリコン層の膜厚は10μmであった。
Claims (5)
- シリコンの表面を陽極酸化させて陽極酸化時の多孔質シリコンの多孔度が20〜80%となるように多孔質ナノ結晶シリコンまたは多孔質ナノ構造シリコンを作製する第1の工程と、第1の工程で作製した多孔質ナノ結晶シリコンまたは多孔質ナノ構造シリコンに対して処理温度500〜1100℃及び処理時間1分〜10時間の処理条件で急速熱酸化処理を施す第2の工程と、第2の工程で急速熱酸化処理を施した多孔質ナノ結晶シリコンまたは多孔質ナノ構造シリコンに対して水蒸気圧力1〜5MPa、処理温度100〜500℃及び処理時間30分〜10時間の処理条件で高圧水蒸気アニールを施す第3の工程からなることを特徴とする、励起波長により制御可能なシリコン系青色−緑色燐光材料の製造方法。
- 請求項1に記載の製造方法により製造されたシリコン系青色−緑色燐光材料であって、シリコン系青色−緑色燐光材料の酸化シリコン膜に多数のナノスケールの多孔質結晶シリコンまたは多孔質ナノ構造シリコンが埋め込まれた膜からなり、緩和時間が1ms以上の三重項励子が介在した分子的エネルギー準位間の遷移特性、または緩和時間が1ms以上の準安定励起状態やトラップを介在した発光遷移、を有することを特徴とする、励起波長により制御可能なシcリコン系青色−緑色燐光材料。
- 燐光の励起過程がサイズ1.5nm以下の超微細シリコンまたは超微細シリコンを覆う酸化シリコンに固有のエネルギー準位に由来し、再結合緩和過程が超微細シリコンまたは超微細シリコンを覆う酸化シリコンに固有のエネルギー準位に由来していることを特徴とする、請求項2のシリコン系青色−緑色燐光材料。
- 燐光強度が熱失活するさいの活性化エネルギーが0.2eV以上であることを特徴とする、請求項2または3のシリコン系青色−緑色燐光材料。
- 希土類元素または蛍光性色素分子が導入され、エネルギー伝達効果によって希土類元素または蛍光性色素分子からの発光が増強されていることを特徴とする、請求項2ないし4のいずれかのシリコン系青色−緑色燐光材料。
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JPN6009050004; 小山英樹: '熱酸化多孔質シリコンの青色発光:水蒸気アニールの効果' 応用物理学関係連合講演会講演予稿集 Vol 44,No 2, 1997, p808 * |
JPN6013049894; B. Gelloz and N. Koshida: 'Highly Enhanced Efficiency and Stability of Photo- and Electro-luminescence of Nano-crystalline Poro' Japanese Journal of Applied Physics Vol. 45, No. 4B, 20060425, Pages 3462-3465, The Japan Society of Applied Physics * |
JPN6013049896; B. Gelloz and N. Koshida: 'Mechanism of a remarkable enhancement in the light emission from nanocrystalline porous silicon anne' Journal of Applied Physics Vol. 98, 20051222, Pages 123509-1-7, American Institute of Physics * |
JPN6013049897; B. Gelloz, A. Kojima, and N. Koshida: 'Highly efficient and stable luminescence of nanocrystalline porous silicon treated by high-pressure' Applied Physics Letters Vol. 87, 20050714, Pages 031107-1-3, American Institute of Physics * |
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