JP5486756B2 - 有機電子デバイス用の垂直相互接続 - Google Patents

有機電子デバイス用の垂直相互接続 Download PDF

Info

Publication number
JP5486756B2
JP5486756B2 JP2005302673A JP2005302673A JP5486756B2 JP 5486756 B2 JP5486756 B2 JP 5486756B2 JP 2005302673 A JP2005302673 A JP 2005302673A JP 2005302673 A JP2005302673 A JP 2005302673A JP 5486756 B2 JP5486756 B2 JP 5486756B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic
conductive
organic electronic
interconnect
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2005302673A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006179867A (ja
JP2006179867A5 (ja
Inventor
チー・リュー
アニル・ラージ・ドゥガル
クリスチャン・マリア・アントン・ヘラー
ドナルド・フランクリン・フースト
タミ・ジェーンネ・フェアクロース
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
Publication of JP2006179867A publication Critical patent/JP2006179867A/ja
Publication of JP2006179867A5 publication Critical patent/JP2006179867A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5486756B2 publication Critical patent/JP5486756B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/82Interconnections, e.g. terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/311Flexible OLED
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/84Parallel electrical configurations of multiple OLEDs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/86Series electrical configurations of multiple OLEDs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/50Forming devices by joining two substrates together, e.g. lamination techniques
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Description

本発明は一般に、電子デバイスに関し、より詳細には有機電子デバイスに関する。
ここ数年、低コスト及び可撓性プラスチック基板との適合性により、限定ではないが、有機発光デバイス、有機光電池、有機エレクトロクロミックデバイス、有機トランジスタ、有機集積回路、又は有機センサなどの有機電子デバイスが多くの関心を惹き付けている。
現在のところ、限定ではないが、有機発光デバイスなどの有機電子デバイスは、ディスプレイへの適用及び面照明応用などの用途で次第に採用されつつある。ここ最近の十年において、有機電子デバイス分野は素晴らしい進歩を遂げた。既に、ほとんどのディスプレイ用途で液晶ディスプレイ(LCD)が使用されている。しかしながら、LCDディスプレイは高い生産コストと営業費用を必要とする。
変革の途上にあるイメージング機器では、コンピュータ、個人用携帯情報端末(PDA)、及び携帯電話の特質を組み合わせたより先進の携帯用機器に対する必要性が増えつつある。加えて、新しい軽量、低電力、及び広視野角のデバイスは、液晶ディスプレイ(LCD)に付随する生産コスト及び営業費用が高いことを回避しながら、フラットパネルディスプレイの開発における新たな関心をかき立てた。その結果として、フラットパネル業界は、有機発光デバイスなどの他の技術からのデバイスを活用する新しいディスプレイの採用に注目している。
当業者には理解されるように、有機発光ダイオード(OLED)などの有機発光デバイスは、2つの荷電電極間に挟まれる薄い有機層のスタックを含む。この有機層は、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、及び電子輸送層を含む。OLED発光デバイスに適切な電圧を印加(この場合の電圧は通常2ボルトと10ボルトの間である)すると、注入された正及び負の電荷は、発光層中で再結合して光を発生する。更に、有機層の構造及びアノードとカソードの選択は、発光層における再結合プロセスを最大にし、従って、OLEDデバイスからの発光出力を最大にするように設計される。この構造により、嵩高で環境的に好ましくない水銀ランプが必要でなくなり、より薄く、より用途の広い、よりコンパクトなディスプレイがもたらされる。加えて、OLEDは、消費電力が少ない利点を有する。これらの特徴を組み合せることで、OLEDディスプレイは、有利には、追加の重量がほとんどなく且つ占有スペースが小さいと同時に、より魅力的な方法で多くの情報を伝達することが可能になる。
多くの場合、OLEDなどの有機電子デバイスは、電子活性材料又は受動材料とすることができる中間層によって隔てられた第1層と第2層との間の相互接続を含む。理解されるように、第1層と第2層とを電気的に結合するために垂直相互接続が必要とされる。通常、垂直相互接続は、中間層を貫通してバイアをパターン付けした後、第1層と第2層との間に電気接続を形成するようにバイアを貫通して導電性材料を堆積させることによって達成される。
米国特許公開第20020136925号
しかしながら、バイアの選択的パターン付け及び導電性材料の堆積は、欠陥を生ずる恐れのあるデブリを生成する場合がある。更に、この製造技術は、追加の処理工程を必要とする。従って、現状技術の限界を有利に回避する、2つのデバイス層間及び中間層を貫通する電気的相互接続を形成する技術を開発することが望ましい。
要約すると、本技術の態様によるデバイスが提示される。デバイスは、基板上に配置された複数の有機電子デバイスを含み、該有機電子デバイスの各々は第1電極と第2電極とを備える。更に、デバイスは、複数の有機電子デバイスの各々の第1及び第2電極間に配置された有機層を含む。加えて、デバイスは、相互接続要素を含み、該相互接続要素は、複数の有機電子デバイスの各々のそれぞれ第1及び第2電極を電気的に結合するように構成される。
本技術の別の態様によるデバイスが提示される。デバイスは、基板上に配置された複数の有機電子デバイスを含み、該有機電子デバイスの各々は、第1電極及び第2電極を備える。更に、デバイスは、複数の有機電子デバイスの各々の第1及び第2電極間に配置された有機層を含む。デバイスはまた、相互接続要素を含み、該相互接続要素は、第1有機電子デバイスの第1電極と第1有機電子デバイスに隣接して配置された第2有機電子デバイスの第1電極とを電気的に結合するように構成される。
本技術の更に別の態様によるデバイスが提示される。デバイスは、基板上に配置された複数の有機電子デバイスを含み、該有機電子デバイスの各々は、第1電極と第2電極を備える。加えて、デバイスは、複数の有機電子デバイスの各々の第1及び第2電極間に配置された有機層を含む。更に、デバイスは、有機層上に配置された第1相互接続要素を含み、該第1相互接続要素は、互いに隣接して配置された第1及び第2有機電子デバイスの第1及び第2電極間の直列電気結合を形成するように構成される。デバイスはまた、有機層上に配置された第2相互接続要素を含み、該第2相互接続要素は、互いに隣接して配置された第1及び第2有機電子デバイスの第1及び第2電極間の並列電気結合を形成するように構成される。
更に本技術の別の態様による相互接続構造体が提示される。相互接続構造体は、第1導電層を含む。更に、相互接続構造体は、第1導電層上に配置された有機層を含む。加えて、相互接続層は、有機層を貫通して配置された1つ又はそれ以上の相互接続要素を含み、該1つ又はそれ以上の相互接続要素の各々は、貫通する1つ又はそれ以上の導電性要素を有する非導電性材料から構成される。相互接続構造体はまた、1つ又はそれ以上の相互接続要素の少なくとも1つ又はそれ以上の導電性要素を貫通して第1導電層に電気的に結合された第2導電層を含む。
本技術の更に別の態様による有機電子デバイスを製造する方法が提示される。この方法は、第1導電層を準備する段階を含む。該方法はまた、第1導電層上に有機材料層を配置する段階を含む。更に、この方法は、第2導電層を準備する段階を含む。加えて、この方法は、第1導電層又は有機材料層の一方の上に相互接続要素を配置する段階を含む。更に、この方法は、相互接続要素を介して第1及び第2導電層を電気的に結合する段階を含む。
本発明の、これら及び他の特徴、態様、並びに利点は、図面全体を通じて同じ符号が同じ要素を表す添付図面を参照ししながら、以下の詳細な説明を読むことによってより良く理解されるであろう。
有機材料は、回路及びディスプレイ技術の世界を変貌させる状況にあり、有機電子デバイス及び光電子デバイスによってもたらされる低コスト並びに高性能により、大きな関心が寄せられている。例えば、有機電子デバイスディスプレイは、コントラスト、薄さ、消費電力、明るさ、応答速度及び視野角の領域における近年の優れた性能に対して多大な注目を集めている。理解されるように、OLED構造は通常、2つの荷電電極間に挟まれた薄い有機層のスタックからなる。通常、相互接続は、第1層と第2層との間に配置された中間層を介してバイアをパターン付けし、続いて、第1層と第2層との間に電気結合が形成されるようにバイアを介して導電性材料を堆積させることによって達成される。しかしながら、バイアの形成及び導電性材料の堆積は、欠陥を生ずる可能性のあるデブリを生成する場合がある。本明細書で論じられる技術は、これらの課題の一部又は全てに対処する。
図1は、本発明の技術の態様による、デバイスを製造する例示的な方法を示すフローチャートである。デバイスは、複数の有機電子デバイスを含むことができる。更に、複数の有機電子デバイスの各々は、それぞれの第1電極及び第2電極を含む。1つの実施形態においては、デバイスは、少なくとも第1有機電子デバイス及び第2有機電子デバイスを含み、該第1及び第2有機電子デバイスの各々は、それぞれ第1電極及び第2電極を含む。複数の有機電子デバイスの各々は、有機発光デバイス、有機光電池、有機エレクトロクロミックデバイス、有機トランジスタ、有機集積回路、有機センサ、又は光検出器のうちの1つを含むことができる。
図1にまとめられている方法は、段階10で始まる。段階10においては、第1基板と第2基板とが準備される。1つの実施形態においては、第1基板、第2基板、又はその両方は、限定ではないが、プラスチック、金属箔、又は可撓性ガラスなどの可撓性基板を含むことができる。もしくは、第1基板及び/又は第2基板は、限定ではないが、プラスチック、ガラス、シリコン、金属箔又はこれらの組み合わせなどの非可撓性基板を含むことができる。
段階12では、複数の第1電極を第1基板上にパターン付けすることができる。1つの実施形態では、複数の第1電極の各々は、アノードを含むことができる。複数の第1電極は、デバイスによって放出された光に対して透明な第1材料を含むことができる。例えば、第1材料は、インジウムスズ酸化物(ITO)、又はスズ酸化物を含むことができる。加えて、第1電極の厚みは、約10nmから約100μmの範囲であり、好ましくは約10nmから約1μmの範囲、より好ましくは約10nmから200nmの範囲であり、更に好ましくは約50nmから約200nmの範囲とすることができる。幾つかの実施形態においては、複数の第1電極は、デバイスによって吸収される光に対し透明な第1材料を含むことができる。更に、幾つかの別の実施形態においては、複数の第1電極は、デバイスによって変調された光に対し透明な第1材料を含むことができる。
更に、段階12では、複数の第2電極を第2基板上にパターン付けすることができる。1つの実施形態においては、複数の第2電極の各々は、カソードを含むことができる。複数の第2電極は、デバイスによって放出された光に対し透明な第2材料を含むことができる。例えば、第2材料は、ITO或いは、アルミニウム(Al)又は銀(Ag)などの金属のうちの1つを含むことができる。同様に、第2電極の厚みは、約10nmから約100μmの範囲、好ましくは約10nmから約1μm、より好ましくは約10nmから約200nmの範囲であり、更に好ましくは約50nmから約200nmの範囲とすることができる。幾つかの実施形態においては、複数の第2電極は、デバイスによって吸収される光に対し透明な第2材料を含むことができる。更に別の幾つかの実施形態においては、複数の第2電極は、デバイスによって変調される光に対し透明な第2材料を含むことができる。
続いて、段階14では、1つ又はそれ以上の有機層を、複数の第1電極、複数の第2電極、又はその両方のうちの少なくとも1つに配置することができる。有機層は、複数の有機電子デバイスの各々のそれぞれの電極間の中間層として機能することができる。通常、有機層の厚みは、約1nmから約1μmの範囲、好ましくは約1nmから約200nm、より好ましくは約30nmから約200nmの範囲、更に好ましくは約30nmから約150nmの範囲とすることができる。段階4での有機層の堆積に続いて、段階16で相互接続要素を有機層の少なくとも1つの上に配置することができる。例えば、相互接続要素は、複数の第1電極上に形成されている有機層上に配置することができる。代替として、相互接続要素は、複数の第2電極上に形成されている有機層上に配置してもよい。
相互接続要素は、複数の有機電子デバイスの各々のそれぞれの第1及び第2電極間の電気結合を促進することができる。この実施形態においては、電気結合は、有利には、有機層を貫通するバイアをパターン付け又は形成することなく達成することができる。電気結合は、直列接続、並列接続、又はこれらの組み合わせのうちの1つを含むことができる。加えて、相互接続要素はまた、第1又は第2電極の1つと母線との間の電気結合を促進する。理解されるように、母線は、複数の第1及び第2電極間の共通接続部を形成するよう構成することができる。相互接続要素の厚みは、約10nmから約200μmの範囲、好ましくは約100nmから約100μmの範囲、より好ましくは約1nmから約100μmの範囲、更に好ましくは約10μmから約100μmの範囲とすることができる。更にまた相互接続要素を用いて、有利には、限定ではないが強化された界面接着などの望ましい機械的特性を与えることができる。更にまた相互接続要素を用いて、以下により詳細に説明されるように、デバイスと外部デバイスとの間の電気結合を形成することができる。
本技術の例示的な実施形態によれば、相互接続要素は、相互接続層を含むことができる。相互接続層は、貫通して配置された導電性充填材を有する非導電性マトリクスを含むことができる。非導電性マトリクスは、有機材料を含むことができる。通常、非導電性マトリクスは、加熱、加圧、及び/又は照射を行ったときに硬化する絶縁材料を含むことができる。同様に、非導電性母体は、1つ又はそれ以上の有機層を形成するため使用される材料とは異なる材料を含むことができる。現在企図されている構成において、非導電性マトリクスは接着材料を含むことができる。或いは、非導電性マトリクスはまた、限定ではないが、エポキシ、アクリル又は熱可塑性プラスチックスなどの材料を含むことができる。
更に、現在企図されている構成においては、非導電性マトリクス中に分散させることができる導電性充填材は、限定ではないが、ニッケル、金、銀などの金属の固体粒子を含むことができる。加えて、導電性充填材は、限定ではないが、インジウムスズ酸化物、又は酸化スズなどの導電性金属酸化物の固体粒子を含むことができる。或いは、導電性充填材は、導電性被膜で被覆された非導電性コアを有する粒子を含むことができる。例えば、導電性充填材は、金属で被覆されたプラスチック及び/又は樹脂粒子を含むことができる。加えて、導電性充填材は、導電性材料の繊維を含むことができる。同様に、導電性充填材は、球形又は不整形な形状を示すことができる。
この実施形態において、導電性充填材の大きさは、おおよそ、約10nmから約200μmの範囲、好ましくは約100nmから約100μmの範囲、より好ましくは約1μmから約100μmの範囲、更に好ましくは約10μmから約100μmの範囲とすることができる。上述のように、非導電性マトリクスの厚みは、約10nmから約200μmの範囲、好ましくは約100nmから約100μmの範囲とすることができる。同様に、有機層の厚みは、おおよそ、約1nmから約1μmの範囲、好ましくは約1nmから約200nmの範囲,より好ましくは約30nmから約200nmの範囲、更に好ましくは約30nmから約150nmの範囲とすることができる。1つの実施形態においては、導電性充填材の大きさは、実質的に非導電性マトリクスの厚みより大きい点に留意されたい。結果として、この実施形態においては、導電性充填材は、非導電性マトリクスの表面から突出するように構成することができる。代替的には、導電性充填材の大きさはまた、非導電性マトリクスの厚みより実質的に小さくてもよい。結果として、導電性充填材は、熱及び/又は圧力を加えたときに非導電性マトリクスの表面から突出するように構成することができる。
引き続き相互接続要素に関して、相互接続要素は固体形態であってもよい。例えば、固体形態の相互接続要素は、テープ又はフィルムのうちの1つを含むことができる。或いは、相互接続要素は液体状態であってもよい。例えば、相互接続要素は、ペースト又はインクのうちの1つを含むことができる。
更に、相互接続要素は、実質的に構造化された層を含むことができる。言い換えると、導電性充填材は、非導電性マトリクス中で固有のパターンで分布することができる。加えて、非導電性マトリクス中の導電性充填材の位置は固定することができる。更に、非導電性マトリクス中の導電性充填材の密度は低くても良い。言い換えると、導電性充填材は、近接して配置された2つの導電性充填材が物理的に接触しないように配置される。通常、導電性充填材間の最小ピッチは、例えば、30μmとすることができる。加えて、上述のように、導電性充填材の直径は、非導電性母体の厚みよりも実質的に大きくすることができ、有利には、2つの電極を電気的に結合するために充填材が非導電性マトリクスを貫通して突き抜けることができる。
非導電性マトリクス中の導電性充填材の分布パターンに基づいて、相互接続要素は、等方性材料又は異方性材料を含むように構成することができる。1つの実施形態においては、相互接続要素は、等方性材料を含むことができる。理解されるように、等方性材料は、X、Y、Z方向などの任意の所与の方向で同様の導電性を示すものである。従って、導電性充填物は、X、Y、Z方向における導電性を促進するため非導電性マトリクス中にランダムな様式で分布させることができる。例えば、相互接続要素を形成するため使用される等方性材料には、ARclad(商標)8001(Adhesive resech Inc,PA,USA)、1692Transfer(50ミクロン導電性不支持転写接着材)(Kemtron Ltd,United Kngdom)、3M(商標)XYZ軸導電性テープ9712、又は3M(商標)XYZ軸導電性テープ9713のうちの1つを含むことができる。
或いは、相互接続要素は非等方材料を含むことができる。理解されるように、非等方材料は、異なる方向で異なる導電性を示す材料である。例えば、非等方性材料は、Z方向などの1つの方向にのみ導電するように構成することができる。従って、導電性充填材は、X及びY方向に配置された導電性充填材が接触せず、これによりZ方向にのみ導電可能とするように非導電性マトリクス内に配置される。例えば、相互接続要素の形成に使用される非等方性材料は、ARclad(商標)9032(Adhesive resech Inc,PA,USA)、3M Z軸接着フィルム5303R(3M,MN,USA),3M Z軸接着フィルム5352R(3M,MN,USA),3M Z軸接着フィルム5460R(3M,MN,USA),3M Z軸接着フィルム5552R(3M,MN,USA),3M Z軸接着フィルム7303R(3M,MN,USA)、又は3M Z軸導電性テープ9703(3M,MN,USA)うちの1つを含むことができる。
段階16での相互接続要素の配置に続いて、段階18で、第1及び第2基板を結合して組立体を形成することができる。段階18では、第2基板は、第2基板上に配置された複数の第2電極が第1基板上に配置された複数の第1電極に実質的に相対する位置にあるように配置される。
本技術の態様によれば、第1及び第2基板間の結合は、形成された組立体に圧力を加えることによって達成することができる。圧力を加えた結果、非導電性マトリクス中に配置された導電性充填材は、非導電性マトリクスの表面を突き抜ける。更に、突出する導電性充填材はまた、複数の第1及び第2電極間に配置させることができる有機層を突き抜ける。加えて、導電性充填材はまた、複数の第1及び第2電極を突き抜けて、これにより複数の第1及び第2電極間の所望の電気結合を確立する。或いは、第1及び第2基板間の結合は、導電性充填材が非導電性マトリクスを突き抜けて、有機層を通って、複数の第1及び第2電極中に入るように組立体を加熱することによって形成することができる。更に、加圧及び加熱の組み合わせを用いて第1及び第2基板を結合して組立体を形成することができ、ここでは導電性充填材が電極間の電気結合を可能にする。
本技術の更なる態様によれば、段階20で組立体を硬化させることができる。1つの実施形態においては、組立体は加熱することにより硬化することができる。代替方法として、組立体は、紫外線に該組立体を曝露することにより硬化することができる。当業者には理解されるように、相互接続要素が熱硬化性材料を使用して形成される条件では、相互接続要素は1回だけ硬化することができる。しかしながら、相互接続要素が熱可塑性材料を使用して形成される条件下では、相互接続要素は、再設定して複数回再硬化することができる。
上述の方法を用いて形成することができるデバイスは、複数の有機電子デバイスを含むことができる。従って、デバイスは、それぞれ第1及び第2電極を有する少なくとも第1有機電子デバイスと第2有機電子デバイスとを含むことができ、第1及び第2有機電子デバイスは互いに隣接して配置することができる。
図2を参照すると、デバイスの第1の例示的な実施形態の第1の側断面図22が示されている。当業者には理解されるように、各図は例証の目的のものであり、縮尺通りに描かれていない。現在企図される構成においては、デバイスは、基板24を含むよう概略的に示されている。1つの実施形態において、基板24は、可撓性基板を含むことができる。例えば、可撓性基板24は、ロール・ツー・ロール処理に対応できる可撓性基板を含むことができる。可撓性基板24は、一般的には薄く、約0.25ミルから約50ミルの範囲、好ましくは約0.5ミルから約10.0ミルの範囲の厚みを有する。用語「可撓性」とは、一般的には、おおよそ100cmよりも小さい曲率半径を有する形状に曲げることができることを意味する。有利には、可撓性基板24用のロール状フィルムを実施することにより、デバイスの高容量、低コストのリール・ツー・リール処理及び製造が可能になる。フィルムのロール幅は、幾つかの構成要素(例えば有機電子デバイス)を製造することができる、例えば1フィートとすることができる。可撓性基板24は、単層から構成することができ、又は異なった材料の複数の隣接する層を有する構造を含むことができる。ロール可能な基板を使用することによって、デバイスの生産性を向上させることができる。
可撓性基板24は、一般的に、任意の好適な可撓性ポリマー材料を含む。例えば、可撓性基板24は、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルフォン、Kapton H又はKapton E(Dupont製)又はUpilex(宇部興産製)などのポリイミド、環状オレフィン(COC)などのポリノルボルネン、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)などの液晶ポリマー(LCP)、ポリエチレンテレフタレート(PET),ポリエチレンナフタレート(PEN)、金属箔、及び可撓性ガラスを含むことができる。或いは、基板24は、シリコン、ガラス、又はプラスチックなどの非可撓性基板を含むことができる。
更に、複数の第1電極26は、基板24上にパターン付けすることができる。1つの実施形態においては、複数の第1電極26の各々はアノードとすることができる。第1電極26は、限定ではないが、インジウムスズ酸化物(ITO)などの材料を含むことができる。また、第1電極26の厚さは、約10nmから約100μmの範囲、好ましくは約10nmから約1μmの範囲、より好ましくは約10nmから約200nmの範囲、更に好ましくは約50nmから約200nmの範囲とすることができる。加えて、図示の実施形態においては、有機材料層28は、複数の第1電極26上に配置することができる。有機材料28は、デバイスの層間の中間層として機能することができる。有機材料は、発光材料、光吸収材料、又はエレクトロクロモフォア(electrochromophore)のうちの1つを含むことができる。別の実施形態においては、有機材料はまた、有機マトリクス中に分散された非有機材料を含むことができる。非有機材料は、無機蛍光体などのフォトルミネッセンス材料、又は金属酸化物などの電子活性材料を含むことができる。例えば、電子活性材料は、酸化チタン又は酸化タングステンなどの金属酸化物を含むことができる。
本技術による例示的な実施形態によれば、相互接続要素30は、有機層28上に配置することができる。相互接続要素30は、デバイス中の2つの電極を電気的に結合するように構成することができる。相互接続層30の厚さは、約10nmから約200μmの範囲、好ましくは約100nmから約100μmの範囲、より好ましくは約1μmから約100μmの範囲、更に好ましくは約10μmから約100μmの範囲とすることができる。
1つの例示的な実施形態においては、相互接続層などの相互接続要素30は、上述のように非導電性マトリクス(図示せず)を含むことができる。非導電性マトリクスは、限定ではないが、接着性材料、アクリル、又はエポキシなどの有機材料を含むことができる。加えて、複数の導電性充填材(図示せず)は、非導電性マトリクス中に分散させることができる。更に、複数の第2電極32は相互接続層上に配置することができる。
更に、デバイスの第1の例示的な実施形態の第2の側断面図34が図3に示されている。第2の側断面図34に描かれているように、相互接続要素30はまた、外部接続を促進するために使用することができる。更に、図4には、本技術の態様によるデバイスの第1の例示的な実施形態の平面図36が示されている。更に、デバイスは、複数の有機電子デバイスに電圧を供給するよう構成された電源(図示せず)を含むことができる。
図2−4の図示された実施形態において、相互接続要素30は、第1有機電子デバイスの第1電極を第2有機電子デバイスの第1電極に結合する並列接続を促進する。1つの実施形態においては、第1及び第2有機電子デバイスの第1電極はアノードとすることができる。従って、図2−4の図示された実施形態は、互いに隣接して配置することができる2つの有機電子デバイスのアノード間の並列結合を示している。或いは、第1及び第2有機電子デバイスの第1電極はカソードであってもよい。
図5は、本技術の態様によるデバイスの詳細な側断面図38を示している。図示された実施形態では、相互接続層などの相互接続要素30の非導電性マトリクス内に配置された導電性充填材40、42の構造を貫通するパンチが例示されている。理解されるように、説明の図は縮尺通りには描かれていない。更に上述のように、第1及び第2電極は、加熱及び/又は加圧によって相互接続層30を介して電気的に結合することができる。加熱及び/又は加圧により、導電性充填材40、42は相互接続層の表面を貫通して突出する。加えて、図5に例示された実施形態において描かれているように、導電性充填材40の第1のセットは、複数の第2電極32内へ穴をあけている。更に、導電性充填材42の第2のセットは、有機層28を突き抜けて、複数の第1電極26内に入り、これにより複数の第1電極26と複数の第2電極32との間の電気結合が確立される。
図6は、本技術の態様による、デバイスの第2の例示的な実施形態の第1の側断面図44を示す。更に、第2の例示的な実施形態の第2の側断面図が図7に示されている。第2の例示的な実施形態の平面図が図8に示されている。図6−8の図示された実施形態において、相互接続要素30は、有機層28上に配置された。これらの実施形態における相互接続要素30は、第1有機電子デバイスの第2電極を第2有機電子デバイスの第1電極に結合する直列接続を促進するよう構成されている。1つの実施形態においては、第1有機電子デバイスの第2電極はカソードとすることができ、第2有機電子デバイスの第1電極はアノードとすることができる。結果として、図6−8の図示の実施形態は、第1有機電子デバイスのカソードと第2有機電子デバイスのアノードとの間の直列接続を示している。上述のように、非導電性マトリクス(図5を参照)中に配置された導電性充填材40、42は、第1有機電子デバイスのカソードと第2有機電子デバイスのアノードとの間の直列結合を形成することができる。
本技術の態様による、デバイスの第3の例示的な実施形態の第1の側断面図50が図9に示されている。図9の図示の実施形態は、図6に示された実施形態の代替の実施形態を表している。更に、第3の例示的な実施形態の第2の側断面図52が図10に示されている。加えて、第3の例示的な実施形態の平面図54が、図11に示されている。図9−11に示された実施形態では、相互接続要素30は、第2電極32上に配置される。これらの実施形態における相互接続要素30は、第1有機電子デバイスの第2電極を第2有機電子デバイスの第1電極に結合する直列接続を促進するよう構成される。1つの実施形態においては、第1有機電子デバイスの第2電極はカソードとすることができ、第2有機電子デバイスの第1電極はアノードとすることができる。結果として、図9−11の図示された実施形態は、第1有機電子デバイスのカソードと第2有機電子デバイスのアノードとの間の直列結合を示している。
次に、図12を参照すると、本技術の態様による第4の例示的な実施形態の第1の側断面図56が示されている。図示された実施形態は、それぞれ第1及び第2有機電子デバイスの第1及び第2電極間の直列及び並列接続の組み合わせを促進するように構成することができる。
現在企図されている構成においては、デバイスは、2つの相互接続要素を含むことができる。第1相互接続要素30は、第1有機電子デバイスの第2の電極を第2有機電子デバイスの第1の電極に結合する直列接続を形成するよう構成することができる。1つの実施形態においては、第1有機電子デバイスの第2電極はカソードとすることができ、第2有機電子デバイスの第1電極はアノードとすることができる。結果として、図示された実施形態は、第1有機電子デバイスのカソードと第2有機電子デバイスのアノードとの間の直列結合を表している。
更に、貫通して配置された導電性充填材を有する非導電性マトリクスを含む第2相互接続層などの第2相互接続要素58を備えることができる。第2相互接続層58は、第1有機電子デバイスの第1電極を第2有機電子デバイスの第1電極に結合する並列接続を促進するよう構成することができる。1つの実施形態では、第1有機電子デバイスの第1電極はアノードとすることができ、第2有機電子デバイスの第1電極はアノードとすることができる。結果として、図示された実施形態は、第1有機電子デバイスのアノードと第2有機電子デバイスのアノードとの間の並列結合を示している。しかしながら、理解されるように、図示された実施形態はまた、第1有機電子デバイスのカソードと第2有機電子デバイスのカソードとの間の並列結合を形成するよう構成してもよい。
図13は、デバイスの第4の例示的な実施形態の第2の側断面図60を示す。本技術の態様によるデバイスの第4の例示的な実施形態の平面図62が、図14に示されている。加えて、第1相互接続要素30は、第1材料を使用して形成することができる。第2相互接続要素58は、第2材料を使用して形成することができ、この第2材料は第1材料とは異なっている。或いは、第1及び第2相互接続要素30,58は、第1材料などの材料を使用して形成してもよい。
図15を参照すると、デバイスの第5の実施形態の第1の側断面図64が示されている。図12−14に関連して上述されたように、図15の図示された実施形態は、それぞれ第1及び第2有機電子デバイスの第1及び第2電極間の直列及び並列接続の組み合わせを促進するよう構成することができる。
更に、図15の図示された実施形態は、母線66を含むことができる。母線66は、第1有機電子デバイスの第1電極と第2有機電子デバイスの第1電極とを結合する並列接続を形成するよう構成することができる。1つの実施形態においては、第1及び第2有機電子デバイスの第1電極の各々は、アノードを含むことができる。加えて、第1有機電子デバイスの第2電極は、第1相互接続要素30を介して第2有機電子デバイスの第1電極と直列に結合することができる。図16は、本技術の態様による、第5の例示的な実施形態の第2の側断面図68を示す。加えて、デバイスの第5の例示的な実施形態の平面図70が図17に示される。
次に図18を参照すると、第1導電性材料74と第2導電性材料76とを電気的に結合する前の例示的な相互接続組立体72が示されている。相互接続組立体72は、第1導電性材料74と第2導電性材料76とを含むことができる。1つの実施形態では、第1及び第2導電性材料74、76は、有機電極デバイスの電極とすることができる。換言すると、第1導電性材料74はアノードとすることができ、第2導電性材料76は有機電子デバイスのカソードとすることができる。更に、有機材料層78は、第1又は第2導電性材料74、76のうちの1つに配置することができる。図示された実施形態72では、有機材料層78は、第2導電性材料76上に配置される。
相互接続要素80は、第1導電層74上に配置することができる。或いは、相互接続要素80は、図18に示されるように有機材料層78上に配置することができる。1つの実施形態では、相互接続要素80は導電性材料を含むことができる。更に、別の実施形態では、相互接続要素80は非導電性材料(図示せず)によって囲まれた導電性領域を含むことができる。この実施形態では、相互接続要素80は、両側にある非導電性材料によって囲むことができる。相互接続要素80の上側及び下側は、第1及び第2導電性材料74、76を電気的に結合するのを促進するために露出させることができる。別の実施形態では、相互接続要素80は、相互接続層を含むことができる。相互接続層は、非導電性マトリクス内に配置された複数の導電性領域を含むことができ、この複数の導電性領域は、第1及び第2導電性材料74,76を電気的に結合するのを促進することができる。
図19は、相互接続組立体82の組み立てられた構成を示しており、第1導電性材料74、相互接続材料80、有機材料層78、及び第2導電性材料76が組み立てられて、相互接続組立体82を形成している。相互接続組立体82は、相互接続組立体82を加熱することにより形成されて、相互接続要素80が有機材料層78を突き抜け、第1及び第2導電性材料74、76に入るのを促進することができる。その結果、相互接続要素80は、第1及び第2導電性材料74、76間の導電路の確立を促進する。結果として、第1及び第2導電性材料74、76は、相互接続要素80を介して電気的に結合される。この実施形態では、第1導電性材料74は、有機材料層78上への直接配置を必要としない可能性がある。
或いは、相互接続組立体82は、該組立体に圧力を加えることによって形成されて、相互接続要素80が有機材料層78を突き抜けて、第1及び第2導電性材料74、76内に入るのを促進することができる。相互接続組立体82はまた、該組立体を紫外線に曝露することにより形成されて、相互接続要素80が有機材料層78を突き抜けて、第1及び第2導電性材料74、76内に入るのを促進することができる。本技術の態様において、相互接続組立体82の加熱、加圧、及び紫外線曝露の組み合わせを用いて、相互接続組立体82を形成することができる。
図15に示された実施形態において、第1相互接続要素30は、異方性材料を含むことができる。しかしながら、第2相互接続要素58は等方性材料又は異方性材料を含むことができる。更に、第1及び第2相互接続要素30、58は、有機層28上に配置することができる。加えて、母線66を形成するために使用される材料は、第1電極26を形成するために使用される材料よりもより導電性があるものとすることができる。しかしながら、図2−14に示された例示的な実施形態において、相互接続要素30を形成するために使用される材料は、等方性材料及び/又は異方性材料を含むことができる。
デバイス及び上述のデバイスを製造する方法の種々の実施形態は、デバイスのコスト効率の高い製造を可能にする。更に、上述の製造方法を使用することで、本技術の限界を有利に回避する2つのデバイス層間及び中間層を介した電気的相互接続を達成することができる。加えて、電気結合は、直列接続、並列接続、又はこれらの組み合わせを含むことができる。更に、相互接続層は、高い界面接着などの機械的特性を与えるよう構成することができる。
本発明の幾つかの特徴だけを本明細書に図示し且つ説明してきたが、当業者であれば多くの修正及び変更が想起されるであろう。従って、添付の請求項は、本発明の真の精神に含まれるこうした全ての修正及び変更を保護するものとされる点を理解されたい。また、図面の符号に対応する特許請求の範囲中の符号は、単に本願発明の理解をより容易にするために用いられているものであり、本願発明の範囲を狭める意図で用いられたものではない。そして、本願の特許請求の範囲に記載した事項は、明細書に組み込まれ、明細書の記載事項の一部となる。
本技術の態様によるデバイスを形成する段階を説明するフローチャート。 本技術の態様によるデバイスの第1の例示的な実施形態の第1の側断面図。 本技術の態様によるデバイスの第1の例示的な実施形態の第2の側断面図。 本技術の態様によるデバイスの第1の例示的な実施形態の平面図。 本技術の態様による構造を貫通するパンチを描いたデバイスの例示的な実施形態の側断面図。 本技術の態様によるデバイスの第2の例示的な実施形態の第1の側断面図。 本技術の態様によるデバイスの第2の例示的な実施形態の第2の側断面図。 本技術の態様によるデバイスの第2の例示的な実施形態の平面図。 本技術の態様による図6のデバイスの別の例示的な実施形態であるデバイスの第3の例示的な実施形態の第1の側断面図。 本技術の態様による図7のデバイスの別の例示的な実施形態であるデバイスの第3の例示的な実施形態の第2の側断面図。 本技術の態様による図8のデバイスの別の例示的な実施形態であるデバイスの第3の例示的な実施形態の平面図。 本技術の態様によるデバイスの第4の例示的な実施形態の第1の側断面図。 本技術の態様によるデバイスの第4の例示的な実施形態の第2の側断面図。 本技術の態様によるデバイスの第4の例示的な実施形態の平面図。 本技術の態様によるデバイスの第5の例示的な実施形態の第1の側断面図。 本技術の態様による、デバイスの第5の例示的な実施形態の第2の側断面図。 本技術の態様によるデバイスの第5の例示的な実施形態の平面図。 組立体の前の相互接続構造体の例示的な実施形態の側断面図。 相互接続構造体の例示的な実施形態の側断面図。
符号の説明
24 基板
26 第1電極
28 有機材料層(有機層)
30 (第1)相互接続要素
32 第2電極
40 導電性充填材
42 導電性充填材
58 第2相互接続要素
66 母線
72 相互接続組立体
74 第1導電性材料
76 第2導電性材料
78 有機材料層
80 相互接続要素
82 相互接続組立体

Claims (8)

  1. 各々が第1電極(26)と第2電極(32)とを含む、基板(24)上に配置された複数の有機電子デバイスと、
    前記複数の有機電子デバイスの各々の第1及び第2電極(26、32)間に配置された有機層(28)と、
    非導電性基材中に分散されかつ前記非導電性基材を貫通して配置された導電性充填材(40、42)を有する前記非導電性基材を含む相互接続層を備えた相互接続要素(30)と、
    を備え、
    前記導電性充填材(40、42)が、前記非導電性基材および前記有機層を突き抜けて、前記複数の有機電子デバイスの各々の第1又は第2電極(26、32)のいずれかと電気的に結合する導電性粒子を含む、
    デバイス(22)。
  2. 前記デバイス(22)が、第1有機電子デバイスと第2有機電子デバイスとを備え、
    該第1及び第2有機電子デバイスが、それぞれ第1電極(26)と第2電極(32)とを備える、
    請求項1に記載のデバイス(22)。
  3. 前記それぞれの第1電極(26)の各々がアノードであり、
    前記それぞれの第2電極(32)の各々がカソードである、
    請求項2に記載のデバイス(22)。
  4. 前記複数の有機電子デバイスの各々が、有機発光デバイス、有機光電池、有機光検出器、有機エレクトロクロミックデバイス、有機センサ、又はこれらの組み合わせのうちの1つを含む、請求項1に記載のデバイス(22)。
  5. 前記導電性粒子が繊維を含む、請求項1から4のいずれかに記載のデバイス(22)。
  6. 前記相互接続要素が等方性材料を含む、請求項1から5のいずれかに記載のデバイス(22)。
  7. 前記相互接続要素が非等方性材料を含む、請求項1から5のいずれかに記載のデバイス(22)。
  8. 前記導電性充填材の大きさが前記非導電性基材の厚さよりも大きい、請求項1から7のいずれかに記載のデバイス(22)。
JP2005302673A 2004-12-22 2005-10-18 有機電子デバイス用の垂直相互接続 Expired - Fee Related JP5486756B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/020,338 US7259391B2 (en) 2004-12-22 2004-12-22 Vertical interconnect for organic electronic devices
US11/020,338 2004-12-22

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2006179867A JP2006179867A (ja) 2006-07-06
JP2006179867A5 JP2006179867A5 (ja) 2011-06-16
JP5486756B2 true JP5486756B2 (ja) 2014-05-07

Family

ID=35976640

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005302673A Expired - Fee Related JP5486756B2 (ja) 2004-12-22 2005-10-18 有機電子デバイス用の垂直相互接続

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7259391B2 (ja)
EP (1) EP1684354A3 (ja)
JP (1) JP5486756B2 (ja)
KR (1) KR101261638B1 (ja)
CN (2) CN100565899C (ja)
TW (1) TWI431826B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI686101B (zh) 2017-04-12 2020-02-21 日商日本發條股份有限公司 加熱器單元
TWI687128B (zh) 2017-04-12 2020-03-01 日商日本發條股份有限公司 護套型加熱器

Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070046179A1 (en) * 2005-08-26 2007-03-01 Chan-Ching Chang Organic electro-luminescent device
US20080311738A1 (en) * 2007-06-18 2008-12-18 Lakshmi Supriya Method of forming an interconnect joint
US7741140B2 (en) * 2008-01-21 2010-06-22 General Electric Company Methods, apparatus, and rollers for cross-web forming of optoelectronic devices
US20090186550A1 (en) * 2008-01-21 2009-07-23 General Electric Company Methods, apparatus, and rollers for forming optoelectronic devices
US20090284158A1 (en) * 2008-05-16 2009-11-19 General Electric Company Organic light emitting device based lighting for low cost, flexible large area signage
US8022623B2 (en) * 2008-08-15 2011-09-20 General Electric Company Ultra-thin multi-substrate color tunable OLED device
US8288951B2 (en) 2008-08-19 2012-10-16 Plextronics, Inc. Organic light emitting diode lighting systems
TWI537900B (zh) * 2008-08-19 2016-06-11 索爾維美國有限公司 使用者可組態之鑲嵌發光裝置
EP2332195A2 (en) * 2008-08-19 2011-06-15 Plextronics, Inc. Organic light emitting diode lighting devices
WO2010022105A2 (en) * 2008-08-19 2010-02-25 Plextronics, Inc. Organic light emitting diode products
DE102008050332A1 (de) * 2008-10-07 2010-04-22 Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg Photovoltaische Zellen sowie Mehrschichtfolie
JP5992326B2 (ja) * 2009-04-23 2016-09-14 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. 抵抗性の相互接続層を有するセグメント化されたエレクトロルミネセンス素子
US9161448B2 (en) 2010-03-29 2015-10-13 Semprius, Inc. Laser assisted transfer welding process
US9899329B2 (en) 2010-11-23 2018-02-20 X-Celeprint Limited Interconnection structures and methods for transfer-printed integrated circuit elements with improved interconnection alignment tolerance
US8692457B2 (en) 2010-12-20 2014-04-08 General Electric Company Large area light emitting electrical package with current spreading bus
KR101881462B1 (ko) * 2011-02-10 2018-07-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US8934259B2 (en) 2011-06-08 2015-01-13 Semprius, Inc. Substrates with transferable chiplets
US9412727B2 (en) 2011-09-20 2016-08-09 Semprius, Inc. Printing transferable components using microstructured elastomeric surfaces with pressure modulated reversible adhesion
JP2013179020A (ja) * 2012-02-08 2013-09-09 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 有機光電子素子
CN110010750B (zh) 2014-06-18 2021-11-09 艾克斯展示公司技术有限公司 微组装led显示器
US11472171B2 (en) 2014-07-20 2022-10-18 X Display Company Technology Limited Apparatus and methods for micro-transfer-printing
US9991163B2 (en) 2014-09-25 2018-06-05 X-Celeprint Limited Small-aperture-ratio display with electrical component
US9799719B2 (en) 2014-09-25 2017-10-24 X-Celeprint Limited Active-matrix touchscreen
US9871345B2 (en) 2015-06-09 2018-01-16 X-Celeprint Limited Crystalline color-conversion device
US11061276B2 (en) 2015-06-18 2021-07-13 X Display Company Technology Limited Laser array display
US10133426B2 (en) 2015-06-18 2018-11-20 X-Celeprint Limited Display with micro-LED front light
US9704821B2 (en) 2015-08-11 2017-07-11 X-Celeprint Limited Stamp with structured posts
US10468363B2 (en) 2015-08-10 2019-11-05 X-Celeprint Limited Chiplets with connection posts
US10380930B2 (en) 2015-08-24 2019-08-13 X-Celeprint Limited Heterogeneous light emitter display system
US10230048B2 (en) 2015-09-29 2019-03-12 X-Celeprint Limited OLEDs for micro transfer printing
US10066819B2 (en) 2015-12-09 2018-09-04 X-Celeprint Limited Micro-light-emitting diode backlight system
US9786646B2 (en) 2015-12-23 2017-10-10 X-Celeprint Limited Matrix addressed device repair
CN105629543B (zh) * 2016-01-04 2019-03-01 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性液晶显示面板及显示装置
US10217730B2 (en) 2016-02-25 2019-02-26 X-Celeprint Limited Efficiently micro-transfer printing micro-scale devices onto large-format substrates
US10193025B2 (en) 2016-02-29 2019-01-29 X-Celeprint Limited Inorganic LED pixel structure
US10153256B2 (en) 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-transfer printable electronic component
US10153257B2 (en) 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-printed display
US10103069B2 (en) 2016-04-01 2018-10-16 X-Celeprint Limited Pressure-activated electrical interconnection by micro-transfer printing
US10008483B2 (en) 2016-04-05 2018-06-26 X-Celeprint Limited Micro-transfer printed LED and color filter structure
US10199546B2 (en) 2016-04-05 2019-02-05 X-Celeprint Limited Color-filter device
US9997501B2 (en) 2016-06-01 2018-06-12 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed light-emitting diode device
US11137641B2 (en) 2016-06-10 2021-10-05 X Display Company Technology Limited LED structure with polarized light emission
US10222698B2 (en) 2016-07-28 2019-03-05 X-Celeprint Limited Chiplets with wicking posts
US11064609B2 (en) 2016-08-04 2021-07-13 X Display Company Technology Limited Printable 3D electronic structure
US9980341B2 (en) 2016-09-22 2018-05-22 X-Celeprint Limited Multi-LED components
US10782002B2 (en) 2016-10-28 2020-09-22 X Display Company Technology Limited LED optical components
US10347168B2 (en) 2016-11-10 2019-07-09 X-Celeprint Limited Spatially dithered high-resolution
US10395966B2 (en) 2016-11-15 2019-08-27 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods
TWI739949B (zh) 2016-11-15 2021-09-21 愛爾蘭商艾克斯展示公司技術有限公司 微轉印可印刷覆晶結構及方法
US10600671B2 (en) 2016-11-15 2020-03-24 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods
US10438859B2 (en) 2016-12-19 2019-10-08 X-Celeprint Limited Transfer printed device repair
US10396137B2 (en) 2017-03-10 2019-08-27 X-Celeprint Limited Testing transfer-print micro-devices on wafer
US11024608B2 (en) 2017-03-28 2021-06-01 X Display Company Technology Limited Structures and methods for electrical connection of micro-devices and substrates
US10748793B1 (en) 2019-02-13 2020-08-18 X Display Company Technology Limited Printing component arrays with different orientations

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5326671A (en) * 1992-12-28 1994-07-05 At&T Bell Laboratories Method of making circuit devices comprising a dielectric layer of siloxane-caprolactone
JP3251711B2 (ja) * 1993-06-02 2002-01-28 株式会社東芝 印刷配線板および印刷配線板の製造方法
JP3516965B2 (ja) * 1993-09-09 2004-04-05 株式会社東芝 プリント配線板
JP3474937B2 (ja) * 1994-10-07 2003-12-08 株式会社東芝 実装用配線板の製造方法、半導体パッケージの製造方法
JP2000332157A (ja) * 1999-05-25 2000-11-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品実装部材
JP3424627B2 (ja) * 1999-11-26 2003-07-07 日本電気株式会社 半導体装置とそれを用いた三次元半導体装置及びその製造方法並びにテンプレート
US6566808B1 (en) * 1999-12-22 2003-05-20 General Electric Company Luminescent display and method of making
US6541919B1 (en) * 2000-02-14 2003-04-01 Sarnoff Corporation Electrical interconnection of light-emitting fibers, and method therefor
JP3840926B2 (ja) * 2000-07-07 2006-11-01 セイコーエプソン株式会社 有機el表示体及びその製造方法、並びに電子機器
US6768258B2 (en) * 2000-08-11 2004-07-27 Seiko Epson Corporation Method for manufacturing organic EL device, organic EL device, and electronic apparatus
JP2002141173A (ja) * 2000-08-22 2002-05-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2002343560A (ja) * 2001-03-16 2002-11-29 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器
FI110675B (fi) * 2001-07-06 2003-03-14 Valtion Teknillinen Menetelmä orgaanisen valoa emittoivan diodin muokkaamiseksi
TW543336B (en) * 2001-12-13 2003-07-21 Ritdisplay Corp Global lamp-lighting test method of organic light-emitting diode
JP2003197379A (ja) * 2001-12-27 2003-07-11 Print Labo Kk 導電材料保持シートおよびそれを用いたel発光装置
US6872472B2 (en) * 2002-02-15 2005-03-29 Eastman Kodak Company Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units
US7049757B2 (en) * 2002-08-05 2006-05-23 General Electric Company Series connected OLED structure and fabrication method
US6693296B1 (en) * 2002-08-07 2004-02-17 Eastman Kodak Company OLED apparatus including a series of OLED devices
US7034470B2 (en) * 2002-08-07 2006-04-25 Eastman Kodak Company Serially connecting OLED devices for area illumination
GB0229653D0 (en) * 2002-12-20 2003-01-22 Cambridge Display Tech Ltd Electrical connection of optoelectronic devices
US6870196B2 (en) * 2003-03-19 2005-03-22 Eastman Kodak Company Series/parallel OLED light source
US7052355B2 (en) * 2003-10-30 2006-05-30 General Electric Company Organic electro-optic device and method for making the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI686101B (zh) 2017-04-12 2020-02-21 日商日本發條股份有限公司 加熱器單元
TWI687128B (zh) 2017-04-12 2020-03-01 日商日本發條股份有限公司 護套型加熱器

Also Published As

Publication number Publication date
CN1794464A (zh) 2006-06-28
JP2006179867A (ja) 2006-07-06
TW200625709A (en) 2006-07-16
CN100565899C (zh) 2009-12-02
CN101604702A (zh) 2009-12-16
KR20060071855A (ko) 2006-06-27
US7259391B2 (en) 2007-08-21
TWI431826B (zh) 2014-03-21
EP1684354A3 (en) 2010-10-06
CN101604702B (zh) 2012-02-15
EP1684354A2 (en) 2006-07-26
KR101261638B1 (ko) 2013-05-06
US20060134822A1 (en) 2006-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5486756B2 (ja) 有機電子デバイス用の垂直相互接続
US10779400B2 (en) Flexible display device
JP5265198B2 (ja) 2次元直列相互接続を有する有機電子デバイス
US8759884B2 (en) Electronic device and method of manufacturing the same
TWI326562B (en) Double-sided electroluminescent display device and method of making same
US20130092426A1 (en) Anisotropic conductive film and fabrication method thereof
JP2008535240A (ja) 有機電子デバイス用の完全耐故障性アーキテクチャ
CN110416242A (zh) 显示面板及其制造方法
CN103904096A (zh) 双面oled显示面板及制造方法
KR101990323B1 (ko) 유기 발광 소자 및 이의 제조방법
KR101724336B1 (ko) 투명전극 및 투명전극 제조방법
US20130168706A1 (en) Printed light emitting devices and method for fabrication therof
Nam et al. Highly reliable and stretchable OLEDs based on facile patterning method: toward stretchable organic optoelectronic devices
KR102042418B1 (ko) 유기전자장치 및 이의 제조 방법
JP2014096439A (ja) 有機デバイスの電極取り出し構造
JP2014096507A (ja) 有機デバイスの電極取り出し構造

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20081017

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20101220

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20101220

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110408

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110421

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120313

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130108

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130405

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130806

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131203

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20131210

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140128

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140224

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5486756

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees