JP5480785B2 - 高周波回路基板 - Google Patents

高周波回路基板 Download PDF

Info

Publication number
JP5480785B2
JP5480785B2 JP2010262327A JP2010262327A JP5480785B2 JP 5480785 B2 JP5480785 B2 JP 5480785B2 JP 2010262327 A JP2010262327 A JP 2010262327A JP 2010262327 A JP2010262327 A JP 2010262327A JP 5480785 B2 JP5480785 B2 JP 5480785B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
frequency
circuit board
lead
frequency circuit
transmission line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2010262327A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012114696A (ja
Inventor
茂久 森
寛 池松
憲司 川上
秀知 大西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Mitsubishi Electric Tokki Systems Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Mitsubishi Electric Tokki Systems Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp, Mitsubishi Electric Tokki Systems Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2010262327A priority Critical patent/JP5480785B2/ja
Publication of JP2012114696A publication Critical patent/JP2012114696A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5480785B2 publication Critical patent/JP5480785B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Waveguides (AREA)

Description

本発明は、高周波領域で使用する低損失な高周波回路基板に関する。
マイクロ波やミリ波などの高周波領域で使用される伝送線路はテフロン(登録商標)やガラスエポキシなどの絶縁体で構成された平面基板上に形成され、製造しやすいマイクロストリップ線路が用いられる。マイクロストリップ線路の表面導体には主として銅が使用されるが、銅は酸化、腐食して電気を通さなくなりやすいため銅の表面を保護する必要がある。
銅の表面保護としては、錫めっき、金、銀めっきを施す方法があるが、錫めっきは錫が細長い髭状に成長するウィスカーの問題があり、金および銀めっきは銅の拡散による劣化が問題となる。
また、銅の表面保護として基板を、溶融したはんだの中に浸漬した後、空気を吹きつけて銅以外の部分に付いた余分なはんだを飛ばすというはんだコートが用いられるが、基板を高温のはんだにくぐらせることによる基板の熱変形が問題となる。昨今は欧州連合(EU)による電気・電子機器における特定有害物質の使用制限の施行などの規制により、鉛を使わない電気・電子回路が必要となりつつあるが、錫、銀、銅を含む無鉛はんだは有鉛はんだよりも融点が高いため、無鉛はんだコートは基板の熱変形がさらに発生しやすくなる。
このため、特許文献1に示すように無鉛の高周波回路基板の銅の表面保護には、ニッケルめっきを施した後に金めっきを施す方法が用いられる。
特開2003-318611号公報
しかしながら、金めっきの厚みは約0.1μmと薄く、電流は主にニッケルめっきを流れることになる。高周波では表皮効果により電流は導体の表面へ集中するが、ニッケルは錫、銅等に比べて表皮深さが浅いため電流が流れる部分が薄いため抵抗が増加し、通過損失が増加してしまう。
このため、特許文献1に示す構成のマイクロストリップ線路基板を用いた通信装置において、送信系の増幅器は出力後のマイクロストリップ線路の通過損失の増加により、飽和出力電力が低下してしまう。また、受信系の低雑音増幅器は入力部のマイクロストリップ線路の通過損失の増加により雑音指数が劣化してしまう。さらに、マイクロストリップ線路を共振器とする電圧制御発振器においては、マイクロストリップ線路の通過損失の増加により振動増大係数が低下し、位相雑音が劣化してしまう。
この発明はこのような問題点を解決するためになされたものであり、高周波信号を伝送するマイクロストリップ線路などの高周波伝送線路の通過損失が低減され、かつ生産性にすぐれた高周波回路基板を得ることを目的とする。さらには、このマイクロストリップ線路を用いた、増幅器を低雑音化、高飽和出力化し、電圧可変発振器を低位相雑音化することを目的とする。
この発明に係る高周波回路基板は、絶縁体基板の表面に金属導体とこの金属導体の表面に形成されたニッケルめっき層とこのニッケルめっき層の表面に形成された金メッキ層とで形成された伝送線路と、この伝送線路に高周波信号端子が接続された高周波電子部品と、前記高周波電子部品の所定の高周波信号端子が接続された前記伝送線路の表面に形成された、伝送される高周波信号電流の周波数における表皮深さ以上の厚みを有するはんだ層とを備えたものである。

本発明を実施することにより、マイクロストリップ線路の通過損失が低減される
この発明の実施の形態1におけるマイクロストリップ線路を用いた高周波回路基板の斜視図である。 従来例のマイクロストリップ線路の断面図である。 この発明の実施の形態1におけるマイクロストリップ線路の断面図である。 この発明の実施の形態1における高周波回路基板の無鉛はんだの塗布工程図である。 従来のプリント配線基板の製造工程・部品実装工程図である。 通信装置の構成例である。 この発明の実施の形態2における高周波回路基板の構成図である。 この発明の実施の形態3における高周波回路基板の構成図である。 この発明の実施の形態4における電圧制御発振器回路の構成図である。
実施の形態1.
図1は、この発明の実施の形態1におけるマイクロストリップ線路を用いた高周波回路基板の斜視図である。図1において、1は無鉛はんだ、2は金めっき、3はニッケルめっき、4は銅素地および銅めっきが施された導体パターン、5はテフロン(登録商標)やガラスエポキシなどの絶縁体、6は裏面グランドパターンである。
図2は、従来例のマイクロストリップ線路の断面図である。図2において、図1と同一の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。図2において、7は高周波電流の伝送域である。
図3は、この発明の実施の形態1におけるマイクロストリップ線路の断面図である。図3において、図1および図2と同一の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
高周波信号は高周波回路基板の表面に形成されたマイクロストリップ線路の表面導体を高周波電流として伝送し、この高周波電流が表面導体を流れるとき、表面導体の断面において、高周波電流の電流密度は表面導体の表面で大きく、表面から離れると小さくなる現象がある。この現象を表皮効果と呼ぶ。電流が表面の電流の1/e(約0.37)倍となる表面導体の断面方向の深さを表皮深さと呼び、表皮深さは√(1/(πσμf))メートルで表される。ここでσは導体の導電率、μは導体の透磁率、fは高周波信号の信号周波数を表す。
ニッケルは金、銀、銅等に比べて透磁率が高いため、表皮深さが浅く、高周波電流が流れる表面導体の断面積が狭くなるので、高周波信号の通過損失が大きい。ニッケルめっき3、金めっき2の上に√(1/(πσμf))メートル以上の厚さの無鉛はんだ1を塗布することで、高周波電流はニッケルめっき3に流れず、表皮効果による高周波電流が流れる断面積が広い無鉛はんだ1を高周波電流が流れ、高周波信号の通過損失が低減される。
例えば、高周波信号を12GHzの信号周波数としたときにおいて、表皮効果による金の表皮深さは0.72μmである。銅パターンの表面にめっきで形成された金めっき2の厚みL2は約0.1μm、ニッケルめっき3の厚みL3は約5μmであり、再上層の金めっき2の厚みは金の表皮深さに対して不足しているので、図2に示すように、ほとんどの電流はニッケルめっき3を流れることになる。しなしながら、ニッケルの表皮深さは0.05μmと浅いため、高周波電流が流れる断面積が狭いので、高周波信号の通過損失が大きくなる。
錫:96.5%/銀:3%/銅:0.5%を標準組成とする無鉛はんだ1の表皮深さは1.53μmであり、1.53μm以上の厚さL1の無鉛はんだ1を金めっき2の表面に塗布することで、図3に示すように高周波電流は電流が流れる断面積がニッケルめっき3より広い無鉛はんだ1を流れるため、高周波信号の通過損失が低減される。
無鉛はんだ1の形成方法について説明する。図4は、この発明の実施の形態1における高周波回路基板の無鉛はんだの塗布工程図である。無鉛はんだ1の塗布は、はんだ印刷工程(S1)とリフロー工程(S3)で実施される。
はんだ印刷工程(S1)において、ニッケルめっき3および金メッキ2が施された導体パターン4のはんだを塗布したい部分に穴を開けたはんだ印刷マスクを基板上に載置し、この印刷マスクの上からペースト状の無鉛はんだ1を塗ることにより穴の開いた部分の導体パターン4に無鉛はんだ1を印刷する工程である。リフロー工程(S3)において、はんだ印刷工程(S1)において無鉛はんだ1が印刷された高周波回路基板が炉内温度が245℃のリフロー炉内を搬送され、印刷された無鉛はんだ1を溶融させて、無鉛はんだ1を導体パターン4に密着させる。
溶融した無鉛はんだの浸漬させるはんだコートでは、250℃の温度で溶融した無鉛はんだに8秒間高周波基板を浸漬させる必要があるが、リフロー工程による無鉛はんだ塗布方法においては、はんだコートより5℃低い245℃の温度で無鉛はんだを溶融させるため、高周波基板の熱変形がはんだコートによる方法に比べて、緩和される。また、リフロー工程においては、高周波回路基板を金属製の固定治具に固定してリフロー炉内を搬送できるため、高周波回路基板の変形を抑止することができる。
リフロー工程は、図5に示すように、表面実装部品の端子実装部に無鉛はんだを塗布して、表面実装部品を基板に実装する工程であるため、表面実装部品の実装と同時にマイクロストリップ線路に無鉛はんだが塗布されることにより、生産性を損なわずに無鉛はんだの塗布が実施される効果がある。
この発明の実施の形態1では、マイクロストリップ線路を用いた高周波回路基板について説明したが、コプレーナ線路を用いても良い。
実施の形態2.
図6は、通信装置の構成例である。9は通信用アンテナ、10は送受信信号分配/合成器、11は送信用増幅器、12は受信用低雑音増幅器、13は帯域通過フィルタ、14はミキサ、15は電圧制御発信器、16は位相比較器である。
この発明の実施の形態2は、送受信信号分配/合成器10と、受信用低雑音増幅器12との間のマイクロストリップ線路にこの発明の実施の形態1に示す処理を施すものである。図7は、この発明の実施の形態2における高周波回路基板の構成図である。17はこの発明の実施の形態1に示すマイクロストリップ線路を用いた、送受信信号分配/合成器10と受信用低雑音増幅器12とを接続する受信用低雑音増幅器の入力部である。
この発明の実施の形態2の高周波回路基板の製造方法について説明する。送受信信号分配/合成器10と、受信用低雑音増幅器12は表面実装部品である。図5は従来のプリント配線基板の製造工程・部品実装工程図である。
図5において、はんだ印刷工程(S10)は、ニッケルめっき3および金メッキ2が施された導体パターン4に送受信信号分配/合成器10や受信用低雑音増幅器12などの表面実装部品を実装したい部分に穴を開けたはんだ印刷マスクを基板上に載置し、この印刷マスクの上からペースト状の無鉛はんだ1を塗ることにより穴の開いた部分の導体パターン4に無鉛はんだ1を印刷する工程である。
部品装着工程(S20)において、塗布された無鉛はんだ1の所定の位置に表面実装部品の端子が載置されるように、表面実装部品を装着する。
リフロー工程(S30)において、部品装着工程(S20)において表面実装部品が装着されたプリント配線基板が炉内温度が245℃のリフロー炉内を搬送され、印刷された無鉛はんだ1を溶融させて、表面実装部品の端子を導体パターン4に密着させる。
図4で示すこの発明の実施の形態1における高周波回路基板の無鉛はんだの塗布工程図
および図5で示すプリント配線基板の製造工程・部品実装工程図において、はんだ印刷工
程(S10)とはんだ印刷工程(S1)とは基板上に載置した印刷マスク上からペースト
状の無鉛はんだを塗布する作業であり、リフロー工程(S30)とリフロー工程(S3)
とは印刷された無鉛はんだをリフロー炉内で溶融させる作業であり、それぞれ共に同じ作
業である。
したがって、はんだ印刷工程(S10)で基板上に載置する印刷マスクに、ニッケルめっき3および金メッキ2が施された導体パターン4のはんだを塗布したい部分にも穴を開けておくことにより、高周波電子部品の導体パターン4への無鉛はんだ付けと導体パターン4の所定の表面への無鉛はんだ1の塗布が同時に実施されるため、従来のプリント配線基板の製造工程・部品実装工程でこの発明の実施の形態2の高周波回路基板が製造され、生産性を損なわない効果がある。
すなわち、印刷マスクおいて、送受信信号分配/合成器10と受信用低雑音増幅器12とが実装される部分および送受信信号分配/合成器10と受信用低雑音増幅器12との間の導体パターン4の全面の部分に穴を開けておくことにより、送受信信号分配/合成器10と受信用低雑音増幅器12の無鉛はんだ付けおよび無鉛はんだが塗布された入力部17が同時に形成される。
受信用低雑音増幅器12の入力部17にこの発明の実施の形態1に示すマイクロストリップ線路を用いることにより、通過損失が低減され、通信装置の雑音指数が低減される。
実施の形態3.
図8は、この発明の実施の形態3における高周波回路基板の構成図である。図8において、図6および図7と同一の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。21はこの発明の実施の形態1に示すマイクロストリップ線路を用いた送信用増幅器11と送受信信号分配/合成紀器10とを接続する送信用増幅器の出力部である。
この発明の実施の形態3における高周波回路基板の製造方法については、この発明の実施の形態2の高周波回路基板の製造方法と同じである。なお、印刷マスクは送受信信号分配/合成器10と送信用増幅器11とが実装される部分および送信用増幅器11と送受信信号分配/合成器10との間の導体パターン4の全面の部分に穴を開けている。
送信用増幅器11の出力部21に実施の形態1に示すマイクロストリップ線路を用いることにより、通過損失が低減され、通信装置の飽和出力電力が増加される。
実施の形態4.
図9は、実施の形態4における電圧制御発振器回路の構成図である。図9において、図6と同一の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。22はこの発明の実施の形態1に示すマイクロストリップ線路で形成された共振器、23は電圧制御発振器の能動素子、24は同調素子、25は共振器22と能動素子23とを接続するこの発明の実施の形態1に示すマイクロストリップ線路で形成された伝送線路である。
この発明の実施の形態4における高周波回路基板の製造方法については、この発明の実施の形態2の高周波回路基板の製造方法と同じである。なお、印刷マスクは能動素子23と同調素子24とが実装される部分および共振器22の導体パターン4の全面と共振器22と能動素子23との間の導体パターン4の全面の部分に穴を開けている。
電圧制御発振器23の共振器22の損失が大きいと、系から散逸する電力が大きくなり振動増大係数が低下、位相雑音が劣化してしまうが、電圧制御発振器23の共振器22に実施の形態1に示すマイクロストリップ線路を用いることにより、共振器22の通過損失が低減し、位相雑音が低下される。
1 無鉛はんだ 2 金めっき 3 ニッケルめっき
4 導体パターン 5 絶縁体
6 裏面グランドパターン 7 高周波電流が流れる範囲
9 通信用アンテナ 10 送受信信号分配/合成器
11 送信用増幅器 12 受信用低雑音増幅器 13 帯域通過フィルタ
14 ミキサ 15 電圧制御発信器 16 位相比較器
17 入力部
21 出力部
22 共振器
23 能動素子 24 同調素子 25 伝送線路

Claims (4)

  1. 絶縁体基板の表面に金属導体とこの金属導体の表面に形成されたニッケルめっき層とこのニッケルめっき層の表面に形成された金メッキ層とで形成された伝送線路と、この伝送線路に高周波信号端子が接続された高周波電子部品と、前記高周波電子部品の所定の高周波信号端子が接続された前記伝送線路の表面に形成された、伝送される高周波信号電流の周波数における表皮深さ以上の厚みを有するはんだ層とを備えた高周波回路基板。
  2. 前記高周波電子部品は、低雑音増幅器であり、前記はんだ層は、この低雑音増幅器の高周波信号入力端子が接続された前記伝送線路の表面に形成された、請求項1に記載の高周波回路基板。
  3. 前記高周波電子部品は、高出力電力増幅器であり、前記はんだ層は、この送信用増幅器の高周波信号出力端子が接続された前記伝送線路の表面に形成された、請求項1に記載の高周波回路基板。
  4. 前記高周波電子部品の所定の高周波信号端子が接続された前記伝送線路は、共振器であり、前記はんだ層は、この共振器の共振周波数における表皮深さ以上の厚みを有する請求項1に記載の高周波回路基板。
JP2010262327A 2010-11-25 2010-11-25 高周波回路基板 Active JP5480785B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010262327A JP5480785B2 (ja) 2010-11-25 2010-11-25 高周波回路基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010262327A JP5480785B2 (ja) 2010-11-25 2010-11-25 高周波回路基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012114696A JP2012114696A (ja) 2012-06-14
JP5480785B2 true JP5480785B2 (ja) 2014-04-23

Family

ID=46498415

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010262327A Active JP5480785B2 (ja) 2010-11-25 2010-11-25 高周波回路基板

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5480785B2 (ja)

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2752966B2 (ja) * 1984-03-05 1998-05-18 松下電器産業株式会社 回路基板
JPH04368005A (ja) * 1991-06-14 1992-12-21 Sanyo Electric Co Ltd マイクロ波伝送線路
JPH0555746A (ja) * 1991-08-29 1993-03-05 Hitachi Chem Co Ltd 高周波用銅張り積層板及びプリント配線板
US5178965A (en) * 1992-02-14 1993-01-12 Rockwell International Corporation Uniform solder coating on roughened substrate
JPH07326910A (ja) * 1994-05-31 1995-12-12 Nec Corp 導波管
JPH1197912A (ja) * 1997-09-22 1999-04-09 Toshiba Corp 高周波伝送線路
JP2001057886A (ja) * 1999-08-19 2001-03-06 Japan Tobacco Inc 遺伝子の発現量を増大させる新規dna断片
JP2007221713A (ja) * 2006-02-20 2007-08-30 Seiji Kagawa 高周波伝送線路
JP5321878B2 (ja) * 2008-09-01 2013-10-23 四国化成工業株式会社 銅または銅合金の表面処理剤及びその利用

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012114696A (ja) 2012-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101616625B1 (ko) 반도체 패키지 및 그 제조방법
US20130012145A1 (en) Radio module and manufacturing method therefor
US10403587B2 (en) Radio frequency circuit, wireless communication device, and method of manufacturing radio frequency circuit
KR100284620B1 (ko) 마이크로파발진기와 그 제조방법
CN113839193A (zh) 片式天线以及包括片式天线的天线模块和电子装置
JPH06283881A (ja) 高周波モジュール装置及びその製造方法
US20090086461A1 (en) Shielding Apparatus and Manufacturing Method Thereof
JP5480785B2 (ja) 高周波回路基板
JP2010028800A (ja) 構造体,接続端子,パッケージ、並びに電子装置
JP4903738B2 (ja) 電子部品収納用パッケージおよび電子装置
JP2006211620A (ja) フィルタ及びデュプレクサ
JPH1117063A (ja) 半導体チップ実装用回路基板、半導体チップ収納用パッケージ、及び半導体デバイス
TW200428614A (en) Electronic device and semiconductor device
CN110581353B (zh) 芯片天线
JP2005080229A (ja) チップアンテナ及びその製造方法
JP3935085B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置
JP2013048198A (ja) 電子部品収納用パッケージおよびそれを用いた電子装置
JPH0746007A (ja) 電力用基板および高周波用電力増幅器
JP4363717B2 (ja) 高周波半導体装置
JP5355468B2 (ja) 入出力端子、素子収納用パッケージ、並びに実装構造体
JP2008085699A (ja) 高周波用終端抵抗基板および電子装置
JPH06151231A (ja) 電気部品
JPH0385904A (ja) 誘電体共振器
JP2011238641A (ja) 入出力端子、素子収納用パッケージ、並びに実装構造体
JP4206321B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121022

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121030

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121207

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130709

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130827

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140128

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140214

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5480785

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250