JP5474999B2 - 相転移物質、その製造方法及び相転移物質を用いたモジュールの製造方法 - Google Patents

相転移物質、その製造方法及び相転移物質を用いたモジュールの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5474999B2
JP5474999B2 JP2011539435A JP2011539435A JP5474999B2 JP 5474999 B2 JP5474999 B2 JP 5474999B2 JP 2011539435 A JP2011539435 A JP 2011539435A JP 2011539435 A JP2011539435 A JP 2011539435A JP 5474999 B2 JP5474999 B2 JP 5474999B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solvent
metal
solution
change material
phase change
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2011539435A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012510555A (ja
Inventor
イ・ソクペ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Quantum Energy Research Centre
Original Assignee
Quantum Energy Research Centre
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Quantum Energy Research Centre filed Critical Quantum Energy Research Centre
Publication of JP2012510555A publication Critical patent/JP2012510555A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5474999B2 publication Critical patent/JP5474999B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K5/00Heat-transfer, heat-exchange or heat-storage materials, e.g. refrigerants; Materials for the production of heat or cold by chemical reactions other than by combustion
    • C09K5/02Materials undergoing a change of physical state when used
    • C09K5/06Materials undergoing a change of physical state when used the change of state being from liquid to solid or vice versa
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/38Cooling arrangements using the Peltier effect
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K5/00Heat-transfer, heat-exchange or heat-storage materials, e.g. refrigerants; Materials for the production of heat or cold by chemical reactions other than by combustion
    • C09K5/02Materials undergoing a change of physical state when used
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49826Assembling or joining

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Catalysts (AREA)

Description

本発明は、相転移物質、その製造方法及び相転移物質を用いたモジュールの製造方法に関するものであり、より詳しくは、熱として損失されるエネルギーを電気エネルギーに変換して高効率的に電気エネルギーを生産することができ、さらに、コンピュータのような電子機器装置で発生する熱を効果的に放出させることができる相転移物質、その製造方法及びそれを用いたモジュールの製造方法に関する。
従来の熱発電システムは、熱エネルギーを電気エネルギーに変換する技術であって、サーモエレクトリックパワージェネレーション(Thermoelectric Power Generation:TPG)と呼ばれる。熱エネルギーを電気エネルギーに変換することができる特性を示す多様な熱電物質に対して長年研究が行われている。
このような分野において、現在まで開発された最も効率的なシステムは、接合半導体(n型−p型半導体接合)を用いた熱電発電システムである。この熱電発電システムは、効率的な面で略15%の出力を得ることができ商品化されているが、効率性が非常に低い。
上記表1を参照すると、多様なエネルギー変換器による変換効率が確認できる。
一方、熱電物質の特性は、次のゼーベック係数(Seebeck coefficient)を含んだ性能指数(Figure of Merit)の形態で表現できるが、これを下記の数式1、2によって定義する。
上の数式2に示した性能指数は、x−y座標で示すことができ、図1に示した。図1は、熱伝達物質の特性である性能指数のグラフである。
これを参照すると、ゼーベック係数の単位は通常、μV/Kであり、1ケルビン(K)当りに作られる電圧の量で表現される。最大1200μV/Kを表す物質を使用するものがあるが、例えば、ケイ素−ケイ素ゲルマニウム量子井戸熱電物質(Si/SiGe Quantum Well Thermoelectric materials)がこれに該当する。
このような物質が用いられる場合、10ケルビンの温度差に対して約0.012V程度の電圧差を生じ、これに該当する性能指数は約4.4程度であることが知られている。
一方、熱電発電システムの原理は、温度差によって電子密度の変化が誘導され電圧が生成される現象を利用するものである。つまり、温度変化による自由電子が発生し、このような自由電子の分布によって部位別に密度の差が発生するため、結果的に電位が生成されるのである。
前述の接合半導体に対して、図2を参照して詳しい原理をみることができる。図2を参照すると、外部の熱吸収部(Absorbed Heat)で熱を吸収すると同時に、外部の熱放出部(Released Heat)に熱を放出する。このような温度差によってn型半導体では熱吸収部から熱放出部へ自由電子の移動(Electron Flow)が起き、p型半導体では熱吸収部から熱放出部へ正孔の移動(Hole Flow)が起きる。
よって、このようなn型半導体とp型半導体を複数個で交互に電気的な回路を構成すると、その両端では電位の差が発生することになる。
しかし、前記のn型−p型半導体接合は15%以上の変換効率を生むことができず、通常使用が予想される常温程度の温度差で得られる電圧の差は微弱である。逆に作業現場で使用できる一定電圧を得るために数十から数百ケルビンの温度差を必要とするという短所がある。
また、前記のn型−p型半導体接合は、実際に使用できる物質が非常に制約されている。このような物質は体積が大きく、かつ重量も重く、様々な用途に利用するのは困難であった。
さらに、稼動中に多量の熱が発生するので効率が低減され、高い電力生産用にこのような物質を使用するのは困難である。
近年、超高密度集積回路を用いたコンピュータシステムが開発され、商業的にコンピュータ自体のエネルギー効率的な面で集積回路が作り出す熱を分散することができる素材の開発が要求され続けている。このような分野でも前述の熱電物質の特徴を逆に利用して、電圧を印加することによりシステムを冷却させることができる原理を利用して熱源を分散させる技術も併せて集中的に研究されている。
上述の熱分散が必要な分野において、テーマは大きく二つに分けられる。一つは熱電物質を利用する方式と、他に多重相転移(multi-phase transition:MPT)を行うことができる物質の相転移時に生じる潜熱(Latent Heat)を利用して熱を吸収する方式がある。
上記の熱分散システムでは、熱電現象を利用するペルチェ現象(Peltier effect)の応用に基づいて、コンピュータの中央処理装置(CPU)から直接熱源を冷却させる特性を利用する。しかし、外部に連結されている反対部分には熱力学的第2法則によってより多量の熱が生成され、結果的には熱源の位置を外に出すことになる。
このような場合、熱伝達物質の特性によって冷却の特性が決定される。接触(contact)方式で熱を引き出す場合、厚さ5mmのペルチェ素子を重複して連結することにより熱を冷却させることになり、システムの重さと体積が非常に大きくなるという深刻な短所がある。システムの冷却限界を超えると十分な作動が行われず、周辺の温度がより高くなるという問題点を有している。
よって、熱分散システムで多重相転移物質を利用して熱源を分散させる方法については、物質自体が有している潜熱の大きさと種類(相の多重性)により熱を吸収する特性を有する新たな物質を開発する必要性が要求されている。
本発明が解決しようとする第一の技術的課題は、熱として損失されるエネルギーを電気エネルギーに変換して高効率的に電気エネルギーを生産することができ、さらには、コンピュータのような電子機器装置から発生する熱を効果的に放出させることができる相転移物質を提供することである。
本発明が解決しようとする第二の課題は、熱として損失されるエネルギーを電気エネルギーに変換して高効率的に電気エネルギーを生産することができ、さらには、コンピュータのような電子機器装置から発生する熱を効果的に放出させることができる相転移物質の製造方法を提供することである。
本発明が解決しようとする第三の技術的課題は、熱として損失されるエネルギーを電気エネルギーに変換して高効率的に電気エネルギーを生産することができ、さらには、コンピュータのような電子機器装置で発生する熱を効果的に放出させることができる相転移物質を用いたモジュール(module)を提供することである。
本発明は、上述の第一の技術的課題を解決するために、配位結合が可能な金属及び前記金属を溶解できる溶媒を含むことを特徴とする相転移物質を提供する。
本発明の一実施例によると、前記溶媒は、次式1により表される可逆的多段階相転位(Reversible Multi-step phase-transitions)特性を有することができる。
<式1>
[M(R)n]+a(s)+ae(R溶液中) ⇔ [M(R)n−a](s)+aR(g) −Qn(J)
(M:金属、R:溶媒、n=1,2,…,6、a=1,2,…,6、そしてQ(J):n番目相転移段階の潜熱量)
本発明の別の実施例によると、前記金属と溶媒の比率は、1:0.1〜1:6であり得る。
本発明のまた別の実施例によると、前記金属は、リチウム、バリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、ルビジウム、ストロンチウム、セシウムからなる群から選ばれる少なくとも一つであり得る。
本発明のまた別の実施例によると、前記溶媒は、アンモニア又は主鎖(Main Chain)の長さが炭素数4以下のアミン類であり得る。
本発明のまた別の実施例によると、前記溶媒はジメチルジステアリルアンモニウム(dimethyldistearylammonium)、トリメチルテトラデシルアンモニウム(trimethyltetradecyl ammonium)、トリメチルヘキサデシルアンモニウム(trimethylhexadecyl ammonium)、トリメチルオクタデシルアンモニウム(trimethyloctadecyl ammonium)、ベンジルトリメチルアンモニウム(benzyltrimethyl ammonium)、ベンジルトリエチルアンモニウム(benzyltriethyl ammonium)、フェニルトリメチルアンモニウム(phenyltrimethyl ammonium)及び芳香族4級アンモニウム、陽イオン性界面活性剤及び陽イオン性高分子からなる群から選ばれた少なくとも一つであり得る。
本発明は、上述の第二の課題を解決するために、
金属を真空状態に置いて空気中の水分と酸素を除去する段階(S1段階)と、前記金属を粉末又は薄片で準備し、非活性気体雰囲気で一面が開封された容器に前記金属を注入し、前記一面に溶媒を注入でき、真空状態にできる連結装置を繋ぐ段階(S2段階)と、前記連結装置により真空状態を一定時間維持した後に周辺温度を前記溶媒の沸点または凝固点に維持して温度平衡状態を誘導し、前記連結装置を介して前記溶媒を注入する段階(S3段階)と、前記容器内の金属と溶媒を均一に混合して溶液を製造する段階(S4段階)と、前記容器を−10〜10℃で保管し前記溶液を膨張させて前記連結装置により流出させる段階(S5段階)を含むことを特徴とする相転移物質の製造方法を提供する。
本発明の一実施例によると、前記S5段階で前記溶液の色が濃い藍色になるように前記S3段階から繰り返す段階をさらに含むことができる。
本発明の他の実施例によると、前記溶媒は次式1により表される可逆的多段階相転移(Reversible Multi-step phase-transitions)特性を有することができる。
<式1>
[M(R)n]+a(s)+ae(R溶液中) ⇔ [M(R)n−a](s)+aR(g) −Qn(J)
(M:金属、R:溶媒、n=1,2,…,6、a=1,2,…,6、そしてQ(J):n番目相転移段階の潜熱量)
本発明のまた別の実施例によると、前記金属と溶媒の比率は、1:0.1〜1:6であり得る。
本発明のまた別の実施例によると、前記金属は、リチウム、バリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、ルビジウム、ストロンチウム、セシウムからなる群から選ばれる少なくとも一つであり得る。
本発明のまた別の実施例によると、前記溶媒は、アンモニア又は主鎖(Main chain)の長さが炭素数4以下のアミン類であり得る。
本発明のまた別の実施例によると、前記溶媒はジメチルジステアリルアンモニウム(dimethyldistearylammonium)、トリメチルテトラデシルアンモニウム(trimethyltetradecyl ammonium)、トリメチルヘキサデシルアンモニウム(trimethylhexadecyl ammonium)、トリメチルオクタデシルアンモニウム(trimethyloctadecyl ammonium)、ベンジルトリメチルアンモニウム(benzyltrimethyl ammonium)、ベンジルトリエチルアンモニウム(benzyltriethyl ammonium)、フェニルトリメチルアンモニウム(phenyltrimethyl ammonium)及び芳香族4級アンモニウム、陽イオン性界面活性剤及び陽イオン性高分子からなる群から選ばれた少なくとも一つであり得る。
本発明の上述の第三の技術的課題を解決するために、
金属を真空状態に置いて空気中の水分と酸素を除去する段階(S6段階)と、前記金属を粉末又は薄片で準備し、非活性気体雰囲気で一面が開封された第1容器と第2容器に前記金属をそれぞれ注入し、それぞれの一面に溶媒を注入でき、真空状態にできる第1連結装置及び第2連結装置をそれぞれ繋げる段階(S7段階)と、前記第1、2連結装置により真空状態を一定時間維持した後に周辺温度を前記溶媒の沸点または凝固点に維持して温度平衡状態を誘導し、前記第1、2連結装置を介して前記溶媒を注入する段階(S8段階)と、前記第1、2容器内の金属と溶媒を均一に混合して溶液を製造する段階(S9段階)と、前記第1、2容器を−10〜10℃で保管して前記溶液を膨張させ、前記連結装置により流出させる段階(S10段階)と、前記第1、2容器を常温で結合するがその間に絶縁体を挿入する段階(S11段階);を含むことを特徴とする相転移物質を用いたモジュール(module)の製造方法を提供する。
本発明の一実施例によると、前記S10段階で前記溶液の色が濃い藍色になるように前記S8段階から繰り返す段階をさらに含むことができる。
本発明の他の実施例によると、前記溶媒は次式1により表される可逆的多段階相転移(Reversible Multi-step phase-transitions)特性を有することができる。
<式1>
[M(R)n]+a(s)+ae(R溶液中) ⇔ [M(R)n−a](s)+aR(g) −Qn(J)
(M:金属、R:溶媒、n=1,2,…,6、a=1,2,…,6、そしてQ(J):n番目相転移段階の潜熱量)
本発明のまた別の実施例によると、前記金属と溶媒の比率は、1:0.1〜1:6であり得る。
本発明のまた別の実施例によると、前記金属は、リチウム、バリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、ルビジウム、ストロンチウム、セシウムからなる群から選ばれる少なくとも一つであり得る。
本発明のまた別の実施例によると、前記溶媒は、アンモニア又は主鎖(Main chain)の長さが炭素数4以下のアミン類であり得る。
本発明のまた別の実施例によると、前記溶媒はジメチルジステアリルアンモニウム(dimethyldistearylammonium)、トリメチルテトラデシルアンモニウム(trimethyltetradecyl ammonium)、トリメチルヘキサデシルアンモニウム(trimethylhexadecyl ammonium)、トリメチルオクタデシルアンモニウム(trimethyloctadecyl ammonium)、ベンジルトリメチルアンモニウム(benzyltrimethyl ammonium)、ベンジルトリエチルアンモニウム(benzyltriethyl ammonium)、フェニルトリメチルアンモニウム(phenyltrimethyl ammonium)及び芳香族4級アンモニウム、陽イオン性界面活性剤及び陽イオン性高分子からなる群から選ばれた少なくとも一つであり得る。
以上の通り、本発明の相転移物質、相転移物質の製造方法及び相転移物質を用いたモジュールの製造方法によれば、熱として損失されるエネルギーを電気エネルギーに変換して高効率的に電気エネルギーを生産でき、さらには、コンピュータのような電子機器装置から発生する熱を効果的に放出することができる。
熱伝達物質の特性である性能指数グラフである。 n型−p型接合半導体を用いた熱電システムを示す概略図である。 本発明の相転移物質の相転移グラフである。 本発明の相転移物質の金属別蒸気圧を表したグラフである。 本発明の相転移物質のリチウムとアンモニアとメチルアミンとの溶液に対する蒸気圧を表したグラフである。 本発明の相転移物質が常温で温度差が10℃の場合に生成される電圧を時間別に測定したグラフである。 本発明の相転移物質において常温で温度差をなくした場合に消滅する電圧を時間別に測定したグラフである。
以下、本発明の内容をより詳しく説明する。
明細書では、本発明の理解を助けるために好ましい実施例を提示するが、これは本発明をより理解し易くするために提供するに過ぎなく、これによって本発明の内容が限定されたり制限されると解釈してはならなく、添付の図面は理解の便宜のために誇張される場合があるため、同様にこれによって本発明が制限されてはならない。
本発明の相転移物質は、配位結合が可能な金属と前記金属を溶解できる溶媒を含むことを特徴とするが、前記金属は周期律表上1族(アルカリ金属)、2族(アルカリ土類金属)、3族、転移金属(transition)、ランタニド系金属(lanthanide)、アクチニド系金属(actinide)であり得、前記溶媒は前記金属と配位結合が可能な溶媒である。このような溶媒は、構造的には金属に配位結合する形態を有し、このような配位結合が溶媒の濃度と周辺の温度、圧力のような環境によってその配位数が変わることにより、多様な相転移や配位結合数が変化する現象を表す。
また、前記溶媒は沸点が低いため容易に気化でき、可逆的多段階相転移(Reversible Multi-step phase-transitions)特性を有し得るが、これを下記式1に表す。
<式1>
[M(R)n]+a(s)+ae(R溶液中) ⇔ [M(R)n−a](s)+aR(g) −Qn(J)
(M:金属、R:溶媒、n=1,2,…,6、a=1,2,…,6、そしてQ(J):n番目相転移段階の潜熱量)
前記の可逆的多段階相転移特性は、図3によって説明できる。図3は、本発明の相転移物質の相転移グラフである。
図3を参照すると、y軸は温度(K)を表し、x軸は濃度を表す。MPMは金属のモルパーセント(Mole Percent of Metal)の略字である。図3のグラフは、前記金属がアンモニアを含むアミン類に溶解されたことを表す。
ここで、濃度が約14.3の場合は[M(R)]に該当し、濃度が20, 33及び100の場合はそれぞれ[M(R)]、[M(R)]、[M]に該当することが分かる。
前記溶媒(R)の濃度が濃い場合、例えばMPMが20以上の場合、通常、低い温度、例えば−35℃では[M(R)]が存在するが、温度が高くなるほど配位結合数が減少して前記金属の酸化状態が変化する。このような酸化状態変化に影響を与える要因は通常、前記金属と溶媒間濃度、温度、内部圧力のような環境条件であり得る。このような環境条件によって一定の配位数を有する安定した結合相(Phase)が存在することが分かる。
ここで、多数の配位結合された状態である[M(R)]に対してより詳しく説明すると、温度の上昇により配位結合が途切れ、気化される溶媒(R)の量が増加して分圧が増加する特性が図4及び5から分かる。
図4は本発明の相転移物質の金属別蒸気圧を表したグラフであり、図5は本発明の相転移物質のリチウムとアンモニアとメチルアミンとの溶液に対する蒸気圧を表したグラフである。
上述の通り、気化される溶媒の、多数の配位結合された状態である[M(R)]に対する電位変化は、下記の表2に表す。
前記表2に見られるものとは異なり、配位数が4である場合、物質の特性上、略常温(20℃)で安定した結合を成す。この状態では電位差が0に近いが、4以下の場合も少量(+δ)の電位変化が伴い得る。
一方、前記金属と溶媒の比率は、1:0.1〜1:6であり得るが、前記比率が1:0.1未満だと、前記金属は約1000℃で非常に不安定になり、励起状態のように存在し得る。前記比率が1:6を超えると、相以外の溶媒が反応に関与せず、液体あるいは気体の状態で存在するため、電極生成に障害が生じ得る。また、高圧が生成されて安定したシステムの運用を阻害し得る。
ここで、前記金属は、リチウム、バリウム、ホウ素、ナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、ガリウム、セレニウム、ルビジウム、ストロンチウム、イットリウム、ニオビウム、モリブデン、テクネチウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、インジウム、テルリウム、セシウム、ランタン系金属及びアクチニウム系金属からなる群から選ばれる少なくとも一つであり得る。
また、前記溶媒は、アンモニア、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、メラミン又は主鎖(Main chain)の長さが炭素数4以下のアミン類及びその塩類、フェニルグループを含むアミン類及びその塩類、ポリエチレンアミンを含むアミドが主鎖に含まれた高分子またはアミンが主鎖に連結されたポリアミン類であり得、ジメチルジステアリルアンモニウム(dimethyldistearylammonium)、トリメチルテトラデシルアンモニウム(trimethyltetradecyl ammonium)、トリメチルヘキサデシルアンモニウム(trimethylhexadecyl ammonium)、トリメチルオクタデシルアンモニウム(trimethyloctadecyl ammonium)、ベンジルトリメチルアンモニウム(benzyltrimethyl ammonium)、ベンジルトリエチルアンモニウム(benzyltriethyl ammonium)、フェニルトリメチルアンモニウム(phenyltrimethyl ammonium)及び芳香族4級アンモニウム、陽イオン性界面活性剤及び陽イオン性高分子からなる群から選ばれた少なくとも一つであり得る。
本発明の相転移物質の製造方法は、金属を真空状態に置いて空気中の水分と酸素を除去する段階(S1段階)と、前記金属を粉末又は薄片で準備し、非活性気体雰囲気で一面が開封された容器に前記金属を注入し、前記一面に溶媒を注入でき、真空状態にできる連結装置を繋ぐ段階(S2段階)と、前記連結装置により真空状態を一定時間維持した後に周辺温度を前記溶媒の沸点または凝固点に維持して温度平衡状態を誘導し、前記連結装置を介して前記溶媒を注入する段階(S3段階)と、前記容器内の金属と溶媒を均一に混合して溶液を製造する段階(S4段階)と、前記容器を−10〜10℃で保管して前記溶液を膨張させ前記連結装置により流出させる段階(S5段階)を含む。
先ず、S1段階を見ると、S1段階は前記金属を真空状態に置いて空気中の水分と酸素のような異物質を除去する。そして、ヘキサンのような物質を利用して前記金属を活性化(Activation)させることもできる。
ここで、前記真空状態は、10−5〜10−7Torrに維持することが好ましく、もし10−5Torr未満だと不純物が残存して変化効率が減少し得、逆に10−7Torrを超えると過度なエネルギーの使用により製造費用が増加し得る。
前記溶媒は、式1により表される可逆的多段階相転移(Reversible Multi-step phase-transitions)特性を有し得る。これは前述の式1と同一または類似するためここでの説明は省略する。これは、下記の内容についても同一に適用する。
また、前記金属と溶媒の比率は1:0.1〜1:6であり得、前記金属は、リチウム、バリウム、ホウ素、ナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、ガリウム、セレニウム、ルビジウム、ストロンチウム、イットリウム、ニオビウム、モリブデン、テクネチウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、インジウム、テルリウム、セシウム、ランタン系金属及びアクチニウム系金属からなる群から選ばれる少なくとも一つであり得る。
さらに、前記溶媒は、アンモニア、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、メラミン又は主鎖(Main chain)の長さが炭素数4以下のアミン類及びその塩類、フェニルグループを含むアミン類及びその塩類、ポリエチレンアミンを含むアミドが主鎖に含まれた高分子またはアミンが主鎖に連結されたポリアミン類であり得、前記溶媒は、ジメチルジステアリルアンモニウム(dimethyldistearylammonium)、トリメチルテトラデシルアンモニウム(trimethyltetradecyl ammonium)、トリメチルヘキサデシルアンモニウム(trimethylhexadecyl ammonium)、トリメチルオクタデシルアンモニウム(trimethyloctadecyl ammonium)、ベンジルトリメチルアンモニウム(benzyltrimethyl ammonium)、ベンジルトリエチルアンモニウム(benzyltriethyl ammonium)、フェニルトリメチルアンモニウム(phenyltrimethyl ammonium)及び芳香族4級アンモニウム、陽イオン性界面活性剤及び陽イオン性高分子からなる群から選ばれた少なくとも一つであり得る。
次に、S2段階は、前記金属を粉末又は薄片で準備し、非活性気体雰囲気で一面が開封された容器に前記金属を注入し、前記一面に溶媒を注入でき、真空状態にできる連結装置を繋ぐ段階である。前記金属を粉末や薄片にして反応面積を増加させ、前記締結装置は、パイプ形態のT字形状で3つの面に連結部位が備えられており、第1面は前記容器に連結され、第2面は溶媒供給源に連結され、第3面は真空ポンプに連結できる。
また、前記容器は一面を除いた全ての面が閉鎖されているが、例えばシリンダー状に備えることができる。
次に、S3段階は、前記連結装置により真空状態を一定時間維持した後、周辺温度を前記溶媒の沸点または凝固点に維持して温度平衡状態を誘導し、前記連結装置により前記溶媒を注入する段階である。
ここで、前記維持温度を溶媒の沸点または凝固点に維持した状態で、もし前記維持温度を各有機溶媒の沸点以上に維持すると金属を溶解し難いという問題が生じ得、逆に凝固点以下になると溶媒が凍ってしまい溶解を試料の合成が行われないという問題が生じ得る。
また、前記の一定時間は20分〜2時間だが、もし20分未満だと溶媒と金属間の十分な溶解反応が起こらず不均一な試料が作られ得、逆に2時間を超えると本段階の工程時間が長くなり全体的な製造費用が増加し得る。
次に、S4段階は、前記容器内の金属と溶媒を均一に混合して溶液を製造する段階であり、このときの温度は前記溶媒の沸点または凝固点程度に維持される状態である。
次に、S5段階は、前記容器を−10〜10℃で保管し、前記溶液を膨張させ前記連結装置により流出させる段階であり、前記金属と溶媒による溶液の周辺温度が上昇することにより、溶液の体積が増加して前記連結装置により溶液が外部に流出することになる。
ここで、外部に流出した溶液を肉眼で確認すると、色が透明又は無色の場合と、濃い藍色の場合がある。濃い藍色が[M(R)2+の典型的な色であるため、色が透明又は無色の場合は上述のS3段階から繰り返して前記の溶液の色が濃い藍色になるようにする。
また、このような電位差の特性を有する相転移物質は、絶縁状態で密封された後、両端に導体からなる電極を有する回路を構成すると、熱電システムに応用できる。これに対する詳細な説明は後述する。
さらに、このような状態で化学式構造は[M(R)+2(s)と[M(R)](s)が一定の比率で共存し、この比率は、密封作業を行ったときの周辺温度によって下記表3で見られるように、平均値であるnを有する。
即ち、電位差を有する2状態が共存して熱力学的に平衡状態を維持することが分かる。
一方、本発明の相転移物質を用いたモジュール(module)の製造方法は、金属を真空状態に置いて空気中の水分と酸素を除去する段階(S6段階)と、前記金属を粉末又は薄片で準備し、非活性気体雰囲気で一面が開封された第1容器と第2容器に前記金属をそれぞれ注入し、それぞれの一面に溶媒を注入でき、真空状態にできる第1連結装置及び第2連結装置をそれぞれ繋げる段階(S7段階)と、前記第1、2連結装置により真空状態を一定時間維持した後に周辺温度を前記溶媒の沸点または凝固点に維持して温度平衡状態を誘導し、前記第1、2連結装置を介して前記溶媒を注入する段階(S8段階)と、前記第1、2容器内の金属と溶媒を均一に混合して溶液を製造する段階(S9段階)と、前記第1、2容器を−10〜10℃で保管して前記溶液を膨張させ、前記連結装置により流出させる段階(S10段階)と、前記第1、2容器を常温で結合するがその間に絶縁体を挿入する段階(S11段階);を含むことができる。
先ず、S6段階は、上述のS1段階の内容と同一または類似するため、ここでの説明は省略する。
次に、S7段階は、前記金属を粉末や薄片で準備して非活性気体雰囲気で一面が開封された第1容器と第2容器にそれぞれ注入し、それぞれの一面に溶媒を注入でき、真空状態にできる第1連結装置及び第2連結装置をそれぞれ繋ぐ段階である。容器及び連結装置をそれぞれ2個ずつ使用している点を除いては、S2段階と類似するため、詳細な説明は省略する。
次に、S8段階は、前記第1、2連結装置により真空状態を一定時間維持した後に周辺温度を前記溶媒の沸点または凝固点に維持して温度平衡状態を誘導し、前記第1、2連結装置により前記溶媒を注入する段階である。上述のS3段階と類似するため、説明は省略する。
次に、S9段階は、前記第1、2容器内の金属と溶媒を均一に混合して溶液を製造する段階である。上述のS4段階と類似するため、説明は省略する。
次に、S10段階は、前記第1、2容器を−10〜10℃で保管して前記溶液を膨張させ、前記連結装置により流出させる段階である。上述のS5段階と類似するため、説明は省略する。
次に、S11段階は、前記第1、2容器を常温で結合するがその間に絶縁体を挿入する段階である。絶縁体は石英(quartz)を使用できる。
また、前記S10段階で、前記溶液の色が濃い藍色になるように前記S8段階から繰り返す段階をさらに含むことができる。
ここで、前記金属としてリチウムを用いて溶液を製造する場合の特性を下記表4に表す。
上記表4のように、温度と濃度によって反応エンタルピーが吸熱反応あるいは発熱反応の特性を示し、常温に近くなるほどこのような特性はより鮮明に表れることが分かる。
即ち、前記金属の濃度が高いほど発熱反応の特性を表し、薄い濃度の領域で[M(R)+2(s)と[M(R)](s)の場合は、吸熱反応の特性を表すため、温度差による電位差が生成される反応が行われるほど、外部の熱エネルギーを吸収しながら反応が行われることが分かる。
また、このような特性によって温度が高い熱源部位は、吸熱反応の特性が表れると共に、電位差が生成される純反応方向に行われ続け、前記熱源部位の反対部分は末端から気化されたR(g)によって分圧が増加し、結局、ルシャトリエの原理によって逆方向への反応が行われてより大きい電位差が得られ、発熱反応を起こして熱源で発生する熱を放出させるようになる。
即ち、温度差が発生すると、高い温度部分で電圧を発生し、周辺の熱を吸収しながら、溶媒(R)が気化する。それにより分圧が増加して反対方向では逆方向に結合反応が起こると共に、周辺熱を放出し、反対電圧が生成することになる。これは、図6と図7により表す。
図6は、常温での本発明の相転移物質が温度差が10℃の場合に生成される電圧を時間帯別に測定したグラフであり、図7は常温での本発明の相転移物質の温度差がなくなる場合に消滅される電圧を時間帯別に測定したグラフである。
図6及び7を参照すると、常温での温度差によって急激な電圧の上昇を表し、比例関係が維持され、線は一定の電圧に収束し、逆に常温での温度差をなくす場合は、熱的平衡状態に到達するまで一定の傾きの下降グラフを形成し、線はその後0(zero)に近い一定の電圧に収束することが分かる。

Claims (5)

  1. 配位結合を形成する金属及び前記金属を溶解できる溶媒を含む相転移物質であって、
    前記金属と溶媒の比率は、1:0.1〜1:6であり、
    前記金属は、リチウム、バリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、ルビジウム、ストロンチウム、セシウムからなる群から選ばれる少なくとも一つであり、
    前記溶媒は、アンモニア、又は主鎖の長さが炭素数4以下のアミン類であり、次式1により表される可逆的多段階相転移特性を有することを特徴とする相転移物質。
    <式1>
    [M(R) n ] +a (s)+ae (R溶液中) ⇔ [M(R) n−a ](s)+aR(g) −Q n (J)
    (M:金属、R:溶媒、n=1,2,…,6、a=1,2,…,6、そしてQ (J):n番目相転移段階の潜熱量)
  2. 金属を真空状態に置いて空気中の水分と酸素を除去する段階(S1段階);
    前記金属を粉末又は薄片で準備し、非活性気体雰囲気で一面が開封された容器に前記金属を注入し、前記一面に溶媒を注入でき、真空状態にできる連結装置を繋ぐ段階(S2段階);
    前記連結装置により真空状態を一定時間維持した後に周辺温度を前記溶媒の沸点または凝固点に維持して温度平衡状態を誘導し、前記連結装置を介して前記溶媒を注入する段階(S3段階);
    前記容器内の金属と溶媒を均一に混合して溶液を製造する段階(S4段階);
    前記容器を−10〜10℃で保管し前記溶液を膨張させて前記連結装置により流出させる段階(S5段階);を含む相転移物質の製造方法であって、
    前記金属と溶媒の比率は、1:0.1〜1:6であり、
    前記金属は、リチウム、バリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、ルビジウム、ストロンチウム、セシウムからなる群から選ばれる少なくとも一つであり、
    前記溶媒は、アンモニア、又は主鎖の長さが炭素数4以下のアミン類であり、次式1により表される可逆的多段階相転移特性を有することを特徴とする相転移物質の製造方法。
    <式1>
    [M(R) n ] +a (s)+ae (R溶液中) ⇔ [M(R) n−a ](s)+aR(g) −Q n (J)
    (M:金属、R:溶媒、n=1,2,…,6、a=1,2,…,6、そしてQ (J):n番目相転移段階の潜熱量)
  3. 前記S5段階は、前記溶液の色が濃い藍色になるように前記S3段階から繰り返す段階をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の相転移物質の製造方法。
  4. 金属を真空状態に置いて空気中の水分と酸素を除去する段階(S1段階);
    前記金属を粉末又は薄片で準備し、非活性気体雰囲気で一面が開封された第1容器と第2容器に前記金属をそれぞれ注入し、それぞれの一面に溶媒を注入でき、真空状態にできる第1連結装置及び第2連結装置をそれぞれ繋げる段階(S2段階);
    前記第1、2連結装置により真空状態を一定時間維持した後に周辺温度を前記溶媒の沸点または凝固点に維持して温度平衡状態を誘導し、前記第1、2連結装置を介して前記溶媒を注入する段階(S3段階);
    前記第1、2容器内の金属と溶媒を均一に混合して溶液を製造する段階(S4段階);
    前記第1、2容器を−10〜10℃で保管して前記溶液を膨張させ、前記連結装置により流出させる段階(S5段階);
    前記第1、2容器を常温で結合するがその間に絶縁体を挿入する段階(S6段階);を含む、相転移物質を用いたモジュールの製造方法であって、
    前記金属と溶媒の比率は、1:0.1〜1:6であり、
    前記金属は、リチウム、バリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、ルビジウム、ストロンチウム、セシウムからなる群から選ばれる少なくとも一つであり、
    前記溶媒は、アンモニア、又は主鎖の長さが炭素数4以下のアミン類であり、次式1により表される可逆的多段階相転移特性を有することを特徴とする相転移物質を用いたモジュールの製造方法。
    <式1>
    [M(R) n ] +a (s)+ae (R溶液中) ⇔ [M(R) n−a ](s)+aR(g) −Q n (J)
    (M:金属、R:溶媒、n=1,2,…,6、a=1,2,…,6、そしてQ (J):n番目相転移段階の潜熱量)
  5. 前記S5段階は、前記溶液の色が濃い藍色になるように前記S3段階から繰り返す段階をさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の相転移物質を用いたモジュールの製造方法。
JP2011539435A 2008-12-03 2008-12-16 相転移物質、その製造方法及び相転移物質を用いたモジュールの製造方法 Expired - Fee Related JP5474999B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2008-0121623 2008-12-03
KR1020080121623A KR101034794B1 (ko) 2008-12-03 2008-12-03 상전이조성물, 이의 제조방법 및 상전이조성물을 이용한 모듈의 제조방법
PCT/KR2008/007451 WO2010064756A1 (en) 2008-12-03 2008-12-16 Phase-transitional material, method of manufacturing thereof and method of manufacturing module with phase-transitional material

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012510555A JP2012510555A (ja) 2012-05-10
JP5474999B2 true JP5474999B2 (ja) 2014-04-16

Family

ID=42233395

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011539435A Expired - Fee Related JP5474999B2 (ja) 2008-12-03 2008-12-16 相転移物質、その製造方法及び相転移物質を用いたモジュールの製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20110232067A1 (ja)
EP (1) EP2370540A1 (ja)
JP (1) JP5474999B2 (ja)
KR (1) KR101034794B1 (ja)
CN (1) CN102257093B (ja)
WO (1) WO2010064756A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101034794B1 (ko) 2008-12-03 2011-05-17 주식회사 퀀텀에너지연구소 상전이조성물, 이의 제조방법 및 상전이조성물을 이용한 모듈의 제조방법
CN103273062B (zh) * 2013-06-13 2015-11-18 中国科学院过程工程研究所 一种高温金属相变储热材料及制备方法
US10734640B2 (en) * 2018-03-16 2020-08-04 Polymorph Quantum Energy Non-chemical electric battery using two-phase working material

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4684590A (en) * 1986-08-29 1987-08-04 Eltron Research, Inc. Solvated electron lithium electrode for high energy density battery
JP2703685B2 (ja) * 1991-12-13 1998-01-26 日本電信電話株式会社 蓄電形温度差電池
JP3191831B2 (ja) * 1992-12-08 2001-07-23 日本電信電話株式会社 温度差電池
US6080907A (en) * 1998-04-27 2000-06-27 Teledyne Commodore, L.L.C. Ammonia fluidjet cutting in demilitarization processes using solvated electrons
EP1102821A4 (en) * 1998-06-10 2004-05-19 Rodel Inc COMPOSITION AND METHOD FOR CMP POLISHING METAL
WO2001071822A1 (en) * 2000-03-24 2001-09-27 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Thermoelectric generator
US7358009B2 (en) * 2002-02-15 2008-04-15 Uchicago Argonne, Llc Layered electrodes for lithium cells and batteries
EP1490916B1 (en) * 2002-03-22 2015-04-08 LG Chem, Ltd. Lithium secondary battery comprising overdischarge-preventing agent
KR100524529B1 (ko) * 2002-11-30 2005-10-31 김진권 질화 금속 나노입자의 제조 방법
US6824895B1 (en) * 2003-12-05 2004-11-30 Eastman Kodak Company Electroluminescent device containing organometallic compound with tridentate ligand
ATE513940T1 (de) * 2004-04-12 2011-07-15 Stella Chemifa Corp Mischkristallmaterial von seltenerdelementfluorid (polykristall und einkristall) und strahlungsdetektor und testvorrichtung
KR100713745B1 (ko) 2006-02-27 2007-05-07 연세대학교 산학협력단 상전이 리간드로 코팅된 수용성 자성 또는 금속 산화물나노입자 및 이의 제조방법
CN1948424A (zh) * 2006-11-03 2007-04-18 东华大学 高分子型相变储能发光材料及制备方法和应用
KR101034794B1 (ko) 2008-12-03 2011-05-17 주식회사 퀀텀에너지연구소 상전이조성물, 이의 제조방법 및 상전이조성물을 이용한 모듈의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN102257093A (zh) 2011-11-23
WO2010064756A1 (en) 2010-06-10
CN102257093B (zh) 2014-05-28
KR20100063215A (ko) 2010-06-11
KR101034794B1 (ko) 2011-05-17
EP2370540A1 (en) 2011-10-05
US20110232067A1 (en) 2011-09-29
JP2012510555A (ja) 2012-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Jin et al. Hybrid organic–inorganic thermoelectric materials and devices
Lindorf et al. Organic-based thermoelectrics
Ovik et al. A review on nanostructures of high-temperature thermoelectric materials for waste heat recovery
US8716589B2 (en) Doped lead tellurides for thermoelectric applications
Higgins et al. Higher manganese silicide nanowires of nowotny chimney ladder phase
US9130066B2 (en) Power factor enhanced thermoelectric material and method of producing same
CN102822090B (zh) 热电材料、以及包括该热电材料的热电模块和热电装置
KR20110052225A (ko) 나노복합체형 열전재료 및 이를 포함하는 열전소자와 열전모듈
Kurosaki et al. Thermoelectric properties of TlBiTe2
CN102149845A (zh) 具有提高的热电优值的SiGe基质纳米复合材料
JP5474999B2 (ja) 相転移物質、その製造方法及び相転移物質を用いたモジュールの製造方法
O'Dwyer et al. Scientific and technical challenges in thermal transport and thermoelectric materials and devices
Li et al. Dual-functional aniline-assisted wet-chemical synthesis of bismuth telluride nanoplatelets and their thermoelectric performance
US20110129668A1 (en) Organic-inorganic hybrid nanofiber for thermoelectric application and method of forming the same
JP2013070020A (ja) 熱電材料、その製造方法、及びこれを含む熱電モジュール
Sifi et al. Comparison between the thermoelectric properties of new materials: The alloy of iron, vanadium, tungsten, and aluminum (Fe2V0. 8W0. 2Al) against an oxide such as NaCO2O4
KR20110053405A (ko) 상전이조성물, 이의 제조방법 및 상전이조성물을 이용한 모듈의 제조방법, 그리고 상전이조성물용 모듈
JPWO2006082926A1 (ja) タリウム化合物熱電変換材料とその製造方法
Wu et al. Synthesis and thermoelectric properties of Nd-single filled p-type skutterudites
JP2010065245A (ja) Mg2Xの製造方法並びにMg金属間化合物及びそれを応用したデバイス
Kassou et al. Electronic structure and Thermoelectric Properties of Hybrid Organic-Inorganic Perovskites [NH3-(CH2) 3-COOH] 2CdCl4
Ghodke et al. Distinctive Thermoelectric Properties of Supersaturated Si-Ge-P Compounds: Achieving Figure of Merit ZT> 3.6
Tyagi et al. Carbon Nanotubes and Graphene-Based Thermoelectric Materials: A Futuristic Approach for Energy Harvesting
Ghanbaripour et al. Thermoelectric Properties of Graphene Like Nanotube Structure Due to Next-to-nearest Neighbor Hopping Amplitude
Alam et al. Nanostructured thermoelectric materials: Current research and future challenges

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130611

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20130903

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20130910

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20131010

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20131018

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20131108

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20131115

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131210

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140114

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140205

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5474999

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees