JP5472726B2 - 配線基板、電子部品パッケージ及びこれらの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、反射機能を有する配線基板、この配線基板を用いた電子部品パッケージ及びこれらの製造方法に関する。

電子部品を搭載する配線基板に関して、反射機能を備えた配線基板や、これを備えたモジュール、平面ディスプレイ等が提案されている。

このようなものとして、例えば、配線基板に、銀白色系の金属であるニッケルめっき部分を設けることにより反射機能を持たせ、かつ金めっき部分を設けることによりワイヤボンデング接続用パッドを形成してボンディング機能を持たせたものがある（特許文献１）。

また、配線基板の一方の表面に反射層を形成し、他方の表面に電子部品を搭載することで、反射機能と配線基板機能を持たせ、発光モジュールや平面ディスプレイの薄型化を図ったもの（特許文献２）、金属板上に絶縁層を介して回路を設け、絶縁層上に白色ソルダーレジストを設けて反射機能を持たせたもの（特許文献３）等がある。

特開２００３−０３１９１４号公報 特開２００５−０６２５７９号公報 特開２００９−００４７１８号公報

しかしながら、引用文献１は、めっき部分は反射機能を有するものの、めっきを有しない導体パターンの間隙の部分は、反射機能を有しないため、反射率にむらが生じ、配線基板全体としての反射率を向上させるのは難しい。引用文献２は、配線基板の電子部品を搭載する側の面は、反射機能を有しないため、電子部品を搭載する側の面での反射機能が要求されるものには対応できない。引用文献３は、電子部品実装部分を除く銅回路上に白色ソルダーレジストを形成するため、銅回路上に微小な開口を設ける必要があるが、印刷では微小パターンの形成が難しく、またフォト法を用いたとしても、白色ソルダーレジストの場合はパターンを露光する際の光を通し難いので、微小な開口パターンを形成するのは難しい問題がある。また、白色ソルダーレジストはインクの状態で塗布されるが、粘度や塗布条件等によって塗布厚さや表面形状が変動するため、反射率の安定化が難しい問題がある。さらに、白色ソルダーレジストの表面は平滑であるため、その表面に封止材でモールドした際に、白色ソルダーレジストと封止材との密着が確保し難い問題がある。

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、導体パターンとその間隙に設けた反射材の両者により反射率のむらを抑制して全体の反射率を向上させ、配線基板の電子部品搭載側の面に反射機能を備えることができ、反射材の形成、反射材の厚さの制御及び反射材の表面形状の制御を容易として反射率を安定化させ、また、反射材と封止材との密着を確保して信頼性を向上させた配線基板、電子部品パッケージ及びこれらの製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、次のものに関する。
（１） 基材上に設けられた導体パターンを備える複数の配線層と、これらの複数の配線層を電気的に絶縁する基材とを有する配線基板において、前記複数の配線層のうち、最も外側の配線層では、前記導体パターンが、電子部品を搭載する電極と、前記電極を取り囲む枠状導体とを有し、前記枠状導体の内側では、導体パターンが設けられていない部分の基材上に、白色顔料を含有する樹脂組成物である反射材が前記導体パターンの間隙を充填するように形成され、前記反射材の表面と前記導体パターンである前記電極及び枠状導体の表面とが面一とされ且つ前記導体パターンである前記電極及び枠状導体の表面が前記反射材から露出される配線基板。
（２） 上記（１）において、反射材が、熱硬化性樹脂と、白色顔料とを含有する樹脂組成物である配線基板。
（３） 上記（１）又は（２）において、反射材の厚さが、１０μｍ〜５０μｍである配線基板。
（４） 上記（１）から（３）の何れかにおいて、導体パターン上に金めっき又は銀めっきによる反射層が形成される配線基板。
（５） 上記（１）から（４）の何れかにおいて、導体パターンと反射材が、何れも４２０±１０ｎｍ〜８００±１０ｎｍの何れかの波長の光に対して７０％以上の反射率を有する配線基板。
（６） 上記（１）から（５）の何れかにおいて、反射材の表面が、平均粗さＲａで０．３μｍ〜７μｍの凹凸を有する配線基板。
（７） 上記（１）から（６）の何れかにおいて、最も外側の配線層の反射材に、上方に開口した凹部が設けられる配線基板。
（８） 上記（１）から（７）の何れかの配線基板を用い、導体パターンに形成された電極に電子部品を搭載し、封止材を用いて前記電極及び電子部品を封止して形成した電子部品パッケージ。
（９） 複数の配線層のうち最も外側の配線層に、電子部品を搭載する電極と、前記電極を取り囲む枠状導体とを有する導体パターンを形成する工程と、前記導体パターンが設けられていない部分の基材上に、前記導体パターンの間隙を充填するように、白色顔料を含有する樹脂組成物である反射材を形成する工程と、前記導体パターンと反射材とを一括で研磨することで、前記反射材の表面と前記導体パターンである前記電極及び枠状導体の表面とを面一とし且つ前記導体パターンである前記電極及び枠状導体の表面を前記反射材から露出する工程と、を有する配線基板の製造方法。
（１０） 上記（９）又は（１０）において、さらに、導体パターン上に金めっき又は銀めっきによる反射層を形成する工程と、を有する配線基板の製造方法。
（１１） 上記（９）又は（１０）において、さらに、反射材に、上方に開口した凹部を形成する工程と、を有する配線基板の製造方法。
（１２） 複数の配線層のうち最も外側の配線層に、電子部品を搭載する電極と、前記電極を取り囲む枠状導体とを有する導体パターンを形成する工程と、前記導体パターンが設けられていない部分の基材上に、前記導体パターンの間隙を充填するように、白色顔料を含有する樹脂組成物である反射材を形成する工程と、前記導体パターンと反射材とを一括で研磨することで、前記反射材の表面と前記導体パターンである前記電極及び枠状導体の表面とを面一とし且つ前記導体パターンである前記電極及び枠状導体の表面を前記反射材から露出する工程と、前記導電パターンの電極に電子部品を搭載し、封止材を用いて前記導体パターン及び電子部品を封止する工程と、を有する電子部品パッケージの製造方法。
（１３） 上記（１２）において、導体パターンと反射材とを一括で研磨することで、前記反射材の表面と前記導体パターンである前記電極及び枠状導体の表面とを面一とし且つ前記導体パターンである前記電極及び枠状導体の表面を前記反射材から露出する工程の後に、導体パターン上に金めっき又は銀めっきによる反射層を形成する工程と、前記導電パターンの電極に電子部品を搭載し、封止材を用いて前記導体パターン及び電子部品を封止する工程と、を有する電子部品パッケージの製造方法。
（１４） 上記（１２）において、導体パターンと反射材とを一括で研磨することで、前記反射材の表面と前記導体パターンである前記電極及び枠状導体の表面とを面一とし且つ前記導体パターンである前記電極及び枠状導体の表面を前記反射材から露出する工程の後に、前記反射材に、上方に開口した凹部を形成する工程と、前記導電パターンの電極に電子部品を搭載し、封止材を用いて前記導体パターン及び電子部品を封止する工程と、を有する電子部品パッケージの製造方法。

本発明によれば、導体パターンとその間隙に設けた反射材の両者により反射率のむらを抑制して全体の反射率を向上させ、配線基板の電子部品搭載側の面に反射機能を備えることができ、反射材の形成、反射材の厚さの制御及び反射材の表面形状の制御を容易として反射率を安定化させ、また、反射材と封止材との密着を確保して信頼性を向上させた配線基板、電子部品パッケージ及びこれらの製造方法を提供することが可能になる。

本発明の実施例１〜１０に係る配線基板の平面図である。 本発明の実施例１〜１０に係る配線基板のＡ−Ａ’断面図である。 本発明の実施例１〜１０に係る電子部品パッケージの断面図である。 本発明の実施例１〜１０に係る配線基板のＡ−Ａ’断面の拡大図である。 本発明の実施例１〜１０に係る配線基板及び電子部品パッケージの製造工程の一部である。 本発明の実施例１〜１０に係る配線基板及び電子部品パッケージの製造工程の一部である。 本発明の実施例１１に係る電子部品パッケージの断面図である。 本発明の実施例１１に係る配線基板及び電子部品パッケージの断面図である。

本発明の配線基板の一例の平面図を図１に、Ａ−Ａ’断面図を図２に示す。本発明の配線基板１としては、これらの図に示すように、基材８、１６上に部分的に設けられた導体パターン２、２６を備える複数の配線層１４、２２と、これらの複数の配線層１４、２２を電気的に絶縁する基材８、１６とを有し、前記複数の配線層１４、２２のうち、最も外側の配線層１４では、導体パターン２が設けられていない部分の基材８上に、反射材４が形成され、この反射材４の表面と前記導体パターン２の表面とが面一とされ且つ前記導体パターン２の表面が反射材４から露出されるものが挙げられる。

本発明に用いる基材は、絶縁材であって、導体パターンを備える配線層や反射材を設ける基体となるものである。基材を構成する材料としては、配線基板で使用されるものであれば特に限定されず、白色基材（例えば、酸化チタンを含有させた熱硬化性樹脂を、ガラスクロス等の補強材に含浸させ、積層した基材）、一般基材（例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイド−トリアジン樹脂、フェノール樹脂等を、ガラスクロスや紙等の補強材に含浸させ、積層した基材）を用いることができる。基材自体に反射機能を備える必要はないため、一般基材の中でも、汎用のガラスエポキシ基板、紙フェノール基板等を用いれば、基材コストを低減できる。

本発明において、配線層１４とは、図２のように断面から見たとき、基材８、１６上に設けられる導体パターン２、２６の厚さに相当する層状の部分をいう。導体パターン２の間隙に反射材４が形成されたときは、この反射材４も含む層状の部分をいう。複数の配線層とは、多層構造の配線基板１において、複数の層に設けられる配線層１４、２２をいい、例えば層間接続を有する両面板に形成されるものも含まれる。最も外側の配線層１４とは、いわゆる最外層のことをいい、配線基板１において、最も外側に位置し、電子部品９の搭載や、電子部品９と電気的に接続する中継に用いられる導体パターンを含むものをいう。

図１、図２に示すように、基材８上に設けられる導体パターン２には、電子部品９を搭載する搭載用電極５と、この搭載用電極５を取り囲む枠状導体１３等が形成される。この搭載用電極５は、電子部品９を搭載するためのものであり、いわゆるダイパッドに相当するものである。また、搭載する電子部品９によっては、ワイヤボンディング等で電子部品９を電気的に接続する中継となる中継用電極６が形成される。この中継用電極６は、いわゆるボンディングパッドに相当するものである。搭載用電極５は、単独又は中継用電極６と対になって、多数の電極が並んだ電極群として基材８上に形成されてもよい。枠状導体１３は、搭載用電極５を取り囲むように形成され、中継用電極６を有する場合は、搭載用電極５と中継用電極６とを取り囲むように形成されてもよい。搭載用電極５や中継用電極６が多数の電極が並んだ電極群として形成される場合は、この電極群全体を取り囲むように形成されてもよい。また、枠状導体１３は、搭載用電極５や中継用電極６と電気的に接続されていない独立の導体パターン２であってもよく、搭載用電極５や中継用電極６からの引き出し線や電気めっき用の給電線等を兼ねてもよい。このように、枠状導体１３が、搭載用電極５と中継用電極６とを取り囲むことで、反射材４が液状であっても、これを塗布する際に、導体パターン間隙３に塗布される反射材４を堰き止めるダムの作用を有し、反射材４が流出して、その厚さが変動するのを抑制することができる。このため、枠状導体１３の内部領域内では、反射材４が液状であっても、反射材４が流出して、塗布厚さが薄くなることがないので、反射材４を設ける領域を取り囲むように枠状導体１３を設けることで、反射材４の塗布厚さを確保することができる。なお、液状の反射材４の粘度が高く、流出し難い場合は、搭載用電極５や中継用電極６を完全に取り囲む必要はなく、部分的に開放していてもよく、破線状であってもよい。

導体パターンが設けられていない部分とは、導体パターン間隙等の基材が露出している部分であり、導体パターン間隙とは、導体パターンと導体パターンの間に形成される間隙であり、隣接する導体パターン同士を絶縁するための隙間をいう。このため、枠状導体の内側に設けられた基材が露出した部分は、必ず導体パターンの間に形成され、導体パターン間を絶縁するので、導体パターンの間隙に相当する。導体パターン及び導体パターンの間隙は、例えば一般の配線基板の製造方法で行われるように、予め基材上に設けた銅箔やアルミニウム箔等の金属層を、エッチング等によって導体パターンとなる部分のみを残して除去する方法等により、形成することができる。

本発明で用いる反射材は、導体パターン間隙の絶縁を保ちながら、光を反射する機能を有するものである。このような、反射材としては、例えば、光硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂と白色顔料を含有する樹脂組成物が挙げられる。光硬化性樹脂としてはアクリル樹脂が、熱硬化性樹脂としてはエポキシ樹脂が挙げられるが、耐熱性等の点でエポキシ樹脂が望ましい。なお、熱硬化性樹脂としては、シリコーン樹脂も挙げられるが、一般に、他の材料との密着力が劣るため、封止材や導体パターン等との密着を考慮すると、エポキシ樹脂が望ましい。反射材がエポキシ樹脂であると、モールドに用いる封止材が、エポキシ系であっても、シリコーン系であっても、密着がよいので、選択の自由度が大きい。

反射材に用いるエポキシ樹脂としては、脂環式エポキシ樹脂（Ａ）、白色顔料（Ｂ）、硬化剤（Ｃ）、硬化触媒（Ｄ）を含有するものを用いることができる。（Ｂ）白色顔料は、酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、水酸化アルミニウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウムからなる群の中から選ばれる少なくとも１種以上を用いることができる。また、（Ｂ）白色顔料の平均粒径は、０．１μｍ〜５０μｍの範囲とし、樹脂組成物全体に対して１０体積％〜８５体積％の範囲であるのが、反射率向上の点で望ましい。硬化剤（Ｃ）、硬化触媒（Ｄ）としては、エポキシ樹脂用として、一般的に用いられるものを使用できる。

図２、図３に示すように、反射材４は、最も外側の配線層１４に設けられる。最も外側の配線層１４に設けられることで、電子部品９として、最外層の配線層１４に搭載され、照明や液晶バックライト等の用途で用いられる発光素子からの光を効率よく反射することができる。また、反射材４は、電子部品９が搭載される最も外側の配線層１４に設けられるので、反射材４の下側の基材８自体が反射機能を有していてもよいが、反射機能を有していなくてもよい。このため、一般の配線基板で使用される汎用の基材を使用することができる。

また、図１、図２に示すように、反射材４は、導体パターン２が設けられていない部分の基材８上、即ち基材８上の導体パターン間隙３に設けられる。これにより、配線基板１の導体パターン２は反射層７によって、また導体パターン間隙３は反射材４によって、それぞれ高い反射率が得られるので、配線基板１の導体パターン２と反射材４の両者を含む表面の反射率を向上させることができる。

反射材の反射率は、照明や液晶バックライト等の用途で用いられる発光素子から放射される光を効率よく反射できる点で、４２０±１０ｎｍ〜８００±１０ｎｍの何れかの波長の光に対して、７０％以上の反射率を有するのが望ましい。特に、４６０±１０ｎｍの波長の光に対して、７０％以上の反射率を有する場合は、一般照明用途に用いられる高輝度な発光素子の発光波長が４６０ｎｍ付近であるため、このような高輝度の発光素子が用いられる用途で高い変換効率が得られる点で望ましい。また、５５０±１０ｎｍの波長の光に対して７０％以上の反射率を有する場合は、発光素子からの緑色の発光に対して高変換効率が得られる点で望ましく、５５０±１０ｎｍの波長の光に対して７０％以上の反射率を有する場合は、発光素子からの赤色の発光に対して高変換効率が得られる点で望ましい。さらに、４２０±１０ｎｍ〜８００±１０ｎｍの波長域全体の光に対して、７０％以上の反射率を有する場合は、可視光域の全体に亘って高変換効率が得られる点で望ましい。ここで、導体パターンの表面にワイヤボンディング性を付与するために、金めっきや銀めっきを設ける場合、これらのめっき表面の反射率は４２０±１０ｎｍ〜８００±１０ｎｍの波長域全体の光に対して７０％以上である。このため、導体パターンの間隙に形成された反射材の反射率を４２０±１０ｎｍ〜８００±１０ｎｍの何れかの波長の光に対して、７０％以上にすることで、導体パターンの間隙においても、金めっきや銀めっきを設けた導体パターン上の反射率と同等以上の反射率を得ることができるので、導体パターン上では反射率とワイヤボンディング性を両立させることができるとともに、配線基板の表面全体として高い反射率が得られる。また、導体パターンと、反射材を形成した導体パターンの間隙との各領域の反射率のむらが少なく、照明や液晶バックライト用の基板として用いる場合に、明るさのむらを低減することができる。

図２、図３に示すように、反射材４の表面と導体パターン２の表面とが面一とされ、且つ導体パターン２の表面が反射材４から露出される。なお、反射材４の表面と導体パターン２の表面とが面一とは、少なくとも反射材４の表面と導体パターン２の表面との境界付近には段差がないことをいい、この境界から離れた領域にいくにつれて、反射材４表面の方が導体パターン２表面よりも緩やかに凹んだ状態となる場合を含む。例えば、反射材４と導体パターン２とを一括して研磨することで面一とする方法を用いた場合、導体パターン２に比べて反射材４の方が研磨され易いために、反射材４の表面と導体パターン２の表面との境界付近では、ほぼ段差がなく面一となるものの、この境界から離れた領域では、反射材４表面の方が導体パターン２表面よりも、凹んだ状態となることが挙げられる。このように、反射材４の表面と導体パターン２の表面とが面一であり、反射材４と導体パターン２が、平坦な同一の面を形成するため、反射材４と導体パターン２との境界に段差による反射の損失やむらがないので、配線基板１表面の全体の反射率が向上する。また、反射材４と導体パターン２との境界に段差がないので、電子部品パッケージ１１を作製する場合に用いられる封止材１０を、配線基板１上に形成する際にも、反射材４と導体パターン２との境界に、気泡が残留する心配がない。これは、導体パターン２上に、後述する反射層７を設けたとしても同様である。このため、電子部品パッケージ１１の信頼性を向上させることができる。また、導体パターン２の表面が反射材４から露出するので、導体パターン２の表面の反射を利用することができる。このため、導体パターン２上に反射機能を有する反射層７を設ければ、配線基板１全体としての反射率を向上させることができる。また、反射材４の高さが導体パターン２と同等であるため、導体パターン２の厚さを基準として、反射材４の厚さを制御することができるので、配線基板１の全体に亘って、均一な厚さの反射材４を形成できる。このため、反射材４の厚さの変動による反射率の変動を抑制することができ、配線基板１の全体に亘って、反射率のばらつきの小さい反射機能を実現できる。さらに、導体パターン２の厚さを必要に応じて変更することで、反射材４の厚さを任意に設定できる。このため、用いる反射材４の材料によって、反射率を得るために必要な厚さが異なる場合にも対応でき、必要な反射率を得るための反射材４の厚さを確実に形成することができる。このように、導体パターン２の表面と反射材４の表面が面一となり且つ導体パターン２の表面が反射材４から露出されることにより、導体パターン２と反射材４を含めた配線基板１表面の反射率が向上し、反射率のばらつきを改善することができ、また、この配線基板１を用いる電子部品パッケージ１１の信頼性を向上することができる。

枠状導体の内側では、導体パターンが設けられていない部分の基材上に、反射材が導体パターンの間隙を充填するように形成されるのが望ましい。つまり、導体パターン間隙は、導体パターンとの境界まで、隙間無く反射材で被覆され、反射材は、導体パターンの端部に密着した状態とする。これにより、導体パターン間隙の下の基材表面が露出しないため、配線基板の反射率をより向上させることができる。また、反射材を形成した後に、導体パターン上に反射層をめっき等で形成する場合にも、反射材と導体パターンの境界へのめっき液の浸み込みや残留を抑制することができ、信頼性が向上する。

導体パターンの表面と反射材の表面が面一となり且つ導体パターンの表面が反射材から露出されるようにするには、導体パターンが設けられていない部分の基材上に、反射材が形成された後、導体パターンと反射材とを一括で研磨するのが望ましい。ここで、導体パターンと反射材とを一括で研磨するとは、導体パターンの表面と反射材の表面とが同時に研磨されて、同一の高さの研磨面を形成することをいう。これにより、導体パターンの表面と反射材の表面が同等の高さとなるため、導体パターンの表面と反射材の表面が面一となる。また、導体パターンの表面と反射材の表面の両者が研磨されるため、導体パターンの表面が反射材から露出する。

導体パターンと反射材とを一括で研磨することで、反射材の表面と導体パターンの表面とが面一とされ且つ導体パターンの表面が反射材から露出されるようにするための具体的な方法の一例としては、図６に示すように、反射材４の材料として、液状の熱硬化樹脂を用い、配線基板１の表面に塗布・硬化して、少なくとも導体パターン間隙３を含む配線基板１上に、導体パターン２よりも厚く反射材４を形成した後（図６工程（ｆ））、反射材４の表面側から、反射材４の厚さが導体パターン２の厚さと同等となり、導体パターン２の表面が露出するまで反射材４と導体パターン２を研磨する方法を用いることができる（図６工程（ｇ））。この方法によれば、導体パターン２が反射材４から露出した時点で研磨を終了すればよいので、研磨の終点の判定が容易であり、作業性がよい。また、一般に、導体パターン２は、銅箔やアルミニウム箔をエッチングすることで形成されるため、導体パターン２の幅の精度を満足するために、配線基板１全体に亘って厚さが均一に形成されている。このため、反射材４の厚さを導体パターン２の厚さと同等にすることで、反射材４自体も、配線基板１の全体に亘って、均一の厚さで形成される。なお、仮に、導体パターン２が反射材４から露出してから、さらに研磨を続けたとしても、導体パターン２の表面と反射材４の表面とが同時に研磨されて、同一の研磨面を形成するので、反射材４の表面と導体パターン２の表面とが面一とされ且つ導体パターン２の表面が反射材４から露出される状態は維持される。このため、研磨の終点の管理は、反射材４が所定の厚さ以上確保されるように行えばよいので、厳密に行う必要がなく、研磨条件の管理が容易である。

導体パターンと反射材とを一括で研磨することで、反射材の表面と導体パターンの表面とが面一とされ且つ導体パターンの表面が反射材から露出されるようにするための具体的な方法の他の例としては、図示しないが、反射材の材料として、液状の熱硬化樹脂を用い、配線基板の表面に塗布・硬化して、少なくとも導体パターンの間隙を含む配線基板上に、導体パターンよりも薄く反射材を形成した後、導体パターンの表面側から、導体パターンの厚さが反射材の厚さと同等となり、導体パターンの表面が反射材の表面と面一となるまで導体パターンを研磨する方法を用いることができる。この場合でも、反射材の表面と導体パターンの表面とが面一とされ、且つ導体パターンの表面が反射材から露出されるようにすることができる。

反射材の材料を塗布する方法は、液状の材料を配線基板上に塗布するために用いられる一般的な方法を使用することができ、例えば、印刷、スプレーコート、ロールコート、カーテンコート等を用いることができるが、必要な箇所に選択的に塗布できる点では、印刷が望ましい。印刷を用いる場合、導体パターンの表面が完全に露出するように反射材の材料を印刷可能なパターンを有する版を用いて行ってもよいし、または導体パターンの表面の一部を反射材の材料が被覆するように印刷可能な版を用いて行ってもよく、導体パターンの表面を完全に反射材の材料が被覆するように印刷可能な版を用いて行ってもよい。何れの場合も、塗布・硬化後の反射材の厚さが、導体パターンと同等以上であるのが望ましい。これにより、反射材の表面から研磨を行い、導体パターンが反射材から露出した時点、または導体パターン表面が研磨され始めた時点で研磨を終了すればよいので、研磨の終点の管理が容易であるとともに、反射材の厚さを確保することができる。

液状の熱硬化樹脂を反射材として用い、配線基板上に塗布した後の硬化は、この後の研磨が可能な程度の硬化状態が得られればよく、例えば、エポキシ樹脂を用いた場合は、１３０℃〜１８０℃で３０分〜６００分程度の条件で加熱することで、十分な硬化状態を得ることができる。

反射材を塗布・硬化した後の研磨には、例えばバフ研磨やベルトサンダー等を用いる機械研磨を使用することができる。中でもバフロールによる機械研磨が、配線基板の全体を高精度に研磨できる点で好ましく、バフの番手は、＃６００、＃８００、＃１０００等、あるいはこれらの番手を組み合わせて使用すると、適度の研磨速度となり、終点の判定がし易くしかも研磨時間が短いので、研磨作業の作業性や効率の点から望ましい。バフロールとしては、バフは市販されている不織布、セラミックバフ、ダイヤモンドバフ等を用いることができる。なお、反射材と導体パターンとを一括してバフ研磨する場合、導体パターンに比べて反射材の方が研磨され易いために、反射材の表面と導体パターンの表面との境界付近では、ほぼ段差がなく面一となるものの、この境界から離れた領域では、反射材表面の方が導体パターン表面よりも、凹んだ状態となる傾向がある。セラミックバフを用いれば、反射材の表面と導体パターンの表面との境界付近だけでなく、境界から離れた領域においても、ほぼ凹みがなく面一とすることができ、配線基板の全体を平坦にできる点で望ましい。また、研磨電流は０．１Ａ〜２．０Ａ程度で研磨を行うが、反射材や導体パターンを削る厚さによって電流値を調整する。好ましくは１．０Ａ〜１．４Ａ程度である。

反射材の表面粗さは、特に限定はないが、Ｒａが０．３μｍ〜７μｍであるのが望ましい。ここで、Ｒａは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００１）で規定される算術平均粗さであり、触針式表面粗さ計などを用い測定することが可能である。これにより、電子部品パッケージを作製する際に用いられる封止材と反射材との強固な密着が得られるため、信頼性が向上する。また、反射材の表面と導体パターンの表面を面一とするための研磨を、バフロール等を用いて行った後の状態の研磨表面を、そのまま利用することができるので、研磨作業の作業性や効率を維持できる。また、反射材の表面粗さを鏡面（ここでは、Ｒａで、０．１μｍ以下をいう）のように平滑にする必要がないので、反射材の表面形状の調整の手間が省略できる。また、反射材に熱硬化性樹脂と白色顔料を含有する樹脂組成物を用いた場合の例として、研磨を行う前の反射率と比べて、バフロールによる機械研磨を行った後の反射率は、実験の結果、表１に示すように、ほとんど低下しない（バフ研磨有りの実施例１は４６０ｎｍで８９％であり、バフ研磨なしの比較例２の９２％に比べて、３％程度の低下）という知見が得られており、液状の反射材を塗布・硬化した後の平滑な状態と同等の反射率を確保することができる。さらに、Ｒａが１．６μｍ以上の表面粗さを有する反射材の表面からの反射光は、指向性が低く、配線基板の表面側の全方向に向って放射されるので、液晶用バックライトや照明に使用される場合に、明るさのむらが生じ難いメリットがある。なお、この場合の研磨に使用するバフロールは、＃６００、＃８００、＃１０００等をこの順に組み合わせて研磨することにより可能となる。

反射材の表面粗さは、Ｒａで０．３μｍ〜１．５μｍとなるように研磨を行うと、反射材からの反射光が指向性を有するようになるので、特定箇所の明るさが要求される用途の照明等に用いる場合にメリットがある。この場合の研磨に使用するバフロールは、＃６００、＃８００、＃１０００、＃２０００等をこの順に組み合わせて研磨することにより可能となる。Ｒａが０．３μｍより小さくなると、さらに細かい番手のバフロールを使用する必要があり、表面粗さの調整に工数を要する一方で、反射率はほとんど向上しないため、費用対効果の点で好ましくない。また、Ｒａが７μｍを超えると、導体パターンの表面粗さも同時に粗くなるため、導体パターン上に形成する反射層の表面粗さも大きくなり、反射層の反射率が低下する可能性や、搭載される電子部品との接触面積が減少するので、電子部品からの放熱性が低下する可能性がある。

基材上の反射材の厚さは、１０μｍから５０μｍが望ましい。これにより、図４（ａ）に示すように、配線基板の表面に搭載した電子部品９から反射材４の表面に入射した光のほとんどが（４２０±１０ｎｍ〜８００±１０ｎｍで７０％以上）、反射材４よりも反射率の低い基材８の表面に到達することなく、反射されるため、反射率を向上させることができる。反射材４の厚さが１０μｍ未満では、図４（ｂ）に示すように、電子部品から反射材４の表面に入射した光が、反射材４よりも反射率の低い基材８の表面に到達し、吸収される割合が多くなるため、反射率が低下する傾向がある。反射材４の厚さが５０μｍを超えると、この厚さに反射材を形成するためには同時に導体パターン２の厚さも厚くなるため、微細パターンへの対応が難しくなる傾向がある。また、反射材４を５０μｍ以上に厚く形成しても、反射率は向上しないため、反射材４の材料コストが増加する点でも好ましくない。なお、基材８上の反射材４の厚さは、１５μｍから５０μｍであると反射率が向上（４２０±１０ｎｍ〜８００±１０ｎｍで８０％以上）する点でさらに望ましく、１８μｍから５０μｍであるとさらに反射率が向上（４２０±１０ｎｍ〜８００±１０ｎｍで９０％以上）する点でさらに望ましい。

図２、図３に示すように、導体パターン２上には、光を高効率で反射するための反射層７が形成されるのが望ましい。この反射層７は、搭載される電子部品９が、照明や液晶バックライト等の用途で用いられる発光素子である場合に、電子部品９から放射される光を効率よく反射できる点で、４２０±１０ｎｍ〜８００±１０ｎｍの何れかの波長の光に対する反射率が７０％以上であるのが望ましい。特に、４６０±１０ｎｍの波長の光に対して、７０％以上の反射率を有する場合は、一般照明用途に用いられる高輝度な発光素子の発光波長が４６０ｎｍ付近であるため、このような高輝度の発光素子が用いられる用途で高い変換効率が得られる点で望ましい。また、５５０±１０ｎｍの波長の光に対して７０％以上の反射率を有する場合は、発光素子からの緑色の発光に対して高変換効率が得られる点で望ましく、５５０±１０ｎｍの波長の光に対して７０％以上の反射率を有する場合は、発光素子からの赤色の発光に対して高変換効率が得られる点で望ましい。さらに、４２０±１０ｎｍ〜８００±１０ｎｍの波長域全体の光に対して、７０％以上の反射率を有する場合は、可視光域の全体に亘って高変換効率が得られる点で望ましい。反射層７としては、めっきや蒸着等によって形成される金色系や銀白色系の金属層を使用することができる。金色系としては金が挙げられ、銀白色系の金属層としては銀やアルミニウム、亜鉛、ニッケル等が挙げられる。なお、この反射層７は、厚さが１μｍ以上、５μｍ以下（下地めっきがある場合を含む）でも、導体パターン２上に反射機能を付与するのに十分である。研磨後の導体パターン表面をレベリングして表面粗さを小さくするには、３μｍ以上の厚さとするのが望ましい。このため、導体パターン２上に反射層７を形成すると、反射層７が５μｍ程度（下地めっきを含む）まで、反射材４よりも高くなる場合があるが、この程度の段差は、通常は反射率に影響せず、また封止材１０を形成する際に気泡を巻き込む心配もない。

なお、反射層と反射材の段差が、５μｍ程度以下であっても、封止材への気泡の巻き込み等が問題となる場合には、導体パターンと反射材とを一括研磨して、反射材の表面と導体パターンの表面とが面一となり且つ導体パターンの表面が反射材から露出した後、導体パターン上に反射層を形成する前に、予め、エッチング等により、導体パターンを反射材の表面よりも反射層の厚み分、凹ませておくことにより、この問題を解決できる。これによれば、反射層と反射材との段差が解消できるとともに、研磨によって粗面となった導体パターンの表面が、エッチング等により平滑になる作用も有する。このため、導体パターンの表面が平滑になることによって、この表面に形成する反射層の表面がより平滑になるため、反射層表面の反射率を向上させることができ、また、この導体パターンが電子部品の搭載用電極である場合は、電子部品との接触面積が増大し、電子部品からの放熱性を向上させることができる。

導体パターンについて、４２０±１０ｎｍ〜８００±１０ｎｍの何れかの波長の光に対する反射率が９０％以上の高い反射率が必要とされる場合は、反射層としては、銀めっきによる銀白色系の金属層が、照明や液晶バックライトで使用される短波長の光を、より効率よく反射する点で好ましい。これにより、導体パターンに放射される光を、効率よく反射することができるので、電子部品として発光素子を搭載した場合に高い輝度を確保することができる。銀は、長期間の使用により、表面が酸化して反射率が低下する傾向があるため、長期間に亘って安定した反射率が要求される用途には不向きな場合もあるが、寿命よりも高輝度であることが要求される用途に適するメリットがある。

高輝度であることよりも長期間に亘る反射率の安定性が要求される場合は、反射層は、金めっきによって形成されるのが望ましい。金は、長期間の使用によっても、表面が酸化することはないため、反射率の低下が抑制される。また、中継用電極と電子部品とを、金ワイヤをボンディングワイヤとして用いたワイヤボンドで電気的に接続する場合に、ワイヤボンディング性を確保することができる。

導体パターンについて、４２０±１０ｎｍ〜８００±１０ｎｍの何れかの波長の光に対する高い反射率が要求されるとともに、中継用電極の金ワイヤに対するワイヤボンディング性が要求される場合は、搭載用電極上には銀めっきで反射層を設け、中継用電極上には金めっきで反射層を設けるのが望ましい。中継用電極は、金ワイヤとの接合性に優れる金めっきであるため、ワイヤボンディング性が確保されるとともに、搭載用電極は、電子部品からの発光波長である４２０±１０ｎｍ〜８００±１０ｎｍの波長域の光に対する反射率が何れも９０％以上と高い銀めっきであるため、高反射率を確保することができる。また、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、搭載用電極５は、電子部品９の底部（即ち、搭載用電極５との接合側の面）から照射される光も反射し、この反射光は、電子部品９自身を透過して、配線基板１の表面側の方向に照射される。このため、電子部品９の底部（即ち、搭載用電極５との接合側の面）から照射される光も利用することができ、光変換効率を向上させることができる。

導電パターンと反射材が、何れも４２０±１０ｎｍ〜８００±１０ｎｍの何れかの波長の光に対して、７０％以上の反射率を有するのが望ましい。これにより、配線基板の全体が、４２０±１０ｎｍ〜８００±１０ｎｍの何れかの波長の光に対して、７０％以上の反射率を有することになるため、発光素子からの光を効率よく利用することが可能になる。特に、導電パターンと反射材が、何れも４６０±１０ｎｍの波長の光に対して、７０％以上の反射率を有する場合は、特に一般照明や液晶バックライト用途に適した配線基板を提供することが可能となる。また、導体パターン上のみでなく、反射材が形成された導体パターンの間隙も反射機能を有するので、配線基板の全体に亘って、反射率にむらが生じにくく、輝度のばらつきが抑制される。

電子部品の搭載用電極への搭載は、ＬＳＩチップ１の搭載方法はワイヤーボンド実装、またはフリップチップ実装いずれでもよい。搭載用電極と電子部品との導通を要する場合は、銀ペーストや導電性接着、はんだ等により、電子部品を搭載用電極に搭載することができる。搭載用電極と電子部品との導通を要しない場合は、絶縁性の接着剤等により、電子部品を接着して搭載することができる。ワイヤーボンド実装の場合は、電子部品と中継電極をワイヤボンディングで接合する。

電子部品と搭載用電極の封止は、一般的な電子部品パッケージで使用される封止材を用いて、ポッティングやトラスファー成形によってモールドすることにより形成される。封止材としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン系樹脂、ウレタンフェノール系樹脂、ポリエステル系樹脂、アクリル系樹脂、その他の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等を用いることができる。

封止材を形成した後の配線基板を、個片の電子部品パッケージとして切断するには、ルーターもしくはダイシングと呼ばれる切削加工により、個片に切断する方法を用いることができる。

図７に示すように、最も外側の配線層１４の反射材４に、上方に開口した凹部２４が設けられるのが望ましい。この凹部２４は、配線層１４の上に形成される封止材１０が、凹部２４内に流れ込み易くするため、上方に開口しており、また、配線基板１の下方には流出しないよう、非貫通孔とされる。これにより、導電パターン２の搭載用電極５に電子部品９を搭載し、封止材１０を用いて導体パターン２及び電子部品９を封止してモールドする際に、反射材４に設けた凹部２４内に封止材１０が流れ込み、凹部２４内に充填された状態のまま硬化するので、アンカー効果が得られ、反射材４と封止材１０との密着が強固になり、その結果、信頼性が向上する。

最も外側の配線層の反射材に、上方に開口した凹部を設ける方法としては、レーザ加工機やドリルマシン等を用い、反射材の表面からの加工深さを制御することによって、凹部を形成する方法が挙げられる。特にレーザ加工機を用いる場合は、図８に示すように、上方に開口した凹部２４を設ける位置の基材８上の配線層１４に、窓孔２５を形成し、内層用の基材１６上の内層の配線層２２にレーザを受ける導体パターン２６を設けると、いわゆるコンフォーマル工法により、反射材４と基材８を貫通し、導体パターン２６に到る凹部２４を形成するのが容易である。なお、レーザ加工機を用いる場合に、窓孔２５となる導体パターン２を設けずに、反射材４の表面から導体パターン２６に到る凹部２４を形成してもよく、また、窓孔２５となる導体パターン２及びレーザを受ける導体パターン２６の何れも設けずに、反射材４の表面から加工深さを制御して凹部２４を形成してもよい。

以下、本発明の実施例を説明するが、本発明はこれに限定されない。

図５の工程（ａ）に示すように、内層用の基材１６の両面に厚さ１２μｍの銅箔１９を張合わせた、厚さ０．０６ｍｍのエポキシ樹脂ガラス布銅張積層板であるＭＣＬ−Ｅ６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を準備し、ＮＣドリルマシンであるＭＡＲＫ−１００（日立精工株式会社製、商品名）によって、層間接続用の貫通孔１８を形成した。

次に、この貫通孔１８のクリーニング処理を過マンガン酸ナトリウム水溶液に温度８５℃で６分間の条件で行い、無電解銅めっきであるＣＵＳＴ２０１（日立化成工業株式会社製、商品名）、硫酸銅１０ｇ／ｌ、ＥＤＴＡ（エチレンジアミン四酢酸）４０ｇ／ｌ、ホルマリン１０ｍｌ／ｌ、ｐＨ１２．２）に温度２４℃、時間３０分の条件で、貫通孔内を含む内層用の基材１６の全面に０．５μｍの下地銅めっきを行った。次に、硫酸銅めっきで温度３０℃、電流密度１．５Ａ／ｄｍ^２、時間６０分の条件で、貫通孔内を含む内層用の基材１６の全面に、めっき厚２０μｍの電気銅めっきを形成した。

次に、図５の工程（ｂ）に示すように、内層用の基材１６の配線層２２形成用の銅箔１９表面に、紫外線硬化型エッチングレジスト用ドライフィルムＨ−Ｗ４２５（日立化成工業株式会社製、商品名）をラミネータで、圧力０．２ＭＰａ、温度１１０℃、速度１．５ｍ／ｍｉｎの条件で仮圧着し、ついでその上面にネガ型マスクを張り合わせ、紫外線で露光し、導体パターンを焼付け、１質量％の炭酸ナトリウム水溶液で現像し、エッチングレジストを形成し、そのエッチングレジストのない銅箔部分をスプレー噴霧によって、塩化第二銅、塩酸、硫酸過水の組成からなる塩化第二銅エッチング液で圧力０．２ＭＰａ、速度３．５ｍ／ｍｉｎの条件で行い、さらに３質量％水酸化ナトリウム水溶液を噴霧してエッチングレジストを剥離除去して、内層用の基材１６の表裏に内層の配線層２２を形成した。

次に、図５の工程（ｃ）に示すように、基材８として、厚さ０．０６ｍｍのエポキシ樹脂ガラスクロス布プリプレグであるＧＥＡ−６７９ＮＵＪＹ（日立化成工業株式会社製、商品名）を準備した。また、配線層１４を形成するための銅箔２３として、厚さ５μｍの銅箔である３ＥＣ−ＶＬＰ−５（三井金属鉱業株式会社製、商品名）を準備した。これらのエポキシ樹脂ガラスクロス布プリプレグを、先に準備した内層用の基材１６の両面の内層の配線層２２上に重ね合わせ、さらに、厚さ５μｍの配線層１４形成用の銅箔２３をその上に重ね合わせ、真空プレスを用いて、圧力３ＭＰａ、温度１７５℃、保持時間１．５時間の条件で加圧加熱して積層一体化した。このように、内層用の基材１６の両方の面に基材８と配線層１４形成用の銅箔２３を積層一体化した。

次に、図５の工程（ｄ）に示すように、この配線層１４形成用の銅箔２３表面に、紫外線硬化型エッチングレジスト用ドライフィルムＨ−Ｗ４２５（日立化成工業株式会社製、商品名）をラミネータで、圧力０．２ＭＰａ、温度１１０℃、速度１．５ｍ／ｍｉｎの条件で仮圧着し、ついでその上面にネガ型マスクを張り合わせ、紫外線で露光し、窓孔のパターンを焼付け、１質量％の炭酸ナトリウム水溶液で現像し、エッチングレジストを形成し、そのエッチングレジストのない銅部分をスプレー噴霧によって、塩化第二銅、塩酸、硫酸過水の組成からなる塩化第二銅エッチング液で圧力０．２ＭＰａ、速度３．５ｍ／ｍｉｎの条件で行い、さらに３質量％水酸化ナトリウム水溶液を噴霧してエッチングレジスト剥離除去して、コンフォーマル工法用の窓孔２０を形成した。

次に、基材８に、ＮＣレーザ加工機ＭＡＲＫ−２０（日立精工株式会社製、商品名）を用いて、アパチャー径０．２６、出力５００Ｗ、パルス幅１５、ショット数１５の条件で加工しレーザ孔２１を形成し、ついで、このレーザ孔２１のクリーニング処理を過マンガン酸ナトリウム水溶液に温度８５℃で６分間の条件で行い、無電解銅めっきであるＣＵＳＴ２０１（日立化成工業株式会社製、商品名）、硫酸銅１０ｇ／ｌ、ＥＤＴＡ（エチレンジアミン四酢酸）４０ｇ／ｌ、ホルマリン１０ｍｌ／ｌ、ｐＨ１２．２）に温度２４℃、時間３０分の条件で、レーザ孔２１内を含む基材８の全面に厚さ０．５μｍの下地銅めっきを行った。

次に、硫酸銅めっきで温度３０℃、電流密度１．５Ａ／ｄｍ^２の条件で、所定時間めっきを行い、レーザ孔２１内を含む基材８の全面に、厚さ２０μｍの電気銅めっきを形成した。

次に、図５の工程（ｅ）に示すように、基材８の電気銅めっき表面に、紫外線硬化型エッチングレジスト用ドライフィルムＨ−Ｗ４７５（日立化成工業株式会社製、商品名）をラミネータで、圧力０．２ＭＰａ、温度１１０℃、速度１．５ｍ／ｍｉｎの条件で仮圧着し、ついでその上面にネガ型マスクを張り合わせ、紫外線で露光し、導体パターンを焼付け、１質量％の炭酸ナトリウム水溶液で現像し、エッチングレジストを形成し、そのエッチングレジストのない銅部分をスプレー噴霧によって、塩化第二銅、塩酸、硫酸過水の組成からなる塩化第二銅エッチング液で圧力０．２ＭＰａ、速度３．５ｍ／ｍｉｎの条件で、最も外側の配線層１４を形成し、ついで３質量％水酸化ナトリウム水溶液を噴霧してエッチングレジスト剥離除去を行った。これにより、基材８の表面に、最も外側の配線層１４として、搭載用電極５と中継用電極（図示しない）と枠状導体１３を含む導体パターン２を形成した。形成された導体パターン２の厚さは、配線基板１の四隅と中央の平均で、約２３μｍであった。

次に、図６の工程（ｆ）に示すように、導体パターン２を含む基材８の表面全体に、液状の反射材４を印刷により塗布した。液状の反射材４は、反射材Ａを用いた。この反射材Ａは、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）としてトリグリシジルイソシアヌレート（商品名：ＴＥＰＩＣ−Ｓ、日産化学工業株式会社製）１００質量部と、硬化剤（酸無水物系硬化剤）としてメチルヘキサヒドロフタル酸無水物（商品名：ＨＮ−５５００Ｆ、日立化成工業株式会社製）１５０質量部と、白色顔料として酸化チタン（商品名：ＦＴＲ−７００、堺化学工業株式会社製、平均粒径：０．２μｍ）４７０質量部と、硬化触媒（硬化促進剤）としてテトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート（商品名：ＰＸ−４ＥＴ、日本化学工業株式会社製）１．５質量部とを混合し、混練温度２０〜３０℃、混練時間１０分の条件でロール混練して作製した。得られた白色の液状反射材４の粘度は、２５℃で１０Ｐａ・ｓであった。

次に、熱風循環炉内で１５０℃、２時間加熱硬化して導体パターン２を含む基材８の表面全体に反射材４を形成した後、図６の工程（ｇ）に示すように、反射材４の表面を、反射材４の表面が、導体パターン２の表面と略面一となり、導体パターン２表面の全体が反射材４から完全に露出するまで研磨を行った。研磨は、バフロールを用いた機械研磨（株式会社石井表記製）を行った。使用したバフロールの番手は、＃６００、＃８００、＃１０００をこの順に組み合わせて使用した。バフロールとしては、穴埋め樹脂研磨用のＪＰバフモンスターＶ３／Ｖ３−Ｄ２（ジャブロ工業製、商品名）を使用した。また、研磨電流は１．２Ａであった。研磨後の導体パターン２及びその近傍の反射材４の厚さは、配線基板１の四隅と中央の平均で、何れも約１８μｍであった。

次に、図６の工程（ｈ）に示すように、導体パターン２全体に対して無電解ニッケル−金めっきと電解銀めっきを行い、厚さが３μｍの反射層７を形成した。以上のようにして、配線基板１を作製した。

次に、図６の工程（ｉ）に示すように、電子部品９として発光素子をダイボンドにより搭載用電極５上に搭載し、ワイヤボンド（図示しない）により電子部品９と中継用電極（図示しない）を電気的に接続した。次に、封止材１０としてエポキシ樹脂を用いて封止し、枠状導体１３部分を切断除去して、電子部品パッケージ１１を作製した。

（実施例２）
図５の工程（ｄ）、（ｅ）において、レーザ孔内を含む基材８の全面に、厚さ１５μｍの電気銅めっきを形成し、基材８の表面に形成された導体パターン２の厚さは、配線基板１の四隅と中央の平均で、約１９μｍであった。また、図６の工程（ｇ）において、研磨後の導体パターン２及びその近傍の反射材４の厚さは、配線基板１の四隅と中央の平均で、何れも約１４μｍであった。これ以外は、実施例１と同様にして、配線基板１を作製した。

（実施例３）
図５の工程（ｄ）、（ｅ）において、レーザ孔内を含む基材８の全面に、厚さ３０μｍの電気銅めっきを形成し、基材８の表面に形成された導体パターン２の厚さは、配線基板１の四隅と中央の平均で、約３３μｍであった。また、図６の工程（ｇ）において、研磨後の導体パターン２及びその近傍の反射材４の厚さは、配線基板１の四隅と中央の平均で、何れも約２８μｍであった。これ以外は、実施例１と同様にして、配線基板１を作製した。

（実施例４）
図５の工程（ｄ）、（ｅ）において、レーザ孔内を含む基材８の全面に、厚さ５０μｍの電気銅めっきを形成し、基材８の表面に形成された導体パターン２の厚さは、配線基板１の四隅と中央の平均で、約５３μｍであった。また、図６の工程（ｇ）において、研磨後の導体パターン２及びその近傍の反射材４の厚さは、配線基板１の四隅と中央の平均で、何れも約４７μｍであった。これ以外は、実施例１と同様にして、配線基板１を作製した。

（実施例５）
図６の工程（ｇ）において、反射材４表面のバフロールを用いた機械研磨の際に、バフロールとして＃６００、＃８００、＃１０００、＃２０００をこの順に用いた。研磨後の導体パターン２及びその近傍の反射材４の厚さは、配線基板１の四隅と中央の平均で、何れも約１８μｍであった。これ以外は、実施例１と同様にして、配線基板１を作製した。

（実施例６）
図６の工程（ｇ）において、反射材４表面のバフロールを用いた機械研磨の際に、バフロールとして＃６００、＃８００をこの順に用いた。研磨後の導体パターン２及びその近傍の反射材４の厚さは、配線基板１の四隅と中央の平均で、何れも約２０μｍであった。これ以外は、実施例１と同様にして、配線基板１を作製した。

（実施例７）
図６の工程（ｈ）に示すように、導体パターン全体に対して無電解ニッケル−金めっきと電解金めっきを行い、反射層７を形成した。研磨後の導体パターン２及びその近傍の反射材４の厚さは、配線基板１の四隅と中央の平均で、何れも約２０μｍであった。これ以外は、実施例１と同様にして、配線基板を作製した。

（実施例８）
図６の工程（ｆ）において、導体パターン２を含む基材８の表面全体に、印刷で塗布する液状の反射材４として、反射材Ｂを用いた。この反射材Ｂは、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）として脂環式エポキシ樹脂であるセロキサイド２０２１Ｐ（ダイセル化学工業株式会社製、商品名）１００質量部と、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物（商品名：ＨＮ−５５００Ｆ、日立化成工業株式会社製）１２０質量部と、酸化チタン（商品名：ＦＴＲ−７００、堺化学工業株式会社製）４１０質量部と、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート（商品名：ＰＸ−４ＥＴ、日本化学工業株式会社製）１．５質量部とを混合し、混練温度２０〜３０℃、混練時間１０分の条件でロール混練して作製した。得られた白色の液状反射材４の粘度は、２５℃で８Ｐａ・ｓであった。また、図６の工程（ｇ）において、研磨後の導体パターン２及びその近傍の反射材４の厚さは、配線基板１の四隅と中央の平均で、何れも約１８μｍであった。これ以外は、実施例１と同様にして配線基板１を作製した。

（実施例９）
図６の工程（ｆ）において、導体パターン２を含む基材８の表面全体に、印刷で塗布する液状の反射材４として、反射材Ｃを用いた。この反射材Ｃは、トリグリシジルイソシアヌレート（商品名：ＴＥＰＩＣ−Ｓ、日産化学工業株式会社製）５０質量部と、セロキサイド２０２１Ｐ（ダイセル化学工業株式会社製、商品名）５０質量部と、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物（商品名：ＨＮ−５５００Ｆ、日立化成工業株式会社製）１３５質量部と、酸化チタン（商品名：ＦＴＲ−７００、堺化学工業株式会社製）４４０質量部と、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート（商品名：ＰＸ−４ＥＴ、日本化学工業株式会社製）１．５質量部とを混合し、混練温度２０〜３０℃、混練時間１０分の条件でロール混練し、白色の液状反射材４を作製した。得られた白色の液状反射材４の粘度は、２５℃で１２Ｐａ・ｓであった。また、図６の工程（ｇ）において、研磨後の導体パターン２及びその近傍の反射材４の厚さは、配線基板１の四隅と中央の平均で、何れも約２１μｍであった。これ以外は、実施例１と同様にして、配線基板１を作製した。

（比較例１）
図６の工程（ｆ）において、導体パターン２及び基材８上に反射材４を塗布せず、基材８が露出したままとした。導体パターン２の厚さは、配線基板１の四隅と中央の平均で、何れも約２３μｍであった。これ以外は、実施例１と同様にして、配線基板１を作製した。

（参考例１）
図５の工程（ｄ）、（ｅ）において、レーザ孔２１内を含む基材８の全面に、厚さ１０μｍの電気銅めっきを形成し、基材８の表面に形成された導体パターン２の厚さは、配線基板１の四隅と中央の平均で、約１３μｍであった。また、図６の工程（ｇ）において、研磨後の導体パターン２及びその近傍の反射材４の厚さは、配線基板１の四隅と中央の平均で、何れも約８μｍであった。これ以外は、実施例１と同様にして、配線基板１を作製した。

（比較例２）
図６の工程（ｆ）において、導体パターン２を含む基材８の表面全体に、液状の反射材４を印刷により塗布した。液状の反射材４は、反射材Ａを用いた。次に、熱風循環炉内で１５０℃、２時間加熱硬化して導体パターン２を含む基材８の表面全体に反射材４を形成した。次に、図６の工程（ｇ）において、研磨を行なわず、熱硬化したままとした。このため、導体パターン２を含む基材８の表面全体に反射材４が形成され、導体パターン２は露出しなかった。また、導体パターン２の厚さは、配線基板１の四隅と中央の平均で、約２３μｍであり、その近傍の反射材４の厚さは、配線基板１の四隅と中央の平均で、何れも約２４μｍであった。これ以外は、実施例１と同様にして、配線基板１を作製した。

（実施例１０）
図６の工程（ｇ）において、反射材４表面のバフロールを用いた機械研磨の際に、バフロールとして＃６００、＃８００、＃１０００、＃１５００、＃２０００をこの順に用いた。研磨後の導体パターン２及びその近傍の反射材４の厚さは、配線基板１の四隅と中央の平均で、何れも約１８μｍであった。これ以外は、実施例１と同様にして、配線基板１を作製した。

（実施例１１）
図８に示すように、内層用の基材１６上の内層の配線層２２にレーザを受ける導体パターン２６を設け、上方に開口した凹部２４を設ける位置の基材８上の配線層１４に窓孔２５を形成しておき、レーザー加工機を用いて、コンフォーマル工法により、反射材４と基材８を貫通し、導体パターン２６に到る凹部２４を形成した。これ以外は、実施例１と同様にして、配線基板１を作製した。

以上のようにして作製した実施例１〜１１、参考例１及び比較例１、２の配線基板について、反射材の厚さ、反射材の表面粗さ、反射材の反射率、反射層の反射率を測定した。

（反射材の厚さの測定）
導体パターン及びその近傍の反射材の厚さは、断面を観察して測定し、配線基板の四隅と中央の５点について平均値を求めた。

（表面粗さの測定）
表面粗さは、ＪＩＳ Ｃ ６４８１において規定される平均粗さＲａであり、触針式表面粗さ計サーフテストＳＶ−４００（株式会社ミツトヨ社製、商品名）を用いて測定した。

（反射率の測定）
反射材及び反射層の反射率は、４２０±１０ｎｍ〜８００±１０ｎｍを含む波長域について、分光測色計（商品名：ＣＭ−５０８ｄ、ミノルタ株式会社製）を用いて測定した。また、この測定結果から、４２０±１０ｎｍ、４６０±１０ｎｍ、５５０±１０ｎｍ、６６０±１０ｎｍ、８００±１０ｎｍの波長での反射率を読み取った（表１には、それぞれの波長を、４２０、４６０、５５０、６６０、８００と表記した）。

（封止材の密着強度）
反射材を形成した基板上に、封止用エポキシ樹脂組成物を円柱状（直径３．６ｍｍ）に成形し、Ｄａｇｅ Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社製ボンドテスターを用いて密着強度を測定した。

実施例１〜１１、参考例１及び比較例１、２の配線基板について、反射材の厚さ、反射材の表面粗さ、反射材の反射率、反射層の反射率及び封止材の密着強度を測定した結果を、表１に示す。実施例１、２、７については、４２０±１０ｎｍ、４６０±１０ｎｍ、５５０±１０ｎｍ、６６０±１０ｎｍ、８００±１０ｎｍの波長での反射率を示すが、これ以外の実施例、比較例についても、波長と反射率の関係は同様の傾向を示したため、４６０±１０ｎｍの波長での反射率を代表値として示した。実施例１〜１１と比較例１の結果から、基材上の反射材を設けることにより、基材のみの場合（比較例１）に比べて、反射率が大幅に向上する結果が得られた。実施例１〜７と参考例１の結果から、反射材の厚さが１０μｍ程度以上であれば、４２０±１０ｎｍ〜８００±１０ｎｍの波長域全体の光に対して、７０％以上の高い反射率が得られることがわかった。また、実施例１、５、６、１０（何れも研磨あり）と比較例２（研磨及び導体パターンの露出なし）とを比較すると、反射率は最大でも３％程度の差であり、また実施例１、５、６、１０から、反射材の表面粗さがＲａで０．３〜７μｍ程度まで変化しても、反射率は同等である結果が得られた。実施例１と７から、反射層のめっきを電解銀から電解金に変えても、４２０±１０ｎｍ〜８００±１０ｎｍの波長域全体の光に対して、７０％以上の高い反射率である結果が得られた。

表１は、実施例１〜１１、参考例１及び比較例１、２の配線基板について、反射材の厚さ、反射材の表面粗さ、反射材の反射率、反射層の反射率、封止材の密着強度を測定した結果である。

１…配線基板、２…導体パターン、３…導体パターン間隙、４…反射材、５…搭載用電極、６…中継用電極、７…反射層、８…基材、９…電子部品、１０…封止材、１１…電子部品パッケージ、１２…白色顔料、１３…枠状導体、１４…配線層、１５…層間接続、１６…（内層用の）基材、１７…（内層の）層間接続、１８…貫通孔、１９…（内層の）銅箔、２０…窓孔、２１…レーザ孔、２２…（内層の）配線層、２３…銅箔、２４…上方に開口した凹部、２５…窓孔、２６…（内層の）導体パターン

Claims (14)

1. 基材上に設けられた導体パターンを備える複数の配線層と、これらの複数の配線層を電気的に絶縁する基材とを有する配線基板において、
   前記複数の配線層のうち、最も外側の配線層では、前記導体パターンが、電子部品を搭載する電極と、前記電極を取り囲む枠状導体とを有し、
   前記枠状導体の内側では、導体パターンが設けられていない部分の基材上に、白色顔料を含有する樹脂組成物である反射材が前記導体パターンの間隙を充填するように形成され、前記反射材の表面と前記導体パターンである前記電極及び枠状導体の表面とが面一とされ且つ前記導体パターンである前記電極及び枠状導体の表面が前記反射材から露出される配線基板。
2. 請求項１において、
   反射材が、熱硬化性樹脂と、白色顔料とを含有する樹脂組成物である配線基板。
3. 請求項１又は２において、
   反射材の厚さが、１０μｍ〜５０μｍである配線基板。
4. 請求項１から３の何れかにおいて、
   導体パターン上に金めっき又は銀めっきによる反射層が形成される配線基板。
5. 請求項１から４の何れかにおいて、
   導体パターンと反射材が、何れも４２０±１０ｎｍ〜８００±１０ｎｍの何れかの波長の光に対して７０％以上の反射率を有する配線基板。
6. 請求項１から５の何れかにおいて、
   反射材の表面が、平均粗さＲａで０．３μｍ〜７μｍの凹凸を有する配線基板。
7. 請求項１〜６の何れかにおいて、
   最も外側の配線層の反射材に、上方に開口した凹部が設けられる配線基板。
8. 請求項１から７の何れかの配線基板を用い、導体パターンに形成された電極に電子部品を搭載し、封止材を用いて前記電極及び電子部品を封止して形成した電子部品パッケージ。
9. 複数の配線層のうち最も外側の配線層に、電子部品を搭載する電極と、前記電極を取り囲む枠状導体とを有する導体パターンを形成する工程と、
   前記導体パターンが設けられていない部分の基材上に、前記導体パターンの間隙を充填するように、白色顔料を含有する樹脂組成物である反射材を形成する工程と、
   前記導体パターンと反射材とを一括で研磨することで、前記反射材の表面と前記導体パターンである前記電極及び枠状導体の表面とを面一とし且つ前記導体パターンである前記電極及び枠状導体の表面を前記反射材から露出する工程と、を有する配線基板の製造方法。
10. 請求項９において、
    さらに、導体パターン上に金めっき又は銀めっきによる反射層を形成する工程と、を有する配線基板の製造方法。
11. 請求項９又は１０において、
    さらに、反射材に、上方に開口した凹部を形成する工程と、を有する配線基板の製造方法。
12. 複数の配線層のうち最も外側の配線層に、電子部品を搭載する電極と、前記電極を取り囲む枠状導体とを有する導体パターンを形成する工程と、
    前記導体パターンが設けられていない部分の基材上に、前記導体パターンの間隙を充填するように、白色顔料を含有する樹脂組成物である反射材を形成する工程と、
    前記導体パターンと反射材とを一括で研磨することで、前記反射材の表面と前記導体パターンである前記電極及び枠状導体の表面とを面一とし且つ前記導体パターンである前記電極及び枠状導体の表面を前記反射材から露出する工程と、
    前記導電パターンの電極に電子部品を搭載し、封止材を用いて前記導体パターン及び電子部品を封止する工程と、を有する電子部品パッケージの製造方法。
13. 請求項１２において、
    導体パターンと反射材とを一括で研磨することで、前記反射材の表面と前記導体パターンである前記電極及び枠状導体の表面とを面一とし且つ前記導体パターンである前記電極及び枠状導体の表面を前記反射材から露出する工程の後に、
    さらに、導体パターン上に金めっき又は銀めっきによる反射層を形成する工程と、
    前記導電パターンの電極に電子部品を搭載し、封止材を用いて前記導体パターン及び電子部品を封止する工程と、を有する電子部品パッケージの製造方法。
14. 請求項１２において、
    導体パターンと反射材とを一括で研磨することで、前記反射材の表面と前記導体パターンである前記電極及び枠状導体の表面とを面一とし且つ前記導体パターンである前記電極及び枠状導体の表面を前記反射材から露出する工程の後に、
    前記反射材に、上方に開口した凹部を形成する工程と、
    前記導電パターンの電極に電子部品を搭載し、封止材を用いて前記導体パターン及び電子部品を封止する工程と、を有する電子部品パッケージの製造方法。

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