JP5470608B2 - 不揮発性メモリのための温度警報および低レートリフレッシュ - Google Patents
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Description
下記の表1は、インアクティブ状態および3つの緊急度のレベルを含む温度警報のための例示的な値を示す。
Claims (20)
- 不揮発性メモリであって、前記不揮発性メモリ内の温度を測定する温度センサと、前記不揮発性メモリが或る期間にわたって閾値温度を超えたことを示す1ビット以上のビットからなる温度警報を記憶するレジスタと、を含む不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリが閾値温度を超える温度で動作する時間の第1レベルの粒度を記憶する第1のカウンタと、
前記不揮発性メモリが前記閾値温度を超える温度で動作する時間の第2レベルの粒度を記憶する第2のカウンタであって、該第2のカウンタは、前記第1のカウンタが前記第2レベルの粒度の単位に達する毎に、前記第1のカウンタによってインクリメントされる、第2のカウンタと、
前記第1のカウンタ又は前記第2のカウンタに重み付けファクタを与える少なくとも1つのステップモジュールであって、前記重み付けファクタは、動作温度の各上昇レベルでの乗数である、少なくとも1つのステップモジュールと、
前記温度警報がアクティブであるか否かの判断をし、前記温度警報がアクティブであるという前記判断に応じて、前記不揮発性メモリの少なくとも一部分をリフレッシュするコントローラと、
を備えることを特徴とする装置。 - 請求項1に記載の装置であって、前記温度警報は、前記リフレッシュに対する緊急度の複数のレベルのうちの一つを示すことを特徴とする装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記不揮発性メモリの少なくとも一部分のリフレッシュは、所定レベルの粒度で実行されることを特徴とする装置。
- 請求項3に記載の装置であって、前記所定レベルの粒度は、ユーザによって設定されることを特徴とする装置。
- 請求項3に記載の装置であって、前記レジスタは、前記不揮発性メモリの複数の部分の各々がリフレッシュを必要とするか否かを示すことを特徴とする装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記不揮発性メモリは、前記不揮発性メモリの一部分がリフレッシュを受けてよいか否かを示すリフレッシュマスクレジスタをさらに含むことを特徴とする装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記温度が前記閾値温度を超える時間の総計が2つを超えるレベルの粒度で追跡されることを特徴とする装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記コントローラが前記不揮発性メモリの少なくとも一部分をリフレッシュする割合が、前記閾値温度を超える温度の上昇に対応して増加することを特徴とする装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記温度警報は、前記温度が閾値温度を超える期間にわたる前記温度の積分が閾値を超えるときに設定されることを特徴とする装置。
- 請求項9に記載の装置であって、前記不揮発性メモリは、前記温度が前記閾値温度を超えた複数の期間にわたる前記温度の前記積分の合計を維持し、前記温度警報は前記積分の合計が前記閾値を超えたときに設定されることを特徴とする装置。
- 不揮発性メモリ内の温度を測定することと、
前記不揮発性メモリ内のレジスタに、前記不揮発性メモリが或る期間にわたって閾値温度を超えたことを示す1ビット以上のビットからなる温度警報を記憶することと、
前記不揮発性メモリが前記閾値温度を超える温度で動作する時間の第1レベルの粒度の値を記憶することと、
前記第1レベルの粒度の前記値が第2レベルの粒度の単位に達する毎に、前記不揮発性メモリが前記閾値温度を超える温度で動作する時間の前記第2レベルの粒度の値をインクリメントすることと、
前記第2レベルの粒度の前記値を記憶することと、
時間の前記第1レベルの粒度又は時間の前記第2レベルの粒度に重み付けファクタを与えることであって、前記重み付けファクタは、動作温度の各上昇レベルでの乗数である、ことと、
コントローラによって、前記温度警報がアクティブであるか否かの判断をすることと、
前記温度警報がアクティブであるという前記判断に応じて、前記不揮発性メモリの少なくとも一部分をリフレッシュすることと、
を含むことを特徴とする方法。 - 請求項11に記載の方法であって、前記温度警報は、前記リフレッシュに対する緊急度の複数のレベルのうちの一つを示すことを特徴とする方法。
- 請求項11に記載の方法であって、前記不揮発性メモリの少なくとも一部分のリフレッシュは、所定レベルの粒度で実行されることを特徴とする方法。
- 請求項13に記載の方法であって、前記所定レベルの粒度は、ユーザによって設定されることを特徴とする方法。
- 請求項13に記載の方法であって、前記不揮発性メモリ内のレジスタに、前記不揮発性メモリの複数の部分の各々がリフレッシュを必要とするか否かを示すリフレッシュステータスを記憶すること、をさらに含むことを特徴とする方法。
- 請求項11に記載の方法であって、前記不揮発性メモリのレジスタに、前記不揮発性メモリの一部分がリフレッシュを受けてよいか否かを示すリフレッシュマスクレジスタを記憶すること、をさらに含むことを特徴とする方法。
- 請求項11に記載の方法であって、前記温度が前記閾値温度を超える時間の総計が2つを超えるレベルの粒度で追跡されることを特徴とする方法。
- 請求項11に記載の方法であって、前記温度が閾値温度を超える期間にわたる前記温度の積分が閾値を超えるときに前記温度警報をアクティブに設定すること、をさらに含むことを特徴とする方法。
- 請求項18に記載の方法であって、
前記不揮発性メモリに、前記温度が前記閾値温度を超えた複数の期間にわたる前記温度の前記積分の合計を記憶することと、
前記積分の合計が前記閾値を超えたときに前記温度警報をアクティブに設定することと、
をさらに含むことを特徴とする方法。 - メモリ劣化を示す参照メモリセルと、前記参照メモリセル内の温度を測定する温度センサと、を含む不揮発性メモリと、
前記参照メモリセルが閾値温度を超える温度で動作する時間の第1レベルの粒度を記憶する第1のカウンタと、
前記参照メモリセルが前記閾値温度を超える温度で動作する時間の第2レベルの粒度を記憶する第2のカウンタであって、該第2のカウンタは、前記第1のカウンタが前記第2レベルの粒度の単位に達する毎に、前記第1のカウンタによってインクリメントされる、第2のカウンタと、
前記第1のカウンタ又は前記第2のカウンタに重み付けファクタを与える少なくとも1つのステップモジュールであって、前記重み付けファクタは、動作温度の各上昇レベルでの乗数である、少なくとも1つのステップモジュールと、
前記参照メモリセルが劣化したか否かの判断をし、前記参照メモリセルが劣化したという前記判断に応じて、前記不揮発性メモリの少なくとも一部分をリフレッシュするコントローラと、
を備えることを特徴とする装置。
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