TWI471867B - 非揮發性記憶體之溫度警示及低率刷新 - Google Patents

Description

非揮發性記憶體之溫度警示及低率刷新

本發明之實施例大致上係關於特定應用電子器件之領域，例如電腦及電信設備，更特定言之，此等實施例係關於用於擴展一非揮發性記憶體之作業溫度範圍之產品、系統及方法。

非揮發性記憶體(「NVM」)係用於許多電子器件，包含電腦、視訊遊戲控制台、電信器件等。作業溫度對一NVM之品質及可靠性有影響。例如，一NVM之作業溫度可受限於-25至85℃之範圍，且一NVM之品質及可靠性特點可依據在85℃下作業10年加以界定。

由於諸如全球定位及對映、串流視訊、視訊遊戲等之功能，使得業界對於使用NVM之器件(例如蜂巢式電話)之效能需求日益增加。為了支援此等功能，生產商不斷提高器件的「每秒指令」效能及時脈頻率。因此，器件之內部溫度亦不斷升高，引起記憶體接面溫度相應升高。此外，如層疊封裝(「POP」)、多晶片封裝(「MCP」)及真矽穿孔(「TSV」)之封裝解決方案會增加熱耦合。此外，相變記憶體(「PCM」)技術係經熱驅動，且因此對溫度變化更敏感。

本發明描述一種方法及裝置用以測量一非揮發性記憶體(「NVM」)內之一溫度，並在該溫度超過一臨限溫度達一段時間時刷新該NVM之至少一部分。刷新該NVM可確保在高溫下作業時該NVM內所儲存之資料之穩定性。本發明之實施例擴展NVM技術之作業溫度範圍以符合DRAM規格對溫度的強烈需求、不斷增加的應用需求及無線系統要求。對於一實施例而言，一刷新作業包括一驗證或讀取作業，其後為一抹除(若需要)及程式化脈衝或一寫入作業。

本發明之實施例之繪示僅作為實例，且不受限於隨附圖式中之圖，其中相同元件符號指示類似元件。

除非另有明確規定，否則如下列論述所顯而易見的，應瞭解所有說明書論述所使用的諸如「處理」、「計算」、「估算」、「判定」或類似詞之術語指的是一電腦、計算系統或類似電子計算器件之操作或處理，其等操控該計算系統之諸暫存器及/或記憶體內以物理(例如電子)量表示的資料及/或將其轉化為該計算系統之諸記憶體、暫存器或其他資訊儲存、輸送或顯示器件內以物理量表示的其他類似資料。

圖1係實施本發明之一實施例中之例示器件之一方塊圖。該記憶體100可包含一或更多個不同類型之記憶體。對於一實施例而言，該記憶體100包含一揮發性記憶體105及一NVM 110。對於一替代實施例而言，該記憶體100僅包含一NVM 110。

對於一實施例而言，該NVM 110係一相變記憶體(「PCM」)，該相變記憶體亦可稱為相變隨機存取記憶體(「PRAM」或「PCRAM」)、雙向通用記憶體(「OUM」)或硫族化合物隨機存取記憶體(「C-RAM」)。對於一替代實施例而言，該NVM 110係一磁阻隨機存取記憶體(MRAM)、鐵電隨機存取記憶體(「FRAM」)、快閃記憶體、可抹除可程式化唯讀記憶體(「EPROM」)、電可抹除可程式化唯讀記憶體(「EEPROM」)，或其他非揮發性記憶體。

該揮發性記憶體105及NVM 110可在一堆疊製程中被合併以減少一基板上之佔用面積、被單獨封裝、或被置於一多晶片封裝內，且該記憶體組件100係置於一記憶體控制器115或一或更多個處理器核心125之頂部。對於一實施例而言，該記憶體100係使用一層疊封裝120堆疊技術而與該記憶體控制器115合併。

該記憶體控制器115控管與該記憶體100相關的主要功能，包含讀取請求、寫入請求及記憶體刷新。對於一實施例而言，該記憶體控制器115及該(等)處理器核心125係相同封裝(該處理器130)之一部分或將該記憶體控制器115整合在處理器核心125內，即一處理器核心125用作該記憶體控制器115。對於一替代實施例而言，該記憶體控制器115及該(等)處理器核心125係經單獨封裝。對於另一實施例而言，該等處理器核心125之一或更多者係嵌有NVM 110(未顯示)。對於又一實施例而言，該處理器130包含一無一或更多個處理器核心125之記憶體控制器115。

對於一實施例而言，該(等)處理器核心125係連接於一輸入/輸出模組135。該輸入/輸出模組135係負責將資料傳輸至該器件及/或從該器件中輸出。對於一實施例而言，該輸入/輸出模組135包含一無線收發器，例如一用於一行動通信器件之無線電頻率(「RF」)收發器。照此，該器件可作為一蜂巢式器件或一作業於無線網路之器件，該無線網路例如舉例有基於IEEE 802.11規格提供無線區域網路(WLAN)基礎技術之無線保真(Wi-Fi)、基於IEEE 802.16-2005之WiMax及Mobile WiMax、寬頻分碼多重存取(WCDMA)及全球行動通信系統(GSM)網路，但本發明並不受限於僅在此等網路中作業者。對於一實施例而言，該輸入/輸出模組135提供一有線連接，用以例如與另一器件、一外部或可移除記憶體等通信。

對於一實施例而言，記憶體100儲存由該記憶體控制體115(或處理器130)在器件作業期間所執行的指令。對於一實施例而言，該記憶體100儲存使用者資料，例如何時輸送一訊息或輸送實際資料之條件。例如，該記憶體100中所儲存之指令執行無線通信，為該器件提供安全性功能，並提供使用者功能，例如行事曆、電子郵件、網際網路瀏覽等。

圖2係根據本發明之一實施例、包含用於啟始該NVM 110之刷新之諸模組一高階方塊圖。溫度感測器200測量該NVM 110內之接面溫度(例如該記憶體之矽溫度)。其瞬間溫度會影響電參數，例如CMOS器件之待機電流、飽和電流等。該接面溫度會隨時間變化而影響該等記憶胞之保持力。

對於一實施例而言，當該NVM 110之溫度超過一臨限溫度達一時間週期時，該NVM 110之至少一部分會被刷新。對於一實施例而言，該臨限溫度或該時間週期係在製造該記憶體控制器115或記憶體100時設定。對於一實施例而言，該臨限溫度或該時間週期係可程式化，且可由一系統製造商、一中間人或一最終使用者設定。

對於一實施例而言，在該NVM 110內實施該溫度感測器200。若該NVM 110之溫度超過一臨限溫度，則該計時器205開始追蹤超過該臨限溫度所持續之時間量。對於一實施例而言，該計時器205使用一系統時脈。對於一替代實施例而言，該計時器205使用獨立於該系統時脈之一時脈、一鎖相迴路或其他已知的參考信號。

以兩個細密度級別追蹤該溫度超過該臨限溫度之時間量。例如，第一及第二細密度級別可各自以數分鐘及數十分鐘、分鐘及小時、時數及天數、天數及週數等追蹤該時間量。對於一實施例而言，該第一細密度級別係在一揮發性計數器210內予以追蹤，且被儲存於該揮發性記憶體105中，而該第二細密度級別係在一非揮發性計數器215內予以追蹤，且被儲存於該NVM 110中。若一事件導致該揮發性記憶體105中的資訊漏失(例如一斷電、關機等)，則儲存於該揮發性計數器210中之次重要之細密度級別將丟失，但是較重要之細密度級別仍保持儲存於該非揮發性計數器215中。

每當該計時器205到達一第一細密度級別之額外單元時，該揮發性計數器210會累加。當該溫度感測器200判定該NVM 110之瞬間接面溫度已降至該臨限溫度以下時，該計時器205停止。然而，該計數器維持繼續計數，且該計時器205將在該NVM 110之瞬間接面溫度再次升至該臨限溫度之上的任何時候重新啟動。

每當該揮發性計數器210到達一第二細密度級別之單元時，該非揮發性計數器215會累加。最後，當該非揮發性計數器215到達該臨限時間週期時，該NVM 110之至少一部分之一刷新220被觸發。對於一實施例而言，該刷新220係一發送至該記憶體控制器115之觸發信號，其接著執行該NVM 110之該刷新。對於一替代實施例而言，該刷新220導致一暫存器值之設定，該值係儲存於該NVM 110內。該系統(記憶體控制器115或處理器130，例如執行來自軟體或韌體之指令)定時地監控該暫存器值，且若該暫存器值係經設定以觸發一刷新(下文進一步論述)，則執行該NVM 110之該刷新。

另外，可使用瞬間接面溫度設定一暫存器值，該暫存器值可由該軟體或由該記憶體控制器115存取以向該系統通知該記憶體之高溫度位準。該系統隨後可回應於一高溫下之操作而調降一些關鍵定時。

圖3係根據本發明之一替代實施例、包含用於啟始該NVM 110之刷新之諸模組一高階方塊圖。與圖2所顯示之實施例類似，一溫度感測器300觸發一計時器305，且在一揮發性計數器315及非揮發性計數器325中以兩個細密度級別追蹤該NVM 110超過一臨限溫度之持續時間量。若達到一臨限時間量，則觸發一刷新330。然而，對於此替代實施例而言，增加了諸步驟模組310及320。該等步驟模組310及320係當溫度到達更高(或較關鍵)位準時用於增加刷新作業之頻率。

該等步驟模組310及320對該等計數器315及325之一者或兩者提供一加權作用，藉此可設定複數個臨限溫度。在各個經升高之操作溫度位準下，該等步驟模組310及320之一者或兩者可作為計數之乘數發揮作用，抑或在該計時器305觸發該揮發性計數器315之計數時增加其計數，或在該揮發性計數器315觸發該非揮發性計數器325之計數時增加其計數。或者，該等步驟模組310及320之一者或兩者係發揮各自控制計數器315及325之觸發位準之作用。當達到經升高之作業溫度位準時，該第一及第二細密度級別之臨限位準被降低。

對於一替代實施例而言，該記憶體控制器115或處理器130監控一參考記憶胞由於高溫暴露而產生之劣化，以判定何時刷新該NVM 110之至少一部分。該參考胞代表所有記憶體陣列胞的最糟情況，即其將成為第一批由於一高作業溫度而劣化之記憶胞之一。對於一實施例而言，若所儲存之值已超過一臨限位準，則該參考記憶胞被判定為已劣化。

例如，在讀取時監控穿過一記憶胞之電荷之位準(例如測定電壓、電阻及電壓等)。在一具有兩個記憶體狀態(「1」及「0」)的器件中，若電荷係高於一50%臨限，則其具有一1的值。當電荷係低於50%臨限，則該值為0。對於一實施例而言，該參考記憶胞係經設定以維持一恆定值且一參考胞臨限係經設定為比普通狀態改變臨限更敏感，例如在上述實例中，依據該參考胞中所儲存之恆定值，一50%臨限係普通，而一40%或60%參考胞臨限為較敏感。若判定該參考記憶胞之值已超過該參考胞臨限，則應啟始一刷新以阻止該NVM 110劣化或進一步劣化。

對於一實施例而言，該臨限位準係在製造時設定，由一使用者程式化等。雖然上述實例僅包含兩個記憶體狀態，但是該參考胞及NVM 110可儲存三個或更多個記憶體狀態且包含多個臨限，以在多個狀態間進行區分。

圖4係根據本發明之另一替代實施例、包含用於啟始該NVM 110之刷新之諸模組之一高階方塊圖。與圖2及圖3所顯示之實施例類似，一溫度感測器400測量該NVM 110內之接面溫度。若該NVM 110之溫度超過一臨限溫度，則計時器405開始追蹤超過該臨限溫度之持續時間。若該溫度降至該臨限溫度之下，則該計時器405停止追蹤該時間。該觸發邏輯410藉由累積地將該溫度感測器400所測量之瞬間溫度與該計時器405所測量之關聯時間或計數合併而估算該接面溫度之積分。若該接面溫度之積分超過一積分臨限，則該觸發邏輯410觸發該NVM 110之至少一部分之一刷新。因此，一溫度超過該臨限溫度之持續時間與超過該臨限溫度之該溫度量兩者作為該NVM 110之一刷新之頻率之因數。

對於一實施例而言，若該接面溫度之積分未超過一積分臨限，則將該積分值儲存於該NVM 110內。下一次當該NVM 110之溫度超過一臨限溫度時，將前一積分溫度與當前積分合計以判定何時觸發該NVM 110之一刷新。

對於一實施例而言，該溫度感測器400、計時器405及觸發邏輯410係在該NVM 110內實施。或者，該計時器405及該觸發邏輯410之一者或兩者係在該記憶體控制器115(或處理器130)內執行。

對於一實施例而言，該系統乃依據記憶體規格及系統狀況額外地啟始一刷新作業，而不使用該觸發邏輯。例如，即使從未超過一臨限溫度，但該記憶體仍可每週刷新一次，或依據該器件之已使用年限定期刷新。

圖5係該NVM 110之一例示溫度隨時間而變化之一示意圖。參考圖2及圖5，該計時器205追蹤超過該臨限溫度Tc1的持續時間量t1.1、t2.1及t3.1。當該非揮發性計數器215在追蹤t1.1、t2.1及t3.1內達到臨限時間段時，該NVM 110之至少一部分之一刷新220被觸發。

參考圖3及圖5，該計時器305追蹤超過該臨限溫度Tc1的持續時間量t1.1、t2.1及t3.1。對於一實施例而言，該等步驟模組310及320之一者或兩者係用以當該溫度在時間t1、t2及t3期間超過一第二臨限溫度Tc2時相乘亦或是增加該計時器305之計數。或者，如上文所述，該等步驟模組310及320可用以降低粒度或刷新觸發臨限。圖5繪示兩個臨限溫度之實例，然而，本發明之實施例可具有任何數量之臨限溫度以影響刷新頻率。

參考圖4及圖5，溫度曲線下方之陰影區域代表接面溫度之積分。如上文所述，該介面溫度之積分之累積值可儲存於該NVM 110中，且可在總和超過一臨限值時觸發一刷新。

圖6係根據本發明之一實施例顯示用於使該NVM 110刷新與一主機(例如該記憶體控制器115或處理器130)同步之一刷新暫存器之諸例示值之一表格。該刷新暫存器含有有關該刷新作業之資訊。一觸發事件位元RR.0係在該NVM 110應進行刷新時設定。對於一實施例而言，如參考圖2或圖3所描述，該NVM 110之該等模組設定該觸發事件位元頁面刷新，以使一刷新與該記憶體控制器115(或處理器130)同步。該頁面刷新作用中位元RR.1係經設定以在一刷新期間控制讀取及寫入請求。或者，可使用一物理引腳將該頁面刷新位元輸送至該記憶體控制器115。此外，可在諸額外位元RR.2-RR.15中設定一刷新頁面位址以指示該NVM 110進行刷新之區域，以在該刷新期間控制讀取請求。圖6之該刷新暫存器係例示且在替代實施例中可含有大致之位元、含有額外功能或包含以一不同順序排列之所述功能。

圖7係該NVM 110之一例示溫度隨時間及對應刷新暫存器值而變化之一示意圖。例如，參考圖2及圖6，當該非揮發性計數器215到達該臨限時間週期時，該NVM 110之至少一部分之一刷新被觸發。該觸發事件將RR.0設定為0以指示該系統應開始一刷新。在執行該刷新的同時，設定RR.1以指示該NVM 110之分割區忙碌，且設定RR.2-15以指示該NVM 110的哪些頁面正在進行一刷新。對於一實施例而言，可將各RR.2-15位元與一分割區關聯。一分割區係一群組共享相同程式、讀取及抹除電路之頁面。

如參考圖6所論述，一溫度警示位元(或諸位元)可設定於該NVM 10內之一暫存器中。該系統可定期輪詢該暫存器以判定該NVM 110之一刷新需要。對於一實施例而言，該記憶體控制器115回應於該溫度警示為作用中之判定而產生一中斷訊息，且啟始該NVM之一刷新。或者，該主機等待該當前作業或該等當前作業完成之後才啟始該NVM 110之一刷新。此外，若額外溫度應力在記憶體規格所允許之範圍內，則該主機可延後刷新作業。對於一實施例而言，該刷新暫存器包含溫度警示之緊急程度。下列表1展示一溫度警示之例示值，其包含一未作用狀態及三種緊急程度。

對於一實施例而言，該記憶體控制器115或處理器130(例如根據來自軟體或韌體之指令)依據該溫度警示之緊急程度而排定一中斷需要之優先順序。例如，若該溫度警示係經設定為低緊急，則該記憶體控制器115會等待該當前作業或該等當前作業完成之後才啟始該NVM 110之一刷新。若該溫度警示係經設定為中緊急且該當前作業或該等當前作業為一高優先級，則該記憶體控制器115等待該當前作業或該等當前作業完成之後才啟始該NVM 110之一刷新。若該溫度警示係經設定為中緊急且該當前作業或該等當前作業為一低優先級，則該記憶體控制器115回應於該溫度警示為作用中之判定而產生一中斷訊息，並啟始該NVM之一刷新。若該溫度警示係經設定為高緊急，則該記憶體控制器115回應於該溫度警示為作用中之判定而產生一中斷訊息，並啟始該NVM之一刷新。

對於一實施例而言，該溫度警示之緊急程度不同係根據當前溫度或一時間週期內之溫度超過該臨限溫度之量而設定。對於一實施例而言，可對應於該溫度保持高於該臨限溫度並超過一臨限時間週期之時間量而提高該緊急程度。對於一實施例而言，可對應於該積分溫度超過該臨限積分之量而提高該緊急程度。對於一實施例而言，一更高緊急程度係與該NVM 110之一高優先級部分相關聯。例如，該緊急程度係在製造、程式化時設定或由一使用者設定，以為儲存於該NVM 110內之一些資料或代碼提供更大保護。對於一實施例而言，該緊急程度隨該NVM 110之已使用年限或使用率而升高。

對於一實施例而言，一刷新作業之一細密度級別係在製造、程式化時設定或由一使用者設定。對於一實例而言，該刷新粒度具有三個級別：所有分割區(對整個記憶體執行一刷新)，每分割區(每次刷新一分割區)，或一分割區之每區域(每次刷新一區域)。將該NVM 110之一刷新分配至諸分割區或諸區域，可允許不同緊急程度(上文所論述)或遮蔽該記憶體之諸區域以阻止一刷新(上文進一步論述)之靈活性。

另外，可例如回應於一讀取或寫入請求將刷新作業暫停或恢復。刷新作業之細密度級別可能影響頻率，因此必須使用該頻率以暫停或恢復一刷新作業。

對於一實施例而言，該NVM 110係儲存一區域大小組態暫存器，且一區域之大小係在製造、程式化時設定或由一使用者設定。下列表2展示例示區域大小組態暫存器值：

對於一實施例而言，當該NVM 110之一刷新係經劃分為各分割區或各區域之單獨刷新作業時，一刷新狀態暫存器係儲存於該NVM 110中以追蹤該NVM 110之哪些部分需要一刷新作業及哪些部分無需一刷新。因此，若該記憶體之一部分係經遮蔽以防止一刷新(下文論述)或若刷新該NVM 110之一或更多個部分之過程被中斷，則該記憶體控制器115可判定該NVM 110哪些部分進行刷新。一旦該NVM 110之一部分已進行一刷新，相應刷新狀態即被更新。下列表3展示一例示刷新狀態暫存器。

對於一實施例而言，該NVM 110之一或更多個部分係被遮蔽以防止(或允許)一刷新作業。例如，若該NVM 110之一部分係空的、閒置或含有無效資料，則可有效節省執行一刷新所需之時間及資源以供其他作業使用。另外，若寫入請求係恆定地指向該NVM 110之一部分，則一刷新之需要可能會被下一個寫入請求的執行消除。對於一實施例，一分割區或區域之遮蔽狀態係由該記憶體控制器115根據各分割區或區域之內容之狀態設定。對於一替代實施例而言，一分割區或區域之遮蔽狀態係在製造、程式化時設定或由一使用者設定。下列表4展示一例示遮蔽狀態暫存器：

以上描述之方法可讓熟習此項技術者可編製程式包括對應之指令，以在經適當組態之電腦、行動電話、消費者電子器件及記憶卡(例如，一執行機器可讀之儲存媒介之指令之處理器或控制器)上實行由該等邏輯區塊所表示之該等作業(作用)。該可由電腦執行的指令可用一電腦程式化語言編寫或可具體實施於韌體邏輯或硬體電路中。片語「機器可讀之儲存媒介」包含任何類型之可由一處理器或控制器進行存取之揮發性或非揮發性儲存器件，其等旨在與一用於載波之機器可讀取傳輸媒體相區別。

在上述說明書中，已參考其中之特定例示實施例描述本發明。很明顯可在不脫離本發明之更寬泛精神及範圍的情況下對其進行各種修改。雖然對於所描述之本發明之一實施例而言，該主機器件係一個人電腦，但是本發明之其他實施例可將行動電話、個人數位助理、數位音訊/視訊播放機、數位相機、遊戲控制台等實施為該主機器件。因此本說明書及圖式將被視為闡釋性，而非限制性。

100．．．記憶體

105．．．揮發性記憶體

110．．．非揮發性記憶體

115．．．記憶體控制器

120．．．層疊封裝

125．．．處理器核心

130．．．處理器

135．．．輸入/輸出模組

200．．．溫度感測器

205．．．計時器

210．．．揮發性計數器

215．．．非揮發性計數器

220．．．刷新

300．．．溫度感測器

305．．．計時器

310．．．步驟模組

315．．．揮發性計數器

320．．．步驟模組

325．．．非揮發性計數器

330．．．刷新

400．．．溫度感測器

405．．．計時器

410．．．觸發邏輯

圖1係實施本發明之一實施例中之例示器件之一方塊圖；

圖2係根據本發明之一實施例、包含用於啟始一非揮發性記憶體之刷新之諸模組之一高階方塊圖；

圖3係根據本發明之一替代實施例、包含用於啟始一非揮發性記憶體之刷新之諸模組一高階方塊圖；

圖4係根據本發明之另一替代實施例、包含用於啟始一非揮發性記憶體之刷新之諸模組一高階方塊圖；

圖5係該非揮發性記憶體之一例示溫度隨時間而變化之一示意圖；

圖6係根據本發明之一實施例顯示用於使該非揮發性記憶體刷新與一主機同步之一刷新暫存器之諸例示值之一表格；及

圖7係根據本發明之一實施例該非揮發性記憶體之一例示溫度隨時間及對應刷新暫存器值而變化之一示意圖。

100．．．記憶體

105．．．揮發性記憶體

110．．．NVM

115．．．記憶體控制器

120．．．層疊封裝

125．．．處理器核心

130．．．處理器

135．．．輸入/輸出模組

Claims (20)

1. 一種用以延伸一記憶體器件之操作溫度範圍之裝置，該裝置包括：一非揮發性記憶體，其包含：一溫度感測器，用以測量該非揮發性記憶體內之一溫度，及一暫存器，用以儲存一溫度警示，該溫度警示包括一個或更多個位元，該或該等位元指示該非揮發性記憶體已超過一臨限溫度達一段時間；一第一計數器，其用以儲存操作於高於該臨限溫度之一溫度之該非揮發性記憶體之時間之一第一細密度級別；一第二計數器，其用以儲存操作於高於該臨限溫度之一溫度之該非揮發性記憶體之時間之一第二細密度級別，每當該第一計數器到達該第二細密度級別之一單元時，該第二計數器會被該第一計數器累加；至少一步驟模組，其用以提供一加權因子至該第一計數器及該第二計數器，該加權因子係在每一經升高之操作溫度位準下之一乘數；及一控制器，用以判定該溫度警示為作用中，且回應於該溫度警示為作用中之判定而刷新該非揮發性記憶體之至少一部分。
2. 如請求項1之裝置，其中該溫度警示指示該刷新之複數個緊急程度之一者。
3. 如請求項1之裝置，其中以一預定細密度級別執行該非揮發性記憶體之至少一部分之該刷新。
4. 如請求項3之裝置，其中該預定細密度級別係由一使用者所組態設定。
5. 如請求項3之裝置，其中該暫存器指示是否需要刷新該非揮發性記憶體之複數個部分之每一者。
6. 如請求項1之裝置，其中該非揮發性記憶體進一步包含一刷新遮蔽暫存器以指示該非揮發性記憶體之一部分是否可進行一刷新。
7. 如請求項1之裝置，其中該溫度超過該臨限溫度之時間量係以超過兩個細密度級別進行追蹤。
8. 如請求項1之裝置，其中該控制器刷新該非揮發性記憶體之至少一部分之一速率係對應於超過該臨限溫度之一溫度增加而增加。
9. 如請求項1之裝置，其中該溫度警示係在該溫度超過一臨限溫度之一段時間期間之該溫度之一積分超過一臨限值時設定。
10. 如請求項9之裝置，其中該非揮發性記憶體在該溫度超過該臨限溫度之多段時間期間維持該溫度之該積分之一總和，且在該等積分之總和超過該臨限值時設定該溫度警示。
11. 一種用於延伸一記憶體器件之操作溫度範圍之方法，該方法包括：測量一非揮發性記憶體內之一溫度； 在該非揮發性記憶體內之一暫存器中儲存一溫度警示，該溫度警示包括一個或更多個位元，該或該等位元指示該非揮發性記憶體已超過一臨限溫度達一段時間；儲存操作於高於該臨限溫度之一溫度之該非揮發性記憶體之時間之一第一細密度級別之一值；每當該第一細密度級別之該值到達一第二細密度級別之一單元時，累加操作於高於該臨限溫度之一溫度之該非揮發性記憶體之時間之該第二細密度級別之一值；儲存該第二細密度級別之該值；將一加權因子施加至時間之該第一細密度級別或時間之該第二細密度級別，該加權因子係在每一經升高之操作溫度位準下之一乘數；藉由一控制器判定該溫度警示為作用中；及回應於該溫度警示為作用中之判定而刷新該非揮發性記憶體之至少一部分。
12. 如請求項11之方法，其中該溫度警示指示複數個刷新緊急程度之一者。
13. 如請求項11之方法，其中以一預定細密度級別執行該非揮發性記憶體之至少一部分之該刷新。
14. 如請求項13之方法，其中該預定細密度級別係由一使用者所組態設定。
15. 如請求項13之方法，其進一步包括在該非揮發性記憶體內之一暫存器中儲存一刷新狀態，以指示是否需要刷新該非揮發性記憶體之複數個部分之每一者。
16. 如請求項11之方法，其進一步包括在該非揮發性記憶體內之一暫存器中儲存一刷新遮蔽暫存器，以指示該非揮發性記憶體之一部分是否可進行一刷新。
17. 如請求項11之方法，其中該溫度超過該臨限溫度之時間量係以超過兩個細密度級別進行追蹤。
18. 如請求項11之方法，其進一步包括當該溫度超過一臨限溫度之一段時間期間之該溫度之一積分超過一臨限值時，將該溫度警示設定為作用中。
19. 如請求項18之方法，其進一步包括在該非揮發性記憶體中儲存該溫度超過該臨限溫度之多段時間期間之該溫度之該積分之一總和；及當該等積分之總和超過該臨限值時將該溫度警示設定為作用中。
20. 一種用以延伸一記憶體器件之操作溫度範圍之裝置，該裝置包括：一非揮發性記憶體，其包含一參考記憶胞，其用以指示記憶體劣化；及一溫度感測器，其用以測量該參考記憶胞內之一溫度；一第一計數器，其用以儲存操作於高於一臨限溫度之一溫度之該參考記憶胞之時間之一第一細密度級別；一第二計數器，其用以儲存操作於高於該臨限溫度之一溫度之該參考記憶胞之時間之一第二細密度級別，每當該第一計數器到達該第二細密度級別之一單元時，該 第二計數器會被該第一計數器累加；至少一步驟模組，其用以提供一加權因子至該第一計數器及該第二計數器，該加權因子係在每一經升高之操作溫度位準下之一乘數；一控制器，用以判定該參考記憶胞是否已劣化，且回應於該參考記憶胞已劣化之判定而刷新該非揮發性記憶體之至少一部分。